JPWO2013021567A1 - 金属の接合方法および金属接合構造 - Google Patents
金属の接合方法および金属接合構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013021567A1 JPWO2013021567A1 JP2013527861A JP2013527861A JPWO2013021567A1 JP WO2013021567 A1 JPWO2013021567 A1 JP WO2013021567A1 JP 2013527861 A JP2013527861 A JP 2013527861A JP 2013527861 A JP2013527861 A JP 2013527861A JP WO2013021567 A1 JPWO2013021567 A1 JP WO2013021567A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- bonded portion
- metal
- solution
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/02—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a press ; Diffusion bonding
- B23K20/023—Thermo-compression bonding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/16—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating with interposition of special material to facilitate connection of the parts, e.g. material for absorbing or producing gas
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/22—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating taking account of the properties of the materials to be welded
- B23K20/233—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating taking account of the properties of the materials to be welded without ferrous layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/34—Coated articles, e.g. plated or painted; Surface treated articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
- B23K2103/12—Copper or alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/29294—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/292 - H01L2224/29291
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/3201—Structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
- H01L2224/8301—Cleaning the layer connector, e.g. oxide removal step, desmearing
- H01L2224/83011—Chemical cleaning, e.g. etching, flux
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
- H01L2224/83024—Applying flux to the bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83053—Bonding environment
- H01L2224/83095—Temperature settings
- H01L2224/83096—Transient conditions
- H01L2224/83097—Heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/83201—Compression bonding
- H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/83201—Compression bonding
- H01L2224/83205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
第1の被接合部(10)と第2の被接合部(20)との間に、酸化銅が溶出する溶液に銅微粒子が分散された分散溶液(30)を充填し、第1の被接合部(10)の最表面層および第2の被接合部(20)の最表面層を構成する酸化銅や銅微粒子表面の酸化銅を分散溶液(30)中に溶出させる。分散溶液(30)の圧力が高まるように、プレス機を用いて第1の被接合部(10)と第2の被接合部(20)とを加圧しつつ、200℃〜300℃の比較的低温な条件下で加熱することにより分散溶液(30)中の銅以外の成分を除去して銅を析出させ、第1の基材部(12)と第2の基材部(22)とを微粒子由来の銅を含む銅接合部により接合する。
Description
本発明は、金属の接合方法および金属接合構造に関する。
配線基板を構成する配線層や半導体チップの素子電極表面等の導電性材料として、銅が幅広く使用されている。従来、配線基板の配線層等の第1の被接合部材に半導体チップの素子電極など第2の被接合部材を電気的に接続する金属の接合方法としては、はんだを介して接合面をはんだ接合する方法、接合面を高温に加熱しながら加圧下で接合する方法、真空中でイオン照射等により接合面を活性化させて接合する方法などが知られている。
はんだを介して銅同士を接合する方法では、銅とはんだとの接合界面にCu−Sn合金が生じる。Cu−Sn合金は電気抵抗が比較的大きく、かつ延性が乏しいため、接合部分の電気特性や接続信頼性が低下するという課題がある。接合面を高温に加熱して加圧により接合する方法では、配線基板や半導体チップに熱や加圧によるダメージが生じる可能性がある。また、真空中で接合面を活性化させて接合する方法では、真空装置などの大がかりな設備が必要となりコストの増大が避けられない。
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、接続信頼性を確保しつつ、比較的低温でかつ簡便な方法で金属同士を接合することのできる技術の提供にある。
本発明のある態様は、金属の接合方法である。当該金属の接合方法は、酸化銅を主成分とする酸化物が溶出する酸化物溶出用溶液に銅微粒子が分散された分散溶液を用意する工程と、第1の金属からなる第1の被接合部と、第2の金属からなる第2の被接合部との間に分散溶液を充填する工程と、第1の被接合部と第2の被接合部との間の距離を前記分散溶液が充填された状態から更に縮める工程と、第1の被接合部と第2の被接合部との間の距離を縮めた状態で、第1の被接合部と第2の被接合部との間にエネルギーを印加することにより第1の被接合部の銅と第2の被接合部の銅とを接合する工程と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、接続信頼性を確保しつつ、比較的低温でかつ簡便な方法で金属同士を接合することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図1および図2は、実施の形態に係る金属の接合方法を示す工程図である。図1および図2を参照して実施の形態に係る金属の接合方法を説明する。
まず、図1(A)に示すように、第1の被接合部10および第2の被接合部20を用意する。第1の被接合部10は、銅を主成分とする金属からなる第1の基材部12と、第1の基材部12の接合面側の表面を被覆する第1の被膜部14とを有する。また、第2の被接合部20は、銅を主成分とする金属からなる第2の基材部22と、第2の基材部22の接合面側の表面を被覆する第2の被膜部24とを有する。第1の被膜部14および第2の被膜部24はともに酸化銅を主成分とする酸化物で形成されている。ここで、「銅を主成分とする」および「酸化銅を主成分とする」という表現中、「主成分とする」は、銅または酸化銅の含有量が50%よりも大きいことを意味する。
第1の基材部12および第2の基材部22は、銅を主成分とする金属で形成されていればよく、その形態は特に制限されない。第1の基材部12および第2の基材部22は、たとえば、スパッタ法によりSi基板などの基板上に形成された銅からなる堆積層であってもよく、銅箔などの銅板をパターニングすることにより形成した配線層の外部端子部分であってもよい。第1の被膜部14および第2の被膜部24は、具体的には、Cu2Oで形成された薄膜状の被膜であり、その厚さは、たとえば、10nmである。第1の被膜部14および第2の被膜部24は、意図的に形成された被膜であっても、意図せず形成された被膜であってもよい。本実施の形態では、第1の被膜部14および第2の被膜部24は、銅が大気中で酸化することにより形成される自然酸化膜である。
次に、図1(B)に示すように、酸化銅を主成分とする酸化物が溶出する酸化物溶出用溶液に銅微粒子32が分散された分散溶液30を第1の被膜部14と第2の被膜部24との間に充填する。
具体的には、第2の被接合部20の第2の被膜部24上に分散溶液30を滴下または塗布した後、第1の被接合部10の第1の被膜部14の側を第2の被接合部20の第2の被膜部24に向けて、分散溶液30が滴下または塗布された第2の被接合部20の上方から第1の被接合部10を載置することで、第2の被接合部20と第1の被接合部10との間に分散溶液30を充填することができる。
本実施の形態では、酸化銅を主成分とする酸化物を溶出させる溶液としてアンモニア水を用意する。アンモニア水の濃度は、たとえば、0.2〜10%である。アンモニア水20mLに銅微粒子1gを添加し、アンモニア水中に銅微粒子を分散させる。銅微粒子の平均粒径は、たとえば、5μmである。アンモニア水中に銅微粒子を分散させる手法としては、超音波分散法、撹拌法などが挙げられる。なお、銅微粒子の表面は自然酸化膜すなわち酸化銅によって被覆されている。
室温で1分程度放置すると、図1(C)に示すように、第1の被膜部14を構成する酸化銅が分散溶液30中に溶出し、第1の被膜部14が消失する。また、第2の被膜部24を構成する酸化銅が分散溶液30中に溶出し、第2の被膜部24が消失する。第1の被膜部14および第2の被膜部24を構成する酸化銅が分散溶液30に溶出することにより、第1の被接合部10の最表面(接合面側の露出面)および第2の被接合部20の最表面(接合面側の露出面)にそれぞれ第1の基材部12および第2の基材部22を構成する銅が露出する。また、銅微粒子32の表面に形成された酸化銅が分散溶液30中に溶出し、銅微粒子32の最表面に銅が露出する。分散溶液30中では、配位子となるアンモニアイオンと銅イオンとにより銅錯体が形成される。本実施の形態では、銅錯体は、[Cu(NH3)4]2+で表される加熱分解性のテトラアンミン銅錯イオンとして存在すると考えられる。なお、アンモニア水は銅に対して不活性であるため、第1の基材部12ならびに第2の基材部22を構成する銅、および銅微粒子32のコア部分の銅はアンモニア水と反応せずに残存している。
次に、図2(A)に示すように、第1の被接合部10と第2の被接合部20との間の距離を図1(C)に示す状態から更に縮めるように、プレス機を用いて第1の被接合部10と第2の被接合部20とを加圧する。加圧時の圧力は、たとえば、1MPaである。
次に、図2(B)に示すように、第1の被接合部10と第2の被接合部20とを加圧した状態で200℃〜300℃の比較的低温な条件下で加熱することにより分散溶液30中の銅以外の成分を除去して銅を析出または再結晶化させる。本実施の形態では、加熱により水分が蒸発するとともに、テトラアンミン銅錯イオンが熱分解してアンモニア成分が蒸発する。これにより、固相拡散が進行し、分散溶液30において銅の割合が高まるとともに、プレス機による加圧により第1の被接合部10の最表面と第2の被接合部20の最表面との距離が更に近づく。本実施の形態では、加熱、第1の被接合部10と第2の被接合部20との間に接合に必要なエネルギーが印加されている。第1の被接合部10と第2の被接合部20との間にエネルギーを印加する手段は、加熱に限られず、たとえば、超音波発振装置により超音波振動エネルギーを付与する手法を適用可能である。
次に、図2(C)に示すように、分散溶液30中の銅以外の成分の除去が完了すると、第1の被接合部10の最表面と第2の被接合部20の最表面とが酸化銅由来の銅および図2(B)に示した銅微粒子32由来の銅からなる銅接合部40により接合される。この銅接合部40は、配向性および安定性が優れている。また、銅接合部40は銅微粒子由来の銅を含んでいるため、銅の結晶粒塊が第1の被接合部10および第2の被接合部20の銅の結晶粒塊に比べて小さい。最終的な銅接合部40の厚さは、分散溶液中の銅微粒子の量によって調節されるが、たとえば、1〜10μmである。銅接合部40により接合が完了した後、加熱を停止して銅接合部40による接合部分を室温程度まで冷却する。なお、加熱開始から加熱停止までの時間は、たとえば、10分間である。冷却完了後、加圧を解除し、第1の被接合部10と第2の被接合部20との接合工程が完了する。
以上説明した金属の接続方法によれば、真空装置などの大がかりな設備を用いることなく、比較的低温な条件下で銅同士を接合することができる。具体的には、第1の被膜部14および第2の被膜部24が分散溶液30中に溶出することにより、第1の被接合部10および第2の被接合部20の接合面にそれぞれ銅が露出する、言い換えると第1の被接合部10および第2の被接合部20の接合面が活性化される。第1の被接合部10の接合面と、第2の被接合部20の接合面とが活性化された後、銅微粒子32由来の銅を含む銅接合部40を介して接合される。銅接合部40は銅微粒子32由来の銅に応じた厚みを有しているため、第1の被接合部10の接合面と銅接合部40との間および第2の被接合部20の接合面と銅接合部40との間にボイドが発生したとしても、これらのボイドが直線上に並ぶことが抑制されるため、第1の被接合部10と第2の被接合部20との接続信頼性を高めることができる。
銅接合部40の厚みは銅微粒子32由来の銅に応じて調節ができるため、第1の被接合部10と第2の被接合部20との接合間距離を必要に応じて容易に変更することができる。
第1の被接合部10の接合面および第2の被接合部20の接合面に銅微粒子32の径と同程度あるいは数倍程度の凹凸がある場合に、凹部に銅微粒子32が入り込むことにより、接合面を研磨することなく、第1の被接合部10と第2の被接合部20とを接合を行うことができる。
(金属接合に用いる溶液)
上述した実施の形態に係る金属の接合方法では、金属接合に用いる溶液としてアンモニア水が用いられているが、銅と錯体を形成する配位子を含む溶液であれば、これに限られず、たとえば、カルボン酸水溶液であってもよい。
