JPWO2013065531A1 - 磁性膜のイオンビームエッチング方法及びイオンビームエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
Description
イオンビームエッチング装置において、第1のガス導入部より第1の炭素含有ガスを導入してプラズマを生成し、
前記プラズマからイオンを引き出してイオンビームを形成し、
基板上に形成された磁性膜を前記イオンビームによってエッチングする磁性膜のイオンビームエッチング方法であって、
前記エッチングの際に第1のガス導入部と異なる第2のガス導入部より第2の炭素含有ガスを前記基板が載置された処理空間に導入することを特徴とする。
プラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部にガスを導入するための第1のガス導入部と、
前記プラズマ生成部からイオンを引き出すためのグリッドと、
基板が載置される処理空間と、
を有するイオンビームエッチング装置であって、
前記処理空間にガスを導入するための第2のガス導入部を備え、
前記グリッドはチタンまたは炭化チタンで構成されているか、もしくはTiまたは炭化チタンによって表面がコーティングされていることを特徴とする。
プラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部に第1の炭素含有ガスを導入するための第1のガス導入部と、
前記プラズマ生成部からイオンを引き出すためのグリッドと、
基板が載置される処理空間と、
を有するイオンビームエッチング装置であって、
前記処理空間に第2の炭素含有ガスを導入するための第2のガス導入部を備えたことを特徴とする。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。尚、以下で説明する図面において、同機能を有するものは同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略することもある。
図3を用いて、第2の実施形態を説明する。
図4〜図6を用いて、第3の実施形態を説明する。図4に示すように、本実施形態では処理空間101内にイオンガン119が設けられている。イオンガン119には第2のガス導入部114が接続されており、所定の流量のガスをイオンガン119の内部に導入可能となっている。
図7に示すように、第2のガス導入部114とイオンガン119に加えて、さらに第3のガス導入部120を設けて第3の炭素含有ガスを導入しても良い。このような構成とすることで、第2のガス導入部114からイオンガン119内に導入する第2の炭素含有ガスの導入量を低減させた場合でも、反応性の低下を抑制することができる。またイオンガン119内に導入する炭素含有ガスの導入量を低減できるため、イオンガン119内に形成される炭素ポリマーの量を低減しつつ基板111の処理が可能となる。
イオンビームエッチング装置において、第1のガス導入部より第1の炭素含有ガスを導入してプラズマを生成し、
前記プラズマからイオンを引き出してイオンビームを形成し、
基板上に形成された磁性膜を前記イオンビームによってエッチングする磁性膜のイオンビームエッチング方法であって、
前記エッチングの際に、前記第1のガス導入部に対して前記基板の側に設けられた第2のガス導入部から、第2の炭素含有ガスを前記基板が載置された処理空間に導入することを特徴とする。
プラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部に第1の炭素含有ガスを導入するための第1のガス導入部と、
前記プラズマ生成部からイオンを引き出すためのグリッドと、
基板が載置される処理空間と、
を有するイオンビームエッチング装置であって、
前記処理空間に第2の炭素含有ガスを導入するための第2のガス導入部を備え、
前記グリッドはチタンまたは炭化チタンで構成されているか、もしくはチタンまたは炭化チタンによって表面がコーティングされていることを特徴とする。
Claims (16)
- イオンビームエッチング装置において、第1のガス導入部より第1の炭素含有ガスを導入してプラズマを生成し、
前記プラズマからイオンを引き出してイオンビームを形成し、
基板上に形成された磁性膜を前記イオンビームによってエッチングする磁性膜のイオンビームエッチング方法であって、
前記エッチングの際に第1のガス導入部と異なる第2のガス導入部より第2の炭素含有ガスを前記基板が載置された処理空間に導入することを特徴とする磁性膜のイオンビームエッチング方法。 - 前記第1の炭素含有ガスは二酸化炭素、一酸化炭素、炭化水素またはアルコールのいずれかもしくはこれらの混合ガスであり、
前記第2の炭素含有ガスは二酸化炭素、一酸化炭素、炭化水素またはアルコールのいずれかもしくはこれらの混合ガスであることを特徴とする請求項1に記載の磁性膜のイオンビームエッチング方法。 - 前記第1の炭素含有ガスと前記第2の炭素含有ガスは同一であることを特徴とする請求項1または2に記載の磁性膜のイオンビームエッチング方法。
- 前記処理空間内で前記第2の炭素含有ガスのプラズマを形成し、前記第2の炭素含有ガスのプラズマ中のイオンを前記基板に供給することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁性膜のイオンビームエッチング方法。
- 前記処理空間内に設けられたイオンガンに前記第2の炭素含有ガスが導入され、前記イオンガンの内部で前記第2の炭素含有ガスのプラズマを形成し、前記第2の炭素含有ガスのプラズマ中のイオンを前記基板に供給することを特徴とする請求項4に記載の磁性膜のイオンビームエッチング方法。
- 前記エッチングの際に前記第1及び第2のガス導入部と異なる第3のガス導入部より第3の炭素含有ガスを前記処理空間に導入することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の磁性膜のイオンビームエッチング方法。
- プラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部にガスを導入するための第1のガス導入部と、
前記プラズマ生成部からイオンを引き出すためのグリッドと、
基板が載置される処理空間と、
を有するイオンビームエッチング装置であって、
前記処理空間にガスを導入するための第2のガス導入部を備え、
前記グリッドはチタンまたは炭化チタンで構成されているか、もしくはTiまたは炭化チタンによって表面がコーティングされていることを特徴とするイオンビームエッチング装置。 - 前記第1のガス導入部および前記第2のガス導入部は炭素含有ガスを導入するものであることを特徴とする請求項7に記載のイオンビームエッチング装置。
- 前記第2のガス導入部のガス噴出部が円環状であることを特徴とする請求項7または8に記載のイオンビームエッチング装置。
- 前記処理空間内にイオンガンを備え、前記イオンガンに前記第2のガス導入部が接続されていることを特徴とする請求項7または8に記載のイオンビームエッチング装置。
- 前記処理空間に第3の炭素含有ガスを導入するための第3のガス導入部を備えていることを特徴とする請求項7乃至10のいずれかに記載のイオンビームエッチング装置。
- プラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部に第1の炭素含有ガスを導入するための第1のガス導入部と、
前記プラズマ生成部からイオンを引き出すためのグリッドと、
基板が載置される処理空間と、
を有するイオンビームエッチング装置であって、
前記処理空間に第2の炭素含有ガスを導入するための第2のガス導入部を備えていることを特徴とするイオンビームエッチング装置。 - 前記グリッドは、少なくともその表面がモリブデン、チタン、炭化チタンのいずれかで構成されていることを特徴とする請求項12に記載のイオンビームエッチング装置。
- 前記第2のガス導入部のガス噴出部が円環状であることを特徴とする請求項12または13に記載のイオンビームエッチング装置。
- 前記処理空間内にイオンガンを備え、前記イオンガンに前記第2のガス導入部が接続されていることを特徴とする請求項12または13に記載のイオンビームエッチング装置。
- 前記処理空間に第3の炭素含有ガスを導入するための第3のガス導入部を備えていることを特徴とする請求項12乃至15のいずれかに記載のイオンビームエッチング装置。
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