KR200357681Y1

KR200357681Y1 - 반도체 부품 세척장치

Info

Publication number: KR200357681Y1
Application number: KR20-2004-0011446U
Authority: KR
Inventors: 이부락
Original assignee: 이부락
Priority date: 2004-04-24
Filing date: 2004-04-24
Publication date: 2004-07-30

Abstract

본 고안은 여러 제조공정을 통하여 가공되어진 반도체 부품, 즉, LCD( Liquid Crystal Display) 및 PDP(Plasma Display Panel) 등의 반도체 부품을 제조함에 있어, 제조과정에서 기판에 유입 및 잔류되어 있는 이물질을 제거하기 위한 세척장치에 관한 것이다.

본 고안은 원통형상으로 일면에는 노즐조립공이 등간격을 이루며 다수 형성되고, 상기 노즐조립공에는 연결소켓이 용접되며, 전면에는 양쪽 측방에 세척수와 고압의 가스가 공급되는 유입구가 형성된 분사관과; 선단에 분사팁이 형성되고, 타원형태의 분사공이 관통되며, 후단부에 형성된 나사부에 의해 상기 노즐조립공에 끼워져 결합되는 분사노즐이 구비됨에 따라, 세척수에 고압의 가스를 함께, 혼합 분사시키므로서, 고압의 세척수 분사가 이루어지도록 하여 기판 표면 및 요홈부에 유입·적층된 이물질을 효과적으로 제거할 수 있고, 세척수가 분사되는 분사공을 타원형태로 이루어지도록 하여, 세척수의 분사범위를 넓게 확장시킬 수 있으며, 분사노즐을 종·횡방향으로 소정 각도의 경사각을 이루도록 하여, 분사되는 세척수의 분사각을 조절 할 수 있도록 한 것이다.

Description

반도체 부품 세척장치{Semi-Conductor Parts Washing Device}

본 고안은 반도체 부품 세척장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 여러 제조공정을 통하여 가공되어진 전자부품, 즉, LCD( Liquid Crystal Display) 및 PDP(Plasma Display Panel) 등의 반도체 부품을 제조함에 있어, 제조과정에서 기판에 유입 및 잔류되어 있는 이물질을 제거하기 위한 세척장치에 관한 것이다.

특히, 분사노즐을 통하여 세척수를 분사함에 있어, 고압의 가스를 함께 유입·분사시켜 고압에 따른 세척효율을 높이도록 함과 동시에, 분사노즐의 분사공을 타원 형태로 이루어지도록 하고, 고압의 가스와 세척수가 분사되는 분사노즐의 설정위치를 종·횡방향으로 소정 각도범위내의 경사각을 이루도록 하며, 분사노즐이 서로 엇갈린 위치에서 타원형상으로 분사가 이루어지도록 한 반도체 부품 세척장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 부품의 제조과정은 단결정 성장 → 규소봉 절단 → 기판 표면연마 → 회로 설계 → MASK(RETICLE)제작 → 산화(OXIDATION)공정 →감광액(PR:Photo Resist)도포 → 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition) → 금속배선(Metallization) → 기판 자동선별 → 기판절단 → 칩 접착 → 금(金)선 연결 →성형(Molding) →기판세척→최종검사의 공정을 통해 제조된다.

상기와 같은 각각의 공정을 통해 전자부품이 제조되는 것으로서, 기판이 제조되는 과정, 예를 들면 기판의 표면연마, 절단 및 성형과정에서, 표면이나 요홈부에 각종 이물질이 유입되어 쌓이게 되는 바, 이러한, 이물질을 제거하지 않게 되면, 최종 검사공정에서 불량율이 높게 되거나 또는, 전자제품 사용시 작동상의 오류가 발생하게 되는 지대한 폐단을 안고 있다.

따라서, 반도체 부품을 제조함에 있어, 기판에 유입·적층된 각종 이물질을 제거하기 위한 세척공정을 거치되는 것이다.

상기와 같이, 반도체 부품을 제조하는 과정에서, 각종 이물질을 제거하기 위한 세척장치로는 다양한 형태로 널리 사용되고 있으며, 종래의 세척장치는 주로, 세척수 또는 가스를 분사시켜 기판 표면에 유입된 이물질을 제거하게 된다.

