KR101578178B1 - 자성막의 이온 빔 에칭 방법 및 이온 빔 에칭 장치 - Google Patents

자성막의 이온 빔 에칭 방법 및 이온 빔 에칭 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101578178B1
KR101578178B1 KR1020147006127A KR20147006127A KR101578178B1 KR 101578178 B1 KR101578178 B1 KR 101578178B1 KR 1020147006127 A KR1020147006127 A KR 1020147006127A KR 20147006127 A KR20147006127 A KR 20147006127A KR 101578178 B1 KR101578178 B1 KR 101578178B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
carbon
ion beam
processing space
containing gas
Prior art date
Application number
KR1020147006127A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140047728A (ko
Inventor
요시미츠 고다이라
도모히코 도요사토
Original Assignee
캐논 아네르바 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 아네르바 가부시키가이샤 filed Critical 캐논 아네르바 가부시키가이샤
Publication of KR20140047728A publication Critical patent/KR20140047728A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101578178B1 publication Critical patent/KR101578178B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
    • H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
    • H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
    • H01F10/16—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing cobalt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
    • H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3288—Maintenance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

Abstract

자기(磁氣) 디바이스의 제조에 있어서, 반응성 이온 빔 에칭으로 기판 상의 자성막을 에칭할 때에, 이온 빔 에칭 장치의 플라스마 생성부에 발생하는 다량의 탄소 폴리머에 기인하는 파티클의 발생이나 프로세스 재현성의 열화를 억제한다. 이온 빔 에칭 장치에 있어서, 플라스마 생성부에 제1 가스 도입부로부터 제1 탄소 함유 가스를 도입하는 것에 더하여, 기판 처리 공간에도 제2 가스 도입부로부터 제2 탄소 함유 가스를 별도 도입하여 반응성 이온 빔 에칭을 행함으로써, 플라스마 생성부에의 탄소 폴리머의 형성을 억제하면서, 양호한 선택비 및 에칭 레이트로 자성 재료를 에칭한다.

Description

자성막의 이온 빔 에칭 방법 및 이온 빔 에칭 장치{ION BEAM ETCHING METHOD FOR MAGNETIC FILMS AND ION BEAM ETCHING APPARATUS}
본 발명은 자기(磁氣) 디바이스의 제조에 있어서, 기판 상에 형성된 자성막을 에칭 가공할 때에 사용되는 이온 빔 에칭 방법과, 당해 방법에 사용되는 이온 빔 에칭 장치에 관한 것이다.
MRAM(Magnetic Random Access Memory, 자기 저항 메모리)은 TMR(Tunneling Magneto Resistive, 터널 자기 저항) 등의 자기 저항 효과를 이용한 불휘발성 메모리이고, DRAM(Dynamic Random Access Memory)과 같은 정도의 집적 밀도와 SRAM(Static Random Access Memory)과 같은 정도의 고속성을 가지며, 또한 무제한으로 데이터를 다시 쓸 수 있는 획기적인 차세대 메모리로서 세계로부터 주목받고 있다.
일반적으로 MRAM에 포함되는 자기 저항 효과 소자의 가공에 에칭 기술을 사용할 수 있다. 이 자기 저항 효과 소자의 자성막의 에칭에 있어서, 난(難)에칭재인 Co나 Fe 등의 자성 재료를 효율적으로 에칭하기 위해, 탄화수소 등의 탄소 함유 가스를 사용한 반응성 이온 빔 에칭(Reactive Ion Beam Etching)법이 제안되고 있다(특허문헌 1).
일본국 특표2005-527101호 공보
그러나 이 이온 빔 에칭법에 있어서, 특허문헌 1에 나타나는 바와 같이 프로세스 가스로서 탄소 함유 가스를 사용했을 경우, 플라스마 생성부에 다량의 탄소 폴리머가 발생한다. 이 다량의 탄소 폴리머는, 파티클의 발생이나 프로세스 재현성의 열화 등의 문제를 일으킨다.
본 발명은 이 문제에 감안하여 이루어진 것이며, 플라스마 생성부에 있어서의 탄소 폴리머의 발생을 저감하며, 또한 자성막에 대하여 선택적으로 에칭 가능한 이온 빔 에칭 방법과, 당해 방법에 사용하는 이온 빔 에칭 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 탄소 함유 가스를 사용한 자성막의 이온 빔 에칭에 있어서, 플라스마 생성부에 더하여 기판 처리 공간에도 탄소 함유 가스를 도입하는 것을 요지로 한다.
즉, 본 발명의 자성막의 이온 빔 에칭 방법은, 상술한 과제를 해결하기 위해,
이온 빔 에칭 장치에 있어서, 제1 가스 도입부로부터 제1 탄소 함유 가스를 도입하여 플라스마를 생성하고,
상기 플라스마로부터 이온을 인출(引出)하여 이온 빔을 형성하고,
기판 상에 형성된 자성막을 상기 이온 빔에 의해 에칭하는 자성막의 이온 빔 에칭 방법으로서,
상기 에칭시에 제1 가스 도입부와 상이한 제2 가스 도입부로부터 제2 탄소 함유 가스를 상기 기판이 재치(載置)된 처리 공간에 도입하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 이온 빔 에칭 장치는, 상술한 과제를 해결하기 위해,
플라스마 생성부와,
상기 플라스마 생성부에 가스를 도입하기 위한 제1 가스 도입부와,
상기 플라스마 생성부로부터 이온을 인출하기 위한 그리드(grid)와,
기판이 재치되는 처리 공간과,
를 갖는 이온 빔 에칭 장치로서,
상기 처리 공간에 가스를 도입하기 위한 제2 가스 도입부를 구비하고,
상기 그리드는 티타늄 또는 탄화티타늄으로 구성되어 있거나, 혹은 Ti 또는 탄화티타늄에 의해 표면이 코팅되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 이온 빔 에칭 장치는, 상술한 과제를 해결하기 위해,
플라스마 생성부와,
상기 플라스마 생성부에 제1 탄소 함유 가스를 도입하기 위한 제1 가스 도입부와,
상기 플라스마 생성부로부터 이온을 인출하기 위한 그리드와,
기판이 재치되는 처리 공간과,
를 갖는 이온 빔 에칭 장치로서,
상기 처리 공간에 제2 탄소 함유 가스를 도입하기 위한 제2 가스 도입부를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 자기 디바이스의 자성막의 이온 빔 에칭에 있어서, 이온 빔 에칭 장치에서의 탄소 폴리머의 발생을 저감하여 파티클의 발생이나 프로세스 재현성의 열화를 억제하면서, 자성막에 대하여 선택적인 에칭이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태를 설명하기 위한 도면.
도 2는 본 발명에 의해 자기 저항 효과 소자의 자성막을 에칭하는 공정을 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 제2 실시형태를 설명하기 위한 도면.
도 4는 본 발명의 제3 실시형태를 설명하기 위한 도면.
도 5는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 이온 건을 설명하기 위한 도면.
도 6은 본 발명의 제3 실시형태를 설명하기 위한 도면.
도 7은 본 발명의 제4 실시형태를 설명하기 위한 도면.
(제1 실시형태)
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명하지만, 본 발명은 본 실시형태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 적정하게 변경 가능하다. 한편, 이하에서 설명하는 도면에서, 같은 기능을 갖는 것은 동일 부호를 부여하여, 그 반복적인 설명은 생략하는 것도 있다.
도 1은 본 발명의 이온 빔 에칭 장치의 일 실시형태의 개략도를 나타낸다. 이온 빔 에칭 장치(100)는 처리 공간(101)과 플라스마 생성부(102)로 구성되어 있다. 처리 공간(101)에는 배기 펌프(103)가 설치되어 있다. 플라스마 생성부(102)에는 방전 용기로서의 벨자(bell jar)(104), 제1 가스 도입부(105), RF 안테나(106), 정합기(107), 전자 코일(108)이 설치되어 있고, 처리 공간(101)과의 경계에는 그리드(109)가 설치되어 있다. 플라스마 생성부(102)는, 그리드(109), 이온 빔 에칭 장치(100)의 내벽 및 벨자(104) 등으로 구획된다.
그리드(109)는 복수매의 전극으로 구성된다. 본 발명에서는 예를 들면 3매의 전극에 의해 그리드(109)가 구성되어 있다. 벨자(104)측으로부터 순서대로 제1 전극(115), 제2 전극(116), 제3 전극(117)으로 되어 있다. 제1 전극에는 양의 전압이, 제2 전극에는 음의 전압이 인가됨으로써, 전위차에 의해 이온이 가속된다. 제3 전극(117)은, 어스 전극이라고도 불려 접지되어 있다. 제2 전극(116)과 제3 전극(117)의 전위차를 제어함으로써, 정전 렌즈 효과를 이용하여 이온 빔의 직경을 소정의 수치 범위 내로 제어할 수 있다. 이온 빔은 뉴트럴라이저(113)에 의해 중화된다.
이 그리드(109)는 본 발명에 사용하는 프로세스 가스, 즉 탄소 함유 가스에 대하여 내성을 가지는 재질이 바람직하다. 그와 같은 재질로서 몰리브덴이나 티타늄, 탄화티타늄을 들 수 있다. 그러므로, 그리드(109) 자체를 몰리브덴, 티타늄, 탄화티타늄 중 어느 하나로 구성하거나, 혹은, 그리드(109)의 표면에 몰리브덴, 티타늄, 탄화티타늄 중 어느 하나를 코팅함으로써, 그리드(109)의 적어도 표면을, 몰리브덴, 티타늄, 탄화티타늄 중 어느 하나로 구성하는 것이 바람직하다.
처리 공간(101) 내에는 기판 홀더(110)가 있고, 기판(111)이 정전 흡착(ESC) 전극(112) 상에 재치된다. 제1 가스 도입부(105)로부터 가스를 도입하고, RF 안테나(106)에 고주파를 인가함으로써 플라스마 생성부(102) 내에 가스의 플라스마를 발생시킬 수 있다. 제1 가스 도입부(105)에는 도시하지 않은 프로세스 가스를 모으고 있는 봄베로부터 도시하지 않은 배관, 밸브, 유량 조정기 등이 접속되고, 이들을 통해, 소정의 유량의 가스가 플라스마 생성부(102)에 도입된다. 그리고 그리드(109)에 직류 전압을 인가하고, 플라스마 생성부(102) 내의 이온을 빔으로서 인출하고, 기판(111)에 조사(照射)함으로써 기판(111)의 처리가 행해진다. 인출된 이온 빔은, 뉴트럴라이저(113)에 의해 전기적으로 중화되고, 기판(111)에 조사된다. 또한 처리 공간(101)에는 제2 가스 도입부(114)가 설치되어 있고, 프로세스 가스를 도입할 수 있다. 기판 홀더(110)는, 이온 빔에 대하여 임의로 경사할 수 있다. 또한 기판(111)을 그 면 내 방향으로 회전(자전)할 수 있는 구조로 되어 있다.
이 도 1에 나타내는 장치를 사용하여, 본 발명의 이온 빔 에칭 방법에 의해 자성 디바이스의 자성막의 에칭 가공을 행한다. 도 2는 이온 빔 에칭 방법에 의한 자기 저항 효과 소자의 자성막의 에칭 공정을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 2에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 있어서의 자기 저항 효과 소자에 따른 적층 구조는, 예를 들면 실리콘이나 유리 등의 기판(24) 상에 하부 전극이 되는 하지층(23)이 형성된다. 하지층(23) 상에 자기 저항 효과 소자를 갖는 다층막(22)이 형성되어 있다. 다층막(22) 상에는, 상부 전극의 역할을 담당하는 캡층(21)이 형성되어 있다. 도 2에는 포토레지스트 등을 사용하여 패터닝 처리가 행해진 후의 캡층(21)의 상태를 나타낸다. 캡층(21)보다 위층은 에칭법이나 에칭 대상물에 의해 적정하게 선택되는 것이다.
하지층(23)은, 후의 공정에서 하부 전극에 가공되기 때문에, 도전성의 재질을 사용할 수 있다. 하지층(23)으로서는 Ta나 Ti, Ru 등을 사용할 수 있다.
한편, 본 실시형태에 있어서 다층막이란 자기 저항 효과 소자에 있어서의 기본 구조를 갖는 것을 말한다. 기본 구조란, 한 쌍의 강(强)자성층 및 비(非)자성 중간층으로 구성되고, 자기 저항 효과를 발생시키는 부분을 가리킨다.
다층막(22)의 자기 저항 효과 소자는 예를 들면, 반강(反强)자성층(224)(PtMn), 자화(磁化) 고정층(223)(CoFeB), 배리어층(222)(MgO), 프리층(221)(CoFeB)이 아래에서부터 순서대로 적층된다.
캡층(21)은, 다층막(22)을 에칭할 때에 하드마스크로서 사용할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서 캡층(21)은, 다층막(22)의 가공 후에 상부 전극으로서 사용할 수 있지만, 상부 전극층은 하드마스크와 별도로 설치되어 있어도 된다. 캡층(21)으로서는 Ta, Ti 혹은 이들의 도전성 화합물인 TaN이나 TiN, TaC, TiC 등의 단층막 또는 적층막을 사용할 수 있다.
특히, 이온 빔 에칭시의 다층막(22)과의 선택비의 관점에서 Ta 및 그 화합물이 바람직하다.
이 도 2(a) 내지 도 2(b)에 나타내는 상태에의 가공에 있어서, 본 발명의 이온 빔 에칭 방법을 이용하여 다층막(22)의 에칭을 행한다. 이때의 이온 빔 에칭 장치의 동작을, 도 1을 사용하여 설명한다.
우선, 벨자(104) 내에 제1 가스 도입부(105)로부터 제1 탄소 함유 가스를 도입한다. 제1 탄소 함유 가스로서는 일산화탄소나 이산화탄소, 탄화수소, 알코올을 사용할 수 있다. 탄화수소로서는 메탄이나 에탄, 에틸렌, 아세틸렌 등의 탄소수가 적은 가스가 바람직하며, 알코올로서는 메탄올이나 에탄올 등의 저급 알코올이 바람직하다. 특히 메탄이나 에탄 등의 알칸이나 알코올은 탄소 폴리머의 생성량이 적기 때문에 보다 바람직하다. 또한 이들의 혼합 가스를 사용해도 된다. 제1 탄소 함유 가스에는, 제1 탄소 함유 가스 이외에도 아르곤이나 크립톤, 제논, 질소 등의 불활성 가스나 수소, 탄소, 산소 등이 첨가되어 있어도 된다.
이 제1 탄소 함유 가스를 벨자(104) 내에 도입하고, 플라스마를 발생시킨다. 그리고 그리드에 전압을 인가하여, 플라스마로부터 이온을 인출함으로써 이온 빔을 형성한다.
이때, 제1 탄소 함유 가스의 도입량은, 벨자(104) 내에 형성되는 탄소 폴리머에 의한 벨자(104)의 교환 빈도 등을 고려하여 선택된다.
한편, 처리 공간(101) 내에 설치된 제2 가스 도입부(114)로부터도 제2 탄소 함유 가스를 도입한다. 제2 가스 도입부(114)에는 도시하지 않은 프로세스 가스를 모으고 있는 봄베로부터 도시하지 않은 배관, 밸브, 유량 조정기 등이 접속되고, 이들을 통해, 소정의 유량의 가스가 처리 공간(101)에 도입된다. 제2 탄소 함유 가스로서는 일산화탄소나 이산화탄소, 탄화수소, 알코올을 사용할 수 있다. 탄화수소로서는 메탄이나 에탄, 에틸렌, 아세틸렌 등의 탄소수가 적은 가스가 바람직하며, 알코올로서는 메탄올이나 에탄올 등의 저급 알코올이 바람직하다. 또한 이들의 혼합 가스를 사용해도 된다.
제2 탄소 함유 가스는 제2 탄소 함유 가스 이외에도 아르곤이나 크립톤, 질소 등의 불활성 가스나 탄소, 산소 등이 첨가되어 있어도 된다. 또한 제1 탄소 함유 가스와 제2 탄소 함유 가스는 같은 가스여도 된다. 그 경우, 이온 빔 에칭 장치 내의 분위기를 보다 균일하게 할 수 있으므로 프로세스의 안정성이 증가한다. 또한 동일한 가스 공급원(봄베)을 사용하는 것이 가능해진다.
제2 탄소 함유 가스를 도입하는 타이밍은, 제1 가스를 플라스마 생성부(102)에 도입하여 방전시키고, 이온 빔을 형성한 후여도 되고, 미리 처리 공간에 제2 탄소 함유 가스를 도입해 두어도 된다.
본 발명은 이와 같이 처리 공간(101)에도 탄소 함유 가스를 도입함으로써, 플라스마 생성부에의 탄소 함유 가스의 도입량을 줄였을 경우에도, 피처리 기판과 탄소 함유 가스의 반응을 촉진시키는 것이 가능해진다. 또한 제2 탄소 함유 가스는, 기판(111)에 공급되기까지의 사이에, 플라스마 생성부(102)를 통과하지 않는다. 이 결과, 플라스마 생성부에 생기는 탄소 폴리머를 억제하면서, 양호한 선택비 및 에칭 레이트로 자성막을 가공하는 것이 가능해진다. 이때 이온 빔을 중화하기 위한 뉴트럴라이저(113)와는 별도의 전자총이나 전자원을 사용하여, 전자 혹은 에너지를 제2 탄소 함유 가스에 도입함으로써 반응성을 높이는 것이 가능하다.
또는, 기판(111)을 히터에 의해 가열함으로써, 제2 탄소 함유 가스 및 반응성 이온 빔과의 반응성을 높일 수도 있다.
(제2 실시형태)
도 3을 사용하여, 제2 실시형태를 설명한다.
본 실시형태에서는 제1 실시형태와 비교하여, 이온 빔 에칭 장치(100)의 제2 가스 도입부(114)의 형상이 상이하다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 있어서의 제2 가스 도입부(114)는 가스를 분사(噴射)하는 부분이 원환(圓環) 형상으로 되어 있어, 기판의 주위로부터 균일하게 가스를 분사할 수 있는 구조로 되어 있다. 이와 같은 형태를 이용함으로써, 기판 면 내의 처리를 보다 균일하게 행하는 것이 가능해진다.
(제3 실시형태)
도 4∼도 6을 사용하여, 제3 실시형태를 설명한다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는 처리 공간(101) 내에 이온 건(ion gun)(119)이 설치되어 있다. 이온 건(119)에는 제2 가스 도입부(114)가 접속되어 있고, 소정의 유량의 가스를 이온 건(119)의 내부에 도입 가능하게 되어 있다.
도 5는 본 발명에 따른 이온 건(119)의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5에서, 301은 애노드(양극), 302는 캐소드(음극), 303은 애노드(301)와 캐소드(302)를 절연하기 위한 절연체이다. 캐소드(302)는 통형(筒形)이며, 일단(一端)이 애노드(301)에 대향하여 개구해 있고, 타단(他端)은 폐쇄해 있다. 캐소드(302)는 내부에 플라스마를 형성하기 위한 중공부(307)를 갖는다. 캐소드(302)의 중공부의 단면 형상은 일반적으로 원 형상이지만, 정팔각형이나 정육각형 등, 플라스마를 형성할 수 있는 공간이 존재하면 된다. 애노드(301) 및 캐소드(302)는 각각에 소정의 전압을 인가하기 위해 전원(306)에 접속되어 있다. 304는 중화기 내에 방전용 가스를 도입하기 위한 가스 도입로이며, 제2 가스 도입부(114)로부터 가스가 이온 건(119)의 내부에 도입된다.
제2 가스 도입부(114)는 처리 공간(101)에 직접 도입되고, 그곳으로부터 확산하여 이온 건(119)의 방전 부분에 가스가 공급되도록 해도 되지만, 이온 건(119)의 내부에 직접 도입한 편이 처리 공간(101)의 진공도를 저하시키지 않고 기판(111)의 처리가 가능해진다.
또한, 처리 공간(101)에 있어서, 이온 건(119)을 기판(111)의 중심축을 중심으로 하여 대칭으로 배치하면 기판(111)의 에칭 처리를 보다 균일하여 행하는 것이 가능해진다.
이온 건(119) 내에 가스를 도입하고, 캐소드(302)에 음의 전압을 인가함으로써, 중공부(307)에 플라스마가 형성된다. 또한 애노드(301)에 양의 전압을 인가함으로써 애노드(301)의 개구부로부터 음이온이 인출된다.
이온 건(119) 내에 도입하는 가스로서는, 이온 건(119) 내에의 막 퇴적을 억제하기 위해, 불활성 가스와 탄소 함유 가스의 혼합 가스가 바람직하다.
일례로서, 이온 건(119) 내부에 Ar과 메탄의 혼합 가스를 도입했을 경우를 생각한다. 이 경우 캐소드(302) 근방에서 플라스마가 형성되고, 당해 플라스마 중에서 CH3 -이나 CH2 2 - 등의 여러 가지 음이온이 생성된다. 그리고 이들 음이온은 캐소드(302)와 애노드(301)의 전위차에 의해 가속되고, 애노드(301)의 개구부로부터 인출된다.
이온 건(119) 내에 도입하는 가스로서는, 상술한 다른 실시형태와 마찬가지로 일산화탄소나 이산화탄소, 탄화수소, 알코올을 사용할 수 있다.
애노드(301) 및 캐소드(302)에는, 예를 들면, 내열성이나 내스퍼터성을 고려하여 티타늄을 사용할 수 있다. 단, 이온 건(119) 내에 도입하는 가스와의 반응성 등을 고려하여 재질을 변경해도 된다.
이온 건(119)은 상술한 구성에 한하지 않고, 다른 형태를 사용해도 된다. 예를 들면 애노드(301)와 캐소드(302)를 역으로 구성하여, 양이온을 인출하도록 구성해도 된다. 또한 홀로(hollow) 타입의 전극 이외를 사용하여 플라스마를 형성해도 된다.
그런데, 기판 홀더(110)는 그리드(109)에 대하여 임의의 각도로 경사 가능하게 구성된다. 따라서 이온 건(119)의 위치와 기판(111)의 경사 각도에 의해, 이온 건(119)으로부터 기판(111)에 조사되는 이온의 양이 변화된다. 또한 기판(111) 내의 각 점에 있어서의 이온의 조사량도 변화된다.
이 점에 대해서, 도 6에 나타내는 바와 같이, 기판 홀더(110) 상에, 재치대(121)를 설치하고, 재치대(121) 상에 이온 건(119)을 설치하여 기판 홀더(110)와 이온 건(119)을 일체로 함으로써, 기판(111)의 경사 각도가 변화되었을 경우에도, 이온 건(119)으로부터의 이온의 조사량의 변화를 저감할 수 있다.
또한 기판 홀더(110)와 이온 건(119)이 일체가 아니어도, 기판 홀더(110)의 경사 각도를 변경할 때의 회전축 근방에 이온 건(119)을 설치함으로써, 기판(111)의 경사 각도가 변화되었을 경우에도, 이온 건(119)으로부터의 이온의 조사량의 변화를 저감할 수 있다.
혹은 이온 건(119)을 기판 홀더(110) 상에 재치하고, 기판(111)과 일체로 경사하도록 하면, 기판(111)의 경사 각도에 상관없이, 이온 조사량을 일정하게 하는 것이 가능해진다. 그때, 기판(111)에의 이온의 조사 각도를 최적화하기 위해, 기판 홀더(110)와 이온 건(119) 사이에 적정하게 스페이서를 마련해도 된다.
(제4 실시형태)
도 7에 나타내는 바와 같이, 제2 가스 도입부(114)와 이온 건(119)에 더하여, 제3 가스 도입부(120)를 더 설치하여 제3 탄소 함유 가스를 도입해도 된다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 제2 가스 도입부(114)로부터 이온 건(119) 내에 도입하는 제2 탄소 함유 가스의 도입량을 저감시켰을 경우에도, 반응성의 저하를 억제할 수 있다. 또한 이온 건(119) 내에 도입하는 탄소 함유 가스의 도입량을 저감할 수 있기 때문에, 이온 건(119) 내에 형성되는 탄소 폴리머의 양을 저감하면서 기판(111)의 처리가 가능해진다.
제3 탄소 함유 가스로서는 일산화탄소나 이산화탄소, 탄화수소, 알코올을 사용할 수 있다. 탄화수소로서는 메탄이나 에탄, 에틸렌, 아세틸렌 등의 탄소수가 적은 가스가 바람직하며, 알코올로서는 메탄올이나 에탄올 등의 저급 알코올이 바람직하다. 특히 메탄이나 에탄 등의 알칸이나 알코올은 탄소 폴리머의 생성량이 적기 때문에 보다 바람직하다. 또한 이들의 혼합 가스를 사용해도 된다. 제3 탄소 함유 가스에는, 제3 탄소 함유 가스 이외에도 아르곤이나 크립톤, 제논, 질소 등의 불활성 가스나 수소, 탄소, 산소 등이 첨가되어 있어도 된다.
이와 같이 본 발명에서는, 벨자(104) 내에 도입하는 제1 탄소 함유 가스에 더하여, 처리 공간(101) 내에도 제2 탄소 함유 가스를 도입하고 있다. 이 때문에 벨자(104) 내에 도입하는 탄소 함유 가스의 도입량을 적게 했을 경우에도, 캡층(21)에 대하여 다층막(22)이 선택적으로 에칭되며, 또한 벨자(104) 내에의 탄소 폴리머의 생성을 저감시키는 것이 가능해진다.
상술한 실시형태에서는, 자기 저항 효과 소자의 자성막의 에칭 가공에 대해서 기술했지만, 본 발명은 이 이외의 자기 디바이스에 있어서의 자성막의 에칭 가공에도 유효하다. 구체적인 예로서는, 자기 헤드의 기입부를 형성하기 위한 자성막의 에칭이나, DTM(Discrete Track Media) 및 BPM(Bit Patterned Media) 등의 자기 기록 매체를 제조하기 위한 자성막의 에칭 등을 들 수 있다.
21: 캡층 22: 다층막
23: 하지층 24: 기판
100: 이온 빔 에칭 장치 101: 처리 공간
102: 플라스마 생성부 103: 배기 펌프
104: 벨자 105: 제1 가스 도입부
106: RF 안테나 107: 정합기
108: 전자 코일 109: 그리드
110: 기판 홀더 111: 기판
112: ESC 전극 113: 뉴트럴라이저
114: 제2 가스 도입부 115: 제1 전극
116: 제2 전극 117 제3 전극
119: 이온 건 120: 제3 가스 도입부
121: 재치대 221: 프리층
222: 배리어층 223: 자화 고정층
224: 반강자성층 301: 애노드
302: 캐소드 303: 절연체
304: 가스 도입로 306: 전원

Claims (17)

  1. 이온 빔 에칭 장치에서, 제1 가스 도입부로부터 제1 탄소 함유 가스를 도입하여 플라스마를 생성하고,
    상기 플라스마로부터 이온을 인출(引出)하여 이온 빔을 형성하고,
    기판 상에 형성된 자성막을 상기 이온 빔에 의해 에칭하는 자성막의 이온 빔 에칭 방법으로서,
    상기 에칭시에,
    상기 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부와 상기 기판이 설치된 처리 공간과의 경계에 설치되어 있는 그리드(grid)에 의하여, 상기 플라스마 생성부에서 생성된 플라스마로부터 이온을 인출하여 이온 빔을 형성하고,
    상기 플라스마 생성부에 설치된 상기 제1 가스 도입부에 대하여 상기 처리 공간 측에 설치된 제2 가스 도입부로부터 제2 탄소 함유 가스를 상기 처리 공간에 도입하고, 상기 기판 상에 형성된 자성막을 상기 이온 빔에 의하여 에칭하는 것을 특징으로 하는 자성막의 이온 빔 에칭 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 탄소 함유 가스는 이산화탄소, 일산화탄소, 탄화수소 또는 알코올 중 어느 하나 혹은 이들의 혼합 가스이며,
    상기 제2 탄소 함유 가스는 이산화탄소, 일산화탄소, 탄화수소 또는 알코올 중 어느 하나 혹은 이들의 혼합 가스인 것을 특징으로 하는 자성막의 이온 빔 에칭 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 탄소 함유 가스와 상기 제2 탄소 함유 가스는 동일한 것을 특징으로 하는 자성막의 이온 빔 에칭 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 처리 공간 내에서 상기 제2 탄소 함유 가스의 플라스마를 형성하고, 상기 제2 탄소 함유 가스의 플라스마 중의 이온을 상기 기판에 공급하는 것을 특징으로 하는 자성막의 이온 빔 에칭 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 처리 공간 내에 설치된 이온 건(ion gun)에 상기 제2 탄소 함유 가스가 도입되고, 상기 이온 건의 내부에서 상기 제2 탄소 함유 가스의 플라스마를 형성하고, 상기 제2 탄소 함유 가스의 플라스마 중의 이온을 상기 기판에 공급하는 것을 특징으로 하는 자성막의 이온 빔 에칭 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 에칭시에 상기 제1 및 제2 가스 도입부와 상이한 제3 가스 도입부로부터 제3 탄소 함유 가스를 상기 처리 공간에 도입하는 것을 특징으로 하는 자성막의 이온 빔 에칭 방법.
  7. 플라스마 생성부와,
    상기 플라스마 생성부에 가스를 도입하기 위한 제1 가스 도입부와,
    상기 플라스마 생성부로부터 이온을 인출하기 위한 그리드와,
    기판이 설치되는 처리 공간을 갖는 이온 빔 에칭 장치로서,
    상기 처리 공간에 가스를 도입하기 위한 제2 가스 도입부를 구비하고,
    상기 그리드는, 상기 플라스마 생성부와 상기 처리 공간과의 경계에 설치되어 있고, 티타늄 또는 탄화티타늄으로 구성되어 있거나, 혹은 티타늄 또는 탄화티타늄에 의해 표면이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 빔 에칭 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 가스 도입부 및 상기 제2 가스 도입부는 탄소 함유 가스를 도입하는 것임을 특징으로 하는 이온 빔 에칭 장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제2 가스 도입부의 가스 분출부가 원환(圓環) 형상인 것을 특징으로 하는 이온 빔 에칭 장치.
  10. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 처리 공간 내에 이온 건을 구비하고, 상기 이온 건에 상기 제2 가스 도입부가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 빔 에칭 장치.
  11. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 처리 공간에 제3 탄소 함유 가스를 도입하기 위한 제3 가스 도입부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 이온 빔 에칭 장치.
  12. 플라스마 생성부와,
    상기 플라스마 생성부에 제1 탄소 함유 가스를 도입하기 위한 제1 가스 도입부와,
    상기 플라스마 생성부로부터 이온을 인출하기 위한 그리드와,
    기판이 설치되는 처리 공간을 갖는 이온 빔 에칭 장치로서,
    상기 그리드는, 상기 플라스마 생성부와 상기 처리 공간과의 경계에 설치되어 있고,
    상기 플라스마 생성부에 설치된 상기 제1 가스 도입부에 대하여 상기 처리 공간에 제2 탄소 함유 가스를 도입하기 위한 제2 가스 도입부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 이온 빔 에칭 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 그리드는, 적어도 그 표면이 몰리브덴, 티타늄, 탄화티타늄 중 어느 하나로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 빔 에칭 장치.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 제2 가스 도입부의 가스 분출부가 원환 형상인 것을 특징으로 하는 이온 빔 에칭 장치.
  15. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 처리 공간 내에 이온 건을 구비하고, 상기 이온 건에 상기 제2 가스 도입부가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 빔 에칭 장치.
  16. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 처리 공간에 제3 탄소 함유 가스를 도입하기 위한 제3 가스 도입부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 이온 빔 에칭 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 그리드는, 적어도 그 표면이 몰리브덴, 티타늄, 탄화티타늄의 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 빔 에칭 방법.
KR1020147006127A 2011-10-31 2012-10-24 자성막의 이온 빔 에칭 방법 및 이온 빔 에칭 장치 KR101578178B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-238370 2011-10-31
JP2011238370 2011-10-31
JPJP-P-2012-164516 2012-07-25
JP2012164516 2012-07-25
PCT/JP2012/077398 WO2013065531A1 (ja) 2011-10-31 2012-10-24 磁性膜のイオンビームエッチング方法及びイオンビームエッチング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140047728A KR20140047728A (ko) 2014-04-22
KR101578178B1 true KR101578178B1 (ko) 2015-12-16

Family

ID=48191885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147006127A KR101578178B1 (ko) 2011-10-31 2012-10-24 자성막의 이온 빔 에칭 방법 및 이온 빔 에칭 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10388491B2 (ko)
JP (2) JP5689980B2 (ko)
KR (1) KR101578178B1 (ko)
TW (1) TWI525698B (ko)
WO (1) WO2013065531A1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9793126B2 (en) 2010-08-04 2017-10-17 Lam Research Corporation Ion to neutral control for wafer processing with dual plasma source reactor
US9039911B2 (en) 2012-08-27 2015-05-26 Lam Research Corporation Plasma-enhanced etching in an augmented plasma processing system
GB2518085B (en) 2012-06-29 2017-03-01 Canon Anelva Corp Ion beam processing method and ion beam processing apparatus
US9245761B2 (en) 2013-04-05 2016-01-26 Lam Research Corporation Internal plasma grid for semiconductor fabrication
US9230819B2 (en) 2013-04-05 2016-01-05 Lam Research Corporation Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication in context of ion-ion plasma processing
US9017526B2 (en) 2013-07-08 2015-04-28 Lam Research Corporation Ion beam etching system
US9147581B2 (en) * 2013-07-11 2015-09-29 Lam Research Corporation Dual chamber plasma etcher with ion accelerator
JP6030099B2 (ja) * 2014-08-18 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 残渣層除去方法及び残渣層除去装置
US10128082B2 (en) * 2015-07-24 2018-11-13 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Apparatus and techniques to treat substrates using directional plasma and point of use chemistry
KR101908903B1 (ko) * 2017-01-23 2018-10-18 성균관대학교산학협력단 전자총용 그리드 코팅층 형성방법 및 전자총용 그리드
DE112018001685T5 (de) * 2017-03-29 2019-12-19 Research Electro-Optics, Inc. Metallbeschichtung von Gittern zur Verwendung beim lonenstrahlsputtern
US10684407B2 (en) * 2017-10-30 2020-06-16 Facebook Technologies, Llc Reactivity enhancement in ion beam etcher
US11137536B2 (en) 2018-07-26 2021-10-05 Facebook Technologies, Llc Bragg-like gratings on high refractive index material
JP7394694B2 (ja) * 2019-09-17 2023-12-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20220336194A1 (en) * 2019-09-17 2022-10-20 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US11226446B2 (en) 2020-05-06 2022-01-18 Facebook Technologies, Llc Hydrogen/nitrogen doping and chemically assisted etching of high refractive index gratings

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004281232A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Ebara Corp ビーム源及びビーム処理装置
JP2004356179A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Sony Corp ドライエッチング方法及びその装置
JP2005527101A (ja) * 2001-08-21 2005-09-08 シーゲイト テクノロジー エルエルシー 炭素ベースのガスを用いる磁気薄膜のイオンビームエッチング選択性の向上

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60246546A (ja) 1984-05-21 1985-12-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> イオンビ−ム装置用グリツド
JPH04249319A (ja) 1991-02-04 1992-09-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> イオンガン用グリッド及びその製造方法
US5525392A (en) * 1992-12-10 1996-06-11 International Business Machines Corporation Magnetic recording medium having a fluorinated polymeric protective layer formed by an ion beam
CA2130167C (en) * 1993-08-27 1999-07-20 Jesse N. Matossian Nondestructive determination of plasma processing treatment
JP3127766B2 (ja) * 1995-03-24 2001-01-29 日新電機株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPH0982494A (ja) 1995-09-11 1997-03-28 Hitachi Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP3940467B2 (ja) 1997-06-03 2007-07-04 株式会社アルバック 反応性イオンエッチング装置及び方法
JP4605554B2 (ja) 2000-07-25 2011-01-05 独立行政法人物質・材料研究機構 ドライエッチング用マスク材
JP4111274B2 (ja) 2003-07-24 2008-07-02 キヤノンアネルバ株式会社 磁性材料のドライエッチング方法
JP2006049817A (ja) 2004-07-07 2006-02-16 Showa Denko Kk プラズマ処理方法およびプラズマエッチング方法
JP5099291B2 (ja) * 2006-02-14 2012-12-19 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 集束イオンビーム装置及び試料の断面加工・観察方法
US8329593B2 (en) 2007-12-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing polymer from the wafer backside and edge
JP5246474B2 (ja) 2008-02-08 2013-07-24 Ｔｄｋ株式会社 ミリング装置及びミリング方法
WO2009107485A1 (ja) * 2008-02-27 2009-09-03 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置
JP5461148B2 (ja) 2009-11-05 2014-04-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング方法及び装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005527101A (ja) * 2001-08-21 2005-09-08 シーゲイト テクノロジー エルエルシー 炭素ベースのガスを用いる磁気薄膜のイオンビームエッチング選択性の向上
JP2004281232A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Ebara Corp ビーム源及びビーム処理装置
JP2004356179A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Sony Corp ドライエッチング方法及びその装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5922751B2 (ja) 2016-05-24
JP2015046645A (ja) 2015-03-12
US10388491B2 (en) 2019-08-20
JP5689980B2 (ja) 2015-03-25
JPWO2013065531A1 (ja) 2015-04-02
TWI525698B (zh) 2016-03-11
WO2013065531A1 (ja) 2013-05-10
KR20140047728A (ko) 2014-04-22
US20140251790A1 (en) 2014-09-11
TW201335990A (zh) 2013-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101578178B1 (ko) 자성막의 이온 빔 에칭 방법 및 이온 빔 에칭 장치
US8981507B2 (en) Method for manufacturing nonvolatile memory device
TWI564941B (zh) 用於圖案化之磁碟媒體應用的電漿離子佈植製程
US9601688B2 (en) Method of manufacturing magnetoresistive element and method of processing magnetoresistive film
JP4814986B2 (ja) カーボンナノチューブ成長方法
US20110309050A1 (en) Plasma processing device, plasma processing method and method of manufacturing element including substrate to be processed
US10157961B2 (en) Method of manufacturing magnetoresistive element
US9647206B2 (en) Method for etching layer to be etched
US20060172086A1 (en) Method of fabricating a manganese diffusion barrier
KR101721020B1 (ko) 자기 저항 효과 소자의 제조 방법
US10181559B2 (en) Etching method
JP5824192B1 (ja) 磁気抵抗効果素子の製造方法および製造システム
JP7223507B2 (ja) エッチング方法
JP2006351843A (ja) 真空処理装置及びトンネル接合素子の製造方法
JP5270751B2 (ja) プラズマ処理装置および磁気記録媒体の製造方法
KR101602869B1 (ko) 자기 저항 효과 소자의 제조 방법 및 제조 시스템
Whang et al. A fast dry etching of magnetic tunnel junction using a new plasma source

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181115

Year of fee payment: 4