JPWO2013027544A1 - 計測装置及びセンサーチップ - Google Patents
計測装置及びセンサーチップ Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013027544A1 JPWO2013027544A1 JP2013529944A JP2013529944A JPWO2013027544A1 JP WO2013027544 A1 JPWO2013027544 A1 JP WO2013027544A1 JP 2013529944 A JP2013529944 A JP 2013529944A JP 2013529944 A JP2013529944 A JP 2013529944A JP WO2013027544 A1 JPWO2013027544 A1 JP WO2013027544A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antigen
- prism
- film
- amount
- flow path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
- G01N21/648—Specially adapted constructive features of fluorimeters using evanescent coupling or surface plasmon coupling for the excitation of fluorescence
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
- G01N21/77—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
- G01N21/7703—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator using reagent-clad optical fibres or optical waveguides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
Description
本発明の第1から第7までの局面は、表面プラズモン励起蛍光分光法による計測を行う計測装置に向けられる。
本発明の第8の局面は、表面プラズモン励起蛍光分光法による計測に用いられるセンサーチップに向けられる。
この望ましい実施形態は、表面プラズモン励起蛍光分光法(SPFS)による計測を行う計測装置及びSPFSによる計測に用いられるセンサーチップに関する。
図5のグラフは、表面プラズモン励起蛍光の光量(縦軸:SPFS蛍光シグナル)とプリズムの屈折率(横軸:屈折率)との関係を示す。図5のグラフには、プリズムの入射面から反射面までの区間におけるp偏光成分の維持率(p偏光強度)が90%である場合及び100%である場合の2通りについて、表面プラズモン励起蛍光の光量とプリズムの屈折率との関係が示される。プリズム1090の入射面1170から反射面1172までの区間SC1におけるp偏光成分の維持率は、p偏光成分のみからなる励起光ELがプリズム1090の入射面1170に入射した場合における、プリズム1090の入射面1170に入射するp偏光成分の光量に対するプリズム1090の反射面1172に入射するp偏光成分の光量の比である。
プリズム1090は、励起光ELに対して透明な樹脂の成形体であり、望ましくは熱可塑性樹脂を射出成形により成形した成形体である。ただし、プリズム1090は、熱可塑性樹脂以外の樹脂の成形体であってもよく、射出成形以外の成形方法により成形された成形体であってもよい。例えば、プリズム1090が熱硬化性樹脂の硬化物を切削することにより成形された成形体であってもよい。
プリズム1090が樹脂の成形体である場合は、特に、プリズム1090が熱可塑性樹脂を射出成形により成形した成形体である場合は、プリズム1090の内部の密度が不均一になりやすく、プリズム1090の内部に成形歪が生じやすい。プリズム1090の内部に成形歪が生じた場合は、プリズム1090の内部を進行する励起光ELに複屈折が生じる。プリズム1090の内部の密度が不均一になるのは主に樹脂の成形のときであるので、プリズム1090の内部の密度の不均一性の程度は、個々のプリズム1090により異なる。励起光ELに複屈折が生じる場合は、p偏光成分のみからなる直線偏光の励起光ELがプリズム1090の入射面1170に入射しても、p偏光成分及びs偏光成分からなる楕円偏光の励起光ELがプリズム1090の反射面1172に入射する。エバネッセント波のもれだしに寄与するのはp偏光成分のみであるので、p偏光成分の減少は、エバネッセント波のもれだしを減少させる。エバネッセント波のもれだしが減少した場合は、表面プラズモン励起蛍光FLの光量が減少し、計測の感度及び精度が低下する。このため、望ましくは、励起光ELの複屈折が抑制され、区間SC1におけるp偏光成分の維持率が高くされる。
図6のグラフは、プリズムの入射面から反射面までの区間におけるp偏光成分の維持率(縦軸:p偏光強度)とプリズムの光弾性係数(横軸:光弾性係数)との関係を示す。
区間SC1におけるp偏光成分の維持率は90%以上になる。これにより、表面プラズモン励起蛍光FLの光量が増加し、計測の感度及び精度が向上する。
図7のフローチャートは、プリズムの入射面から反射面までの区間におけるp偏光成分の維持率の測定の手順を示す。図8の模式図は、プリズムの入射面から反射面までの区間におけるp偏光成分の維持率の測定装置を示す。
自家蛍光の光量が表面プラズモン励起蛍光FLの光量より小さくなるようにプリズム1090の材質は選択される。「自家蛍光の光量」とは、計測が行われる場合にプリズム1090から放射される蛍光の光量である。「表面プラズモン励起蛍光FLの光量」とは、計測が行われる場合に抗原捕捉膜1094から放射される表面プラズモン励起蛍光FLの光量である。
自家蛍光の光量が測定される場合は、ラマン分光器が準備され、蛍光スペクトルが測定される。プリズム1090には、励起光ELの波長に一致する波長のレーザー光が照射される。波長が632nmのレーザー光がプリズム1090に照射される場合は、自家蛍光の光量が測定されるときに650nm以下の波長の光を減衰させるフィルターが使用される。
プリズム1090は、望ましくは有機溶剤、酸性溶液及びアルカリ性溶液に対する耐性を持つ。これにより、抗原捕捉膜1094が形成される場合に使用される液体の選択の自由度が増し、抗原捕捉膜1094が容易に形成される。耐性は、JIS K7114において定められた試験方法により評価される。
プリズム1090の硬度は、望ましくはH以下である。これにより、プリズム1090の表面に混合層(金打ち込み層)が形成されやすくなり、金膜1092のプリズム1090への密着強度が向上する。硬度は、JIS K5401において定められた試験方法により評価される。
クロスカット法により測定される金膜1092の密着強度は、望ましくは100/100である。すなわち、クロスカット法により測定された場合に100枚の金膜片のいずれにも剥離は生じない。密着強度は、JIS K5401において定められた試験方法により評価される。
金膜1092は、(111)優先配向となっている。これにより、金膜1092が形成されたプリズム1090が液体に浸漬されても金膜1092が剥離しにくくなり、抗原捕捉膜1094を形成する場合に使用される液体の選択の自由度が増し、抗原捕捉膜1094が容易に形成される。金膜1092の配向性は、X線回折により測定される。
プリズム1090の吸水率は、望ましくは0.2%以下であり、さらに望ましくは0.1%以下である。これにより、プリズム1090が液体に浸漬された場合にプリズム1090に吸収される水が減少する。吸水率は、JIS K7209において定められた試験方法により評価される。JIS K7209には、プラスチックの吸水率及び沸騰水吸水率の試験方法が定められている。
プリズム1090を構成する樹脂は、望ましくはシクロオレフィンポリマーであり、さらに望ましくは日本ゼオン社製のZEONEX_E48R(以下では単に「E48R」という)である。波長632nmにおいて、E48Rの屈折率は1.51であり、E48Rの光弾性係数は1.73×10−12Pa−1である。
図3及び図4に示すように、プリズム1090には金膜1092が密着させられ、金膜1092には抗原捕捉膜1094が定着させられる。プリズム1090、金膜1092及び抗原捕捉膜1094の複合体1390と流路形成蓋1112とは流路形成シート1110により接合される。プリズム1090は金膜1092の一方の主面1410に密着し、抗原捕捉膜1094は金膜1092の他方の主面1412に定着する。
図2から図4までに示すように、プリズム1090は、台形柱体である。望ましくはプリズム1090は、等脚台形柱体である。図3に示すように、プリズム1090の一方の傾斜側面は入射面1170になる。プリズム1090の幅広の平行側面は反射面1172になる。プリズム1090の他方の傾斜側面は出射面1174になる。
金膜1092は、薄膜である。金膜1092の膜厚は、望ましくは100nm以下であり、さらに望ましくは40〜50nmである。ただし、金膜1092の膜厚がこの範囲外であってもよい。
抗原捕捉膜1094は、計測される抗原を捕捉する担体である。
図13から図15までの模式図は、抗原捕捉膜の断面図である。図13は、試料液がセンサーチップに供給される前の状態を示す。図14は、試料液がセンサーチップに供給された後であって蛍光標識液がセンサーチップに供給される前の状態を示す。図15は、蛍光標識液がセンサーチップに供給された後の状態を示す。
図3及び図4に示すように、反応室1152は、流路形成シート1110に形成される。供給経路1150及び回収経路1154は、流路形成蓋1112に形成される。
図1に示すように、送液機構1024は、試料液、蛍光標識液、バッファー液等の液体をセンサーチップ1026に供給し、試料液、蛍光標識液、バッファー液等の液体をセンサーチップ1026から回収する。液体がセンサーチップ1026に供給される場合は、供給口1450へ液体が供給され、反応室1152が液体で満たされ、液体が抗原捕捉膜1094に接触する。液体がセンサーチップ1026から回収される場合は、回収口1452から液体が回収され、反応室1152が空になる。送液機構1024が、試料液、蛍光標識液及びバッファー液以外の液体を供給及び回収してもよい。
試料液は、典型的には、血液等の人間からの採取物であるが、人間以外の生物からの採取物であってもよく、非生物からの採取物であってもよい。希釈、血球分離、試薬の混合等の前処理が採取物に行われてもよい。
図1に示すように、レーザーダイオード1050は励起光ELを放射する。
図1に示すように、直線偏光板1052は、励起光ELの光路上に配置され、レーザーダイオード1050から放射された励起光ELを直線偏光へ変換する。励起光ELの偏光方向は、励起光ELがプリズム1090の反射面1172に対してp偏光になるように選択される。これにより、エバネッセント波のもれだしが増加し、表面プラズモン励起蛍光FLの光量が増加し、計測の感度及び精度が向上する。
図1に示すように、ミラー1054は、励起光ELの光路上に配置され、直線偏光板1052を通過した励起光ELを反射する。ミラー1054により反射された励起光ELは、プリズム1090に照射される。プリズム1090に照射された光は、入射面1170へ入射し、反射面1172に反射され、出射面1174から出射する。反射面1172への励起光ELの入射角θは、全反射条件θc≦θを満たす(θc:臨界角)。
図1に示すように、光電子増倍管1070は、表面プラズモン励起蛍光FLの光路上に配置され、表面プラズモン励起蛍光FLの光量を測定する。光電子増倍管1070が他の形式の光量センサーに置き換えられてもよい。例えば、光電子増倍管1070が電荷結合素子(CCD)センサー等に置き換えられてもよい。
ローパスフィルター1072は、カットオフ波長より長い波長の光を透過し、カットオフ波長より短い波長の光を減衰させる。カットオフ波長は、励起光ELの波長から表面プラズモン励起蛍光FLの波長までの範囲内で選択される。
図1に示すように、ローパスフィルター駆動機構1074は、ローパスフィルター1072が表面プラズモン励起蛍光FLの光路上に配置された状態とローパスフィルター1072が表面プラズモン励起蛍光FLの光路上に配置されない状態とを切り替える。
図1に示すように、フォトダイオード1076は、プリズム1090と金膜1092との界面において反射された励起光ELの光路上に配置されプリズム1090と金膜1092との界面において反射された励起光ELの光量を測定する。フォトダイオード1076が他の形式の光量センサーに置き換えられてもよい。例えば、フォトダイオード1076がフォトトランジスター、フォトレジスター等に置き換えられてもよい。
コントローラー1030は、制御プログラムを実行する組み込みコンピューターである。1個の組み込みコンピューターがコントローラー1030の機能を担ってもよいし、2個以上の組み込みコンピューターが分担してコントローラー1030の機能を担ってもよい。ソフトウエアを伴わないハードウエアがコントローラー1030の全部又は一部の機能を担ってもよい。ハードウエアは、例えば、オペアンプ、コンパレーター等の電子回路である。コントローラー1030による処理の全部又は一部が、手作業により実行されてもよく、計測装置1000の外部において実行されてもよい。
計測装置1000により計測が行われる場合は、センサーチップ1026及び試薬チップ1028が準備され計測装置1000にとりつけられる。試薬チップ1028には、患者から採取された血液等の検体が注入される。
1020 照射機構
1022 測定機構
1026 センサーチップ
1090 プリズム
1092 金膜
1094 抗原捕捉膜
1096 流路形成体
1130 流路
Claims (8)
- 表面プラズモン励起蛍光分光法による計測を行う計測装置であって、
励起光を照射する照射機構と、
第1の主面及び第2の主面を有する導電体膜と、
流路が形成された流路形成体と、
前記第1の主面に定着し前記流路の内部に露出し抗原を捕捉する抗原捕捉膜と、
前記抗原捕捉膜から放射される表面プラズモン励起蛍光の光量を測定する測定機構と、
前記励起光が照射され、入射面、反射面及び出射面を備え、前記励起光が前記入射面に入射し前記反射面に反射され前記出射面から出射するように前記入射面、前記反射面及び前記出射面が配置され、前記反射面が前記第2の主面に密着し、樹脂の成形体であり、屈折率が1.5以上であり、光弾性係数が5×10−12Pa−1以下であり、前記励起光が照射されるとともに検出下限の抗原量の抗原を含む試料液が前記流路に供給された場合に放射する自家蛍光の光量が前記抗原捕捉膜から放射される前記表面プラズモン励起蛍光の光量より少ない誘電体媒体と、
を備える計測装置。 - 請求項1の計測装置において、
前記誘電体媒体が熱可塑性樹脂を射出成形により成形した成形体であり、
前記誘電体媒体の前記入射面から前記反射面までの区間におけるp偏光成分の維持率が90%以上である
計測装置。 - 請求項1又は請求項2の計測装置において、
JIS K7114において定められた試験方法により評価された場合に前記誘電体媒体が有機溶剤、酸性溶液及びアルカリ性溶液に対する耐性を持つ
計測装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれかの計測装置において、
JIS K5401において定められた試験方法により評価された場合に前記誘電体媒体の硬度がH以下である
計測装置。 - 請求項1から請求項4までのいずれかの計測装置において、
JIS K5401において定められた試験方法により評価された場合にクロスカット法により測定される前記導電体膜の密着強度が100/100である
計測装置。 - 請求項1から請求項5までのいずれかの計測装置において、
前記導電体膜が金膜であり、
前記金膜が(111)優先配向となっている
計測装置。 - 請求項1から請求項6までのいずれかの計測装置において、
JIS K7209において定められた試験方法により評価された場合に前記誘電体媒体の吸水率が0.2%以下である
計測装置。 - 表面プラズモン励起蛍光分光法による計測に用いられるセンサーチップであって、
第1の主面及び第2の主面を有する導電体膜と、
流路が形成された流路形成体と、
前記第1の主面に定着し前記流路の内部に露出し計測される抗原捕捉膜と、