그러나, 종래의 세척장치에서는 분사되는 세척수의 분사압이 낮으므로, 기판 표면에 유입된 이물질은 세척이 가능하지만, 요홈부에 유입·적층된 상태의 이물질에 대한 제거율이 저조함은 물론, 세척수의 분사범위가 전체적으로 고르게 분사되지 못하고 일부위에 집중되거나 항시, 고정된 각도에서 동일한 범위로 분사가 이루어지므로, 이물질 제거에 대한 효율성과 제거율이 좋지 못한 문제점을 갖고 있다.

본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 반도체 부품을 제조함에 있어, 분사되는 세척수에 고압의 가스를 함께, 혼합 분사시켜 기판 표면 및 요홈부에 유입·적층된 이물질을 효과적으로 제거하고, 세척수가 분사되는 분사노즐의 분사공을 타원형태로 이루어지도록 하여, 세척수의 분사범위를 넓게 확장시킴과 동시에, 분사노즐을 종·횡방향으로 소정 각도의 경사각을 이루도록 하여, 분사되는 세척수의 분사각을 조절 할 수 있도록 하므로서, 이물질 제거에 따른 효율성을 향상시킬 수 있도록 된 새로운 형태의 반도체 부품 세척장치를 제공하고자 하는 것이다.

본 고안의 다른 목적은 이물질 제거를 위해 고압의 가스와 함께 세척수가 분사되는 분사노즐을 다수열을 이루도록 설치하되, 각각의 분사노즐을 서로 엇갈린 위치에서, 서로 다른 위치의 기판을 집중적이고 연속·반복되게 효과적으로 이물질을 제거하고자 하는 것이다.

이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 고안은 분무수단을 이용하여 세척수를 분사노즐을 통해 분사시켜 제조되는 기판을 세척하기 위한 반도체 부품 세척장치에 있어서, 원통형상으로 일면에는 노즐조립공이 등간격을 이루며 다수 형성되고, 상기 노즐조립공에는 연결소켓이 용접되며, 전면에는 양쪽 측방에 세척수와 고압의 가스가 공급되는 유입구가 형성된 분사관과; 선단에 분사팁이 형성되고, 타원형태의 분사공이 관통되며, 후단부에 형성된 나사부에 의해 상기 노즐조립공에 끼워져 결합되는 분사노즐이 구비된 특징을 갖는다.

이와 같은 본 고안에서, 상기 분사노즐은 상호간에 양측방향으로 소정 각도 θ₁, θ₂를 이루도록 경사지도록 결합되고, 중심점을 기점으로 소정각도 θ₃을 이루도록 회동되도록 결합된 특징을 갖는다.

이와 같은 본 고안에서, 상기 분사노즐은 분사공이 타원형태로 이루어지고,종, 횡방향으로 소정각도를 이루도록 경사진 상태로 결합되므로, 이를 통해 분사되는 세척수가 일방향으로 기울어진 타원형상을 이루며, 2개의 타원이 서로 다른 높이를 갖도록 연접(連接)되는 세척범위 A, A'를 갖도록 분사되는 특징을 갖는다.

도 1은 본 고안에 따른 세척장치를 나타내는 정면도,

도 2는 도 1의 B부에 대한 확대 단면도,

도 3은 본 고안에 따른 세척장치의 요부 확대 사시도,

도 4는 도 1의 C-C선 단면도,

도 5는 본 고안에 따른 세척장치의 분사노즐을 나타내는 사시도,

도 6(a), 6(b)는 본 고안에 따른 세척장치를 나타내는 평면도 및 요부를 발췌해 보인 평면도,

도 7은 본 고안에 따른 세척장치의 분사 분포도를 나타내는 개략도,

도 8은 본 고안에 따른 세척장치의 사용상태를 나타내는 부분 확대 단면도,

도 9(a), 9(b), 9(c)는 본고안에 따른 세척장치의 다른 실시예를 나타내는 평면 개략도,

도 10(a), 10(b)는 본고안에 따른 세척장치의 또 다른 실시예를 나타내는 요부 확대 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1:세척장치 10:분사관

10':내부 분사관 10a, 10b, 10c:분기관

12:노즐 조립공 14:연결소켓

16, 16':유입구 20:분사노즐

이하, 본 고안을 첨부된 도면에 의해 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 반도체 부품 세척장치(1)의 분사관(10)은 원통형상으로 일면에는 노즐조립공(12)이 등간격을 이루며 다수 형성되고, 상기 노즐조립공(12)에는 연결소켓(14)이 용접되며, 전면에는 양쪽 측방에 세척수와 고압의 가스가 공급되는 유입구(16, 16')가 형성되며, 분사노즐(20)은 선단에 형성된 분사팁(22)에 타원형태의 분사공(24)이 관통되며, 후단부에는 나사부(26)가 형성되어 상기 연결소켓(14)에 끼워져 결합된 구성을 이루게 된다.