上述した実施の形態に係る金属の接合方法では、金属接合に用いる溶液としてアンモニア水が用いられているが、銅と錯体を形成する配位子を含む溶液であれば、これに限られず、たとえば、カルボン酸水溶液であってもよい。
カルボン酸水溶液の調製に用いられるカルボン酸としては、酢酸などのモノカルボン酸、また、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、フタル酸、マレイン酸などのジカルボン酸、さらに、酒石酸、クエン酸、乳酸、サリチル酸などのオキシカルボン酸が挙げられる。
このうち、カルボン酸水溶液は多座配位子となるカルボン酸を有することが好ましい。多座配位子となるカルボン酸を有するカルボン酸水溶液では、カルボン酸と銅がキレートを形成することにより銅錯体の安定性が非常に大きくなる。この結果、接合に必要な温度をより低温化させることができる。なお、酒石酸がキレートを形成することについては、「理化学辞典 第4版(岩波書店)」の第593頁に記載されている。また、酒石酸、シュウ酸などがキレートを形成することは「ヘスロップジョーンズ 無機化学(下) 齋藤喜彦 訳」の第666頁に記載されている。ここで、キレート化とは、多座配位子によって環が形成されることによって錯体の安定度が非常に大きくなることをいう。
より具体的には、としてクエン酸を用いる場合には、図1(B)で示す工程において、クエン酸溶液(濃度10%)20mLに平均粒径5μmの銅微粒子1gを添加して得られる分散溶液を用いる。
なお、酸化銅を主成分とする酸化物を溶出させる溶液が、銅以外の金属の酸化物、たとえば、酸化アルミニウムを溶出させることができれば、第1の被接合部10および第2の被接合部20の一方の主成分をアルミニウムとすることができる。具体的には、クエン酸は酸化アルミニウムを溶出させることができるため、酸化銅を主成分とする酸化物を溶出させる溶液としてクエン酸を用いることにより、アルミニウムとアルミニウムとの接合、あるいはアルミニウムと銅との接合が可能である。この場合には、接合部は銅およびアルミニウムからなる。
(実施例)
クエン酸溶液(濃度10%)20mLに平均粒径5μmの銅微粒子1gを分散した分散溶液を用意し、上述の金属の接合方法に従って銅と銅を接合した。図3(A)および図3(B)は、得られた金属接合構造の接合断面を観察したSEM写真である。図3(B)は、図3(A)の接合領域の要部(図3(A)中の四角で囲った部分)を拡大した図である。領域Aおよび領域Bは、それぞれ被接合部となる銅からなる領域である。領域Cは、図2(C)に示した銅接合部40に相当する、銅微粒子由来の銅を含む接合領域である。領域Cの厚さは、約3μmである。領域Cにおける銅の結晶粒塊は、領域Aおよび領域Bにおける銅の結晶粒塊より小さいことが確認された。また、積層方向に厚みを有する領域Cには、銅の結晶粒塊間にボイドがランダムに点在しており、ボイドが直線的に並んでいないことが確認された。なお、銅接合部40となる領域Cは、第1の被接合部10となる銅の接合面の凹凸形状や、第2の被接合部20となる銅の接合面の凹凸形状に応じて決まるため、必ずしも直線的な帯状の領域とはならず、波打った帯状の領域となることがある。
クエン酸溶液(濃度10%)20mLに平均粒径5μmの銅微粒子1gを分散した分散溶液を用意し、上述の金属の接合方法に従って銅と銅を接合した。図3(A)および図3(B)は、得られた金属接合構造の接合断面を観察したSEM写真である。図3(B)は、図3(A)の接合領域の要部(図3(A)中の四角で囲った部分)を拡大した図である。領域Aおよび領域Bは、それぞれ被接合部となる銅からなる領域である。領域Cは、図2(C)に示した銅接合部40に相当する、銅微粒子由来の銅を含む接合領域である。領域Cの厚さは、約3μmである。領域Cにおける銅の結晶粒塊は、領域Aおよび領域Bにおける銅の結晶粒塊より小さいことが確認された。また、積層方向に厚みを有する領域Cには、銅の結晶粒塊間にボイドがランダムに点在しており、ボイドが直線的に並んでいないことが確認された。なお、銅接合部40となる領域Cは、第1の被接合部10となる銅の接合面の凹凸形状や、第2の被接合部20となる銅の接合面の凹凸形状に応じて決まるため、必ずしも直線的な帯状の領域とはならず、波打った帯状の領域となることがある。
本発明は、上述の各実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうるものである。
(項目1)
酸化銅を主成分とする酸化物が溶出する酸化物溶出用溶液に銅微粒子が分散された分散溶液を用意する工程と、
第1の金属からなる第1の被接合部と、第2の金属からなる第2の被接合部との間に前記分散溶液を充填する工程と、
前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間の距離を前記分散溶液が充填された状態から更に縮める工程と、
前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間の距離を縮めた状態で、前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間にエネルギーを印加することにより前記第1の被接合部と前記第2の被接合部とを前記銅微粒子を用いて接合する工程と、
を備えることを特徴とする金属の接合方法。
(項目2)
前記分散溶液を用意する工程は、前記酸化物溶出用溶液に銅で形成されたコアが酸化銅で被覆された微粒子を分散させ、前記コアを被覆する酸化銅を溶出させる工程である項目1に記載の金属の接合方法。
(項目3)
前記第1の被接合部と前記第2の被接合部とを接合させた後、接合部分を冷却する工程と、
をさらに備える項目1または2に記載の金属の接合方法。
(項目4)
前記酸化物溶出用溶液は銅に対して不活性である項目1乃至3のいずれか1項に記載の金属の接合方法。
(項目5)
前記酸化物溶出用溶液が銅と錯体を形成する配位子を含む項目1乃至4のいずれか1項に記載の金属の接合方法。
(項目6)
前記錯体が加熱分解性である項目5に記載の金属の接合方法。
(項目7)
前記溶液がアンモニア水またはカルボン酸水溶液である項目1乃至6のいずれか1項に記載の金属の接合方法。
(項目8)
カルボン酸水溶液に含まれるカルボン酸が多座配位子である項目7に記載の金属の接合方法。
(項目9)
前記多座配位子のうち、少なくとも2つの配位子が1つの銅イオンに対して配位している項目8に記載の金属の接合方法。
(項目10)
第1の金属からなる第1の被接合部と、
第2の金属からなる第2の被接合部と、
前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間の領域に形成され、複数のボイドが点在する接合部と、
を備えることを特徴とする金属接合構造。
(項目11)
前記接合部は、銅あるいは銅と前記第1の金属または前記第2の金属との合金からなる項目10に記載の金属接合構造。
(項目1)
酸化銅を主成分とする酸化物が溶出する酸化物溶出用溶液に銅微粒子が分散された分散溶液を用意する工程と、
第1の金属からなる第1の被接合部と、第2の金属からなる第2の被接合部との間に前記分散溶液を充填する工程と、
前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間の距離を前記分散溶液が充填された状態から更に縮める工程と、
前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間の距離を縮めた状態で、前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間にエネルギーを印加することにより前記第1の被接合部と前記第2の被接合部とを前記銅微粒子を用いて接合する工程と、
を備えることを特徴とする金属の接合方法。
(項目2)
前記分散溶液を用意する工程は、前記酸化物溶出用溶液に銅で形成されたコアが酸化銅で被覆された微粒子を分散させ、前記コアを被覆する酸化銅を溶出させる工程である項目1に記載の金属の接合方法。
(項目3)
前記第1の被接合部と前記第2の被接合部とを接合させた後、接合部分を冷却する工程と、
をさらに備える項目1または2に記載の金属の接合方法。
(項目4)
前記酸化物溶出用溶液は銅に対して不活性である項目1乃至3のいずれか1項に記載の金属の接合方法。
(項目5)
前記酸化物溶出用溶液が銅と錯体を形成する配位子を含む項目1乃至4のいずれか1項に記載の金属の接合方法。
(項目6)
前記錯体が加熱分解性である項目5に記載の金属の接合方法。
(項目7)
前記溶液がアンモニア水またはカルボン酸水溶液である項目1乃至6のいずれか1項に記載の金属の接合方法。
(項目8)
カルボン酸水溶液に含まれるカルボン酸が多座配位子である項目7に記載の金属の接合方法。
(項目9)
前記多座配位子のうち、少なくとも2つの配位子が1つの銅イオンに対して配位している項目8に記載の金属の接合方法。
(項目10)
第1の金属からなる第1の被接合部と、
第2の金属からなる第2の被接合部と、
前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間の領域に形成され、複数のボイドが点在する接合部と、
を備えることを特徴とする金属接合構造。
(項目11)
前記接合部は、銅あるいは銅と前記第1の金属または前記第2の金属との合金からなる項目10に記載の金属接合構造。
10 第1の被接合部、12 第1の基材部、14 第1の被膜部、20 第2の被接合部、22 第2の基材部、24 第2の被膜部、30 分散溶液、40 銅接合部
本発明は、金属接合を要する分野において利用可能である。
Claims (11)
- 酸化銅を主成分とする酸化物が溶出する酸化物溶出用溶液に銅微粒子が分散された分散溶液を用意する工程と、
第1の金属からなる第1の被接合部と、第2の金属からなる第2の被接合部との間に前記分散溶液を充填する工程と、
前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間の距離を前記分散溶液が充填された状態から更に縮める工程と、
前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間の距離を縮めた状態で、前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間にエネルギーを印加することにより前記第1の被接合部と前記第2の被接合部とを前記銅微粒子を用いて接合する工程と、
を備えることを特徴とする金属の接合方法。 - 前記分散溶液を用意する工程は、前記酸化物溶出用溶液に銅で形成されたコアが酸化銅で被覆された微粒子を分散させ、前記コアを被覆する酸化銅を溶出させる工程である請求項1に記載の金属の接合方法。
- 前記第1の被接合部と前記第2の被接合部とを接合させた後、接合部分を冷却する工程と、
をさらに備える請求項1または2に記載の金属の接合方法。 - 前記酸化物溶出用溶液は銅に対して不活性である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の金属の接合方法。
- 前記酸化物溶出用溶液が銅と錯体を形成する配位子を含む請求項1乃至4のいずれか1項に記載の金属の接合方法。
- 前記錯体が加熱分解性である請求項5に記載の金属の接合方法。
- 前記溶液がアンモニア水またはカルボン酸水溶液である請求項1乃至6のいずれか1項に記載の金属の接合方法。
- カルボン酸水溶液に含まれるカルボン酸が多座配位子である請求項7に記載の金属の接合方法。
- 前記多座配位子のうち、少なくとも2つの配位子が1つの銅イオンに対して配位している請求項8に記載の金属の接合方法。
- 第1の金属からなる第1の被接合部と、
第2の金属からなる第2の被接合部と、
前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間の領域に形成され、複数のボイドが点在する接合部と、
を備えることを特徴とする金属接合構造。 - 前記接合部は、銅あるいは銅と前記第1の金属または前記第2の金属との合金からなる請求項10に記載の金属接合構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013527861A JPWO2013021567A1 (ja) | 2011-08-11 | 2012-07-26 | 金属の接合方法および金属接合構造 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011176387 | 2011-08-11 | ||
JP2011176387 | 2011-08-11 | ||
JP2013527861A JPWO2013021567A1 (ja) | 2011-08-11 | 2012-07-26 | 金属の接合方法および金属接合構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013021567A1 true JPWO2013021567A1 (ja) | 2015-03-05 |
Family
ID=47668107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013527861A Pending JPWO2013021567A1 (ja) | 2011-08-11 | 2012-07-26 | 金属の接合方法および金属接合構造 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8814029B2 (ja) |
JP (1) | JPWO2013021567A1 (ja) |
WO (1) | WO2013021567A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014100711A (ja) * | 2011-02-28 | 2014-06-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 金属接合構造および金属接合方法 |
TWI463710B (zh) * | 2012-10-05 | 2014-12-01 | Subtron Technology Co Ltd | 接合導熱基板與金屬層的方法 |
CN103889635B (zh) * | 2012-10-18 | 2016-03-30 | 株式会社旭 | 复合金属材的制造方法、模具的制造方法、金属制品的制造方法及复合金属材 |
US8916448B2 (en) | 2013-01-09 | 2014-12-23 | International Business Machines Corporation | Metal to metal bonding for stacked (3D) integrated circuits |
JP6332942B2 (ja) * | 2013-10-18 | 2018-05-30 | 小林 博 | 部品同士ないしは基材同士からなる被接合体の接合方法 |
JP6677945B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2020-04-08 | 国立大学法人群馬大学 | 金属部材の接合方法 |
US9418959B1 (en) * | 2015-07-08 | 2016-08-16 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Systems of bonded substrates |
DE102017128316B4 (de) * | 2017-11-29 | 2019-12-05 | Rogers Germany Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Metall-Keramik-Substrats und Metall-Keramik-Substrat |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5831274B2 (ja) * | 1980-05-02 | 1983-07-05 | 三井金属鉱業株式会社 | ロウ付用金属ペ−スト組成物 |
