JPWO2013054408A1 - 大容量モジュールの周辺回路用の回路基板、及び当該回路基板を用いる周辺回路を含む大容量モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】周辺回路基板の表面に段差を設け、当該段差とパワー半導体素子の側面との接触によりパワー回路と周辺回路との積層時に周辺回路基板の電極とパワー半導体素子の端子との位置合わせをより正確に行うことにより、上記のような問題を軽減する。
【選択図】 図1
Description
パワー半導体素子を含む第1電子回路の前記パワー半導体素子が配設されている側に前記パワー半導体素子を介して積層される第2電子回路に用いられる第2電子回路基板である基板であって、
前記基板が、誘電体層からなる基材と、前記基材の内部に埋設された内層電極と、前記基板の前記第1電子回路側の表面である第1表面に形成された第1表面電極と、前記第1表面に設けられた少なくとも1つの段差と、を含んでなり、
前記内層電極及び前記第1表面電極の少なくとも一部の前記第1表面に直交する方向における厚みが50μm以上であり、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に前記パワー半導体素子及び前記基板が前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面に交差する側面と前記段差の前記第1表面に交差する側面との接触によって規定される相対的な位置関係にある場合に、前記パワー半導体素子の個々の端子と個々の前記第1表面電極とが対向するように、前記段差が形成されている、
基板によって達成される。
パワー半導体素子を含む第1電子回路の前記パワー半導体素子が配設されている側に前記パワー半導体素子を介して積層される第2電子回路に用いられる第2電子回路基板である基板であって、
前記基板が、誘電体層からなる基材と、前記基材の内部に埋設された内層電極と、前記基板の前記第1電子回路側の表面である第1表面に形成された第1表面電極と、前記第1表面に設けられた少なくとも1つの段差と、を含んでなり、
前記内層電極及び前記第1表面電極の少なくとも一部の前記第1表面に直交する方向における厚みが50μm以上であり、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に前記パワー半導体素子及び前記基板が前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面に交差する側面と前記段差の前記第1表面に交差する側面との接触によって規定される相対的な位置関係にある場合に、前記パワー半導体素子の個々の端子と個々の前記第1表面電極とが対向するように、前記段差が形成されている、
基板である。
本発明の前記第1の実施態様に係る基板であって、
前記第1表面に直交する方向における前記段差の高さと前記第1表面電極の表面との間の高低差が、10μm以上であり、且つ前記第1表面に直交する方向における前記パワー半導体素子の端子の前記第2回路側の表面と前記第1回路に用いられる第1回路基板の前記第2回路側の表面との間の高低差以下である、
基板である。
本発明の前記第1又は前記第2の実施態様の何れかに係る基板であって、
前記段差のうち少なくとも一部の段差において、前記段差の前記第1表面に交差する側面が、前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面に交差する側面に平行な面として形成されている、
基板である。
本発明の前記第1乃至前記第3の実施態様の何れか1つに係る基板であって、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に、前記段差の前記側面の少なくとも前記パワー半導体素子の前記側面と対向する領域において、少なくとも1つの微小突起が設けられており、
前記パワー半導体素子の前記側面と前記突起との接触によって、前記パワー半導体素子と前記基板との相対的な位置関係が規定される、
基板である。
本発明の前記第1乃至前記第4の実施態様の何れか1つに係る基板であって、
前記基板が複数の段差を含んでなり、
前記複数の段差により、前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に、前記パワー半導体素子及び前記基板の相対的な位置関係が一意に規定される、
基板である。
本発明の前記第1乃至前記第4の実施態様に係る基板であって、
前記段差の前記第1表面に交差する側面が、前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面に交差する全ての側面に平行な連続する面として形成されている、