그리고, 상기 분사노즐(20)은 상호간에 양측방향으로 소정각도 θ₁, θ₂를 이루도록 경사지도록 결합되고, 중심점을 기점으로 소정각도 θ₃을 이루도록 회동되어 결합되며, 또한, 상기 분사공(24)이 타원형태로 이루어지므로, 이를 통해 분사되는 세척수가 세척범위 A, A'를 갖도록 이루어진 것이다.

이때, 분사노즐(20)의 소정각도 θ₁, θ₂는 10∼30°이고, θ₃은 5∼10°범위내가 가장 이상적이며, 상기 세척범위 A, A'는 일방향으로 기울어진 타원형상을 이루며, 2개의 타원이 서로 다른 높이를 갖도록 연접(連接)된 형태를 이루게 된다.

도 1은 본 고안에 따른 세척장치를 나타내는 정면도이고, 도 2는 도 1의 B부에 대한 확대 단면도, 도 3은 본 고안에 따른 세척장치의 요부 확대 사시도이며, 도 4는 도 1의 C-C선 단면도로서, 분사관(10)에 형성된 각각의 노즐조립공(12)에 용접된 연결소켓(14)에는 분사노즐(20)이 나사부(26)에 의해 결합되고, 전면에 형성된 각각의 세척수 및 가스 유입구(16, 16')에는 분무수단(도면에 도시되지 않음)을 통해 소정 압력을 갖도록 공급되는 세척수 및 가스가 공급되도록 결합되는 것이다.

상기 분사관(10)은 일정 범위내에 걸쳐 다수열을 이루도록 설치되며, 각각의 분사관(10)에 설치되는 분사노즐(20)은 상호간에 엇갈린 위치를 갖도록 설치된 것이다.

그리고, 상기 분사관(10)은 세척을 위해 이송되는 기판(P)의 상면과 저면을 동시에 세척할 수 있도록 2단 구조를 갖도록 설치되는 것으로, 상부에 위치된 분기관(10)은 분사노즐(20)이 하방을 향하도록 결합되고, 하부에 위치된 분사관(10)은 분사노즐(20)이 상방을 향하도록 결합된다.

도 5는 본 고안에 따른 세척장치의 분사노즐을 나타내는 사시도로서, 선단 중앙에는 분사팁(22)이 형성되고, 후단에는 나사부(26)가 형성되며, 상기 분사팁(22)의 중앙에는 타원형태의 분사공(24)이 관통되도록 이루어진 분사노즐(20)을 나타내는 것이다.

이때, 상기 분사노즐(20)은 원할한 조립을 위해 가운데 부위의 면이 6각형태로 이루어져 있다.

도 6(a), 6(b)는 본 고안에 따른 세척장치를 나타내는 평면도 및 요부를 발췌해 보인 평면도로서, 다수열을 이루도록 설치되는 분사관(10)에는 연결소켓(14)에 의해 분사노즐(20)이 등간격을 이루며 결합되되, 상호간에 엇갈린 위치와 반대방향을 향하도록 결합된 것을 나타내는 것이다.

또한, 상기 분사노즐(20)은 중심점을 기점으로 소정각도 θ₃을 이루도록 회동·결합된 것을 나타낸다.

도 7은 본 고안에 따른 세척장치의 분사 분포도를 나타내는 개략도로서, 다수열을 이루도록 설치되는 분사관(10)에 결합된 분사노즐(20)의 분사공(24)이 타원형태로 이루어지고, 양측방향으로 소정각도 θ₁, θ₂를 이루도록 경사지도록 결합되며, 중심점을 기점으로 소정각도 θ₃을 이루도록 회동된 상태로 결합됨에 따라, 분사되는 세척수의 세척범위 A, A'를 나타내는 것이다.

도 8은 본 고안에 따른 세척장치의 사용상태를 나타내는 부분 확대 단면도로서, 이송장치(도면에 도시도지 않음)에 의해 기판(P)이 이송되면서, 상방에 설치된 세척장치(1)에 의해 세척수와 가스가 분사되어 기판(P)에 유입·적층된 이물질이 제거되는 것을 나타내는 것이다.

