JPWO2013031602A1 - 回路モジュール及び複合回路モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
以下に、本発明の一実施形態に係る回路モジュールの構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る回路モジュール10の外観斜視図である。図1(a)は、回路モジュール10をz軸方向の正方向側から見た斜視図であり、図1(b)は、回路モジュール10をz軸方向の負方向側から見た斜視図である。図2は、図1の回路モジュール10の回路構成を示した図である。図3は、回路モジュール10に内蔵されているデュプレクサ14の外観斜視図である。以下では、略直方体状をなす回路モジュール10において、高さ方向をz軸方向と定義する。また、z軸方向から平面視したときの長辺方向をx軸方向と定義し、短辺方向をy軸方向と定義する。x軸、y軸、z軸は、互いに直交している。
以上のような回路モジュール10及び複合回路モジュール200によれば、リフロー工程等の加熱・冷却時に、回路モジュール10内部における接続に破損が発生することを抑制できる。より詳細には、回路モジュール10及び複合回路モジュール200では、パッケージ基板30を樹脂基板としている。これにより、後述するように、ランド電極62,66とランド電極41,45とを接続しているはんだバンプが破損することを抑制できる。
第2のモデル:複合回路モジュール200において、パッケージ基板30をアルミナで作製し、ランド電極62,66とランド電極41,45とを接続しているバンプをはんだバンプとした。
第3のモデル:複合回路モジュール200において、パッケージ基板30をガラスエポキシで作製し、ランド電極62,66とランド電極41,45とを接続しているバンプを金バンプとした。
第4のモデル:複合回路モジュール200において、パッケージ基板30をガラスエポキシで作製し、ランド電極62,66とランド電極41,45とを接続しているバンプをはんだバンプとした。
なお、第1のモデル及び第2のモデルは比較例であり、第3のモデル及び第4のモデルは実施例である。
12 実装基板
14 デュプレクサ
60,64 圧電基板
30 パッケージ基板
32a,32b SAWフィルタ
200 複合回路モジュール
201 マザー基板
204 ランド電極
Claims (11)
- 圧電基板を含む表面弾性波フィルタと、
前記表面弾性波フィルタが実装される樹脂基板と、
マザー基板上に実装される多層基板であって、前記樹脂基板が実装される多層基板と、
を備えていること、
を特徴とする回路モジュール。 - 前記圧電基板の線膨張係数は、前記樹脂基板の線膨張係数よりも大きく、
前記樹脂基板の線膨張係数は、前記多層基板の線膨張係数よりも大きいこと、
を特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。 - 前記圧電基板の線膨張係数、前記樹脂基板の線膨張係数及び前記多層基板の線膨張係数は、略等しいこと、
を特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。 - 前記圧電基板のヤング率は、前記樹脂基板のヤング率及び前記多層基板のヤング率よりも大きいこと、
を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の回路モジュール。 - 前記表面弾性波フィルタは、前記樹脂基板への実装に用いられる第1の接続部を更に含んでいること、
を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の回路モジュール。 - 前記第1の接続部は、はんだバンプにより前記樹脂基板に接続されていること、
を特徴とする請求項5に記載の回路モジュール。 - 前記樹脂基板は、前記多層基板との実装に用いられる第2の接続部を含んでおり、
前記多層基板の法線方向から平面視したときに、前記第2の接続部は、前記表面弾性波フィルタと重なっていること、
を特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の回路モジュール。 - 請求項1に記載の回路モジュールと、
前記回路モジュールが実装されるマザー基板と、
を備えていること、
を特徴とする複合回路モジュール。 - 前記圧電基板の線膨張係数は、前記樹脂基板の線膨張係数よりも大きく、
前記樹脂基板の線膨張係数は、前記多層基板の線膨張係数よりも大きいこと、
を特徴とする請求項8に記載の複合回路モジュール。 - 前記圧電基板の線膨張係数、前記樹脂基板の線膨張係数及び前記多層基板の線膨張係数は、略等しいこと、
を特徴とする請求項8に記載の複合回路モジュール。 - 前記圧電基板のヤング率は、前記樹脂基板のヤング率、前記多層基板のヤング率及び前記マザー基板のヤング率よりも大きいこと、
を特徴とする請求項9又は請求項10のいずれかに記載の複合回路モジュール。
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