TWI728593B - 用於去除異物的基質處理裝置 - Google Patents

用於去除異物的基質處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI728593B
TWI728593B TW108145748A TW108145748A TWI728593B TW I728593 B TWI728593 B TW I728593B TW 108145748 A TW108145748 A TW 108145748A TW 108145748 A TW108145748 A TW 108145748A TW I728593 B TWI728593 B TW I728593B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
nozzle
removing impurities
processing apparatus
substrate processing
Prior art date
Application number
TW108145748A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202023698A (zh
Inventor
白承大
金康元
金成燁
Original Assignee
南韓商杰宜斯科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商杰宜斯科技有限公司 filed Critical 南韓商杰宜斯科技有限公司
Publication of TW202023698A publication Critical patent/TW202023698A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI728593B publication Critical patent/TWI728593B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明的用於去除雜質的基板處理裝置，其中，包括支承基板的支承主體部以及設置在與基板相對的位置並且朝向基板噴射工作液體從而去除雜質的噴嘴部。根據本發明，在翻轉成基板的晶片朝向下側的狀態下，從噴嘴部排出的工作液體噴向設置有晶片的基板，從而自動去除位於基板的雜質，因此可以提高生產性。

Description

用於去除異物的基質處理裝置
本發明涉及用於去除雜質的基板處理裝置，更加詳細地，藉由從單一噴嘴部噴射的多個工作液體能夠自動去除殘留在基板上的雜質的用於去除雜質的基板處理裝置。
一般情況下，隨著發光二極體（LED）元件或者半導體元件等實現高密度、高度集成、高性能化，並且電路圖案快速實現細微化，蝕刻基板表面或者用於洗滌殘留在基板表面的釺劑（FLUX）、微粒（Particle）、有機污染物、金屬污染物等雜質的基板處理步驟的重要性增加。
蝕刻基板或者洗滌基板的基板處理裝置以乾式（Dry）或者濕式（Wet）處理方式中的任一方式處理基板表面。尤其是，濕式處理方式是利用藥液等處理液的處理方式，可以劃分為同時洗滌多個基板的批量方式和以一張單位洗滌基板的單張方式。
單張方式基板處理裝置如下方式處理基板，即向在基板被基板支承部支承的狀態下高速旋轉基板的表面噴射藥液。基板支承部與基板的下表面或者外側面接觸，並且支承基板，基板的下側設置有發熱部，加熱旋轉的基板。
為了去除殘留在基板上的雜質而使用多個流體，為此需要各自的噴嘴，所以存在安裝費用增加的問題。因此，要求對此進行改善。
本發明的背景技術在韓國公開專利公報第2004-0023943號（2004.03.20公開，發明名稱：可以兩面同時洗滌的單張方式晶片洗滌裝置）中公開。
要解決的技術問題
本發明是為了改善如上所述的問題而做出的，本發明的目的在於提供藉由從單一噴嘴部噴射的多個工作液體能夠自動去除殘留在基板上的雜質的用於去除雜質的基板處理裝置。
解決技術問題的手段
根據本發明的用於去除雜質的基板處理裝置，其中，包括：支承主體部，用於支承基板；以及噴嘴部，設置在與基板相對的位置，朝向基板噴射工作液體，從而去除雜質。
並且，支承主體部包括：基底部，位於噴嘴部的下側；以及基板支承部，從基底部突出而支承基板。
