JPWO2013061805A1

JPWO2013061805A1 - 新規なトリフェニレン誘導体及び該誘導体が使用されている有機エレクトロルミネッセンス素子

Info

Publication number: JPWO2013061805A1
Application number: JP2013540725A
Authority: JP
Inventors: 紀昌横山; 直朗樺澤; 寛史大熊; 秀一林; 英治高橋
Original assignee: Hodogaya Chemical Co Ltd
Current assignee: Hodogaya Chemical Co Ltd
Priority date: 2011-10-24
Filing date: 2012-10-12
Publication date: 2015-04-02
Also published as: US20150034924A1; WO2013061805A1; CN103889945A; KR20140084051A; TW201323378A

Abstract

本発明のトリフェニレン誘導体は、下記一般式（１）；
【化１】

式中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は芳香族基である、
で表される。この化合物は、トリフェニレン環に芳香族第三級アミンが導入された構造を有しており、このような構造に関連して、（Ａ）正孔の注入特性が良い、（Ｂ）正孔の移動度が大きい、（Ｃ）電子阻止能力に優れている、（Ｄ）薄膜状態が安定である及び（Ｅ）耐熱性に優れているという特性を有しており、有機ＥＬ素子に使用される正孔輸送性物質として有用である。

Description

本発明は、各種の表示装置に好適な自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子に適した新規化合物（トリフェニレン誘導体）及び該化合物を含む有機層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と呼ぶことがある）は自己発光性素子であるため、液晶素子にくらべて明るく視認性に優れ、鮮明な表示が可能であるため、活発な研究がなされてきた。

１９８７年にイーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらは各種の役割を各材料に分担した積層構造素子を開発することにより有機材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を実用的なものにした。彼らは電子を輸送することのできる蛍光体と正孔を輸送することのできる芳香族アミン化合物とを積層することにより構成されるものであり、両方の電荷を蛍光体の層の中に注入して発光させることにより、１０Ｖ以下の電圧で１０００ｃｄ／ｍ^２以上の高輝度が得られるというものである。

現在まで、有機エレクトロルミネッセンス素子の実用化のために多くの改良がなされている。例えば、各種の役割をさらに細分化して、基板上に順次に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極を設けた構造の素子が知られており、このような素子によって高効率と耐久性が達成されている。

また発光効率の更なる向上を目的として三重項励起子の利用が試みられ、燐光発光体の利用も検討されている。

発光層は、一般的にホスト材料と称される電荷輸送性の化合物に、蛍光体や燐光発光体をドープして作製することもできる。有機ＥＬ素子における各層を形成する有機材料の選択は、その素子の効率や耐久性などの諸特性に大きな影響を与える。

有機ＥＬ素子においては、両電極から注入された電荷が発光層で再結合して発光するが、正孔、電子の両電荷を如何に効率良く発光層に受け渡すかが重要である。例えば、正孔注入性を高め且つ陰極から注入された電子をブロックする電子阻止性を高めることによって、正孔と電子が再結合する確率を向上させ、更には発光層内で生成した励起子を閉じ込めることによって、高発光効率を得ることができる。そのため、正孔輸送材料の果たす役割は重要であり、正孔注入性が高く、正孔の移動度が大きく、電子阻止性が高く、さらには電子に対する耐久性が高い正孔輸送材料が求められている。

また、素子の寿命に関しては材料の耐熱性やアモルファス性も重要である。耐熱性が低い材料では、素子駆動時に生じる熱により、低い温度でも熱分解が起こり、材料が劣化する。アモルファス性が低い材料では、短い時間でも薄膜の結晶化が起こり、素子が劣化してしまう。そのため使用する材料には耐熱性が高く、アモルファス性が良好な性質が求められる。

有機ＥＬ素子に用いられる正孔輸送材料としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジン（以後、ＮＰＤと略称する）や種々の芳香族アミン誘導体が知られている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。
ＮＰＤは良好な正孔輸送能力を持っているが、耐熱性の指標となるガラス転移点（Ｔｇ）が９６℃と低く、高温条件下では結晶化による素子特性の低下が起こってしまう。また、特許文献１や特許文献２に記載の芳香族アミン誘導体の中には、正孔の移動度が１０^−３ｃｍ^２／Ｖｓ以上と優れた移動度を有するものがあるが、電子阻止性が不十分であるため、電子の一部が発光層を通り抜けてしまい、発光効率の向上が期待できないなど、更なる高効率化のため、より電子阻止性が高く、薄膜がより安定で耐熱性の高い材料が求められていた。

耐熱性や正孔注入性などの特性を改良した化合物として、特許文献３及び４では、下記の式で表される置換トリフェニレン構造を有するアリールアミン化合物Ａ及びＢが提案されている。

しかしながら、これらの化合物を正孔注入層または正孔輸送層に用いた素子では、耐熱性や発光効率などの改良はされているものの、未だ十分とはいえず、また、低駆動電圧化や電流効率も十分とはいえず、アモルファス性にも問題があった。そのため、アモルファス性を高めつつ、さらなる低駆動電圧化や、さらなる高発光効率化を可能とする化合物が求められている。

特開平８−４８６５６号公報特許第３１９４６５７号公報ＷＯ２０１０／００２８５０号公報ＷＯ２０１１／０８１４２３号公報

本発明者らは上記の目的を達成するために、芳香族三級アミン構造が高い正孔注入・輸送能力を有していることと、トリフェニレン環構造が耐熱性や薄膜安定性が良好であることに着目し、トリフェニレン環構造を有する種々の化合物を設計して化学合成し、該化合物を用いて種々の有機エレクトロルミネッセンス素子を試作し、素子の特性評価を鋭意行った結果、高い効率及び優れた耐久性が得られることを確認し、本発明を完成するに至った。

本発明によれば、下記一般式（１）で表されるトリフェニレン誘導体が提供される。

式中、
ｐ及びｑは、それぞれ、０または１〜４の整数を表し、
ｓは、０または１〜３の整数を表し、
ｎは、０または１〜２の整数を表し、
Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族複素環
基を表すが、Ａｒ^１とＡｒ^２とは、単結合、置換基を有していてもよいメ
チレン基、酸素原子または硫黄原子を介して、互いに結合して環を形成
してもよく、
Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子
、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５
〜１０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基、炭
素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香
族複素環基またはアリールオキシ基を表し、
Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ、２価の芳香族炭化水素基または２価の芳香
族複素環基を表し、
ｎが０の場合、Ａ^１とＡｒ^１とは、単結合、置換基を有していてもよい
メチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成
してもよく、
ｎが１の場合、Ａ^１またはＡ^２とＡｒ^１とは、単結合、置換基を有して
いてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して、互いに結合
して環を形成してもよく、
ｎが２の場合、複数個存在するＡ^２は、互いに異なる基であってもよく
、且つ、Ａ^１またはＡ^２とＡｒ^１とは、単結合、置換基を有していてもよい
メチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して、互いに結合して環を形成
してもよい。

本発明によれば、また、一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも一つの層は、前記トリフェニレン誘導体を含んでいることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。

本発明の有機ＥＬ素子は、前記トリフェニレン誘導体を含んでいる有機層として、例えば、正孔輸送層、電子阻止層、正孔注入層或いは発光層を有する。

前述した一般式（１）で表される本発明のトリフェニレン誘導体は、新規化合物であり、トリフェニレン環に芳香族第三級アミンが導入された構造を有しており、このような構造に関連して、次のような特性を有している。
（Ａ）正孔の注入特性が良いこと。
（Ｂ）正孔の移動度が大きいこと。
（Ｃ）電子阻止能力に優れること。
（Ｄ）薄膜状態が安定であること（優れたアモルファス性を示すこと）。
（Ｅ）耐熱性に優れていること。