入射面、反射面及び出射面を備え、励起光が前記入射面に入射し前記反射面に反射され前記出射面から出射するように前記入射面、前記反射面及び前記出射面が配置され、前記反射面が前記第2の主面に密着し、樹脂の成形体であり、屈折率が1.5以上であり、光弾性係数が5×10−12Pa−1以下であり、前記励起光が照射されるとともに検出下限の抗原量の抗原を含む試料液が前記流路に供給された場合に放射する自家蛍光の光量が前記抗原捕捉膜により放射される表面プラズモン励起蛍光の光量より少ない誘電体媒体と、
を備えるセンサーチップ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011183466 | 2011-08-25 | ||
JP2011183466 | 2011-08-25 | ||
PCT/JP2012/069410 WO2013027544A1 (ja) | 2011-08-25 | 2012-07-31 | 計測装置及びセンサーチップ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013027544A1 true JPWO2013027544A1 (ja) | 2015-03-19 |
JP5971252B2 JP5971252B2 (ja) | 2016-08-17 |
Family
ID=47746295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013529944A Expired - Fee Related JP5971252B2 (ja) | 2011-08-25 | 2012-07-31 | 計測装置及びセンサーチップ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5971252B2 (ja) |
WO (1) | WO2013027544A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11156552B2 (en) | 2014-09-24 | 2021-10-26 | Konica Minolta, Inc. | Prism, prism production method, mold, and sensor chip |
US20180313756A1 (en) * | 2015-11-13 | 2018-11-01 | Konica Minolta, Inc. | Method for surface plasmon resonance fluorescence analysis and device for surface plasmon resonance fluorescence analysis |
JP6638343B2 (ja) * | 2015-11-13 | 2020-01-29 | コニカミノルタ株式会社 | センサーチップおよびこのセンサーチップを備えた光学式検体検出システム |
JP6913966B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2021-08-04 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | センサチップ、目的物質検出装置及び目的物質検出方法 |
WO2019193878A1 (ja) * | 2018-04-06 | 2019-10-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 病原体検出装置および病原体検出方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003240705A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-08-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 測定チップ |
JP2003245541A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-02 | Jsr Corp | 反応・分離精製・分析検出用セル集積化マイクロチツプ |
JP2005077317A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 測定装置 |
JP2005098788A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表面プラズモン共鳴測定装置およびセンサユニット |
JP2007051886A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Fujifilm Corp | センサー用基板 |
JP2008203172A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Fujifilm Corp | 表面プラズモン増強蛍光検出方法 |
WO2011043202A1 (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 表面プラズモン増強蛍光測定装置 |
-
2012
- 2012-07-31 JP JP2013529944A patent/JP5971252B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-31 WO PCT/JP2012/069410 patent/WO2013027544A1/ja active Application Filing
