KR102065816B1 - 유기 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
Description
본 명세서는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 2개의 전극 사이에 유기박막을 배치시킨 구조를 가지고 있다. 이와 같은 구조의 유기 발광 소자에 전압이 인가되면, 2개의 전극으로부터 주입된 전자와 정공이 유기박막에서 결합하여 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 발하게 된다. 상기 유기박막은 필요에 따라 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다.
유기박막의 재료는 필요에 따라 발광 기능을 가질 수 있다. 예컨대, 유기박막 재료로는 그 자체가 단독으로 발광층을 구성할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있고, 또는 호스트-도펀트계 발광층의 호스트 또는 도펀트 역할을 할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다. 그 외에도, 유기박막의 재료로서, 정공주입, 정공수송, 전자블록킹, 정공블록킹, 전자수송 또는 전자주입 등의 역할을 수행할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다.
유기 발광 소자의 성능, 수명 또는 효율을 향상시키기 위하여, 유기박막의 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
본 명세서는 유기 발광 소자를 제공한다.
제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층을 포함하고,
상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층을 포함하는 것인 유기 발광 소자:
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 2에 있어서,
Ar1 내지 Ar3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이며,
L1 내지 L5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이고,
R1 내지 R5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이며,
a 및 d는 각각 0 내지 8의 정수이고, b는 0 내지 3의 정수이며, c는 0 내지 4의 정수이고, a 내지 d 가 2 이상인 경우 괄호 안의 치환기는 서로 동일하거나 상이하다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기기발광소자는 구동전압이 낮고, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(3), 전자수송층(7) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1). 양극(2) 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자저지층(8), 발광층(3), 전자수송층(7) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1). 양극(2) 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자저지층(8), 발광층(3), 전자수송층(7) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 알킬기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 24인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라센기, 페난쓰렌기, 파이렌기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오렌기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오렌기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오렌기가 치환되는 경우, 
, 
, 
, 
, 
, 
등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 헤테로고리기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸릴기, 트리아졸기, 피리딘기, 비피리딜기, 피리미딘기, 트리아진기, 아크리딜기, 하이드로아크리딜기(예컨대, 
), 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도피리미디닐기, 피리도피라지닐기, 피라지노피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 디벤조카바졸릴기, 벤조티오페닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조퓨라닐기, 디벤조퓨라닐기; 벤조실롤기; 디벤조실롤기; 페난트롤리닐기(phenanthrolinyl group), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기, 페노옥사지닐기, 및 이들의 축합구조 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 이외에도 헤테로고리기의 예로서, 술포닐기를 포함하는 헤테로고리 구조, 예컨대, 
, 
등이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기; 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 치환 또는 비치환된 페난쓰렌기; 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기; 치환 또는 비치환된 안트라센기; 치환 또는 비치환된 플루오란텐기; 치환 또는 비치환된 파이렌기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 치환 또는 비치환된 벤조카바졸기; 치환 또는 비치환된 벤조나프토퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 치환 또는 비치환된 피리딘기; 또는 치환 또는 비치환된 퀴놀린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기; 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 치환 또는 비치환된 페난쓰렌기; 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기; 치환 또는 비치환된 안트라센기; 치환 또는 비치환된 플루오란텐기; 치환 또는 비치환된 파이렌기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 치환 또는 비치환된 벤조카바졸기; 치환 또는 비치환된 벤조나프토퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 치환 또는 비치환된 피리딘기; 또는 치환 또는 비치환된 퀴놀린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 페닐기; 나프틸기; 바이페닐기; 터페닐기; 쿼터페닐기; 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 페난쓰렌기; 트리페닐렌기; 안트라센기; 플루오란텐기; 파이렌기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 벤조카바졸기; 