従って、本発明のトリフェニレン誘導体は、有機ＥＬ素子に使用される正孔輸送性物質として有用であり、薄膜状態が安定であることから、特に有機ＥＬ素子に設けられる有機層として利用され、有機ＥＬ素子に次のような特性を付与することができる。
（Ｆ）発光効率や電力効率が高いこと。
（Ｇ）発光開始電圧が低いこと。
（Ｈ）実用駆動電圧が低いこと。
（Ｉ）素子寿命が長いこと（高い耐久性を示す）。

例えば、本発明のトリフェニレン誘導体を用いて正孔注入層および／または正孔輸送層が形成されている有機ＥＬ素子は、正孔の注入・移動速度が速く、電子阻止性が高く、しかも電子に対する安定性が高いことから、発光層内で生成した励起子を閉じ込めることができ、さらに正孔と電子とが再結合する確率を向上させ、高発光効率を示す。また、駆動電圧が低下して、耐久性の向上も実現できる。

また、本発明のトリフェニレン誘導体を用いて形成された電子阻止層を有する有機ＥＬ素子では、優れた電子の阻止能力と優れた正孔輸送性とにより、高い発光効率を有しながら、駆動電圧が低く、電流耐性が改善されており、最大発光輝度が向上している。

さらに、本発明のトリフェニレン誘導体は、従来の材料に比べて正孔輸送性に優れ、かつバンドギャップの広いという特性も有していることから、発光層のホスト材料として用いることができ、例えば、ドーパントと呼ばれている蛍光発光体や燐光発光体を担持させて、発光層として用いることにより、有機ＥＬ素子の駆動電圧を低下せしめ、発光効率を改善することができる。

このように、本発明のトリフェニレン誘導体は、有機ＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層或いは発光層の構成材料として極めて有用であり、有機ＥＬ素子の発光効率および電力効率を向上させ、実用駆動電圧を低くさせ、耐久性を高めることができる。

実施例１の化合物（化合物６６）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例２の化合物（化合物１５）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例３の化合物（化合物６７）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例４の化合物（化合物７９）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例５の化合物（化合物８０）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例６の化合物（化合物８１）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例７の化合物（化合物８２）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例８の化合物（化合物８３）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例９の化合物（化合物８４）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例１０の化合物（化合物８５）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例１１の化合物（化合物８６）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例１２の化合物（化合物８７）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例１３の化合物（化合物４６）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例１４の化合物（化合物８８）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例１５の化合物（化合物８９）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。実施例１６の化合物（化合物９０）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図。有機ＥＬ素子の層構造の一例を示した図。

本発明のトリフェニレン誘導体は、下記一般式（１）で表されるものであり、トリフェニレン環に２価の基を介して芳香族第三級アミンが結合している構造を有している。

上記の一般式（１）において、トリフェニレン環に結合している置換基Ｒ^１及びＲ^２の個数を示すｐ及びｑは、それぞれ、０または１〜４の整数を表す。
また、トリフェニレン環に結合している置換基Ｒ^３の個数を示すｓは、０または１〜３の整数を表す。
さらに、芳香族アミンの窒素原子とトリフェニレン環との間に存在する２価の基Ａ^２の個数を示すｎは、０または１〜２の整数を表す。

また、一般式（１）中、窒素原子に結合しているＡｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。かかる芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、単環構造を有するものであってもよいし、縮合多環構造を有するものであってもよい。
これらの芳香族基の例としては、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピリジル基、フラニル基、ピラニル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、およびカルボリニル基などを挙げることができる。

上記で例示した芳香族基（芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基）の中で、芳香族複素環基としては、フラニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾオキサゾリル基、ジベンゾフラニル基などの含酸素芳香族複素環基；チエニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチアゾリル基、ジベンゾチエニル基などの含硫黄芳香族複素環基；が好ましく、特に含硫黄芳香族複素環基がより好ましく、ジベンゾチエニル基が特に好ましい。
また、芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基が好ましい。

さらに、上記の芳香族基は置換基を有していてもよい。このような置換基としては、重水素原子；シアノ基；ニトロ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭素原子数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基；メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基などの炭素原子数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基；アリル基などのアルケニル基；ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル基などのアラルキル基；フェニルオキシ基、トリルオキシ基などのアリールオキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアリールアルキルオキシ基；フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基などの芳香族炭化水素基；ピリジル基、フラニル基、ピラニル基、チエニル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルボリニル基などの芳香族複素環基；スチリル基、ナフチルビニル基などのアリールビニル基；アセチル基、ベンゾイル基などのアシル基；をあげることができる。これらの置換基は、トリフルオロメチル基のように、さらに置換基を有していてもよいし、Ａｒ^１に結合している置換基同士、或いはＡｒ^２に結合している置換基同士が結合して環を形成していてもよい。

本発明において、上記の芳香族基が有する置換基としては、炭素原子数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基が好ましく、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が特に好ましい。

また、上記のＡｒ^１とＡｒ^２とは、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して、互いに結合して環を形成してもよい。

前記一般式（１）において、トリフェニレン環に結合しているＲ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基またはアリールオキシ基を表す。

上記のＲ^１〜Ｒ^３において、炭素原子数１〜６のアルキル基は、直鎖状であっても分岐状であってもよく、その具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基などを挙げることができる。
さらに、これらのアルキル基は、置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、重水素原子；フッ素原子、塩素原子、シアノ基、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フルオレニル基、スチル基など）、芳香族複素環基（ピリジル基、ピリドインドリル基、キノリル基、ベンゾチアゾリル基など）等を挙げることができる。例えば、上記アルキル基は、トリフルオロメチル基などの基であってもよい。

また、Ｒ^１〜Ｒ^３における炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基及び炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基としは、何れも直鎖状であっても分岐状であってもよく、具体的には、以下のものを例示することができる。
シクロアルキル基の例；
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダ
マンチル基など。
アルキルオキシ基の例；
メチルオキシ基、エチルオキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピ
ルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペン
チルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基など。
シクロアルキルオキシ基の例；
シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオ
キシ基、シクロオクチルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基および２−
アダマンチルオキシ基など。
また、これらシクロアルキル基、アルキルオキシ基及びシクロアルキルオキシ基も置換基を有していてよく、このような置換基としては、前述したＡｒ^１及びＡｒ^２における芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてよい置換基と同様のものを挙げることができる。

さらにＲ^１〜Ｒ^３における芳香族炭化水素基や芳香族複素環基も、前述したＡｒ^１及びＡｒ^２で例示したものと同様の基であり、置換基を有していてよい点も同じである。

Ｒ^１〜Ｒ^３におけるアリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、トリルオキシ基、ビフェニリルオキシ基、ターフェニリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基、フェナントリルオキシ基、フルオレニルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ペリレニルオキシ基などをあげることができる。
勿論、これらのアリールオキシ基も置換基を有していてよく、このような置換基としては、Ａｒ^１及びＡｒ^２における芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基と同じものを挙げることができる。

一般式（１）において、Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ、２価の芳香族炭化水素基または２価の芳香族複素環基を表し、これらの基を介して、芳香族アミノ基の窒素原子とトリフェニレン環が結合している。このような２価の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、単環に限らず、さらに炭化水素環や複素環が結合した多環構造を有するものであってよい。

