JPWO2011132649A1 - ワイヤグリッド型偏光子の製造方法および液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

偏光度およびｐ偏光透過率が高く、また、一方の面のｓ偏光反射率が高く、かつ他方の面のｓ偏光反射率が低いワイヤグリッド型偏光子を製造できる方法、および輝度が高く、コントラストの低下が抑えられた液晶表示装置を提供する。複数の凸条１２が平坦部１３を介して互いに平行に所定のピッチで表面に形成された光透過性基板１４と、凸条１２の第１の側面１６を被覆する金属層２２および金属酸化物層２１からなる第１の被覆層２０とを有し、第１の被覆層２０が凸条１２の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９までの被覆厚さの最大値よりも小さいワイヤグリッド型偏光子１０を製造する方法であって、アルミニウムを蒸着して金属層２２を形成し、金属酸化物層２１に酸素欠陥が生じるように酸素の存在下にアルミニウムを蒸着して金属酸化物層２１を形成する。

Description

本発明は、ワイヤグリッド型偏光子の製造方法および該製造方法で得られたワイヤグリッド型偏光子を有する液晶表示装置に関する。

液晶表示装置等に用いられる、可視光領域で偏光分離能を示す偏光子（偏光分離素子ともいう。）としては、ワイヤグリッド型偏光子がある。
ワイヤグリッド型偏光子は、光透過性基板上に複数の金属細線が互いに平行に配列した構造を有する。金属細線のピッチが入射光の波長よりも充分に短い場合、入射光のうち、金属細線に直交する電場ベクトルを有する成分（すなわちｐ偏光）は透過し、金属細線と平行な電場ベクトルを有する成分（すなわちｓ偏光）は反射される。

バックライトユニットからの入射光のうち、ワイヤグリッド型偏光子に入射せずに反射した光を、バックライトユニットにて再反射させてワイヤグリッド型偏光子に再入射させることによって、光の利用効率を上げることができるため、液晶表示装置の高輝度化を目的としてワイヤグリッド型偏光子のニーズが高まっている。

可視光領域で偏光分離能を示すワイヤグリッド型偏光子としては、下記のものが知られている。（１）光透過性基板上に所定のピッチで金属細線が形成されたワイヤグリッド型偏光子（特許文献１参照）。（２）光透過性基板の表面に所定のピッチで形成された複数の凸条の上面および側面が、金属または金属化合物からなる材料膜で被覆されて金属細線をなしているワイヤグリッド型偏光子（特許文献２参照）。（３）表面に複数の凸条が所定のピッチで形成された光透過性基板の凸条に金属の板状体を形成し、金属細線としたワイヤグリッド型偏光子（特許文献４参照）。（４）表面に複数の凸条が所定のピッチで形成された光透過性基板の凸条に金属層を形成し、金属細線としたワイヤグリッド型偏光子（特許文献３の図３参照）。

しかし、（１）のワイヤグリッド型偏光子は、金属細線をリソグラフィで形成しているため生産性が低い。（２）、（３）、および（４）のワイヤグリッド型偏光子においては、バックライトユニット側だけではなく、液晶パネル側（液晶表示装置の視認側）においてもｓ偏光の反射が起こるため、ワイヤグリッド型偏光子の液晶パネル側で反射したｓ偏光が液晶パネルに再入射し、液晶パネルから視認側に表示される画像のコントラストが低下する。

液晶パネル側での反射が抑えられたワイヤグリッド型偏光子としては、酸化アルミニウム等からなる吸収層を金属細線よりも液晶パネル側に設けたものが提案されている（特許文献５参照）。
しかし、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）は、透明な材料、すなわち透過率が極めて高い材料であり、光をほとんど吸収しないため、液晶パネル側におけるｓ偏光の反射を充分に抑えることはできない。

特開２００５−０７０４５６号公報 特開２００６−００３４４７号公報 特開２００５−１８１９９０号公報 国際公開第２００６／０６４６９３号パンフレット 特開２００９−１８６９２９号公報

本発明は、偏光度およびｐ偏光透過率が高く、また、一方の面のｓ偏光反射率が高く、かつ他方の面のｓ偏光反射率が低いワイヤグリッド型偏光子を製造できる方法、および輝度が高く、コントラストの低下が抑えられた液晶表示装置を提供する。

本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法は、複数の凸条が、該凸条間に形成される平坦部を介して互いに平行に、かつ所定のピッチで表面に形成された光透過性基板と、前記凸条の少なくとも一方の側面を被覆する、金属層および金属酸化物層からなる被覆層とを有し、前記被覆層において、前記凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が前記凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さくされた、ワイヤグリッド型偏光子を製造する方法であって、前記金属層を、該金属層に酸化物が形成されないようにアルミニウムを蒸着して形成し、前記金属酸化物層を、該金属酸化物層に酸素欠陥が生じるように、酸素の存在下にアルミニウムを蒸着して形成することを特徴とする。

本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法においては、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下式（ａ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向からアルミニウムを蒸着して、前記金属酸化物層または前記金属層を形成する工程（１Ｒ１）と、前記工程（１Ｒ１）の後、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下式（ｂ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向からアルミニウムを、工程（１Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着して、前記金属層または前記金属酸化物層を形成する工程（１Ｒ２）とを有することが好ましい。
ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ ・・・（ａ）、
θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋３０ ・・・（ｂ）。
ただし、Ｐｐは凸条間のピッチであり、Ｄｐｂは凸条の底部の幅であり、Ｈｐは凸条の高さである。
また、前記工程（１Ｒ１）を、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行い、前記工程（１Ｒ２）を、蒸着量が２５〜７０ｎｍとなる条件で行うことがより好ましい。

本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法は、前記被覆層が、前記凸条の２つの側面を被覆し、かつ２つの側面において前記凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が前記凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さくされた、ワイヤグリッド型偏光子を製造する方法であってもよい。

前記被覆層が前記凸条の２つの側面を被覆する場合、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下式（ｃ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向からアルミニウムを蒸着して、前記金属酸化物層または前記金属層を形成する工程（２Ｒ１）と、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第２の側面の側に下式（ｄ）を満たす角度θ^Ｌ _１（°）をなす方向からアルミニウムを蒸着して、前記金属酸化物層または前記金属層を形成する工程（２Ｌ１）と、前記工程（２Ｒ１）の後、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下式（ｅ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向からアルミニウムを、工程（２Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着して、前記金属層または前記金属酸化物層を形成する工程（２Ｒ２）と、前記工程（２Ｌ１）の後、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第２の側面の側に下式（ｆ）を満たす角度θ^Ｌ _２（°）をなす方向からアルミニウムを、工程（２Ｌ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着して、前記金属層または前記金属酸化物層を形成する工程（２Ｌ２）とを有することが好ましい。
ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ ・・・（ｃ）、
ｔａｎ（θ^Ｌ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ ・・・（ｄ）、
θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋２０ ・・・（ｅ）、
θ^Ｌ _１＋１≦θ^Ｌ _２≦θ^Ｌ _１＋２０ ・・・（ｆ）。
ただし、Ｐｐは凸条間のピッチであり、Ｄｐｂは凸条の底部の幅であり、Ｈｐは凸条の高さである。
また、前記工程（２Ｒ１）および前記工程（２Ｌ１）を、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行い、前記工程（２Ｒ２）および前記工程（２Ｌ２）を、蒸着量が１０〜２５ｎｍとなる条件で行うことがより好ましい。

本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法においては、蒸着量が２０ｎｍとなるように平坦な部分にアルミニウムを蒸着させた際に透過率Ｔ（％）および反射率Ｒ（％）が下式（ｊ）〜（ｍ）を満足する薄膜が形成されるような蒸着条件にて、前記金属酸化物層を形成することが好ましい。
３≦Ｔ≦９０ ・・・（ｊ）、
５≦Ｒ≦９０ ・・・（ｋ）、
５０≦Ｔ＋Ｒ≦９７ ・・・（ｌ）、
９０≦Ｔ＋２Ｒ ・・・（ｍ）。

本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法は、前記凸条の長さ方向に直交する断面形状が、底部から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる形状であるようなワイヤグリッド型偏光子を製造する方法であることが好ましい。
前記凸条の長さ方向に直交する断面形状は、三角形または台形であることがより好ましい。
前記凸条は、光硬化樹脂または熱可塑性樹脂からなり、インプリント法で形成されることが好ましい。

本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を挟持した液晶パネルと、バックライトユニットと、前記凸条が形成された側の面が前記バックライトユニット側となり、前記凸条が形成されていない側の面が前記液晶表示装置の視認側となるように配置された本発明の製造方法で得られたワイヤグリッド型偏光子と、を有することを特徴とする。

本発明の液晶表示装置は、吸収型偏光子をさらに有し、前記ワイヤグリッド型偏光子が、前記液晶パネルの一方の表面に配置され、前記吸収型偏光子が、前記ワイヤグリッド型偏光子が配置された側とは反対側の前記液晶パネルの表面に配置されているものであることが好ましい。
また、前記ワイヤグリッド型偏光子は、前記バックライトユニット側の前記液晶パネルの表面に配置され、前記吸収型偏光子が、前記バックライトユニット側とは反対側の前記液晶パネルの表面に配置されていることがより好ましい。

本発明の液晶表示装置は、吸収型偏光子をさらに有し、前記ワイヤグリッド型偏光子が、前記液晶パネルの前記一対の基板のうちの一方の基板と一体化され、前記吸収型偏光子が、前記ワイヤグリッド型偏光子が一体化された側とは反対側の前記液晶パネルの基板の表面に配置されているものであることが好ましい。
また、前記ワイヤグリッド型偏光子が、前記バックライトユニット側の前記液晶パネルの前記基板と一体化され、前記吸収型偏光子が、前記バックライトユニット側とは反対側の前記液晶パネルの表面に配置されていることがより好ましい。

本発明の液晶表示装置は、吸収型偏光子をさらに有し、前記ワイヤグリッド型偏光子が、前記液晶パネルの前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側に配置され、前記吸収型偏光子が、前記ワイヤグリッド型偏光子が配置された側とは反対側の前記液晶パネルの基板の表面に配置されているものであることが好ましい。
また、前記ワイヤグリッド型偏光子が、前記液晶パネルの前記一対の基板のうちの前記バックライトユニット側の基板の液晶層側に配置され、前記吸収型偏光子が、前記バックライトユニット側とは反対側の前記液晶パネルの表面に配置されていることがより好ましい。

本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法によれば、偏光度およびｐ偏光透過率が高く、また、一方の面のｓ偏光反射率が高く、かつ他方の面のｓ偏光反射率が低いワイヤグリッド型偏光子を生産性よく製造できる。
本発明の液晶表示装置は、輝度が高く、コントラストの低下が抑えられる。

ワイヤグリッド型偏光子の一例を示す斜視図である。 ワイヤグリッド型偏光子の他の例を示す斜視図である。 ワイヤグリッド型偏光子の他の例を示す斜視図である。 ワイヤグリッド型偏光子の他の例を示す斜視図である。 ワイヤグリッド型偏光子の他の例を示す斜視図である。 ワイヤグリッド型偏光子の他の例を示す斜視図である。 光透過性基板の一例を示す斜視図である。 式（ａ）で表されるθ^Ｒ _１を示す図である。 本発明の液晶表示装置の一例を示す断面図である。 蒸着速度の違いによる酸素導入量と透過率（Ｔ）との関係を示すグラフである。 蒸着速度の違いによる酸素導入量と反射率（Ｒ）との関係を示すグラフである。 蒸着速度の違いによる酸素導入量と吸収率（Ａ）との関係を示すグラフである。 蒸着速度の違いによる透過率（Ｔ）と反射率（Ｒ）と吸収率（Ａ）との関係を示す三角図である。

本明細書においては、ワイヤグリッド型偏光子の凸条が形成された側の面を「表面」と記し、凸条が形成されていない側の面を「裏面」と記す。
本明細書における光透過性とは、光を透過することを意味する。
本明細書における「θ±１０」は、（θ−１０）以上（θ＋１０）以下の範囲を示す。その他同様の記載においても同じである。
本明細書における「略直交」とは、方向Ｌと方向Ｖ１（または方向Ｖ２）のなす角度が８５〜９５度の範囲にあることを意味する。
本明細書における「蒸着量」とは、凸条に金属層または金属酸化物層を形成する際に、光透過性基板において凸条が形成されていない平坦な部分にアルミニウムを蒸着して形成される金属層または金属酸化物層の厚さ；または蒸着条件の条件出しの際に平坦な基板（ガラス基板等）の平坦な部分にアルミニウムを蒸着して形成される金属層または金属酸化物層の厚さを意味する。
本明細書における透過率、反射率、および吸収率は、特に指定のない限り、測定波長５５０ｎｍでの値とする。

＜ワイヤグリッド型偏光子＞
本発明の製造方法で得られるワイヤグリッド型偏光子は、複数の凸条が、該凸条間に形成される平坦部を介して互いに平行に、かつ所定のピッチで表面に形成された光透過性基板と、凸条の少なくとも一方の側面を被覆する、金属層および金属酸化物層からなる被覆層を有し、該被覆層において、凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さくされたものである。

（光透過性基板）
光透過性基板は、ワイヤグリッド型偏光子の使用波長範囲において光透過性を有する基板である。光透過性とは、光を透過することを意味し、使用波長範囲は、具体的には、４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲である。４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲における平均光透過率が、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上の光透過性基板である。

凸条は、光透過性基板の主表面（平坦部）から立ち上がり、かつその立ち上がりが一方向に伸びている部分である。凸条は光透過性基板の主表面と一体で光透過性基板の主表面部分と同じ材料からなっていてもよく、光透過性基板の主表面部分と異なる光透過性材料からなっていてもよい。凸条は光透過性基板の主表面と一体で、かつ光透過性基板の主表面部分と同じ材料からなっていることが好ましく、光透過性基板の少なくとも主表面部分を成形することにより形成された凸条であることが好ましい。

複数の凸条は、凸条毎の対応する側面が実質的に平行に形成されていればよく、完全に平行に形成されてなくてもよい。また、各凸条は、面内において光学的な異方性を最も発現しやすい直線が好ましいが、隣接する凸条が接触しない範囲で曲線または折れ線であってもよい。

凸条は、その長さ方向と光透過性基板の主表面とに直交する方向の断面の形状が長さ方向にわたってほぼ一定であり、複数の凸条においてもそれらの断面形状はすべてほぼ一定であることが好ましい。凸条の断面形状は、底部（光透過性基板の主表面）から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる形状であることが好ましい。凸条が矩形状である場合に比べて、被覆層を形成した後の凸条の間隔を充分に確保でき、ｐ偏光の高透過率を実現できる。具体的な断面形状としては、たとえば、三角形、台形等が挙げられる。該断面形状は、角や辺（側面）が曲線状であってもよい。

凸条の頂部は、前記断面形状の最も高い部分が長さ方向に連なった部分である。凸条の頂部は面であっても線であってもよい。たとえば、断面形状が台形の場合には頂部は面をなし、断面形状が三角形の場合には頂部は線をなす。本発明において、凸条の頂部以外の表面を凸条の側面という。なお、隣接する２つの凸条間の平坦部は凸条の表面ではなく、光透過性基板の主表面とみなす。

光透過性基板の材料としては、光硬化樹脂、熱可塑性樹脂、ガラス等が挙げられ、後述するインプリント法にて凸条を形成できる点から、光硬化樹脂または熱可塑性樹脂が好ましく、光インプリント法にて凸条を形成できる点および耐熱性および耐久性に優れる点から、光硬化樹脂が特に好ましい。光硬化樹脂としては、生産性の点から、光ラジカル重合により光硬化しうる光硬化性組成物を光硬化して得られる光硬化樹脂が好ましい。光硬化樹脂を構成する光硬化性組成物としては、国際公開第２００７／１１６９７２号パンフレットの明細書段落［００２９］〜［００７４］に記載の光硬化性組成物等、公知の光硬化性組成物を用いることができる。

光硬化性組成物としては、光硬化後の硬化膜の水に対する接触角が９０°以上となるものが好ましい。該硬化膜の水に対する接触角が９０°以上であれば、光インプリント法により凸条を形成する際、モールドとの離型性がよくなり、精度の高い転写が可能となり、得られるワイヤグリッド型偏光子が、目的とする性能を充分に発揮できる。また、該接触角が高くても被覆層の付着には支障がない。

（被覆層）
凸条を被覆する被覆層は、金属層および金属酸化物層からなる。金属層および金属酸化物層は、通常、積層された状態とされるが、後述する実施形態のように、凸条の表面の一部において金属層または金属酸化物層が単層の状態で存在していてもよいし、同種の層が積層されていてもよい。
被覆層は、凸条の長さ方向に延びる線状をなしており、ワイヤグリッド型偏光子を構成する金属細線に相当する。
被覆層は、凸条の少なくとも一方の側面を被覆し、凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さい。凸条の高さの半分の位置から頂部までを被覆する被覆層が表面ｓ偏光反射率の向上に寄与し、凸条の高さの半分の位置から底部までを被覆する被覆層が裏面ｓ偏光反射率の低下に寄与すると考えられる。

被覆層は、裏面ｓ偏光反射率がより低くなる点から、凸条の少なくとも一方の側面の全部を被覆することが好ましい。被覆層は、凸条の頂部の一部もしくは全部を被覆してもよい。また、被覆層は、凸条の少なくとも一方の側面に隣接する平坦部の一部を被覆してもよい。
被覆層は、ｓ偏光の透過率が抑制され、偏光度を向上できる点から、凸条の２つの側面を被覆し、かつ２つの側面において凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さいことが好ましい。

凸条の側面を被覆する被覆層は、連続しているのが通例である。凸条の少なくとも一方の側面は、被覆層によって連続的に被覆されていることが好ましく、製造上の問題等によりごく一部の側面が被覆層によって被覆されない場合もある。前記のような場合であっても、少なくとも一方の側面が被覆層によってほぼ連続的に被覆されていれば、少なくとも一方の側面が被覆層によって連続的に被覆されているとみなす。

（金属層）
被覆層の一部を構成する金属層は、該金属層に酸化物が形成されないようにアルミニウムを蒸着して形成される層である。ここで「金属層に酸化物が形成されないように」とは、真空蒸着装置等においてアルミニウムを蒸着する際に、金属層に酸化物が形成されない条件とすることを意味するのであって、真空蒸着装置等からワイヤグリッド型偏光子を取り出した後、金属層が空気に触れることによって自然酸化して金属層の表面に薄い酸化皮膜が形成されるのを抑制することを意味するものではない。
金属層は、表面ｓ偏光反射率がより高くなる点から、金属酸化物層よりも表面側に形成されることが好ましく、凸条の高さの半分の位置よりも頂部側に選択的に形成されることがより好ましい。

（金属酸化物層）
被覆層の一部を構成する金属酸化物層は、該金属酸化物層に酸素欠陥が生じるように、酸素の存在下にアルミニウムを蒸着して形成される層である。
金属酸化物層は、酸素欠陥を有するアルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３−ｘ、０＜ｘ＜３）からなる層であり、アルミニウム（Ａｌ）よりも透過率（Ｔ）が高い。また、従来の吸収層を構成する酸素欠陥のない酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）よりも透過率（Ｔ）は低く、吸収率（Ａ）は高い。
金属酸化物層は、裏面ｓ偏光反射率がより低くなる点から、金属層よりも裏面側に形成されることが好ましく、凸条の少なくとも一方の側面の全部を被覆することがより好ましい。

＜ワイヤグリッド型偏光子の製造方法＞
本発明におけるワイヤグリッド型偏光子は、表面に複数の凸条が互いに平行にかつ所定のピッチで形成された光透過性基板を作製した後、凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さい被覆層を形成することによって製造される。

（光透過性基板の作製）
光透過性基板の作製方法としては、インプリント法（光インプリント法または熱インプリント法）、リソグラフィ法等が挙げられ、凸条を生産性よく形成できる点および光透過性基板を大面積化できる点から、インプリント法が好ましく、凸条をより生産性よく形成できる点およびモールドの溝を精度よく転写できる点から、光インプリント法が特に好ましい。

光インプリント法は、たとえば、電子線描画とエッチングとの組み合わせにより、複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたモールドを作製し、該モールドの溝を、任意の基材の表面に塗布された光硬化性組成物に転写し、同時に該光硬化性組成物を光硬化させる方法である。

光インプリント法による光透過性基板の作製は、具体的には下記の工程（ｉ）〜（iv）を経て行われることが好ましい。（ｉ）光硬化性組成物を基材の表面に塗布する工程。（ii）複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたモールドを、溝が光硬化性組成物に接するように、光硬化性組成物に押しつける工程。（iii）モールドを光硬化性組成物に押しつけた状態で放射線（紫外線、電子線等）を照射して光硬化性組成物を硬化させて、モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板を作製する工程。（iv）光透過性基板からモールドを分離する工程。なお、得られた、基材上の光透過性基板は、基材と一体のまま後述の被覆層の形成を行うことができる。また必要により被覆層の形成後に光透過性基板と基材を分離することができる。さらに、基材上に作製された光透過性基板を基材から分離した後、後述の被覆層の形成を行うことができる。

熱インプリント法による光透過性基板の作製は、具体的には下記の工程（ｉ）〜（iii）を経て行われることが好ましい。（ｉ）基材の表面に熱可塑性樹脂の被転写膜を形成する工程、または熱可塑性樹脂の被転写フィルムを作製する工程。（ii）複数の溝が互いに平行にかつ一定のピッチで形成されたモールドを、溝が被転写膜または被転写フィルムに接するように、熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）または融点（Ｔｍ）以上に加熱した被転写膜または被転写フィルムに押しつけ、モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板を作製する工程。（iii）光透過性基板をＴｇまたはＴｍより低い温度に冷却して光透過性基板からモールドを分離する工程。なお、得られた、基材上の光透過性基板は、基材と一体のまま後述の被覆層の形成を行うことができる。また必要により被覆層の形成後に光透過性基板と基材を分離することができる。さらに、基材上に作製された光透過性基板を基材から分離した後、後述の被覆層の形成を行うことができる。

インプリント法に用いられるモールドの材料としては、シリコン、ニッケル、石英、樹脂等が挙げられ、転写精度の点から、樹脂が好ましい。樹脂としては、フッ素系樹脂（エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体等）、環状オレフィン、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。モールドの精度の点から、光硬化性のアクリル樹脂が好ましい。樹脂モールドは、転写の繰り返し耐久性の点から、表面に厚さ２〜１０ｎｍの無機膜を有することが好ましい。無機膜としては、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等の酸化膜が好ましい。

（被覆層の形成）
被覆層は、蒸着法で形成されることが好ましい。蒸着法としては、物理蒸着法（ＰＶＤ）または化学蒸着法（ＣＶＤ）が挙げられ、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法が好ましく、真空蒸着法が特に好ましい。真空蒸着法は、付着させる微粒子の光透過性基板に対する入射方向を制御することが容易であり、後述の斜方蒸着法を行うことが容易である。被覆層の形成は、凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さくなるように選択的にアルミニウムを蒸着して形成する必要があるため、蒸着法としては、真空蒸着法による斜方蒸着法が最も好ましい。

具体的には、凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下式（ａ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向からアルミニウムを蒸着して、金属酸化物層または金属層を形成する工程（１Ｒ１）と、工程（１Ｒ１）の後、凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下式（ｂ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向からアルミニウムを、工程（１Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着して、金属層または金属酸化物層を形成する工程（１Ｒ２）を採用することによって、目的の被覆層を形成できる。ただし、工程（１Ｒ１）と工程（１Ｒ２）のうち、少なくとも一の工程において金属酸化物層を形成し、少なくとも一の工程において金属層を形成する。
ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ ・・・（ａ）、
θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋３０ ・・・（ｂ）。
ただし、Ｐｐは凸条間のピッチであり、Ｄｐｂは凸条の底部の幅であり、Ｈｐは凸条の高さである。

また、凸条の２つの側面を被覆する被覆層を形成する場合には、凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下式（ｃ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向からアルミニウムを蒸着して、金属酸化物層または金属層を形成する工程（２Ｒ１）と、凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して第２の側面の側に下式（ｄ）を満たす角度θ^Ｌ _１（°）をなす方向からアルミニウムを蒸着して、金属酸化物層または金属層を形成する工程（２Ｌ１）と、工程（２Ｒ１）の後、凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下式（ｅ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向からアルミニウムを、工程（２Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着して、金属層または金属酸化物層を形成する工程（２Ｒ２）と、工程（２Ｌ１）の後、凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して第２の側面の側に下記式（ｆ）を満たす角度θ^Ｌ _２（°）をなす方向からアルミニウムを、工程（２Ｌ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着して、金属層または金属酸化物層を形成する工程（２Ｌ）を採用することにより、目的の被覆層を形成できる。ただし、工程（２Ｒ１）、工程（２Ｌ１）、工程（２Ｒ２）、工程（２Ｌ２）のうち、少なくとも一の工程において金属酸化物層を形成し、少なくとも一の工程において金属層を形成する。
ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ ・・・（ｃ）、
ｔａｎ（θ^Ｌ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ ・・・（ｄ）、
θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋２０ ・・・（ｅ）、
θ^Ｌ _１＋１≦θ^Ｌ _２≦θ^Ｌ _１＋２０ ・・・（ｆ）。
ただし、Ｐｐは凸条間のピッチであり、Ｄｐｂは凸条の底部の幅であり、Ｈｐは凸条の高さである。

（金属層の形成）
本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法においては、金属層にアルミニウム酸化物が形成されないように、凸条、金属酸化物層、または他の金属層にアルミニウムを蒸着して、被覆層の一部を構成する金属層を形成する。ここで「金属層に酸化物が形成されないように」とは、真空蒸着装置等においてアルミニウムを蒸着する際に、金属層に酸化物が形成されない条件とすることを意味するのであって、真空蒸着装置等からワイヤグリッド型偏光子を取り出した後、金属層が空気に触れることによって自然酸化して金属層の表面に薄い酸化皮膜が形成されるのを抑制することを意味するのではない。

本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法においては、蒸着量が２０ｎｍとなるように平坦な部分にアルミニウムを蒸着させた際に透過率Ｔ（％）が３％未満であり、かつ反射率Ｒ（％）が８５％を超えるアルミニウムの薄膜が形成されるような蒸着条件にて、金属層を形成することが好ましい。
具体的には、真空蒸着装置に酸素を導入することなく、比較的速い蒸着速度（好ましくは１．３ｎｍ／ｓｅｃ以上、より好ましくは１．５ｎｍ／ｓｅｃ以上、さらに好ましくは１．８ｎｍ／ｓｅｃ以上。また、膜厚を精度良く制御するという観点から蒸着速度は、２０ｎｍ／ｓｅｃ以下が好ましい。）にてアルミニウムをすばやく蒸着して金属層を形成する。

（金属酸化物層の形成）
本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法においては、金属酸化物層に酸素欠陥が生じるように、酸素の存在下、凸条、金属層、または他の金属酸化物層にアルミニウムを蒸着して、被覆層の一部を構成する金属酸化物層を形成する。
本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法においては、蒸着量が２０ｎｍとなるように平坦な部分にアルミニウムを蒸着させた際に透過率Ｔ（％）および反射率Ｒ（％）が下式（ｊ）〜（ｍ）を満足するアルミニウム酸化物からなる薄膜が形成されるような蒸着条件にて、金属酸化物層を形成することが好ましい。
３≦Ｔ≦９０ ・・・（ｊ）、
５≦Ｒ≦９０ ・・・（ｋ）、
５０≦Ｔ＋Ｒ≦９７ ・・・（ｌ）、
９０≦Ｔ＋２Ｒ ・・・（ｍ）。

透過率（Ｔ）が３％以上であれば、たとえば、後述する実施例における図１３に示すように、アルミニウム（Ａｌ）ではなく、酸素欠陥を有するアルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３−ｘ）、または酸素欠陥のない酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）が形成されたことになる。
さらに、透過率（Ｔ）が９０％以下であり、かつ透過率（Ｔ）と反射率（Ｒ）との合計が９７％以下（すなわち、吸収率（Ａ）が３％以上）であれば、たとえば、後述する実施例における図１３に示すように、酸素欠陥のない酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）ではなく、酸素欠陥を有するアルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３−ｘ）が形成されたことになる。
ちなみに、Ｔ＋２Ｒが９０％よりも小さくなるような（すなわち、Ａ＝Ｒ＋１０で表わされる図１３中の破線よりも下側の領域を満足するような）透過率（Ｔ）および反射率（Ｒ）を有するアルミニウム酸化物は、本発明者らの実験において形成することは非常に困難であったため、本発明においては除外する。
このように、式（ｊ）〜（ｍ）を満足する金属酸化物からなる薄膜が形成されるような蒸着条件によれば、現実的な、酸素欠陥を有するアルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３−ｘ）からなる金属酸化物層が形成されることになる。

具体的には、真空蒸着装置に酸素を導入しない場合には、比較的遅い蒸着速度（好ましくは１．２ｎｍ／ｓｅｃ以下、より好ましくは１．１ｎｍ／ｓｅｃ以下、さらに好ましくは１．０ｎｍ／ｓｅｃ以下で、所定の時間内に製膜を行うという観点から好ましくは、０．０５ｎｍ／ｓｅｃ以上）にてアルミニウムをゆっくり蒸着して金属酸化物層を形成する。また、真空蒸着装置に酸素を導入する場合には、適度な酸素導入量（好ましくは１〜５０ｓｃｃｍ、より好ましくは５〜４０ｓｃｃｍ）、かつ適度な蒸着速度（好ましくは０．１〜３．０ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは０．３〜２．０ｎｍ／ｓｅｃ）にてアルミニウムを蒸着して金属酸化物層を形成する。ただし、蒸着速度を遅くしすぎたり、酸素導入量を多くしすぎたりすると、酸素欠陥のない酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）が形成されるおそれがある。

透過率（Ｔ）は、８０％以下がより好ましく、７５％以下がさらに好ましい。
反射率（Ｒ）は、１０％以上がより好ましく、１５％以上がさらに好ましい。
透過率（Ｔ）と反射率（Ｒ）との合計は、９５％以下がより好ましく、９０％以下がさらに好ましい。また、５５％以上がより好ましく、６０％以上がさらに好ましい。

（蒸着条件の条件出し）
式（ｊ）〜（ｍ）を満足する金属酸化物からなる薄膜が形成されるような蒸着条件は、蒸着速度および酸素導入量を振って、蒸着量が２０ｎｍとなるように平坦な部分にアルミニウムを蒸着させて、アルミニウム酸化物からなる薄膜を繰り返し形成し、それぞれの透過率（Ｔ）および反射率（Ｒ）を測定し、後述する実施例にて示す図１０〜図１３のようにグラフ化することによって、当業者であれば適宜決定できる。

具体的には、下記の手順にて蒸着条件の条件出しを行うことができる。
（ｉ）真空蒸着装置内において、特定の加熱条件にて蒸着源（アルミニウム）を加熱することによって、平坦な基板（ガラス基板等）に、適当な蒸着時間にてアルミニウムを蒸着して薄膜を形成する。
（ii）薄膜の厚さを測定し、これを蒸着時間で除して蒸着速度を算出する。
（iii）真空蒸着装置内において、手順（ｉ）と同じ加熱条件にて蒸着源（アルミニウム）を加熱することによって、平坦な基板（ガラス基板等）に、蒸着量が２０ｎｍとなるような蒸着時間にてアルミニウムを蒸着して薄膜を形成する。
（iv）薄膜の透過率（Ｔ）および反射率（Ｒ）を、紫外可視分光光度計を用いて測定する。
（ｖ）酸素導入量を変更しながら、手順（iii）〜（iv）を繰り返し行う。
（vi）蒸着源（アルミニウム）の加熱条件を変更しながら、手順（ｉ）〜（ｖ）を繰り返し行う。

また、特開２００８−０３８１９８号公報に記載されたような蒸着装置を用いて、巻出ロールから巻き出された光透過性基板に連続的に蒸着を行う場合は、蒸着源（アルミニウム）の加熱条件や酸素導入量を変化させながら、光透過性基板の平坦な部分に蒸着量が２０ｎｍとなるように蒸着された薄膜の透過率（Ｔ）および反射率（Ｒ）を、蒸着装置内に設けられた透過率センサおよび反射率センサによって測定してもよい。

＜ワイヤグリッド型偏光子の実施形態＞
以下、本発明の製造方法で得られるワイヤグリッド型偏光子の実施形態を、図を用いて説明する。以下の図は模式図であり、実際のワイヤグリッド型偏光子は、図示したような理論的かつ理想的形状を有するものではない。たとえば、実際のワイヤグリッド型偏光子においては、凸条等の形状の崩れが多少あり、被覆層の厚さの不均一も少なからず生じている。なお、本発明における凸条および被覆層の各寸法は、ワイヤグリッド型偏光子の断面の透過型電子顕微鏡像において、５つ凸条および該凸条上の被覆層における各寸法を測定し、５つの値を平均したものとする。

〔第１の実施形態〕
図１は、本発明の製造方法で得られるワイヤグリッド型偏光子の第１の実施形態を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子１０は、断面形状が台形である複数の凸条１２が、該凸条１２間に形成される溝の平坦部１３を介して互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された光透過性基板１４と、凸条１２の第１の側面１６の全部を被覆する金属酸化物層２１と、凸条１２の高さの半分の位置よりも頂部１９側の金属酸化物層２１の表面および凸条１２の頂部１９に形成された金属層２２とを有する。

被覆層は、第１の被覆層２０からなる。
第１の被覆層２０は、金属酸化物層２１および金属層２２からなり、凸条１２の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９までの被覆厚さの最大値よりも小さい。
被覆層は、凸条１２の長さ方向に伸びて金属細線を構成する。

（光透過性基板）
Ｐｐは、凸条１２の底部の幅Ｄｐｂと、凸条１２間に形成される平坦部１３の幅との合計である。Ｐｐは、３００ｎｍ以下が好ましく、５０〜２５０ｎｍがより好ましい。Ｐｐが３００ｎｍ以下であれば、高い表面ｓ偏光反射率を示し、かつ４００ｎｍ程度の短波長領域においても高い偏光度を示す。また、回折による着色現象が抑えられる。また、Ｐｐが５０〜２００ｎｍであれば、蒸着によって各層を形成しやすい。

ＤｐｂとＰｐの比（Ｄｐｂ／Ｐｐ）は、０．１〜０．７が好ましく、０．２５〜０．５５がより好ましい。Ｄｐｂ／Ｐｐが０．１以上であれば、高い偏光度を示す。Ｄｐｂ／Ｐｐを０．７以下とすることにより、干渉による透過光の着色が抑えられる。Ｄｐｂは、蒸着によって各層を形成しやすい点から、３０〜１００ｎｍが好ましい。

凸条１２の頂部１９の幅Ｄｐｔは、Ｄｐｂの半分以下が好ましく、４０ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以下がさらに好ましい。ＤｐｔがＤｐｂの半分以下であれば、ｐ偏光透過率がより高くなり、角度依存性が充分に低くなる。

凸条１２の高さＨｐは、１２０〜３００ｎｍが好ましく、８０〜２７０ｎｍがより好ましい。Ｈｐが１２０ｎｍ以上であれば、偏光分離能が充分に高くなる。Ｈｐが３００ｎｍ以下であれば、波長分散が小さくなる。また、Ｈｐが８０〜２７０ｎｍであれば、蒸着によって第１の被覆層２０を形成しやすい。

第１の側面１６の傾斜角θ１および第２の側面１８の傾斜角θ２は、３０〜８０°が好ましい。θ１とθ２は、同じであってもよく、異なってもよい。より好ましくは、θ１とθ２のそれぞれの角度は４５〜８０°である。光透過性基板１４の厚さＨｓは、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜４０μｍがより好ましい。

（第１の被覆層）
第１の被覆層２０の、凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９まで（凸条の上半分）の被覆厚さ（凸条の幅方向の厚さ）の最大値Ｄｒ１は、８０ｎｍ以下が好ましい。２０〜７５ｎｍが好ましく、３５〜５５ｎｍがより好ましく、４０〜５０ｎｍが特に好ましい。Ｄｒ１が２０ｎｍ以上であれば、表面ｓ偏光反射率が充分に高くなる。Ｄｒ１が８０ｎｍ以下であれば、ｐ偏光透過率が充分に高くなる。

第１の被覆層２０の、凸条１２の高さの半分の位置から底部まで（凸条の下半分）の被覆厚さ（凸条の幅方向の厚さ）の最大値Ｄａ１は、４〜２５ｎｍが好ましく、５〜２２ｎｍがより好ましい。Ｄａ１が４ｎｍ以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。Ｄａ１が２５ｎｍ以下であれば、ｐ偏光透過率が充分に高くなる。

凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９まで（凸条の上半分）の被覆厚さの最大値Ｄｒ１は、下式（ｉ）を満足することが好ましい。
０．２×（Ｐｐ−Ｄｐｂ）≦Ｄｒ１≦０．９５×（Ｐｐ−Ｄｐｂ） ・・・（ｉ）。
Ｄｒ１が０．２×（Ｐｐ−Ｄｐｂ）以上であれば、ｓ偏光透過率が低くなって偏光分離能が充分に高くなり、かつ波長分散が小さい。Ｄｒ１が０．９５×（Ｐｐ−Ｄｐｂ）以下であれば、高いｐ偏光透過率を示す。

凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９まで（凸条の上半分）の被覆厚さの最大値Ｄｒ１と凸条１２の高さの半分の位置から底部まで（凸条の下半分）の被覆厚さの最大値Ｄａ１との比（Ｄｒ１／Ｄａ１）は、２．５〜１０が好ましく、３〜８がより好ましい。Ｄｒ１／Ｄａ１が２．５以上であれば、偏光分離能が充分に高くなり、かつ波長分散が小さい。Ｄｒ１／Ｄａ１が１０以下であれば、高いｐ偏光透過率を示す。

凸条１２の頂部１９より下方（光透過性基板側）に位置する第１の被覆層２０の高さＨ２に関して、Ｈ２／Ｈｐは、０．８〜１が好ましく、０．９〜１がより好ましい。Ｈ２／Ｈｐが１以下であれば、偏光分離能が向上する。Ｈ２／Ｈｐが０．８以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。

凸条１２の頂部１９より上方（光透過性基板と逆側）に位置する第１の被覆層２０の高さＨ１に関して、Ｈ１／Ｈｐは、０．０５〜０．７が好ましく、０．１〜０．５がより好ましい。Ｈ１／Ｈｐが０．７以下であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。Ｈ１／Ｈｐが０．０５以上であれば、表面ｓ偏光反射率が充分に高くなる。

〔第２の実施形態〕
図２は、本発明の製造方法で得られるワイヤグリッド型偏光子の第２の実施形態を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子１０は、断面形状が台形である複数の凸条１２が、該凸条１２間に形成される溝の平坦部１３を介して互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された光透過性基板１４と、凸条１２の第１の側面１６の全部を被覆する金属層２２と、凸条１２の高さの半分の位置よりも頂部１９側の金属酸化物層２１の表面および凸条１２の頂部１９に形成された金属酸化物層２１とを有する。

被覆層は、第１の被覆層２０からなる。
第１の被覆層２０は、金属層２２および金属酸化物層２１からなり、凸条１２の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９までの被覆厚さの最大値よりも小さい。
被覆層は、凸条１２の長さ方向に伸びて金属細線を構成する。
第２の実施形態において、第１の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０と同じ構成については、説明を省略する。

〔第３の実施形態〕
図３は、本発明の製造方法で得られるワイヤグリッド型偏光子の第３の実施形態を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子１０は、断面形状が台形である複数の凸条１２が、該凸条１２間に形成される溝の平坦部１３を介して互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された光透過性基板１４と、凸条１２の第１の側面１６の全部を被覆する金属酸化物層２１と、凸条１２の高さの半分の位置よりも頂部１９側の金属酸化物層２１の表面および凸条１２の頂部１９に形成された金属層２２と、凸条１２の第２の側面１８の全部を被覆する金属酸化物層２６と、凸条１２の高さの半分の位置よりも頂部１９側の金属酸化物層２６の表面および凸条１２の頂部１９に形成された金属層２７を有する。

被覆層は、第１の被覆層２０および第２の被覆層２５からなる。
第１の被覆層２０は、金属酸化物層２１および金属層２２からなり、凸条１２の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９までの被覆厚さの最大値よりも小さい。
第２の被覆層２５は、金属酸化物層２６および金属層２７からなり、凸条１２の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９までの被覆厚さの最大値よりも小さい。
被覆層は、凸条１２の長さ方向に伸びて金属細線を構成する。
第３の実施形態は、第１、２および４〜６の実施形態よりも、裏面ｓ偏光反射率が低くなる。第３の実施形態において、第１の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０と同じ構成については、説明を省略する。

（第１の被覆層）
第１の被覆層２０の、凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９まで（凸条の上半分）の被覆厚さ（凸条の幅方向の厚さ）の最大値Ｄｒ１は、５０ｎｍ以下が好ましい。１０〜４５ｎｍが好ましく、１５〜３５ｎｍがより好ましい。Ｄｒ１が１０ｎｍ以上であれば、表面ｓ偏光反射率が充分に高くなる。Ｄｒ１が５０ｎｍ以下であれば、ｐ偏光透過率が充分に高くなる。

第１の被覆層２０の、凸条１２の高さの半分の位置から底部まで（凸条の下半分）の被覆厚さ（凸条の幅方向の厚さ）の最大値Ｄａ１について好ましい態様は、第１の実施形態と同様である。

凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９まで（凸条の上半分）の被覆厚さの最大値Ｄｒ１と凸条１２の高さの半分の位置から底部まで（凸条の下半分）の被覆厚さの最大値Ｄａ１との比（Ｄｒ１／Ｄａ１）は、１．５〜６が好ましく、２〜４がより好ましい。Ｄｒ１／Ｄａ１が１．５以上であれば、偏光分離能が充分に高くなり、かつ波長分散が小さい。Ｄｒ１／Ｄａ１が６以下であれば、高いｐ偏光透過率を示す。

凸条１２の頂部より下方に位置する第１の被覆層２０の高さＨ２に関して、Ｈ２／Ｈｐは、０．８〜１が好ましく、０．９〜１がより好ましい。Ｈ２／Ｈｐが１以下であれば、偏光分離能が向上する。Ｈ２／Ｈｐが０．８以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。

第２の被覆層２５の好ましい態様は、第１の被覆層２０の好ましい態様と同様である。

凸条１２の頂部より上方は第１の被覆層２０と第２の被覆層２５が重なった状態となっている。この凸条１２の頂部より上方に位置する高さＨ１に関して、Ｈ１／Ｈｐは、０．０５〜０．７が好ましく、０．１〜０．５がより好ましい。Ｈ１／Ｈｐが０．７以下であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。Ｈ１／Ｈｐが０．０５以上であれば、表面ｓ偏光反射率が充分に高くなる。

〔第４の実施形態〕
図４は、本発明の製造方法で得られるワイヤグリッド型偏光子の第４の実施形態を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子１０は、断面形状が台形である複数の凸条１２が、該凸条１２間に形成される溝の平坦部１３を介して互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された光透過性基板１４と、凸条１２の第１の側面１６の全部を被覆する金属酸化物層２１と、凸条１２の高さの半分の位置よりも頂部１９側の金属酸化物層２１の表面および凸条１２の頂部１９に形成された金属層２２と、凸条１２の第２の側面１８の全部を被覆する金属層２７を有する。

被覆層は、第１の被覆層２０および第２の被覆層２５からなる。
第１の被覆層２０は、金属酸化物層２１および金属層２２からなり、凸条１２の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９までの被覆厚さの最大値よりも小さい。
第２の被覆層２５は、金属層２７のみからなる。
被覆層は、凸条１２の長さ方向に伸びて金属細線を構成する。
第４の実施形態は第１、および２の実施形態よりも、裏面ｓ偏光反射率が低くなる。
第４の実施形態において、第１、および３の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０と同じ構成については、説明を省略する。

（第２の被覆層）
第２の被覆層２５の、凸条１２の幅方向の厚さの最大値Ｄａ２は、４〜２５ｎｍが好ましく、５〜２２ｎｍがより好ましい。Ｄａ２が４ｎｍ以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。Ｄａ２が２５ｎｍ以下であれば、ｐ偏光透過率が充分に高くなる。

凸条１２の頂部１９より下方に位置する第２の被覆層２５の高さＨ３（図４中には、表示していない。）に関して、Ｈ３／Ｈｐは、０．８〜１が好ましく、０．９〜１がより好ましい。Ｈ３／Ｈｐが１以下であれば、偏光分離能が向上する。Ｈ３／Ｈｐが０．８以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。

〔第５の実施形態〕
図５は、本発明の製造方法で得られるワイヤグリッド型偏光子の第５の実施形態を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子１０は、断面形状が台形である複数の凸条１２が、該凸条１２間に形成される溝の平坦部１３を介して互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された光透過性基板１４と、凸条１２の第１の側面１６の全部を被覆する金属層２２と、凸条１２の高さの半分の位置よりも頂部１９側の金属層２２の表面および凸条１２の頂部に形成された金属層２２と、凸条１２の第２の側面１８の全部を被覆する金属酸化物層２６を有する。

被覆層は、第１の被覆層２０および第２の被覆層２５からなる。
第１の被覆層２０は、２つの金属層２２からなり、凸条１２の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９までの被覆厚さの最大値よりも小さい。
第２の被覆層２５は、金属酸化物層２６のみからなる。
被覆層は、凸条１２の長さ方向に伸びて金属細線を構成する。
第５の実施形態は第１、および２の実施形態よりも、裏面ｓ偏光反射率が低くなる。
第５の実施形態において、第１、および４の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０と同じ構成については、説明を省略する。

〔第６の実施形態〕
図６は、本発明の製造方法で得られるワイヤグリッド型偏光子の第６の実施形態を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子１０は、断面形状が台形である複数の凸条１２が、該凸条１２間に形成される溝の平坦部１３を介して互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された光透過性基板１４と、凸条１２の第１の側面１６の全部を被覆する金属酸化物層２１と、凸条１２の高さの半分の位置よりも頂部１９側の金属酸化物層２１の表面および凸条１２の頂部１９に形成された金属層２２と、凸条１２の第２の側面１８の全部を被覆する金属酸化物層２６を有する。

被覆層は、第１の被覆層２０および第２の被覆層２５からなる。
第１の被覆層２０は、金属酸化物層２１および金属層２２からなり、凸条１２の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９までの被覆厚さの最大値よりも小さい。
第２の被覆層２５は、金属酸化物層２６のみからなる。
被覆層は、凸条１２の長さ方向に伸びて金属細線を構成する。
第６の実施形態は第１、および２の実施形態よりも、裏面ｓ偏光反射率が低くなる。
第６の実施形態において、第１、および４の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０と同じ構成については、説明を省略する。

＜各実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法＞
〔第１の実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法〕
第１の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０は、光透過性基板１４の凸条１２の第１の側面１６の表面に金属酸化物層２１を形成する工程（１Ｒ１）と、工程（１Ｒ１）の後、金属酸化物層２１の表面に金属層２２を形成する工程（１Ｒ２）とを実施することによって製造できる。

（金属酸化物層の形成）
金属酸化物層２１は、図７に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１６の側に下式（ａ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向Ｖ１からアルミニウムを蒸着する工程（１Ｒ１）を実施することにより形成できる。
ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ ・・・（ａ）。

式（ａ）の角度θ^Ｒ _１（°）は、隣の凸条１２に遮られることなく、凸条１２の底部側の表面までアルミニウムを蒸着するための角度を表わし、図８に示すように、凸条１２の底部の表面から隣の凸条１２の底部の中心までの距離（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）と隣の凸条１２の頂部の高さＨｐとから決まる。「±１０」は振れ幅である。
角度θ^Ｒ _１（°）は、ｔａｎ（θ^Ｒ _１±７）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことが好ましく、ｔａｎ（θ^Ｒ _１±５）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことがより好ましい。

蒸着は、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、５〜２２ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で、式（ａ）を満たす範囲で角度θ^Ｒ _１（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。角度θ^Ｒ _１（°）を連続的に変化させる場合、角度を小さくする方向に変化させることが好ましい。蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件とは、凸条に被覆層を形成する際に、凸条が形成されていない平坦な部分の表面にアルミニウムを蒸着して形成される被覆層の厚さｔが、４〜２５ｎｍとなるような条件である。

金属酸化物層２１は、金属酸化物層２１に酸素欠陥が生じるように、酸素の存在下にアルミニウムを蒸着して形成する。具体的には、蒸着量が２０ｎｍとなるように平坦な部分にアルミニウムを蒸着させた際に透過率Ｔ（％）および反射率Ｒ（％）が、上述の式（ｊ）〜（ｍ）を満足するアルミニウム酸化物からなる薄膜が形成されるような蒸着条件にて形成することが好ましい。

（金属層の形成）
金属層２２は、工程（１Ｒ１）の後、図７に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１６の側に下式（ｂ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向Ｖ１からアルミニウムを、工程（１Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着する工程（１Ｒ２）を実施することにより形成できる。
θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋３０ ・・・（ｂ）。
角度θ^Ｒ _２（°）は、θ^Ｒ _１＋６≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋２５を満たすことが好ましく、θ^Ｒ _１＋１０≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋２０を満たすことがより好ましい。

蒸着は、工程（１Ｒ１）より多い蒸着量となる条件かつ蒸着量が２５〜７０ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、３０〜６０ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が２５〜７０ｎｍとなる条件で、式（ｂ）を満たす範囲で、角度θ^Ｒ _２（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。角度θ^Ｒ _２（°）を連続的に変化させる場合、角度を小さくする方向に変化させることが好ましい。

金属層２２は、金属層２２にアルミニウム酸化物が形成されないようにアルミニウムを蒸着して形成する。具体的には、蒸着量が２０ｎｍとなるように平坦な部分にアルミニウムを蒸着させた際に透過率Ｔ（％）が３％未満であり、かつ反射率Ｒ（％）が８５％を超えるアルミニウムの薄膜が形成されるような蒸着条件にて、金属層を形成することが好ましい。

〔第２の実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法〕
第２の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０は、第１の実施形態の製造方法において、工程（１Ｒ１）で形成される金属酸化物層２１を金属層２２に変更し、工程（１Ｒ２）で形成される金属層２２を金属酸化物層２１に変更する以外は、第１の実施形態の製造方法と同様にして製造できる。

〔第３の実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法〕
第３の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０は、光透過性基板１４の凸条１２の第１の側面１６の表面に金属酸化物層２１を形成する工程（２Ｒ１）と、光透過性基板１４の凸条１２の第２の側面１８の表面に金属酸化物層２６を形成する工程（２Ｌ１）と、工程（２Ｒ１）の後、金属酸化物層２１の表面に金属層２２を形成する工程（２Ｒ２）と、工程（２Ｌ１）の後、金属酸化物層２６の表面に金属層２７を形成する工程（２Ｌ２）とを実施することによって製造できる。工程（２Ｒ１）、工程（２Ｌ１）、工程（２Ｒ２）、工程（２Ｌ２）の順に行うのが好ましく、工程（２Ｒ１）、工程（２Ｒ２）、工程（２Ｌ１）、工程（２Ｌ２）の順に行ってもよく、工程（２Ｒ１）、工程（２Ｌ１）、工程（２Ｌ２）、工程（２Ｒ２）の順に行ってもよい。第３の実施形態の製造方法において、第１の実施形態の製造方法と同じ内容については、説明を省略する。

（第１の被覆層側の金属酸化物層の形成）
金属酸化物層２１は、図７に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１６の側に下式（ｃ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向Ｖ１からアルミニウムを蒸着する工程（２Ｒ１）を実施することにより形成できる。
ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ ・・・（ｃ）。
角度θ^Ｒ _１（°）は、ｔａｎ（θ^Ｒ _１±７）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことが好ましく、ｔａｎ（θ^Ｒ _１±５）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことがより好ましい。

蒸着は、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、５〜２２ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で、式（ｃ）を満たす範囲で角度θ^Ｒ _１（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。角度θ^Ｒ _１（°）を連続的に変化させる場合、角度を小さくする方向に変化させることが好ましい。

（第２の被覆層側の金属酸化物層の形成）
金属酸化物層２６は、図７に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第２の側面１８の側に下式（ｄ）を満たす角度θ^Ｌ _１（°）をなす方向Ｖ２からアルミニウムを蒸着する工程（２Ｌ１）を実施することにより形成できる。
ｔａｎ（θ^Ｌ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ ・・・（ｄ）。
角度θ^Ｌ _１（°）は、ｔａｎ（θ^Ｌ _１±７）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことが好ましく、ｔａｎ（θ^Ｌ _１±５）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことがより好ましい。

蒸着は、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、５〜２２ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で、式（ｄ）を満たす範囲で角度θ^Ｌ _１（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。工程（２Ｒ１）の後に工程（２Ｌ１）を行い、かつ角度θ^Ｌ _１（°）を連続的に変化させる場合は、角度を大きくする方向に変化させることが好ましい。

金属酸化物層２６は、金属酸化物層２６に酸素欠陥が生じるように、酸素の存在下にアルミニウムを蒸着して形成する。具体的には、蒸着量が２０ｎｍとなるように平坦な部分にアルミニウムを蒸着させた際に透過率Ｔ（％）および反射率Ｒ（％）が、上述の式（ｊ）〜（ｍ）を満足するアルミニウム酸化物からなる薄膜が形成されるような蒸着条件にて形成することが好ましい。

（第１の被覆層側の金属層の形成）
金属層２２は、工程（２Ｒ１）の後、図７に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１６の側に下記式（ｅ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向Ｖ１からアルミニウムを、工程（２Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着する工程（２Ｒ２）を実施することにより形成できる。
θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋２０ ・・・（ｅ）。
角度θ^Ｒ _２（°）は、θ^Ｒ _１＋８≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋１８を満たすことが好ましく、θ^Ｒ _１＋１０≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋１５を満たすことがより好ましい。

蒸着は、工程（２Ｒ１）より多い蒸着量となる条件かつ蒸着量が１０〜２５ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、１５〜２０ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が１０〜２５ｎｍとなる条件で、式（ｅ）を満たす範囲で角度θ^Ｒ _２（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。工程（２Ｒ１）の後に、後述する工程（２Ｌ２）を行い、かつ角度θ^Ｒ _２（°）を連続的に変化させる場合、角度を小さくする方向に変化させることが好ましい。

（第２の被覆層側の金属層の形成）
金属層２７は、工程（２Ｌ１）の後、図７に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第２の側面１８の側に下式（ｆ）を満たす角度θ^Ｌ _２（°）をなす方向Ｖ２からアルミニウムを、工程（２Ｌ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着する工程（２Ｌ２）を実施することにより形成できる。
θ^Ｌ _１＋１≦θ^Ｌ _２≦θ^Ｌ _１＋２０ ・・・（ｆ）。
角度θ^Ｌ _２（°）は、θ^Ｌ _１＋３≦θ^Ｌ _２≦θ^Ｌ _１＋１８を満たすことが好ましく、θ^Ｌ _１＋５≦θ^Ｌ _２≦θ^Ｌ _１＋１５を満たすことがより好ましい。

蒸着は、工程（２Ｌ１）より多い蒸着量となる条件、かつ蒸着量が１０〜２５ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、１５〜２０ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が１０〜２５ｎｍとなる条件で、式（ｆ）を満たす範囲で角度θ^Ｌ _２（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。工程（２Ｒ２）の後に工程（２Ｌ２）を行い、角度θ^Ｌ _２（°）を連続的に変化させる場合は、角度を大きくする方向に変化させることが好ましい。

金属層２７は、金属層２７にアルミニウム酸化物が形成されないようにアルミニウムを蒸着して形成する。具体的には、蒸着量が２０ｎｍとなるように平坦な部分にアルミニウムを蒸着させた際に透過率Ｔ（％）が３％未満であり、かつ反射率Ｒ（％）が８５％を超えるアルミニウムの薄膜が形成されるような蒸着条件にて、金属層を形成することが好ましい。

〔第４の実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法〕
第４の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０は、第１の実施形態の製造方法に、下記の工程を加えることによって製造できる。任意の段階で、光透過性基板１４の凸条１２の第２の側面１８の表面に金属層２７を形成する工程（１Ｌ１）である。
第４の実施形態の製造方法において、第１の実施形態の製造方法と同じ内容については、説明を省略する。

（第２の被覆層側の金属層の形成）
金属層２７は、図７に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第２の側面１８の側に下式（ｇ）を満たす角度θ^Ｌ _１（°）をなす方向Ｖ２からアルミニウムを蒸着する工程（１Ｌ１）を実施することにより形成するのが好ましい。
ｔａｎ（θ^Ｌ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ ・・・（ｇ）。
角度θ^Ｌ _１（°）は、ｔａｎ（θ^Ｌ _１±５）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことが好ましい。

蒸着は、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、５〜２２ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で、式（ｇ）を満たす範囲で角度θ^Ｌ _１（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。

〔第５の実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法〕
第５の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０は、第４の実施形態の製造方法において、工程（１Ｒ１）で形成される金属酸化物層２１を金属層２２に変更し、工程（１Ｌ１）で形成される金属層２７を金属酸化物層２６に変更する以外は、第４の実施形態の製造方法と同様にして製造できる。

〔第６の実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法〕
第６の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０は、第１の実施形態の製造方法に、下記の工程を加えることによって製造できる。任意の段階で、光透過性基板１４の凸条１２の第２の側面１８の表面に金属酸化物層２６を形成する工程（１Ｌ１）である。
第６の実施形態の製造方法において、第１の実施形態の製造方法と同じ内容については、説明を省略する。

（第２の被覆層側の金属酸化物層の形成）
金属酸化物層２６は、図７に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第２の側面１８の側に下式（ｈ）を満たす角度θ^Ｌ _１（°）をなす方向Ｖ２からアルミニウムを蒸着する工程（１Ｌ１）を実施することにより形成するのが好ましい。
ｔａｎ（θ^Ｌ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ ・・・（ｈ）。
角度θ^Ｌ _１（°）は、ｔａｎ（θ^Ｌ _１±５）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことが好ましい。

蒸着は、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、５〜２２ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で、式（ｈ）を満たす範囲で角度θ^Ｌ _１（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。

第１〜６の実施形態の製造方法における角度θ^Ｒ（θ^Ｌ）は、たとえば、下記の蒸着装置を用いることによって調整できる。凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１６（第２の側面１８）の側に角度θ^Ｒ（θ^Ｌ）をなす方向Ｖ１（Ｖ２）の延長線上に蒸着源が位置するように、蒸着源に対向して配置された光透過性基板１４の傾きを変更できる蒸着装置である。

（作用効果）
以上説明した本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法にあっては、複数の凸条が、該凸条間に形成される平坦部を介して互いに平行に、かつ所定のピッチで表面に形成された光透過性基板の、凸条の少なくとも一方の側面を被覆するように、金属層および金属酸化物層からなる被覆層を形成しているため、偏光度およびｐ偏光透過率が高いワイヤグリッド型偏光子を製造できる。
また、本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法にあっては、凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さくなるように被覆層を形成し、かつ被覆層の一部を構成する金属酸化物層を、該金属酸化物層に酸素欠陥が生じるように、酸素の存在下にアルミニウムを蒸着して形成しているため、一方の面（凸条が形成された側の面、すなわち表面）のｓ偏光反射率が高く、かつ他方の面（凸条が形成されていない側の面、すなわち裏面）のｓ偏光反射率が低いワイヤグリッド型偏光子を製造できる。

＜液晶表示装置＞
本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を挟持した液晶パネルと、バックライトユニットと、凸条が形成された側の面がバックライトユニット側となり、凸条が形成されていない側の面が液晶表示装置の視認側となるように配置された、本発明の製造方法で得られたワイヤグリッド型偏光子とを有するものである。

ワイヤグリッド型偏光子は、液晶パネルの一方の表面に配置されていてもよく、バックライトユニット側の液晶パネルの表面に配置されていることが好ましい。
また、ワイヤグリッド型偏光子は、特開２００６−１３９２８３号公報の図１５等に記載されているように、液晶パネルの一対の基板のうちの一方の基板と、一体化された状態で配置されていてもよく、バックライトユニット側の液晶パネルの前記基板と一体化されていることが好ましい。
また、ワイヤグリッド型偏光子は、特許第４４１２３８８号公報の図１４等に記載されているように、液晶パネルの一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側、すなわち液晶パネルの内部に配置されていてもよく、液晶パネルの一対の基板のうちのバックライトユニット側の基板の液晶層側に配置されていることが好ましい。

本発明の液晶表示装置は、薄型化の点から、ワイヤグリッド型偏光子が配置された側とは反対側の液晶パネルの表面に、吸収型偏光子を有することが好ましい。
吸収型偏光子は、バックライトユニット側とは反対側の液晶パネルの表面に配置されていることがより好ましい。

図９は、本発明の液晶表示装置の一例を示す断面図である。液晶表示装置３０は、一対の基板３１、基板３２間に液晶層３３を挟持した液晶パネル３４と、バックライトユニット３５と、バックライトユニット３５側の液晶パネル３４の表面に貼着された本発明の製造方法で得られたワイヤグリッド型偏光子１０と、バックライトユニット３５側とは反対側の液晶パネル３４の表面に貼着された吸収型偏光子３６とを有する。

以上説明した本発明の液晶表示装置にあっては、本発明の製造方法で得られた、偏光度およびｐ偏光透過率が高いワイヤグリッド型偏光子を有するため、輝度が高い。
また、本発明の液晶表示装置にあっては、本発明の製造方法で得られた、一方の面（凸条が形成された側の面、すなわち表面）のｓ偏光反射率が高く、かつ他方の面（凸条が形成されていない側の面、すなわち裏面）のｓ偏光反射率が低いワイヤグリッド型偏光子が、凸条が形成された側の面がバックライトユニット側となり、凸条が形成されていない側の面が液晶表示装置の視認側となるように配置されているため、コントラストの低下が抑えられる。

以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。例１〜１９は実施例であり、例２０は比較例である。

（凸条および各層の各寸法）
凸条および各層の各寸法は、ワイヤグリッド型偏光子の断面の透過型電子顕微鏡像において、５つの凸条および該凸条上の各層における各寸法を測定し、５つの値を平均して求めた。

（ｐ偏光透過率）
ｐ偏光透過率は、紫外可視分光光度計（ＪＡＳＣＯ社製、Ｖ−７２００）を用いて測定した。測定は、付属の偏光子を、光源とワイヤグリッド型偏光子との間に、ワイヤグリッド型偏光子の金属細線の長軸に吸収軸が平行な向きにセットし、ワイヤグリッド型偏光子の表面側（凸条が形成された側）または裏面側（凸条が形成されていない側）から偏光を入射して行った。測定波長は、４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、および７００ｎｍとした。
ｐ偏光透過率が、７０％以上をＳとし、６０％以上７０％未満をＡとし、５０％以上６５％未満をＢとし、５０％未満をＸとした。

（ｓ偏光反射率）
ｓ偏光反射率は、紫外可視分光光度計（ＪＡＳＣＯ社製、Ｖ−７２００）を用いて測定した。測定は、付属の偏光子を、光源とワイヤグリッド型偏光子との間に、ワイヤグリッド型偏光子の金属細線の長軸に吸収軸が直行する向きにセットし、ワイヤグリッド型偏光子の表面または裏面に対し、５度の角度で偏光を入射して行った。測定波長は、４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、および７００ｎｍとした。表面ｓ偏光反射率が、８０％以上をＳとし、７０％以上８０％未満をＡとした。また、裏面ｓ偏光反射率が、２０％未満をＳとし、２０％以上４０％未満をＡとし、４０％以上５０％未満をＢとし、５０％以上をＸとした。

（偏光度）
偏光度は、下式（ｎ）から計算した。
偏光度＝（（Ｔｐ−Ｔｓ）／（Ｔｐ＋Ｔｓ））^０．５ ×１００・・・（ｎ）。
ただし、Ｔｐは、表面ｐ偏光透過率であり、Ｔｓは、表面ｓ偏光透過率である。
偏光度が９９．５％以上をＳとし、９９．０％以上９９．５％未満をＡとし、９８．０％以上９９．０％未満をＢとし、９８．０％未満をＸとした。

（輝度）
輝度は、下記の方法で測定した。
２インチサイズのＬＥＤサイドライト型バックライトユニット上に、ワイヤグリッド型偏光子、および液晶パネルを順に重ねた。ワイヤグリッド型偏光子は、裏面側（凸条が形成されていない側）が液晶パネル側になるように設置した。液晶パネルとしては、上側にのみヨウ素系偏光板を備えたものを用いた。暗室内でバックライトユニットおよび液晶パネルを立ち上げた。液晶パネルの全面の表示を白色表示とし、点灯１０分後の中心輝度Ｂ３１を、色彩輝度計（トプコン社製、ＢＭ−５ＡＳ）を用いて視野角０．１°で測定した。次いで、液晶パネルの全面の表示を黒表示とし、そのときの輝度Ｂ３２を測定した。

同じバックライトユニットを用い、この上に上側および下側にヨウ素系偏光板を備えた液晶パネルを重ねた。暗室内でバックライトユニットおよび液晶パネルを立ち上げ、同様に液晶パネルの全面の表示を白色表示としたときの中心輝度Ｂ２１を測定した。上記測定で得られた値を用いて、下式（ｏ）から輝度向上率を求めた。
輝度向上率＝（Ｂ３１−Ｂ２１）／Ｂ２１×１００ ・・・（ｏ）。
輝度向上率が２５％以上をＳとし、２０％以上２５％未満をＡとし、１５％以上２０％未満をＢとし、１５％未満をＸとした。

（コントラスト）
上記測定で得られた値を用いて、下式（ｐ）からコントラストを求めた。
コントラスト＝Ｂ３１／Ｂ３２ ・・・（ｐ）。
コントラストが５００以上をＳとし、３００以上５００未満をＡとし、１００以上３００未満をＢとし、１００未満をＸとした。

（光硬化性組成物の調製）
撹拌機および冷却管を装着した１０００ｍＬの４つ口フラスコに、
単量体１（新中村化学工業社製、ＮＫ エステル Ａ−ＤＰＨ、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）の６０ｇ、単量体２（新中村化学工業社製、ＮＫ エステル Ａ−ＮＰＧ、ネオペンチルグリコールジアクリレート）の４０ｇ、光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７）の４．０ｇ、含フッ素界面活性剤（旭硝子社製、フルオロアクリレート（ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯ（ＣＨ_２）_２（ＣＦ_２）_８Ｆ）とブチルアクリレートとのコオリゴマー、フッ素含有量：約３０質量％、質量平均分子量：約３０００）の０．１ｇ、重合禁止剤（和光純薬社製、Ｑ１３０１）の１．０ｇ、およびシクロヘキサノンの６５．０ｇを入れた。

フラスコ内を常温および遮光にした状態で、１時間撹拌して均一化した。次いで、フラスコ内を撹拌しながら、コロイド状シリカの１００ｇ（固形分：３０ｇ）をゆっくりと加え、さらにフラスコ内を常温および遮光にした状態で、１時間撹拌して均一化した。次いで、シクロヘキサノンの３４０ｇを加え、フラスコ内を常温および遮光にした状態で、１時間撹拌して光硬化性組成物１の溶液を得た。

（光透過性基板の作製）
厚さ１００μｍの高透過ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人デュポン社製、帝人テトロンＯ３、１００ｍｍ×１００ｍｍ）の表面に、光硬化性組成物１をスピンコート法により塗布し、厚さ５μｍの光硬化性組成物１の塗膜を形成した。複数の溝が、該溝間に形成される平坦部を介して互いに平行にかつ所定のピッチで形成された石英製モールド（面積：１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、パターン面積：１００ｍｍ×１００ｍｍ、溝のピッチＰｐ：１４０ｎｍ、溝の上部の幅Ｄｐｂ：６０ｎｍ、溝の底部の幅Ｄｐｔ：２０ｎｍ、溝の深さＨｐ：２００ｎｍ、溝の長さ：１００ｍｍ、溝の断面形状：略台形）を、溝が光硬化性組成物１の塗膜に接するように、２５℃にて０．５ＭＰａ（ゲージ圧）で光硬化性組成物１の塗膜に押しつけた。

前記した石英製モールドを光硬化性組成物１の塗膜に押しつけた状態を保持したまま、ＰＥＴフィルム側から高圧水銀灯（周波数：１．５ｋＨｚ〜２．０ｋＨｚ、主波長光：２５５ｎｍ、３１５ｎｍおよび３６５ｎｍ、３６５ｎｍにおける照射エネルギー：１０００ｍＪ）の光を１５秒間照射し、光硬化性組成物１を硬化させ、次いで、光透過性基板１から石英製モールドをゆっくり分離した。このようにして、石英製モールドの溝に対応する複数の凸条および該凸条間の平坦部を有する光透過性基板１（凸条のピッチＰｐ：１４０ｎｍ、凸条の底部の幅Ｄｐｂ：６０ｎｍ、凸条の頂部の幅Ｄｐｔ：２０ｎｍ、凸条の高さＨｐ：２００ｎｍ、θ１およびθ２：８４°）を作製した。

（蒸着条件の条件出し）
（ｉ）真空蒸着装置（昭和真空社製、ＳＥＣ−１６ＣＭ）内において、蒸着源（アルミニウム）を加熱することによって、平坦な無アルカリガラス基板に、アルミニウムを２０秒間蒸着して薄膜を形成した。
（ii）水晶振動子を膜厚センサとする膜厚モニタによって薄膜の厚さを測定し、これを蒸着時間で除して蒸着速度を算出したところ１．８ｎｍ／ｓｅｃであった。
（iii）手順（ｉ）と同じ真空蒸着装置内において、酸素導入量：０ｓｃｃｍの条件にて、手順（ｉ）と同じ加熱条件にて蒸着源（アルミニウム）を加熱することによって、平坦な無アルカリガラス基板に、蒸着量が２０ｎｍとなるような蒸着時間にてアルミニウムを蒸着して薄膜を形成した。
（iv）薄膜の透過率（Ｔ）および反射率（Ｒ）を、紫外可視分光光度計を用いて測定した。Ｔ：２．９％、Ｒ：８６％のアルミニウム（Ａｌ）の薄膜が形成されていることが確認された。結果を表１に示す。
（ｖ）酸素導入量を表１に示す値に変更しながら、手順（iii）〜（iv）を繰り返し行った。式（ｊ）〜（ｍ）を満足する酸素欠陥を有するアルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３−ｘ）からなる薄膜が形成されていることが確認された。
（vi）蒸着源（アルミニウム）の加熱条件を変更しながら、手順（ｉ）〜（ｖ）を繰り返し行った。蒸着速度：１．０ｎｍ／ｓｅｃならびに０．３ｎｍ／ｓｅｃのそれぞれについて、酸素導入量が表１に示す値のときの結果を表１に示す。蒸着速度：０．３ｎｍ／ｓｅｃ、および酸素導入量：１０ｓｃｃｍのとき、Ｔ：９１％であり、Ｒ：８％の酸素欠陥のない酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）の薄膜が形成されていることが確認された。また、これ以外のとき、式（ｊ）〜（ｍ）を満足する酸素欠陥を有するアルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３−ｘ）からなる薄膜が形成されていることが確認された。

蒸着速度ごとの酸素導入量と透過率（Ｔ）との関係を図１０のグラフに示す。
蒸着速度ごとの酸素導入量と反射率（Ｒ）との関係を図１１のグラフに示す。
蒸着速度ごとの酸素導入量と吸収率（Ａ）との関係を図１２のグラフに示す。
蒸着速度ごとの透過率（Ｔ）と反射率（Ｒ）と吸収率（Ａ）との関係を図１３の三角図に示す。

〔例１〕
（被覆層の形成）
蒸着源に対向する光透過性基板１の傾きを変更可能な真空蒸着装置（昭和真空社製、ＳＥＣ−１６ＣＭ）を用い、光透過性基板の凸条に斜方蒸着法にてアルミニウムを蒸着させて被覆層を形成し、裏面にＰＥＴフィルムが貼着された、第１の実施形態（図１）に示すようなワイヤグリッド型偏光子を得た。なお、１回目の蒸着は、表１に示す蒸着条件（蒸着速度と酸素供給量）と、表２に示す方向Ｖ、角度θ^Ｒ（Ｌ）、および蒸着量ｔとで行い、２回目の蒸着は、表１に示す蒸着条件（蒸着速度と酸素供給量）と、表２に示す方向Ｖ、角度θ^Ｒ（Ｌ）、および蒸着量ｔとで行なった。蒸着量ｔは、蒸着により凸条が形成されていない平坦な部分に形成される金属層または金属酸化物層の厚さであり、水晶振動子を膜厚センサとする膜厚モニタによって測定した。

〔例２〕
１回目の蒸着および２回目の蒸着を、表１に示す蒸着条件（蒸着速度と酸素供給量）と、表２に示す方向Ｖ、角度θ^Ｒ（Ｌ）、および蒸着量ｔに変更した以外は、例１と同様にして、第２の実施形態（図２）に示すようなワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔例３〜６〕
１回目の蒸着および２回目の蒸着を、表１に示す蒸着条件（蒸着速度と酸素供給量）と、表２に示す方向Ｖ、角度θ^Ｒ（Ｌ）、および蒸着量ｔに変更した以外は、例１と同様にして、第１の実施形態（図１）に示すようなワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔例７〜１１〕
蒸着の回数を表２に示す回数に変更し、各回の蒸着における蒸着条件（蒸着速度と酸素供給量）、方向Ｖ、角度θ^Ｒ（Ｌ）、および蒸着量ｔを表２に示すように変更した以外は、例１と同様にして、第３の実施形態（図３）に示すようなワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔例１２〕
蒸着の回数を表２に示す回数に変更し、各回の蒸着を、表１に示す蒸着条件（蒸着速度と酸素供給量）と、表２に示す方向Ｖ、角度θ^Ｒ（Ｌ）、および蒸着量ｔに変更した以外は、例１と同様にして、第４の実施形態（図４）に示すようなワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔例１３〕
蒸着の回数を表２に示す回数に変更し、各回の蒸着を、表１に示す蒸着条件（蒸着速度と酸素供給量）と、表２に示す方向Ｖ、角度θ^Ｒ（Ｌ）、および蒸着量ｔに変更した以外は、例１と同様にして、第５の実施形態（図５）に示すようなワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔例１４〕
蒸着の回数を表２に示す回数に変更し、各回の蒸着を、表１に示す蒸着条件（蒸着速度と酸素供給量）と、表２に示す方向Ｖ、角度θ^Ｒ（Ｌ）、および蒸着量ｔに変更した以外は、例１と同様にして、第６の実施形態（図６）に示すようなワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔例１５〜１９〕
各回の蒸着を、表１に示す蒸着条件（蒸着速度と酸素供給量）と、表２に示す方向Ｖ、角度θ^Ｒ（Ｌ）、および蒸着量ｔに変更した以外は、例１１と同様にして、第３の実施形態（図３）に示すようなワイヤグリッド型偏光子を得た。

〔例２０〕
蒸着の回数を表２に示す回数に変更し、各回の蒸着を、表１に示す蒸着条件（蒸着速度と酸素供給量）と、表２に示す方向Ｖ、角度θ^Ｒ（Ｌ）、および蒸着量ｔに変更した以外は、例１と同様にして、第３の実施形態（図３）に示すようなワイヤグリッド型偏光子（ただし、金属酸化物層は式（ｊ）を満足しない。）を得た。

〔測定、評価〕
例１〜２０のワイヤグリッド型偏光子について、被覆層の各寸法を測定した。結果を表３に示す。また、例１〜２０のワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度、輝度、およびコントラストを測定した。結果を表４に示す。

本発明の製造方法で得られたワイヤグリッド型偏光子は、液晶表示装置、リアプロジェクションテレビ、フロントプロジェクター等の画像表示装置の偏光子、偏光メガネ等として有用である。
なお、２０１０年４月１９日に出願された日本特許出願２０１０−０９５８４７号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

１０ ワイヤグリッド型偏光子
１２ 凸条
１３ 平坦部
１４ 光透過性基板
１６ 第１の側面
１８ 第２の側面
１９ 頂部
２０ 第１の被覆層
２１ 金属酸化物層
２２ 金属層
２５ 第２の被覆層
２６ 金属酸化物層
２７ 金属層
３０ 液晶表示装置
３１ 基板
３２ 基板
３３ 液晶層
３４ 液晶パネル
３５ バックライトユニット
３６ 吸収型偏光子

Claims (17)

1. 複数の凸条が、該凸条間に形成される平坦部を介して互いに平行に、かつ所定のピッチで表面に形成された光透過性基板と、
   前記凸条の少なくとも一方の側面を被覆する、金属層および金属酸化物層からなる被覆層とを有し、
   前記被覆層において、前記凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が前記凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さい、
   ワイヤグリッド型偏光子を製造する方法であって、
   前記金属層を、該金属層に酸化物が形成されないようにアルミニウムを蒸着して形成し、
   前記金属酸化物層を、該金属酸化物層に酸素欠陥が生じるように、酸素の存在下にアルミニウムを蒸着して形成する、ワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
2. 前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下式（ａ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向からアルミニウムを蒸着して、前記金属酸化物層または前記金属層を形成する工程（１Ｒ１）と、
   前記工程（１Ｒ１）の後、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下式（ｂ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向からアルミニウムを、工程（１Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着して、前記金属層または前記金属酸化物層を形成する工程（１Ｒ２）とを有する、請求項１に記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
   ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ ・・・（ａ）、
   θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋３０ ・・・（ｂ）。
   ただし、Ｐｐは凸条間のピッチであり、Ｄｐｂは凸条の底部の幅であり、Ｈｐは凸条の高さである。
3. 前記工程（１Ｒ１）を、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行い、
   前記工程（１Ｒ２）を、蒸着量が２５〜７０ｎｍとなる条件で行う、請求項２に記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
4. 前記被覆層が、前記凸条の２つの側面を被覆し、かつ２つの側面において前記凸条の高さの半分の位置から底部までの被覆厚さの最大値が前記凸条の高さの半分の位置から頂部までの被覆厚さの最大値よりも小さい、請求項１に記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
5. 前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下式（ｃ）を満たす角度θ^Ｒ _１（°）をなす方向からアルミニウムを蒸着して、前記金属酸化物層または前記金属層を形成する工程（２Ｒ１）と、
   前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第２の側面の側に下式（ｄ）を満たす角度θ^Ｌ _１（°）をなす方向からアルミニウムを蒸着して、前記金属酸化物層または前記金属層を形成する工程（２Ｌ１）と、
   前記工程（２Ｒ１）の後、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第１の側面の側に下式（ｅ）を満たす角度θ^Ｒ _２（°）をなす方向からアルミニウムを、工程（２Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着して、前記金属層または前記金属酸化物層を形成する工程（２Ｒ２）と、
   前記工程（２Ｌ１）の後、前記凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ前記凸条の高さ方向に対して第２の側面の側に下式（ｆ）を満たす角度θ^Ｌ _２（°）をなす方向からアルミニウムを、工程（２Ｌ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着して、前記金属層または前記金属酸化物層を形成する工程（２Ｌ２）とを有する、請求項４に記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
   ｔａｎ（θ^Ｒ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ ・・・（ｃ）、
   ｔａｎ（θ^Ｌ _１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ ・・・（ｄ）、
   θ^Ｒ _１＋３≦θ^Ｒ _２≦θ^Ｒ _１＋２０ ・・・（ｅ）、
   θ^Ｌ _１＋１≦θ^Ｌ _２≦θ^Ｌ _１＋２０ ・・・（ｆ）。
   ただし、Ｐｐは凸条間のピッチであり、Ｄｐｂは凸条の底部の幅であり、Ｈｐは凸条の高さである。
6. 前記工程（２Ｒ１）および前記工程（２Ｌ１）を、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行い、
   前記工程（２Ｒ２）および前記工程（２Ｌ２）を、蒸着量が１０〜２５ｎｍとなる条件で行う、請求項５に記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
7. 蒸着量が２０ｎｍとなるように平坦な部分にアルミニウムを蒸着させた際に透過率Ｔ（％）および反射率Ｒ（％）が下式（ｊ）〜（ｍ）を満足する薄膜が形成されるような蒸着条件にて、前記金属酸化物層を形成する、請求項１〜６のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
   ３≦Ｔ≦９０ ・・・（ｊ）、
   ５≦Ｒ≦９０ ・・・（ｋ）、
   ５０≦Ｔ＋Ｒ≦９７ ・・・（ｌ）、
   ９０≦Ｔ＋２Ｒ ・・・（ｍ）。
8. 前記凸条の長さ方向に直交する断面形状が、底部から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる形状である、請求項１〜７のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
9. 前記凸条の長さ方向に直交する断面形状が、三角形または台形である、請求項８に記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
10. 前記凸条が、光硬化樹脂または熱可塑性樹脂からなり、インプリント法で形成される、請求項１〜９のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
11. 一対の基板間に液晶層を挟持した液晶パネルと、
    バックライトユニットと、
    凸条が形成された側の面が前記バックライトユニット側となり、凸条が形成されていない側の面が液晶表示装置の視認側となるように配置された、請求項１〜１０のいずれかに記載の製造方法で得られたワイヤグリッド型偏光子と、
    を有する液晶表示装置。
12. 吸収型偏光子をさらに有し、
    前記ワイヤグリッド型偏光子が、前記液晶パネルの一方の表面に配置され、
    前記吸収型偏光子が、前記ワイヤグリッド型偏光子が配置された側とは反対側の前記液晶パネルの表面に配置されている、請求項１１に記載の液晶表示装置。
13. 前記ワイヤグリッド型偏光子が、前記バックライトユニット側の前記液晶パネルの表面に配置され、
    前記吸収型偏光子が、前記バックライトユニット側とは反対側の前記液晶パネルの表面に配置されている、請求項１２に記載の液晶表示装置。
14. 吸収型偏光子をさらに有し、
    前記ワイヤグリッド型偏光子が、前記液晶パネルの前記一対の基板のうちの一方の基板と一体化され、
    前記吸収型偏光子が、前記ワイヤグリッド型偏光子が一体化された側とは反対側の前記液晶パネルの基板の表面に配置されている、請求項１１に記載の液晶表示装置。
15. 前記ワイヤグリッド型偏光子が、前記バックライトユニット側の前記液晶パネルの前記基板と一体化され、
    前記吸収型偏光子が、前記バックライトユニット側とは反対側の前記液晶パネルの表面に配置されている、請求項１４に記載の液晶表示装置。
16. 吸収型偏光子をさらに有し、
    前記ワイヤグリッド型偏光子が、前記液晶パネルの前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側に配置され、
    前記吸収型偏光子が、前記ワイヤグリッド型偏光子が配置された側とは反対側の前記液晶パネルの基板の表面に配置されている、請求項１１に記載の液晶表示装置。
17. 前記ワイヤグリッド型偏光子が、前記液晶パネルの前記一対の基板のうちの前記バックライトユニット側の基板の液晶層側に配置され、
    前記吸収型偏光子が、前記バックライトユニット側とは反対側の前記液晶パネルの表面に配置されている、請求項１６に記載の液晶表示装置。

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