벤조나프토퓨란기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 피리딘기; 또는 퀴놀린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 페닐기; 나프틸기; 바이페닐기; 터페닐기; 쿼터페닐기; 디메틸플루오렌기; 디페닐플루오렌기; 스피로비플루오렌기; 페난쓰렌기; 트리페닐렌기; 안트라센기; 플루오란텐기; 파이렌기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 벤조카바졸기; 벤조나프토퓨란기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 피리딘기; 또는 퀴놀린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 페닐기; 나프틸기; 바이페닐기; 터페닐기; 디메틸플루오렌기; 디페닐플루오렌기; 스피로비플루오렌기; 페난쓰렌기; 트리페닐렌기; 플루오란텐기; 파이렌기; 벤조나프토퓨란기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 또는 피리딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 페닐기; 나프틸기; 바이페닐기; 터페닐기; 디메틸플루오렌기; 디페닐플루오렌기; 스피로비플루오렌기; 페난쓰렌기; 트리페닐렌기; 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3은 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기; 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 치환 또는 비치환된 페난쓰렌기; 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기; 치환 또는 비치환된 안트라센기; 치환 또는 비치환된 플루오란텐기; 치환 또는 비치환된 파이렌기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 치환 또는 비치환된 벤조카바졸기; 치환 또는 비치환된 벤조나프토퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 치환 또는 비치환된 피리딘기; 또는 치환 또는 비치환된 퀴놀린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3은 페닐기; 나프틸기; 바이페닐기; 터페닐기; 쿼터페닐기; 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 페난쓰렌기; 트리페닐렌기; 안트라센기; 플루오란텐기; 파이렌기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 벤조카바졸기; 벤조나프토퓨란기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 피리딘기; 또는 퀴놀린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3은 페닐기; 나프틸기; 바이페닐기; 터페닐기; 쿼터페닐기; 디메틸플루오렌기; 디페닐플루오렌기; 스피로비플루오렌기; 페난쓰렌기; 트리페닐렌기; 안트라센기; 플루오란텐기; 파이렌기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 벤조카바졸기; 벤조나프토퓨란기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 피리딘기; 또는 퀴놀린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3은 페닐기; 나프틸기; 바이페닐기; 터페닐기; 디메틸플루오렌기; 디페닐플루오렌기; 스피로비플루오렌기; 페난쓰렌기; 트리페닐렌기; 플루오란텐기; 파이렌기; 벤조나프토퓨란기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 피리딘기; 또는 퀴놀린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 내지 L5는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐릴렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 페난트렐릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1은 직접결합; 페닐렌기; 또는 바이페닐릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L2 및 L3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 또는 바이페닐릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L2 및 L3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L4는 직접결합; 페닐렌기; 또는 바이페닐릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L4는 페닐렌기; 또는 바이페닐릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L4는 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L5는 직접결합; 페닐렌기; 또는 바이페닐릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L5는 직접결합; 또는 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기이고, Ar1은 치환 또는 비치환된 플루오렌기이며, Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기이다. 이 경우에 화학식 1은 정공수송층 또는 전자저지층 사용하였을 때 유기 발광 소자의 특성이 향상되었다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기이고, Ar1은 치환 또는 비치환된 플루오렌기이며, Ar2는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다. 이 경우에 화학식 1은 녹색발광소자의 전자저지층으로 사용하였을 때 유기 발광 소자의 특성이 향상되었다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1, R2, R4 및 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1, R2, R4 및 R5는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3은 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3은 메틸기; 에틸기; 프로필기; 페닐기; 바이페닐기; 또는 나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3은 메틸기; 에틸기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조식 중 선택된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 구조식 중 선택된다.
예컨대 상기 화학식 1의 화합물은 하기 반응식 1과 같이 코어구조가 제조될수 있다. 치환기는 당기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.
[반응식 1]
예컨대 상기 화학식 2의 화합물은 하기 반응식 2과 같이 코어구조가 제조될수 있다. 치환기는 당기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.