基板である。
本発明の前記第5又は前記第6の実施態様の何れか1つに係る基板であって、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に前記パワー半導体素子と前記基板との相対的な位置関係を規定する前記パワー半導体素子の前記側面と前記段差の前記側面又は前記側面に設けられた前記突起との距離が、10μm以上であり、且つ500μm未満である、
基板である。
本発明の前記第5又は前記第6の実施態様の何れか1つに係る基板であって、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に前記パワー半導体素子と前記基板との相対的な位置関係を規定する前記パワー半導体素子の前記側面と前記段差の前記側面又は前記側面に設けられた前記突起との距離が、前記パワー半導体素子の前記第1表面に平行な平面による断面の等価円直径の0.1%以上であり、且つ10%未満である、
基板である。
本発明の前記第1乃至前記第8の実施態様の何れかに係る基板であって、
前記誘電体層が、主としてセラミックを含んでなる、
基板である。
パワー半導体素子を含む第1電子回路、
前記第1電子回路の前記パワー半導体素子が配設されている側に前記パワー半導体素子を介して積層される第2電子回路、
を含んでなる大容量モジュールであって、
前記第2電子回路に用いられる第2回路基板である基板が、誘電体層からなる基材と、前記基材の内部に埋設された内層電極と、前記基板の前記第1電子回路側の表面である第1表面に形成された第1表面電極と、前記第1表面に設けられた少なくとも1つの段差と、を含んでなり、
前記内層電極及び前記第1表面電極の少なくとも一部の前記第1表面に直交する方向における厚みが50μm以上であり、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に前記パワー半導体素子及び前記基板が前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面に交差する側面と前記段差の前記第1表面に交差する側面との接触によって規定される相対的な位置関係にある場合に、前記パワー半導体素子の個々の端子と個々の前記第1表面電極とが対向するように、前記段差が形成されている、
大容量モジュールである。
本発明の前記第10の実施態様に係る大容量モジュールであって、
前記第1表面に直交する方向における前記段差の高さと前記第1表面電極の表面との間の高低差が、10μm以上であり、且つ前記第1表面に直交する方向における前記パワー半導体素子の端子の前記第2回路側の表面と前記第1回路に用いられる第1回路基板の前記第2回路側の表面との間の高低差以下である、
大容量モジュールである。
本発明の前記第10又は前記第11の実施態様の何れか1つに係る大容量モジュールであって、
前記段差のうち少なくとも一部の段差において、前記段差の前記第1表面に交差する側面が、前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面に交差する側面に平行な面として形成されている、
大容量モジュールである。
本発明の前記第10乃至前記第12の実施態様の何れか1つに係る大容量モジュールであって、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に、前記段差の前記側面の少なくとも前記パワー半導体素子の前記側面と対向する領域において、少なくとも1つの微小突起が設けられており、
前記パワー半導体素子の前記側面と前記突起との接触によって、前記パワー半導体素子と前記基板との相対的な位置関係が規定される、
大容量モジュールである。
本発明の前記第10乃至前記第13の実施態様の何れか1つに係る大容量モジュールであって、
前記基板が複数の段差を含んでなり、
前記複数の段差により、前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に、前記パワー半導体素子及び前記基板の相対的な位置関係が一意に規定される、
大容量モジュールである。
本発明の前記第10乃至前記第13の実施態様の何れか1つに係る大容量モジュールであって、
前記段差の前記第1表面に交差する側面が、前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面に交差する全ての側面に平行な連続する面として形成されている、
大容量モジュールである。
本発明の前記第15の実施態様に係る大容量モジュールであって、
前記段差の前記第1表面に交差する側面及び前記第1表面によって画定される凹部と当該凹部に嵌合された前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面及び当該表面に交差する側面との間の空隙に絶縁材料が充填されている、
