JP5525665B1 - アクリダン環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

本発明によれば、一般式（１）で表されるアクリダン環構造を有する化合物、及び、一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該化合物が、該有機層の構成材料として用いられている有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。本発明の化合物は、高効率、高耐久性の有機エレクトロルミネッセンス素子用の材料として、正孔の注入・輸送性能に優れ、電子阻止能力を有し、薄膜状態での安定性が高く、耐熱性に優れた特性を有する。
【化１】

Description

本発明は、各種の表示装置に好適な自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子に適した化合物と該素子に関するものであリ、詳しくは、アクリダン環構造を有する化合物と、該化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と呼ぶことがある。）は自己発光性素子であるため、液晶素子にくらべて明るく視認性に優れ、鮮明な表示が可能である。そのため、有機ＥＬ素子について、活発な研究がなされてきた。

１９８７年にイーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらは各種の役割を各材料に分担した積層構造素子を開発することにより、有機材料を用いた有機ＥＬ素子を実用的なものにした。彼らは、電子を輸送することのできる蛍光体、即ち、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（以後、Ａｌｑ_３と略称する）と、正孔を輸送することのできる芳香族アミン化合物とを積層し、両方の電荷を蛍光体の層の中に注入して発光させることにより、１０Ｖ以下の電圧で１０００ｃｄ／ｍ^２以上の高輝度を得た（特許文献１および特許文献２参照）。

現在まで、有機ＥＬ素子の実用化のために多くの改良がなされてきた。例えば、各種の役割をさらに細分化し、基板上に順次、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極を設けた電界発光素子が知られており、このような素子によって高効率と耐久性が達成されている。

また発光効率のさらなる向上を目的として三重項励起子の利用が試みられ、燐光発光体の利用が検討されている。

さらにまた、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）による発光を利用する素子も開発され、熱活性化遅延蛍光材料を用いた素子によって５．３％の外部量子効率が実現されている。

発光層は、一般的にホスト材料と称される電荷輸送性化合物に、蛍光体や燐光発光体をドープして作製することもできる。有機ＥＬ素子における各層を形成する有機材料の選択は、その素子の効率や耐久性など諸特性に大きな影響を与える。

有機ＥＬ素子においては、両電極から注入された電荷が発光層で再結合して発光が得られるが、正孔、電子の両電荷を如何に効率よく発光層に受け渡すかが重要である。例えば、正孔注入性を高め且つ陰極から注入された電子をブロックする電子阻止性を高めることによって、正孔と電子が再結合する確率を向上させ、さらには発光層内で生成した励起子を閉じ込めることによって、高発光効率を得ることができる。そのため、正孔輸送材料の果たす役割は重要であり、正孔注入性が高く、正孔の移動度が大きく、電子阻止性が高く、さらには電子に対する耐久性が高い正孔輸送材料が求められている。

また、素子の寿命に関しては材料の耐熱性やアモルファス性も重要である。耐熱性が低い材料では、素子駆動時に生じる熱により、低い温度でも熱分解が起こり、材料が劣化する。アモルファス性が低い材料では、短い時間でも薄膜の結晶化が起こり、素子が劣化してしまう。そのため使用する材料には耐熱性が高く、アモルファス性が良好な性質が求められる。

これまで有機ＥＬ素子に用いられてきた正孔輸送材料としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジン（以後、ＮＰＤと略称する）や種々の芳香族アミン誘導体が知られている（特許文献１および特許文献２参照）。ＮＰＤは良好な正孔輸送能力を持っているが、耐熱性の指標となるガラス転移点（Ｔｇ）が９６℃と低く、高温条件下では結晶化による素子特性の低下が起こってしまう。また、特許文献１や特許文献２に記載の芳香族アミン誘導体の中には、正孔の移動度が１０^−３ｃｍ^２／Ｖｓ以上と優れた移動度を有する化合物があるが、電子阻止性が不十分であるため、電子の一部が発光層を通り抜けてしまい、発光効率の向上が期待できないなどの問題があった。従って、さらなる高効率化のため、より電子阻止性が高く、薄膜がより安定で耐熱性の高い材料が求められていた。

耐熱性や正孔注入性、電子阻止性などの特性を改良した化合物として、下記の式で表される置換アクリダン構造を有するアリールアミン化合物（化合物Ａ〜Ｃ）が提案されている。（特許文献３〜５参照）。

しかしながら、これらの化合物を正孔注入層または正孔輸送層に用いた素子では、耐熱性や発光効率などの改良はされているものの、未だ十分とはいえず、また、低駆動電圧化や電流効率も十分とはいえず、アモルファス性にも問題があった。そのため、アモルファス性を高めつつ、さらなる低駆動電圧化や、さらなる高発光効率化を可能とする化合物が求められていた。

特開平８−０４８６５６号公報 特許第３１９４６５７号公報 ＷＯ２００６／０３３５６３号公報 ＷＯ２００７／１１０２２８号公報 ＷＯ２０１０／１４７３１９号公報

本発明の目的は、高効率、高耐久性の有機ＥＬ素子用の材料として、正孔の注入・輸送性能に優れ、電子阻止能力を有し、薄膜状態での安定性が高く、耐熱性に優れた特性を有する有機化合物を提供することである。
本発明の他の目的は、この化合物を用いて、高発光効率、高耐久性の有機ＥＬ素子を提供することにある。

本発明が提供しようとする有機化合物が具備すべき物理的な特性として、
（α）正孔の注入特性がよいこと、
（β）正孔の移動度が大きいこと、
（γ）電子阻止能力に優れること、
（δ）薄膜状態が安定であること、
（ε）耐熱性に優れていること、
を挙げることができる。また、本発明が提供しようとする有機ＥＬ素子が具備すべき物理的な特性としては、
（α）発光効率および電力効率が高いこと、
（β）発光開始電圧が低いこと、
（γ）実用駆動電圧が低いこと、
を挙げることができる。

本発明者らは上記の目的を達成するために、芳香族三級アミン構造が高い正孔注入・輸送能力を有していること、所定のアクリダン環構造（ベンゾチエノアクリダン環構造またはベンゾフロアクリダン環構造）が電子阻止性を有していること、及びこの所定のアクリダン環構造が有する耐熱性と薄膜安定性への効果に着目して、アクリダン環構造を有する化合物を設計して化学合成した。更に、該化合物を用いて種々の有機ＥＬ素子を試作し、素子の特性評価を鋭意行った。その結果、本発明を完成するに至った。

本発明によれば、下記一般式（１）で表される、アクリダン環構造を有する化合物が提供される。

式中、
Ｘは、酸素原子または硫黄原子を表し、
Ｒ^１〜Ｒ^９は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シ
アノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜
１０のシクロアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原
子数１〜６のアルキルオキシ基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキ
ルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、縮合多環芳香族基
またはアリールオキシ基であって、単結合または、メチレン基、酸素
原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、
Ｒ^１０、Ｒ^１１は、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜
１０のシクロアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原
子数１〜６のアルキルオキシ基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキ
ルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、縮合多環芳香族基
またはアリールオキシ基であって、単結合または、メチレン基、酸素
原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３は、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基また
は縮合多環芳香族基を表し、Ａｒ^２とＡｒ^３は単結合または、メチレ
ン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成し
てもよく、
Ａは、芳香族炭化水素、芳香族複素環もしくは縮合多環芳香族の２
価基、または単結合を表し、
Ａが芳香族炭化水素、芳香族複素環または縮合多環芳香族の２価基
である場合、ＡとＡｒ^２は単結合または、メチレン基、酸素原子もし
くは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

本発明の化合物においては、以下の態様が好適である。
（Ｉ）Ａが結合しているベンゼン環に対して、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＡが、
下記一般式（１−１）で表される位置で結合していること。

式中、Ｘ、Ｒ^１〜Ｒ^１１、Ａｒ^１〜Ａｒ^３及びＡは、前記一般式（１
）に記載した通りである。
（ＩＩ）Ａが芳香族炭化水素または縮合多環芳香族の２価基であること。
（ＩＩＩ）Ａが、下記一般式（２）で表される芳香族炭化水素または縮合
多環芳香族の２価基であること。

式中、
ｒ^１２は０〜４の整数を表し、
Ｒ^１２は、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、
ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜
１０のシクロアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基
、炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基、炭素原子数５〜１
０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複
素環基、縮合多環芳香族基もしくはアリールオキシ基、また
は連結基であって、Ｒ^１２が複数存在している場合、複数の
Ｒ^１２は、互いに環を形成しても良い。
（ＩＶ）Ａが、下記一般式（２´）で表される芳香族炭化水素または縮合
多環芳香族の２価基であること。

式中、ｒ^１２及びＲ^１２は、前記式（２）に記載した通りの意味であ
る。
（Ｖ）下記一般式（１−２）で表されるように、ｒ^１２＝１であり、Ｒ^１２
が連結基であり、Ｒ^１２の結合位置が決まっていること。

式中、
Ｘ、Ｒ^１〜Ｒ^１１、Ａｒ^１、Ａｒ^３及びＡは、前記一般式（１）
また（１−１）に記載した通りの意味であり、
Ａｒ^４は、前記一般式（１）または（１−１）に記載したＡｒ^２
に属する基のうちの２価基を表し、
Ａｒ^３とＡｒ^４は単結合または、メチレン基、酸素原子もしく
は硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
（ＶＩ）Ａが単結合であること。

また、本発明によれば、一対の電極と該一対の電極の間に挟まれた少なくとも一層の有機層とを有する有機ＥＬ素子において、上記アクリダン環構造を有する化合物が、該有機層の構成材料として用いられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、
（ＶＩＩ）前記有機層が正孔輸送層であること、
（ＶＩＩＩ）前記有機層が電子阻止層であること、
（ＩＸ）前記有機層が正孔注入層であること、
（Ｘ）前記有機層が発光層であること、
が好適である。

本発明のアクリダン環構造を有する化合物は新規な化合物であり、所定のアクリダン環構造（ベンゾチエノアクリダン環構造またはベンゾフロアクリダン環構造）が電子阻止性を有しており、且つこの所定のアクリダン環構造が耐熱性と薄膜安定性を有している。そのため、本発明のアクリダン環構造を有する化合物は、
（Ａ）優れた電子の阻止能力を有し、
（Ｂ）優れたアモルファス性を有し、かつ
（Ｃ）薄膜状態が安定である。

特に（Ｃ）薄膜状態に関し、本発明の化合物では、耐熱性の指標となるガラス転移点（Ｔｇ）が高く、具体的には１００℃以上、特に１４０℃以上のＴｇを有している。従って、本発明の化合物を用いて形成される薄膜は、高温条件下でも結晶化されにくい。

本発明の化合物は、例えば、有機ＥＬ素子の正孔注入層および／または正孔輸送層の構成材料として使用することができる。本発明の化合物は、従来の材料に比べて
（ａ）正孔の注入性が高く、
（ｂ）正孔の移動度が大きく、
（ｃ）電子阻止性が高く、しかも
（ｄ）電子に対する安定性が高い
ので、本発明の化合物を構成材料として用いることによって得られる正孔注入層および／または正孔輸送層では、発光層内で生成した励起子を閉じ込めることができ、さらに正孔と電子が再結合する確率が向上し、高発光効率を得ることができると共に、駆動電圧が低下して、有機ＥＬ素子の耐久性が向上するという作用が付与される。

また、本発明の化合物は、有機ＥＬ素子の電子阻止層の構成材料としても使用することができる。本発明の化合物は、
（ｅ）優れた電子の阻止能力を有しており、
（ｆ）従来の材料に比べて正孔輸送性に優れ、かつ
（ｇ）薄膜状態の安定性が高い
ので、本発明の化合物を構成材料として用いることにより得られる電子阻止層は、高い発光効率を有しながら、駆動電圧が低下し、電流耐性が改善されて、有機ＥＬ素子の最大発光輝度が向上するという作用を有する。

さらに、本発明の化合物は、有機ＥＬ素子の発光層の構成材料としても使用することができる。本発明の化合物は、
（ｈ）従来の材料に比べて正孔輸送性に優れ、かつ
（ｉ）バンドギャップが広い
ので、本発明の化合物を発光層のホスト材料として用い、ドーパントと呼ばれている蛍光発光体や燐光発光体を担持させて発光層を得ることにより、駆動電圧が低下し、発光効率が改善された有機ＥＬ素子を実現できる。

本発明の有機ＥＬ素子は、従来の正孔輸送材料より正孔の移動度が大きく、優れた電子の阻止能力を有し、優れたアモルファス性を有し、かつ薄膜状態が安定な、アクリダン環構造を有する化合物を用いているため、高効率、高耐久性を実現させる。

以上より、本発明のアクリダン環構造を有する化合物は、有機ＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層あるいは発光層の構成材料として有用であり、電子阻止能力に優れ、優れた電子の阻止能力を有し、かつアモルファス性が良好であり、薄膜状態が安定で、耐熱性に優れている。本発明の有機ＥＬ素子は発光効率および電力効率が高く、このことにより素子の実用駆動電圧を低くさせることができる。発光開始電圧を低くさせ、耐久性を改良することができる。

実施例１の化合物（化合物２）の^１Ｈ―ＮＭＲチャート図。 実施例２の化合物（化合物２０）の^１Ｈ―ＮＭＲチャート図。 実施例３の化合物（化合物２７）の^１Ｈ―ＮＭＲチャート図。 実施例４の化合物（化合物４）の^１Ｈ―ＮＭＲチャート図。 実施例５の化合物（化合物２５）の^１Ｈ―ＮＭＲチャート図。 実施例６の化合物（化合物４１）の^１Ｈ―ＮＭＲチャート図。 実施例７の化合物（化合物４２）の^１Ｈ―ＮＭＲチャート図。 実施例８の化合物（化合物２３）の^１Ｈ―ＮＭＲチャート図。 実施例１１〜１８、比較例１のＥＬ素子構成を示した図。

本発明の化合物は、下記一般式（１）で表されるものであり、所定のアクリダン環構造と、芳香族３級アミン構造を有している。

上記一般式（１）で表される本発明の化合物のうち、Ａが結合しているベンゼン環において、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＡが、下記一般式（１−１）で表される位置で結合している化合物が好適である。

＜Ｘ＞
Ｘは、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｘが硫黄原子のとき、本発明の化合物は、ベンゾチエノアクリダン環構造を有する。また、Ｘが酸素原子のとき、本発明の化合物は、ベンゾフロアクリダン環構造を有する。

＜Ｒ^１〜Ｒ^９＞
Ｒ^１〜Ｒ^９は、相互に同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、縮合多環芳香族基またはアリールオキシ基を表す。これらの基は、単結合または、置換基を有してよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基としては、以下の例を挙げることができる。
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペ
ンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ビニル
基、アリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基など。
上記の例示から理解される通り、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキル基や炭素原子数２〜６のアルケニル基は、直鎖状でも分岐状でもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基は置換基を有してもよい。置換基としては、以下の例を挙げることができる。
重水素原子；
シアノ基；
ニトロ基；
ハロゲン原子、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子；
炭素原子数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、例
えばメチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基；
アルケニル基、例えばアリル基；
アリールオキシ基、例えばフェニルオキシ基、トリルオキシ基；
アリールアルキルオキシ基、例えばベンジルオキシ基、フェネチル
オキシ基；
芳香族炭化水素基または縮合多環芳香族基、例えばフェニル基、ビ
フェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、
フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペ
リレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基；
芳香族複素環基、例えばピリジル基、チエニル基、フリル基、ピロ
リル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチ
エニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、
ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラ
ゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルボリニル
基；
これらの置換基は、さらに置換基を有してもよい。更に有する置換基としては、上記の置換基と同じ例を挙げることができる。また、置換基同士が単結合または、置換基を有してもよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基または炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基としては、以下の例を挙げることができる。
メチルオキシ基、エチルオキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプ
ロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、
ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロペンチルオキ
シ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオ
クチルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキ
シ基など。
上記の例示から理解される通り、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基または炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基は置換基を有してもよい。置換基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基が有しても良い置換基と同じ例を挙げることができる。また、これらの置換基は、さらに置換基を有してもよい。更に有する置換基としても、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基が有しても良い置換基と同じ例を挙げることができる。上記で例示した置換基は、単結合または、置換基を有してもよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^９で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基としては、以下の例を挙げることができる。
フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、ア
ントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピ
レニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基
、ピリジル基、フリル基、ピロリル基、チエニル基、キノリル基、イ
ソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基
、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キ
ノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラ
ニル基、ジベンゾチエニル基、カルボリニル基など。
Ｒ^１〜Ｒ^９で表される芳香族複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチアゾリル基、ジベンゾチエニル基などの含硫黄芳香族複素環基が好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^９で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基は置換基を有してもよい。置換基としては、以下の例を挙げることができる。
重水素原子；
トリフルオロメチル基；
シアノ基；
ニトロ基；
ハロゲン原子、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子；
炭素原子数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、例えばメ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基
、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチ
ル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基；
炭素原子数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、例
えばメチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基；
アルケニル基、例えばアリル基；
アラルキル基、例えばベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル
基；
アリールオキシ基、例えばフェニルオキシ基、トリルオキシ基；
アリールアルキルオキシ基、例えばベンジルオキシ基、フェネチル
オキシ基；
芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基、例えばフェニル基、
ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基
、フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、
ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基；
芳香族複素環基、例えばピリジル基、チエニル基、フリル基、ピロ
リル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチ
エニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、
ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラ
ゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルボリニル
基；
アリールビニル基、例えばスチリル基、ナフチルビニル基；
アシル基、例えばアセチル基、ベンゾイル基；
ジアルキルアミノ基、例えばジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基
；
芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基で置換されたジ置換
アミノ基、例えばジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基；
ジアラルキルアミノ基、例えばジベンジルアミノ基、ジフェネチル
アミノ基；
芳香族複素環基で置換されたジ置換アミノ基、例えばジピリジルア
ミノ基、ジチエニルアミノ基；
ジアルケニルアミノ基、例えばジアリルアミノ基；
アルキル基、芳香族炭化水素基、縮合多環芳香族基、アラルキル基
、芳香族複素環基またはアルケニル基から選択される置換基で置換さ
れたジ置換アミノ基；
これらの置換基は、さらに置換基を有してもよい。更に有する置換基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される芳香族炭化水素基等が有する上記の置換基と同じ例を挙げることができる。また、置換基同士が単結合または、置換基を有してもよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^９で表されるアリールオキシ基としては、以下の例を挙げることができる。
フェニルオキシ基、ビフェニリルオキシ基、ターフェニリルオキシ
基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基、フェナントリルオキシ
基、フルオレニルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基
、ペリレニルオキシ基など。

Ｒ^１〜Ｒ^９で表されるアリールオキシ基は置換基を有してもよい。置換基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基が有してもよい置換基と同じ例を挙げることができる。これらの置換基は、さらに置換基を有してもよい。更に有する置換基としても、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基が有しても良い置換基と同じ例を挙げることができる。置換基同士が単結合または、置換基を有してもよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

＜Ｒ^１０、Ｒ^１１＞
Ｒ^１０、Ｒ^１１は、相互に同一でも異なってもよく、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、縮合多環芳香族基またはアリールオキシ基を表す。これらの基は、単結合または、置換基を有してよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

Ｒ^１０、Ｒ^１１で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基と同じ例を挙げることができる。
例示された基から理解される通り、Ｒ^１０、Ｒ^１１で表される炭素原子数１〜６のアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基は、直鎖状でも分岐状でもよい。

Ｒ^１０、Ｒ^１１で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基は置換基を有してもよい。置換基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基が有してもよい置換基と同じ例を挙げることができる。これらの置換基は、さらに置換基を有してもよい。更に有する置換基としても、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基が有しても良い置換基と同じ例を挙げることができる。置換基同士は、単結合または、置換基を有してもよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

Ｒ^１０、Ｒ^１１で表される炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基または炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基または炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基と同じ例を挙げることができる。
例示された基から理解される通り、炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよい。

Ｒ^１０、Ｒ^１１で表される炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基または炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基は置換基を有してもよい。置換基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基が有しても良い置換基と同じ例を挙げることができる。また、これらの置換基は、さらに置換基を有してもよい。更に有する置換基としても、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基が有しても良い置換基と同じ例を挙げることができる。上記で例示した置換基は、単結合または、置換基を有してもよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

Ｒ^１０、Ｒ^１１で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基と同じ例を挙げることができる。
Ｒ^１０、Ｒ^１１で表される芳香族複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチアゾリル基、ジベンゾチエニル基などの含硫黄芳香族複素環基が好ましい。

Ｒ^１０、Ｒ^１１で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基は置換基を有してもよい。置換基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基が有してもよい置換基と同じ例を挙げることができる。これらの置換基は、さらに置換基を有してもよい。更に有する置換基としても、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基が有してもよい置換基と同じ例を挙げることができる。置換基同士は、単結合または、置換基を有してもよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

Ｒ^１０、Ｒ^１１で表されるアリールオキシ基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表されるアリールオキシ基と同じ例を挙げることができる。

Ｒ^１０、Ｒ^１１で表されるアリールオキシ基は置換基を有してもよい。置換基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基が有してもよい置換基と同じ例を挙げることができる。これらの置換基は、さらに置換基を有してもよい。更に有する置換基としても、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基が有してもよい置換基と同じ例を挙げることができる。置換基同士は、単結合または、置換基を有してもよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

＜Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３＞
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３は、相互に同一でも異なってもよく、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３の基は、単結合または、置換基を有してもよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよく、例えば、Ａｒ^２とＡｒ^３は、単結合または、置換基を有してよいメチレン基、酸素原子若しくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基と同じ例を挙げることができる。
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３で表される芳香族複素環基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチアゾリル基、ジベンゾチエニル基等の含硫黄芳香族複素環基；または、フリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾオキサゾリル基、ジベンゾフラニル基などの含酸素芳香族複素環；が好ましい。

Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基は置換基を有してもよい。置換基としては、以下の例を挙げることができる。
重水素原子；
シアノ基；
ニトロ基；
ハロゲン原子、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子；
炭素原子数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、例えばメ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基
、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチ
ル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基；
炭素原子数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、例
えばメチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基；
アルケニル基、例えばアリル基；
アリールオキシ基、例えばフェニルオキシ基、トリルオキシ基；
アリールアルキルオキシ基、例えばベンジルオキシ基、フェネチル
オキシ基；
芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基、例えばフェニル基、
ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基
、フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、
ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基など；
芳香族複素環基、例えばピリジル基、チエニル基、フリル基、ピロ
リル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチ
エニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、
ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラ
ゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルボリニル
基など；
アリールビニル基、例えばスチリル基、ナフチルビニル基など；
アシル基、例えばアセチル基、ベンゾイル基など；
また、これらの置換基は、さらに置換基を有してもよい。更に有する置換基としても、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３で表される芳香族炭化水素基などが有する置換基と同じ例を挙げることができる。
置換基同士または置換基とＡｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３とは、単結合または、置換基を有してもよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

Ａｒ^１としては、芳香族炭化水素基、含硫黄芳香族複素環基または縮合多環芳香族基が好ましく、特に、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、フルオレニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基が最も好ましい。
Ａｒ^２、Ａｒ^３としては、芳香族炭化水素基、含酸素芳香族複素環基、含硫黄芳香族複素環基または縮合多環芳香族基が好ましく、特に、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、トリフェニレニル基、フリル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基、トリフェニレニル基、フリル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基が最も好ましい。

＜Ａ＞
Ａは、芳香族炭化水素、芳香族複素環もしくは縮合多環芳香族の２価基、または単結合を表す。かかる芳香族炭化水素、芳香族複素環および縮合多環芳香族としては、以下の例を挙げることができる。
ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、テトラキスフェニル、スチレン、ナフタレ
ン、アントラセン、アセナフタレン、フルオレン、フェナントレン、インダン、ピレ
ン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、フラン、ピロール、チオフェン、キノリン
、イソキノリン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドリン、カルバゾール、カ
ルボリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノキサリン、ベンゾイミダゾ
ール、ピラゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ナフチリジン、フェナン
トロリン、アクリダンなど。
Ａで表される２価基は、上記芳香族炭化水素、芳香族複素環または縮合多環芳香族から水素原子を２個取り除いてできる。
芳香族複素環としては、チオフェン、ベンゾチオフェン、ベンゾチアゾール、ジベンゾチオフェンなどの含硫黄芳香族複素環；または、フラン、ベンゾフラン、ベンゾオキサゾール、ジベンゾフランなどの含酸素芳香族複素環；が好ましい。

芳香族炭化水素、芳香族複素環または縮合多環芳香族は置換基を有してもよい。置換基としては、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３で表される芳香族炭化水素、芳香族複素環または縮合多環芳香族が有してもよい置換基と同じ例を挙げることができる。
これらの置換基は、さらに置換基を有してもよい。更に有する置換基としても、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基が有してもよい置換基と同じ例を挙げることができる。また、置換基同士は、単結合または、置換基を有してもよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

Ａとしては、芳香族炭化水素の２価基、縮合多環芳香族の２価基または単結合が好ましく、特にベンゼンから誘導される２価基または単結合が好ましい。

Ａが単結合のとき、本発明のアクリダン環構造を有する化合物は、具体的には、下記一般式（１−３）；

で表され、好適には、下記一般式（１−４）で表されるように、Ｒ^１〜Ｒ^３およびＡｒ^３Ａｒ^２Ｎ−の結合位置が決まっている。

ベンゼンから誘導される２価基は、具体的には、下記式（２）；

で表され、好適には、下記式（２´）；

で表される。

ｒ^１２は、後で詳述する基Ｒ^１２の数を表し、０〜４の整数である。ｒ^１２が０とは、式（２）や式（２´）中のベンゼン環がＲ^１２で置換されていない（Ｒ^１２の位置に水素が存在する）ことを意味する。

Ｒ^１２は、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、縮合多環芳香族基もしくはアリールオキシ基または連結基を表す。Ｒ^１２が複数個存在する場合（ｒ^１２が２以上のとき）、複数のＲ^１２は、単結合または、置換基を有してもよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

Ｒ^１２で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基として示したものと同じ例を挙げることができる。これらの基が有してもよい置換基としても、上記のＲ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基に関して示したものと同じ例を挙げることができる。また、好ましい態様も、上記のＲ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基に関して示したものと同じである。

Ｒ^１２で表される炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基または炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基または炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基と同じ例を挙げることができる。これらの基が有してもよい置換基としても、上記のＲ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基または炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基に関して示したものと同じ例を挙げることができる。また、好ましい態様も、上記のＲ^１〜Ｒ^９で表される炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基または炭素原子数５〜１０のシクロアルキルオキシ基に関して示したものと同じである。

Ｒ^１２で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基として示したものと同じ例を挙げることができる。これらの基が有してもよい置換基としても、上記のＲ^１〜Ｒ^９で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基に関して示したものと同じ例を挙げることができる。また、好ましい態様も、上記のＲ^１〜Ｒ^９で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基に関して示したものと同じである。

Ｒ^１２で表されるアリールオキシ基としては、Ｒ^１〜Ｒ^９で表されるアリールオキシとして示したものと同じ例を挙げることができる。これらの基が有してよい置換基としても、上記のＲ^１〜Ｒ^９で表されるアリールオキシに関して示したものと同じ例を挙げることができる。また、好ましい態様も、上記のＲ^１〜Ｒ^９で表されるアリールオキシに関して示したものと同じである。

Ｒ^１２が連結基のとき、Ｒ^１２が結合しているベンゼン環とＡｒ^２とは、単結合または、置換基を有してもよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成し、好適には、下記一般式（１−２）で表されるように、Ｒ^１２が結合しているベンゼン環とＡｒ^４とが単結合を介して互いに結合して環を形成している。

Ａｒ^４は、Ａｒ^２の２価基を表す。すなわち、Ａｒ^４としては、Ａｒ^２に関して示したものと同様の基から誘導される２価基を挙げることができる。Ａｒ^４を構成する基が有してもよい置換基としても、上記のＡｒ^２に関して示したものと同様のものを挙げることができる。また、好ましい芳香族複素環基としても、上記のＡｒ^２に関して示したものと同様のものを挙げることができる。Ａｒ^４は、Ａｒ^３と単結合、置換基を有してもよいメチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

＜製造方法＞
本発明のアクリダン環構造を有する化合物は新規な化合物であり、例えば、以下のように合成できる。
本発明の化合物のうち、特に、ベンゾチエノアクリダン環構造を有する化合物（Ｘが硫黄原子のもの）を合成する方法について説明する。
まず、２−アミノ安息香酸メチルと２−ブロモジベンゾチオフェンとの反応によって、２−（ジベンゾチオフェン−２−イル）アミノ安息香酸メチルを合成する。
次に、得られた２−（ジベンゾチオフェン−２−イル）アミノ安息香酸メチルとメチルマグネシウムクロライドとを反応させることによって、２−｛２−（ジベンゾチオフェン−２−イル）アミノ）フェニル｝プロパン−２−オールを合成し、続いて環化反応を行うことによって、１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジンを合成する。
この１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジンとアリールハライドとの縮合反応、例えばブッフバルト・ハートウィッグ反応を行うことによって、８位がアリール基で置換されたベンゾチエノアクリダン誘導体を合成することができる。
続いて、Ｎ−ブロモコハク酸イミドなどによるブロモ化を行うことによって、１１位がブロモ化されたベンゾチエノアクリダン誘導体を合成することができる。尚、このときブロモ化の試薬や条件を変更すると、置換位置の異なるブロモ置換体を得ることができる。
さらに、このブロモ置換体と種々のボロン酸またはボロン酸エステル｛Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，６０，７５０８（１９９５）参照｝とのクロスカップリング反応、例えばＳｕｚｕｋｉカップリング｛Ｓｙｎｔｈ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１１，５１３（１９８１）参照｝を行うことによって、本発明のベンゾチエノアクリダン環構造を有する化合物を合成することができる。

一方、本発明の化合物のうち、ベンゾフロアクリダン環構造を有する化合物（Ｘが酸素原子のもの）は、上述の本発明のベンゾチエノアクリダン環構造を有する化合物の合成方法のうち、２−アミノ安息香酸メチルと２−ブロモジベンゾチオフェンとの反応において、２−ブロモジベンゾチオフェンの代わりに２−ブロモジベンゾフランを用い、その後は同様の合成反応を行うことによって合成することができる。

また、本発明のアクリダン環構造を有する化合物は以下の方法によって合成することもできる。即ち、本発明のベンゾチエノアクリダン環構造は、前記した８位がアリール基で置換されたベンゾチエノアクリダン誘導体のブロモ置換体と種々のジアリールアミンとでブッフバルト・ハートウィッグ反応等のクロスカップリング反応を行うことによって、合成することができる。
同じく、本発明のベンゾフロアクリダン環構造を有する化合物は、前記した８位がアリール基で置換されたベンゾフロアクリダン誘導体のブロモ置換体と種々のジアリールアミンとでブッフバルト・ハートウィッグ反応などのクロスカップリング反応を行うことによって、合成することができる。

得られた化合物の精製はカラムクロマトグラフによる精製；シリカゲル、活性炭、活性白土などによる吸着精製；溶媒による再結晶や晶析法；などによって行うことができる。得られた化合物の同定は、ＮＭＲ分析によって行なわれる。

得られた化合物の物性値としては、ガラス転移点（Ｔｇ）と仕事関数を測定する。ガラス転移点（Ｔｇ）は薄膜状態の安定性の指標となるものである。仕事関数は正孔輸送性の指標となるものである。
ガラス転移点（Ｔｇ）は、例えば粉体を用いて高感度示差走査熱量計（ブルカー・エイエックスエス製、ＤＳＣ３１００ＳＡ）によって求められる。

仕事関数は、ＩＴＯ基板の上に１００ｎｍの薄膜を作製して、イオン化ポテンシャル測定装置（住友重機械工業製、ＰＹＳ−２０２型）を用いて測定される。

上述した一般式（１）で表される本発明のアクリダン環構造を有する化合物の中で、好ましい化合物の具体例を以下に示す。尚、化合物１は、欠番である。

＜有機ＥＬ素子＞
上述した本発明のアクリダン環構造を有する化合物を用いて形成される有機層を備えた有機ＥＬ素子は、例えば図９に示す層構造を有している。

即ち、ガラス基板１（透明樹脂基板など、透明基板であればよい）の上に、透明陽極２、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６、電子注入層７及び陰極８が設けられている。
勿論、本発明のアクリダン環構造を有する化合物が適用される有機ＥＬ素子は、上記の層構造に限定されるものではなく、たとえば、正孔輸送層４と発光層５との間に電子阻止層（図示せず）を設けることもできる。また、これらの多層構造において有機層を何層か省略してもよい。即ち、透明陽極２と正孔輸送層４の間の正孔注入層３や、電子輸送層６と陰極８との間の電子注入層７を省略して、基板１上に、陽極２、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６、陰極８を有するシンプルな構成とすることもできる。

本発明のアクリダン環構造を有する化合物は、上記の透明陽極２と陰極８との間に設けられる有機層（例えば正孔注入層３、正孔輸送層４、図示されていない電子阻止層、あるいは発光層５）の形成材料として好適に使用される。

上記の有機ＥＬ素子において、透明陽極２は、それ自体公知の電極材料で形成されてよく、例えばＩＴＯや金のような仕事関数の大きな電極材料を基板１（ガラス基板等の透明基板）上に蒸着することにより形成される。

また、透明陽極２上に設けられる正孔注入層３は、上述した本発明のアクリダン環構造を有する化合物を用いて形成できるほか、従来公知の材料、例えば以下の材料を用いて形成することもできる。
銅フタロシアニンに代表されるポルフィリン化合物；
スターバースト型のトリフェニルアミン誘導体；
単結合或いはヘテロ原子を含まない２価基により、複数のトリフェ
ニルアミン骨格が連結された構造を有するアリールアミン（例えばト
リフェニルアミンの４量体など）；
ヘキサシアノアザトリフェニレンのようなアクセプター性の複素
環化合物；
塗布型の高分子材料、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチ
オフェン）（以後、ＰＥＤＯＴと略称する）、ポリ（スチレンスルフォ
ネート）（以後、ＰＳＳと略称する）；
上記の材料を用いての層（薄膜）形成は、蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって行うことができる。以下に述べる各種の層も同様に、蒸着やスピンコート、インクジェットなどにより成膜することができる。

上記の正孔注入層３の上に設けられている正孔輸送層４も、本発明のアクリダン環構造を有する化合物を用いて形成することができ、また、従来公知の正孔輸送材料を用いて形成することもできる。このような従来公知の正孔輸送材料として代表的なものは、次の通りである。
ベンジジン誘導体、例えば
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン
（以後、ＴＰＤと略称する）；
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）ベンジジン
（以後、ＮＰＤと略称する）；
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラビフェニリルベンジジン；
アミン誘導体、例えば、
１，１−ビス［４−（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキ
サン （以後、ＴＡＰＣと略称する）；
種々のトリフェニルアミン３量体および４量体；
正孔の注入層用としても使用される上述の塗布型高分子材料；

このような正孔輸送材料として用いられる化合物は、それぞれ単独で成膜してもよいが、２種以上混合して成膜することもできるし、また、上記化合物の１種または複数種を用いて複数の層を形成し、このような層が積層された多層膜を正孔輸送層４とすることもできる。

また、正孔注入層３と正孔輸送層４とを兼ねた層とすることもでき、このような正孔注入・輸送層は、ＰＥＤＯＴなどの高分子材料を用いてのコーティングにより形成することができる。

また、正孔輸送層４（正孔注入層３も同様）において、該層に通常使用される材料に対し、さらにトリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモンなどをＰドーピングしたものを使用することができる。また、ＴＰＤの基本骨格を有する高分子化合物などを用いて正孔輸送層４（正孔注入層３も同様）を形成することもできる。

さらに、図示されていない電子阻止層（発光層５と正孔輸送層４との間に設けることができる）は、電子阻止作用を有する本発明のアクリダン環構造を有する化合物を用いて形成することができるが、公知の電子阻止性化合物、例えば、カルバゾール誘導体や、トリフェニルシリル基を有し且つトリアリールアミン構造を有する化合物などを用いて形成することもできる。カルバゾール誘導体及びトリアリールアミン構造を有する化合物の具体例は、以下の通りである。
（カルバゾール誘導体）
４，４’，４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン
（以後、ＴＣＴＡと略称する）；
９，９−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］フルオレ
ン；
１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン
（以後、ｍＣＰと略称する）；
２，２−ビス（４−カルバゾール−９−イルフェニル）アダマンタン
（以後、Ａｄ−Ｃｚと略称する）；
（トリフェニルシリル基とトリアリールアミン構造を有する化合物）
９−［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−９−［４−（ト
リフェニルシリル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン；

電子阻止層は、本発明のアクリダン環構造を有する化合物や上記のような公知の材料を１種単独あるいは２種以上を用いて形成されうる。また、これらの材料の１種あるいは複数種を用いて複数の層を形成し、このような層が積層された多層膜を電子阻止層とすることもできる。

本発明の有機ＥＬ素子の発光層５は、例えば以下の発光材料を用いて形成することができる。
Ａｌｑ_３をはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体；
亜鉛やベリリウム、アルミニウム等の各種の金属錯体；
アントラセン誘導体；
ビススチリルベンゼン誘導体；
ピレン誘導体；
オキサゾール誘導体；
ポリパラフェニレンビニレン誘導体；

また、発光層５をホスト材料とドーパント材料とで構成することもできる。
ホスト材料としては、上記の発光材料に加え、本発明のアクリダン環構造を有する化合物を用いることもできるし、前記発光材料に加え、チアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体などを用いることがもできる。
ドーパント材料としては、キナクリドン、クマリン、ルブレン、ペリレンおよびそれらの誘導体；ベンゾピラン誘導体；ローダミン誘導体；アミノスチリル誘導体；などを用いることができる。

発光層５も、各種発光材料の１種或いは２種以上を用いた単層構成とすることもできるし、複数の層を積層した多層構造とすることもできる。

さらに、発光材料として燐光発光材料を使用して発光層５を形成することもできる。
燐光発光材料としては、イリジウムや白金などの金属錯体の燐光発光体を使用することができる。例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３などの緑色の燐光発光体、ＦＩｒｐｉｃ、ＦＩｒ６などの青色の燐光発光体、Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）などの赤色の燐光発光体などを用いることができ、これらの燐光発光体は、正孔注入・輸送性のホスト材料や電子輸送性のホスト材料にドープして使用される。

正孔注入・輸送性のホスト材料としては、本発明のアクリダン環構造を有する化合物や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（以後、ＣＢＰと略称する）やＴＣＴＡ、ｍＣＰなどのカルバゾール誘導体などを用いることができる。
電子輸送性のホスト材料としては、ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（以後、ＵＧＨ２と略称する）や２，２’，２’’−（１，３，５−フェニレン）−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（以後、ＴＰＢＩと略称する）などを用いることができる。これらを用いることで、高性能の有機ＥＬ素子を作製することができる。

尚、燐光性の発光材料のホスト材料へのドープは、濃度消光を避けるため、発光層全体に対して１〜３０重量パーセントの範囲で、共蒸着によって行うことが好ましい。

また、発光材料としてＰＩＣ−ＴＲＺ、ＣＣ２ＴＡ、ＰＸＺ−ＴＲＺ、４ＣｚＩＰＮなどのＣＤＣＢ誘導体などの遅延蛍光を放射する材料を使用することも可能である｛Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ．，９８，０８３３０２（２０１１）参照｝。

発光層５と電子輸送層６との間に設けることができる正孔阻止層（図９において図示せず）は、それ自体公知の正孔阻止作用を有する化合物を用いて形成することができる。このような正孔阻止作用を有する公知化合物の例としては、以下を挙げることができる。
フェナントロリン誘導体、例えばバソクプロイン（以後、ＢＣＰと
略称する）；
キノリノール誘導体の金属錯体、例えばアルミニウム（III）ビス（
２−メチル−８−キノリナート）−４−フェニルフェノレート（以後
、ＢＡｌｑと略称する）；
各種の希土類錯体；
トリアゾール誘導体
トリアジン誘導体
オキサジアゾール誘導体；
これらの材料は、以下に述べる電子輸送層６の形成にも使用することができ、更に、この正孔阻止層と電子輸送層６とを兼用させることもできる。

このような正孔阻止層も、単層或いは多層の積層構造とすることができ、各層は、上述した正孔阻止作用を有する化合物の１種或いは２種以上を用いて成膜される。

電子輸送層６は、それ自体公知の電子輸送性の化合物、例えば、
Ａｌｑ_３、ＢＡｌｑなどのキノリノール誘導体の金属錯体；
亜鉛やベリリウム、アルミニウムなどの各種金属錯体；
トリアゾール誘導体；
トリアジン誘導体；
オキサジアゾール誘導体；
チアジアゾール誘導体；
カルボジイミド誘導体；
キノキサリン誘導体；
フェナントロリン誘導体；
シロール誘導体；
などを用いて形成される。
この電子輸送層６も、単層或いは多層の積層構造とすることができ、各層は、上述した電子輸送性化合物の１種或いは２種以上を用いて成膜される。

さらに、電子注入層７も、それ自体公知のもの、例えば、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどのアルカリ金属塩；フッ化マグネシウムなどのアルカリ土類金属塩；酸化アルミニウムなどの金属酸化物；などを用いて形成することができる。

有機ＥＬ素子の陰極８については、アルミニウムのような仕事関数の低い電極材料や、マグネシウム銀合金、マグネシウムインジウム合金、アルミニウムマグネシウム合金のような、より仕事関数の低い合金が電極材料として用いられる。

本発明のアクリダン環構造を有する化合物を用いて有機層の少なくとも１つ（例えば正孔注入層３、正孔輸送層４、電子阻止層あるいは発光層５）が形成されている有機ＥＬ素子は、発光効率および電力効率が高く、実用駆動電圧が低く、発光開始電圧も低く、極めて優れた耐久性を有している。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

＜実施例１（化合物２の合成）＞
１３，１３−ジメチル−８−フェニル−１１−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジンの合成；

以下の化合物を窒素置換した反応容器に加え、１時間窒素ガスを通気した。
２−アミノ安息香酸メチル １０．０ｇ
２−ブロモジベンゾチオフェン ８．６ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ５．４８ｇ
キシレン １００ｍｌ
次いで、
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）
０．７ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液（５０％、ｗ／
ｖ） ０．９ｇ
を加えて加熱し、１１５℃で３時間撹拌した。室温まで冷却し、水、トルエンを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。
採取した有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。
得られた粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、２−｛（ジベンゾチオフェン−２−イル）アミノ｝安息香酸メチルの黄色粉体５．１ｇ（収率４０％）を得た。

２−｛（ジベンゾチオフェン−２−イル）アミノ｝安息香酸メチル
５．０ｇ
ＴＨＦ ５０ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、メチルマグネシウムクロライドのＴＨＦ溶液（３ｍｏｌ／Ｌ）１８ｍｌを滴下した。室温で１時間撹拌した後、２０％塩化アンモニウム水溶液５０ｍｌを加え、トルエンによる抽出を行うことによって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって、２−［２−｛（ジベンゾチオフェン−２−イル）アミノ｝フェニル］プロパン−２−オールの薄黄色オイル５．０ｇ（収率１００％）を得た。

２−［２−｛（ジベンゾチオフェン−２−イル）アミノ｝フェニル］プロパン−２
−オール ５．０ｇ
りん酸 １０ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、室温で１時間撹拌した。トルエン５０ｍｌ、水５０ｍｌを加え、撹拌した後、析出物をろ過によって採取し、１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジンの薄黄色粉体２．３ｇ（収率４９％）を得た。

１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２
−ａ］アクリジン ２０．０ｇ
ヨードベンゼン １３．６ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ９．１ｇ
キシレン ２００ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、１時間窒素ガスを通気した。
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）
１．２ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンの５０％（ｗ／ｖ）トルエン溶
液 １．５ｇ
を加えて加熱し、１１５℃で１時間撹拌した。室温まで冷却し、水２００ｍｌを加えた後、トルエンによる抽出を行うことによって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジンの白色粉体１７．９ｇ（収率７２％）を得た。

１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２
−ａ］アクリジン １７．９ｇ
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド ５４０ｍｌ
Ｎ−ブロモコハク酸イミド ８．１ｇ
を窒素置換した反応容器に加え、冷却しながら１５℃で４時間撹拌した。水へ注加した後、析出物をろ過によって採取した。析出物にメタノールを加え、撹拌した後、ろ過によって１１−ブロモ−１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジンの白色粉体２１．０ｇ（収率９８％）を得た。

１１−ブロモ−１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−
ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジン
１１．０ｇ
９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イルボロン酸
７．０ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液 ３５ｍｌ
トルエン ８８ｍｌ
エタノール ２２ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、１時間窒素ガスを通気した。テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．８ｇを加えて加熱し、７２℃で３時間撹拌した。室温まで冷却し、水、トルエンを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、１３，１３−ジメチル−８−フェニル−１１−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジン（化合物２）の白色粉体１０．８ｇ（収率７３％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図１に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３２個の水素シグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．６９（１Ｈ）
８．４３（１Ｈ）
８．２６（１Ｈ）
７．９６（１Ｈ）
７．９５（１Ｈ）
７．６５−７．８０（７Ｈ）
７．４５−７．６５（１０Ｈ）
７．２５−７．３５（２Ｈ）
６．５４（１Ｈ）
６．２３（１Ｈ）
２．４３（６Ｈ）

＜実施例２（化合物２０の合成）＞
Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−（１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジン−１１−イル）−フェニルアミンの合成；

実施例１と同様にして、１１−ブロモ−１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジンを合成した。
次に、
１１−ブロモ−１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−
ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジン
１０．０ｇ
Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニ
ルアミン ６．４ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ３．１ｇ
キシレン １００ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、１時間窒素ガスを通気した。
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）
０．４ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液（５０％、ｗ／
ｖ） ０．５ｇ
を加えて加熱し、１１５℃で１時間撹拌した。室温まで冷却し、水、トルエンを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−（１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジン−１１−イル）−フェニルアミン（化合物２０）の白色粉体１２．８ｇ（収率８９％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図２に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３８個の水素シグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．５１（１Ｈ）
７．９１（１Ｈ）
７．６０−７．７５（４Ｈ）
７．５６（１Ｈ）
７．４０−７．５０（６Ｈ）
７．２０−７．４８（６Ｈ）
７．１０−７．２０（２Ｈ）
７．０６（１Ｈ）
６．９６（１Ｈ）
６．７１（１Ｈ）
６．５１（１Ｈ）
６．０９（１Ｈ）
２．２０（６Ｈ）
１．４３（６Ｈ）

＜実施例３（化合物２７の合成）＞
８−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１３，１３−ジメチル−１１−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジンの合成；

実施例１と同様にして、１１−ブロモ−８−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジンを合成した。
次に、
１１−ブロモ−８−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−
イル）−１３，１３−ジメチル−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［
３，２−ａ］アクリジン ３．０ｇ
９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イルボロン酸
１．２ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液 ８ｍｌ
トルエン ２４ｍｌ
エタノール ６ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、１時間窒素ガスを通気した。テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．２ｇを加えて加熱し、７２℃で１８時間撹拌した。室温まで冷却し、水、トルエンを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、８−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１３，１３−ジメチル−１１−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾチエノ［３，２−ａ］アクリジン（化合物２７）の白色粉体２．８ｇ（収率７２％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図３に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の４０個の水素シグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．７０（１Ｈ）
８．４４（１Ｈ）
８．２６（１Ｈ）
８．１３（１Ｈ）
７．９０−８．００（３Ｈ）
７．６３−７．７５（５Ｈ）
７．３８−７．６３（１２Ｈ）
７．２５−７．３８（２Ｈ）
６．６６（１Ｈ）
６．５０（１Ｈ）
２．４５（６Ｈ）
１．６０（６Ｈ）

＜実施例４（化合物４の合成）＞
１３，１３−ジメチル−８−フェニル−１１−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジンの合成；

実施例１と同様にして、１１−ブロモ−１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジンを合成した。
次に、
１１−ブロモ−１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−
ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジン
１０．０ｇ
９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イルボロン酸
６．６ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液 ３３ｍｌ
トルエン ８０ｍｌ
エタノール ２０ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、１時間窒素ガスを通気した。テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．８ｇを加えて加熱し、７２℃で３時間撹拌した。室温まで冷却し、水、トルエンを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、１３，１３−ジメチル−８−フェニル−１１−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジン（化合物４）の白色粉体１１．３ｇ（収率８４％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図４に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３２個の水素シグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．４２（１Ｈ）
８．３８（１Ｈ）
８．２６（１Ｈ）
７．９３（１Ｈ）
７．２０−７．８０（２０Ｈ）
６．４８（１Ｈ）
６．２３（１Ｈ）
２．３２（６Ｈ）

＜実施例５（化合物２５の合成）＞
Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−（１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジン−１１−イル）−フェニルアミンの合成；

実施例１と同様にして、１１−ブロモ−１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジンを合成した。
１１−ブロモ−１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−
ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジン
１０．０ｇ
Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−フェニ
ルアミン ６．６ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ３．２ｇ
キシレン １００ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、１時間窒素ガスを通気した。
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）
０．４ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液（５０％、ｗ／
ｖ） ０．５ｇ
を加えて加熱し、１１５℃で１時間撹拌した。室温まで冷却し、水、トルエンを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−（１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジン−１１−イル）−フェニルアミン（化合物２５）の白色粉体９．５ｇ（収率６６％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図５に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３８個の水素シグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．２１（１Ｈ）
６．９０−７．７５（２２Ｈ）
６．７１（１Ｈ）
６．４３（１Ｈ）
６．０９（１Ｈ）
２．１０（６Ｈ）
１．４３（６Ｈ）

＜実施例６（化合物４１の合成）＞
１３，１３−ジメチル−８−フェニル−１１−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジンの合成；

実施例１と同様にして、１１−ブロモ−１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジンを合成した。
１１−ブロモ−１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−
ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジン
８．０ｇ
９Ｈ−カルバゾール ３．１ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ２．５ｇ
キシレン ８０ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、１時間窒素ガスを通気した。
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）
０．３ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液（５０％、ｗ／
ｖ） ０．４ｇ
を加えて加熱し、１１５℃で１時間撹拌した。室温まで冷却し、水、トルエンを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、１３，１３−ジメチル−８−フェニル−１１−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジン（化合物４１）の白色粉体６．５ｇ（収率６８％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図６に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の２８個の水素シグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．２９（１Ｈ）
８．１８（２Ｈ）
７．１０−７．８０（１７Ｈ）
６．５２（１Ｈ）
６．３８（１Ｈ）
２．２８（６Ｈ）

＜実施例７（化合物４２の合成）＞
１３，１３−ジメチル−８−フェニル−１１−（３，３−ジメチル−１−フェニル−１，３−ジヒドロインデノ［２，１−ｂ］カルバゾール−１０−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジンの合成；

実施例１と同様にして、１１−ブロモ−１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジンを合成した。
１１−ブロモ−１３，１３−ジメチル−８−フェニル−８，１３−
ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジン
７．０ｇ
３，３−ジメチル−１−フェニル−１，３−ジヒドロインデノ［２
，１−ｂ］カルバゾール−１０−イルボロン酸
７．５ｇ
２Ｍ炭酸カリウム水溶液 ２３ｍｌ
トルエン ６０ｍｌ
エタノール １５ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、１時間窒素ガスを通気した。テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．５ｇを加えて加熱し、７２℃で５時間撹拌した。室温まで冷却し、水、トルエンを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、１３，１３−ジメチル−８−フェニル−１１−（３，３−ジメチル−１−フェニル−１，３−ジヒドロインデノ［２，１−ｂ］カルバゾール−１０−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジン（化合物４２）の白色粉体８．７ｇ（収率７７％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図７に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の４０個の水素シグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．６４（１Ｈ）
８．５１（１Ｈ）
８．３８（１Ｈ）
７．９８（１Ｈ）
７．９２（１Ｈ）
７．２０−７．８０（２１Ｈ）
６．４９（１Ｈ）
６．２４（１Ｈ）
２．３５（６Ｈ）
１．５０（６Ｈ）

＜実施例８（化合物２３の合成）＞
１３，１３−ジメチル−８−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１１−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジンの合成；

実施例１と同様にして、１１−ブロモ−１３，１３−ジメチル−８−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジンを合成した。
１１−ブロモ−１３，１３−ジメチル−８−（９，９−ジメチル−
９Ｈ−フルオレン−２−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３
，２−ａ］アクリジン １０．０ｇ
９Ｈ−カルバゾール ３．１ｇ
ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム ２．５ｇ
キシレン ８０ｍｌ
を窒素置換した反応容器に加え、１時間窒素ガスを通気した。
トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）
０．３ｇ
トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのトルエン溶液（５０％、ｗ／
ｖ） ０．４ｇ
を加えて加熱し、１１５℃で１時間撹拌した。室温まで冷却し、水、トルエンを加えた後、分液操作によって有機層を採取した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、減圧下で濃縮することによって粗製物を得た。粗製物をカラムクロマトグラフ（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン）によって精製し、１３，１３−ジメチル−８−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１１−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−８，１３−ジヒドロベンゾフロ［３，２−ａ］アクリジン（化合物２３）の白色粉体１１．５ｇ（収率５４％）を得た。

得られた白色粉体についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図８に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８）で以下の３６個の水素シグナルを検出した。
δ（ｐｐｍ）＝８．６１（１Ｈ）
８．１２−８．２０（３Ｈ）
７．８８−８．００（２Ｈ）
７．７７（１Ｈ）
７．６６（１Ｈ）
７．３５−７．６０（１１Ｈ）
７．２４（２Ｈ）
７．１６（１Ｈ）
６．６８（１Ｈ）
６．５０（１Ｈ）
２．３７（６Ｈ）
１．６０（６Ｈ）

＜実施例９（ガラス転移点の測定）＞
実施例１〜８で得られたアクリダン環構造を有する化合物について、高感度示差走査熱量計（ブルカー・エイエックスエス製、ＤＳＣ３１００ＳＡ）によってガラス転移点を求めた。結果は以下の通りである。
ガラス転移点
本発明実施例１の化合物 １５４℃
本発明実施例２の化合物 １４６℃
本発明実施例３の化合物 １７３℃
本発明実施例４の化合物 １４９℃
本発明実施例５の化合物 １４１℃
本発明実施例６の化合物 １４５℃
本発明実施例７の化合物 ２０１℃
本発明実施例８の化合物 １７７℃
このことから、本発明の化合物は１００℃以上のガラス転移点を有しており、安定な薄膜状態を示すことがわかる。

＜実施例１０（仕事関数の評価）＞
実施例１〜８で得られた化合物を用いて、ＩＴＯ基板の上に膜厚１００ｎｍの蒸着膜を作製して、イオン化ポテンシャル測定装置（住友重機械工業製、ＰＹＳ−２０２型）で仕事関数を測定した。
仕事関数
本発明実施例１の化合物 ５．３８ｅＶ
本発明実施例２の化合物 ５．２９ｅＶ
本発明実施例３の化合物 ５．３７ｅＶ
本発明実施例４の化合物 ５．５２ｅＶ
本発明実施例５の化合物 ５．２９ｅＶ
本発明実施例６の化合物 ５．６１ｅＶ
本発明実施例７の化合物 ５．４２ｅＶ
本発明実施例８の化合物 ５．５４ｅＶ
上記の結果から、本発明の化合物はＮＰＤ、ＴＰＤなどの一般的な正孔輸送材料がもつ仕事関数５．５４ｅＶと同様に、好適なエネルギー準位を示しており、良好な正孔輸送能力を有していることが分かる。

（有機ＥＬ素子の特性評価）
＜実施例１１＞
実施例１で得られたアクリダン環構造を有する化合物（化合物２）を用いて形成された正孔輸送層４を備えた、図９に示す構造の有機ＥＬ素子を作製した。この有機ＥＬ素子は、ガラス基板１上に透明陽極２としてＩＴＯ電極をあらかじめ形成したものの上に、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６、電子注入層７、陰極（アルミニウム電極）８の順に蒸着して作製した。

具体的には、膜厚１５０ｎｍのＩＴＯを成膜したガラス基板１を有機溶媒で洗浄した後に、酸素プラズマ処理にて表面を洗浄した。その後、このＩＴＯ電極付きガラス基板１を真空蒸着機内に取り付け、０．００１Ｐａ以下まで蒸着機内を減圧した。続いて、下記構造式の化合物５７を用いて、透明陽極２を覆うように膜厚２０ｎｍの正孔注入層３を形成した。

この正孔注入層３の上に、実施例１の化合物（化合物２）を蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔輸送層４を形成した。
この正孔輸送層４の上に、下記構造式の化合物５８と下記構造式の化合物５９とを使用し、蒸着速度比が化合物５８：化合物５９＝５：９５となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの発光層５を形成した。

Ａｌｑ_３を用いて、この発光層５の上に、膜厚３０ｎｍの電子輸送層６を形成した。
この電子輸送層６の上に、フッ化リチウムを用いて、膜厚０．５ｎｍの電子注入層７を形成した。
最後に、アルミニウムを膜厚１５０ｎｍとなるように蒸着して陰極８を形成した。

上記のようにして作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表１に示した。

＜実施例１２＞
実施例１の化合物（化合物２）に代えて実施例２の化合物（化合物２０）を用いて正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、実施例１１と同様にして発光特性の測定を行い、結果を表１に示した。

＜実施例１３＞
実施例１の化合物（化合物２）に代えて実施例３の化合物（化合物２７）を用いて正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、実施例１１と同様にして発光特性の測定を行い、結果を表１に示した。

＜実施例１４＞
実施例１の化合物（化合物２）に代えて実施例４の化合物（化合物４）を用いて正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、実施例１１と同様にして発光特性の測定を行い、結果を表１に示した。

＜実施例１５＞
実施例１の化合物（化合物２）に代えて実施例５の化合物（化合物２５）を用いて正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、実施例１１と同様にして発光特性の測定を行い、結果を表１に示した。

＜実施例１６＞
実施例１の化合物（化合物２）に代えて実施例６の化合物（化合物４１）を用いて正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、実施例１１と同様にして発光特性の測定を行い、結果を表１に示した。

＜実施例１７＞
実施例１の化合物（化合物２）に代えて実施例７の化合物（化合物４２）を用いて正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、実施例１１と同様にして発光特性の測定を行い、結果を表１に示した。

＜実施例１８＞
実施例１の化合物（化合物２）に代えて実施例８の化合物（化合物２３）を用いて正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、実施例１１と同様にして発光特性の測定を行い、結果を表１に示した。

＜比較例１＞
比較のために、実施例１の化合物（化合物２）に代えて下記構造式の化合物６０を用いて正孔輸送層４を形成した以外は、実施例１１と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、実施例１１と同様にして発光特性の測定を行い、結果を表１に示した。

表１に示す様に、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流を流したときの駆動電圧は、比較例１の有機ＥＬ素子では５．１７Ｖであるのに対して、本発明の実施例１〜８の化合物を用いた有機ＥＬ素子では、４．７０〜５．０５Ｖであり、即ち、いずれも低電圧化した。また、電力効率に関しても、比較例１の有機ＥＬ素子の電力効率は５．４９ｌｍ／Ｗであるのに対して、本発明の実施例１〜８の化合物を用いた有機ＥＬ素子では、５．９１〜６．７８ｌｍ／Ｗであり、いずれも大きく向上した。

以上の結果から明らかなように、本発明のアクリダン環構造を有する化合物を用いた有機ＥＬ素子は、公知材料である化合物６０を用いた有機ＥＬ素子と比較しても、電力効率の向上や、実用駆動電圧の低下を達成できることがわかった。

本発明のアクリダン環構造を有する化合物は、正孔輸送能力が高く、電子阻止能力に優れており、アモルファス性に優れ、薄膜状態が安定であるため、有機ＥＬ素子用の化合物として優れている。該化合物を用いて有機ＥＬ素子を作製することにより、高い発光効率および電力効率を得ることができると共に、実用駆動電圧を低下させることができ、耐久性を改善させることができる。例えば、家庭電化製品や照明の用途への展開が可能となった。

１ ガラス基板
２ 透明陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 電子輸送層
７ 電子注入層
８ 陰極

Claims (12)

1. 下記一般式（１）で表される、アクリダン環構造を有する化合物。
   

   

   式中、
   Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、
   Ｒ^１〜Ｒ^９は、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子
   、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原
   子数５〜１０のシクロアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニ
   ル基、炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基、炭素原子数５〜１
   ０のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環
   基、縮合多環芳香族基またはアリールオキシ基であって、単結合
   または、メチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに
   結合して環を形成してもよく、
   Ｒ^１０、Ｒ^１１は、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子
   数５〜１０のシクロアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル
   基、炭素原子数１〜６のアルキルオキシ基、炭素原子数５〜１０
   のシクロアルキルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基
   、縮合多環芳香族基またはアリールオキシ基であって、単結合ま
   たは、メチレン基、酸素原子もしくは硫黄原子を介して互いに結
   合して環を形成してもよく、
   Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３は、芳香族炭化水素基、芳香族複素環
   基または縮合多環芳香族基を表し、Ａｒ^２とＡｒ^３は単結合また
   は、メチレン基、酸素原子若しくは硫黄原子を介して互いに結合
   して環を形成してもよく、
   Ａは、芳香族炭化水素、芳香族複素環若しくは縮合多環芳香族
   の２価基、または単結合を表し、
   Ａが芳香族炭化水素、芳香族複素環または縮合多環芳香族の２
   価基である場合、ＡとＡｒ^２は単結合または、メチレン基、酸素
   原子もしくは硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよ
   い。
2. Ａが結合しているベンゼン環に対して、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＡが、下記一般式（１−１）で表される位置で結合している、請求項１記載のアクリダン環構造を有する化合物。
   

   

   式中、
   Ｘ、Ｒ^１〜Ｒ^１１、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３及びＡは、前記一
   般式（１）に記載した通りの意味である。
3. Ａが芳香族炭化水素または縮合多環芳香族の２価基である、請求項１または２に記載のアクリダン環構造を有する化合物。
4. Ａが、下記一般式（２）で表される芳香族炭化水素又は縮合多環芳香族の２価基である、請求項３記載のアクリダン環構造を有する化合物。
   

   

   式中、
   ｒ^１２は、０〜４の整数を表し、
   Ｒ^１２は、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニ
   トロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数５〜１０の
   シクロアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子
   数１〜６のアルキルオキシ基、炭素原子数５〜１０のシクロアル
   キルオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、縮合多環芳
   香族基もしくはアリールオキシ基または連結基であって、
   Ｒ^１２が複数存在している場合は、複数のＲ^１２は、互いに結
   合して環を形成しても良い。
5. Ａが、下記一般式（２´）で表される芳香族炭化水素又は縮合多環芳香族の２価基である、請求項４記載のアクリダン環構造を有する化合物。
   

   

   式中、
   ｒ^１２及びＲ^１２は前記式（２）に記載した通りの意味である。
6. 下記一般式（１−２）で表される請求項５記載のアクリダン環構造を有する化合物。
   

   

   式中、
   Ｘ、Ｒ^１〜Ｒ^１１、Ａｒ^１、Ａｒ^３及びＡは、前記一般式（１
   ）または（１−１）に記載した通りの意味であり、
   Ａｒ^４は、前記一般式（１）または（１−１）に記載した
   Ａｒ^２に属する基の２価基を表し、
   Ａｒ^３とＡｒ^４は単結合または、メチレン基、酸素原子もしく
   は硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。
7. Ａが単結合である、請求項１または２記載のアクリダン環構造を有する化合物。
8. 一対の電極と該一対の電極の間に挟まれた少なくとも一層の有機層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、請求項１記載のアクリダン環構造を有する化合物が、該有機層の構成材料として用いられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 前記有機層が正孔輸送層である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 前記有機層が電子阻止層である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 前記有機層が正孔注入層である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. 前記有機層が発光層である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

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