[반응식 2]
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 출원의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자의 대표적인 예로서, 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 정공수송층이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 전자저지층이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 정공수송층 및 전자저지층을 포함하고, 상기 전자저지층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자저지층은 상기 발광층과 접하는 유기물층이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 전자수송층이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 전자수송층 및 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송층이 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 각각 단층 또는 2층 이상의 유기물층이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 2층 이상의 유기물층이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 정공수송층, 전공주입층, 전공수송과 전공주입을 동시에 하는 층 및 전자저지층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 전자수송과 전자주입을 동시에 하는 층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, 하기 화학식 3의 화합물을 포함하는 발광층을 포함하는 것인 유기 발광 소자이다,
[화학식 3]
상기 화학식 3에 있어서,
Ar4은 벤조플루오렌 골격, 플루오란텐 골격, 피렌 골격 또는 크리센 골격이고,
L6은 단일결합, C6 내지 C30의 아릴렌기 또는 C5 내지 C30의 2가의 헤테로고리기이며,
X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30의 헤테로 고리기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아르알킬기로 이루어진 군에서 선택되고, X1 및 X2는 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있고,
r은 1 이상의 정수이며,
상기 r이 2 이상인 경우, X1은 서로 동일하거나 상이하고, X2는 서로 동일하거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L6은 단일결합 또는 C6 내지 C30의 아릴렌기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 L6은 단일결합이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4은 벤조플루오렌 골격, 플루오란텐 골격 또는 피렌골격이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4은 피렌골격이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 및 C30의 헤테로 고리기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 또는 C5 내지 C30의 헤테로 고리기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 디벤조 퓨란기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 디벤조퓨란기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4은 피렌골격이고, L6은 단일결합이며, X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 C5 내지 C30의 헤테로 고리기이고, r이 2인 유기 발광 소자이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar4은 피렌 골격이고 L6은 단일결합이며, X1은 메틸기로 치환된 페닐기이고, X2는 디벤조퓨란기이고, r은 2인 유기 발광 소자이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3의 화합물을 발광층의 도펀트로 포함될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, 하기 화학식 4의 화합물을 상기 유기물층 중 발광층에 포함하는 것인 유기 발광 소자이다.
[화학식 4]
상기 화학식 4에 있어서,
X5는 치환 또는 비치환된 1-나프틸기, 치환 또는 비치환된 2-나프틸기, 치환 또는 비치환된 1-안트릴기, 치환 또는 비치환된 2-안트릴기, 치환 또는 비치환된 1-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 2-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 3-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 4-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 9-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 1-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 2-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 9-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 1-피렌일기, 치환 또는 비치환된 2-피렌일기, 치환 또는 비치환된 4-피렌일기, 치환 또는 비치환된 3-메틸-2-나프틸기, 치환 또는 비치환된 4-메틸-1-나프틸기 또는 하기 구조식 
이고,
X6는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 1-나프틸기, 치환 또는 비치환된 2-나프틸기, 치환 또는 비치환된 1-안트릴기, 치환 또는 비치환된 2-안트릴기, 치환 또는 비치환된 9-안트릴기, 치환 또는 비치환된 1-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 2-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 3-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 4-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 9-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 1-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 2-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 9-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 1-피렌일기, 치환 또는 비치환된 2-피렌일기, 치환 또는 비치환된 4-피렌일기, 치환 또는 비치환된 2-바이페닐릴기, 치환 또는 비치환된 3-바이페닐릴기, 치환 또는 비치환된 4-바이페닐릴기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐-4-일기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐-3-일기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐-2-일기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐-4-일기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐-3-일기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐-2-일기, 치환 또는 비치환된 o-톨릴기, 치환 또는 비치환된 m-톨릴기, 치환 또는 비치환된 p-톨릴기, 치환 또는 비치환된 p-t-뷰틸페닐기, 치환 또는 비치환된 p-(2-페닐프로필)페닐기, 치환 또는 비치환된 3-메틸-2-나프틸기, 치환 또는 비치환된 4-메틸-1-나프틸기, 치환 또는 비치환된 4-메틸-1-안트릴기, 치환 또는 비치환된 4'-메틸바이페닐릴기, 치환 또는 비치환된 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기, 및 치환 또는 비치환된 3-플루오란텐일기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기이며,
X3 및 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시카보닐기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 니트로기 또는 하이드록실기이고,
s1 및 s2는 각각 0 내지 4의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X5는 치환 또는 비치환된 1-나프틸기 또는 2-나프틸기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 X5는 치환 또는 비치환된 1- 나프틸기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 X5는 1-나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X6는 페닐기, 1-나프틸기 또는 2-나프틸기이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 X6는 2-나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X3 및 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C50의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 s1 및 s2는 각각 0 내지 2의 정수이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 s1 및 s2는 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X5 및 X6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 1-나프틸기 또는 2-나프틸기이고, s1 및 s2는 0인 유기 발광 소자이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 4의 화합물은 하기 구조식들 중에서 선택된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식4의 화합물은 발광층의 호스트로 포함될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 화학식 3의 화합물 및 상기 화학식 4의 화합물을 상기 유기물층 중 발광층에 포함하는 유기 발광 소자이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 화학식 3의 Ar4은 피렌골격이고, L6은 단일결합이며, X1 및 X2는 알킬기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 헤테로고리기이고, r은 2인 화합물 및 상기 화학식 4의 X5 및 X6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 1-나프틸기 또는 2-나프틸기이고, s1 및 s2는 0인 화합물을 상기 발광층에 포함하는 유기 발광 소자이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
예컨대, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 및 도 2에 예시되어 있다.
