JPWO2012008464A1 - 液晶配向処理剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

ラビング処理に伴う重合体被膜の削れカスや傷が発生し難く、長時間の光照射後の電圧保持率低下を抑制した液晶配向膜を提供出来る液晶配向処理剤、該液晶配向処理剤から得られる液晶配向膜及び液晶表示素子を提供する。下記式［１］で示される化合物（成分（Ａ））及びポリイミド前駆体及びポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも１種の重合体（成分（Ｂ））とを含有する液晶配向処理剤。（化１）（Ｘ１は脂肪族炭化水素基又は非芳香族系環式炭化水素基からなる２価の有機基であり、Ｘ２は単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、ベンゼン環又はシクロへキサン環であり、Ｘ３は、下記の式［１−１］〜［１−６］から選ばれる少なくとも１種である）。（化２）（Ｗ１は、水素原子又はベンゼン環を示す。Ｗ２は、ベンゼン環、シクロへキサン環及び複素環よりなる群から選ばれる環状基であり、Ｗ３は、炭素数１〜１８を有する、アルキル基、フッ素含有アルキル基、アルコキシル基若しくはフッ素含有アルコキシル基である）。

Description

本発明は、液晶配向膜を作製する際に用いる液晶配向処理剤、それを用いた液晶配向膜及び液晶表示素子に関するものである。

液晶表示素子は、薄型・軽量を実現する表示デバイスとして、現在、広く使用されている。通常、この液晶表示素子には、液晶の配向状態を決定づけるために液晶配向膜が使用されている。また、一部の垂直配向型の液晶表示素子などを除き、その液晶配向膜のほとんどは、電極基板上に形成された重合体被膜の表面を、なんらかの配向処理を行うことで作製されている。

重合体被膜の配向処理方法として、現在、一般的に用いられている方法は、その重合体被膜表面を、レーヨンなどを素材とする布によって圧力をかけて擦る、いわゆるラビング処理を行う方法である。このようなラビング処理にともなう重合体被膜の削れカスに基づく問題を解消する方法しては、ポリアミド酸又はポリイミドの少なくとも１種の重合体に加えて、特定の熱架橋性化合物を含有する液晶配向処理剤を使用する方法（例えば、特許文献１参照）や、エポキシ基含有化合物を含有する液晶配向処理剤を使用する方法（例えば特許文献２参照）など、硬化剤を用いることによってラビング耐性を向上させる方法が提案されている。

日本特開平９−１８５０６５号公報 日本特開平９−１４６１００号公報

近年、液晶表示素子の製造プロセス時間の短縮を目的に、ラビング処理は、短時間に強いラビング条件で行われる。そのため、従来に比べて、ラビング処理に伴う重合体被膜の削れカスやラビング処理に伴う傷が、多く発生してしまう問題がある。そして、これらの異常は、液晶表示素子の特性を低下させ、さらには、歩留まりの低下を引き起こす原因の１つとされている。

また、近年の液晶表示素子の高性能化に伴い、大画面で高精細の液晶テレビや、車載用途、例えば、カーナビゲーションシステムやメーターパネルなどの用途に液晶表示素子が用いられている。こうした用途では、高輝度を得るために、発熱量の大きいバックライトを使用する場合がある。このため、液晶配向膜には、さらに別の観点からの高い信頼性、すなわち、バックライトからの光に対する高い安定性が要求されるようになっている。特に、液晶表示素子の電気特性の１つである電圧保持率が、バックライトからの光照射によって低下してしまうと、液晶表示素子の表示不良の１つである焼き付き不良（線焼き付きともいわれる）が発生しやすくなってしまい、信頼性の高い液晶表示素子を得ることができない。したがって、液晶配向膜においては、初期特性が良好なことに加え、例えば、長時間、光の照射に曝された後であっても、電圧保持率が低下しにくいことが求められている。

本発明は、上記特性を兼ね備えた液晶配向膜を提供することを目的とする。すなわち、本発明の目的は、液晶表示素子の製造プロセス中のラビング処理に伴う重合体被膜の削れカスやラビング処理に伴う傷が発生しにくく、長時間、光の照射に曝されても、電圧保持率の低下が抑制された液晶配向膜、該液晶配向膜を提供することのできる液晶配向処理剤、及びこの液晶配向処理剤から得られる液晶表示素子を提供することにある。

本発明者は、鋭意研究を行った結果、特定構造を有する化合物を含む液晶配向処理剤が、上記の目的を達成するために極めて有効であることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は以下の要旨を有するものである。
（１）下記の成分（Ａ）及び成分（Ｂ）を含有する液晶配向処理剤。
成分（Ａ）：下記式［１］で示される化合物（以下、特定アミン化合物とも称する。）
成分（Ｂ）：ポリイミド前駆体及びポリイミドからなる群より選ばれる少なくも１種の重合体（以下、特定重合体とも称する。）
。

（Ｘ^１は、脂肪族炭化水素基又は非芳香族系環式炭化水素基からなる２価の有機基であり、Ｘ^２は、単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、ベンゼン環又はシクロへキサン環であり、Ｘ^３は、下記式［１−１］〜［１−６］から選ばれる少なくとも１種の基である。）

（Ｗ^１は、水素原子又はベンゼン環を示す。Ｗ^２は、ベンゼン環、シクロへキサン環及び複素環よりなる群から選ばれる環状基であり、Ｗ^３は、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜１８のフッ素含有アルキル基、炭素数１〜１８のアルコキシル基又は炭素数１〜１８のフッ素含有アルコキシル基である。）

（２）式［１］のＸ^１が、前記２価の有機基のアミノ基に隣接しない任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−ＣＦ_２−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−、−ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ−、−ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ−、環状炭化水素基又は複素環で置き換えられてもよく、任意の炭素原子に結合している水素原子は、炭素数１〜２０の直鎖状アルキル基、炭素数３〜２０の分岐状アルキル基、炭素数３〜２０の環状炭化水素基、炭素数１〜１０のフッ素含有アルキル基、複素環、フッ素原子又は水酸基で置き換えられていてもよい上記（１）に記載の液晶配向処理剤。
（３）式［１］のＸ^２が、単結合、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、ベンゼン環又はシクロヘキサン環である上記（１）又は（２）に記載の液晶配向処理剤。
（４）式［１］のＸ^３が、式［１−２］、式［１−４］、式［１−５］又は式［１−６］で示される構造の基である上記（１）〜（３）のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
（５）成分（Ｂ）が、ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物成分とを反応させて得られるポリアミド酸及び該ポリアミド酸を脱水閉環させて得られるポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも１種の重合体である上記（１）〜（４）のいずれかに記載の液晶配向処理剤。

（６）ジアミン成分が、下記式［２］で示されるジアミン化合物である上記（５）に記載の液晶配向処理剤。

（Ｙ^１は、単結合、−（ＣＨ_２）_ａ−（ａは１〜１５の整数である）、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又はＯＣＯ−であり、Ｙ^２は、単結合又は（ＣＨ_２）_ｂ−（ｂは１〜１５の整数である）であり、Ｙ^３は、単結合、−（ＣＨ_２）_ｃ−（ｃは１〜１５の整数である）、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又はＯＣＯ−である。Ｙ^４は、ベンゼン環、シクロへキサン環及び複素環よりなる群から選ばれる環状基（これらの環状基上の任意の水素原子は、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシル基、炭素数１〜３のフッ素含有アルキル基、炭素数１〜３のフッ素含有アルコキシル基又はフッ素原子で置換されていてもよい。）、又はステロイド骨格を有する炭素数１２〜２５の有機基より選ばれる２価の有機基であり、Ｙ^５は、ベンゼン環、シクロへキサン環及び複素環よりなる群から選ばれる環状基（これらの環状基上の任意の水素原子は、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシル基、炭素数１〜３のフッ素含有アルキル基、炭素数１〜３のフッ素含有アルコキシル基又はフッ素原子で置換されていてもよい。）であり、ｎは、０〜４の整数である。Ｙ^６は、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜１８のフッ素含有アルキル基、炭素数１〜１８のアルコキシル基又は炭素数１〜１８のフッ素含有アルコキシル基であり、ｍは、１〜４の整数である。）
（７）式［２］で示されるジアミン化合物が、ジアミン成分中の５〜８０モル％である上記（６）に記載の液晶配向処理剤。
（８）テトラカルボン酸二無水物成分が、下記式［３］で示されるテトラカルボン酸二無水物である上記（５）〜（７）のいずれかに記載の液晶配向処理剤。

（Ｚ^１は、炭素数４〜１３の４価の有機基であり、かつ炭素数４〜１０の非芳香族環状炭化水素基を含有する。）
（９）式［３］中のＺ^１が、下記式［３ａ］〜［３ｊ］で示される構造である上記（８）に記載の液晶配向処理剤。

（Ｚ^２〜Ｚ^５は、水素原子、メチル基、塩素原子又はベンゼン環であり、それぞれ、同じであっても異なってもよい。Ｚ^６及びＺ^７は、水素原子又はメチル基であり、それぞれ、同じであっても異なってもよい。）

（１０）成分（Ｂ）の重合体が、ポリアミド酸を脱水閉環させて得られるポリイミドである上記（１）〜（９）のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
（１１）成分（Ｂ）の１００質量部に対し、成分（Ａ）が０．１質量部〜５０質量部である上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
（１２）液晶配向処理剤が有機溶媒を含有し、有機溶媒の全体の５〜８０質量％の貧溶媒を含有する上記（１）〜（１１）のいずれかに記載の液晶配向処理剤。
（１３）上記（１）〜（１２）のいずれかに記載の液晶配向処理剤を用いて得られる液晶配向膜。

（１４）上記（１３）に記載の液晶配向膜を有する液晶表示素子。
（１５）電極を備えた一対の基板の間に液晶層を有してなり、前記一対の基板の間に活性エネルギー線及び熱の少なくとも一方により重合する重合性化合物を含む液晶組成物を配置し、前記電極間に電圧を印加しつつ前記重合性化合物を重合させる工程を経て製造される液晶表示素子に用いられる上記（１３）に記載の液晶配向膜。
（１６）上記（１５）に記載の液晶配向膜を有する液晶表示素子。
（１７）電極と上記（１３）又は（１５）に記載の液晶配向膜とを備えた一対の基板の間に液晶層を有してなり、前記一対の基板の間に活性エネルギー線及び熱の少なくとも一方により重合する重合性化合物を含む液晶組成物を配置し、前記電極間に電圧を印加しつつ前記重合性化合物を重合させる工程を経て製造される上記（１６）に記載の液晶表示素子。
（１８）電極を備えた一対の基板の間に液晶層を有してなり、前記一対の基板の間に活性エネルギー線及び熱の少なくとも一方により重合する重合性基を含む液晶配向膜を配置し、前記電極間に電圧を印加しつつ前記重合性基を重合させる工程を経て製造される液晶表示素子に用いられる上記（１３）に記載の液晶配向膜。
（１９）上記（１８）に記載の液晶配向膜を有する液晶表示素子。
（２０）電極を備えた一対の基板の間に液晶層を有してなり、前記一対の基板の間に活性エネルギー線及び熱の少なくとも一方により重合する重合性基を含む液晶配向膜を配置し、前記電極間に電圧を印加しつつ前記重合性基を重合させる工程を経て製造される上記（１９）に記載の液晶表示素子。