例えば、上記の２価の芳香族炭化水素基としては、ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、テトラキスフェニル、スチレン、ナフタレン、アントラセン、アセナフタレン、フルオレン、フェナントレン、インダン、ピレン等の芳香族環構造を有するもの、特に好ましくは、ベンゼン、ビフェニル、フルオレンを有する芳香族環構造の２価の基が好ましい。

また、２価の芳香族複素環基としては、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、フラン、ピラン、チオフェン、キノリン、イソキノリン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドリン、カルバゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、ピラゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ナフチリジン、フェナントロリン、アクリジニン等の複素環を有するものを挙げることができ、特に、フラン、ベンゾフラン、ベンゾオキサゾール、ジベンゾフランなどの含酸素芳香族複素環や、チオフェン、ベンゾチオフェン、ベンゾチアゾール、ジベンゾチオフェンなどの含硫黄芳香族複素環を有するものが好ましく、含硫黄芳香族複素環を有するものが特に好ましい。

さらに、上記の２価の芳香族炭化水素基及び２価の芳香族複素環基は、何れも置換基を有していてもよく、このような置換基としては、Ａｒ^１及びＡｒ^２における芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基と同じものを挙げることができる。

尚、上述した一般式（１）において、Ａ^２の個数を表すｎが０の場合（即ち、Ａ^２が無い場合）、Ａ^１とＡｒ^１とは、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
また、ｎが１の場合、Ａ^１またはＡ^２とＡｒ^１とは、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して、互いに結合して環を形成してもよい。
さらに、ｎが２の場合、複数個存在するＡ^２は、互いに異なる基であってもよく、且つ、Ａ^１またはＡ^２とＡｒ^１とは、単結合、置換基を有していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して、互いに結合して環を形成してもよい。

上述したトリフェニレン誘導体は、新規な化合物であり、例えば、以下のようにして合成される。
まず、一般式（１）のトリフェニレン誘導体が有するトリフェニレン環に相当するトリフェニレンを使用し、このトリフェニレン環の基Ａ^１が結合する部位（例えば２位）をブロモ化し、この臭素をボロン酸やボロン酸エステルに変換する（例えば、ＷＯ２０１０／００２８５０号公報参照）。
このようにして得られたボロン酸エステル体と、一般式（１）のトリフェニレン誘導体が有する芳香族アミン部分に相当するアミンのブロモ体などをＳｕｚｕｋｉカップリングなどのクロスカップリング反応（例えば、Chem.Rev.,95,2457(1995)参照）を行うことによって、目的とするトリフェニレン誘導体を合成することができる。
尚、得られた化合物の精製は、カラムクロマトグラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土などによる吸着精製、溶媒による再結晶や晶析法などによって行うことができ、その同定は、ＮＭＲ分析による行われる。

上述した本発明のトリフェニレン誘導体においては、一般式（１）におけるｎがゼロであるものが好ましく、中でも前記一般式（１）における２価の基Ａ^１が置換基を有していてもよいフェニレン基（特には無置換のもの）であることが特に好ましい。このような好ましいトリフェニレン誘導体は、具体的には、下記一般式（１ａ）で表される。

式中、
ｐ，ｑ，ｓ，Ａｒ^１，Ａｒ^２及びＲ^１〜Ｒ^３は、前記一般式（１）に記
載したとおりの意味である。

また、本発明においては、前述した一般式（１）における２価の基Ａ^１が、トリフェニレン環の２位に結合しているもの、具体的には、下記一般式（１’）で表されるものも好適である。

式中、
ｐ，ｑ，ｓ，ｎ，Ａｒ^１，Ａｒ^２、Ｒ^１〜Ｒ^３、Ａ^１及びＡ^２は、前記
一般式（１）に記載したとおりの意味である。

さらに、２価の基Ａ^１が、トリフェニレン環の２位に結合しているタイプの化合物においても、ｎ＝０であることが好ましく、２価の基Ａ^１が置換基を有していてもよいフェニレン基（特には無置換のもの）であることが特に好ましい。この種の好適な化合物は、例えば下記一般式（ｂ）で表される。

さらに、上記のような一般式（１ｂ）で表されるトリフェニレン誘導体の中でも、芳香族アミノ基（−ＮＡｒ^１Ａｒ^２）が、トリフェニレン環の２位に結合しているフェニレン基（Ａ^１に相当）のｐ位に結合していること、具体的には、下記一般式（１ｂ−１）で表される化合物が好ましい。

上述した一般式（１）で表されるトリフェニレン誘導体の中で好ましいものの具体例を以下に示す。
尚、以下に示した化合物において、化合物Ｎｏ．１及び２は欠番となっている。

上述した本発明のトリフェニレン誘導体は、従来公知の正孔輸送材料に比してガラス転移点（Ｔｇ）や融点が高く、耐熱性優れた薄膜を形成することができ、しかもアモルファス状態が安定に維持される為、薄膜状態を安定に保持することができる。また、電子の阻止能力が高く、例えば、本発明のトリフェニレン誘導体を用いて１００μｍ厚みの蒸着膜を形成し、その仕事関数を測定すると、極めて高い値を示す。
従って、本発明のトリフェニレン誘導体は、有機ＥＬ素子が有する有機層の形成材料として極めて有用である。

＜有機ＥＬ素子＞
上述した本発明のトリフェニレン誘導体を用いて形成される有機層を備えた有機ＥＬ素子は、例えば図１７に示す層構造を有している。
即ち、ガラス基板１（透明樹脂基板など、透明基板であればよい）の上に、透明な陽極２、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６、電子注入層７及び陰極８が設けられている。
勿論、本発明のトリフェニレン誘導体が適用される有機ＥＬ素子は、上記の層構造に限定されるものではなく、正孔輸送層４と発光層５との間に電子阻止層や、発光層５と電子輸送層６との間に正孔阻止層などを設けることができるし、また、電子注入層７や正孔注入層３などを省略したシンプルな層構造とすることができる。例えば、上記の多層構造において、いくつかの層を省略することもできる。例えば基板１上に、陽極２、正孔輸送層３、発光層４、電子輸送層６及び陰極８を設けたシンプルな層構造とすることもできる。

即ち、本発明のベンゾトリアゾール誘導体は、上記の陽極２と陰極８との間に設けられる有機層（例えば正孔注入層３、正孔輸送層４、図示されていない電子阻止層、あるいは発光層４）の形成材料として好適に使用される。

上記の有機ＥＬ素子において、透明陽極２は、それ自体公知の電極材料で形成されていてよく、ＩＴＯや金のような仕事関数の大きな電極材料を基板１（ガラス基板等の透明基板）上に蒸着することにより形成される。

また、透明電極２上に設けられる正孔注入層３としては、上述した本発明のトリフェニレン誘導体を用いて形成できるほか、従来公知の材料、例えば以下の材料を用いて形成することもできる。
銅フタロシアニンに代表されるポルフィリン化合物；
スターバースト型のトリフェニルアミン誘導体；
単結合或いはヘテロ原子を含まない２価基により、複数のトリフェニル
アミン骨格が連結された構造を有するアリールアミン（例えばトリフェニ
ルアミンの３量体や４量体）；
塗布型の高分子材料、例えばポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェ
ン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリ（スチレンスルフォネート）（ＰＳＳ）など；
ヘキサシアノアザトリフェニレンのようなアクセプター性の複素環化合
物；

上記の材料を用いての層（薄膜）形成は、蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって行うことができる。以下に述べる各種の層も同様に、蒸着やスピンコート、インクジェットなどにより成膜することができる。