도 1은 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(3), 전자수송층(7) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공수송층(6)에 포함될 수 있으며, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 전자수송층(7)에 포함될 수 있다.
도 2는 기판(1). 양극(2) 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자저지층(8), 발광층(3), 전자수송층(7) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 전자저지층(8)에 포함될 수 있으며, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 전자수송층(7)에 포함될 수 있다.
본 출원의 유기 발광 소자는 유기물층 중 2층 이상이 본 출원의 화학식 1 및 화학식 2의 화합물을 각각 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 출원의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 및 2의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자 수송 물질로는 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공저지층은 정공의 음극 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
상기 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것이며, 본 명세서의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
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실시예
>
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실험예
1>
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사카보니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene hexacarbonitrile; HAT)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다.
상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화합물 N4,N4,N4',N4'-테트라([1,1'-비페닐]-4-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민[HT-1] (300Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 정공 수송층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 N-([1,1'-비스페닐]-4-일)-N-(4-(11-([1,1'-비페닐]-4-일)-11H-벤조[a]카바졸-5-일)페닐)-[1,1'-비페닐]-4-아민[EB-1](100Å)를 진공 증착하여 전자저지층을 형성하였다.
이어서, 상기 전자 저지층 위에 막 두께 300Å으로 아래와 같은 BH와 BD를 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.
[BH] [
BD
]
[ET-1] [
LiQ
]
상기 발광층 위에 상기 화합물 ET-11과 상기 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~ 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 ⅹ10-7 ~5 ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
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실험예
1-1>
상기 실험예 1에서 EB-1 대신 상기 화합물 1-1을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-2>
상기 실험예 1에서 EB-1 대신 상기 화합물 1-2을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-3>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-5을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-4>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-6을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-5>
상기 실험예 1에서 화합물 ET-1 대신 상기 화합물 2-1를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-6>
상기 실험예 1에서 화합물 ET-1 대신 상기 화합물 2-2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-7>
상기 실험예 1에서 화합물 ET-1 대신 상기 화합물 2-3를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
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실험예
1-8>
상기 실험예 1에서 화합물 ET-1 대신 상기 화합물 2-4를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
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실험예
1-9>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-1을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 상기 2-1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-10>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-1을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 하기 2-2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-11>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-1을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 상기 2-3의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-12>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-1을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 상기 2-4의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-13>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-2을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 하기 2-1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
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실험예
1-14>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-2을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 상기 2-2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