JPH0615680B2 (ja) * | 1987-10-20 | 1994-03-02 | 三井金属鉱業株式会社 | 導電塗料用銅粉およびその製造法 |
US5068150A (en) * | 1988-02-01 | 1991-11-26 | Mitsui Kinzoku Kogyo Kabushiki Kaisha | Copper powder for electroconductive paints and electroconductive paint compositions |
JP3345961B2 (ja) * | 1992-06-05 | 2002-11-18 | 松下電器産業株式会社 | 銅または銅合金の低温拡散接合方法およびそれを用いた導電ペーストおよび多層配線基板の製造方法 |
TW222736B (ja) | 1992-06-05 | 1994-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
JPH0615462A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-01-25 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 銅製部材の接合方法 |
US5812925A (en) * | 1996-10-23 | 1998-09-22 | Ecer; Gunes M. | Low temperature bonding of materials |
JP3772957B2 (ja) | 2000-02-18 | 2006-05-10 | 株式会社荏原製作所 | 金属の接合方法 |
JP3836349B2 (ja) | 2001-09-27 | 2006-10-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4283567B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2009-06-24 | 株式会社オクテック | 金属薄膜の接合方法 |
KR101093465B1 (ko) | 2003-06-10 | 2011-12-13 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 금속 수소화물 미립자, 그 제조 방법, 금속 수소화물미립자를 함유하는 분산액 및 금속질 재료 |
JP5164379B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2013-03-21 | 石原産業株式会社 | 銅微粒子及びその製造方法 |
JP2006095534A (ja) | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Ebara Corp | 接合方法及び装置 |
JP2006334652A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Ebara Corp | 金属接合方法 |
JP2007019360A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 電子部品の実装方法 |
JP4385061B2 (ja) * | 2006-08-28 | 2009-12-16 | ハリマ化成株式会社 | はんだペースト組成物およびその用途 |
JP5023710B2 (ja) * | 2007-01-19 | 2012-09-12 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5163655B2 (ja) * | 2007-12-18 | 2013-03-13 | 日立化成株式会社 | 銅導体膜及びその製造方法、導電性基板及びその製造方法、銅導体配線及びその製造方法、並びに処理液 |
DE102009014424A1 (de) * | 2008-08-22 | 2010-02-25 | W.C. Heraeus Gmbh | Stoff aus Metall und Milchsäurekondensat sowie elektronisches Bauteil |
JP5306966B2 (ja) * | 2008-10-27 | 2013-10-02 | 古河電気工業株式会社 | 銅微粒子分散水溶液の製造方法、及び銅微粒子分散水溶液の保管方法 |
JP5339232B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2013-11-13 | 株式会社エスイー | 電気部品の接続方法とその接続装置 |
JP5533876B2 (ja) * | 2009-09-03 | 2014-06-25 | 株式会社村田製作所 | ソルダペースト、それを用いた接合方法、および接合構造 |