並且，噴嘴部包括：中央主體部，從支承主體部朝設置有基板的方向突出；以及洗滌噴嘴部，向中央主體部的一側延伸並且向基板噴射工作液體。
並且，洗滌噴嘴部包括：第一供給部，具備朝向基板噴射洗滌液的多個第一噴嘴；以及第二供給部，具備朝向基板噴射沖洗液的多個第二噴嘴。
並且，洗滌噴嘴部以朝基板噴射的噴嘴的噴射區域彼此重疊的方式進行噴射。
並且，在從最接近基板的外圍的噴嘴噴射藥液時，洗滌噴嘴部朝向比配置在最接近基板的外圍的位置的晶片更靠外的外側噴射藥液。
並且，在從最接近基板的中心的噴嘴噴射藥液時，洗滌噴嘴部將藥液噴射到以最接近的噴嘴為基準超過基板的中心的區域。
並且，本發明進一步包括：乾燥噴嘴部，與中央主體部連接並且朝基板噴射乾燥氣體。
並且，乾燥噴嘴部包括：乾燥噴嘴主體，朝向中央主體部的側方延伸並且位於基板的下側；以及排出引導部，沿與基板相對的乾燥噴嘴主體形成有排出乾燥氣體的多個噴射孔。
並且，排出引導部包括：第一排出管道，連接於設置在乾燥噴嘴主體的內側的主管道並且向豎直方向上側延伸；以及第二排出管道，連接於主管道並且向斜上方延伸。
並且，沿乾燥噴嘴主體的長度方向設置有多個第一排出管道，第二排出管道位於乾燥噴嘴主體的兩側。
並且，基板被翻轉成設置有晶片的一面朝向噴嘴部，從而放置在支承主體部。
並且，被設置成基板和支承主體部進行旋轉且噴嘴部靜止的狀態。
並且，被設置成噴嘴部進行旋轉且基板和支承主體部靜止的狀態。
發明效果
根據本發明的用於去除雜質的基板處理裝置在被翻轉為基板的晶片朝向下側的狀態下，從噴嘴部排出的工作液體噴向設置有晶片的基板，自動去除位於基板的雜質，因此可以提高生產性。
並且，排出工作液體的洗滌噴嘴部和排出乾燥氣體的乾燥噴嘴部連接成一體，因此裝置整體的結構緊湊，可以節省設置空間，共同使用現有設備的支承主體部，因此可以節省生產費用。
並且，噴嘴部位於基板的下側，因此減少工作液體飛散到基板外側的現象，從而可以防止外部裝置的污染，提高工作液體的回收率，可以節省生產費用。
並且，根據工作液體的種類區分有第一供給部和第二供給部，還單獨分開有供給乾燥氣體的乾燥噴嘴部，因此根據步驟選擇性地控制工作液體和乾燥氣體的供給，可以節省生產費用。
下面，參照附圖說明根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置。在說明過程中，為了清楚且簡單地說明，有時誇張示出附圖中示出的線的厚度或者構成元素的大小等。
並且，後述的術語是鑒於在本發明中的功能而定義的術語，根據使用者、執行者的意圖或者習慣可以有變化。因此，應該基於本說明書整體內容來定義這些術語。
第1圖係簡要示出根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置的結構的拆分立體圖，第2圖係示出根據本發明一實施例的噴嘴部和乾燥噴嘴部的立體圖，第3圖係示出根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置的平面圖，第4圖係示出根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置的正面截面圖，第5圖係示出根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置噴射洗滌液的狀態的立體圖，第6圖係示出根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置噴射沖洗液的狀態的立體圖，第7圖係示出根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置噴射乾燥氣體的狀態的立體圖。
如第1圖至第7圖示出，根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置1包括支承基板10的支承主體部20、設置在與基板10相對的位置，朝向基板10噴射工作液體32，從而去除雜質的噴嘴部30、以及與噴嘴部30的中央主體部40連接並且朝向基板10噴射乾燥氣體G的乾燥噴嘴部80。
如第1圖和第3圖示出，板狀的基板10的一側面設置有晶片12。設置有晶片12的基板10的一側面被翻轉以朝向噴嘴部30，從而放置在支承主體部20。因此，在設置於基板10的晶片12朝向下側的狀態下放置在支承主體部20的基板支承部24。
支承主體部20位於基板10的下側或側面，在支承基板10的技術構思內可以採用各種方式使得基板10位於噴嘴部30的上側。根據一實施例的支承主體部20包括基底部22和基板支承部24。
基底部22位於噴嘴部30的下側，對基板支承部24的下側進行支承。根據一實施例的基底部22，圓盤狀的部件沿水平方向設置，基底部22的邊緣設置有基板支承部24。
基板支承部24從基底部22突出而支承基板10，因此基板10始終設置為與基底部22隔開預定距離的狀態。根據一實施例的基板支承部24包括第一支承部25，向基底部22的上側突出從而支承基板10的下側；以及第二支承部26，與第一支承部25分開且具備側面槽部29，該側面槽部29向基底部22的上側突出從而卡在基板10的側面。第一支承部25的長度形成為比第二支承部26短。
多個第一支承部25沿基底部22的邊緣隔開預定的間隔設置，是在上下方向延伸的棒狀。第一支承部25的上側支承基板10的下部，因此防止基板10向朝向基底部22的下側下落。
根據一實施例的第二支承部26包括可旋轉地設置在基底部22的上側的圓盤狀的支承基底27、向支承基底27的上側突出的棒狀的支承桿28、以及在與基板10的端部相對的側面形成槽部的側面槽部29。
基板10的端部插入側面槽部29內卡接，因此限制基板10的水平方向的移動以及上下方向的移動。並且，支承基底27可以以手動方式旋轉，可以藉由電機驅動自動旋轉，因此各種尺寸的基板10的邊緣可以插入固定在側面槽部29內。
如第1圖至第4圖示出，噴嘴部30設置在與放置在基板支承部24的基板10的下側相對的位置，在朝向基板10噴射工作液體32來去除雜質的技術構思範圍內可以構成為各種方式。
根據一實施例的基板10和支承主體部20設置為旋轉，噴嘴部30和乾燥噴嘴部80設置為靜止的狀態，因此，從噴嘴部30噴射的工作液體32可以均勻地噴射在設置有晶片12的基板10的下表面。並且，從乾燥噴嘴部80噴射的乾燥氣體G可以均勻地乾燥基板10的下側。
或者還可以像噴嘴部30供給其他的旋轉動力，基板10和支承主體部20可以設置為靜止狀態。在基板10靜止的狀態下噴嘴部30和乾燥噴嘴部80進行旋轉，因此從噴嘴部30噴射的工作液體32可以均勻地噴射到設置有晶片12的基板10的下表面，從乾燥噴嘴部80噴射的乾燥氣體G可以均勻地乾燥基板10的下側。
中央主體部40從支承主體部20向設置有基板10的方向突出。從形成為圓盤狀的基底部22的中央向上側突出的中央主體部40形成為柱狀。中央主體部40的內側分別設置有引導工作液體32和乾燥氣體G移動的管道。
洗滌噴嘴部50向中央主體部40的一側延伸，在朝向基板10噴射工作液體32的技術構思範圍內可以變形為各種方式。根據一實施例的洗滌噴嘴部50包括第一供給部60和第二供給部70。
洗滌噴嘴部50以朝向基板10噴射的噴嘴的噴射區域彼此重疊的方式進行噴射。作為一實施例，洗滌噴嘴部50設置為，朝向基板10噴射洗滌液34的噴嘴的噴射區域彼此重疊，朝向基板10噴射沖洗液36的噴嘴的噴射區域也彼此重疊。
第一供給部60具備朝向基板10噴射洗滌液34的多個第一噴嘴62並且沿水平方向設置。第二供給部70具備朝向基板10噴射沖洗液36的多個第二噴嘴72並且沿水平方向設置。
第一供給部60和第二供給部70並列設置，第一供給部60和第二供給部70的端部連接於中央主體部40。從噴嘴部30噴射的工作液體32包括洗滌液34和沖洗液36，洗滌液34藉由第一供給部60噴射，沖洗液36藉由第二供給部70噴射。
洗滌液34是用於取出殘留在基板10上的雜質的藥液，作為在噴射洗滌液34之後朝向基板10噴射的沖洗液36使用去離子水。根據一實施例的洗滌液34不限定於去離子水，包括蒸餾水在內的各種種類的液體可以作為洗滌液34使用。
第一供給部60的內側設置有引導洗滌液34的移動的管道，第一供給部60的上側以預定的間隔設置有多個第一噴嘴62。從第一噴嘴62噴射的洗滌液34的噴射區域A與從相鄰的第一噴嘴62噴射的洗滌液34的噴射區域A重疊，因此可以向基板10的下側均勻地噴射洗滌液。
如第4圖示出，當從與基板10的邊緣相對的噴嘴噴射洗滌液34或沖洗液36時，包括基板10的邊緣在內的基板10的外側也包括在洗滌液34或沖洗液36的噴射區域內。
洗滌噴嘴部50在從最接近基板10的外圍的噴嘴噴射藥液時，較佳地，朝向比配置在最接近基板10的外圍的位置的晶片12更靠外的外側噴射藥液。例如，在從與基板10的外圍外側相對的噴嘴噴射洗滌液34或沖洗液36時，較佳地，向配置在最接近基板10的外側的位置的晶片12的外側也噴射洗滌液34或沖洗液36。這樣，藉由利用配置在最外側的晶片12噴射洗滌液34或沖洗液36等藥液，從而向基板10的邊緣也可以均勻地噴射滌液34或沖洗液36。
並且，洗滌噴嘴部50在從最接近基板10的中心的噴嘴噴射藥液時，較佳地，將藥液噴射到以最接近基板10的中心的噴嘴為基準超過基板10的中心的區域。例如，較佳地，在洗滌噴嘴部50中，從配置在最接近基板10的中心的位置的噴嘴噴射的藥液噴射到噴嘴所在區域之外，還噴射到超過基板10的中心的區域。這樣，在噴射洗滌液34或沖洗液36時，包括基板10的中央部在內的基板10的內側也包括在洗滌液34或沖洗液36的噴射區域，因此也可以向基板10的中央部均勻地噴射洗滌液34或沖洗液36。
如第1圖至第7圖示出，第二供給部70的內側也設置有用於引導沖洗液36移動的管道，第二供給部70的上側以預定的間隔設置有多個第二噴嘴72。從第二噴嘴72噴射的沖洗液36的噴射區域與從相鄰的第二噴嘴72噴射的沖洗液36的噴射區域重疊，所以可以向基板10的下側均勻地噴射沖洗液36。沖洗液36的噴射區域重疊的技術構思與洗滌液34的噴射區域A重疊的技術構思相同，因此在此省略詳細說明。
藉由調節連接於第一噴嘴62的管道的直徑或者調節第一噴嘴62的孔的大小等，從而當藉由多個第一噴嘴62噴射洗滌液34時，進行引導使得排出相同的壓力和量的洗滌液34，洗滌液34可以均勻地噴射在基板10上。
並且，藉由調節連接於第二噴嘴72的管道的直徑或者調節第二噴嘴72的孔的大小等，從而當藉由多個第二噴嘴72噴射沖洗液36時，進行引導使得排出相同的壓力和量的沖洗液36，沖洗液36可以均勻地噴射在基板10上。
乾燥噴嘴部80連接於中央主體部40，朝向基板10噴射乾燥氣體G，從而去除留在基板10的沖洗液36，在這種技術構思範圍內，可以使用各種種類的乾燥裝置。
根據一實施例的乾燥噴嘴部80包括乾燥噴嘴主體82以及排出引導部84。
乾燥噴嘴主體82朝向中央主體部40的側方延伸並且位於基板10的下側。根據一實施例的乾燥噴嘴主體82向噴嘴部30的反方向延伸，所以乾燥噴嘴部80和洗滌噴嘴部50相隔180度設置。乾燥噴嘴部80和洗滌噴嘴部50以中央主體部40為中心分別位於水平方向的兩側，所以可以簡單地區分工作液體32和乾燥氣體G排出的區域。洗滌噴嘴部50和乾燥噴嘴部80在連接於中央主體部40的技術構思範圍內，可以變形為包括“十”字形在內的各種形狀。另外，第一供給部60和第二供給部70可以並排黏貼，還可以設置成彼此隔開的狀態。
根據一實施例的乾燥噴嘴主體82沿水平方向設置在卡接於基板支承部24的基板10的下側，內側設置有引導乾燥氣體G移動的主管道。
排出引導部84沿與基板10相對的乾燥噴嘴主體82形成有排出乾燥氣體G的多個噴射孔86，從而朝向基板10噴射乾燥氣體G，在此技術構思範圍內可以有各種變形。
根據一實施例的排出引導部84包括噴射孔86和第一排出管道87以及第二排出管道88。第一排出管道87連接於設置在乾燥噴嘴主體82內側的主管道並且向豎直方向上側延伸，從而引導乾燥氣體G向上側豎直方向排出。第二排出管道88連接於主管道並且向斜上方延伸，從而引導乾燥氣體G向斜上方排出。
沿乾燥噴嘴主體82的長度方向設置有多個第一排出管道87，第二排出管道88位於乾燥噴嘴主體82的兩側。第一排出管道87和第二排出管道88連接主管道和乾燥噴嘴主體82的上側，引導乾燥氣體G的排出，第一排出管道87和第二排出管道88的上側形成有噴射孔86。根據一實施例的噴射孔86沿乾燥噴嘴主體82的長度方向連續形成在乾燥噴嘴主體82的上側。
當位於基板10的下側的乾燥噴嘴主體82的長度比基板10的半徑小時，為了防止藉由排出引導部84排出的乾燥氣體G無法均勻地噴射在旋轉的基板10的下側的現象，在乾燥噴嘴主體82的兩側設置傾斜形狀的第二排出管道88。此外，一對第二排出管道88之間設置多個第一排出管道87。因此，沿乾燥噴嘴主體82的內側水平方向移動的乾燥氣體G藉由第一排出管道87噴射到位於上側的基板10，藉由第二排出管道88噴射到斜上方。因此，乾燥氣體G均勻地噴射在基板10的下側，可以去除沖洗液36。另一方面，作為乾燥氣體G可以使用包括惰性氣體在內的各種種類的氣體。
下面，參照附圖詳細說明根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置1的動作狀態。
如第1圖和第3圖示出，在將基板10翻轉成沾有雜質的基板10的晶片12朝向下側的狀態下，使基板10得到基板支承部24的支承。基板支承部24的第一支承部25支承基板10的下側，第二支承部26的側面槽部29內插入有基板10的側面邊緣。因此，基板10以晶片12朝向下側的狀態固定在噴嘴部30和乾燥噴嘴部80的上側。
此外，支承主體部20進行旋轉，因此被支承主體部20支承的基板10也一起旋轉，如第4圖和第5圖示出，從第一供給部60的第一噴嘴62噴射的洗滌液34被供給到具備晶片12的基板10的下側。從多個第一噴嘴62噴射的洗滌液34的噴射區域A彼此重疊，所以洗滌液34均勻地噴射在基板10的下側，可以去除雜質。
如第6圖示出，在結束藉由第一供給部60的洗滌液34的噴射之後，藉由第二供給部70噴射沖洗液36。使用去離子水的沖洗液36藉由第二噴嘴72噴射到基板10的下側，從而去除位於基板10的雜質和洗滌液34。
殘留在基板10表面的雜質可以包括釺劑（FLUX）、微粒（Particle）、有機污染物、金屬污染物中的任意一個，除此之外的其他物質也可以被定義為本發明一實施例的雜質。
在結束洗滌液34的噴射之後，如第7圖示出，藉由乾燥噴嘴部80的排出引導部84噴射乾燥氣體G，從而去除位於基板10的沖洗液36。
如上所述，根據本發明，在翻轉成基板10的晶片12朝向下側的狀態下，從噴嘴部30排出的工作液體32朝設置有晶片12的基板10噴射，自動去除位於基板10的雜質，從而可以提高生產性。並且，排出工作液體32的洗滌噴嘴部50和排出乾燥氣體G的乾燥噴嘴部80連接成一體，因此，裝置整體結構緊湊，可以節省設置空間，共同使用現有設備的支承主體部20，因此可以節省生產費用。並且，噴嘴部30位於基板10的下側，因此減少工作液體32飛散到基板10的外側的現象，可以防止外部裝置被污染，並且提高了工作液體32的回收率，可以節省生產費用。並且，根據工作液體32的種類，區分第一供給部60和第二供給部70，還單獨分開有供給乾燥氣體G的乾燥噴嘴部80，因此根據步驟選擇性地控制工作液體32和乾燥氣體G的供給，可以節省生產費用。
參照附圖中示出的實施例說明了本發明，但是這些只是示例性的，本技術領域具通常知識者應該可以理解由此可以得到各種變形以及等同的其他實施例。因此，應該基於申請專利範圍來定義本發明的真正的保護範圍。
1:基板處理裝置 10:基板 12:晶片 20:支承主體部 22:基底部 24:基板支承部 25:第一支承部 26:第二支承部 27:支承基底 28:支承桿 29:側面槽部 30:噴嘴部 32:工作液體 34:洗滌液 36:沖洗液 40:中央主體部 50:洗滌噴嘴部 60:第一供給部 62:第一噴嘴 70:第二供給部 72:第二噴嘴 80:乾燥噴嘴部 82:乾燥噴嘴主體 84:排出引導部 86:噴射孔 87:第一排出管道 88:第二排出管道 A:噴射區域 G:乾燥氣體
第1圖係簡要示出根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置的結構的拆分立體圖。 第2圖係示出根據本發明一實施例的噴嘴部和乾燥噴嘴部的立體圖。 第3圖係根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置的平面圖。 第4圖係根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置的正面截面圖。 第5圖係示出根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置噴射洗滌液的狀態的立體圖。 第6圖係示出根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置噴射沖洗液的狀態的立體圖。 第7圖係示出根據本發明一實施例的用於去除雜質的基板處理裝置噴射乾燥氣體的狀態的立體圖。
1:基板處理裝置
10:基板
12:晶片
20:支承主體部
22:基底部
24:基板支承部
25:第一支承部
26:第二支承部
27:支承基底
28:支承桿
29:側面槽部
30:噴嘴部
40:中央主體部
50:洗滌噴嘴部
60:第一供給部
70:第二供給部
80:乾燥噴嘴部
82:乾燥噴嘴主體
84:排出引導部

Claims (13)

  1. 一種用於去除雜質的基板處理裝置，其包括：一支承主體部，用於支承一基板；以及一噴嘴部，設置在與該基板相對的位置，朝向該基板噴射一工作液體，從而去除雜質；該噴嘴部包括：一中央主體部，從該支承主體部朝設置有該基板的方向突出；及一洗滌噴嘴部，向該中央主體部的一側延伸並且向該基板噴射該工作液體，該洗滌噴嘴部包括：一第一供給部，具備朝向該基板噴射一洗滌液的多個第一噴嘴，並且該些第一噴嘴沿水平方向設置；及一第二供給部，具備朝向該基板噴射一沖洗液的多個第二噴嘴，並且該些第二噴嘴沿水平方向設置；其中，該第一供給部的該多個第一噴嘴與該第二供給部的該多個第二噴嘴並排設置在該洗滌噴嘴部上；其中，從任一個該第一噴嘴噴射的洗滌液的噴射區域與從相鄰的該第一噴嘴噴射的洗滌液的噴射區域重疊；從任一個該第二噴嘴噴射的沖洗液的噴射區域與從相鄰的該第二噴嘴噴射的沖洗液的噴射區域重疊。
  2. 如請求項1所述的用於去除雜質的基板處理裝置，其中，該支承主體部包括：一基底部，位於該噴嘴部的下側；以及 一基板支承部，從該基底部突出而支承該基板。
  3. 如請求項1所述的用於去除雜質的基板處理裝置，其中，在從最接近該基板的外圍的噴嘴噴射藥液時，該洗滌噴嘴部朝向比配置在最接近該基板的外圍的位置的晶片更靠外的外側噴射藥液。
  4. 如請求項1所述的用於去除雜質的基板處理裝置，其中，在從最接近該基板的中心的噴嘴噴射藥液時，該洗滌噴嘴部將藥液噴射到以最接近的噴嘴為基準超過該基板的中心的區域。
  5. 如請求項1所述的用於去除雜質的基板處理裝置，其中，進一步包括：一乾燥噴嘴部，與該中央主體部連接並且朝該基板噴射一乾燥氣體。
  6. 如請求項5所述的用於去除雜質的基板處理裝置，其中，該乾燥噴嘴部包括：一乾燥噴嘴主體，朝向該中央主體部的側方延伸並且位於該基板的下側；以及一排出引導部，沿與該基板相對的該乾燥噴嘴主體具備排出該乾燥氣體的多個噴射孔。
  7. 如請求項6所述的用於去除雜質的基板處理裝置，其中，該排出引導部包括：一第一排出管道，連接於設置在該乾燥噴嘴主體的內側的一主管道並且向豎直方向上側延伸；以及 一第二排出管道，連接於該主管道並且向斜上方延伸。
  8. 如請求項7所述的用於去除雜質的基板處理裝置，其中，沿該乾燥噴嘴主體的長度方向設置有多個該第一排出管道，該第二排出管道位於該乾燥噴嘴主體的兩側。
  9. 如請求項1所述的用於去除雜質的基板處理裝置，其中，該基板被翻轉成設置有晶片的一面朝向該噴嘴部，從而放置在該支承主體部。
  10. 如請求項1所述的用於去除雜質的基板處理裝置，其中，被設置成該基板和該支承主體部進行旋轉且該噴嘴部靜止的狀態。
  11. 如請求項1所述的用於去除雜質的基板處理裝置，其中，被設置成該噴嘴部進行旋轉且該基板和該支承主體部靜止的狀態。
  12. 如請求項2所述的用於去除雜質的基板處理裝置，其中，該基板支承部包括：一第一支承部，向該基底部的上側突出從而支承該基板的下側；以及一第二支承部，與該第一支承部分開且具備一側面槽部，該側面槽部向該基底部的上側突出從而卡在該基板的側面。
  13. 如請求項12所述的用於去除雜質的基板處理裝置，其中，該第二支承部包括：一盤形支承基底，其被安裝成在該基底部的上側上平行於該基 板旋轉；一棒狀的支承杆，其從該支承基底的上方突出；以及該側面槽部，在與該基板的端部相對的側面形成槽部的一側面槽部。
TW108145748A 2018-12-13 2019-12-13 用於去除異物的基質處理裝置 TWI728593B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0161205 2018-12-13
KR1020180161205A KR102176209B1 (ko) 2018-12-13 2018-12-13 이물질 제거용 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202023698A TW202023698A (zh) 2020-07-01
TWI728593B true TWI728593B (zh) 2021-05-21

Family

ID=71138098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108145748A TWI728593B (zh) 2018-12-13 2019-12-13 用於去除異物的基質處理裝置

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102176209B1 (zh)
CN (1) CN211125592U (zh)
TW (1) TWI728593B (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200744128A (en) * 2006-05-25 2007-12-01 Semes Co Ltd Apparatus and method for treating substrate, and injection head used in the apparatus
TW200802576A (en) * 2006-06-12 2008-01-01 Semes Co Ltd Method and apparatus for cleaning substrates
TW201246324A (en) * 2011-01-25 2012-11-16 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and liquid processing method
TW201246323A (en) * 2011-01-25 2012-11-16 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and liquid processing method
US9911614B2 (en) * 2002-11-05 2018-03-06 Uri Cohen Methods for activating openings for jets electroplating
TW201817501A (zh) * 2016-11-10 2018-05-16 辛耘企業股份有限公司 基板溼處理裝置
US10128102B2 (en) * 2013-02-20 2018-11-13 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158202A (ja) 2000-11-20 2002-05-31 Super Silicon Kenkyusho:Kk ウエハ洗浄装置
JP4005335B2 (ja) 2001-11-01 2007-11-07 住友精密工業株式会社 基板処理装置
KR20070074426A (ko) * 2006-01-09 2007-07-12 한미반도체 주식회사 반도체 제조공정용 클리닝장치
KR100745482B1 (ko) 2006-09-11 2007-08-02 세메스 주식회사 기판 이면 처리 장치
KR20080071685A (ko) * 2007-01-31 2008-08-05 세메스 주식회사 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치
JP5290081B2 (ja) 2008-10-15 2013-09-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR101015956B1 (ko) * 2008-10-28 2011-02-23 세메스 주식회사 스핀 헤드
KR101040289B1 (ko) * 2009-06-19 2011-06-10 한양대학교 산학협력단 반도체 후면 세정을 위한 메가소닉 세정 시스템

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9911614B2 (en) * 2002-11-05 2018-03-06 Uri Cohen Methods for activating openings for jets electroplating
TW200744128A (en) * 2006-05-25 2007-12-01 Semes Co Ltd Apparatus and method for treating substrate, and injection head used in the apparatus
TW200802576A (en) * 2006-06-12 2008-01-01 Semes Co Ltd Method and apparatus for cleaning substrates
TW201246324A (en) * 2011-01-25 2012-11-16 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and liquid processing method
TW201246323A (en) * 2011-01-25 2012-11-16 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and liquid processing method
US10128102B2 (en) * 2013-02-20 2018-11-13 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating
TW201817501A (zh) * 2016-11-10 2018-05-16 辛耘企業股份有限公司 基板溼處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
CN211125592U (zh) 2020-07-28
KR20200072994A (ko) 2020-06-23
TW202023698A (zh) 2020-07-01
KR102176209B1 (ko) 2020-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7234477B2 (en) Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
JP5536009B2 (ja) 基板加工装置
JP4758694B2 (ja) 近接型プロキシミティプロセスヘッド
KR20160013469A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6061710B2 (ja) 樹脂被覆装置
TW202040668A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP6027465B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007158161A (ja) ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法
KR101205828B1 (ko) 기판 세정 방법
KR100695228B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
TWI728593B (zh) 用於去除異物的基質處理裝置
US7913705B2 (en) Cleaning cup system for chemical mechanical planarization apparatus
CN211160882U (zh) 一种基板清洗头及基板清洗装置
KR101460272B1 (ko) 노즐 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 이를 이용한 기판 처리 방법
KR100889633B1 (ko) 기판 고정 척핀
TW202141576A (zh) 清洗用治具及清洗方法、塗布裝置
US11107671B2 (en) Method of processing semiconductor substrate
CN210788335U (zh) 一种基板清洗头及基板清洗装置
JP2006186117A (ja) 基板保持装置および基板回転式処理装置
JP2009099612A (ja) 基板処理方法
JP7008546B2 (ja) 基板処理装置、基板液処理方法およびノズル
KR101318493B1 (ko) 스핀 린스 드라이 장치
JP4837017B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20230138321A (ko) 기판 처리 장치
KR20160026419A (ko) 프리 디스펜스 유닛 및 기판 처리 장치