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실험예
1-15>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-2을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 상기 2-3의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-16>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-2을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 상기 2-4의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-17>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-5을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 상기 2-1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-18>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-5을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 상기 2-2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
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실험예
1-19>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-5을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 상기 2-3의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
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실험예
1-20>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-5을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 상기 2-4의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-21>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-6을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 상기 2-1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-22>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-6을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 상기 2-2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-23>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-6을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 상기 2-3의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<
실험예
1-24>
상기 실험예 1에서 화합물 EB-1 대신 상기 화합물 1-6을 사용하고, 화합물 ET-1 대신 상기 2-4의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
| 실험예 | 전자수송층 | 전자저지층 | 전압(V) | 휘도 | T95(hr) |
| 1 | ET-1 | EB-1 | 4.36 | 5.96 | 255 |
| 1-1 | ET-1 | 1-1 | 4.29 | 6.17 | 250 |
| 1-2 | ET-1 | 1-2 | 4.18 | 6.23 | 260 |
| 1-3 | ET-1 | 1-5 | 4.20 | 6.13 | 250 |
| 1-4 | ET-1 | 1-6 | 4.26 | 6.18 | 270 |
| 1-5 | 2-1 | EB-1 | 4.25 | 6.12 | 265 |
| 1-6 | 2-2 | EB-1 | 4.24 | 6.15 | 265 |
| 1-7 | 2-3 | EB-1 | 4.24 | 6.07 | 260 |
| 1-8 | 2-4 | EB-1 | 4.19 | 6.27 | 275 |
| 1-9 | 2-1 | 1-1 | 3.52 | 6.43 | 315 |
| 1-10 | 2-2 | 1-1 | 3.53 | 6.49 | 335 |
| 1-11 | 2-3 | 1-1 | 3.61 | 6.48 | 325 |
| 1-12 | 2-4 | 1-1 | 3.54 | 6.45 | 310 |
| 1-13 | 2-1 | 1-2 | 3.56 | 6.49 | 320 |
| 1-14 | 2-2 | 1-2 | 3.57 | 6.47 | 345 |
| 1-15 | 2-3 | 1-2 | 3.59 | 6.45 | 320 |
| 1-16 | 2-4 | 1-2 | 3.58 | 6.46 | 305 |
| 1-17 | 2-1 | 1-5 | 3.72 | 6.61 | 295 |
| 1-18 | 2-2 | 1-5 | 3.79 | 6.62 | 360 |
| 1-19 | 2-3 | 1-5 | 3.78 | 6.63 | 320 |
| 1-20 | 2-4 | 1-5 | 3.75 | 6.64 | 315 |
| 1-21 | 2-1 | 1-6 | 3.67 | 6.72 | 335 |
| 1-22 | 2-2 | 1-6 | 3.65 | 6.70 | 360 |
| 1-23 | 2-3 | 1-6 | 3.64 | 6.67 | 345 |
| 1-24 | 2-4 | 1-6 | 3.62 | 6.69 | 355 |
실험예 1-1 내지 1-24 에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 표 1의 결과를 얻었다. 본원 발명의 실험예에서 청색 유기 발광 소자는 널리 사용되고 있는 물질들을 참조로 하며 전자 차단층으로 EB-1, 전자 수송층으로 ET-1을 사용하는 구조이다.
상기 표 1에 따르면, 실험예 1-1 ~ 1-4 은 화학식 1의 화합물을 EB-1 대신 사용하였고, 실험예 1-5 ~ 1-8 은 화학식 2의 화합물을 ET-1 대신 사용하여 화학식 1, 화학식 2 를 따로 사용하였을때 기본적인 소자의 특성을 나타내고 있다.
실험예 1-9 ~ 1-24 은 화학식 1의 화합물들을 EB-1 대신 사용하고, 화학식 2 의 화합물들을 ET-1 대신 사용하여 하나의 소자에 같이 적용시켰을 때 소자의 특성을 나타내고 있다. 전체적으로 발광효율은 5~10% 이상 높아지며, 전압은 10~12% 정도 낮아지고 수명은 20% 이상 길게 측정되는 결과를 보인다.
실험예 1-9 ~ 1-12 에서 화합물 1-1을 EB-1으로 화학식 2 의 화합물들을 ET-1로 사용하였을 때 가장 전압이 낮았고, 실험예 1-17 ~ 1-24 에서 화합물 1-5 또는 1-6을 EB-1으로 사용하였을 때 발광효율이 가장 높게 측정 되었다.
이를 통하여 본 원 발명의 화학식 1(치환기를 가지는 모노아민 형태의 트리페닐렌 구조)을 전자차단층 재료(EB-1)로 사용하고 전자주입으로서의 능력과 열안정성이 매우 우수한 안트라센 9번 위치에 벤즈이미다졸 타입 치환기를 가지는 상기 화학식 2의 화합물을 상기 음극과 상기 발광층 사이에 구비된 전자수송층 재료(ET-1)로 조합하여 만들어지는 청색 유기 발광 소자의 구동전압 및 발광효율, 수명 특성을 개선할 수 있다는 것을 확인할 수 있다.
