CN211125592U - 用于去除杂质的基板处理装置 - Google Patents

用于去除杂质的基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN211125592U
CN211125592U CN201922236987.8U CN201922236987U CN211125592U CN 211125592 U CN211125592 U CN 211125592U CN 201922236987 U CN201922236987 U CN 201922236987U CN 211125592 U CN211125592 U CN 211125592U
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
nozzle
processing apparatus
substrate processing
foreign substances
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201922236987.8U
Other languages
English (en)
Inventor
白承大
金康元
金成烨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zeus Co Ltd
Original Assignee
Zeus Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zeus Co Ltd filed Critical Zeus Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN211125592U publication Critical patent/CN211125592U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本实用新型的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，包括支承基板的支承主体部以及设置在与基板相对的位置并且朝向基板喷射工作液体从而去除杂质的喷嘴部。根据本实用新型，在翻转成基板的芯片朝向下侧的状态下，从喷嘴部排出的工作液体喷向设置有芯片的基板，从而自动去除位于基板的杂质，因此可以提高生产性。

Description

用于去除杂质的基板处理装置
技术领域
本实用新型涉及用于去除杂质的基板处理装置，更加详细地，通过从单一喷嘴部喷射的多个工作液体能够自动去除残留在基板上的杂质的用于去除杂质的基板处理装置。
背景技术
一般情况下，随着发光二极管(LED)元件或者半导体元件等实现高密度、高度集成、高性能化，并且电路图案快速实现细微化，蚀刻基板表面或者用于洗涤残留在基板表面的钎剂(FLUX)、微粒(Particle)、有机污染物、金属污染物等杂质的基板处理工序的重要性增加。
蚀刻基板或者洗涤基板的基板处理装置以干式(Dry)或者湿式(Wet)处理方式中的任一方式处理基板表面。尤其是，湿式处理方式是利用药液等处理液的处理方式，可以划分为同时洗涤多个基板的批量方式和以一张单位洗涤基板的单张方式。
单张方式基板处理装置如下方式处理基板，即向在基板被基板支承部支承的状态下高速旋转基板的表面喷射药液。基板支承部与基板的下表面或者外侧面接触，并且支承基板，基板的下侧设置有发热部，加热旋转的基板。
为了去除残留在基板上的杂质而使用多个流体，为此需要各自的喷嘴，所以存在安装费用增加的问题。因此，要求对此进行改善。
本实用新型的背景技术在韩国公开专利公报第2004-0023943号(2004.03.20公开，发明名称：可以两面同时洗涤的单张方式晶片洗涤装置)中公开。
实用新型内容
要解决的技术问题
本实用新型是为了改善如上所述的问题而做出的，本实用新型的目的在于提供通过从单一喷嘴部喷射的多个工作液体能够自动去除残留在基板上的杂质的用于去除杂质的基板处理装置。
解决技术问题的手段
根据本实用新型的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，包括：支承主体部，用于支承基板；以及喷嘴部，设置在与基板相对的位置，朝向基板喷射工作液体，从而去除杂质。
并且，特征在于，支承主体部包括：基底部，位于喷嘴部的下侧；以及基板支承部，从基底部突出而支承基板。
并且，特征在于，喷嘴部包括：中央主体部，从支承主体部朝设置有基板的方向突出；以及洗涤喷嘴部，向中央主体部的一侧延伸并且向基板喷射工作液体。
并且，特征在于，洗涤喷嘴部包括：第一供给部，具备朝向基板喷射洗涤液的多个第一喷嘴；以及第二供给部，具备朝向基板喷射冲洗液的多个第二喷嘴。