本発明の液晶配向処理剤は、液晶表示素子の製造プロセス中のラビング処理に伴う重合体被膜の削れカスやラビング処理に伴う傷が発生しにくく、さらに、長時間、光の照射に曝されても、電圧保持率の低下が抑制された液晶配向膜を得ることができる。かくして、本発明の液晶配向処理剤から得られた液晶配向膜を有する液晶表示素子は、信頼性に優れたものとなり、大画面で高精細の液晶テレビなどに好適に利用できる。

本発明の液晶配向処理剤が、何故に上記のような優れた特性をもたらすかについては必ずしも明確ではないが、次にように考えられる。
すなわち、本発明の液晶配向処理剤において、特定アミン化合物中の１級アミノ基は、特定重合体中のカルボキシル基と塩形成をしているか、特定重合体中のカルボキシル基やカルボキシエステル基に対して、水又はアルコールの脱離を伴うアミド結合をしているか、又は、特定重合体中のイミド基に対してイミド基の開環を伴う反応をし、結合していると考えられる。さらに、液晶配向膜を作製する際の焼成工程によって、特定重合体中のカルボキシル基と塩形成をしている１級アミノ基は、水の脱離によりアミド結合を形成すると考えられる。その結果、本発明の液晶配向処理剤は、有機溶媒中で混合するという簡便な手段にもかかわらず、得られた液晶配向膜中では、特定アミン化合物と特定重合体とが効率良く結合していると考えられる。

また、特定アミン化合物中のＸ^２である式［１−１］〜式［１−６］の２重結合部分は、熱や紫外線の照射により、反応することが知られている。従って、上述したように、本発明の液晶配向処理剤から得られた液晶配向膜は、特定アミン化合物が、特定重合体に結合していることから、液晶配向膜を作製する際の焼成工程や、液晶表示素子を作製する際のシール剤の硬化工程、すなわち、焼成工程や紫外線照射工程により重合体相互の架橋反応が起こり、物理的な安定性が向上し、さらには、熱や光に対する耐性が高いものとなる。
かくして、発明の液晶配向処理剤から得られる液晶配向膜は、特定アミン化合物を含まない液晶配向膜と比較して、液晶表示素子の製造プロセス中のラビング処理に伴う重合体被膜の削れカスやラビング処理に伴う傷が発生しにくく、さらに、長時間、光の照射に曝されても、電圧保持率の低下を抑制することができる。
また、本発明における特定アミン化合物は、分子内に含まれる１級アミノ基が１個のみであるので、液晶配向処理剤を調製する際や液晶配向処理剤の保管中に、ポリマーの析出やゲル化といった問題が起こる可能性も回避できる。

＜特定アミン化合物＞
本発明の特定アミン化合物は、下記式［１］で示される化合物である。

（Ｘ^１は、脂肪族炭化水素基又は非芳香族系環式炭化水素基からなる２価の有機基であり、Ｘ^２は、単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、ベンゼン環又はシクロへキサン環であり、Ｘ^３は、下記式［１−１］〜［１−６］で示される構造の基から選ばれる少なくとも１種である。）

式［１］中、Ｘ^１は、特定アミン化合物に含まれる１級アミノ基が特定重合体と塩形成や反応して、結合しやすくするため、脂肪族炭化水素基又は非芳香族系環式炭化水素基からなる２価の有機基である。具体的には、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基又は非芳香族系環式炭化水素基であり、かつアミノ基に隣接しない任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−ＣＦ_２−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−、−ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ−、−ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ−、環状炭化水素基又は複素環で置き換えられてもよく、任意の炭素原子に結合している水素原子は、炭素数１〜２０の直鎖状アルキル基、炭素数３〜２０の分岐状アルキル基、炭素数３〜２０の環状炭化水素基、炭素数１〜１０のフッ素含有アルキル基、複素環、フッ素原子又は水酸基で置き換えられていてもよい。

脂肪族炭化水素基の具体例としては、直鎖状アルキル基、分岐構造を有するアルキル基又は不飽和結合を有する炭化水素基等を挙げることができる。なかでも、炭素数が１〜２０のアルキル基が好ましい。より好ましくは炭素数が１〜１５のアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数が１〜１０のアルキル基である。
非芳香族環式炭化水素基の具体例としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、シクロウンデカン環、シクロドデカン環、シクロトリデカン環、シクロテトラデカン環、シクロペンタデカン環、シクロヘキサデカン環、シクロヘプタデカン環、シクロオクタデカン環、シクロノナデカン環、シクロイコサン環、トリシクロエイコサン環、トリシクロデコサン環、ビシクロへキシル環、ビシクロヘプタン環、デカヒドロナフタレン環、ノルボルネン環又はアダマンタン環などが挙げられる。なかでも、炭素数が３〜２０の環が好ましい。より好ましくは炭素数が３〜１５の環であり、さらに好ましくは炭素数が６〜１２の環の非芳香族環式炭化水素基である。具体的には、シクロヘキサン環又はビシクロへキシル環である。

式［１］中、Ｘ^２は、単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、ベンゼン環又はシクロへキサン環である。なかでも、単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、ベンゼン環又はシクロへキサン環が好ましい。より好ましくは、単結合、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、ベンゼン環又はシクロヘキサン環である。
式［１］中、Ｘ^３は、式［１−１］〜式［１−６］で示される構造の基から選ばれる少なくとも１種である。

式［１−３］中、Ｗ^１は、水素原子又はベンゼン環を示す。
式［１−６］中、Ｗ^２は、ベンゼン環、シクロへキサン環及び複素環よりなる群から選ばれる環状基である。なかでも、ベンゼン環、シクロヘキサン環又はビフェニル環が好ましい。
式［１−６］中、Ｗ^３は、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜１８のフッ素含有アルキル基、炭素数１〜１８のアルコキシル基又は炭素数１〜１８のフッ素含有アルコキシル基である。なかでも、炭素数１〜９のアルキル基又は炭素数１〜９のアルコキシル基が好ましい。
式［１］中、Ｘ^３は、式［１−２］、式［１−４］、式［１−５］又は式［１−６］で示される構造の基が好ましい。
式［１］におけるＸ^１、Ｘ^２及びＸ^３の好ましい組み合わせは、表１及び表２に示すとおりである。

なかでも、特定アミン化合物としては、１−１〜１−７、１−１４〜１−２４、１−３３〜１−４０、又は１−４６〜１−４８からなる組み合わせのアミン化合物好ましい。特には、１−１〜１−７又は１−１４〜１−１６からなる組み合わせのアミン化合物が好ましい。

＜特定重合体＞
本発明の特定重合体は、下記式［Ａ］で示される構造を有するポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体をイミド化したポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも１種の重合体である。

（Ｒ^１は、４価の有機基であり、Ｒ^２は、２価の有機基であり、Ｒ^３及びＲ^４は、水素原子又は炭素数１〜８のアルキル基であり、それぞれ同じであっても異なってもよく、ｎは正の整数を示す。）

本発明の特定重合体は、下記式［Ｂ］で示されるジアミン成分と下記式［Ｃ］で示されるテトラカルボン酸二無水物成分とを原料とすることで比較的簡便に得られるという理由から、下記式［Ｄ］で示される繰り返し単位の構造式からなるポリアミド酸又は該ポリアミド酸をイミド化させたポリイミドが好ましい。

（Ｒ^１及びＲ^２は、式［Ａ］で定義したものと同意義である。）

（Ｒ^１、Ｒ^２及びｎは、式［Ａ］で定義したものと同意義である。）
式［Ａ］及び式［Ｄ］において、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ１種類であっても、それぞれ異なったＲ^１及びＲ^２を有して繰り返し単位として異なった複数種を組み合わせたものでもよい。

ジアミン成分には、下記の式［２］で示されるジアミン化合物（以下、特定側鎖型ジアミン化合物とも称する。）を用いることが好ましい。

式［２］中、Ｙ^１は、単結合、−（ＣＨ_２）_ａ−（ａは１〜１５の整数である）、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又はＯＣＯ−である。なかでも、単結合、−（ＣＨ_２）_ａ−（ａは１〜１５の整数である）、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−又はＣＯＯ−は、側鎖構造を合成しやすいので好ましい。より好ましくは、単結合、−（ＣＨ_２）_ａ−（ａは１〜１０の整数である）、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−又はＣＯＯ−である。
式［２］中、Ｙ^２は、単結合又は（ＣＨ_２）_ｂ−（ｂは１〜１５の整数である）である。なかでも、単結合又は（ＣＨ_２）_ｂ−（ｂは１〜１０の整数である）が好ましい。

式［２］中、Ｙ^３は、単結合、−（ＣＨ_２）_ｃ−（ｃは１〜１５の整数である）、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又はＯＣＯ−である。なかでも、単結合、−（ＣＨ_２）_ｃ−（ｃは１〜１５の整数である）、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又はＯＣＯ−が、合成しやすいので好ましい。より好ましくは、単結合、−（ＣＨ_２）_ｃ−（ｃは１〜１０の整数である）、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又はＯＣＯ−である。
式［２］中、Ｙ^４は、ベンゼン環、シクロへキサン環及び複素環よりなる群から選ばれる環状基であって、これらの環状基上の任意の水素原子は、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシル基、炭素数１〜３のフッ素含有アルキル基、炭素数１〜３のフッ素含有アルコキシル基又はフッ素原子で置換されていてもよい。さらに、Ｙ^４は、ステロイド骨格を有する炭素数１２〜２５の有機基である。なかでも、ベンゼン環、シクロへキサン環又はステロイド骨格を有する炭素数１２〜２５の有機基が好ましい。

式［２］中、Ｙ^５は、ベンゼン環、シクロへキサン環及び複素環よりなる群から選ばれる環状基であって、これらの環状基上の任意の水素原子が、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシル基、炭素数１〜３のフッ素含有アルキル基、炭素数１〜３のフッ素含有アルコキシル基又はフッ素原子で置換されていてもよい。

式［２］中、ｎは、０〜４の整数である。好ましくは、０〜２の整数である。
式［２］中、Ｙ^６は、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜１８のフッ素含有アルキル基、炭素数１〜１８のアルコキシル基又は炭素数１〜１８のフッ素含有アルコキシル基である。なかでも、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜１０のフッ素含有アルキル基、炭素数１〜１８のアルコキシル基又は炭素数１〜１０のフッ素含有アルコキシル基が好ましい。より好ましくは、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシル基である。さらに好ましくは、炭素数１〜９のアルキル基又は炭素数１〜９のアルコキシル基である。
式［２］中、ｍは、１〜４の整数である。好ましくは、１の整数である。
式［２］におけるＹ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、ｎ及びｍの好ましい組み合わせは、表３〜３２に示すとおりである。