<
실험예
2>
상기 실험예 1 에서 HT-1 대신 화학식 1-1, 1-2, 1-3, 1-4을 사용한 것을 제외하고 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 단 화학식 1, 화학식 2의 조합 실험예 1-9 ~ 1-24에서 HT-1 대신 1-1, 1-2, 1-3, 1-4을 사용하였다.
| 실험예 | 전자수송층 | 정공수송층 | 전압 | 휘도(V) | T95(hr) |
| 2 | ET-1 | HT-1 | 4.36 | 5.96 | 255 |
| 2-1 | ET-1 | 1-1 | 3.72 | 6.38 | 280 |
| 2-2 | ET-1 | 1-2 | 3.85 | 6.47 | 290 |
| 2-3 | ET-1 | 1-3 | 3.74 | 6.36 | 285 |
| 2-4 | ET-1 | 1-4 | 3.98 | 6.50 | 300 |
| 2-5 | 2-1 | HT-1 | 3.82 | 6.52 | 295 |
| 2-6 | 2-2 | HT-1 | 3.78 | 6.51 | 290 |
| 2-7 | 2-3 | HT-1 | 3.93 | 6.49 | 290 |
| 2-8 | 2-4 | HT-1 | 3.85 | 6.43 | 305 |
| 2-9 | 2-1 | 1-1 | 3.46 | 6.84 | 340 |
| 2-10 | 2-2 | 1-1 | 3.48 | 6.82 | 350 |
| 2-11 | 2-3 | 1-1 | 3.49 | 6.91 | 350 |
| 2-12 | 2-4 | 1-1 | 3.40 | 7.02 | 340 |
| 2-13 | 2-1 | 1-2 | 3.46 | 6.90 | 355 |
| 2-14 | 2-2 | 1-2 | 3.43 | 6.89 | 355 |
| 2-15 | 2-3 | 1-2 | 3.40 | 6.91 | 350 |
| 2-16 | 2-4 | 1-2 | 3.42 | 6.92 | 330 |
| 2-17 | 2-1 | 1-3 | 3.61 | 6.68 | 375 |
| 2-18 | 2-2 | 1-3 | 3.68 | 6.66 | 385 |
| 2-19 | 2-3 | 1-3 | 3.67 | 6.65 | 370 |
| 2-20 | 2-4 | 1-3 | 3.64 | 6.74 | 370 |
| 2-21 | 2-1 | 1-4 | 3.56 | 6.80 | 325 |
| 2-22 | 2-2 | 1-4 | 3.54 | 6.76 | 345 |
| 2-23 | 2-3 | 1-4 | 3.53 | 6.78 | 330 |
| 2-24 | 2-4 | 1-4 | 3.51 | 6.75 | 335 |
실험예 2-1 내지 2-24 에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 표 2의 결과를 얻었다. 본원 발명의 실험예에서 청색 유기 발광 소자는 널리 사용되고 있는 물질들을 참조로 하며 정공 수송층으로 HT-1, 전자 수송층으로 ET-1을 사용하는 구조이다.
상기 표 2에 따르면, 실험예 2-1 ~ 2-4 은 화학식 1의 화합물을 HT-1 대신 사용하였고, 실험예 2-5 ~ 2-8 은 화학식 2의 화합물을 ET-1 대신 사용하여 화학식 1, 화학식 2 를 따로 사용하였을때 기본적인 소자의 특성을 나타내고 있다.
전체적으로 발광효율은 5~10% 이상 높아지며, 구동전압은 8~12% 낮아지고 수명은 30% 이상 길게 측정되는 결과를 보인다.
실험예 2-9 ~ 2-12 에서 화합물 1-1을 HT-1으로 화학식 2 의 화합물들을 ET-1로 사용하였을 때 가장 전압이 낮았고, 실험예 2-13 ~ 2-16 에서 화합물 1-2을 HT-1으로 사용하였을 때 발광효율이 가장 높았고, 실험예 2-17 ~ 20 에서 화합물 1-3을 HT-1으로 사용하였을 때 수명이 가장 길게 측정 되었다.