US20120160903A1 (en) * | 2010-05-31 | 2012-06-28 | Kouichi Saitou | Method of joining metal |
JP5858374B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2016-02-10 | 国立大学法人山形大学 | 被覆銅微粒子の製造方法 |
WO2012042907A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | 三洋電機株式会社 | 金属の接合方法 |
WO2012066795A1 (ja) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | 株式会社村田製作所 | 導電性材料、それを用いた接続方法、および接続構造 |
JP2014100711A (ja) * | 2011-02-28 | 2014-06-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 金属接合構造および金属接合方法 |
-
2012
- 2012-07-26 WO PCT/JP2012/004775 patent/WO2013021567A1/ja active Application Filing
- 2012-07-26 JP JP2013527861A patent/JPWO2013021567A1/ja active Pending
-
2013
- 2013-02-19 US US13/771,031 patent/US8814029B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130216302A1 (en) | 2013-08-22 |
US8814029B2 (en) | 2014-08-26 |
WO2013021567A1 (ja) | 2013-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2013021567A1 (ja) | 金属の接合方法および金属接合構造 | |
WO2011152423A1 (ja) | 金属の接合方法 | |
JP5852795B2 (ja) | 低温加圧焼結接合を含む2個の接合素子の構成体の製造方法 | |
JP5773429B2 (ja) | 電子部品を接触させるための接触手段および方法 | |
JP6127833B2 (ja) | 接合体の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP6753869B2 (ja) | 複合材料を製作するための方法 | |
JP2014167145A (ja) | 接合材 | |
JP2019104680A5 (ja) | ||
JP2016208010A (ja) | 接合体、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク、及び、接合体の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンクの製造方法 | |
WO2014103934A1 (ja) | パワーモジュール | |
US20130206821A1 (en) | Metal bonding method | |
US20150123263A1 (en) | Two-step method for joining a semiconductor to a substrate with connecting material based on silver | |
WO2012117478A1 (ja) | 金属接合構造および金属接合方法 | |
TW201733792A (zh) | 使用金屬奈米粒子之金屬接合結構及金屬接合方法以及金屬接合材料 | |
WO2014103955A1 (ja) | パワーモジュール | |
WO2015163232A1 (ja) | 接合体の製造方法、パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP4674983B2 (ja) | 接合体の製造方法 | |
JPH02117772A (ja) | 金属表面の結合方法 | |
JP2007067058A (ja) | 電子部品の集合体の製造方法および電子部品の集合体 | |
TW200830439A (en) | Method of bonding solder ball and base plate and method of manufacturing pakaging structur of using the same | |
WO2005086218A1 (ja) | 半導体モジュールの製造方法 | |
JPH07142858A (ja) | セラミックス配線基板の製造方法 | |
JP2503778B2 (ja) | 半導体装置用基板 | |
WO2019159257A1 (ja) | セラミックス/Al-SiC複合材料接合体の製造方法、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP7363027B2 (ja) | 接合体の製造方法、及び、絶縁回路基板の製造方法 |