이때, 세척수와 가스가 분사되는 분사노즐(20)은 양측방으로 소정각도 θ₁, θ₂를 이루도록 경사진 상태이므로, 기판(P)의 요홈부에 유입된 이물질이 효율적으로 제거되는 것이다.

도 9(a), 9(b), 9(c)는 본고안에 따른 세척장치의 다른 실시예를 나타내는 평면 개략도로서, 세척장치(1)의 분사관(10)에 고압의 세척수 및 가스를 공급하기 위한 것으로서, 먼저, 도 9(a)는 등간격을 이루며 다수개의 분사노즐(20)이 결합된 분기관(10)의 양측면에 세척수 유입구(16)가 결합되어 고압의 세척수가 공급되고, 정면 양측방에는 가스 유입구(16')가 결합되어 고압의 가스가 공급되도록 이루어진 것이고, 도 9(b)는 분사관(10)의 일측 측면에 세척수 및 가스 유입구(16, 16')가 결합되어, 고압의 세척수 및 가스가 공급되는 것으로서, 이때, 상기 가스 유입구(16')를 통해 공급되는 가스는 분기관(11)을 통하여 각각의 분사노즐(20)에 공급되도록 이루어진 것을 나타내는 것이다.

그리고 도 9(c)는 도 9(b)에서와 마찬가지로 분사관(10)의 일측 측면에 세척수 및 가스 유입구(16, 16')가 결합되어 고압의 세척수와 가스가 분사관(10)으로 공급되되, 상기 세척수 유입구(16)를 통해 공급된 세척수가 분기관(11)을 통하여 분사노즐(20)에 공급되도록 이루어진 것이다.

이때, 상기 분사관(10)내부로 공급된 세척수나 가스는 소정의 고압상태를 이루게 되며, 분기관(11)을 통해 분사노즐(20)로 분사되는 과정에서, 함께, 소정 비율로 혼합되어 분사된다.

도 10(a), 10(b)는 본고안에 따른 세척장치의 다른 실시예를 나타내는 요부 확대 단면도로서, 분사관(10)에 결합된 분사노즐(20)에 세척수와 가스가 공급되어 분사되는 것을 나타내는 것으로서, 먼저 도 10(a)는 분사관(10)에 결합된 각각의 분사노즐(20)에 분기관(10a, 10b)을 내설되도록 하여, 상기 분기관(10a, 10b)을 통해 공급되는 세척수와 가스가 분사공(24)을 통해 혼합되면서 외부로 분사되도록 한 것을 나타내는 것이다.

상기 분기관(10a, 10b)을 통해 외부로 혼합되면서 분사되는 세척수와 가스의 분사 압력은 통상적인 압력조절수단(도면에 도시되지 않음)에 의해 필요에 따른 조절이 가능하다.

도 10(b)는 분사관(10)내에 가스를 공급할 수 있도록 내부 분사관(10')이 내설되고, 내부 분사관(10')에는 분기관(10c)이 연결되어 공급된 가스를 분사노즐(20)의 분사공(24)을 통해 외부로 분사시키도록 이루어진 것을 나타내는 것이다.

이때, 상기 분사관(10)의 일측방에는 세척수를 공급하기 위한 유입구(16)가 형성되고, 상기 내부 분사관(10') 및 유입구(16)로는 가스를 공급하거나 또는 세척수를 선택하여 공급할 수 있다.

이와 같은 본 고안의 반도체 부품 세척장치의 실시예에 따른 사용상태를 설명하면 다음과 같다.

도 1 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 반도체 부품을 제조하는 과정에서, 기판이 이송되는 이송장치의 상방에 세척장치(1)를 설치하게 되면, 여러 공정을 통해 제조되는 반도체 부품이 이송장치에 의해 이송되면서, 세척장치(1)에 의해 기판(P) 표면이나 요홈부에 유입·적층된 이물질 제거를 위한 세척이 이루어지게 되는 것이다.

이와 같이, 이송장치에 의해 기판이 이송되면, 별도의 센서(도면에 도시되지않음)에 의해 유입 유·무가 감지되어 세척장치(1)가 구동되며, 분무수단에 의해 일정량의 세척수와 고압의 가스가 세척수 및 가스 유입구(16, 16')를 통해 분사관(10)에 공급된다.

상기 분사관(10)에 공급된 세척수와 가스는 일면에 상·하방을 향하도록 결합된 각각의 분사노즐(20)로 유입된 후, 타원형태로 이루어진 분사공(24)을 통해 분사되어 이송되는 기판(P)을 세척하게 되는 것이다.

이때, 상기 분사공(24)을 통하여 하방, 즉, 기판으로 분사되는 세척수와 가스는 분사노즐(20)이 양측방향으로 소정각도 θ₁, θ₂(10∼30°)를 이루도록 경사지도록 결합되고, 중심점을 기점으로 소정각도 θ₃(5∼10°)을 이루도록 회동된 상태로 결합되어 있으므로, 첨부 도면 도 7에 도시된 바와 같이, 타원형상으로 세척범위 A, A'를 갖도록 분사되는 것이다.

따라서, 기판(P)을 세척하기 위한 세척수와 가스가 일방향으로 소정 각도 경시진 상태를 이루며 분사되므로, 기판에 유입된 이물질, 특히, 기존의 세척장치에서는 세척수의 분사가 용이하지 못한 요홈부의 모서리 부위에 대한 용이한 세척으로 우수한 세척효과를 얻게 된다.

또한, 본 고안에 따른 세척장치(1)는 다수열을 이루도록 설치된 각각의 분사관(10)에 결합되는 분사노즐(20)의 위치가 서로 엇갈린 위치, 예를 들면, 첫번째 열에 해당되는 분사관(10)과 두번째 열에 해당되는 분사관(10)에 등간격을 이루며 결합되는 각각의 분사노즐(20)이 동일선상에 위치되지 않고, 서로 다른 위치에 대칭된 형태를 갖도록 결합된 것이다.

예컨데, 이송장치에 의해 기판이 이송되는 과정에서, 세척장치(1)에 의해 세척이 이루어짐에 있어, 첫번째 열에 해당되는 분사관(10)에 결합된 분사노즐(20)에 의해 세척이 이루어지는 기판(P)의 세척범위와 두번째 열에 해당되는 분사관(10)에 결합된 분사노즐(20)에 의해 세척이 이루어지는 기판의 세척범위가 서로 다르게 되므로, 전체적으로 기판의 전면에 고른 세척이 이루어지게 되는 것이다.

그리고, 본 고안에 따른 세척장치(1)는 세척을 위해 분사되는 세척수가 고압의 가스와 함께 분사되므로, 비교적 높은 압력으로 분사되어 기판 표면에 유입된 이물질은 물론, 요홈부 등과 같은 틈에 유입·적층된 이물질까지 용이하게 세척·제거할 수 있는 것이다.

한편, 본 고안에 따른 세척장치의 다른 실시예에 따른 사용상태로는 첨부 도면 도 9(a)에서와 같이, 분기관(10)의 양측면에 세척수 유입구(16)를 결합시키고, 정면 양측방에는 가스 유입구(16')를 결합시킴에 따라, 고압의 세척수 및 가스가 분사노즐(20)을 통해 혼합된 상태로 분사되도록 하거나, 또는, 도 9(b), 9(c)에서와 같이, 분사관(10)의 일측 측면에 세척수 및 가스 유입구(16, 16')를 결합시켜, 고압의 세척수 및 가스를 공급하되, 분기관(11)을 통해 세척수 또는, 가스를 분사노즐(20)에 공급하여 혼합·분사되도록 한 것이다.

이때, 상기 세척수 유입구(16)을 통해 분사관(10)내부에 고압의 세척수를 공급하거나, 또는, 가스 유입구(16')를 통해 분사관(10)내부에 고압의 가스가 공급되도록 하는 것은, 사용자가 선택적으로 자유롭게 설정할 수 있는 것이다.

그리고, 도 10(a), 10(b)에 도시된 바와 같이, 분기관(10a, 10b)을 이용하여 세척수와 가스를 분사노즐(20)에 각각 혼합되지 않은 상태로 공급되도록 한 후, 분사공(24)을 통해 혼합되면서 외부로 분사되도록 하여, 각각 공급되는 세척수 및 가스의 분사 압력을 자유롭게 조절할 수 있도록 한 것이며(도 10a 참조), 또는, 분사관(10)내에 내부 분사관(10')이 내설되고, 내부 분사관(10')에 분기관(10c)을 연결시켜 각각의 분기관(10c)을 통해 공급되는 가스가 분사노즐(20)의 분사공(24)을 통해 외부로 분사되는 것으로, 이 과정에서, 가스는 고압을 이루게 되므로, 유입구(16)를 통해 공급되는 세척수를 소정 압력으로 불어내어 외부로 분사되도록 한 것이다.

따라서, 고압으로 공급·분사되는 가스에 의해 세척수가 비교적 높은 압력으로 분사되므로, 효율적인 이물질 세척이 가능하고, 세척에 따른 세척수의 소모량을 최대한 절약할 수 있는 것이다.

이때, 상기 내부 분사관(10') 및 유입구(16)로는 가스를 공급하거나 또는 세척수를 공급하는 것은 사용자가 임의로 선택하여 자유롭게 실시할 수 있다.

본 고안은 LCD, PDP, 웨이퍼(Integrated Circuit) 등의 모든 반도체 부품을 제조함에 있어, 기판에 유입된 각종 이물질을 제거하기 위한 세척장치로 사용할 수 있음은 물론이다.

이와 같이, 본 고안에 따른 반도체 부품 세척장치를 이용함에 따라, 세척수에 고압의 가스를 함께, 혼합 분사시키므로서, 고압의 세척수 분사가 이루어지도록하여 기판 표면 및 요홈부에 유입·적층된 이물질을 효과적으로 제거할 수 있고, 세척수가 분사되는 분사공을 타원형태로 이루어지도록 하여, 세척수의 분사범위를 넓게 확장시킬 수 있으며, 분사노즐을 종·횡방향으로 소정 각도의 경사각을 이루도록 하여, 분사되는 세척수의 분사각을 조절 할 수 있도록 하므로서, 이물질 제거에 따른 효율성을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있는 것이다.

또한, 본 고안은 이물질 제거를 위해 고압의 가스와 함께 세척수가 분사되는 분사노즐을 다수열을 이루도록 설치하되, 각각의 분사노즐을 서로 엇갈린 위치에 대칭된 형태를 이루도록 설치함에 따라, 서로 다른 위치에서 기판 전면을 고르게 효과적이고, 연속·반복적으로 세척할 수 있어 경제적이며, 월등히 우수한 세척효과를 얻을 수 있는 것이다.

Claims

분무수단을 이용하여 세척수를 분사노즐을 통해 분사시켜 제조되는 기판을 세척하기 위한 반도체 부품 세척장치에 있어서,

세척을 위해 이송되는 기판(P)의 상면과 저면을 동시에 세척할 수 있도록 2단 구조로 이루어지며, 원통형상으로 일면에는 노즐조립공(12)이 등간격을 이루며 다수 형성되고, 전면에는 양쪽 측방에 세척수와 고압의 가스가 공급되는 유입구(16, 16')가 형성된 분사관(10)과;

선단에 분사팁(22)이 형성되고, 타원형태의 분사공(24)이 관통되며, 후단부에 형성된 나사부(26)에 의해 상기 연결소켓(14)에 끼워져 결합되는 분사노즐(20)이 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 부품 세척장치.
제 1항에 있어서,

상기 분사관(10)에 형성된 노즐조립공(12)에는 연결소켓(14)이 용접된 것을 특징으로 하는 반도체 부품 세척장치.
제 1항에 있어서,

상기 분사노즐(20)은 상호간에 양측방향으로 소정 각도 θ₁, θ₂를 이루도록 경사지도록 결합된 것을 특징으로 하는 반도체 부품 세척장치.

여기에서, 소정각도 θ₁, θ₂는 10∼30°이다.
제 1항에 있어서,

상기 분사노즐(20)에 관통된 분사공(24)은 중심점을 기점으로 소정각도 θ₃을 이루도록 회동되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 부품 세척장치.

여기에서, θ₃은 5∼10°이다.
제 1항에 있어서,

상기 분사노즐(20)은 분사공(24)이 타원형태로 이루어지고, 종, 횡방향으로 소정각도를 이루도록 경사진 상태를 이루도록 결합되며, 분사되는 세척수가 일방향으로 기울어진 타원형상으로 연접(連接)되는 세척범위 A, A'를 갖도록 분사되는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 반도체 부품 세척장치.
제 1항에 있어서,

상기 분사관(10)에 결합된 각각의 분사노즐(20)에는 분기관(10a, 10b)이 내설되고, 상기 분기관(10a, 10b)을 통해 공급되는 세척수와 가스가 분사공(24)을 통해 혼합되면서 외부로 분사되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 부품 세척장치.
제 1항 또는 제 6항에 있어서,

상기 분사관(10)에는 가스를 공급할 수 있도록 내부 분사관(10')이 내설되고, 내부 분사관(10')에는 분기관(10c)이 연결되어 공급된 가스를 분사노즐(20)의 분사공(24)을 통해 외부로 분사되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 부품 세척장치.