より具体的には、例えば下記の式［２−１］〜式［２−３１］で示されるジアミン化合物である。

（Ｒ^５は−Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯＣＨ_２−又は−ＣＨ_２ＯＣＯ−を示し、Ｒ^６は炭素数１〜２２のアルキル基、アルコキシル基、フッ素含有アルキル基又はフッ素含有アルコキシル基である。）

（Ｒ^７は、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−又は−ＣＨ_２−を示し、Ｒ^８は炭素数１〜２２のアルキル基、アルコキシル基、フッ素含有アルキル基又はフッ素含有アルコキシル基である。）

（Ｒ^９は、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２−、−Ｏ−又は−ＮＨ−を示し、Ｒ^１０はフッ素基、シアノ基、トリフルオロメタン基、ニトロ基、アゾ基、ホルミル基、アセチル基、アセトキシ基又は水酸基である。）

（Ｒ^１１は炭素数３〜１２のアルキル基であり、１,４-シクロヘキシレンのシス−トランス異性は、それぞれトランス異性体である。）

（Ｒ^１２は炭素数３〜１２のアルキル基であり、１,４-シクロヘキシレンのシス−トランス異性は、それぞれトランス異性体である。）

（Ａ^４は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数３〜２０のアルキル基であり、Ａ^３は１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基である。Ａ^２は酸素原子又は−ＣＯＯ−＊（ただし、「＊」を付した結合手がＡ^３と結合する。）であり、Ａ^１は酸素原子又は−ＣＯＯ−＊（ただし、「＊」を付した結合手が（ＣＨ_２）ａ_２）と結合する。）である。また、ａ_１は、０又は１の整数であり、ａ_２は２〜１０の整数であり、ａ_３は０又は１の整数である。）

なかでも、特定側鎖型ジアミン化合物としては、式［２−１］〜式［２−６］又は式［２−９］〜式［２−３１］で示される化合物が好ましい。特には、式［２−１］〜式［２−６］、式［２−９］〜式［２−１２］、式［２−１５］、式［２−１６］、式［２−２２］又は式［２−２３］で示される化合物が好ましい。

本発明においては、本発明の効果を損なわない限りにおいて、特定側鎖型ジアミン化合物以外のその他のジアミン化合物（以下、その他ジアミン化合物とも称する。）を、ジアミン成分として用いることができる。その具体例を以下に挙げる。
ｐ−フェニレンジアミン、２，３，５，６−テトラメチル−ｐ−フェニレンジアミン、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、２，４−ジメチル−ｍ−フェニレンジアミン、２，５−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、２，５−ジアミノフェノール、２，４−ジアミノフェノール、３，５−ジアミノフェノール、３，５−ジアミノベンジルアルコール、２，４−ジアミノベンジルアルコール、４，６−ジアミノレゾルシノール、４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジカルボキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジフルオロ−４，４’−ビフェニル、３，３’−トリフルオロメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジアミノビフェニル、２，３’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２’−ジアミノジフェニルメタン、２，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、２，２’−ジアミノジフェニルエーテル、２，３’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−スルホニルジアニリン、３，３’−スルホニルジアニリン、ビス（４−アミノフェニル）シラン、ビス（３−アミノフェニル）シラン、ジメチル−ビス（４−アミノフェニル）シラン、ジメチル−ビス（３−アミノフェニル）シラン、４，４’−チオジアニリン、３，３’−チオジアニリン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、３，３’−ジアミノジフェニルアミン、３，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２’−ジアミノジフェニルアミン、２，３’−ジアミノジフェニルアミン、Ｎ−メチル（４，４’−ジアミノジフェニル）アミン、Ｎ−メチル（３，３’−ジアミノジフェニル）アミン、Ｎ−メチル（３，４’−ジアミノジフェニル）アミン、Ｎ−メチル（２，２’−ジアミノジフェニル）アミン、Ｎ−メチル（２，３’−ジアミノジフェニル）アミン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、１，４−ジアミノナフタレン、２，２’−ジアミノベンゾフェノン、２，３’−ジアミノベンゾフェノン、１，５−ジアミノナフタレン、１，６−ジアミノナフタレン、１，７−ジアミノナフタレン、１，８−ジアミノナフタレン、２，５−ジアミノナフタレン、２，６ジアミノナフタレン、２，７−ジアミノナフタレン、２，８−ジアミノナフタレン、１，２−ビス（４−アミノフェニル）エタン、１，２−ビス（３−アミノフェニル）エタン、１，３−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、１，３−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、１，４−ビス（４アミノフェニル）ブタン、１，４−ビス（３−アミノフェニル）ブタン、ビス（３，５−ジエチル−４−アミノフェニル）メタン、１，４−ビス（４-アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４-アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４-アミノフェニル）ベンゼン、１，３−ビス（４-アミノフェニル）ベンゼン、１，４−ビス（４-アミノベンジル）ベンゼン、１，３−ビス（４-アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−［１，４−フェニレンビス（メチレン）］ジアニリン、４，４’−［１，３−フェニレンビス（メチレン）］ジアニリン、３，４’−［１，４−フェニレンビス（メチレン）］ジアニリン、３，４’−［１，３−フェニレンビス（メチレン）］ジアニリン、３，３’−［１，４−フェニレンビス（メチレン）］ジアニリン、３，３’−［１，３−フェニレンビス（メチレン）］ジアニリン、１，４−フェニレンビス［（４−アミノフェニル）メタノン］、１，４−フェニレンビス［（３−アミノフェニル）メタノン］、１，３−フェニレンビス［（４−アミノフェニル）メタノン］、１，３−フェニレンビス［（３−アミノフェニル）メタノン］、１，４−フェニレンビス（４−アミノベンゾエート）、１，４−フェニレンビス（３−アミノベンゾエート）、１，３−フェニレンビス（４−アミノベンゾエート）、１，３−フェニレンビス（３−アミノベンゾエート）、ビス（４−アミノフェニル）テレフタレート、ビス（３−アミノフェニル）テレフタレート、ビス（４−アミノフェニル）イソフタレート、ビス（３−アミノフェニル）イソフタレート、Ｎ，Ｎ’−（１，４−フェニレン）ビス（４−アミノベンズアミド）、Ｎ，Ｎ’−（１，３−フェニレン）ビス（４−アミノベンズアミド）、Ｎ，Ｎ’−（１，４−フェニレン）ビス（３−アミノベンズアミド）、Ｎ，Ｎ’−（１，３−フェニレン）ビス（３−アミノベンズアミド）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−アミノフェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノフェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−アミノフェニル）イソフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノフェニル）イソフタルアミド、９，１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、２，２’−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２’−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２’−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２’−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２’−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２’−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２’−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２’−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）プロパン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）プロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）プロパン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ブタン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ブタン、１，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ペンタン、１，５−ビス（３−アミノフェノキシ）ペンタン、１，６−ビス（４−アミノフェノキシ）へキサン、１，６−ビス（３−アミノフェノキシ）へキサン、１，７−ビス（４−アミノフェノキシ）ヘプタン、１，７−（３−アミノフェノキシ）ヘプタン、１，８−ビス（４−アミノフェノキシ）オクタン、１，８−ビス（３−アミノフェノキシ）オクタン、１，９−ビス（４−アミノフェノキシ）ノナン、１，９−ビス（３−アミノフェノキシ）ノナン、１，１０−（４−アミノフェノキシ）デカン、１，１０−（３−アミノフェノキシ）デカン、１，１１−（４−アミノフェノキシ）ウンデカン、１，１１−（３−アミノフェノキシ）ウンデカン、１，１２−（４−アミノフェノキシ）ドデカン、１，１２−（３−アミノフェノキシ）ドデカン、４−（アミノメチル）アニリン、３−（アミノメチル）アニリン、４−（２−アミノエチル）アニリン、３−（２−アミノエチル）アニリン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノへキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン又は１，１２−ジアミノドデカンなどを挙げることができる。

また、本発明の効果を損なわない限りにおいて、ジアミン側鎖にアルキル基又はフッ素含有アルキル基を有するジアミン化合物を用いることができる。
具体的には、下記の式［ＤＡ１］〜［ＤＡ１２］で示されるジアミン化合物を例示することができる。

（Ｓ^１は、炭素数１以上２２以下のアルキル基又はフッ素含有アルキル基である。）

（Ｓ^２は、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＨ_２−、−Ｏ−、−ＣＯ−又はＮＨ−を示し、Ｓ^３は、炭素数１以上２２以下のアルキル基又はフッ素含有アルキル基を示す。）

（ｐは、１〜１０の整数である）。
加えて、本発明の効果を損なわない限りにおいて、下記の式［ＤＡ１３］〜［ＤＡ２０］で示されるジアミン化合物を用いることもできる。

（ｍは、０〜３の整数であり、ｎは、１〜５の整数である。）

さらに、本発明の効果を損なわない限りにおいて、下記の式［ＤＡ２１］〜［ＤＡ２５］で示される、分子内にカルボキシル基を有するジアミン化合物を用いることもできる。

（ｍ_１は、１〜４の整数であり、Ｓ^４は、単結合、−ＣＨ_２−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−ＣＦ_２−、−Ｃ（ＣＦ_３）−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−又はＮ（ＣＨ_３）ＣＯ−であり、ｍ_２及びｍ_３は、それぞれ０〜４の整数であり、かつｍ_２＋ｍ_３は、１〜４の整数である。ｍ_４及びｍ_５は、それぞれ１〜５の整数であり、Ｓ^５は、炭素数１〜５の直鎖又は分岐アルキル基であり、ｍ_６は、１〜５の整数である。Ｓ^６は、単結合、−ＣＨ_２−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−ＣＦ_２−、−Ｃ（ＣＦ_３）−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−又はＮ（ＣＨ_３）ＣＯ−であり、ｍ_７は、１〜４の整数である。）

上記の特定側鎖型ジアミン化合物及びその他ジアミン化合物は、液晶配向膜とした際の液晶配向性、電圧保持率、蓄積電荷などの特性に応じて、１種類又は２種類以上を混合して使用することもできる。
本発明の特定重合体を得るためには、下記式［３］で示されるテトラカルボン酸二無水物（特定テトラカルボン酸二無水物ともいわれる）を原料の一部に用いることが好ましい。

式［３］中、Ｚ^１は、炭素数４〜１３の４価の有機基であり、かつ炭素数４〜１０の非芳香族環状炭化水素基を含有する。
具体的には、下記の式［３ａ］〜［３ｊ］で示される構造の基である。

式［３ａ］中、Ｚ^２〜Ｚ^５はそれぞれ独立して水素原子、メチル基、塩素原子又はベンゼン環から選ばれる基であり、式［３ｇ］中、Ｚ^６、及びＺ^７はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基である。
式［３］中、Ｚ^１の特に好ましい構造は、重合反応性や合成の容易性から、式［３ａ］、式［３ｃ］、式［３ｄ］、式［３ｅ］、式［３ｆ］又は式［３ｇ］である。

本発明においては、本発明の効果を損なわない限りにおいて、特定テトラカルボン酸二無水物以外のその他のテトラカルボン酸二無水物（以下、その他テトラカルボン酸二無水物とも称する。）を用いることができる。その他テトラカルボン酸二無水物としては、以下に示すテトラカルボン酸のテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
ピロメリット酸、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸、１，２，５，６−アントラセンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３’，４−ビフェニルテトラカルボン酸、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン、２，３，４，５−ピリジンテトラカルボン酸、２，６−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ピリジン、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸又は１，３−ジフェニル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸。

上記の特定テトラカルボン酸二無水物及びその他テトラカルボン酸二無水物は、液晶配向膜とした際の液晶配向性、電圧保持率、蓄積電荷などの特性に応じて、１種類又は２種類以上を混合して使用することもできる。
本発明の特定重合体は、ポリイミド前駆体及びポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも１種の重合体であり、ポリイミド前駆体とは、式［Ａ］で示される構造である。

本発明において、特定重合体を合成する方法は特に限定されない。通常、ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物成分とを反応させて得られる。一般的には、テトラカルボン酸及びその誘導体からなる群から選ばれる少なくとも１種のテトラカルボン酸成分と、１種又は複数種のジアミン化合物からなるジアミン成分とを反応させて、ポリアミド酸を得る。ポリアミド酸アルキルエステルを得るには、ポリアミド酸のカルボキシル基をエステルに変換する方法が用いられる。さらに、ポリイミドを得るには、前記のポリアミド酸又はポリアミド酸アルキルエステルをイミド化してポリイミドとする方法が用いられる。

本発明の特定重合体を用いて得られる液晶配向膜は、上記ジアミン成分における特定側鎖型ジアミン化合物の含有割合が多くなるほど、液晶のプレチルト角を大きくすることができる。この特性を高める目的では、ジアミン成分の５〜８０モル％が特定側鎖型ジアミン化合物であることが好ましい。なかでも、液晶配向処理剤の塗布性や液晶配向膜としての電気特性の観点から、ジアミン成分の５〜６０モル％が特定側鎖型ジアミン化合物であることがより好ましい。
また、本発明の特定重合体を得るためには、テトラカルボン酸二無水物成分として特定テトラカルボン酸二無水物を用いることが好ましい。その際、テトラカルボン酸二無水物成分の１モル％以上が特定テトラカルボン酸二無水物であることが好ましく、より好ましくは、５モル％以上、さらに好ましくは、１０モル％以上である。また、テトラカルボン酸二無水物成分の１００モル％が特定テトラカルボン酸二無水物であってもよい。

ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物成分との反応は、通常、有機溶媒中で行う。その際に用いる有機溶媒としては、生成したポリイミド前駆体が溶解するものであれば特に限定されない。その具体例を以下に挙げる。
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタム、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、イソプロピルアルコール、メトキシメチルペンタノール、ジペンテン、エチルアミルケトン、メチルノニルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール、エチルカルビトール、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノプロピルエーテル、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、トリプロピレングリコールメチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、ジイソプロピルエーテル、エチルイソブチルエーテル、ジイソブチレン、アミルアセテート、ブチルブチレート、ブチルエーテル、ジイソブチルケトン、メチルシクロへキセン、プロピルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジオキサン、ｎ−へキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−オクタン、ジエチルエーテル、シクロヘキサノン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸メチルエチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、ジグライム、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンなどである。これらは単独で使用しても、混合して使用してもよい。さらに、ポリイミド前駆体を溶解させない溶媒であっても、生成したポリイミド前駆体が析出しない範囲で、上記溶媒に混合して使用してもよい。また、有機溶媒中の水分は重合反応を阻害し、さらには生成したポリイミド前駆体を加水分解させる原因となるので、有機溶媒は脱水乾燥させたものを用いることが好ましい。

ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物成分とを有機溶媒中で反応させる際には、ジアミン成分を有機溶媒に分散あるいは溶解させた溶液を攪拌させ、テトラカルボン酸二無水物成分をそのまま、又は有機溶媒に分散、あるいは溶解させて添加する方法、逆にテトラカルボン酸二無水物を有機溶媒に分散、あるいは溶解させた溶液にジアミン成分を添加する方法、テトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分とを交互に添加する方法などが挙げられ、これらのいずれの方法を用いてもよい。また、ジアミン成分又はテトラカルボン酸二無水物成分を、それぞれ複数種用いて反応させる場合は、あらかじめ混合した状態で反応させてもよく、個別に順次反応させてもよく、さらに個別に反応させた低分子量体を混合反応させ特定重合体としてもよい。その際の重合温度は−２０〜１５０℃の任意の温度を選択することができるが、好ましくは−５〜１００℃の範囲である。また、反応は任意の濃度で行うことができるが、濃度が低すぎると高分子量の特定重合体を得ることが難しくなり、濃度が高すぎると反応液の粘性が高くなり過ぎて均一な攪拌が困難となる。そのため、好ましくは１〜５０質量％、より好ましくは５〜３０質量％である。反応初期は高濃度で行い、その後、有機溶媒を追加することができる。

ポリイミド前駆体の重合反応においては、ジアミン成分の合計モル数とテトラカルボン酸二無水物成分の合計モル数の比は０．８〜１．２であることが好ましい。通常の重縮合反応同様、このモル比が１．０に近いほど生成するポリイミド前駆体の分子量は大きくなる。
本発明のポリイミドは前記のポリイミド前駆体を脱水閉環させて得られるポリイミドであり、液晶配向膜を得るための重合体として有用である。
本発明のポリイミドにおいて、アミド酸基の脱水閉環率（イミド化率）は、必ずしも１００％である必要はなく、用途や目的に応じて任意に調整することができる。
ポリイミド前駆体をイミド化させる方法としては、ポリイミド前駆体の溶液をそのまま加熱する熱イミド化又はポリイミド前駆体の溶液に触媒を添加する触媒イミド化が挙げられる。

ポリイミド前駆体を溶液中で熱イミド化させる場合の温度は、１００〜４００℃、好ましくは１２０〜２５０℃であり、イミド化反応により生成する水を系外に除きながら行う方が好ましい。

ポリイミド前駆体の触媒イミド化は、ポリイミド前駆体の溶液に、塩基性触媒と酸無水物とを添加し、−２０〜２５０℃、好ましくは０〜１８０℃で攪拌することにより行うことができる。塩基性触媒の量はアミド酸基の０．５〜３０モル倍、好ましくは２〜２０モル倍であり、酸無水物の量はアミド酸基の１〜５０モル倍、好ましくは３〜３０モル倍である。塩基性触媒としてはピリジン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミンなどを挙げることができ、中でもピリジンは反応を進行させるのに適度な塩基性を持つので好ましい。酸無水物としては、無水酢酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸などを挙げることができ、中でも無水酢酸を用いると反応終了後の精製が容易となるので好ましい。触媒イミド化によるイミド化率は、触媒量、反応温度、反応時間を調節することにより制御することができる。

ポリイミド前駆体又はポリイミドの反応溶液から、生成したポリイミド前駆体又はポリイミドを回収する場合には、反応溶液を溶媒に投入して沈殿させればよい。沈殿に用いる溶媒としてはメタノール、アセトン、ヘキサン、ブチルセルソルブ、ヘプタン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エタノール、トルエン、ベンゼン、水などを挙げることができる。溶媒に投入して沈殿させたポリマーは濾過して回収した後、常圧あるいは減圧下で、常温あるいは加熱して乾燥することができる。また、沈殿回収した重合体を、有機溶媒に再溶解させ、再沈殿回収する操作を２〜１０回繰り返すと、重合体中の不純物を少なくすることができる。この際の溶媒として、例えば、アルコール類、ケトン類、炭化水素などが挙げられ、これらの内から選ばれる３種類以上の溶媒を用いると、より一層精製の効率が上がるので好ましい。

本発明の特定重合体の分子量は、そこから得られる重合体被膜の強度、重合体被膜形成時の作業性、重合体被膜の均一性を考慮した場合、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）法で測定した重量平均分子量で５，０００〜１，０００，０００とするのが好ましく、より好ましくは、１０，０００〜１５０，０００である。

＜液晶配向処理剤＞
本発明の液晶配向処理剤は、液晶配向膜を形成するための塗布液であり、特定アミン化合物、特定重合体及び有機溶媒を含有する。
本発明の液晶配向処理剤における、特定アミン化合物の含有量は、特定重合体１００質量部に対して、０．１〜１５０質量部であることが好ましく、架橋反応が進行し所望の膜硬化性を発現し、かつ液晶の配向性を低下させないために、より好ましくは０．１〜１００質量部であり、特には、１〜５０質量部である。
本発明の液晶配向処理剤における重合体成分は、全てが本発明の特定重合体であってもよく、本発明の特定重合体にそれ以外の他の重合体が混合されていてもよい。その際、重合体成分中のそれ以外の他の重合体の含有量は０．５〜１５質量％、好ましくは１〜１０質量％である。それ以外の他の重合体としては、特定側鎖型ジアミン化合物を含まないジアミン成分と特定テトラカルボン酸二無水物を含まないテトラカルボン酸二無水物成分から得られるポリイミド前駆体又はポリイミドが挙げられる。さらには、ポリイミド前駆体及びポリイミド以外の重合体、具体的には、アクリルポリマー、メタクリルポリマー、ポリスチレン、ポリアミドなども挙げられる

本発明の液晶配向処理剤中の有機溶媒は、塗布により均一な重合体被膜を形成するという観点から、有機溶媒の含有量が７０〜９９質量％であることが好ましい。含有量は、目的とする液晶配向膜の膜厚によって適宜変更することができる。
その際の有機溶媒としては、上述した特定重合体を溶解させる有機溶媒であれば特に限定されない。より具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタム、２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニルピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、１，３−ジメチル−イミダゾリジノン、エチルアミルケトン、メチルノニルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、シクロヘキサノン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジグライム、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンなどが挙げられる。これらは単独で使用しても、混合して使用してもよい。

本発明の液晶配向処理剤は、本発明の効果を損なわない限り、エポキシ基、イソシアネート基又はオキセタン基を有する架橋性化合物、ヒドロキシル基又はアルコキシル基からなら群より選ばれる少なくとも１種の置換基を有する架橋性化合物、重合性不飽和結合を有する架橋性化合物等を含有することもできる。

エポキシ基又はイソシアネート基を有する架橋性化合物としては、例えば、ビスフェノールアセトングリシジルエーテル、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、テトラグリシジルアミノジフェニレン、テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、テトラグリシジル−１，３−ビス（アミノエチル）シクロヘキサン、テトラフェニルグリシジルエーテルエタン、トリフェニルグリシジルエーテルエタン、ビスフェノールヘキサフルオロアセトジグリシジルエーテル、１，３−ビス（１−（２，３−エポキシプロポキシ）−１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロメチル）ベンゼン、４，４−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）オクタフルオロビフェニル、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、テトラグリシジルメタキシレンジアミン、２−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−２−（４−（１，１−ビス（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）エチル）フェニル）プロパン、１，３−ビス（４−（１−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−１−（４−（１−（４−（２，３−エポキシプロポキシフェニル）−１−メチルエチル）フェニル）エチル）フェノキシ）−２−プロパノール等が挙げられる。

オキセタン基を有する架橋性化合物としては、下記の式［４］で示すオキセタン基を少なくとも２個有する架橋性化合物である。

具体的には、下記の式［４ａ］〜［４ｋ］で示される架橋性化合物である。

ヒドロキシル基又はアルコキシル基からなる群より選ばれる少なくとも１種の置換基を有する架橋性化合物としては、例えば、ヒドロキシル基又はアルコキシル基を有するアミノ樹脂、例えば、メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂、グリコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂、スクシニルアミド−ホルムアルデヒド樹脂、エチレン尿素−ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。具体的には、アミノ基の水素原子がメチロール基又はアルコキシメチル基又はその両方で置換されたメラミン誘導体、ベンゾグアナミン誘導体、又はグリコールウリルを用いることができる。このメラミン誘導体又はベンゾグアナミン誘導体は、２量体又は３量体として存在することも可能である。これらはトリアジン環１個当たり、メチロール基又はアルコキシメチル基を平均３〜６個有するものが好ましい。

このようなメラミン誘導体又はベンゾグアナミン誘導体の例としては、市販品のトリアジン環１個当たりメトキシメチル基が平均３．７個置換されているＭＸ−７５０、トリアジン環１個当たりメトキシメチル基が平均５．８個置換されているＭＷ−３０（以上、三和ケミカル社製）、サイメル３００、３０１、３０３、３５０、３７０、７７１、３２５、３２７、７０３、７１２などのメトキシメチル化メラミン、サイメル２３５、２３６、２３８、２１２、２５３、２５４などのメトキシメチル化ブトキシメチル化メラミン、サイメル５０６、５０８などのブトキシメチル化メラミン、サイメル１１４１などのカルボキシル基含有メトキシメチル化イソブトキシメチル化メラミン、サイメル１１２３などのメトキシメチル化エトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２３−１０などのメトキシメチル化ブトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２８などのブトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２５−８０などのカルボキシル基含有メトキシメチル化エトキシメチル化ベンゾグアナミン（以上、三井サイアナミド社製）等が挙げられる。また、グリコールウリルの例として、サイメル１１７０などのブトキシメチル化グリコールウリル、サイメル１１７２などのメチロール化グリコールウリル、パウダーリンク１１７４などのメトキシメチロール化グリコールウリル等が挙げられる。

ヒドロキシル基又はアルコキシル基を有するベンゼン、又はフェノール性化合物も架橋性化合物として例示できる。例えば、１，３，５−トリス（メトキシメチル）ベンゼン、１，２，４−トリス（イソプロポキシメチル）ベンゼン、１，４−ビス（ｓｅｃ−ブトキシメチル）ベンゼン、２，６−ジヒドロキシメチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール等が挙げられる。

重合性不飽和結合を有する架橋性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリ（メタ）アクリロイルオキシエトキシトリメチロールプロパン、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）アクリレート等の重合性不飽和基を分子内に３個有する架橋性化合物；エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイドビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイドビスフェノール型ジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート等の重合性不飽和基を分子内に２個有する架橋性化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロピルフタレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルリン酸エステル、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド等の重合性不飽和基を分子内に１個有する架橋性化合物が挙げられる。

加えて、下記の式［５］で示される化合物も架橋性化合物として例示できる。

（Ｅ^１は、シクロヘキサン環、ビシクロヘキサン環、ベンゼン環、ビフェニル環、ターフェニル環、ナフタレン環、フルオレン環、アントラセン環又はフェナントレン環から選ばれる１価の基であり、Ｅ^２は、下記の式［５ａ］又は［５ｂ］から選ばれる１価の基であり、ｎは、１〜４の整数である。）

上記化合物は架橋性化合物の一例であり、これらに限定されるものではない。また、本発明の液晶配向処理剤に含有される架橋性化合物は、１種類であってもよく、２種類以上組み合わせてもよい。
本発明の液晶配向処理剤における、架橋性化合物の含有量は、重合体成分１００質量部に対して、０．１〜１５０質量部であることが好ましく、架橋反応が進行し目的の効果を発現し、かつ液晶の配向性を低下させないために、より好ましくは０．１〜１００質量部であり、特には、１〜５０質量部である。

液晶配向膜中の電荷移動を促進し、該液晶配向膜を用いた液晶セルの電荷抜けを促進させる化合物として、下記の式［Ｍ１］〜［Ｍ１５６］で示される窒素含有複素環アミン化合物を添加することが好ましい。このアミン化合物は、特定重合体の溶液に直接添加しても構わないが、適当な溶媒で濃度０．１〜１０質量％、好ましくは１〜７質量％の溶液にしてから添加するのが好ましい。溶媒としては、上述した特定重合体を溶解させる有機溶媒であれば特に限定されない。

本発明の液晶配向処理剤は、本発明の効果を損なわない限り、液晶配向処理剤を塗布した際の重合体被膜の膜厚の均一性や表面平滑性を向上させる有機溶媒（貧溶媒ともいわれる）又は化合物を含有することができる。さらに、液晶配向膜と基板との密着性を向上させる化合物などを含有することもできる。

膜厚の均一性や表面平滑性を向上させる貧溶媒の具体例としては、次のものが挙げられる。
例えば、イソプロピルアルコール、メトキシメチルペンタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール、エチルカルビトール、エチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノプロピルエーテル、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、トリプロピレングリコールメチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、ジイソプロピルエーテル、エチルイソブチルエーテル、ジイソブチレン、アミルアセテート、ブチルブチレート、ブチルエーテル、ジイソブチルケトン、メチルシクロへキセン、プロピルエーテル、ジヘキシルエーテル、ｎ−へキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−オクタン、ジエチルエーテル、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸メチルエチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、１−ブトキシ−２−プロパノール、１−フェノキシ−２−プロパノール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート、プロピレングリコール−１−モノエチルエーテル−２−アセテート、ジプロピレングリコール、２−（２−エトキシプロポキシ）プロパノール、乳酸メチルエステル、乳酸エチルエステル、乳酸ｎ−プロピルエステル、乳酸ｎ−ブチルエステル、乳酸イソアミルエステルなどの低表面張力を有する有機溶媒が挙げられる。

これらの貧溶媒は１種類でも複数種類を混合して用いてもよい。上記のような貧溶媒を用いる場合は、液晶配向処理剤に含まれる有機溶媒全体の５〜８０質量％であるのが好ましく、より好ましくは２０〜６０質量％である。
膜厚の均一性や表面平滑性を向上させる化合物としては、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ノ二オン系界面活性剤などが挙げられる。
より具体的には、例えば、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ社製）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ−３０（大日本インキ社製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム社製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ1０５、ＳＣ１０６（旭硝子社製）などが挙げられる。これらの界面活性剤の使用割合は、液晶配向処理剤に含有される重合体成分の１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜２質量部、より好ましくは０．０１〜１質量部である。

液晶配向膜と基板との密着性を向上させる化合物の具体例としては、以下に示す官能性シラン含有化合物やエポキシ基含有化合物が挙げられる。
例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル−１,４,７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−１,４,７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル−３,６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシシリル−３,６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１,６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、２,２−ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１,３,５,６−テトラグリシジル−２,４−ヘキサンジオール、Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’,−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１,３−ビス（Ｎ,Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’,−テトラグリシジル−４、４’−ジアミノジフェニルメタンなどが挙げられる。

基板との密着性を向上させる化合物を使用する場合は、液晶配向処理剤に含有される重合体成分の１００質量部に対して０．１〜３０質量部であることが好ましく、より好ましくは１〜２０質量部である。０．１質量部未満であると密着性向上の効果は期待できず、３０質量部よりも多くなると液晶の配向性が悪くなる場合がある。
本発明の液晶配向処理剤には、上記の架橋性化合物、貧溶媒及び密着性を向上させる化合物の他に、本発明の効果が損なわれない範囲であれば、液晶配向膜の誘電率や導電性などの電気特性を変化させる目的の誘電体や導電物質を添加してもよい。

＜液晶配向膜・液晶表示素子＞
本発明の液晶配向処理剤は、基板上に塗布、焼成した後、ラビング処理や光照射などで配向処理をして、液晶配向膜として用いることができる。また、垂直配向用途などの場合では、配向処理なしでも液晶配向膜として用いることができる。この際に用いる基板としては、透明性の高い基板であれば特に限定されず、ガラス基板の他、アクリル基板やポリカーボネート基板などのプラスチック基板なども用いることができる。プロセスの簡素化の観点からは、液晶駆動のためのＩＴＯ電極などが形成された基板を用いることが好ましい。また、反射型の液晶表示素子では、片側の基板のみにならばシリコンウェハなどの不透明な基板も使用でき、この場合の電極としてはアルミなどの光を反射する材料も使用できる。

液晶配向処理剤の塗布方法は特に限定されないが、工業的には、スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷、インクジェットなどで行う方法が一般的である。その他の塗布方法としては、ディップ、ロールコータ、スリットコータ、スピンナーなどがあり、目的に応じてこれらを用いてもよい。

液晶配向処理剤を基板上に塗布した後は、ホットプレートなどの加熱手段により５０〜３００℃、好ましくは８０〜２５０℃で溶媒を蒸発させて重合体被膜とすることができる。焼成後の重合体被膜の厚みは、厚すぎると液晶表示素子の消費電力の面で不利となり、薄すぎると液晶表示素子の信頼性が低下する場合があるので、好ましくは５〜３００ｎｍ、より好ましくは１０〜１００ｎｍである。液晶を水平配向や傾斜配向させる場合は、焼成後の重合体被膜をラビング又は偏光紫外線照射などで処理する。

本発明の液晶表示素子は、上記した手法により、本発明の液晶配向処理剤から液晶配向膜付き基板を得た後、公知の方法で液晶セルを作製して液晶表示素子としたものである。
液晶セルの作製方法としては、液晶配向膜の形成された一対の基板を用意し、片方の基板の液晶配向膜上にスペーサを散布し、液晶配向膜面が内側になるようにして、もう片方の基板を貼り合わせ、液晶を減圧注入して封止する方法、又は、スペーサを散布した液晶配向膜面に液晶を滴下した後に基板を貼り合わせて封止を行う方法などが例示できる。

さらに、本発明の液晶配向処理剤は、電極を備えた一対の基板の間に液晶層を有してなり、一対の基板の間に活性エネルギー線及び熱の少なくとも一方により重合する重合性化合物を含む液晶組成物を配置し、電極間に電圧を印加しつつ、活性エネルギー線の照射及び加熱の少なくとも一方により重合性化合物を重合させる工程を経て製造される液晶表示素子にも好ましく用いられる。ここで、活性エネルギー線としては、紫外線が好適である。

上記の液晶表示素子は、ＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式により、液晶分子のプレチルト角の大きさを制御するものである。ＰＳＡ方式では、液晶材料中に少量の光重合性化合物、例えば光重合性モノマーを混入しておき、液晶セルを組み立てた後、液晶層に所定の電圧を印加した状態で光重合性化合物に紫外線などを照射し、生成した重合体によって液晶分子のプレチルト角の大きさを制御する。重合体が生成するときの液晶分子の配向状態が電圧を取り去った後においても記憶されるので、液晶層に形成される電界などを制御することにより、液晶分子のプレチルト角の大きさを調整することができる。また、ＰＳＡ方式では、ラビング処理を必要としないので、ラビング処理によってプレチルト角の大きさを制御することが難しい垂直配向型の液晶層の形成に適している。
すなわち、本発明の液晶表示素子は、上記した手法により本発明の液晶配向処理剤から液晶配向膜付き基板を得た後、液晶セルを作製し、紫外線の照射及び加熱の少なくとも一方により重合性化合物を重合することで液晶分子の配向を制御するものとすることができる。

液晶セル作製の一例を挙げるならば、液晶配向膜の形成された一対の基板を用意し、片方の基板の液晶配向膜上にスペーサを散布し、液晶配向膜面が内側になるようにして、もう片方の基板を貼り合わせ、液晶を減圧注入して封止する方法、又は、スペーサを散布した液晶配向膜面に液晶を滴下した後に、基板を貼り合わせて封止を行う方法などが挙げられる。

液晶には、熱や紫外線照射により重合する重合性化合物が混合される。
重合性化合物としては、アクリレート基やメタクリレート基等の重合性不飽和基を分子内に１個以上有する化合物が挙げられる。その際、重合性化合物は、液晶成分の１００質量部に対して０．０１〜１０質量部であることが好ましく、より好ましくは０．１〜５質量部である。重合性化合物が０．０１質量部未満であると、重合性化合物が重合せずに液晶の配向の制御ができなくなり、１０質量部よりも多くなると、未反応の重合性化合物が多くなって、液晶表示素子の焼き付き特性が低下する。

液晶セルを作製した後は、液晶セルに交流又は直流の電圧を印加しながら、熱や紫外線を照射して重合性化合物を重合する。これにより、液晶分子の配向を制御することができる。
さらに、本発明の液晶配向処理剤は、電極を備えた一対の基板の間に液晶層を有してなり、前記一対の基板の間に活性エネルギー線及び熱の少なくとも一方により重合する重合性基を含む液晶配向膜を配置し、電極間に電圧を印加する工程を経て製造される液晶表示素子にも好ましく用いられる。ここで、活性エネルギー線としては、紫外線が好適である。
活性エネルギー線及び熱の少なくとも一方により重合する重合性基を含む液晶配向膜を得るためには、該重合性基を含む化合物を液晶配向処理剤中に添加する方法や、重合性基を含む重合体成分を用いる方法が挙げられる。重合性基としては、アクリル基、メタクリル基、ビニル基、マレイミド基等の重合性不飽和基が挙げられる。

本発明の液晶配向処理剤は、熱や紫外線の照射により、反応する二重結合部位を持つ特定アミン化合物を含んでいるため、紫外線の照射及び加熱の少なくとも一方により液晶分子の配向を制御することができる。
液晶セル作製の一例を挙げるならば、液晶配向膜の形成された一対の基板を用意し、片方の基板の液晶配向膜上にスペーサを散布し、液晶配向膜面が内側になるようにして、もう片方の基板を貼り合わせ、液晶を減圧注入して封止する方法、又は、スペーサを散布した液晶配向膜面に液晶を滴下した後に基板を貼り合わせて封止を行う方法などが挙げられる。
液晶セルを作製した後は、液晶セルに交流又は直流の電圧を印加しながら、熱や紫外線を照射することで、液晶分子の配向を制御することができる。
以上のようにして、本発明の液晶配向処理剤を用いて作製された液晶表示素子は、信頼性に優れたものとなり、大画面で高精細の液晶テレビなどに好適に利用できる。

以下に実施例を挙げ、本発明をさらに詳しく説明するが、これらに限定されるものではない。

「ポリイミド前駆体及びポリイミドの合成」
実施例において用いた化合物の略号は、以下のとおりである。
（テトラカルボン酸二無水物）
ＣＢＤＡ：１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物
ＢＯＤＡ：ビシクロ［３，３，０］オクタン−２，４，６，８−テトラカルボン酸二無水物
ＴＣＡ：下記の式で示されるテトラカルボン酸二無水物

（特定側鎖型ジアミン化合物）
ＰＣＨ７ＤＡＢ：１，３−ジアミノ−４−〔４−（トランス−４−ｎ−ヘプチルシクロへキシル）フェノキシ〕ベンゼン
ＰＢＣＨ５ＤＡＢ：１，３−ジアミノ−４−{４−〔トランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロへキシル）シクロへキシル〕フェノキシ}ベンゼン
ＣｏｌＤＡＢ−１：下記の式で示される特定側鎖型ジアミン化合物

（その他ジアミン化合物）
ｐ−ＰＤＡ：ｐ−フェニレンジアミン
ｍ−ＰＤＡ：ｍ−フェニレンジアミン
ＤＢＡ：３，５−ジアミノ安息香酸

（特定アミン化合物）
Ａ−１：下記の式で示される特定アミン化合物

（アミン化合物）
Ｂ−１：下記の式で示されるアミン化合物

（有機溶媒）
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
ＢＣＳ：ブチルセロソルブ

（ポリイミド前駆体及びポリイミドの分子量測定）
合成例におけるポリイミドの分子量は、常温ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）装置（ＧＰＣ−１０１）（昭和電工社製）、カラム（ＫＤ−８０３、ＫＤ−８０５）（Ｓｈｏｄｅｘ製）を用いて、以下のようにして測定した。
カラム温度：５０℃
溶離液：Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド（添加剤として、臭化リチウム−水和物（ＬｉＢｒ・Ｈ_２Ｏ）が３０ｍｍｏｌ／Ｌ、リン酸・無水結晶（ｏ−リン酸）が３０ｍｍｏｌ／Ｌ、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）が１０ｍｌ／Ｌ）
流速：１．０ｍｌ／分
検量線作成用標準サンプル：ＴＳＫ 標準ポリエチレンオキサイド（分子量 約９００,０００、１５０,０００、１００,０００、３０,０００）（東ソー社製）及びポリエチレングリコール（分子量 約１２,０００、４,０００、１,０００）（ポリマーラボラトリー社製）

（イミド化率の測定）
合成例におけるポリイミドのイミド化率は、次のようにして測定した。ポリイミド粉末２０ｍｇをＮＭＲサンプル管（ＮＭＲサンプリングチューブスタンダード、φ５（草野科学社製））に入れ、重水素化ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ−ｄ６、０．０５質量％ＴＭＳ（テトラメチルシラン）混合品）（０.５３ｍｌ）を添加し、超音波をかけて完全に溶解させた。この溶液をＮＭＲ（核磁気共鳴）測定機（ＪＮＷ−ＥＣＡ５００）（日本電子データム社製）にて５００ＭＨｚのプロトンＮＭＲを測定した。イミド化率は、イミド化前後で変化しない構造に由来するプロトンを基準プロトンとして決め、このプロトンのピーク積算値と、９.５〜１０.０ｐｐｍ付近に現れるアミド酸のＮＨ基に由来するプロトンピーク積算値とを用い、以下の式によって求めた。
イミド化率（％）＝（１−α・ｘ／ｙ）×１００
上記式において、ｘはアミド酸のＮＨ基由来のプロトンピーク積算値、ｙは基準プロトンのピーク積算値、αはポリアミド酸（イミド化率が０％）の場合におけるアミド酸のＮＨ基プロトン１個に対する基準プロトンの個数割合である。

＜合成例１＞
ＢＯＤＡ（５．６１ｇ，２２．４ｍｍｏｌ）、ＰＣＨ７ＤＡＢ（５．３４ｇ，１４．０ｍｍｏｌ）、及びｐ−ＰＤＡ（１．５２ｇ，１４．０ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（２２．４ｇ）中で混合し、８０℃で５時間反応させた。その後、ＣＢＤＡ（１．１０ｇ，５．６０ｍｍｏｌ）とＮＭＰ（１８．３ｇ）を加え、４０℃で６時間反応させ、樹脂固形分濃度が、２５．０質量％のポリアミド酸溶液（Ａ）を得た。このポリアミド酸の数平均分子量は２７，４００、重量平均分子量は７９，１００であった。

＜合成例２＞
合成例１で得られた樹脂固形分濃度が２５．０質量％のポリアミド酸溶液（Ａ）（２０．０ｇ）に、ＮＭＰを加えて６質量％に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸（２．５１ｇ）、及びピリジン（１．９０ｇ）を加え、８０℃で３．５時間反応させた。この反応溶液をメタノール（３５０ｍｌ）中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、１００℃で減圧乾燥し、ポリイミド粉末（Ｂ）を得た。このポリイミドのイミド化率は５２％であり、数平均分子量は２３，１００、重量平均分子量は５６，２００であった。

＜合成例３＞
ＢＯＤＡ（５．７２ｇ，２２．８ｍｍｏｌ）、ＰＢＣＨ５ＤＡＢ（３．７１ｇ，８．５７ｍｍｏｌ）、及びＤＢＡ（３．０４ｇ，２０．０ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（２２．４ｇ）中で混合し、８０℃で５時間反応させた。その後、ＣＢＤＡ（１．１２ｇ，５．７４ｍｍｏｌ）とＮＭＰ（１８．３ｇ）を加え、４０℃で６時間反応させ、樹脂固形分濃度が、２５．０質量％のポリアミド酸溶液を得た。
得られたポリアミド酸溶液（２０．２ｇ）に、ＮＭＰを加えて６質量％に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸（４．５５ｇ）、及びピリジン（３．３０ｇ）を加え、９０℃で３時間反応させた。この反応溶液をメタノール（４００ｍｌ）中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、１００℃で減圧乾燥し、ポリイミド粉末（Ｃ）を得た。このポリイミドのイミド化率は８０％であり、数平均分子量は２０，７００、重量平均分子量は５１，３００であった。

＜合成例４＞
ＢＯＤＡ（５．８７ｇ，２３．５ｍｍｏｌ）、ＣｏｌＤＡＢ−１（２．１７ｇ，４．４０ｍｍｏｌ）、及びＤＢＡ（３．７９ｇ，２４．９ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（２１．４ｇ）中で混合し、８０℃で４時間反応させた。その後、ＣＢＤＡ（１．１５ｇ，５．８０ｍｍｏｌ）とＮＭＰ（１７．５ｇ）を加え、４０℃で５時間反応させ、樹脂固形分濃度が２５．０質量％のポリアミド酸溶液を得た。
得られたポリアミド酸溶液（２０．０ｇ）に、ＮＭＰを加えて６質量％に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸（２．５０ｇ）、及びピリジン（１．９５ｇ）を加え、８０℃で４時間反応させた。この反応溶液をメタノール（３５０ｍｌ）中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、１００℃で減圧乾燥し、ポリイミド粉末（Ｄ）を得た。このポリイミドのイミド化率は５４％であり、数平均分子量は２１，５００、重量平均分子量は５４，５００であった。

＜合成例５＞
ＴＣＡ（４．１０ｇ，１８．３ｍｍｏｌ）、ＰＣＨ７ＤＡＢ（３．４８ｇ，９．１５ｍｍｏｌ）、及びｐ−ＰＤＡ（０．９９ｇ，９．１５ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（２５．７ｇ）中で混合し、４０℃で６時間反応させ、樹脂固形分濃度が２５．０質量％のポリアミド酸溶液（Ｅ）を得た。このアミド酸の数平均分子量は２８，９００、重量平均分子量は７９，２００であった。

＜合成例６＞
ＴＣＡ（３．１１ｇ，１３．９ｍｍｏｌ）、ＰＢＣＨ５ＤＡＢ（１．８０ｇ，４．１７ｍｍｏｌ）、及びｍ−ＰＤＡ（１．０５ｇ，９．７２ｍｍｏｌ）をＮＭＰ（１７．８ｇ）中で混合し、４０℃で６時間反応させ、樹脂固形分濃度が２５．０質量％のポリアミド酸溶液を得た。
得られたポリアミド酸溶液（２０．０ｇ）に、ＮＭＰを加えて６質量％に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸（２．５０ｇ）、及びピリジン（１．９５ｇ）を加え、８０℃で４時間反応させた。この反応溶液をメタノール（３５０ｍｌ）中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、１００℃で減圧乾燥し、ポリイミド粉末（Ｆ）を得た。このポリイミドのイミド化率は５５％であり、数平均分子量は１９，５００、重量平均分子量は５０，３００であった。
上記合成例で得たポリアミド酸及びポリイミドを表３３に示す。

＊１：ポリアミド酸。

「液晶配向処理剤の製造」
実施例１〜６及び比較例１〜４は、評価用の液晶配向処理剤の製造例を記載する。結果を表３４及び３５に示す。
「液晶配向膜の作製」、「ラビング処理耐性の評価」、「液晶セル（通常セルとも称する）の作製」、「液晶セル（ＰＳＡセル）の作製」及び「電気特性の評価」は、下記のとおりである。また、実施例１〜６及び比較例１〜４で得られた各液晶配向処理剤の特性を、表３６〜３８に示す。表３６にラビング処理耐性の評価結果を、表３７に通常セルを用いた電気特性の評価結果を、さらに、表３８にＰＳＡセルを用いた電気特性の評価結果を示す。

「液晶配向膜の作製」
液晶配向処理剤を、３０ｍｍ×４０ｍｍＩＴＯ電極付き基板のＩＴＯ面にスピンコートし、ホットプレート上にて８０℃で５分間、熱循環型クリーンオーブン中にて２２０℃で３０分間、加熱処理をして膜厚１００ｎｍのポリイミド液晶配向膜付きの基板を得た。

「ラビング処理耐性の評価」
上記の「液晶配向膜の作製」で得られた液晶配向膜付きの基板の塗膜面をロール径１２０ｍｍのラビング装置でレーヨン布を用いて、ロール回転数３００ｒｐｍ、ロール進行速度２０ｍｍ／ｓｅｃ、押し込み量０．４ｍｍの条件でラビング処理した。ラビング処理後の基板の中心付近の液晶配向膜の表面を、倍率１００倍に設定したレーザー顕微鏡で無作為に５箇所観察し、観察視野である約６．５ｍｍ四方の範囲に確認されるラビング傷及びラビング削れカス（付着物）量の平均値から、ラビング処理耐性を評価した。なお、評価基準は次のように定めた。
（評価基準）
Ａ：ラビング傷やラビング削れカス２０個以下
Ｂ：ラビング傷やラビング削れカスが２０〜４０個
Ｃ：ラビング傷やラビング削れカスが４０〜６０個
Ｄ：ラビング傷やラビング削れカスが６０個以上

「液晶セル（通常セル）の作製」
液晶配向処理剤を、３０ｍｍ×４０ｍｍＩＴＯ電極付き基板のＩＴＯ面にスピンコートし、ホットプレート上にて８０℃で５分間、熱循環型クリーンオーブン中にて２２０℃で３０分間、加熱処理をして膜厚１００ｎｍのポリイミド液晶配向膜付きのＩＴＯ基板を得た。このＩＴＯ基板の塗膜面をロール径１２０ｍｍのラビング装置でレーヨン布を用いて、ロール回転数１０００ｒｐｍ、ロール進行速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、押し込み量０．１ｍｍの条件でラビング処理した。
得られた液晶配向膜付きのＩＴＯ基板を２枚用意し、液晶配向膜面を内側にして６μｍのスペーサーを挟んで組み合わせ、シール剤で周囲を接着して空セルを作製した。この空セルに減圧注入法によって、ＭＬＣ−６６０８（メルク・ジャパン社製）を注入し、注入口を封止して液晶セル（通常セル）を得た。
実施例及び比較例で得られた液晶セルについて、偏光顕微鏡観察により液晶の配向均一性を確認した。いずれの液晶セルとも、ラビング処理に伴う削れや配向不良はなく、液晶は均一に配向していた。

「液晶セル（ＰＳＡセル）の作製」
液晶配向処理剤を、中心に１０ｍｍ×１０ｍｍのパターン間隔２０μｍのＩＴＯ電極付き基板と中心に１０ｍｍ×４０ｍｍのＩＴＯ電極付き基板のＩＴＯ面にスピンコートし、ホットプレート上にて、８０℃で５分間、熱循環型クリーンオーブン中にて、２２０℃で３０分間、加熱処理をして、膜厚１００ｎｍのポリイミド塗膜を得た。塗膜面を純水にて洗浄し、その後、熱循環型クリーンオーブン中にて、１００℃で１５分加熱処理をして、液晶配向膜付き基板を得た。
この液晶配向膜付き基板を、液晶配向膜面を内側にして、６μｍのスペーサーを挟んで組み合わせ、シール剤で周囲を接着して空セルを作製した。この空セルに減圧注入法によって、ＭＬＣ−６６０８（メルク・ジャパン社製）に、下記の式で示される重合性化合物（１）を、ＭＬＣ−６６０８の１００質量％に対して重合性化合物を０．３質量％混合した液晶を注入し、注入口を封止して、液晶セルを得た。

得られた液晶セルに、交流５Ｖの電圧を印加しながら、照度６０ｍＷのメタルハライドランプを用いて、３５０ｎｍ以下の波長をカットし、３６５ｎｍ換算で２０Ｊ／ｃｍ^２の紫外線照射を行い、液晶の配向方向が制御された液晶セル（ＰＳＡセル）を得た。液晶セルに紫外線を照射している際の照射装置内の温度は、５０℃であった。

この液晶セルの紫外線照射前と紫外線照射後の液晶の応答速度を測定した。応答速度は、透過率９０％から透過率１０％までのＴ９０→Ｔ１０を測定した。実施例及び比較例で得られたＰＳＡセルは、紫外線照射前の液晶セルに比べて、紫外線照射後の液晶セルの応答速度が早くなったことから、液晶の配向方向が制御されたことを確認した。
また、いずれの液晶セルとも、偏光顕微鏡観察により、液晶は均一に配向していることを確認した。

「電気特性の評価」
上記の「液晶セル（通常セル）の作製」及び「液晶セル（ＰＳＡセル）の作製」で得られた液晶セルに、８０℃の温度下で１Ｖの電圧を６０μｍ印加し、１６．６７ｍｓ後、及び５０ｍｓ後の電圧を測定し、電圧がどのくらい保持できているかを電圧保持率として計算した。なお、測定は、ＶＨＲ−１電圧保持率測定装置（東陽テクニカ社製）を使用し、Ｖｏｌｔａｇｅ：±１Ｖ、Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ：６０μｓ、Ｆｌａｍｅ Ｐｅｒｉｏｄ：１６．６７ｍｓ又は５０ｍｓの設定で行った。
電圧保持率の測定が終了した液晶セルに、３６５ｎｍ換算で５０Ｊ／ｃｍ^２の紫外線を照射した後、同様条件にて、ＶＨＲの測定を行った。なお、紫外線照射は、卓上型ＵＶ硬化装置（ＨＣＴ３Ｂ２８ＨＥＸ−１）（センライト社製（ＳＥＮ ＬＩＧＨＴ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ））を用いて行った。

＜実施例１＞
合成例１で得られた樹脂固形分濃度２５．０質量％のポリアミド酸溶液（Ａ）（１０．０ｇ）に、ＮＭＰ（５．８３ｇ）、Ａ−１のＮＭＰ溶液（２．５０ｇ）（Ａ−１が５．０質量％のＮＭＰ溶液）、及びＢＣＳ（２３．５ｇ）を加え、２５℃にて２時間攪拌して、液晶配向処理剤（１）を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤（１）を用いて、上述した条件にて、ラビング処理耐性の評価及び通常セルの電気特性の評価を行った。

＜実施例２＞
合成例２で得られたポリイミド粉末（Ｂ）（２．５１ｇ）に、ＮＭＰ（１２．６ｇ）を加え、７０℃にて２４時間攪拌して溶解させた。この溶液に、Ａ−１のＮＭＰ溶液（２．５１ｇ）（Ａ−１が５．０質量％のＮＭＰ溶液）、ＮＭＰ（７．２７ｇ）、及びＢＣＳ（１９．７ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌して、液晶配向処理剤（２）を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤（２）を用いて、上述した条件にて、ラビング処理耐性の評価、通常セル及びＰＳＡセルの電気特性の評価を行った。

＜実施例３＞
合成例３で得られたポリイミド粉末（Ｃ）（２．４８ｇ）に、ＮＭＰ（１１．８ｇ）を加え、７０℃にて２４時間攪拌して溶解させた。この溶液に、Ａ−１のＮＭＰ溶液（３．４７ｇ）（Ａ−１が５．０質量％のＮＭＰ溶液）、ＮＭＰ（８．７０ｇ）、及びＢＣＳ（１７．５ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌して、液晶配向処理剤（３）を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤（３）を用いて、上述した条件にて、ラビング処理耐性の評価及び通常セルの電気特性の評価を行った。

＜実施例４＞
合成例４で得られたポリイミド粉末（Ｄ）（２．５０ｇ）に、ＮＭＰ（１４．２ｇ）を加え、７０℃にて２４時間攪拌して溶解させた。この溶液に、Ａ−１のＮＭＰ溶液（２．５０ｇ）（Ａ−１が５．０質量％のＮＭＰ溶液）、ＮＭＰ（１３．３０ｇ）、及びＢＣＳ（１１．８ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌して、液晶配向処理剤（４）を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤（４）を用いて、上述した条件にて、ラビング処理耐性の評価及び通常セルの電気特性の評価を行った。

＜実施例５＞
合成例５で得られた樹脂固形分濃度２５．０質量％のポリアミド酸溶液（Ｅ）（１０．０ｇ）に、ＮＭＰ（７．７３ｇ）、Ａ−１のＮＭＰ溶液（２．５０ｇ）（Ａ−１が５．０質量％のＮＭＰ溶液）、及びＢＣＳ（２１．５ｇ）を加え、２５℃にて２時間攪拌して、液晶配向処理剤（５）を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤（５）を用いて、上述した条件にて、ラビング処理耐性の評価及び通常セルの電気特性の評価を行った。

＜実施例６＞
合成例６で得られたポリイミド粉末（Ｆ）（２．５１ｇ）に、ＮＭＰ（１６．７ｇ）を加え、７０℃にて２４時間攪拌して溶解させた。この溶液に、Ａ−１のＮＭＰ溶液（５．０２ｇ）（Ａ−１が５．０質量％のＮＭＰ溶液）、ＮＭＰ（８．２８ｇ）、及びＢＣＳ（１１．８ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌して、液晶配向処理剤（６）を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤（６）を用いて、上述した条件にて、ラビング処理耐性の評価及び通常セルの電気特性の評価を行った。

＜比較例１＞
合成例１で得られた樹脂固形分濃度２５．０質量％のポリアミド酸溶液（Ａ）（１０．０ｇ）に、ＮＭＰ（８．２０ｇ）、及びＢＣＳ（２３．５ｇ）を加え、２５℃にて２時間攪拌して、液晶配向処理剤（７）を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤（７）を用いて、上述した条件にて、ラビング処理耐性の評価及び通常セルの電気特性の評価を行った。

＜比較例２＞
合成例２で得られたポリイミド粉末（Ｂ）（２．５１ｇ）に、ＮＭＰ（１４．８ｇ）を加え、７０℃にて２４時間攪拌して溶解させた。この溶液に、ＮＭＰ（７．４０ｇ）、及びＢＣＳ（１９．６ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌して、液晶配向処理剤（８）を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤（８）を用いて、上述した条件にて、ラビング処理耐性の評価、通常セル及びＰＳＡセルの電気特性の評価を行った。

＜比較例３＞
合成例１で得られた樹脂固形分濃度２５．０質量％のポリアミド酸溶液（Ａ）（１０．５ｇ）に、ＮＭＰ（６．１０ｇ）、Ｂ−１のＮＭＰ溶液（２．６３ｇ）（Ｂ−１が５．０質量％のＮＭＰ溶液）、及びＢＣＳ（２４．７ｇ）を加え、２５℃にて２時間攪拌して、液晶配向処理剤（９）を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤（９）を用いて、上述した条件にて、ラビング処理耐性の評価及び通常セルの電気特性の評価を行った。

＜比較例４＞
合成例２で得られたポリイミド粉末（Ｂ）（２．５０ｇ）に、ＮＭＰ（１３．２ｇ）を加え、７０℃にて２４時間攪拌して溶解させた。この溶液に、Ｂ−１のＮＭＰ溶液（２．５０ｇ）（Ｂ−１が５．０質量％のＮＭＰ溶液）、ＮＭＰ（６．５８ｇ）、及びＢＣＳ（１９．６ｇ）を加え、５０℃にて１５時間攪拌して、液晶配向処理剤（１０）を得た。この液晶配向処理剤に、濁りや析出などの異常は見られず、均一な溶液であることが確認された。
得られた液晶配向処理剤（１０）を用いて、上述した条件にて、ラビング処理耐性の評価、通常セル及びＰＳＡセルの電気特性の評価を行った。

上記の結果から、本発明の実施例の液晶配向処理剤から得られた液晶配向膜は、比較例の液晶配向処理剤から得られる液晶配向膜に比べて、ラビング処理によるラビング削れカスが少なく、さらに、長時間、紫外線に曝された後であっても、電圧保持率の低下が小さいことがわかった。
特定アミン化合物を含まない比較例１及び比較例２と、二重結合部位を持たないアミン化合物（Ｂ−１）を用いた比較例３及び比較例４は、ラビング処理によるラビング削れカスも多く、さらに、長時間、紫外線に曝された後の電圧保持率の低下も大きかった。

本発明の液晶配向処理剤からは、液晶表示素子の製造プロセス中のラビング処理に伴う重合体被膜の削れカスやラビング処理に伴う傷が発生しにくく、さらに、長時間、光の照射に曝されても、電圧保持率の低下を抑制することができる液晶配向膜を得ることができる。本発明の液晶配向膜を有する液晶表示素子は、信頼性に優れ、大画面で高精細の液晶テレビなどに好適に用いられ、また、ＴＮ素子、ＳＴＮ素子、ＴＦＴ液晶素子、特に垂直配向型の液晶表示素子等として有用である。
さらに、本発明の液晶配向処理剤から得られた液晶配向膜は、電極間に電圧を印加しながら紫外線を照射する工程を有する液晶表示素子の製造に用いることができる。
なお、２０１０年７月１３日に出願された日本特許出願２０１０−１５８７８３号の明細書、特許請求の範囲、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (18)

1. 下記の成分（Ａ）及び成分（Ｂ）を含有する液晶配向処理剤。
   成分（Ａ）：下記式［１］で示される化合物。
   成分（Ｂ）：ポリイミド前駆体及びポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも１種の重合体。
   

   

   （式［１］中、Ｘ^１は、脂肪族炭化水素基又は非芳香族系環式炭化水素基からなる２価の有機基であり、Ｘ^２は、単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、ベンゼン環又はシクロへキサン環であり、Ｘ^３は、下記式［１−１］〜［１−６］から選ばれる少なくとも１種の基である。）
   

   

   （式［１−３］中、Ｗ^１は、水素原子又はベンゼン環を示す。式［１−６］中、Ｗ^２は、ベンゼン環、シクロへキサン環及び複素環よりなる群から選ばれる環状基であり、Ｗ^３は、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜１８のフッ素含有アルキル基、炭素数１〜１８のアルコキシル基又は炭素数１〜１８のフッ素含有アルコキシル基である。）
2. 式［１］のＸ^１が、前記２価の有機基の有する、アミノ基に隣接しない任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）_２−、−ＣＦ_２−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−、−ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ−、−ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ−、環状炭化水素基又は複素環で置き換えられてもよく、任意の炭素原子に結合している水素原子は、炭素数１〜２０の直鎖状アルキル基、炭素数３〜２０の分岐状アルキル基、炭素数３〜２０の環状炭化水素基、炭素数１〜１０のフッ素含有アルキル基、複素環、フッ素原子又は水酸基で置き換えられていてもよい請求項１に記載の液晶配向処理剤。
3. 式［１］のＸ^２が、単結合、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、ベンゼン環又はシクロヘキサン環である請求項１又は２に記載の液晶配向処理剤。
4. 式［１］のＸ^３が、式［１−２］、式［１−４］、式［１−５］又は式［１−６］で示される構造の基である請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。
5. 成分（Ｂ）が、ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物成分とを反応させて得られるポリアミド酸及び該ポリアミド酸を脱水閉環させて得られるポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも１種の重合体である請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。
6. ジアミン成分が、下記式［２］で示されるジアミン化合物である請求項５に記載の液晶配向処理剤。
   

   

   （式［２］中、Ｙ^１は、単結合、−（ＣＨ_２）_ａ−（ａは１〜１５の整数である）、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又はＯＣＯ−であり、Ｙ^２は、単結合又は（ＣＨ_２）_ｂ−（ｂは１〜１５の整数である）であり、Ｙ^３は、単結合、−（ＣＨ_２）_ｃ−（ｃは１〜１５の整数である）、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又はＯＣＯ−である。Ｙ^４は、ベンゼン環、シクロへキサン環及び複素環よりなる群から選ばれる環状基（これらの環状基上の任意の水素原子は、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシル基、炭素数１〜３のフッ素含有アルキル基、炭素数１〜３のフッ素含有アルコキシル基又はフッ素原子で置換されていてもよい。）、又はステロイド骨格を有する炭素数１２〜２５の有機基より選ばれる２価の有機基であり、Ｙ^５は、ベンゼン環、シクロへキサン環及び複素環よりなる群から選ばれる環状基（これらの環状基上の任意の水素原子は、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシル基、炭素数１〜３のフッ素含有アルキル基、炭素数１〜３のフッ素含有アルコキシル基又はフッ素原子で置換されていてもよい。）であり、ｎは、０〜４の整数である。Ｙ^６は、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜１８のフッ素含有アルキル基、炭素数１〜１８のアルコキシル基又は炭素数１〜１８のフッ素含有アルコキシル基であり、ｍは、１〜４の整数である。）
7. 式［２］で示されるジアミン化合物が、ジアミン成分中の５〜８０モル％である請求項６に記載の液晶配向処理剤。
8. テトラカルボン酸二無水物が、下記式［３］で示されるテトラカルボン酸二無水物である請求項５〜７のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。
   

   

   （式［３］中、Ｚ^１は、炭素数４〜１３の４価の有機基であり、かつ炭素数４〜１０の非芳香族環状炭化水素基を含有する。）
9. 式［３］中のＺ^１が、下記式［３ａ］〜式［３ｊ］で示される構造である請求項８に記載の液晶配向処理剤。
   

   

   （式［３ａ］中、Ｚ^２〜Ｚ^５は、水素原子、メチル基、塩素原子又はベンゼン環であり、それぞれ、同じであっても異なってもよい。式［３ｇ］中、Ｚ^６及びＺ^７は、水素原子又はメチル基であり、それぞれ、同じであっても異なってもよい。）
10. 成分（Ｂ）の重合体が、ポリアミド酸を脱水閉環させて得られるポリイミドである請求項１〜９のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。
11. 成分（Ｂ）の１００質量部に対し、成分（Ａ）が０．１質量部〜５０質量部である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。
12. 液晶配向処理剤が有機溶媒を含有し、有機溶媒の全体の５〜８０質量％の貧溶媒を含有する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤。
13. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の液晶配向処理剤を用いて得られる液晶配向膜。
14. 請求項１３に記載の液晶配向膜を有する液晶表示素子。
15. 電極を備えた一対の基板の間に液晶層を有してなり、前記一対の基板の間に活性エネルギー線及び熱の少なくとも一方により重合する重合性化合物を含む液晶組成物を配置し、前記電極間に電圧を印加しつつ前記重合性化合物を重合させる工程を経て製造される液晶表示素子に用いられる請求項１３に記載の液晶配向膜。
16. 請求項１３に記載の液晶配向膜と電極とを備えた一対の基板の間に液晶層を有してなり、前記一対の基板の間に活性エネルギー線及び熱の少なくとも一方により重合する重合性化合物を含む液晶組成物を配置し、前記電極間に電圧を印加しつつ前記重合性化合物を重合させる工程を経て製造される液晶表示素子。
17. 電極を備えた一対の基板の間に液晶層を有してなり、前記一対の基板の間に活性エネルギー線及び熱の少なくとも一方により重合する重合性基を含む液晶配向膜を配置し、前記電極間に電圧を印加しつつ前記重合性基を重合させる工程を経て製造される液晶表示素子に用いられる請求項１３に記載の液晶配向膜。
18. 電極を備えた一対の基板の間に液晶層を有してなり、前記一対の基板の間に活性エネルギー線及び熱の少なくとも一方により重合する重合性基を含む請求項１３に記載の液晶配向膜を配置し、前記電極間に電圧を印加しつつ前記重合性基を重合させる工程を経て製造される液晶表示素子。