并且，特征在于，洗涤喷嘴部以朝基板喷射的喷嘴的喷射区域彼此重叠的方式进行喷射。
并且，特征在于，在从最接近基板的外围的喷嘴喷射药液时，洗涤喷嘴部朝向比配置在最接近基板的外围的位置的芯片更靠外的外侧喷射药液。
并且，特征在于，在从最接近基板的中心的喷嘴喷射药液时，洗涤喷嘴部将药液喷射到以最接近的喷嘴为基准超过基板的中心的区域。
并且，本实用新型的特征在于，还包括：干燥喷嘴部，与中央主体部连接并且朝基板喷射干燥气体。
并且，特征在于，干燥喷嘴部包括：干燥喷嘴主体，朝向中央主体部的侧方延伸并且位于基板的下侧；以及排出引导部，沿与基板相对的干燥喷嘴主体形成有排出干燥气体的多个喷射孔。
并且，特征在于，排出引导部包括：第一排出管道，连接于设置在干燥喷嘴主体的内侧的主管道并且向竖直方向上侧延伸；以及第二排出管道，连接于主管道并且向斜上方延伸。
并且，特征在于，沿干燥喷嘴主体的长度方向设置有多个第一排出管道，第二排出管道位于干燥喷嘴主体的两侧。
并且，特征在于，基板被翻转成设置有芯片的一面朝向喷嘴部，从而放置在支承主体部。
并且，特征在于，被设置成基板和支承主体部进行旋转且喷嘴部静止的状态。
并且，特征在于，被设置成喷嘴部进行旋转且基板和支承主体部静止的状态。
实用新型效果
根据本实用新型的用于去除杂质的基板处理装置在被翻转为基板的芯片朝向下侧的状态下，从喷嘴部排出的工作液体喷向设置有芯片的基板，自动去除位于基板的杂质，因此可以提高生产性。
并且，排出工作液体的洗涤喷嘴部和排出干燥气体的干燥喷嘴部连接成一体，因此装置整体的结构紧凑，可以节省设置空间，共同使用现有设备的支承主体部，因此可以节省生产费用。
并且，喷嘴部位于基板的下侧，因此减少工作液体飞散到基板外侧的现象，从而可以防止外部装置的污染，提高工作液体的回收率，可以节省生产费用。
并且，根据工作液体的种类区分有第一供给部和第二供给部，还单独分开有供给干燥气体的干燥喷嘴部，因此根据工序选择性地控制工作液体和干燥气体的供给，可以节省生产费用。
附图说明
图1是简要示出根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置的结构的拆分立体图。
图2是示出根据本实用新型一实施例的喷嘴部和干燥喷嘴部的立体图。
图3是根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置的平面图。
图4是根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置的正面截面图。
图5是示出根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置喷射洗涤液的状态的立体图。
图6是示出根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置喷射冲洗液的状态的立体图。
图7是示出根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置喷射干燥气体的状态的立体图。
附图标记说明
1：用于去除杂质的基板处理装置；10：基板；12：芯片；20：支承主体部；22：基底部；24：基板支承部；25：第一支承部；26：第二支承部；27：支承基底；28：支承杆；29：侧面槽部；30：喷嘴部；32：工作液体；34：洗涤液(cleaning fluid)；36：冲洗液；40：中央主体部；50：洗涤喷嘴部；60：第一供给部；62：第一喷嘴；70：第二供给部；72：第二喷嘴；80：干燥喷嘴部；82：干燥喷嘴主体；84：排出引导部；86：喷射孔；87：第一排出管道；88：第二排出管道；G：干燥气体；A：洗涤液的喷射区域。
具体实施方式
下面，参照附图说明根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置。在说明过程中，为了清楚且简单地说明，有时夸张示出附图中示出的线的厚度或者构成元素的大小等。
并且，后述的术语是鉴于在本实用新型中的功能而定义的术语，根据使用者、执行者的意图或者习惯可以有变化。因此，应该基于本说明书整体内容来定义这些术语。
图1是简要示出根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置的结构的拆分立体图，图2是示出根据本实用新型一实施例的喷嘴部和干燥喷嘴部的立体图，图3是示出根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置的平面图，图4是示出根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置的正面截面图，图5是示出根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置喷射洗涤液的状态的立体图，图6是示出根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置喷射冲洗液的状态的立体图，图7是示出根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置喷射干燥气体的状态的立体图。