上記の正孔注入層３上に設けられている正孔輸送層４も、前述した本発明のトリフェニレン誘導体を用いて形成することができるし、従来公知の正孔輸送材料を用いて形成することもできる。
このような従来公知の正孔材料として代表的なものは、次のとおりである。
ベンジジン誘導体、例えば、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン
（以下、ＴＰＤと略す）；
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジン
（以下、ＮＰＤと略す）；
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラビフェニリルベンジジン；
アミン系誘導体、例えば、
１，１−ビス［４−(ジ−４−トリルアミノ)フェニル］
シクロヘキサン（以下、ＴＡＰＣと略す）；
種々のトリフェニルアミン３量体および４量体；
正孔注入層用としても使用される上記の塗布型高分子材料；

このような正孔輸送材料の化合物は、それぞれ単独で成膜しても良いが、２種以上を混合して成膜することもできるし、また、上記化合物の１種または複数種を用いて複数の層を形成し、このような層が積層された多層膜を正孔輸送層とすることもできる。

また、正孔注入層３と正孔輸送層４とを兼ねた層とすることもでき、このような正孔注入・輸送層は、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン（以後、ＰＥＤＯＴと略称する）などの高分子材料を用いてのコーティングにより形成することができる。

尚、正孔輸送層４（正孔注入層３も同様）において、該層に通常使用される材料に対し、さらにトリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモンなどをＰドーピングしたものを使用することができる。また、ＴＰＤの基本骨格を有する高分子化合物などを用いて正孔輸送層４（或いは正孔注入層３）を形成することもできる。

さらに、図示されていない電子阻止層（発光層４と正孔輸送層３との間に設けることができる）は、電子阻止作用を有する本発明のトリフェニレン誘導体を用いて形成することができるが、公知の電子阻止性化合物、例えば、カルバゾール誘導体や、トリフェニルシリル基を有し且つトリアリールアミン構造を有する化合物などを用いて形成することもできる。カルバゾール誘導体及びトリアリールアミン構造を有する化合物の具体例は、以下の通りである。
＜カルバゾール誘導体＞
４，４’,４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン
（以後、ＴＣＴＡと略称する）；
９，９−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］
フルオレン；
１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン
（以後、ｍＣＰと略称する）；
２，２−ビス（４−カルバゾール−９−イルフェニル）アダマンタン
(以後、Ａｄ−Ｃｚと略称する)；
＜トリアリールアミン構造を有する化合物＞
９−［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−９−［４−（トリ
フェニルシリル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン；

電子阻止層は、本発明のトリフェニレン化合物や上記のような公知の正孔輸送材料を１種単独或いは２種以上を用いて形成されるが、これらの正孔輸送材料の１種または複数種を用いて複数の層を形成し、このような層が積層された多層膜を電子阻止層とすることもできる。

有機ＥＬ素子の発光層５は、Ａｌｑ_３をはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体の他、亜鉛やベリリウム、アルミニウムなどの各種の金属錯体、アントラセン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、ピレン誘導体、オキサゾール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体などの発光材料を用いて形成することができる。

また、発光層５をホスト材料とドーパント材料とで構成することもできる。
この場合のホスト材料として、上記の発光材料に加え、チアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体などを使用するができ、さらに、前述した本発明のトリフェニレン誘導体を用いることもできる。
ドーパント材料としては、キナクリドン、クマリン、ルブレン、ペリレンおよびそれらの誘導体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、アミノスチリル誘導体などを用いることができる。

このような発光層５も、各発光材料の１種或いは２種以上を用いた単層構成とすることもできるし、複数の層を積層した多層構造とすることもできる。

さらに、発光材料として燐光発光材料を使用して発光層４を形成することもできる。
燐光発光材料としては、イリジウムや白金などの金属錯体の燐光発光体を使用することができる。例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３などの緑色の燐光発光体、ＦＩｒｐｉｃ、ＦＩｒ６などの青色の燐光発光体、Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）などの赤色の燐光発光体などを用いることができ、これらの燐光発光材料は、正孔注入・輸送性のホスト材料や電子輸送性のホスト材料にドープして使用される。

正孔注入・輸送性のホスト材料としては、本発明のトリフェニレン誘導体や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（以後、ＣＢＰと略称する）やＴＣＴＡ、ｍＣＰなどのカルバゾール誘導体などを用いることができる。
また、電子輸送性のホスト材料としては、ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン(以後、ＵＧＨ２と略称する)や２，２’,２’’−(１，３，５−フェニレン)−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（以後、ＴＰＢIと略称する）などを用いることができる。

尚、燐光性の発光材料のホスト材料へのドープは濃度消光を避けるため、発光層全体に対して１〜３０重量パーセントの範囲で、共蒸着によってドープすることが好ましい。

発光層５と電子輸送層６との間に設けることができる正孔阻止層（図１７において図示せず）は、それ自体公知の正孔阻止作用を有する化合物を用いて形成することができる。
このような正孔阻止作用を有する公知化合物の例としては、バソクプロイン（以後、ＢＣＰと略称する）などのフェナントロリン誘導体や、アルミニウム（III）ビス（２−メチル−８−キノリナート）−４−フェニルフェノレート（以後、ＢＡｌｑと略称する）などのキノリノール誘導体の金属錯体の他、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、オキサジアゾール誘導体などを挙げることができる。
これらの材料は、以下に述べる電子輸送層６の形成にも使用することができ、さらには、この正孔阻止層と電子輸送層６とを兼用させることもできる。

このような正孔阻止層も、単層或いは多層の積層構造とすることができ、各層は、上述した正孔阻止作用を有する化合物の１種或いは２種以上を用いて成膜される。

電子輸送層６は、それ自体公知の電子輸送性の化合物、例えば、Ａｌｑ_３、ＢＡｌｑをはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体のほか、亜鉛やベリリウム、アルミニウムなどの各種金属錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、カルボジイミド誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、シロール誘導体などを用いて形成される。
この電子輸送層６も、単層或いは多層の積層構造とすることができ、各層は、上述した電子輸送性化合物の１種或いは２種以上を用いて成膜される。

さらに、電子注入層７も、それ自体公知のもの、例えば、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどのアルカリ金属塩、フッ化マグネシウムなどのアルカリ土類金属塩、酸化アルミニウムなどの金属酸化物などを用いて形成することができる。

有機ＥＬ素子の陰極８としては、アルミニウムのような仕事関数の低い電極材料や、マグネシウム銀合金、マグネシウムインジウム合金、アルミニウムマグネシウム合金のような、より仕事関数の低い合金が電極材料として用いられる。

本発明のトリフェニレン誘導体を用いて有機層の少なくとも一つ（例えば正孔注入層３、正孔輸送層４、電子阻止層あるいは発光層５）が形成されている有機ＥＬ素子は、発光効率および電力効率が高く、実用駆動電圧が低く、発光開始電圧も低く、極めて優れた耐久性を有している。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

＜実施例１＞
ビス（ビフェニル−４−イル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物６６の合成）

ビス（ビフェニル−４−イル）−（４−ブロモフェニル）アミン
３．８５ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン２．８３ｇ
トルエン５９ｍｌ
エタノール１５ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液６ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら３０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．１９ｇ
を加えて加熱し、７２℃で４．５時間攪拌した。室温まで放冷し、メタノール５０ｍｌを加え、析出する粗製物をろ過によって採取した。
この粗製物をトルエン３００ｍｌに溶解し、シリカゲル７．５ｇを用いた吸着精製を行い、減圧下で濃縮した後、１，２−ジクロロベンゼン／トルエンの混合溶媒によって結晶を析出させた。メタノールによる還流洗浄を行うことによって、ビス（ビフェニル−４−イル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物６６）の白色粉体３．３０ｇ（収率６６％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図１に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９８（１Ｈ）
８．８７（１Ｈ）
８．７８−８．７１(４Ｈ)
７．９４(１Ｈ)
７．８４(２Ｈ)
７．６５−７．５９(１２Ｈ)
７．３９（４Ｈ）
７．３２−７．２２（８Ｈ）

＜実施例２＞
（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−フェニル−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物１５の合成）

４−ブロモフェニル−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−
イル)−フェニルアミン３．８９ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン３．０８ｇ
トルエン５９ｍｌ
エタノール１５ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液６．５ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら３０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．２１ｇ
を加えて加熱し、７２℃で５．５時間攪拌した。室温まで放冷し、水５０ｍｌ、トルエン３０ｍｌを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。この有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で濃縮することによって褐色の粗製物を得た。
この粗製物をトルエン２５０ｍｌに溶解し、シリカゲル７．５ｇを用いた吸着精製を行い、減圧下で濃縮した後、さらにカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／トルエン）によって精製し、トルエン／メタノールの混合溶媒によって結晶を析出させた。この結晶をメタノールを用いて還流洗浄することにより、（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−フェニル−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物１５）の白色粉体３．３４ｇ（収率６５％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図２に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３３個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９８（１Ｈ）
８．８８（１Ｈ）
８．７９−８．７３（４Ｈ）
７．９５（１Ｈ）
７．８２（２Ｈ）
７．６９−７．６２（６Ｈ）
７．４１（１Ｈ）
７．３５（１Ｈ）
７．３０−７．１９（８Ｈ）
７．０９（１Ｈ）
７．０４（１Ｈ）
１．４３（６Ｈ）

＜実施例３＞
（ビフェニル−４−イル）−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物６７の合成）

（ビフェニル−４−イル）−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−
２−イル)アミン１７．９ｇ
２−（４−ブロモフェニル）トリフェニレン１９．０ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム５．７２ｇ
トルエン２００ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら３０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
酢酸パラジウム０．２２ｇ
トリス−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液
（５０％、ｗ／ｖ）１．９ｍｌ
を加えて加熱し、８０℃で１．５時間攪拌した。室温まで放冷し、水１００ｍｌ、トルエン１００ｍｌを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。この有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で濃縮することによって褐色の粗製物を得た。
この粗製物をトルエン７５０ｍｌに溶解し、シリカゲル３０ｇを用いた吸着精製を行った後、トルエン／ヘキサンの混合溶媒による晶析、続いて、メタノールによる還流洗浄を行うことによって、（ビフェニル−４−イル）−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物６７）の白色粉体２８．２ｇ（収率８３％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図３に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３７個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９８（１Ｈ）
８．８８（１Ｈ）
８．７９−８．７３（４Ｈ）
７．９５（１Ｈ）
７．８７（２Ｈ）
７．７５−７．６２（１０Ｈ）
７．４４（４Ｈ）
７．３７−７．２８（７Ｈ）
７．１８（１Ｈ）
１．４９（６Ｈ）

＜実施例４＞
（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物７９の合成）

（４−ブロモフェニル）−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−（９，
９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)アミン１５．４ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン１１．０ｇ
トルエン８８ｍｌ
エタノール２２ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液３１ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら３０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．６２ｇ
を加えて加熱し、７２℃で３時間攪拌した。室温まで放冷し、水５０ｍｌ、トルエン１００ｍｌを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。この有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で濃縮することによって橙色の粗製物を得た。
この粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：シクロヘキサン／トルエン）によって精製した後、トルエン／ヘキサンの混合溶媒による晶析、続いて、メタノールによる還流洗浄を行うことによって、（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物７９）の白色粉体１４．５ｇ（収率７３％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図４に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の４１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９８（１Ｈ）
８．８７（１Ｈ）
８．７７（４Ｈ）
７．９５（１Ｈ）
７．８１（２Ｈ）
７．６８−７．６４（６Ｈ）
７．４１（１Ｈ）
７．３６（３Ｈ）
７．２７−７．２２（４Ｈ）
７．１３（２Ｈ）
７．０６（１Ｈ）
１．４４（６Ｈ）
１．３５（９Ｈ）

＜実施例５＞
（ビフェニル−４−イル）−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物８０の合成）

（ビフェニル−４−イル）−（４−ブロモフェニル）
−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミン１５．１ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン１１．７ｇ
トルエン９６ｍｌ
エタノール２４ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液３３ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら３０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．７７ｇ
を加えて加熱し、７２℃で４時間攪拌した。室温まで放冷し、水１００ｍｌ、トルエン１５０ｍｌを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で濃縮することによって灰色の粗製物を得た。
この粗製物をトルエン３００ｍｌに溶解し、シリカゲル２０ｇを用いた吸着精製を行った後、トルエン／ヘキサンの混合溶媒による晶析、トルエン/メタノールの混合溶媒による晶析、さらに、メタノールによる還流洗浄を行うことによって、（ビフェニル−４−イル）−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物８０）の白色粉体１６．７ｇ（収率８３％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図５に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３７個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９７（１Ｈ）
８．８７（１Ｈ）
８．７７（４Ｈ）
７．９５（１Ｈ）
７．８１（２Ｈ）
７．６４（６Ｈ）
７．５６（２Ｈ）
７．４１−７．３７（４Ｈ）
７．２６（３Ｈ）
７．１９（２Ｈ）
７．１４（２Ｈ）
１．３４（９Ｈ）

＜実施例６＞
（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−（３−メチルフェニル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物８１の合成）

（４−ブロモフェニル）−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
−２−イル)−（３−メチルフェニル）アミン１５．０ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン１２．３ｇ
トルエン１２０ｍｌ
エタノール３０ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液３３ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら３０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．７６ｇ
を加えて加熱し、７２℃で２０．５時間攪拌した。室温まで放冷し、水５０ｍｌ、トルエン５０ｍｌを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。この有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で濃縮することによって褐色の粗製物を得た。
この粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／トルエン）によって精製した後、トルエン／メタノールの混合溶媒による晶析、トルエン／ヘキサンの混合溶媒による晶析、さらに、メタノールによる還流洗浄を行うことによって、（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−（３−メチルフェニル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物８１）の白色粉体１３．１ｇ（収率６６％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図６に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３５個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９８（１Ｈ）
８．８８（１Ｈ）
８．７９−８．７３（４Ｈ）
７．９５（１Ｈ）
７．８０（２Ｈ）
７．６８−７．６２（６Ｈ）
７．４１（１Ｈ）
７．３３−７．１４（６Ｈ）
７．０６（２Ｈ）
６．９７（１Ｈ）
６．８７（１Ｈ）
２．２７（３Ｈ）
１．４３（６Ｈ）

＜実施例７＞
（ビフェニル−４−イル）−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−｛３−メチル−４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物８２の合成）

（ビフェニル−４−イル）−（４−ブロモ−３−メチルフェニル）
−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)アミン
１７．０ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン１１．４ｇ
トルエン１３６ｍｌ
エタノール３４ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液３２ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら３０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．７４ｇ
を加えて加熱し、７２℃で６時間攪拌した。室温まで放冷し、水１００ｍｌ、トルエン１００ｍｌを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。この有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で濃縮することによって茶色の粗製物を得た。
この粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／トルエン）によって精製した後、テトラヒドロフラン／メタノールの混合溶媒による晶析、続いて、メタノールによる還流洗浄を行うことによって、（ビフェニル−４−イル）−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−｛３−メチル−４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物８２）の薄黄色粉体１３．１ｇ（収率６６％）を得た。

得られた薄黄色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図７に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９８−８．７３（６Ｈ）
７．６６−７．６７（１１Ｈ）
７．４３−７．３５（５Ｈ）
７．２８−７．２０（６Ｈ）
７．１４−７．０９（２Ｈ）
２，３４（３Ｈ）
１．４３（６Ｈ）

＜実施例８＞
（４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル）−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物８３の合成）

（４−ブロモフェニル）−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル
−４−イル）−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)
アミン１７．５ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン８．９ｇ
トルエン３１４ｍｌ
エタノール７９ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液１９ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら３０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．５７ｇ
を加えて加熱し、６８℃で８．５時間攪拌した。室温まで放冷し、水４００ｍｌを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で濃縮することによって茶色の粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／トルエン）によって精製した後、トルエン／ヘキサンの混合溶媒による晶析、続いて、メタノールによる還流洗浄を行うことによって、（４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル）−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物８３）の白色粉体１２．８ｇ（収率７１％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図８に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の４５個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝９．００（１Ｈ）
８．８８（１Ｈ）
８．７８−８．７２（４Ｈ）
７．９６（１Ｈ）
７．８４（２Ｈ）
７．６９−７．６８（２Ｈ）
７．６８−７．６３（４Ｈ）
７．５８−７．５５（４Ｈ）
７．４５−７．４０（４Ｈ）
７．３２−７．２３（６Ｈ）
７．１３（１Ｈ）
１．４５（６Ｈ）
１．３５（９Ｈ）

＜実施例９＞
（ビフェニル−４−イル）−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル)−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物８４の合成）

（４−ブロモフェニル）−（ビフェニル−４−イル）
−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル)アミン
１８．１ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン１０．４ｇ
トルエン３６０ｍｌ
エタノール９０ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液２２ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら３０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．６８ｇ
を加えて加熱し、７４℃で６．５時間攪拌した。室温まで放冷し、メタノール３６０ｍｌを加え、析出する粗製物をろ過によって採取した。
この粗製物をトルエン４００ｍｌに溶解し、シリカゲル３０ｇを用いた吸着精製を行い、減圧下で濃縮した後、トルエン／メタノールの混合溶媒による晶析、続いて、メタノールによる還流洗浄を行うことによって、（ビフェニル−４−イル）−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル)−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物８４）の黄色粉体１７．４ｇ（収率８３％）を得た。

得られた黄色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図９に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の４１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９９（１Ｈ）
８．８８（１Ｈ）
８．７８（１Ｈ）
７．７６−７．７２（３Ｈ）
７．９５（１Ｈ）
７．８４（２Ｈ）
７．６６−７．６０（６Ｈ）
７．５９−７．５４（６Ｈ）
７．４５（２Ｈ）
７．４０（２Ｈ）
７．３０（２Ｈ）
７．２９−７．２４（５Ｈ）
１．３５（９Ｈ）

＜実施例１０＞
（４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル）−フェニル−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物８５の合成）

（４−ブロモフェニル）−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル
−４−イル）−フェニルアミン１５．５ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン１１．４ｇ
トルエン３００ｍｌ
エタノール７５ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液２５ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら３０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．７９ｇ
を加えて加熱し、６８℃で６時間攪拌した。室温まで放冷し、水３００ｍｌを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で濃縮することによって黒色の粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／トルエン）によって精製し、トルエン／メタノールの混合溶媒による晶析、続いて、メタノールによる還流洗浄を行うことによって、（４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル）−フェニル−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物８５）の白色粉体１２．８ｇ（収率６６％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図１０に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３７個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９７（１Ｈ）
８．８７（１Ｈ）
８．７７−８．７１（４Ｈ）
７．９２（１Ｈ）
７．８１（２Ｈ）
７．６５−７．６２（４Ｈ）
７．５５−７．５２（４Ｈ）
７．４４（２Ｈ）
７．２９（２Ｈ）
７．２５（２Ｈ）
７．２０−７．１９（４Ｈ）
７．０５（１Ｈ）
１．３３（９Ｈ）

＜実施例１１＞
（４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル）−（ナフタレン−１−イル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物８６の合成）

（４−ブロモフェニル）−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル
−４−イル）−（ナフタレン−１−イル）アミン１７．８ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン１０．８ｇ
トルエン２６７ｍｌ
エタノール６７ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液２３ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら３０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．７１ｇ
を加えて加熱し、６８℃で３時間攪拌した。室温まで放冷し、水５０ｍｌを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。この有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で濃縮することによって黒色の粗製物を得た。
この粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／トルエン）によって精製し、メタノールによる還流洗浄を行うことによって、（４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル）−（ナフタレン−１−イル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物８６）の白色粉体１１．９ｇ（収率６０％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図１１に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３９個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９４（１Ｈ）
８．８５（１Ｈ）
８．７６−８．７１（４Ｈ）
８．０４（１Ｈ）
７．９５（１Ｈ）
７．９０（１Ｈ）
７．８５（１Ｈ）
７．７５（２Ｈ）
７．６４−７．６２（４Ｈ）
７．５４（１Ｈ）
７．５１−７．４６（５Ｈ）
７．４３−７．４０（３Ｈ）
７．３９（１Ｈ）
７．１９（２Ｈ）
７．１５（２Ｈ）
１．３４（９Ｈ）

＜実施例１２＞
（ビフェニル−４−イル）−（２−メチルフェニル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物８７の合成）

（４−ブロモフェニル）−（ビフェニル−４−イル）
−（２−メチルフェニル）アミン１７．０ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン１２．５ｇ
トルエン２５５ｍｌ
エタノール６４ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液２７ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら３０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．８２ｇ
を加えて加熱し、６９℃で４時間攪拌した。室温まで放冷し、水２５０ｍｌを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。この有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で濃縮することによって黒色の粗製物を得た。
この粗製物をトルエン４００ｍｌに溶解し、シリカゲル４０ｇを用いた吸着精製を行った。減圧下で濃縮した後、トルエン／メタノールの混合溶媒による晶析、メタノールによる還流洗浄を行うことによって、（ビフェニル−４−イル）−（２−メチルフェニル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物８７）の赤白色粉体１１．６ｇ（収率５９％）を得た。

得られた赤白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図１２に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９７（１Ｈ）
８．８７（１Ｈ）
８．７６（１Ｈ）
８．７４−８．７２（３Ｈ）
７．９３（１Ｈ）
７．８１（２Ｈ）
７．６５−７．６２（６Ｈ）
７．５６（２Ｈ）
７．３９（２Ｈ）
７．３８−７．２３（３Ｈ）
７．２０−７．１８（３Ｈ）
７．０６（１Ｈ）
６．９８（１Ｈ）
６．９０（１Ｈ）
２．２８（３Ｈ）

＜実施例１３＞
（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−（ナフタレン−１−イル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物４６の合成）

（４−ブロモフェニル）−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン
−２−イル)−（ナフタレン−１−イル）アミン１８．５ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン１１．１ｇ
トルエン２７５ｍｌ
エタノール６９ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液２４ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら３０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．７２ｇ
を加えて加熱し、６９℃で５時間攪拌した。室温まで放冷し、水２７０ｍｌを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。この有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で濃縮することによって黒色の粗製物を得た。
この粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／トルエン）によって精製し、トルエン／ヘキサンの混合溶媒による晶析、メタノールで還流洗浄を行うことによって、（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−（ナフタレン−１−イル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物４６）の黄白色粉体７．０５ｇ（収率３５％）を得た。

得られた黄白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図１３に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３５個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９５（１Ｈ）
８．７３（１Ｈ）
８．７１−８．６５（４Ｈ）
８．０２（１Ｈ）
７．９４（２Ｈ）
７．９０（１Ｈ）
７．８７（２Ｈ）
７．８２−７．３６（１２Ｈ）
７．２８−７．１５（４Ｈ）
７．０１（１Ｈ）
１．４０（６Ｈ）

＜実施例１４＞
（ビフェニル−４−イル）−（ジベンゾチオフェン−２−イル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物８８の合成）

（ビフェニル―４―イル）−（４−ブロモフェニル）
−（ジベンゾチオフェン−２−イル）アミン１４．３ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン１０．０ｇ
トルエン８０ｍｌ
エタノール２０ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液７．８ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら６０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．６５ｇ
を加えて加熱し、１０時間還流攪拌した。室温まで放冷し、水、トルエンを加え、析出する粗製物をろ過によって採取した。粗製物を１，２−ジクロロベンゼンによる再結晶、トルエン／１，２−ジクロロベンゼンの混合溶媒による再結晶を行うことによって、（ビフェニル−４−イル）−（ジベンゾチオフェン−２−イル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物８８）の淡黄色粉体１２．１ｇ（収率６５％）を得た。

得られた淡黄色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図１４に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９９（１Ｈ）
８．８７（１Ｈ）
８．７９−８．７４（４Ｈ）
８．１４（２Ｈ）
７．９６（１Ｈ）
７．８８−７．８５（４Ｈ）
７．６５−７．５８（７Ｈ）
７．５０（１Ｈ）
７．４３−７．２６（１０Ｈ）

＜実施例１５＞
（ジベンゾチオフェン−２−イル）−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物８９の合成）

（４−ブロモフェニル）−（ジベンゾチオフェン−２−イル）
−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)アミン
１５．６ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン１０．２ｇ
トルエン８０ｍｌ
エタノール２０ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液８ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら６０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．６７ｇ
を加えて加熱し、４時間還流攪拌した。室温まで放冷し、水、トルエンを加え、析出する粗製物をろ過によって採取した。粗製物をトルエン／１，２−ジクロロベンゼン／酢酸エチルの混合溶媒による再結晶、メタノールによる還流洗浄を行うことによって、（ジベンゾチオフェン−２−イル）−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物８９）の淡黄色粉体１０．６ｇ（収率５３％）を得た。

得られた淡黄色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図１５に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３５個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝９．００（１Ｈ）
８．８９（１Ｈ）
８．８０（１Ｈ）
７．７８−７．７４（３Ｈ）
８．１３−８．１１（２Ｈ）
７．９９（１Ｈ）
７．８８−７．８４（４Ｈ）
７．６９−７．６３（６Ｈ）
７．４４−７．４２（３Ｈ）
７．４１−７．３８（４Ｈ）
７．２７（１Ｈ）
７．２３（１Ｈ）
７．１４（１Ｈ）
１．４２（６Ｈ）

＜実施例１６＞
ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミンの合成；
（化合物９０の合成）

ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）
−（４−ブロモフェニル）アミン１５．８ｇ
４，４，５，５−テトラメチル−２−（トリフェニレン−２−イル）
−［１,３,２］ジオキサボラン９．６ｇ
トルエン８００ｍｌ
エタノール２０ｍｌ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液７．９ｍｌ
を、窒素雰囲気下、反応容器に加え、超音波を照射しながら３０分間窒素ガスを通気した。
次いで、
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．６６ｇ
を加えて加熱し、４時間還流攪拌した。室温まで放冷し、水３００ｍｌを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。この有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で濃縮することによって褐色の粗製物を得た。
この粗製物をトルエンに溶解し、シリカゲル６０ｇを用いた吸着精製、続いて、活性炭１０ｇを用いた吸着精製を行い、さらに、トルエン／アセトン／メタノールの混合溶媒による晶析、トルエン／ヘキサンの混合溶媒による晶析を行った。その後、７０℃に加温したトルエンを用いた洗浄を行った後、１，２−ジクロロメタンに溶解し、ＮＨシリカゲルを用いた吸着精製を行い、さらに、ヘキサンによる晶析を行うことによって、ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−｛４−（トリフェニレン−２−イル）フェニル｝アミン（化合物９０）の淡黄色粉体１０．２ｇ（収率５１％）を得た。

得られた淡黄色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図１６に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）で以下の４１個の水素のシグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．９２（１Ｈ）
８．８２−８．６５（５Ｈ）
７．９５（１Ｈ）
７．８１−７．６２（１０Ｈ）
７．４９−７．１６（１２Ｈ）
１．４３（１２Ｈ）

＜実施例１７＞
実施例１〜１６で得られた化合物（トリフェニレン誘導体）について、高感度示差走査熱量計（ブルカー・エイエックスエス製、ＤＳＣ３１００Ｓ）によって融点とガラス転移点を求めた。その結果は、以下のとおりであった。
融点ガラス転移点
実施例１の化合物２５７℃ １１６℃
実施例２の化合物２３６℃ １１５℃
実施例３の化合物１６０℃ １３１℃
実施例４の化合物測定されず。１２９℃
実施例５の化合物２３６℃ １１６℃
実施例６の化合物測定されず。１１５℃
実施例７の化合物測定されず。１３４℃
実施例８の化合物２４５℃ １４５℃
実施例９の化合物１６０℃ １３３℃
実施例１０の化合物１４５℃ １１７℃
実施例１１の化合物１７２℃ １３９℃
実施例１２の化合物１２９℃ ９８℃
実施例１３の化合物測定されず。１３６℃
実施例１４の化合物１６６℃ １３３℃
実施例１５の化合物３２０℃ １４９℃
実施例１６の化合物２７２℃ １４７℃

実施例１〜１６で得られた本発明の化合物は、ガラス転移点が９５℃以上と高く、このことから、本発明の化合物により形成される薄膜は、安定に維持されることが判る。

＜実施例１８＞
実施例１〜５、８〜１２、１４〜１６で得られた本発明の化合物を用いて、ＩＴＯ基板の上に膜厚１００ｎｍの蒸着膜を作製して、大気中光電子分光装置（理研計器製、ＡＣ−３型）で仕事関数を測定した。その結果は、以下のとおりであった。
仕事関数
実施例１の化合物５．６２ｅＶ
実施例２の化合物５．５７ｅＶ
実施例３の化合物５．６１ｅＶ
実施例４の化合物５．３７ｅＶ
実施例５の化合物５．５６ｅＶ
実施例８の化合物５．４６ｅＶ
実施例９の化合物５．５６ｅＶ
実施例１０の化合物５．６３ｅＶ
実施例１１の化合物５．６３ｅＶ
実施例１２の化合物５．６０ｅＶ
実施例１４の化合物５．６１ｅＶ
実施例１５の化合物５．５６ｅＶ
実施例１６の化合物５．４６ｅＶ

実施例６，７及び１３で得られた本発明の化合物を用いて、ＩＴＯ基板の上に膜厚１００ｎｍの蒸着膜を作製して、イオン化ポテンシャル測定装置（住友重機械工業株式会社、ＰＹＳ−２０２）を用いて仕事関数を測定した。その結果は、以下のとおりであった。
仕事関数
実施例６の化合物５．５７ｅＶ
実施例７の化合物５．６２ｅＶ
実施例１３の化合物５．６３ｅＶ

上記の結果から、本発明のトリフェニレン誘導体は、ＮＰＤ、ＴＰＤなどの一般的な正孔輸送材料がもつ仕事関数５．４ｅＶと比較して、好適なエネルギー準位を示しており、良好な正孔輸送能力を有していることが分かる。

＜実施例１９＞
ガラス基板１上に透明陽極２としてＩＴＯ電極をあらかじめ形成したものの上に、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６、電子注入層７、陰極（アルミニウム電極）８の順に蒸着して、図１７に示す層構造の有機ＥＬ素子を作製した。

具体的には、膜厚１５０ｎｍのＩＴＯを成膜したガラス基板１を有機溶媒で洗浄した後に、酸素プラズマ処理にて表面を洗浄した。その後、このＩＴＯ電極付きガラス基板を真空蒸着機内に取り付け０．００１Ｐａ以下まで減圧した。
続いて、透明陽極２を覆うように、正孔注入層３として、下記構造式で表される化合物１１５を膜厚２０ｎｍとなるように形成した。

この正孔注入層３の上に、正孔輸送層４として実施例２の化合物（化合物１５）を膜厚４０ｎｍとなるように形成した。

この正孔輸送層４の上に、発光層５として、下記構造式の化合物１１６と下記構造式の化合物１１７を、蒸着速度比が化合物１１６：化合物１１７＝５：９５となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍとなるように形成した。この発光層５の上に、電子輸送層６としてＡｌｑ_３を膜厚３０ｎｍとなるように形成した。

この電子輸送層６の上に、電子注入層７としてフッ化リチウムを膜厚０．５ｎｍとなるように形成した。
最後に、アルミニウムを膜厚１５０ｎｍとなるように蒸着して陰極８を形成した。

このようにして本発明の実施例２の化合物（化合物１５）を使用して作製された有機ＥＬ素子について、大気中、常温で各種特性の測定を行なった。
具体的には、この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例２０＞
正孔輸送層４の材料として実施例１の化合物（化合物６６）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例２１＞
正孔輸送層４の材料として実施例３の化合物（化合物６７）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例２２＞
正孔輸送層４の材料として実施例４の化合物（化合物７９）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例２３＞
正孔輸送層４の材料として実施例５の化合物（化合物８０）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例２４＞
正孔輸送層４の材料として実施例６の化合物（化合物８１）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例２５＞
正孔輸送層４の材料として実施例７の化合物（化合物８２）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例２６＞
正孔輸送層４の材料として実施例８の化合物（化合物８３）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例２７＞
正孔輸送層４の材料として実施例９の化合物（化合物８４）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例２８＞
正孔輸送層４の材料として実施例１０の化合物（化合物８５）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例２９＞
正孔輸送層４の材料として実施例１１の化合物（化合物８６）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例３０＞
正孔輸送層４の材料として実施例１２化合物（化合物８７）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例３１＞
正孔輸送層４の材料として実施例１３の化合物（化合物４６）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例３２＞
正孔輸送層４の材料として実施例１４の化合物（化合物８８）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例３３＞
正孔輸送層４の材料として実施例１５の化合物（化合物８９）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜実施例３４＞
正孔輸送層４の材料として実施例１６の化合物（化合物９０）を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

＜比較例１＞
比較のため、正孔輸送層４の材料として、実施例２の化合物の代わりに下記構造式の化合物１１８を使用し、膜厚４０ｎｍとなるように正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１９と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

この有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性を実施例１９と同様にして測定し、その結果を表１に示した。

表１に示す様に、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流を流したときの駆動電圧は、化合物１１８（比較例１）の５．１７Ｖに対して、実施例１〜１６の化合物では４．７３〜５．１５Ｖといずれも低電圧化した。
また、電力効率においても、比較例１の５．４９ｌｍ／Ｗに対して、実施例１〜１６では５．５５〜６．８４ｌｍ／Ｗといずれも大きく向上した。

以上の結果から明らかなように、本発明のトリフェニレン誘導体を用いて形成された有機層を有する有機ＥＬ素子は、既知の前記化合物１１８を用いた有機ＥＬ素子と比較しても、発光効率や電力効率の向上や、実用駆動電圧の低下を達成できることがわかった。

本発明のトリフェニレン誘導体は、正孔輸送能力が高く、アモルファス性に優れており、薄膜状態が安定であるため、有機ＥＬ素子用の化合物として優れている。該化合物を用いて有機ＥＬ素子を作製することにより、高い発光効率および電力効率を得ることができると共に、実用駆動電圧を低下させることができ、耐久性を改善させることができる。例えば、家庭電化製品や照明の用途への展開が可能となった。

１：ガラス基板
２：透明陽極
３：正孔注入層
４：正孔輸送層
５：発光層
６：電子輸送層
７：電子注入層
８：陰極

Claims

下記一般式（１）で表されるトリフェニレン誘導体；

式中、
ｐ及びｑは、それぞれ、０または１〜４の整数を表し、
ｓは、０または１〜３の整数を表し、
ｎは、０または１〜２の整数を表し、
Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ、芳香族炭化水素基または芳香族
複素環基を表すが、Ａｒ^１とＡｒ^２とは、単結合、置換基を有して
いてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して、互い
に結合して環を形成してもよく、
Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ、重水素原子、フッ素原子、塩
素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、
炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基、炭素原子数１〜６のア
ルキルオキシ基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基、
芳香族炭化水素基、芳香族複素環基またはアリールオキシ基を表
し、
Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ、２価の芳香族炭化水素基または２価
の芳香族複素環基を表し、
ｎが０の場合、Ａ^１とＡｒ^１とは、単結合、置換基を有していて
もよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合し
て環を形成してもよく、
ｎが１の場合、Ａ^１またはＡ^２とＡｒ^１とは、単結合、置換基を有
していてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して、互
いに結合して環を形成してもよく、
ｎが２の場合、複数個存在するＡ^２は、互いに異なる基であって
もよく、且つ、Ａ^１またはＡ^２とＡｒ^１とは、単結合、置換基を有し
ていてもよいメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して、互い
に結合して環を形成してもよい。
前記一般式（１）において、ｎが０である請求項１に記載のトリフェニレン誘導体。
前記一般式（１）において、２価の基Ａ^１が置換基を有していてもよいフェニレン基である請求項１に記載のトリフェニレン誘導体。
下記一般式（１ａ）；

式中、
ｐ，ｑ，ｓ，Ａｒ^１，Ａｒ^２及びＲ^１〜Ｒ^３は、前記一般式
（１）に記載したとおりの意味である、
で表される請求項１記載のトリフェニレン誘導体。
前記２価の基Ａ^１がトリフェニレン環の２位に結合している請求項１に記載のトリフェニレン誘導体。
下記一般式（１ｂ）；

式中、
ｐ，ｑ，ｓ，Ａｒ^１，Ａｒ^２及びＲ^１〜Ｒ^３は、前記一般式
（１）に記載したとおりの意味である、
で表される請求項５記載のトリフェニレン誘導体。
下記一般式（１ｂ−１）；

式中、
ｐ，ｑ，ｓ，Ａｒ^１，Ａｒ^２及びＲ^１〜Ｒ^３は、前記一般式
（１）に記載したとおりの意味である、
で表される請求項６記載のトリフェニレン誘導体。
一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも一つの層は、請求項１に記載のトリフェニレン誘導体を含んでいることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記トリフェニレン誘導体を含む有機層が正孔輸送層である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記トリフェニレン誘導体を含む有機層が電子阻止層である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記トリフェニレン誘導体を含む有機層が正孔注入層である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記トリフェニレン誘導体を含む有機層が発光層である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。