大容量モジュールである。
本発明の前記第14又は前記第15の実施態様の何れか1つに係る大容量モジュールであって、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に前記パワー半導体素子と前記基板との相対的な位置関係を規定する前記パワー半導体素子の前記側面と前記段差の前記側面又は前記側面に設けられた前記突起との距離が、10μm以上であり、且つ500μm未満である、
大容量モジュールである。
本発明の前記第14又は前記第15の実施態様の何れか1つに係る大容量モジュールであって、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に前記パワー半導体素子と前記基板との相対的な位置関係を規定する前記パワー半導体素子の前記側面と前記段差の前記側面又は前記側面に設けられた前記突起との距離が、パワー半導体素子の第1表面に平行な平面による断面の等価円直径の0.1%以上であり、且つ10%未満である、
大容量モジュールである。
本発明の前記第10乃至前記第18の実施態様の何れか1つに係る大容量モジュールであって、
前記誘電体層が、主としてセラミックを含んでなる、
大容量モジュールである。
前述のように、図1は、第1表面に設けられた窪み(凹部)によって形成された段差を有する本発明の1つの実施態様に係る基板及び当該基板を含む大容量モジュールの構成を示す模式図である。図1に示すように、本実施例に係る大容量モジュールにおいては、本発明の1つの実施態様に係る基板である第2電子回路基板10の第1表面に設けられた窪み(凹部)によって段差11が形成されている。また、第1電子回路基板10は、誘電体層からなる基材14と、基材14の内部に埋設された内層電極15と、基板の第1電子回路側の表面である第1表面に形成された第1表面電極16と、を含んでなる。本実施例においては、第1表面電極16は、基材14の内部に埋設され、パワー半導体素子21の端子に対向する面が第1表面において露出している。
前述のように、図2は、第2電子回路基板上にヒートシンクが配設された、図1に示す実施態様の変形例に係る基板及び当該基板を含む大容量モジュールの構成を示す模式図である。図2に示すように、本実施例に係る大容量モジュールは、第2電子回路基板10の第2表面上に配設された3つの回路素子12のうち、中央の回路素子12がヒートシンク13に置き換えられている点を除き、図1に示す大容量モジュールと同じ構成を有する。
前述のように、図3は、第1表面に設けられた突起によって形成された段差を有する本発明の1つの実施態様に係る基板及び当該基板を含む大容量モジュールの構成を示す模式図である。図3に示すように、本実施例に係る大容量モジュールは、第1表面に設けられた突起によって段差11が形成されている点、及び第1表面電極16が、第2電子回路基板10の(基材14の内部に埋設されているのではなく)第1表面上に配設されている点を除き、図1に示す大容量モジュールと同様の構成を有する。
前述のように、図4は、第1表面電極がリードフレームによって形成された、図3に示す実施態様の変形例に係る基板及び当該基板を含む大容量モジュールの構成を示す模式図である。図4に示すように、本実施例に係る大容量モジュールは、第1表面電極16が第2電子回路基板10の第1表面上に配設されたリードフレーム17に置き換えられている点、及び段差11を形成する突起の高さ(高低差)がより大きい点を除き、図3に示す大容量モジュールと同様の構成を有する。
前述のように、図5は、従来技術に係る基板を周辺回路基板(第2電子回路基板)として用いる大容量モジュールにおける充填材料の充填状況を示す模式図である。図5に示すように、従来技術に係る基板には段差11が形成されていない。従って、従来技術に係る基板は、本発明に係る基板とは異なり、第2電子回路基板10とパワー半導体素子21との正確且つ容易な位置合わせを可能とすることはできない。その結果、本比較例に係る大容量モジュールにおいては、第2電子回路基板10とパワー半導体素子21との位置合わせが不十分であることに起因する、パワー半導体素子21の端子と第2電子回路基板10の第1表面電極16との接合部における電気抵抗の増大や隣り合う接合部間での絶縁耐圧の低下等の問題が生ずる虞がある。
前述のように、図6は、本発明の1つの実施態様に係る基板を周辺回路基板(第2電子回路基板)として用いる大容量モジュールにおける充填材料の充填状況を示す模式図である。図6に示すように、本実施例に係る大容量モジュールは、段差11を形成する第2電子回路基板10の第1表面に設けられた窪み(凹部)の内壁面と当該窪み(凹部)に嵌合しているパワー半導体素子21の外壁面との間の空隙に充填材料31が充填されている点を除き、図2に示す大容量モジュールと同様の構成を有する。
前述のように、図7は、本発明の実施態様に係る基板を周辺回路基板(第2電子回路基板)として用いる大容量モジュールにおける第2電子回路基板の第1表面に設けられた窪み(凹部)へのパワー半導体素子の嵌合状況を示す模式図である。より詳しくは、図7(a)は、図1に示す大容量モジュールの線A−A’による横断面図である。また、図7(b)は、第2電子回路基板の第1表面に設けられた窪みによって形成された段差の側面に突起を有する本発明の1つの実施態様に係る基板を含む大容量モジュールの横断面図である。尚、図7においては、(a)及び(b)の何れにおいても、第2電子回路基板10の内部に埋設された内層電極は省略されている。
Claims (19)
- パワー半導体素子を含む第1電子回路の前記パワー半導体素子が配設されている側に前記パワー半導体素子を介して積層される第2電子回路に用いられる第2回路基板である基板であって、
前記基板が、誘電体層からなる基材と、前記基材の内部に埋設された内層電極と、前記基板の前記第1電子回路側の表面である第1表面に形成された第1表面電極と、前記第1表面に設けられた少なくとも1つの段差と、を含んでなり、
前記内層電極及び前記第1表面電極の少なくとも一部の前記第1表面に直交する方向における厚みが50μm以上であり、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に前記パワー半導体素子及び前記基板が前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面に交差する側面と前記段差の前記第1表面に交差する側面との接触によって規定される相対的な位置関係にある場合に、前記パワー半導体素子の個々の端子と個々の前記第1表面電極とが対向するように、前記段差が形成されている、
基板。 - 請求項1に記載の基板であって、
前記第1表面に直交する方向における前記段差の高さと前記第1表面電極の表面との間の高低差が、10μm以上であり、且つ前記第1表面に直交する方向における前記パワー半導体素子の端子の前記第2回路側の表面と前記第1回路に用いられる第1回路基板の前記第2回路側の表面との間の高低差以下である、
基板。 - 請求項1又は2の何れか1項に記載の基板であって、
前記段差のうち少なくとも一部の段差において、前記段差の前記第1表面に交差する側面が、前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面に交差する側面に平行な面として形成されている、
基板。 - 請求項1乃至3の何れか1項に記載の基板であって、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に、前記段差の前記側面の少なくとも前記パワー半導体素子の前記側面と対向する領域において、少なくとも1つの微小突起が設けられており、
前記パワー半導体素子の前記側面と前記突起との接触によって、前記パワー半導体素子と前記基板との相対的な位置関係が規定される、
基板。 - 請求項1乃至4の何れか1項に記載の基板であって、
前記基板が複数の段差を含んでなり、
前記複数の段差により、前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に、前記パワー半導体素子及び前記基板の相対的な位置関係が一意に規定される、
基板。 - 請求項1乃至4の何れか1項に記載の基板であって、
前記段差の前記第1表面に交差する側面が、前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面に交差する全ての側面に平行な連続する面として形成されている、
基板。 - 請求項5又は6の何れか1項に記載の基板であって、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に前記パワー半導体素子と前記基板との相対的な位置関係を規定する前記パワー半導体素子の前記側面と前記段差の前記側面又は前記側面に設けられた前記突起との距離が、10μm以上であり、且つ500μm未満である、
基板。 - 請求項5又は6の何れか1項に記載の基板であって、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に前記パワー半導体素子と前記基板との相対的な位置関係を規定する前記パワー半導体素子の前記側面と前記段差の前記側面又は前記側面に設けられた前記突起との距離が、前記パワー半導体素子の前記第1表面に平行な平面による断面の等価円直径の0.1%以上であり、且つ10%未満である、
基板。 - 請求項1乃至8の何れか1項に記載の基板であって、
前記誘電体層が、主としてセラミックを含んでなる、
基板。 - パワー半導体素子を含む第1電子回路、
前記第1電子回路の前記パワー半導体素子が配設されている側に前記パワー半導体素子を介して積層される第2電子回路、
を含んでなる大容量モジュールであって、
前記第2電子回路に用いられる第2回路基板である基板が、誘電体層からなる基材と、前記基材の内部に埋設された内層電極と、前記基板の前記第1電子回路側の表面である第1表面に形成された第1表面電極と、前記第1表面に設けられた少なくとも1つの段差と、を含んでなり、
前記内層電極及び前記第1表面電極の少なくとも一部の前記第1表面に直交する方向における厚みが50μm以上であり、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に前記パワー半導体素子及び前記基板が前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面に交差する側面と前記段差の前記第1表面に交差する側面との接触によって規定される相対的な位置関係にある場合に、前記パワー半導体素子の個々の端子と個々の前記第1表面電極とが対向するように、前記段差が形成されている、
大容量モジュール。 - 請求項10に記載の大容量モジュールであって、
前記第1表面に直交する方向における前記段差の高さと前記第1表面電極の表面との間の高低差が、10μm以上であり、且つ前記第1表面に直交する方向における前記パワー半導体素子の端子の前記第2回路側の表面と前記第1回路に用いられる第1回路基板の前記第2回路側の表面との間の高低差以下である、
大容量モジュール。 - 請求項10又は11の何れか1項に記載の大容量モジュールであって、
前記段差のうち少なくとも一部の段差において、前記段差の前記第1表面に交差する側面が、前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面に交差する側面に平行な面として形成されている、
大容量モジュール。 - 請求項10乃至12の何れか1項に記載の大容量モジュールであって、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に、前記段差の前記側面の少なくとも前記パワー半導体素子の前記側面と対向する領域において、少なくとも1つの微小突起が設けられており、
前記パワー半導体素子の前記側面と前記突起との接触によって、前記パワー半導体素子と前記基板との相対的な位置関係が規定される、
大容量モジュール。 - 請求項10乃至13の何れか1項に記載の大容量モジュールであって、
前記基板が複数の段差を含んでなり、
前記複数の段差により、前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に、前記パワー半導体素子及び前記基板の相対的な位置関係が一意に規定される、
大容量モジュール。 - 請求項10乃至13の何れか1項に記載の大容量モジュールであって、
前記段差の前記第1表面に交差する側面が、前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面に交差する全ての側面に平行な連続する面として形成されている、
大容量モジュール。 - 請求項15に記載の大容量モジュールであって、
前記段差の前記第1表面に交差する側面及び前記第1表面によって画定される凹部と当該凹部に嵌合された前記パワー半導体素子の前記第1表面に対向する表面及び当該表面に交差する側面との間の空隙に絶縁材料が充填されている、
大容量モジュール。 - 請求項14又は15の何れか1項に記載の大容量モジュールであって、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に前記パワー半導体素子と前記基板との相対的な位置関係を規定する前記パワー半導体素子の前記側面と前記段差の前記側面又は前記側面に設けられた前記突起との距離が、10μm以上であり、且つ500μm未満である、
大容量モジュール。 - 請求項14又は15の何れか1項に記載の大容量モジュールであって、
前記第1電子回路と前記第2電子回路との積層時に前記パワー半導体素子と前記基板との相対的な位置関係を規定する前記パワー半導体素子の前記側面と前記段差の前記側面又は前記側面に設けられた前記突起との距離が、パワー半導体素子の第1表面に平行な平面による断面の等価円直径の0.1%以上であり、且つ10%未満である、
大容量モジュール。 - 請求項10乃至18の何れか1項に記載の大容量モジュールであって、
前記誘電体層が、主としてセラミックを含んでなる、
大容量モジュール。
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