如图1至图7示出，根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置1包括支承基板10的支承主体部20、设置在与基板10相对的位置，朝向基板10喷射工作液体32，从而去除杂质的喷嘴部30、以及与喷嘴部30的中央主体部40连接并且朝向基板10喷射干燥气体G的干燥喷嘴部80。
如图1和图3示出，板状的基板10的一侧面设置有芯片12。设置有芯片12的基板10的一侧面被翻转以朝向喷嘴部30，从而放置在支承主体部20。因此，在设置于基板10的芯片12朝向下侧的状态下放置在支承主体部20的基板支承部24。
支承主体部20位于基板10的下侧或侧面，在支承基板10的技术构思内可以采用各种方式使得基板10位于喷嘴部30的上侧。根据一实施例的支承主体部20包括基底部22和基板支承部24。
基底部22位于喷嘴部30的下侧，对基板支承部24的下侧进行支承。根据一实施例的基底部22，圆盘状的部件沿水平方向设置，基底部22的边缘设置有基板支承部24。
基板支承部24从基底部22突出而支承基板10，因此基板10始终设置为与基底部22隔开预定距离的状态。根据一实施例的基板支承部24包括第一支承部25，向基底部22的上侧突出从而支承基板10的下侧；以及第二支承部26，与第一支承部25分开且具备侧面槽部29，该侧面槽部29向基底部22的上侧突出从而卡在基板10的侧面。第一支承部25的长度形成为比第二支承部26短。
多个第一支承部25沿基底部22的边缘隔开预定的间隔设置，是在上下方向延伸的棒状。第一支承部25的上侧支承基板10的下部，因此防止基板10向朝向基底部22的下侧下落。
根据一实施例的第二支承部26包括可旋转地设置在基底部22的上侧的圆盘状的支承基底27、向支承基底27的上侧突出的棒状的支承杆28、以及在与基板10的端部相对的侧面形成槽部的侧面槽部29。
基板10的端部插入侧面槽部29内卡接，因此限制基板10的水平方向的移动以及上下方向的移动。并且，支承基底27可以以手动方式旋转，可以通过电机驱动自动旋转，因此各种尺寸的基板10的边缘可以插入固定在侧面槽部29内。
如图1至图4示出，喷嘴部30设置在与放置在基板支承部24的基板10的下侧相对的位置，在朝向基板10喷射工作液体32来去除杂质的技术构思范围内可以构成为各种方式。
根据一实施例的基板10和支承主体部20设置为旋转，喷嘴部30和干燥喷嘴部80设置为静止的状态，因此，从喷嘴部30喷射的工作液体32可以均匀地喷射在设置有芯片12的基板10的下表面。并且，从干燥喷嘴部80喷射的干燥气体G可以均匀地干燥基板10的下侧。
或者还可以像喷嘴部30供给其它的旋转动力，基板10和支承主体部20可以设置为静止状态。在基板10静止的状态下喷嘴部30和干燥喷嘴部80进行旋转，因此从喷嘴部30喷射的工作液体32可以均匀地喷射到设置有芯片12的基板10的下表面，从干燥喷嘴部80喷射的干燥气体G可以均匀地干燥基板10的下侧。
中央主体部40从支承主体部20向设置有基板10的方向突出。从形成为圆盘状的基底部22的中央向上侧突出的中央主体部40形成为柱状。中央主体部40的内侧分别设置有引导工作液体32和干燥气体G移动的管道。
洗涤喷嘴部50向中央主体部40的一侧延伸，在朝向基板10喷射工作液体32的技术构思范围内可以变形为各种方式。根据一实施例的洗涤喷嘴部50包括第一供给部60和第二供给部70。
洗涤喷嘴部50以朝向基板10喷射的喷嘴的喷射区域彼此重叠的方式进行喷射。作为一实施例，洗涤喷嘴部50设置为，朝向基板10喷射洗涤液34的喷嘴的喷射区域彼此重叠，朝向基板10喷射冲洗液36的喷嘴的喷射区域也彼此重叠。
第一供给部60具备朝向基板10喷射洗涤液34的多个第一喷嘴62并且沿水平方向设置。第二供给部70具备朝向基板10喷射冲洗液36的多个第二喷嘴72并且沿水平方向设置。
第一供给部60和第二供给部70并列设置，第一供给部60和第二供给部70的端部连接于中央主体部40。从喷嘴部30喷射的工作液体32包括洗涤液34和冲洗液36，洗涤液34通过第一供给部60喷射，冲洗液36通过第二供给部70喷射。
洗涤液34是用于取出残留在基板10上的杂质的药液，作为在喷射洗涤液34之后朝向基板10喷射的冲洗液36使用去离子水。根据一实施例的洗涤液34不限定于去离子水，包括蒸馏水在内的各种种类的液体可以作为洗涤液34使用。
第一供给部60的内侧设置有引导洗涤液34的移动的管道，第一供给部60的上侧以预定的间隔设置有多个第一喷嘴62。从第一喷嘴62喷射的洗涤液34的喷射区域A与从相邻的第一喷嘴62喷射的洗涤液34的喷射区域A重叠，因此可以向基板10的下侧均匀地喷射洗涤液。
如图4示出，当从与基板10的边缘相对的喷嘴喷射洗涤液34或冲洗液36时，包括基板10的边缘在内的基板10的外侧也包括在洗涤液34或冲洗液36的喷射区域内。
洗涤喷嘴部50在从最接近基板10的外围的喷嘴喷射药液时，优选地，朝向比配置在最接近基板10的外围的位置的芯片12更靠外的外侧喷射药液。例如，在从与基板10的外围外侧相对的喷嘴喷射洗涤液34或冲洗液36时，优选地，向配置在最接近基板10的外侧的位置的芯片12的外侧也喷射洗涤液34或冲洗液36。这样，通过利用配置在最外侧的芯片12喷射洗涤液34或冲洗液36等药液，从而向基板10的边缘也可以均匀地喷射涤液34或冲洗液36。
并且，洗涤喷嘴部50在从最接近基板10的中心的喷嘴喷射药液时，优选地，将药液喷射到以最接近基板10的中心的喷嘴为基准超过基板10的中心的区域。例如，优选地，在洗涤喷嘴部50中，从配置在最接近基板10的中心的位置的喷嘴喷射的药液喷射到喷嘴所在区域之外，还喷射到超过基板10的中心的区域。这样，在喷射洗涤液34或冲洗液36时，包括基板10的中央部在内的基板10的内侧也包括在洗涤液34或冲洗液36的喷射区域，因此也可以向基板10的中央部均匀地喷射洗涤液34或冲洗液36。
如图1至图7示出，第二供给部70的内侧也设置有用于引导冲洗液36移动的管道，第二供给部70的上侧以预定的间隔设置有多个第二喷嘴72。从第二喷嘴72喷射的冲洗液36的喷射区域与从相邻的第二喷嘴72喷射的冲洗液36的喷射区域重叠，所以可以向基板10的下侧均匀地喷射冲洗液36。冲洗液36的喷射区域重叠的技术构思与洗涤液34的喷射区域A重叠的技术构思相同，因此在此省略详细说明。
通过调节连接于第一喷嘴62的管道的直径或者调节第一喷嘴62的孔的大小等，从而当通过多个第一喷嘴62喷射洗涤液34时，进行引导使得排出相同的压力和量的洗涤液34，洗涤液34可以均匀地喷射在基板10上。
并且，通过调节连接于第二喷嘴72的管道的直径或者调节第二喷嘴72的孔的大小等，从而当通过多个第二喷嘴72喷射冲洗液36时，进行引导使得排出相同的压力和量的冲洗液36，冲洗液36可以均匀地喷射在基板10上。
干燥喷嘴部80连接于中央主体部40，朝向基板10喷射干燥气体G，从而去除留在基板10的冲洗液36，在这种技术构思范围内，可以使用各种种类的干燥装置。
根据一实施例的干燥喷嘴部80包括干燥喷嘴主体82以及排出引导部84。
干燥喷嘴主体82朝向中央主体部40的侧方延伸并且位于基板10的下侧。根据一实施例的干燥喷嘴主体82向喷嘴部30的反方向延伸，所以干燥喷嘴部80和洗涤喷嘴部50相隔180度设置。干燥喷嘴部80和洗涤喷嘴部50以中央主体部40为中心分别位于水平方向的两侧，所以可以简单地区分工作液体32和干燥气体G排出的区域。洗涤喷嘴部50和干燥喷嘴部80在连接于中央主体部40的技术构思范围内，可以变形为包括“十”字形在内的各种形状。另外，第一供给部60和第二供给部70可以并排粘贴，还可以设置成彼此隔开的状态。
根据一实施例的干燥喷嘴主体82沿水平方向设置在卡接于基板支承部24的基板10的下侧，内侧设置有引导干燥气体G移动的主管道。
排出引导部84沿与基板10相对的干燥喷嘴主体82形成有排出干燥气体G的多个喷射孔86，从而朝向基板10喷射干燥气体G，在此技术构思范围内可以有各种变形。
根据一实施例的排出引导部84包括喷射孔86和第一排出管道87以及第二排出管道88。第一排出管道87连接于设置在干燥喷嘴主体82内侧的主管道并且向竖直方向上侧延伸，从而引导干燥气体G向上侧竖直方向排出。第二排出管道88连接于主管道并且向斜上方延伸，从而引导干燥气体G向斜上方排出。
沿干燥喷嘴主体82的长度方向设置有多个第一排出管道87，第二排出管道88位于干燥喷嘴主体82的两侧。第一排出管道87和第二排出管道88连接主管道和干燥喷嘴主体82的上侧，引导干燥气体G的排出，第一排出管道87和第二排出管道88的上侧形成有喷射孔86。根据一实施例的喷射孔86沿干燥喷嘴主体82的长度方向连续形成在干燥喷嘴主体82的上侧。
当位于基板10的下侧的干燥喷嘴主体82的长度比基板10的半径小时，为了防止通过排出引导部84排出的干燥气体G无法均匀地喷射在旋转的基板10的下侧的现象，在干燥喷嘴主体82的两侧设置倾斜形状的第二排出管道88。此外，一对第二排出管道88之间设置多个第一排出管道87。因此，沿干燥喷嘴主体82的内侧水平方向移动的干燥气体G通过第一排出管道87喷射到位于上侧的基板10，通过第二排出管道88喷射到斜上方。因此，干燥气体G均匀地喷射在基板10的下侧，可以去除冲洗液36。另一方面，作为干燥气体G可以使用包括惰性气体在内的各种种类的气体。
下面，参照附图详细说明根据本实用新型一实施例的用于去除杂质的基板处理装置1的动作状态。
如图1和图3示出，在将基板10翻转成沾有杂质的基板10的芯片12朝向下侧的状态下，使基板10得到基板支承部24的支承。基板支承部24的第一支承部25支承基板10的下侧，第二支承部26的侧面槽部29内插入有基板10的侧面边缘。因此，基板10以芯片12朝向下侧的状态固定在喷嘴部30和干燥喷嘴部80的上侧。
此外，支承主体部20进行旋转，因此被支承主体部20支承的基板10也一起旋转，如图4和图5示出，从第一供给部60的第一喷嘴62喷射的洗涤液34被供给到具备芯片12的基板10的下侧。从多个第一喷嘴62喷射的洗涤液34的喷射区域A彼此重叠，所以洗涤液34均匀地喷射在基板10的下侧，可以去除杂质。
如图6示出，在结束通过第一供给部60的洗涤液34的喷射之后，通过第二供给部70喷射冲洗液36。使用去离子水的冲洗液36通过第二喷嘴72喷射到基板10的下侧，从而去除位于基板10的杂质和洗涤液34。
残留在基板10表面的杂质可以包括钎剂(FLUX)、微粒(Particle)、有机污染物、金属污染物中的任意一个，除此之外的其它物质也可以被定义为本实用新型一实施例的杂质。
在结束洗涤液34的喷射之后，如图7示出，通过干燥喷嘴部80的排出引导部84喷射干燥气体G，从而去除位于基板10的冲洗液36。
如上所述，根据本实用新型，在翻转成基板10的芯片12朝向下侧的状态下，从喷嘴部30排出的工作液体32朝设置有芯片12的基板10喷射，自动去除位于基板10的杂质，从而可以提高生产性。并且，排出工作液体32的洗涤喷嘴部50和排出干燥气体G的干燥喷嘴部80连接成一体，因此，装置整体结构紧凑，可以节省设置空间，共同使用现有设备的支承主体部20，因此可以节省生产费用。并且，喷嘴部30位于基板10的下侧，因此减少工作液体32飞散到基板10的外侧的现象，可以防止外部装置被污染，并且提高了工作液体32的回收率，可以节省生产费用。并且，根据工作液体32的种类，区分第一供给部60和第二供给部70，还单独分开有供给干燥气体G的干燥喷嘴部80，因此根据工序选择性地控制工作液体32和干燥气体G的供给，可以节省生产费用。
参照附图中示出的实施例说明了本实用新型，但是这些只是示例性的，本领域技术人员应该可以理解由此可以得到各种变形以及等同的其它实施例。因此，应该基于权利要求书来定义本实用新型的真正的保护范围。

Claims (14)

1.一种用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，包括：
支承主体部，用于支承基板；以及
喷嘴部，设置在与所述基板相对的位置，朝向所述基板喷射工作液体，从而去除杂质。
2.根据权利要求1所述的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，所述支承主体部包括：
基底部，位于所述喷嘴部的下侧；以及
基板支承部，从所述基底部突出而支承所述基板。
3.根据权利要求1所述的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，所述喷嘴部包括：
中央主体部，从所述支承主体部朝设置有所述基板的方向突出；以及
洗涤喷嘴部，向所述中央主体部的一侧延伸并且向所述基板喷射工作液体。
4.根据权利要求3所述的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，所述洗涤喷嘴部包括：
第一供给部，具备朝向所述基板喷射洗涤液的多个第一喷嘴；以及
第二供给部，具备朝向所述基板喷射冲洗液的多个第二喷嘴。
5.根据权利要求3所述的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，所述洗涤喷嘴部以朝所述基板喷射的喷嘴的喷射区域彼此重叠的方式进行喷射。
6.根据权利要求3所述的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，
在从最接近所述基板的外围的喷嘴喷射药液时，所述洗涤喷嘴部朝向比配置在最接近所述基板的外围的位置的芯片更靠外的外侧喷射药液。
7.根据权利要求3所述的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，
在从最接近所述基板的中心的喷嘴喷射药液时，所述洗涤喷嘴部将药液喷射到以所述最接近的喷嘴为基准超过所述基板的中心的区域。
8.根据权利要求3所述的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，还包括：
干燥喷嘴部，与所述中央主体部连接并且朝所述基板喷射干燥气体。
9.根据权利要求8所述的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，
所述干燥喷嘴部包括：
干燥喷嘴主体，朝向所述中央主体部的侧方延伸并且位于所述基板的下侧；以及
排出引导部，沿与所述基板相对的所述干燥喷嘴主体具备排出干燥气体的多个喷射孔。
10.根据权利要求9所述的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，
所述排出引导部包括：
第一排出管道，连接于设置在所述干燥喷嘴主体的内侧的主管道并且向竖直方向上侧延伸；以及
第二排出管道，连接于所述主管道并且向斜上方延伸。
11.根据权利要求10所述的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，
沿所述干燥喷嘴主体的长度方向设置有多个所述第一排出管道，
所述第二排出管道位于所述干燥喷嘴主体的两侧。
12.根据权利要求1所述的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，
所述基板被翻转成设置有芯片的一面朝向所述喷嘴部，从而放置在所述支承主体部。
13.根据权利要求1所述的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，
被设置成所述基板和所述支承主体部进行旋转且所述喷嘴部静止的状态。
14.根据权利要求1所述的用于去除杂质的基板处理装置，其特征在于，
被设置成所述喷嘴部进行旋转且所述基板和所述支承主体部静止的状态。
CN201922236987.8U 2018-12-13 2019-12-13 用于去除杂质的基板处理装置 Active CN211125592U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0161205 2018-12-13
KR1020180161205A KR102176209B1 (ko) 2018-12-13 2018-12-13 이물질 제거용 기판처리장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN211125592U true CN211125592U (zh) 2020-07-28

Family

ID=71138098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201922236987.8U Active CN211125592U (zh) 2018-12-13 2019-12-13 用于去除杂质的基板处理装置

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102176209B1 (zh)
CN (1) CN211125592U (zh)
TW (1) TWI728593B (zh)

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158202A (ja) 2000-11-20 2002-05-31 Super Silicon Kenkyusho:Kk ウエハ洗浄装置
JP4005335B2 (ja) 2001-11-01 2007-11-07 住友精密工業株式会社 基板処理装置
US20040084318A1 (en) * 2002-11-05 2004-05-06 Uri Cohen Methods and apparatus for activating openings and for jets plating
KR20070074426A (ko) * 2006-01-09 2007-07-12 한미반도체 주식회사 반도체 제조공정용 클리닝장치
KR100706666B1 (ko) * 2006-05-25 2007-04-13 세메스 주식회사 기판을 처리하는 장치 및 방법, 그리고 이에 사용되는분사헤드
TWI378502B (en) * 2006-06-12 2012-12-01 Semes Co Ltd Method and apparatus for cleaning substrates
KR100745482B1 (ko) 2006-09-11 2007-08-02 세메스 주식회사 기판 이면 처리 장치
KR20080071685A (ko) * 2007-01-31 2008-08-05 세메스 주식회사 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치
JP5290081B2 (ja) 2008-10-15 2013-09-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR101015956B1 (ko) * 2008-10-28 2011-02-23 세메스 주식회사 스핀 헤드
KR101040289B1 (ko) * 2009-06-19 2011-06-10 한양대학교 산학협력단 반도체 후면 세정을 위한 메가소닉 세정 시스템
JP5646354B2 (ja) * 2011-01-25 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5642574B2 (ja) * 2011-01-25 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US9613833B2 (en) * 2013-02-20 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating
TWI645913B (zh) * 2016-11-10 2019-01-01 辛耘企業股份有限公司 液體製程裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200072994A (ko) 2020-06-23
KR102176209B1 (ko) 2020-11-09
TW202023698A (zh) 2020-07-01
TWI728593B (zh) 2021-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101891128B1 (ko) 기판 처리 장치 및 토출 기구 세정 방법
US9048269B2 (en) Substrate liquid treatment apparatus with lift pin plate
CN1707759B (zh) 使用薄的、高速液体层处理晶片表面的方法和装置
JP5536009B2 (ja) 基板加工装置
JP5470306B2 (ja) ２流体ノズル、基板液処理装置、基板液処理方法、及び基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR102482211B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR101582248B1 (ko) 2 유체 노즐 및 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
CN107342249B (zh) 化学品供应单元和基板处理装置
KR20160013469A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN106409657B (zh) 喷嘴和包括该喷嘴的基板处理设备
TW202040668A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
CN107527839B (zh) 基板处理装置、基板处理装置的清洗方法和存储介质
US20120160275A1 (en) Liquid treatment apparatus and method
JP6014313B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101499681B1 (ko) 기판 세정 장치의 챔버 배열 구조
KR101205828B1 (ko) 기판 세정 방법
CN211125592U (zh) 用于去除杂质的基板处理装置
CN101431006B (zh) 基材处理设备以及使用该基材处理设备处理基材的方法
TWI567847B (zh) 晶圓清洗裝置及晶圓清洗方式
KR102096945B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101460272B1 (ko) 노즐 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 이를 이용한 기판 처리 방법
KR101884852B1 (ko) 처리액 분사 유닛 및 기판 처리 장치
JP4318295B2 (ja) 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
CN116805607A (zh) 基板处理装置
KR101290679B1 (ko) 기판 건조 장치 및 그의 제어 방법

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant