CN109790064A - 玻璃基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种玻璃基板(2)的制造方法，其中，在将玻璃基板(2)以平放姿势沿搬运方向搬运，以使得该玻璃基板(2)通过在对置配置的主体部(5a)与顶板部(5b)的相互之间形成的处理空间(13)的过程中，利用从主体部(5a)具备的供气口(14)供给到处理空间(13)的处理气体(4)来对玻璃基板(2)的下表面(2a)实施蚀刻处理之际，朝向搬运方向的下游侧喷射第一吹扫气体6，以使得在形成于玻璃基板2中的进入到处理空间(13)的部位与顶板部(5b)之间的间隙(13a)，形成沿着搬运方向的第一吹扫气体(6)的流动，其中，在玻璃基板(2)的最后部(2e)进入处理空间(13)之前，停止喷射第一吹扫气体(6)。

Description

玻璃基板的制造方法

技术领域

本发明涉及玻璃基板的制造方法，该玻璃基板的制造方法包括在将玻璃基板以平放姿势搬运的同时、利用氟化氢等处理气体对玻璃基板的下表面进行蚀刻处理的工序。

背景技术

众所周知，玻璃基板被用于以平板显示器、智能手机、平板型PC等移动终端为首的各种各样的电子设备，其中，平板显示器以液晶显示器、等离子显示器、有机EL显示器、场致发光显示器等为代表。

在该玻璃基板的制造工序中，有时产生因静电引起的问题。举出一例，在为了对玻璃基板实施规定的处理而将玻璃基板载置于支承台上时，有时由于静电而导致玻璃基板粘贴在支承台上。在这样的情况下，在将结束了处理的玻璃基板从支承台抬起时，玻璃基板有时发生破损。

对此，作为针对上述问题的对策，已知有如下的方法：在实施规定的处理之前，利用氟化氢等处理气体对玻璃基板的表面实施蚀刻处理，使表面粗糙化，由此来避免产生因静电引起的问题。而且，在专利文献1中公开了用于对玻璃基板的表面实施蚀刻处理的方法的一例。

在该文献所公开的方法中，在将玻璃基板以平放姿势搬运的同时，利用配置在该搬运路径上的处理器(在该文献中为表面处理装置)所供给的处理气体(在该文献中为反应气体)，仅对玻璃基板的上下表面中的下表面实施蚀刻处理。

该方法所使用的处理器具备在上下隔着玻璃基板的搬运路径而对置的上部构成体(在该文献中为顶板)和下部构成体(在该文献中为底部结构体)，在两个构成体的相互之间形成用于实施蚀刻处理的处理空间(在该文献中为反应室)。下部构成体具备用于向处理空间供给处理气体的供气口和用于从处理空间排出处理气体的排气口。

而且，在该方法中，一边从供气口向处理空间供给处理气体且通过排气口从处理空间排出处理气体，一边对伴随着搬运而通过处理空间的玻璃基板的下表面实施蚀刻处理，由此使下表面粗糙化。另外，在该方法中，为了防止应该仅使玻璃基板的下表面粗糙化的处理气体也导致上表面粗糙化，而喷射吹扫气体(在该文献中为置换气体)。

吹扫气体被朝向玻璃基板的搬运方向的下游侧喷射，在形成于玻璃基板中的进入到处理空间的部位与上部构成体之间的间隙中，形成了沿着搬运方向的流动。而且，利用在间隙中流动的吹扫气体的压力来避免处理气体从玻璃基板的前头部侧向间隙进入，由此来阻止上表面的粗糙化。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-191001号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在采用了上述方法的情况下，产生了下述那样的要解决的问题。

即，在上述的方法中，即便在玻璃基板的最后部进入到处理空间之后，也喷射吹扫气体。由此，由吹扫气体的压力吹起的处理气体从进入到处理空间的最后部的后方侧向上述的间隙流入，使最后部的上表面不当地粗糙化，由此，存在导致玻璃基板的品质下降这样的问题。

鉴于上述情况而完成的本发明要解决的技术课题在于，在将玻璃基板以平放姿势搬运的同时、利用处理气体对玻璃基板的下表面实施蚀刻处理之际，防止玻璃基板的品质的下降。

解决方案

为了解决上述课题而完成的本发明一种玻璃基板的制造方法，在将玻璃基板以平放姿势沿搬运方向搬运，以使得该玻璃基板通过在对置配置的上部构成体与下部构成体的相互之间形成的处理空间的过程中，利用从下部构成体具备的供气口供给到处理空间的处理气体来对玻璃基板的下表面实施蚀刻处理之际，朝向搬运方向的下游侧喷射第一吹扫气体，以使得在形成于玻璃基板中的进入到处理空间的部位与上部构成体之间的间隙，形成沿着搬运方向的第一吹扫气体的流动，其特征在于，在玻璃基板的最后部进入处理空间之前，停止喷射第一吹扫气体。

在该方法中，在玻璃基板的最后部进入处理空间之前，停止喷射第一吹扫气体。由此，必然防止在最后部进入到处理空间之后由第一吹扫气体的压力吹起的处理气体从最后部的后方侧向间隙(形成于玻璃基板中的进入到处理空间的部位与上部构成体之间的间隙，以下表记为上侧间隙)流入这样的情况的发生。其结果是，最后部的上表面不会被不当地粗糙化，能够防止玻璃基板的品质的下降。

在上述的方法中，优选的是，在玻璃基板的前头部进入处理空间之前，开始喷射第一吹扫气体。

这样，在玻璃基板的前头部刚进入到处理空间之后的时间点，能够成为已经在上侧间隙形成了第一吹扫气体的流动的状态。由此，能够可靠地避免前头部的上表面被不当地粗糙化这样的情况的发生。因此，在防止玻璃基板的品质的下降的方面更为有利。

在上述的方法中，优选的是，在对沿着搬运方向的长度比处理空间长的玻璃基板的下表面实施蚀刻处理之际，在玻璃基板的前头部从处理空间脱离之后，停止喷射第一吹扫气体。

关于沿着搬运方向的长度，在玻璃基板比处理空间长的情况下，在玻璃基板的前头部从处理空间脱离的时间点(以下表记为前头部脱离时间点)，处理空间处于其全长被玻璃基板沿上下分断的状态。而且，在分断后的处理空间中的上侧、即上侧间隙形成有第一吹扫气体的流动，因此，成为在上侧间隙不存在处理气体的状态。此外，处理气体极其难以从分断后的处理空间中的下侧环绕至上侧(上侧间隙)，。根据以上方案，在前头部脱离时间点之后，即便不喷射第一吹扫气体，也能够避免上表面的粗糙化，因此，若停止喷射，则相应地能够抑制玻璃基板的制造成本。

在上述的方法中，优选的是，在从玻璃基板的最后部进入到处理空间的时间点至从处理空间脱离的时间点为止的期间，朝向搬运方向的上游侧喷射第二吹扫气体，以使得在上侧间隙形成沿着与搬运方向相反的方向的第二吹扫气体的流动。

这样，在从玻璃基板的最后部进入到处理空间至从处理空间脱离为止的期间，能够利用形成于上侧间隙的第二吹扫气体的流动，更加可靠地防止处理气体从最后部的后方侧向上侧间隙流入这样的情况的发生。其结果是，能够更加适当地防止玻璃基板的品质的下降。

在上述的方法中，优选作为第一吹扫气体及第二吹扫气体而使用清洁干燥空气。

这样，作为第一吹扫气体及第二吹扫气体而使用廉价的清洁干燥空气，因此，能够抑制与第一吹扫气体及第二吹扫气体的喷射相伴的成本。其结果是，能够抑制玻璃基板的制造成本。另外，通过使用清洁干燥空气，能够可靠地避免因第一吹扫气体及第二吹扫气体的喷射而引起玻璃基板受到污染这样的情况的发生。

发明效果

根据本发明，在将玻璃基板以平放姿势搬运的同时、利用处理气体对玻璃基板的下表面实施蚀刻处理之际，能够防止玻璃基板的品质的下降。

附图说明

图1是示出玻璃基板的制造装置的概要的纵剖侧视图。

图2是从上方观察玻璃基板的制造装置所具备的处理器的主体部的俯视图。

图3a是将玻璃基板的制造装置所具备的处理器的一部分放大示出的纵剖侧视图。

图3b是将玻璃基板的制造装置所具备的处理器的一部分放大示出的纵剖侧视图。

图3c是将玻璃基板的制造装置所具备的处理器的一部分放大示出的纵剖侧视图。

图3d是将玻璃基板的制造装置所具备的处理器的一部分放大示出的纵剖侧视图。

图4a是将玻璃基板的制造装置所具备的第一吹扫气体喷射喷嘴的附近放大示出的纵剖侧视图。

图4b是将玻璃基板的制造装置所具备的第一吹扫气体喷射喷嘴的附近放大示出的纵剖侧视图。

图5是将玻璃基板的制造装置所具备的第一吹扫气体喷射喷嘴的附近放大示出的纵剖侧视图。

图6是示出玻璃基板的制造装置中的处理空间的附近的纵剖侧视图。

图7是示出玻璃基板的制造装置中的处理空间的附近的纵剖侧视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式的玻璃基板的制造方法进行说明。首先，对在玻璃基板的制造方法中使用的玻璃基板的制造装置进行说明。

这里，在以下的说明中，将玻璃基板的搬运方向(在图1中从右朝向左的方向)表记为“搬运方向”。另外，将与搬运方向正交的玻璃基板的宽度方向(在图1中相对于纸面铅垂的方向)表记为“宽度方向”，并且将沿着“宽度方向”的长度表记为“整个宽度”或“宽度尺寸”。此外，将相对于玻璃基板的上下表面铅垂的方向表记为“上下方向”。

如图1所示，作为主要的构成要素，玻璃基板的制造装置1具备：搬运单元3，其用于将玻璃基板2以平放姿势水平地搬运；处理器5，其用于利用处理气体4(在本实施方式中为氟化氢)对搬运中的玻璃基板2的下表面2a实施蚀刻处理；第一吹扫气体喷射喷嘴7及第二吹扫气体喷射喷嘴24，其分别喷射用于防止针对玻璃基板2的上表面2b的蚀刻处理的第一吹扫气体6及第二吹扫气体23(参照图6)；腔室8，其具有玻璃基板2的搬入口8aa及搬出口8ab、且用于防止处理气体4从形成于自身内部的空间9向外部漏出；在玻璃基板2的搬运路径上配置于处理器5与搬出口8ab之间的第一虚设处理器10及配置于处理器5与搬入口8aa之间的第二虚设处理器11；以及吸引喷嘴12，其用于对在处理气体4与玻璃基板2的下表面2a的反应中产生的生成物进行吸引并向腔室8外排出。

搬运单元3为在玻璃基板2的搬运路径上排列的多个辊3a。通过该多个辊3a，能够沿着在直线上延伸的搬运路径对玻璃基板2进行搬运。在沿着搬运方向相邻的辊3a的相互之间，玻璃基板2的下表面2a的整个宽度成为露出的状态。通过该露出的下表面2a与处理气体4发生反应，来实施蚀刻处理而使下表面2a的整个宽度粗糙化。需要说明的是，作为搬运单元3，也可以使用多个辊3a以外的构件，只要能够在搬运中使玻璃基板2的下表面2a的整个宽度露出，则也可以使用其他构件。

处理器5具备：在上下隔着玻璃基板2的搬运路径而对置的作为下部构成体的主体部5a、作为上部构成体的顶板部5b、以及用于防止因顶板部5b的自重而引起的挠曲的作为加强构件的H型钢5c。在主体部5a与顶板部5b的相互之间，形成有用于对在此通过的玻璃基板2实施蚀刻处理的处理空间13。该处理空间13形成为扁平的空间。处理空间13的宽度尺寸W1(参照图2)及沿着上下方向的厚度尺寸T1分别大于玻璃基板2的整个宽度W2(参照图2)及玻璃基板2的厚度T2。

这里，在玻璃基板2从处理空间13的外部进入到内部时，为了防止存在于玻璃基板2的周围的空气等气体与此相伴地向处理空间13流入，沿着搬运方向的处理空间13的长度尺寸L1优选为300mm～2000mm的范围内，更优选为600mm～1000mm的范围内。需要说明的是，从适合喷射第一吹扫气体6的观点出发，上述的长度尺寸L1与本实施方式中的方式不同，优选比玻璃基板2的沿着搬运方向的长度更长。另外，处理空间13的厚度尺寸T1优选为4mm～30mm的范围内。此外，上述的长度尺寸L1与厚度尺寸T1的比率(长度尺寸L1/厚度尺寸T1)的值优选为10～250的范围内。

主体部5a具有长方体状的外形。该主体部5a具备：用于向处理空间13喷射地供给处理气体4的供气口14；用于从处理空间13吸引处理气体4并将其排出的排气口15；以及用于对向处理空间13供给的处理气体4进行加热及防止因处理气体4引起的结露的加热器等加热单元(省略图示)。排气口15分别配置在主体部5a中的搬运方向的上游侧端部和下游侧端部。与此相对地，供气口14在上游侧端部的排气口15与下游侧端部的排气口15之间沿着搬运方向配置有多个(在本实施方式中为三个)。

多个供气口14中的搬运方向的最下游侧的供气口14的向处理空间13供给的处理气体4的流量最多，在本实施方式中，与其他的供气口14相比，供给两倍流量的处理气体4。另一方面，在多个供气口14的相互之间，所供给的处理气体4的浓度相同。各供气口14在沿着搬运方向相邻的辊3a的相互之间与处理空间13连接。此外，各供气口14供给的处理气体4的流量分别在每单位时间内是固定的。在此，关于沿着搬运方向的距离，从最上游侧的供气口14到中央的供气口14为止的距离L2与从中央的供气口14到最下游侧的供气口14为止的距离L3相等。需要说明的是，在本实施方式中，配置有三个供气口14，但不局限于此，也可以配置两个供气口14，还可以配置四个以上的供气口14。

上游侧端部的排气口15及下游侧端部的排气口15分别能够将从处理空间13吸引的处理气体4向形成于主体部5a的内部的空间16送入。空间16与和配置于腔室8外的清洗集尘装置(省略图示)连接的排气管17相连。由此，通过排气口15从处理空间13送入到空间16的处理气体4在之后通过排气管17而从空间16向清洗集尘装置排出。需要说明的是，排气管17与空间16内的搬运方向的下游侧端部连接。在上游侧端部的排气口15及下游侧端部的排气口15，可以设置对所排出的气体(对于“气体”，不仅包括处理气体4，还包括在从处理空间13的外部引入到内部之后被吸引到排气口15的空气等)的流量单独进行调节的机构。另一方面，也能够通过堵塞排气口15的与处理空间13连接的开口部、或者将构成排气口15的部位从主体部5a卸下而堵塞与空间16连通的孔，从而省略排气口15。

在此，与各供气口14向处理空间13供给的处理气体4的流量相比，各排气口15从处理空间13排出的气体的流量更多。需要说明的是，各排气口15排出的气体的流量在每单位时间内是固定的。另外，关于沿着搬运方向的距离，下游侧端部的排气口15与最下游侧的供气口14的相互间距离D2比上游侧端部的排气口15与最上游侧的供气口14的相互间距离D1长。相互间距离D2的长度优选为相互间距离D1的长度的1.2倍以上，更优选为1.5倍以上，最优选为2倍以上。

如图2所示，供气口14及排气口15这两者都形成为在宽度方向上呈长条的狭缝状。供气口14的宽度尺寸可以如该图所示那样比玻璃基板2的整个宽度稍短，也可以与该图不同地，比玻璃基板2的整个宽度稍长。另一方面，排气口15的宽度尺寸比玻璃基板2的整个宽度稍长。这里，为了容易沿着宽度方向均等地供给处理气体4，优选供气口14的沿着搬运方向的开口长度S1为0.5mm～5mm的范围内。需要说明的是，排气口15的沿着搬运方向的开口长度比供气口14的沿着搬运方向的开口长度S1长。此外，为了避免基于排气口15进行的气体的吸引妨碍到执行顺利的蚀刻处理，优选从主体部5a的上游侧端缘5aa到上游侧端部的排气口15为止的距离L4与从下游侧端缘5ab到下游侧端部的排气口15为止的距离L4都为1mm～20mm的范围内。

如图1所示，主体部5a中的与通过处理空间13中的玻璃基板2的下表面2a对置的顶部为沿着搬运方向无间隙地排列而成的多个单元(在本实施方式中为八个，包括后述的供气单元18和连接单元19)。这多个单元构成主体部5a的顶部，且构成上述的空间16的顶棚部。

在多个单元中，包含形成有供气口14的供气单元18和不形成供气口14的连接单元19(在图2中，分别由粗线包围供气单元18和连接单元19)。在本实施方式中，多个单元的排列中，供气单元18在从搬运方向的上游侧起的第二个、第四个及第六个位置处排列。另一方面，连接单元19在从搬运方向的上游侧起的第一个、第三个、第五个、第七个及第八个位置处排列。供气单元18具备与供气口14连结的供气喷嘴18a，该供气喷嘴18a与配置在腔室8外的处理气体4的产生器(省略图示)连接。连接单元19将相邻的供气单元18的相互之间及供气单元18与排气口15之间连接。

这里，存在于从搬运方向的上游侧起的第一个位置(最上游侧的位置)处的连接单元19(19x)在该位置处固定地配置。另一方面，存在于从上游侧起的第三个、第五个、第七个及第八个位置的连接单元19能够与供气单元18置换，或者与代替供气口14而形成有排气口20a的后述的排气单元20(图1中，未使用排气单元20)置换。另外，关于存在于从上游侧起的第二个、第四个及第六个位置处的供气单元18，也能够与连接单元19或后述的排气单元20置换。由此，能够对供气口14的数量、搬运方向上的供气口14的位置加以变更。此外，假设在配置了排气单元20的情况下，也能够从上游侧端部及下游侧端部的两排气口15、15之外进行处理气体4的排气。以下，参照图3a～图3d对这些单元的置换进行说明。

在图3a～图3c的各个图中，由粗线包围而示出的供气单元18、连接单元19及排气单元20的沿着搬运方向的长度彼此相同。由此，在进行了这些单元的置换的情况下，伴随着置换而重新配置的单元能够与同其相邻的两个单元(在图3a～图3c的各个图中，图示出相邻的两个单元均是连接单元19的情况)无间隙地排列。此外，重新配置的单元能够与相邻的两个单元在上下方向上无高低差地排列。

这里，如图3a所示，供气单元18中的供气口14的周边区域14a与其他区域相比在上下方向上位于高位。由此，在供气口14的周边区域14a，与其他区域相比，与通过处理空间13中的玻璃基板2的下表面2a的分离距离变短。在本实施方式中，供气口14的周边区域14a的与玻璃基板2的下表面2a的分离距离相较于其他区域的与玻璃基板2的下表面2a的分离距离而成为一半的距离。而且，与分离距离变短相应地，供气口14的前端(处理气体4的流出口)成为与玻璃基板2的下表面2a接近的状态。另外，如图3c所示，假设在配置了排气单元20的情况下，形成于该排气单元20的排气口20a成为与上述的空间16相连的状态。由此，通过排气口20a而从处理空间13送入到空间16的处理气体4在之后通过排气管17从空间16向清洗集尘装置排出。需要说明的是，排气口20a与上游侧端部的排气口15及下游侧端部的排气口15同样地，形成为在宽度方向上呈长条的狭缝状。这里，如图3d所示，供气单元18中的供气口14的周边区域14a也可以为与其他区域相同的高度。

如图1所示，顶板部5b是单一的板体(俯视呈矩形的板体)，具有与通过处理空间13中的玻璃基板2的上表面2b对置的平坦面。另外，顶板部5b内置有用于防止因处理气体4引起的结露的加热器等加热单元(省略图示)。H型钢5c设置为在顶板部5b上沿宽度方向延伸。此外，H型钢5c设置有多个(在本实施方式中为三个)，这多个H型钢5c在搬运方向上等间隔地配置。

第一吹扫气体喷射喷嘴7在搬运方向上比处理器5靠上游侧配置且比玻璃基板2的搬运路径靠上方配置。该第一吹扫气体喷射喷嘴7能够朝向搬运方向的下游侧喷射第一吹扫气体6，以使得在形成于玻璃基板2中的进入到处理空间13的部位与顶板部5b之间的间隙13a中，形成沿着搬运方向的第一吹扫气体6的流动。第一吹扫气体6的流动能够在间隙13a的整个宽度上形成。此外，第一吹扫气体6以沿着搬运方向的流速比搬运单元3搬运玻璃基板2的搬运速度快的方式喷射。由此，在将玻璃基板2的前头部2f在处理空间13内搬运之际，利用第一吹扫气体6的压力而将欲从前头部2f侧流入间隙13a的处理气体4赶到搬运方向的下游侧，能够阻止处理气体4向间隙13a的流入。然后，避免了玻璃基板2的上表面2b的粗糙化。需要说明的是，在本实施方式中，作为第一吹扫气体6而使用清洁干燥空气(CDA)。

如图4a所示，在搬运中的玻璃基板2的前头部2f将要进入处理空间13之前开始喷射第一吹扫气体6。此外，如图4b所示，在搬运中的玻璃基板2的最后部2e将要进入处理空间13之前停止喷射第一吹扫气体6。这里，在本实施方式中，进行第一吹扫气体6的喷射的开始及停止的时机通过以下那样来决定。首先，在搬运方向上比第一吹扫气体喷射喷嘴7靠上游侧的位置，配置有能够对玻璃基板2的前头部2f及最后部2e的通过进行检测的传感器等检测单元(省略图示)。当该检测单元检测玻璃基板2的前头部2f的通过时，基于玻璃基板2的搬运速度和从前头部2f到处理空间13为止的沿着搬运路径的距离，来决定开始喷射第一吹扫气体6的时机。同样地，当检测单元检测最后部2e的通过时，基于搬运速度和从最后部2e到处理空间13为止的距离，来决定停止喷射的时机。

如图5所示，第一吹扫气体喷射喷嘴7具备在宽度方向上延伸的圆筒状的管道7a。向该管道7a在宽度方向上隔开间隔地插入多个管7b。能够从各管7b向管道7a内供给第一吹扫气体6。另外，在管道7a的内部，安装有在宽度方向上呈长条的板体7c，从各管7b流入到管道7a内的第一吹扫气体6以绕过板体7c的方式环绕之后，从与管道7a连结的喷射部7d喷射。形成于喷射部7d的第一吹扫气体6的喷射口形成为在宽度方向上呈长条的狭缝状。喷射部7d喷射第一吹扫气体6的喷射角度θ(喷射部7d所指向的方向相对于玻璃基板2的上表面2b倾斜的角度)能够在25°～70°的范围内变更。另外，第一吹扫气体喷射喷嘴7的姿势能够如图5的实线所示那样调节为使喷射部7d指向处理空间13内，也能够如该图的双点划线所示那样调节为使喷射部7d指向处理空间13外。

如图6所示，第二吹扫气体喷射喷嘴24在搬运方向上比处理器5靠下游侧配置且比玻璃基板2的搬运路径靠上方配置。该第二吹扫气体喷射喷嘴24能够朝向搬运方向的上游侧喷射第二吹扫气体23，以使得在间隙13a中形成沿着与搬运方向相反的方向的第二吹扫气体23的流动。第二吹扫气体23的流动能够在间隙13a的整个宽度上形成。在将玻璃基板2的最后部2e在处理空间13内搬运之际，利用第二吹扫气体23的压力将欲从最后部2e侧流入间隙13a的处理气体4赶到搬运方向的上游侧，能够利用该第二吹扫气体23来阻止处理气体4向间隙13a的流入。然后，避免了玻璃基板2的上表面2b的粗糙化。需要说明的是，在本实施方式中，与第一吹扫气体6同样地，作为第二吹扫气体23而使用清洁干燥空气。

在停止了第一吹扫气体6的喷射之后，在搬运中的玻璃基板2的最后部2e将要进入处理空间13之前开始喷射第二吹扫气体23。此外，如图7所示，在搬运中的玻璃基板2的最后部2e刚刚从处理空间13脱离之后停止喷射第二吹扫气体23。这里，关于进行吹扫气体23的喷射的开始及停止的时机，通过利用上述的检测单元或在搬运方向上比第二吹扫气体喷射喷嘴24靠下游侧配置的传感器等新的检测单元(省略图示)等对玻璃基板2的最后部2e的通过进行检测来决定即可。

第二吹扫气体喷射喷嘴24与上述的第一吹扫气体喷射喷嘴7仅仅配置、姿势不同，能够使用具有与第一吹扫气体喷射喷嘴7相同的结构的喷嘴。因此，关于第二吹扫气体喷射喷嘴24的结构，省略重复的说明。

如图1所示，腔室8形成为长方体状的外形。该腔室8具备：除了上述的搬入口8aa及搬出口8ab之外还形成有顶棚孔8ac的主体8a；以及用于堵塞顶棚孔8ac的盖体8b。

搬入口8aa及搬出口8ab形成于主体8a的侧壁部8ad，并且形成为沿着宽度方向而呈长条的扁平开口。顶棚孔8ac在主体8a的顶棚部8ae形成有多个(在本实施方式中为三个)。盖体8b能够堵塞顶棚孔8ac的开口整体，并且，能够向主体8a安装及从主体8a卸下。由此，通过将盖体8b从主体8a卸下而使顶棚孔8ac敞开，从而能够经由该顶棚孔8ac进行处理器5的调节、维修、检查等作业。

第一虚设处理器10具备：在玻璃基板2的搬运路径的下方配置的长方体状的箱体10a；以与箱体10a对置的方式配置于搬运路径的上方的顶板10b；以及用于防止因顶板10b的自重而引起的挠曲的作为加强构件的H型钢10c。在箱体10a与顶板10b的相互之间形成有用于使玻璃基板2通过的间隙21。第一虚设处理器10作为用于避免从搬出口8ab流入到腔室8内的气流到达处理空间13而对蚀刻处理造成不良影响的防风构件发挥功能。这里，为了作为防风构件而有效地发挥功能，沿着搬运方向的第一虚设处理器10的长度优选为50mm以上，更优选为100mm以上。

在箱体10a的上端形成有在宽度方向上呈长条的矩形的开口10aa。另一方面，在箱体10a的底部相连有与配置于腔室8外的清洗集尘装置(省略图示)连接的排气管22。由此，针对被玻璃基板2的下表面2a带动而从处理空间13内流出到搬运方向的下游侧的处理气体4，第一虚设处理器10能够使该处理气体4通过开口10aa而由排气管22吸引之后，向清洗集尘装置排出。顶板10b是单一的板体(俯视呈矩形的板体)，具有与通过间隙21中的玻璃基板2的上表面2b对置的平坦面。H型钢10c设置为在顶板10b上沿宽度方向延伸。

第一虚设处理器10在从沿着搬运方向的方向观察的情况下具有与处理器5相同的外形，并且，以看上去与处理器5重叠的方式配置。即，在处理器5的主体部5a与第一虚设处理器10的箱体10a的相互之间，宽度尺寸及沿着上下方向的尺寸相同。同样地，在(A)处理器5的顶板部5b与第一虚设处理器10的顶板10b、(B)处理器5的H型钢5c与第一虚设处理器10的H型钢10c、(C)处理器5的处理空间13与第一虚设处理器10的间隙21这些(A)～(C)的各组合的相互之间，宽度尺寸及沿着上下方向的尺寸也相同。

第二虚设处理器11除了以下所示的(1)、(2)这两点之外，具备与上述的第一虚设处理器10相同的结构。因此，在图1中，将与第一虚设处理器10所标注的标号相同的标号标注于第二虚设处理器11，由此，省略在两个处理器10、11之间重复的说明。(1)配置与第一虚设处理器10不同这一点。(2)作为防风构件发挥功能这一点，该防风构件用于避免未从搬出口8ab而从搬入口8aa流入到腔室8内的气流到达处理空间13而对蚀刻处理造成不良影响的情况。需要说明的是，第二虚设处理器11与第一虚设处理器10同样地，在从沿着搬运方向的方向观察的情况下，具有与处理器5相同的外形，并且，以看上去与处理器5重叠的方式配置。

吸引喷嘴12安装于腔室8的顶棚部8ae，其吸引口12a与空间9相连。该吸引口12a在搬运方向上比第一虚设处理器10靠下游侧配置，且配置在空间9中的搬运方向的下游侧端部。吸引喷嘴12与配置在腔室8外的清洗集尘装置(省略图示)连接，能够将所吸引的生成物向清洗集尘装置排出。需要说明的是，吸引口12a不局限于与本实施方式相同的配置，比玻璃基板2的搬运路径靠上方配置即可。然而，由于具有对在蚀刻处理中产生的生成物进行吸引并将其向腔室8外排出的作用，因此，即便在采用与本实施方式不同的配置的情况下，吸引口12a也优选在搬运方向上比处理器5靠下游侧配置。

以下，针对使用了上述的玻璃基板的制造装置1的本发明的实施方式的玻璃基板的制造方法进行说明。

首先，利用搬运单元3对玻璃基板2进行搬运，由此从搬入口8aa向腔室8内搬入玻璃基板2。需要说明的是，在本实施方式中，以从搬入口8aa到搬出口8ab为止的沿着搬运路径的距离为基准，将沿着搬运路径的整个长度比该距离长的玻璃基板2作为蚀刻处理的对象。另外，在本实施方式中，以固定的搬运速度对玻璃基板2进行搬运。

接着，使搬入后的玻璃基板2通过配置于搬入口8aa与处理器5之间的第二虚设处理器11的间隙21。需要说明的是，从搬入口8aa向腔室8内流入后沿着玻璃基板2的下表面2a向搬运方向的下游侧流动来的气体被与第二虚设处理器11的箱体10a的底部相连的排气管22吸引。在此基础上，还通过使第二虚设处理器11作为防风构件发挥功能，从而防止从搬入口8aa流入到腔室8内的气体到达处理器5的处理空间13。

接着，使在第二虚设处理器11的间隙21通过后的玻璃基板2通过处理器5的处理空间13。此时，从玻璃基板2的前头部2f将要进入处理空间13之前开始喷射第一吹扫气体6。然后，在通过处理空间13中的玻璃基板2的下表面2a侧，利用各供气口14供给的处理气体4对下表面2a实施蚀刻处理，同时利用上游侧端部及下游侧端部的各个排气口15从处理空间13排出处理气体4。另一方面，在通过处理空间13中的玻璃基板2的上表面2b侧，通过形成于间隙13a的第一吹扫气体6的流动，来防止欲从玻璃基板2的前头部2f侧向间隙13a流入的处理气体4对上表面2b实施的蚀刻处理。另外，在蚀刻处理中产生的生成物被吸引喷嘴12吸引而向腔室8外排出。在玻璃基板2的最后部2e将要进入处理空间13之前停止喷射第一吹扫气体6。

这里，在本实施方式中，采用了在玻璃基板2的最后部2e将要进入处理空间13之前停止喷射第一吹扫气体6的方式，但不局限于此。只要是在玻璃基板2的前头部2f从处理空间13脱离之后即可，也可以采用比玻璃基板2的最后部2e将要进入处理空间13之前更靠前地停止喷射第一吹扫气体6的方式，还可以采用在玻璃基板2的前头部2f刚刚从处理空间13脱离之后停止喷射第一吹扫气体6的方式。

当停止喷射第一吹扫气体6时，代替第一吹扫气体6而开始喷射第二吹扫气体23。与此相伴地，在通过处理空间13中的玻璃基板2的上表面2b侧，通过形成于间隙13a的第二吹扫气体23的流动，来防止欲从玻璃基板2的最后部2e侧向间隙13a流入的处理气体4对上表面2b实施的蚀刻处理。另一方面，在通过处理空间13中的玻璃基板2的下表面2a侧，紧接着利用各供气口14供给的处理气体4对下表面2a实施蚀刻处理，同时利用上游侧端部及下游侧端部的各个排气口15从处理空间13排出处理气体4。在玻璃基板2的最后部2e刚从处理空间13脱离之后停止喷射第二吹扫气体23。

这里，在本实施方式中，采用了在玻璃基板2的最后部2e将要进入处理空间13之前开始喷射第二吹扫气体23且在刚从处理空间13脱离之后停止喷射第二吹扫气体23的方式，但不局限于此。至少在从玻璃基板2的最后部2e进入处理空间13的时间点到脱离处理空间13的时间点为止的期间喷射第二吹扫气体23即可。

另外，在本实施方式中，在第一吹扫气体6的喷射刚刚停止之后开始了第二吹扫气体23的喷射，但不局限于此。也可以在第一吹扫气体6的喷射停止后经过了规定时间之后，开始喷射第二吹扫气体23。由此，能够防止第一吹扫气体6与第二吹扫气体23在处理空间13内发生碰撞而导致在处理空间13内气流紊乱。另外，也能够节约第一吹扫气体6与第二吹扫气体23的使用量。需要说明的是，认为第一吹扫气体6与第二吹扫气体23还起到防止处理气体4从玻璃基板2的下表面2a侧经由搬运方向侧面(沿着玻璃基板2的宽度方向端部)环绕到上表面2b侧的效果。由此，从防止处理空间13内的气体彼此的碰撞、同时防止前述环绕的观点出发，从第一吹扫气体6的喷射停止到第二吹扫气体23的喷射开始为止的规定时间优选尽量短，优选为0.5秒～2秒，更优选为0.5秒～1秒。另一方面，从节约第一吹扫气体6及第二吹扫气体23的使用量的观点出发，前述的规定时间优选尽量长，优选将规定时间确保为，在玻璃基板2的前头部2f刚从处理空间13脱离之后停止喷射第一吹扫气体6，在玻璃基板2的最后部2e将要进入处理空间13之前开始喷射第二吹扫气体23。

另外，在本实施方式中，采用了在玻璃基板2的最后部2e将要进入处理空间13之前停止喷射第一吹扫气体6的方式，并且采用了第一吹扫气体6的喷射时间比第二吹扫气体23的喷射时间长的方式，但不局限于此。也可以在玻璃基板2的前头部2f刚从处理空间13脱离之后停止喷射第一吹扫气体6，紧接着开始喷射第二吹扫气体23，由此，使第二吹扫气体23的喷射时间比第一吹扫气体6的喷射时间长。另外，也可以通过适当确保前述的规定时间，而使第一吹扫气体6的喷射时间与第二吹扫气体23的喷射时间成为相同的时间。另外，也可以在确保前述的规定时间的同时，使第一吹扫气体6的喷射时间比第二吹扫气体23的喷射时间长，还可以反之使第一吹扫气体6的喷射时间比第二吹扫气体23的喷射时间短。

接着，也可以使通过了处理器5的处理空间13的蚀刻处理后的玻璃基板2通过在处理器5与搬出口8ab之间配置的第一虚设处理器10的间隙21。需要说明的是，从搬出口8ab向腔室8内流入并沿着玻璃基板2的下表面2a流向搬运方向的上游侧的气体被与第一虚设处理器10的箱体10a的底部相连的排气管22吸引。此外，通过使第一虚设处理器10作为防风构件发挥功能，从而防止从搬出口8ab流入到腔室8内的气体到达处理器5的处理空间13。另外，利用排气管22，对被玻璃基板2的下表面2a带动而从处理空间13内流出到搬运方向的下游侧的处理气体4进行吸引并向腔室8外排出。

最后，将通过第一虚设处理器10的间隙21后的玻璃基板2从搬出口8ab向腔室8外搬出。然后，得到对下表面2a实施了蚀刻处理的玻璃基板2。通过以上，本发明的实施方式的玻璃基板的制造方法完成。

以下，对本发明的实施方式的玻璃基板的制造方法所带来的主要作用、效果进行说明。

在该方法中，在玻璃基板2的最后部2e进入处理空间13之前，停止喷射第一吹扫气体6。由此，必然防止在最后部2e进入到处理空间13之后由第一吹扫气体6的压力吹起的处理气体4从最后部2e的后方侧向间隙13a流入这样的情况的发生。其结果是，最后部2e的上表面2b不会被不当地粗糙化，能够防止玻璃基板2的品质的下降。

附图标记说明：

2 玻璃基板；

2a 下表面；

2e 最后部；

2f 前头部；

4 处理气体；

5a 主体部(下部构成体)；

5b 顶板部(上部构成体)；

6 第一吹扫气体；

13 处理空间；

13a 间隙；

14 供气口；

23 第二吹扫气体。

Claims (5)

1.一种玻璃基板的制造方法，在将玻璃基板以平放姿势沿搬运方向搬运，以使得该玻璃基板通过在对置配置的上部构成体与下部构成体的相互之间形成的处理空间的过程中，利用从所述下部构成体具备的供气口供给到所述处理空间的处理气体来对所述玻璃基板的下表面实施蚀刻处理之际，朝向所述搬运方向的下游侧喷射第一吹扫气体，以使得在形成于所述玻璃基板中的进入到所述处理空间的部位与所述上部构成体之间的间隙，形成沿着所述搬运方向的所述第一吹扫气体的流动，其特征在于，

在所述玻璃基板的最后部进入所述处理空间之前，停止喷射所述第一吹扫气体。

2.根据权利要求1所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，

在所述玻璃基板的前头部进入所述处理空间之前，开始喷射所述第一吹扫气体。

3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，

在对沿着所述搬运方向的长度比所述处理空间长的所述玻璃基板的下表面实施蚀刻处理之际，

在所述玻璃基板的前头部从所述处理空间脱离之后，停止喷射所述第一吹扫气体。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，

在从所述玻璃基板的最后部进入到所述处理空间的时间点至从所述处理空间脱离的时间点为止的期间，

朝向所述搬运方向的上游侧喷射第二吹扫气体，以使得在所述间隙形成沿着与所述搬运方向相反的方向的所述第二吹扫气体的流动。

5.根据权利要求4所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，

作为所述第一吹扫气体及所述第二吹扫气体而使用清洁干燥空气。