이를 통하여 본 원 발명의 화학식 1(치환기를 가지는 모노아민 형태의 트리페닐렌 구조)을 정공수송층 재료(HT-1)로 사용하고 전자주입으로서의 능력과 열안정성이 매우 우수한 안트라센 9번 위치에 벤즈이미다졸 타입 치환기를 가지는 상기 화학식 2의 화합물을 상기 음극과 상기 발광층 사이에 구비된 전자수송층 재료(ET-1)로 조합하여 만들어지는 청색 유기 발광 소자의 구동전압 및 발광효율, 수명 특성을 개선할 수 있다는 것을 확인할 수 있다.
1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 전자수송층
8: 전자저지층
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 전자수송층
8: 전자저지층
Claims (18)
- 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층을 포함하고,
상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층을 포함하는 것인 유기 발광 소자:
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 2에 있어서,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이며,
Ar3는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이며,
L1 내지 L5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이고,
R1 내지 R5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이며,
a 및 d는 각각 0 내지 8의 정수이고, b는 0 내지 3의 정수이며, c는 0 내지 4의 정수이고, a 내지 d 가 2 이상인 경우 괄호 안의 치환기는 서로 동일하거나 상이하다. - 청구항 1에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 페닐기; 나프틸기; 바이페닐기; 터페닐기; 쿼터페닐기; 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 페난트렌기; 트리페닐렌기; 안트라센기; 플루오란텐기; 또는 파이렌기이고,
Ar3은 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기; 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 치환 또는 비치환된 페난트렌기; 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기; 치환 또는 비치환된 안트라센기; 치환 또는 비치환된 플루오란텐기; 치환 또는 비치환된 파이렌기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 치환 또는 비치환된 벤조카바졸기; 치환 또는 비치환된 벤조나프토퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 치환 또는 비치환된 피리딘기; 또는 치환 또는 비치환된 퀴놀린기인 것인 유기 발광 소자. - 청구항 1에 있어서, 상기 L1 내지 L5는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐릴렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 페난트렐릴렌기인 것인 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기이고, Ar1은 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기이며, Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기인 것인 유기 발광 소자.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조식 중 선택되는 것인 유기 발광 소자:
- 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 구조식 중 선택되는 것인 유기 발광 소자:
- 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극인 것인 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 정공수송층인 것인 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 전자저지층인 것인 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 전자수송층인 것인 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 발광층은 하기 화학식 3의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자:
[화학식 3]
상기 화학식 3에 있어서,
Ar4은 벤조플루오렌 골격, 플루오란텐 골격, 피렌 골격 또는 크리센 골격이고,
L6은 단일결합, C6 내지 C30의 아릴렌기 또는 C5 내지 C30의 2가의 헤테로고리기이며,
X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30의 헤테로 고리기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아르알킬기로 이루어진 군에서 선택되고, X1 및 X2는 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있고,
r은 1 이상의 정수이며,
상기 r이 2 이상인 경우, X1은 서로 동일하거나 상이하고, X2는 서로 동일하거나 상이하다. - 청구항 12에 있어서, 상기 Ar4은 피렌골격이고, L6은 단일결합이며, X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 C5 내지 C30의 헤테로 고리기이고, r이 2인 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 발광층은 하기 화학식 4의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자:
[화학식 4]
상기 화학식 4에 있어서,
X5는 치환 또는 비치환된 1-나프틸기, 치환 또는 비치환된 2-나프틸기, 치환 또는 비치환된 1-안트릴기, 치환 또는 비치환된 2-안트릴기, 치환 또는 비치환된 1-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 2-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 3-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 4-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 9-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 1-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 2-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 9-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 1-피렌일기, 치환 또는 비치환된 2-피렌일기, 치환 또는 비치환된 4-피렌일기, 치환 또는 비치환된 3-메틸-2-나프틸기, 치환 또는 비치환된 4-메틸-1-나프틸기 또는 하기 구조식이고,
X6는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 1-나프틸기, 치환 또는 비치환된 2-나프틸기, 치환 또는 비치환된 1-안트릴기, 치환 또는 비치환된 2-안트릴기, 치환 또는 비치환된 9-안트릴기, 치환 또는 비치환된 1-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 2-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 3-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 4-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 9-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 1-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 2-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 9-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 1-피렌일기, 치환 또는 비치환된 2-피렌일기, 치환 또는 비치환된 4-피렌일기, 치환 또는 비치환된 2-바이페닐릴기, 치환 또는 비치환된 3-바이페닐릴기, 치환 또는 비치환된 4-바이페닐릴기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐-4-일기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐-3-일기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐-2-일기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐-4-일기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐-3-일기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐-2-일기, 치환 또는 비치환된 o-톨릴기, 치환 또는 비치환된 m-톨릴기, 치환 또는 비치환된 p-톨릴기, 치환 또는 비치환된 p-t-뷰틸페닐기, 치환 또는 비치환된 p-(2-페닐프로필)페닐기, 치환 또는 비치환된 3-메틸-2-나프틸기, 치환 또는 비치환된 4-메틸-1-나프틸기, 치환 또는 비치환된 4-메틸-1-안트릴기, 치환 또는 비치환된 4'-메틸바이페닐릴기, 치환 또는 비치환된 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기, 및 치환 또는 비치환된 3-플루오란텐일기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기이며,
X3 및 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시카보닐기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 니트로기 또는 하이드록실기이고,
s1 및 s2는 각각 0 내지 4의 정수이다. - 청구항 14에 있어서, 상기 X5 및 X6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 1-나프틸기 또는 2-나프틸기이고, s1 및 s2는 0인 유기 발광 소자.
- 청구항 14에 있어서, 상기 화학식 4로 표시되는 화합물은 하기 구조식들 중에서 선택되는 것인 유기 발광 소자:
- 청구항 12에 있어서, 상기 발광층은 하기 화학식 4의 화합물을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자:
[화학식 4]
상기 화학식 4에 있어서,
X5는 X5는 치환 또는 비치환된 1-나프틸기, 치환 또는 비치환된 2-나프틸기, 치환 또는 비치환된 1-안트릴기, 치환 또는 비치환된 2-안트릴기, 치환 또는 비치환된 1-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 2-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 3-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 4-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 9-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 1-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 2-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 9-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 1-피렌일기, 치환 또는 비치환된 2-피렌일기, 치환 또는 비치환된 4-피렌일기, 치환 또는 비치환된 3-메틸-2-나프틸기, 치환 또는 비치환된 4-메틸-1-나프틸기 또는 하기 구조식이고,
X6는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 1-나프틸기, 치환 또는 비치환된 2-나프틸기, 치환 또는 비치환된 1-안트릴기, 치환 또는 비치환된 2-안트릴기, 치환 또는 비치환된 9-안트릴기, 치환 또는 비치환된 1-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 2-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 3-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 4-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 9-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 1-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 2-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 9-나프타센일기, 치환 또는 비치환된 1-피렌일기, 치환 또는 비치환된 2-피렌일기, 치환 또는 비치환된 4-피렌일기, 치환 또는 비치환된 2-바이페닐릴기, 치환 또는 비치환된 3-바이페닐릴기, 치환 또는 비치환된 4-바이페닐릴기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐-4-일기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐-3-일기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐-2-일기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐-4-일기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐-3-일기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐-2-일기, 치환 또는 비치환된 o-톨릴기, 치환 또는 비치환된 m-톨릴기, 치환 또는 비치환된 p-톨릴기, 치환 또는 비치환된 p-t-뷰틸페닐기, 치환 또는 비치환된 p-(2-페닐프로필)페닐기, 치환 또는 비치환된 3-메틸-2-나프틸기, 치환 또는 비치환된 4-메틸-1-나프틸기, 치환 또는 비치환된 4-메틸-1-안트릴기, 치환 또는 비치환된 4'-메틸바이페닐릴기, 치환 또는 비치환된 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기, 및 치환 또는 비치환된 3-플루오란텐일기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기이며,
X3 및 X4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시카보닐기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 니트로기 또는 하이드록실기이고,
s1 및 s2는 각각 0 내지 4의 정수이다. - 청구항 17에 있어서, 상기 Ar4은 피렌골격이고, L6은 단일결합이며, X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 C5 내지 C30의 헤테로 고리기이고, r이 2이며,
상기 화학식 4의 X5 및 X6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 1-나프틸기 또는 2-나프틸기이고, s1 및 s2는 0인 유기 발광 소자.
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