JPWO2013054577A1 - 加工廃液循環装置及び加工廃液循環方法 - Google Patents

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Abstract

加工液のpH値を所定の範囲内に維持することができる加工廃液循環装置及び加工廃液循環方法を提供する。加工装置1へ加工液を供給し、使用済みの加工液を循環させて加工装置1へ再度供給する。使用済みの加工液のpH値を計測するpH値計測手段20を有し、pH値計測手段20で計測したpH値に応じて、使用済みの加工液に中和剤を供給するか否かを制御する制御手段30を備える。制御手段30は、計測したpH値が所定の範囲外である場合には、中和剤を供給する供給指示信号を供給手段24に送信し、計測したpH値が所定の範囲内である場合には、中和剤の供給を停止する供給停止信号を供給手段24に送信する。

Description

本発明は、加工廃液を、装置内を循環する途上で再生し、加工液として再利用する加工廃液循環装置及び加工廃液循環方法に関する。
半導体デバイスを製造する場合、分割予定ラインで格子状に区分けされた、略円盤形状の半導体ウエハの表面の複数の領域に、IC、LSI等のデバイスを形成する。そして、分割予定ラインに沿って、ダイサー等により半導体ウエハを切削加工することにより、個々の半導体デバイスを製造している。
分割予定ラインに沿って切削加工する場合、加工用のブレードに加工液を供給する。切削加工により加工液に切削屑が混入するとともに半導体ウエハのLi等がイオンとして溶出し、加工液のpH値が変動する。pH値が高く又は低く変動した加工液を再利用した場合、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じ、品質不良となるおそれがあった。
そこで、例えば特許文献1では、pH値を監視しておき、pH値が最適な状態であった時点での各種の切断データを記憶するダイシング装置が開示されている。特許文献1に開示してあるダイシング装置では、記憶してある各種の切断データを用いることで、pH値が最適な状態を再現する。
特開平07−169717号公報
特許文献1に開示してあるダイシング装置は、記憶してあるpH値が最適な状態であった時点での各種の切断データを用いることで、加工液のpH値を最適な状態に近づけようとするものである。したがって、現時点における加工液のpH値に応じてpH値を調整することはできず、場合によっては加工液のpH値を最適な状態に近づけることができないおそれがあるという問題点があった。
また、加工液のpH値を常時測定し、測定したpH値が所定の範囲から外れた場合には警報を発し、ダイシング装置を停止させることも考えられる。しかし、ダイシング装置が停止することで、生産効率が低下することは否めない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、加工液のpH値を所定の範囲内に維持することができる加工廃液循環装置及び加工廃液循環方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明に係る加工廃液循環装置は、加工装置へ加工液を供給し、使用済みの加工液を循環させて前記加工装置へ再度供給する加工廃液循環装置であって、使用済みの加工液のpH値を計測するpH値計測手段を有し、該pH値計測手段で計測したpH値に応じて、使用済みの加工液に中和剤を供給するか否かを制御する制御手段を備えることを特徴とする。
上記構成では、使用済みの加工液のpH値を計測し、計測したpH値に応じて、使用済みの加工液に中和剤を供給するか否かを制御する。pH値に応じて、例えばpH値が高い又は低い場合には中和剤を供給することにより、加工液のpH値を中性値に近づけるよう調整することができ、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じることを未然に防止することが可能となる。
また、本発明に係る加工廃液循環装置は、前記加工装置は、ダイシング装置であり、使用済みの加工液を貯留するタンクと、該タンク内の加工液に前記中和剤を供給する供給手段とを備え、前記制御手段は、計測したpH値が所定の範囲外である場合には、前記中和剤を供給する供給指示信号を前記供給手段に送信し、計測したpH値が所定の範囲内である場合には、前記中和剤の供給を停止する供給停止信号を前記供給手段に送信することが好ましい。
上記構成では、計測したpH値が所定の範囲外である場合には、中和剤を供給する供給指示信号を供給手段に送信し、計測したpH値が所定の範囲内である場合には、中和剤の供給を停止する供給停止信号を供給手段に送信する。これにより、pH値が高い又は低い場合には中和剤を供給することにより、加工液のpH値を中性値に近づけるよう調整することができ、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じることを未然に防止することが可能となる。
また、本発明に係る加工廃液循環装置は、前記中和剤は、無機リン酸を含む水溶液であることが好ましい。
上記構成では、中和剤は、無機リン酸を含む水溶液であるので、pH値が酸性又はアルカリ性に偏ることなく、加工液のpH値を所定の範囲内に調整することが可能となる。
また、本発明に係る加工廃液循環装置は、使用前の加工液に前記中和剤を供給することが好ましい。
使用前の加工液の導電率がほぼ0μS/cmである場合、加工時にpH値が急激に変動するおそれがある。上記構成では、使用前の加工液に中和剤を供給することにより、pH値の急激な変動を抑制することができ、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じることを未然に防止することが可能となる。
次に、上記目的を達成するために本発明に係る加工廃液循環方法は、加工装置へ加工液を供給し、使用済みの加工液を循環させて前記加工装置へ再度供給する加工廃液循環方法であって、使用済みの加工液のpH値を計測する工程と、計測したpH値に応じて、使用済みの加工液に中和剤を供給するか否かを制御する工程とを含むことを特徴とする。
上記構成では、使用済みの加工液のpH値を計測し、計測したpH値に応じて、使用済みの加工液に中和剤を供給するか否かを制御する。pH値に応じて、例えばpH値が高い又は低い場合には中和剤を供給することにより、加工液のpH値を中性値に近づけるよう調整することができ、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じることを未然に防止することが可能となる。
また、本発明に係る加工廃液循環方法は、前記加工装置は、ダイシング装置であり、使用済みの加工液を貯留するタンクと、該タンク内の加工液に前記中和剤を供給する供給手段とを備え、計測したpH値が所定の範囲外である場合には、前記中和剤を供給する供給指示信号を前記供給手段に送信し、計測したpH値が所定の範囲内である場合には、前記中和剤の供給を停止する供給停止信号を前記供給手段に送信することが好ましい。
上記構成では、計測したpH値が所定の範囲外である場合には、中和剤を供給する供給指示信号を供給手段に送信し、計測したpH値が所定の範囲内である場合には、中和剤の供給を停止する供給停止信号を供給手段に送信する。これにより、pH値が高い又は低い場合には中和剤を供給することにより、加工液のpH値を中性値に近づけるよう調整することができ、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じることを未然に防止することが可能となる。
また、本発明に係る加工廃液循環方法は、前記中和剤は、無機リン酸を含む水溶液であることが好ましい。
上記構成では、中和剤は、無機リン酸を含む水溶液であるので、pH値が酸性又はアルカリ性に偏ることなく、加工液のpH値を所定の範囲内に調整することが可能となる。
また、本発明に係る加工廃液循環方法は、使用前の加工液に前記中和剤を供給することが好ましい。
使用前の加工液の導電率がほぼ0μS/cmである場合、加工時にpH値が急激に変動するおそれがある。上記構成では、使用前の加工液に中和剤を供給することにより、pH値の急激な変動を抑制することができ、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じることを未然に防止することが可能となる。
上記構成によれば、pH値に応じて、例えばpH値が高い又は低い場合には中和剤を供給することにより、加工液のpH値を中性値に近づけるよう調整することができ、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じることを未然に防止することが可能となる。
本発明の実施の形態に係る加工廃液循環装置の構成を示す模式図である。 本発明の実施の形態に係る加工廃液循環装置の制御装置の構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態に係る加工廃液循環装置の制御装置のCPUの処理手順を示すフローチャートである。 従来の加工廃液循環装置の構成を示す模式図である。
以下、本発明の実施の形態における加工廃液循環装置について、図面を用いて具体的に説明する。以下の実施の形態は、請求の範囲に記載された発明を限定するものではなく、実施の形態の中で説明されている特徴的事項の組み合わせの全てが解決手段の必須事項であるとは限らないことは言うまでもない。
図4は、従来の加工廃液循環装置の構成を示す模式図である。図4に示すように、従来の加工廃液循環装置は、複数のダイシング装置(加工装置)1に加工液を供給する供給経路11及び供給ポンプ12を備えている。なお、加工液は、ダイシング時に発生する熱量を低減することができれば特に限定されるものではないが、例えば純水に溶媒として脂肪族多価アルコールを添加したものを用いれば良い。
ダイシング装置1では、ダイサー等により半導体ウエハを切削する。切削屑等が含まれた使用済み加工液は、排出経路13を通って原水槽14に貯留される。原水槽14に貯留された使用済み加工液はそのまま廃棄して、供給タンク15から加工装置1へ新たに加工液を供給しても良いし、加工廃液循環装置により再利用しても良い。
使用済み加工液を再利用する場合、原水槽14に貯留された使用済み加工液を原水ポンプ16で吸い上げてフィルタ装置17へ送り出す。フィルタ装置17として、例えば中空糸膜等のフィルタを用いることで、使用済み加工液に含まれる切削屑等の不純物を排除することができる。
フィルタ装置17で不純物を排除した使用済み加工液は、イオン交換装置18を通過すること(イオン交換)により、導電率が下がる。これは、切削加工時に半導体ウエハ等の被切削物のLi等がLi+ イオンとして加工液に溶出しているため、導電率が高くなっているからである。
イオン交換後の加工液は、バッファタンク19に一旦貯留され、供給タンク15内の加工液の残量に応じて供給タンク15へと供給される。
半導体ウエハ等の被切削物のLi等がLi+ イオンとして加工液に溶出することにより、加工液のpH値も変動する。しかし、従来の加工廃液循環装置にはpH値を調整する手段が備わっておらず、使用済み加工液のpH値が高い又は低い場合には、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じ、品質不良となるおそれがあった。
そこで、本実施の形態に係る加工廃液循環装置では、加工液のpH値を常時計測し、計測したpH値に応じて中和剤を供給するか否かを制御できるようにしてある。図1は、本発明の実施の形態に係る加工廃液循環装置の構成を示す模式図である。
図1に示すように、本実施の形態に係る加工廃液循環装置は、複数のダイシング装置(加工装置)1に加工液を供給する供給経路11及び供給ポンプ12を備えている。
ダイシング装置1では、ダイサー等により半導体ウエハを切削する。切削屑等が含まれた使用済み加工液は、排出経路13を通って原水槽14に貯留される。原水槽14に貯留された使用済み加工液は、原水ポンプ16で吸い上げられ、フィルタ装置17へ送り出される。フィルタ装置17として、例えば中空糸膜等のフィルタを用いることで、使用済み加工液に含まれる切削屑等の不純物を排除することができる。
フィルタ装置17で不純物を排除した使用済み加工液は、バッファタンク19に貯留される。バッファタンク19には、使用済み加工液の導電率を調整するためのイオン交換装置18が接続されている。制御装置30は、バッファタンク19内の図示しない導電率計の計測結果に応じて、電磁開閉弁(バルブ)32を開閉し、加工液をイオン交換装置18へ供給するポンプ31を駆動/停止させる。
導電率が所定の範囲内になるよう調整された使用済み加工液は、混合タンク21へ誘導される。バッファタンク19及び混合タンク21内には、貯留されている加工液のpH値を計測するpH計(pH値計測手段)20を備えてあり、貯留されている加工液のpH値を随時計測する。本実施の形態では混合タンク21内のpH計20での計測値を用いる。なお、混合タンク21内にも導電率計を設けていても良い。混合タンク21内に貯留している加工液に中和剤を供給した場合に、中和剤と混合した加工液の導電率を計測することができるからである。
制御装置(制御手段)30は、pH計20の計測値を検出信号として取得して、使用済み加工液のpH値が所定の範囲内であるか否かを判断する。制御装置30は、使用済み加工液のpH値が所定の範囲外であると判断した場合には、pH値を調整するべく、電磁開閉弁(供給手段)24を開いて混合タンク21内に貯留している加工液に中和剤タンク23から中和剤を供給する。
中和剤を供給することにより、混合タンク21内の加工液のpH値が調整され、pH値を中性値‘7’に近づけることができる。具体的には、中和剤を供給することにより、加工液の溶媒中の中和剤比率が上昇するので、加工液に溶出した酸性成分又はアルカリ性成分の溶媒全体に及ぼす影響の度合が低減し、pH値が中性値へと近づく。なお、中和剤は、無機リン酸を含む水溶液であることが好ましい。pH値が酸性又はアルカリ性に偏ることなく、加工液のpH値を所定の範囲内に調整することができるからである。
図2は、本発明の実施の形態に係る加工廃液循環装置の制御装置30の構成を示すブロック図である。図2に示すように、制御装置30はコンピュータによって構成されており、少なくとも制御プログラムに従って演算処理するCPU301、制御プログラム等を記憶するメモリ302、記憶装置303、入力インタフェース304、及び出力インタフェース305を備えている。
入力インタフェース304には、pH計20、入力装置306等からの検出信号、入力信号が入力される。出力インタフェース305からは、供給ポンプ12、原水ポンプ16の他、イオン交換装置18へ加工液を供給するポンプ31、イオン交換装置18への経路を開閉する電磁開閉弁32、中和剤タンク23から中和剤を供給する経路を開閉する電磁開閉弁(供給手段)24へ制御信号を出力する。
図3は、本発明の実施の形態に係る加工廃液循環装置の制御装置30のCPU301の処理手順を示すフローチャートである。図3において、制御装置30のCPU301は、pH計20から、測定したpH値を取得し(ステップS301)、取得したpH値が所定の範囲内であるか否かを判断する(ステップS302)。
なお、所定の範囲は、中性値‘7’を中心として例えば6〜8前後にすれば良い。pH値を‘7’に近づけることで十分効果を奏することができるからである。
CPU301が、取得したpH値が所定の範囲外であると判断した場合(ステップS302:NO)、CPU301は、電磁開閉弁24を開く開弁指示信号を送信し(ステップS303)、中和剤の供給を開始する。CPU301が、取得したpH値が所定の範囲内であると判断した場合(ステップS302:YES)、CPU301は、電磁開閉弁24を閉じる閉弁指示信号を送信し(ステップS304)、中和剤の供給を停止する。
CPU301は、pH値の調整を終了したか否かを判断する(ステップS305)。このような処理にすることで、ダイシング装置1による切削加工の実施中であるか否かにかかわらず、pH値を調整することができる。
CPU301が、pH値の調整を終了していないと判断した場合(ステップS305:NO)、CPU301は、処理をステップS301へ戻して、上述した処理を繰り返す。CPU301が、調整を終了したと判断した場合(ステップS305:YES)、CPU301は、処理を終了する。例えば、取得したpH値が所定の範囲内であると判断され、電磁開閉弁24を閉じる閉弁指示信号を送信した場合には、ステップS305において、調整が終了したと判断すれば良い。図3に示す処理手順は随時実行され、加工液のpH値が所定の範囲内に収まるように制御される。
加工液は、混合タンク21内で撹拌されつつ貯留され、供給タンク15内の加工液の残量に応じて供給タンク15へと供給される。
以上のように本実施の形態によれば、加工液のpH値が高い又は低い場合には中和剤を供給することにより、加工液のpH値を調整することができ、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じることを未然に防止することが可能となる。
なお、使用前の加工液に、中和剤を供給しても良い。これは、純水を混合して加工液を生成するので、新たに生成された加工液の導電率がほぼ0μS/cmとなるためである。導電率がほぼ0μS/cmである場合、切削加工時にpH値が急激に変動するおそれがある。例えば、供給ポンプ12と原水槽14とを配管(図示せず)で連結しておき、供給ポンプ12と原水槽14との間に、加工液の経路を開閉する(電磁)開閉弁(図示せず)を設けておく。該開閉弁を開いて、加工液を供給ポンプ12、原水槽14、原水ポンプ16、フィルタ装置17、バッファタンク19、イオン交換装置18、供給タンク15と循環させることにより、使用前の加工液に中和剤を供給することができる。
使用前の加工液に中和剤を供給した場合、中和剤に含まれるカリウムイオン等の影響により、加工液の導電率が上昇する。加工液の導電率は10μS/cm程度になることが好ましい。これにより、pH値の急激な変動を抑制することができ、半導体ウエハ等の被切削物の電極、パターン表面等に腐食が生じることを未然に防止することが可能となる。
その他、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲内であれば多種の変形、置換等が可能であることは言うまでもない。
1 ダイシング装置(加工装置)
14 原水槽
17 フィルタ装置
18 イオン交換装置
20 pH計(pH値計測手段)
21 混合タンク(タンク)
24 電磁開閉弁(供給手段)
30 制御装置(制御手段)

Claims (8)

  1. 加工装置へ加工液を供給し、使用済みの加工液を循環させて前記加工装置へ再度供給する加工廃液循環装置であって、
    使用済みの加工液のpH値を計測するpH値計測手段を有し、
    該pH値計測手段で計測したpH値に応じて、使用済みの加工液に中和剤を供給するか否かを制御する制御手段を備えることを特徴とする加工廃液循環装置。
  2. 前記加工装置は、ダイシング装置であり、
    使用済みの加工液を貯留するタンクと、
    該タンク内の加工液に前記中和剤を供給する供給手段と
    を備え、
    前記制御手段は、計測したpH値が所定の範囲外である場合には、前記中和剤を供給する供給指示信号を前記供給手段に送信し、計測したpH値が所定の範囲内である場合には、前記中和剤の供給を停止する供給停止信号を前記供給手段に送信することを特徴とする請求項1に記載の加工廃液循環装置。
  3. 前記中和剤は、無機リン酸を含む水溶液であることを特徴とする請求項1又は2に記載の加工廃液循環装置。
  4. 使用前の加工液に前記中和剤を供給することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の加工廃液循環装置。
  5. 加工装置へ加工液を供給し、使用済みの加工液を循環させて前記加工装置へ再度供給する加工廃液循環方法であって、
    使用済みの加工液のpH値を計測する工程と、
    計測したpH値に応じて、使用済みの加工液に中和剤を供給するか否かを制御する工程と
    を含むことを特徴とする加工廃液循環方法。
  6. 前記加工装置は、ダイシング装置であり、
    使用済みの加工液を貯留するタンクと、
    該タンク内の加工液に前記中和剤を供給する供給手段と
    を備え、
    計測したpH値が所定の範囲外である場合には、前記中和剤を供給する供給指示信号を前記供給手段に送信し、計測したpH値が所定の範囲内である場合には、前記中和剤の供給を停止する供給停止信号を前記供給手段に送信することを特徴とする請求項5に記載の加工廃液循環方法。
  7. 前記中和剤は、無機リン酸を含む水溶液であることを特徴とする請求項5又は6に記載の加工廃液循環方法。
  8. 使用前の加工液に前記中和剤を供給することを特徴とする請求項5乃至7のいずれか一項に記載の加工廃液循環方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6441704B2 (ja) * 2015-02-10 2018-12-19 株式会社ディスコ 切削装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169717A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JPH1157692A (ja) * 1997-08-22 1999-03-02 Kiyoshi Koyama 液体浄化装置
JP2000157996A (ja) * 1998-11-30 2000-06-13 Disco Abrasive Syst Ltd 加工水コントロールシステム
JP2008251730A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Fujifilm Corp 研磨液及びそれを用いて研磨された半導体集積回路用基板

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6431604A (en) * 1987-07-29 1989-02-01 Sony Corp Method and device for dicing
JP4744701B2 (ja) * 2001-01-29 2011-08-10 株式会社ディスコ 加工液供給装置
JP5173945B2 (ja) * 2008-07-02 2013-04-03 シャープ株式会社 クーラント再生方法およびスラリー再生方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169717A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JPH1157692A (ja) * 1997-08-22 1999-03-02 Kiyoshi Koyama 液体浄化装置
JP2000157996A (ja) * 1998-11-30 2000-06-13 Disco Abrasive Syst Ltd 加工水コントロールシステム
JP2008251730A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Fujifilm Corp 研磨液及びそれを用いて研磨された半導体集積回路用基板

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