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003240705A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-08-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 測定チップ |
JP2003245541A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-02 | Jsr Corp | 反応・分離精製・分析検出用セル集積化マイクロチツプ |
JP2005077317A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 測定装置 |
JP2005098788A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表面プラズモン共鳴測定装置およびセンサユニット |
JP2007051886A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Fujifilm Corp | センサー用基板 |
JP2008203172A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Fujifilm Corp | 表面プラズモン増強蛍光検出方法 |
WO2011043202A1 (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 表面プラズモン増強蛍光測定装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013027544A1 (ja) | 2013-02-28 |
JP5971252B2 (ja) | 2016-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10061064B2 (en) | Prism and sensor chip | |
JP5971252B2 (ja) | 計測装置及びセンサーチップ | |
US9535004B2 (en) | Surface plasmon resonance fluorescence analysis method and surface plasmon resonance fluorescence analysis device | |
US8026494B2 (en) | Flourescence detecting method and fluorescence detecting apparatus | |
EP3112847A1 (en) | Measurement method and measurement device | |
US20090230308A1 (en) | Fluorescence detecting method and fluorescence detecting apparatus | |
US20090218496A1 (en) | Sensing apparatus and a method of detecting substances | |
US20200256796A1 (en) | Method of manufacturing sensing chip and sensing chip | |
JP2013185967A (ja) | 生化学検査装置 | |
WO2012108323A1 (ja) | 表面プラズモン励起蛍光計測装置及び表面プラズモン励起蛍光計測方法 | |
JP2013186019A (ja) | 反応進行装置 | |
JP6455519B2 (ja) | プリズム、プリズムの製造方法、金型およびセンサーチップ | |
JP5870716B2 (ja) | 生化学検査装置 | |
JPWO2018034143A1 (ja) | 測定方法、測定装置および測定システム | |
WO2017057136A1 (ja) | 表面プラズモン励起増強蛍光分光測定方法、および測定用キット | |
WO2014007134A1 (ja) | センサーチップ | |
JP6627778B2 (ja) | 検出装置および検出方法 | |
JP5910772B2 (ja) | 計測装置及び計測方法 | |
JP2012220294A (ja) | 表面プラズモン励起蛍光計測装置及び表面プラズモン励起蛍光計測方法 | |
JP2013002858A (ja) | 計測装置及び計測方法 | |
JP5733151B2 (ja) | 計測を行う方法及び計測装置 | |
JP5614321B2 (ja) | 表面プラズモン計測装置及び表面プラズモン計測方法 | |
JPWO2014021171A1 (ja) | センサー部材の製造方法およびセンサーチップの製造方法ならびにセンサー部材の使用方法 | |
WO2016098653A1 (ja) | 検出方法および検出装置 | |
JP2016125937A (ja) | 検出方法および検出キット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141211 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160614 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160627 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5971252 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |