KR20170062590A

KR20170062590A - 와이어 그리드 편광판 및 이의 제조방법

Info

Publication number: KR20170062590A
Application number: KR1020150167412A
Authority: KR
Inventors: 양수경; 안문정; 양찬우; 이동민; 이주현; 조국래
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2015-11-27
Filing date: 2015-11-27
Publication date: 2017-06-08
Also published as: US20170153372A1

Abstract

발명은 와이어 그리드 편광판 및 이의 제조방법을 제공한다. 발명의 일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판은 투광성 기판, 알루미늄(Al), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co) 중 적어도 하나의 금속으로 구성되고 상기 투광성 기판 상에 상호 이격 배치된 금속 격벽들 및 상기 금속의 산화물로 구성되고 상기 금속 격벽들 상에 배치된 금속 산화물 격벽들을 포함하고, 상기 금속 산화물 격벽들의 두께가 300 Å 인 때, 표면 거칠기의 평균값이 4 nm 이하이다.

Description

와이어 그리드 편광판 및 이의 제조방법{WIRE GRID POLARIZER PLATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SMAE}

발명은 와이어 그리드 편광판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

전자기파에서 특정 편광만을 편광시키기 위하여 평행한 도전체 선을 배열시키는 평행 전도 전선 어레이를 일반적으로 와이어 그리드 패턴(wire grid pattern)이라고 한다.

해당 빛의 파장보다 작은 주기를 가지는 와이어 그리드 패턴은 비편광 입사광에 대해 와이어 방향의 편광은 반사하고 와이어 방향에 수직인 편광은 투과하는 편광 특성을 가진다. 이는 흡수형 편광자에 비하여 반사된 편광을 재이용할 수 있다는 장점이 있다.

발명이 해결하고자 하는 하나의 과제는, 금속 표면의 불균일로 인한 와이어 그리드 패턴의 불량이 개선된 와이어 그리드 편광판을 제공하는 것이다.

발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 공정성이 향상된 와이어 그리드 편광판의 제조방법을 제공하는 것이다.

발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

발명의 일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판은, 투광성 기판, 상기 투광성 기판 상에 상호 이격 배치되고 알루미늄(Al), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co) 중 적어도 하나의 금속으로 구성된 금속 격벽들 및 상기 금속 격벽들 상에 배치되고 상기 금속의 산화물로 구성된 금속 산화물 격벽들을 포함하고, 상기 금속 산화물 격벽들의 두께가 300 Å 인 때, 표면 거칠기의 평균값이 4 nm 이하이다.

상기 와이어 그리드 편광판에서, 상기 금속 산화물 격벽들은 상기 금속 격벽들에 비해 모스 경도가 크다.

상기 와이어 그리드 편광판에서, 상기 금속 산화물 격벽들은 전기 전도성을 갖는다.

상기 와이어 그리드 편광판에서, 상기 와이어 그리드 편광판은 편광도가 99.9960 % 이상일 수 있다.

상기 와이어 그리드 편광판에서, 상기 금속 산화물 격벽들의 최대 단면 산 높이(Rp)와 최대 단면 골 높이(Rv)의 차이값(Rp-v)의 평균값이 50 nm 이하일 수 있다.

상기 와이어 그리드 편광판에서, 상기 투광성 기판과 상기 금속 격벽들이 이루는 각은 88° 이상 내지 90° 이하이다.

발명의 다른 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판의 제조방법은, 스퍼터 챔버(sputter chamber) 내에 비활성 기체를 주입하여 투광성 기판 상에 알루미늄(Al), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co) 중 적어도 하나의 금속으로 이루어진 금속층을 스퍼터링 증착한 후, 상기 스퍼터 챔버 내에 상기 비활성 기체와 산소를 주입하여, 상기 금속층 상에 상기 금속의 산화물로 이루어진 금속 산화물층을 스퍼터링 증착하는 연속 스퍼터링 증착 단계, 상기 금속 산화물층 상에 수지 격벽들을 형성하는 단계, 상기 수지 격벽들을 마스크로 이용하여 상기 금속 산화물층을 패터닝하여 상기 금속층 상에 금속 산화물 격벽들을 형성하는 단계 및 상기 금속 산화물 격벽들을 마스크로 이용하여 상기 금속층을 패터닝하여 상기 투광성 기판 상에 금속 격벽들을 형성하는 단계를 포함한다.

발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판의 제조방법은, 스퍼터 챔버(sputter chamber) 내에 비활성 기체를 주입하여 투광성 기판 상에 알루미늄(Al), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co) 중 적어도 하나의 금속으로 이루어진 금속층을 스퍼터링 증착하는 단계, 상기 금속층 상에 수지 격벽들을 형성하는 단계, 상기 스퍼터 챔버 내에 상기 비활성 기체와 산소를 주입하여 금속층상기 금속의 산화물로 이루어진 금속 산화물층을 상기 수지 격벽들과 상기 금속층 상에 스퍼터링 증착하는 단계, 상기 수지 격벽들을 제거하여 상기 금속층 상에 금속 산화물 격벽들을 형성하는 단계 및 상기 금속 산화물 격벽들을 마스크로 이용하여 상기 금속층을 패터닝하여 상기 투광성 기판 상에 금속 격벽들을 형성하는 단계를 포함한다.

상기 와이어 그리드 편광판의 제조방법들에서, 상기 각 단계는 상기 스퍼터 챔버 내에서 수행된다.

상기 와이어 그리드 편광판의 제조방법들에서, 상기 금속 산화물 격벽들의 두께가 300 Å 이상 내지 400 Å 인 때, 상기 수지 격벽들과 상기 금속 산화물 격벽들의 식각 선택비는 1:0.8 이상 1:1 이하이다.

상기 와이어 그리드 편광판의 제조방법들에서, 상기 산소의 유량은 50 sccm 미만일 수 있다.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

발명의 실시예들에 따른 와이어 그리드 편광판은, 금속 표면으로부터 돌출된 힐락(hillock)으로 인한 표면 불균일을 개선할 수 있다.

발명의 실시예들에 따른 와이어 그리드 편광판의 제조방법은, 하나의 스퍼터 챔버 내에서 모든 공정이 수행되므로, 와이어 그리드 편광판 제조공정을 단순화하여 공정성을 향상시킬 수 있다.

발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.

도 1 내지 도 6은 발명의 제1 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판의 제조 공정을 개략적으로 도시한다.
도 7 은 도 6 의 A 영역의 확대도이다.
도 8은 스퍼터 챔버 내로 유입되는 산소의 유량에 따른 상기 스퍼터 챔버의 전압과 전류의 측정 결과이다.
도 9 내지 도 14는 발명의 제2 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판의 제조 공정을 개략적으로 도시한다.
도 15 는 도 14 의 A' 영역의 확대도이다.
도 16 은 기존의 와이어 그리드 편광판의 제조방법을 개략적으로 도시하고 있다.
도 17 은 힐록(hillock)에 의한 와이어 그리드 편광판의 패턴 불량을 보여주는 이미지이다.
도 18 은 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판과 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판의 표면 거칠기(RMS)를 비교 분석한 결과 그래프이다.
도 19 는 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판과 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판의 표면 거칠기(Rp-v)를 비교 분석한 결과 그래프이다.
도 20 은 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판의 표면 이미지이다.
도 21 은 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판의 표면 이미지이다.
도 22 는 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판과 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판의 편광도를 비교한 그래프이다.
도 23 은 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판과 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판의 투과도를 비교한 그래프이다.
도 24 는 수지(Resin) 격벽들을 마스크로 이용하여 알루미늄 산화물(AlOx)층을 패터닝한 후 알루미늄 산화물 격벽들의 두께(Å)와 수지 격벽들의 잔막률(%)의 상관관계 그래프이다.
도 25 는 알루미늄 산화물(AlOx) 격벽들을 마스크로 이용하여 알루미늄층을 패터닝한 후 알루미늄 산화물 격벽들의 두께(Å)와 알루미늄 산화물 격벽들의 잔막률(%)의 상관관계 그래프이다.
도 26 은 수지 격벽들과 알루미늄 산화물 격벽들의 식각 선택비가 1: 0.8 인 때, 수지 격벽들의 잔막률(%), 알루미늄 산화물 격벽들의 잔막률(%)과 알루미늄 산화물 격벽들의 두께(Å)의 상관관계 그래프이다.
도 27 은 수지 격벽들과 산화 규소(SiOx) 격벽들의 식각 선택비가 1: 1.5 인 때, 수지 격벽들의 잔막률(%), 산화 규소 격벽들의 잔막률(%)과 산화 규소 격벽들의 두께(Å)의 상관관계 그래프이다.

발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 발명의 개시가 완전하도록 하며, 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.

이하, 도면을 참조하여 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.

도 1 내지 도 6은 발명의 제1 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판(100)의 제조 공정을 개략적으로 도시한다.

도 1은 스퍼터링(sputtering) 법을 이용하여 투광성 기판(100) 상에 금속층(121)을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한다.

예를 들어, 금속층(121)은 스퍼터 챔버(sputter chamber) 내에서 서로 대향 배치된 애노드(anode)와 캐소드(cathode)에 각각 투광성 기판(110)과 스퍼터링 타겟 물질(sputtering target material)을 배치시키고, 상기 스퍼터 챔버 내에 비활성 기체를 주입한 후, 진공 상태에서 상기 애노드와 상기 캐소드에 전압을 가해주어 플라즈마를 발생시켜 상기 스퍼터링 타겟 물질로부터 튕겨나온 원자들 또는 이온들을 투광성 기판(100) 상에 증착시킴으로써 형성될 수 있다. 상기 비활성 기체는, 예를 들어, 아르곤(Ar) 기체일 수 있다.

투광성 기판(110)은 가시광선을 투과시킬 수 있으면 그 재질은 용도나 공정에 맞게 적절하게 선택할 수 있다. 예를 들어, 투광성 기판(110)으로는 유리, 석영(Quartz), 아크릴, TAC(triacetylcellulose), COP(cyclic olefin copolymer), COC(cyclic olefin polymer), PC(polycarbonate), PET(polyethylene naphthalate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate), PES(polyether sulfone), PAR(polyarylate) 등의 다양한 고분자 화합물 등이 사용될 수 있지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다. 투광성 기판(110)은 일정 정도의 유연성(flexibility)을 가지는 광학용 필름 기재로 형성될 수 있다.

상기 스퍼터링 타겟 물질은 반사율이 높은 금속일 수 있다. 예를 들어, 상기 스퍼터링 타겟 물질은 알루미늄(Al), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co) 중 적어도 하나의 금속으로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 스퍼터링 타겟 물질은 알루미늄(Al), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co) 중 하나의 금속 또는 이들의 합금일 수 있다. 바람직하게는, 상기 스퍼터링 타겟 물질은 알루미늄일 수 있다.

금속층(121)은 알루미늄(Al), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co) 중 하나의 금속 또는 이들의 합금일 수 있다. 금속층(121)의 두께는 증착 시간에 따라 조절될 수 있고, 예를 들어, 1500 Å 이상일 수 있다.

도 2는 스퍼터링 법을 이용하여 금속층(121)상에 금속 산화물층(141)을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한다. 금속 산화물층(141)은 금속층(121)의 성막이 완료된 이후, 상기 스퍼터 챔버 내에서 연속 공정으로 진행될 수 있다.

예를 들어, 투광성 기판(110) 상에 금속층(121)을 형성한 이후, 상기 스퍼터 챔버 내에 비활성 기체와 산소 기체를 함께 주입하고, 진공 상태에서 상기 애노드와 상기 캐소드에 전압을 가해주어 플라즈마를 발생시켜 상기 스퍼터링 타겟 물질로부터 튕겨나온 원자들 또는 이온들과 산소 이온을 투광성 기판(100) 상에 증착시킴으로써 형성될 수 있다.

예를 들어, 금속 산화물층(141)은 알루미늄(Al), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co) 중 하나의 금속의 산화물 또는 이들의 합금의 산화물일 수 있다. 상기 스퍼터링 타겟 물질이 알루미늄인 경우, 금속층은 알루미늄층일 수 있고, 금속 산화물층은 알루미늄 산화물층일 수 있다.

금속 산화물층(141)의 두께는 증착 시간에 따라 조절될 수 있고, 예를 들어, 증착 시간을 조절하여 금속 산화물층(141)을 100 Å 이상 내지 500 Å 이하의 두께로 형성할 수 있다. 금속 산화물층(141)을 패터닝하여 형성된 금속 산화물 격벽들(도 5의 140)이 금속층(121)을 패터닝하기 위한 마스크로서 역할을 하면서, 기존의 와이어 그리드 패턴 형성을 위한 마스크로 사용되었던 산화 규소(SiOx) 격벽들과 동등한 수준의 잔막률을 확보할 수 있기 위해서는, 금속 산화물층(141)의 두께는, 바람직하게는, 대략 300 Å 이상일 수 있다(도 24 내지 도 27 참고).

금속 산화물층(141)은 전기 전도성 및 빛에 대한 반사율을 갖는데, 이러한 금속 특성은 상기 스퍼터 챔버 내에 주입되는 상기 산소 기체의 유량에 따라 조절될 수 있다.

본 출원의 발명자들이 확인한 바에 따르면, 상기 스퍼터 챔버의 전원을 3kW로 고정시키고 상기 스퍼터 챔버 내로 유입되는 아르곤(Ar)의 유량을 30 sccm으로 고정한 후, 상기 산소 기체의 유량이 대략 50 sccm 미만인 때, 금속 산화물층(141)이 금속 특성을 가질 수 있었다.

도 8은 상기 스퍼터 챔버 내로 유입되는 산소의 유량에 따른 상기 스퍼터 챔버의 전압과 전류의 측정 결과이다. 보다 구체적으로, 도 8은 상기 스퍼터 챔버의 전원을 3kW로 고정시키고 상기 스퍼터 챔버 내로 유입되는 아르곤(Ar)의 유량을 30 sccm으로 고정한 후, 상기 스퍼터 챔버 내로 유입되는 산소의 유량에 따른 상기 스퍼터 챔버의 전압과 전류의 측정 결과이다.

도 2 및 도 8을 참고하면, 상기 산소 기체의 유량이 대략 50 sccm 미만인 때, 금속 산화물층(141)은 금속 특성을 잃어버리고 투명한 절연체가 되었다. 즉, 상기 스퍼터 챔버의 전압이 300 V 이하인 때에는 금속 산화물층(141)이 금속 특성을 잃어버리고 투명한 절연체가 되어 금속 산화물층(141)을 패터닝하여 형성된 금속 산화물 격벽들(도 5의 140)은 금속층(121)을 패터닝하기 위한 마스크로서 역할을 하지 못했다.

한편, 상기 산소 기체의 유량이 대략 50 sccm 미만인 때, 금속 산화물층(141)은 금속 특성을 나타냈고, 금속 산화물층(141)을 패터닝하여 형성된 금속 산화물 격벽들(도 5의 140)은 금속층(121)을 패터닝하기 위한 마스크로서 사용할 수 있었다.

본 출원의 발명자들이 확인하 바에 따르면, 상기 스퍼터 챔버의 전압이 500 V 이상인 때, 즉, 산소의 유량이 대략 30sccm 내지 40sccm 의 범위인 때에 금속 산화물층(141)은 금속 특성이 보다 우수하였고, 금속 산화물 격벽들(도 5의 140)은 금속층(121)을 패터닝하기 위한 마스크로서 사용되기에 바람직한 경도를 나타냈다.

도 3 은 금속 산화물층(141) 상에 수지층(151)을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한다. 수지층(151)은 예를 들어, 포토레지스트층일 수도 있고, 열가소성 고분자를 포함하는 고분자 재료층 등일 수 있고, 포토리소그라피법, 임프린트리소그라피법 등의 패터닝 방법에 따라 수지층(151)의 재료는 적절하게 선택될 수 있다.

도 4 는 나노 임프린트 몰드(미도시)를 이용하여 수지층(151)을 패터닝하여 수지 격벽들(155)을 형성한 후, 수지 격벽들(155)의 상부에서 에칭 가스(D)를 조사하여 잔여 수지층(151)과 수지 격벽들(155)로 커버되지 않은 금속 산화물층(141)의 일부 영역을 제거함으로써 금속 산화물층(141)을 패터닝하는 단계를 도시한다. 에칭 가스(D)는, 예를 들어, 염소 기체일 수 있다.

수지 격벽들(155)은 금속 산화물층(141)을 패터닝하기 위한 마스크로서 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 수지 격벽들(155)은 대략 100 nm 이하의 간격으로 이격 배치될 수 있다.

도 5 는 도 4 에 도시된 금속 산화물층(141)의 패터닝 단계의 결과물을 도시한다. 도 5 를 참고하면, 금속 산화물 격벽들(140)은 금속 산화물층(141)을 패터닝한 결과물들로서, 금속 산화물 격벽들(140)은 금속층(121) 상에서 상호 이격 배치된다. 금속 산화물 격벽들(140)은 금속층(121)을 패터닝하기 위한 마스크로서 역할을 할 수 있다. 수지 격벽들(155)과 금속 산화물 격벽들(140)의 식각 선택비는 1:0.8 이상 내지 1:1 이하일 수 있고, 이 때, 금속 산화물 격벽들(140)의 두께는 대략 300 Å 이상 내지 400 Å 일 수 있다(도 24 내지 도 27 참고).

금속 산화물 격벽들(140)은, 대략 100 nm 이하의 간격으로 이격 배치될 수 있고, 선 폭은 대략 100 nm 이하일 수 있다.

예를 들어, 금속층(121)이 알루미늄층이고, 금속 산화물 격벽들(140)이 알루미늄 산화물 격벽들인 경우, 금속층(121)을 패터닝하기 위한 에칭 가스(미도시)로는 염소 기체를 사용할 수 있으나, 알루미늄 산화물은 염소 기체에 의한 식각량이 극히 적어서, 금속층(121)과 금속 산화물 격벽들(140) 사이에는 화학적 식각량의 차이가 발생하게 되고, 금속 산화물 격벽들(140)은 금속층(121)의 패터닝을 위한 마스크로서 역할을 할 수 있다.

또한, 금속 산화물 격벽들(140)은 금속층(121)에 비해 모스 경도가 크므로, 금속층(121)과 금속 산화물 격벽들(140) 사이에는 기계적 반응에 의한 식각량의 차이가 발생하게 되고, 금속 산화물 격벽들(140)은 금속층(121)의 패터닝을 위한 마스크로서 역할을 할 수 있다.

예를 들어, 금속층(121)이 알루미늄층이고, 금속 산화물 격벽들(140)이 알루미늄 산화물 격벽들인 경우, 알루미늄의 모스 경도는 2.75 이고, 알루미늄 산화물의 모스 경도는 9 이상이므로, 금속 산화물 격벽들(140)은 금속층(121)의 패터닝을 위한 마스크로서 역할을 할 수 있다.

도 6 은 금속 산화물 격벽들(140)을 마스크로 이용하여 금속층(121)을 패터닝한 결과물로서, 일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판(100)을 도시한다. 도 7 은 도 6 의 A 영역의 확대도이다.

도 6 및 도 7 을 참고하면, 금속 격벽들(120)은 투광성 기판(110) 상에서 상호 이격 배치되고, 금속 산화물 격벽들(140)은 금속 격벽들(120) 상에 배치된다. 금속 격벽들(120)은 제1 방향(D1)으로 길게 연장되고 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)으로 소정의 간격으로 상호 이격되어 배치된다.

와이어 그리드 편광판(100)에 입사되는 광(Li)은 금속 격벽들(120)에 의해 편광된다. 소정의 간격으로 상호 이격 배치된 금속 격벽들(120)은 입사 광(Li) 중 제1 편광된 광은 투과시키며, 상기 제1 편광에 수직인 제2 편광된 광은 반사시킨다. 구체적으로, 입사 광(Li) 중 금속 격벽들(120)의 연장 방향(즉, 제1 방향(D1))과 평행한 편광 성분인 S 파는 금속 격벽들(120)에 의해 반사되고, 금속 격벽들(120)의 연장 방향과 직교하는 방향(즉, 제2 방향(D2))과 평행한 편광 성분인 P 파는 유효 굴절 매질로 인식되어 투과된다.

금속 격벽들(120)은, 선 폭(W)이 대략 100 nm 이하일 수 있고, 두께(h1)가 대략 150 nm 이상일 수 있으며, 이격 간격(T)이 대략 100 nm 이하일 수 있으나, 이것만으로 제한되는 것은 아니다.

금속 산화물 격벽들(140)은 선 폭(W)이 대략 100 nm 이하일 수 있고, 두께(h3)가 대략 30 nm 이상일 수 있으며, 이격 간격(T)이 대략 100 nm 이하일 수 있으나, 이것만으로 제한되는 것은 아니다.

금속 산화물 격벽들(140)은 금속 격벽들(120)이 투광성 기판(110)에 대해 실질적으로 수직으로 형성될 수 있도록 한다. 따라서, 금속 격벽들(120)이 수직 식각 프로파일(vertical etch profile)을 가진다.

금속 격벽들(120)이 투광성 기판(110)과 이루는 각(θ)은 대략 88° 이상 내지 90° 이하일 수 있다. 금속 격벽들(120)이 투광성 기판(110)과 이루는 각(θ)이 커질수록, 즉 금속 격벽들(120)이 투광성 기판(110)에 대해 수직으로 형성될수록 와이어 그리드 편광판(100)의 편광도가 개선된다. 와이어 그리드 편광판(100)은 투광성 기판(110)에 대해 실질적으로 수직으로 형성된 금속 격벽들(120)에 의해 99.9960%이상의 편광도를 가질 수 있다.

와이어 그리드 편광판(100)은 금속 산화물 격벽들(140)의 두께(h3)가 30 nm 인 때, 표면 거칠기의 평균값이 4 nm 이하이다. 또한, 와이어 그리드 편광판(100)은 금속 산화물 격벽들(140)의 최대 단면 산 높이(Rp)와 최대 단면 골 높이(Rv)의 차이값(Rp-v)의 평균값이 50 nm 이하이다(표 1 내지 표 3, 도 19 및 도 20 참조).

도 9 내지 도 14는 발명의 제2 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판(100)의 제조 공정을 개략적으로 도시한다. 발명의 제2 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판(100)의 제조 공정은 상기 연속 스퍼터링 증착 단계를 포함하지 않는 점에서 도 1 내지 도 6에 도시된 발명의 제1 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판의 제조방법과 차이가 있다.

구체적으로, 발명의 제2 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판(100)의 제조방법은, 투광성 기판(110) 상에 금속층(121)을 형성한 이후, 금속층(121) 상에 수지층(151)을 형성한다. 이후, 수지층(151)을 패터닝하여 수지 격벽들(155)을 형성하고 금속 산화물층(141)을 수지 격벽들(155)과 수지 격벽들(155) 사이에서 노출된 금속층(121)의 일부 영역 상에 증착한다.

도 9 및 도 10 은 상기 스퍼터링 법을 이용하여 투광성 기판(100) 상에 금속층(121)을 형성한 이후, 금속층(121) 상에 수지층(151)을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한다.

도 11 은 나노 임프린트 몰드(미도시)를 이용하여 수지층(151)을 패터닝하여 수지 격벽들(155)을 형성한 후, 수지 격벽들(155)의 상부에서 에칭 가스(D)를 조사하여 잔여 수지층(151)을 제거하는 단계를 개략적으로 도시한다. 잔여 수지층(151)을 제거함으로써, 금속층(121)의 일부 영역이 수지 격벽들(155) 사이에서 노출된다.

도 12는 상기 스퍼터링 법을 이용하여, 수지 격벽들(155)과 수지 격벽들(155) 사이로 노출된 금속층(121)의 일부 영역 상에 금속 산화물층(141)을 형성하는 단계를 개략적으로 도시한다.

도 12 및 도 13 은 수지 격벽들(155)을 제거(strip)한 후, 금속층(121) 상에서 상호 이격 배치된 금속 산화물 격벽들(140)을 마스크로 이용하여 금속층(121)을 패터닝하는 단계를 개략적으로 도시한다.

도 14 는 도 13 의 결과물로서, 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판(100)을 개략적으로 도시한다.

발명의 실시예들에 따른 와이어 그리드 편광판(100)의 제조방법들은, 하나의 스퍼터 챔버 내에서 모든 공정들이 연속적으로 이루어지므로, 와이어 그리드 편광판(100)의 공정성 및 생산성을 개선할 수 있다.

도 16 내지 도 27 을 참고하여, 발명의 실시예들에 따른 와이어 그리드 편광판(100) 및 이의 제조방법과 기존의 와이어 그리드 편광판 및 이의 제조방법을 비교함으로써, 발명의 실시예들에 따른 와이어 그리드 편광판(100) 및 이의 제조방법의 유리한 효과에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.

도 16 은 기존의 와이어 그리드 편광판의 제조방법을 개략적으로 도시하고 있다. 도 17 은 힐록(hillock)에 의한 와이어 그리드 편광판의 패턴 불량을 보여주는 이미지이다.

도 16 을 참고하면, 기존의 와이어 그리드 편광판의 제조방법은 투광성 기판(S) 상에 금속층(Me)을 증착하고, 금속층(Me) 상에 산화 규소막을 성막한 이후, 나노 임프린트 몰드(미도시)를 이용하여 산화 규소(SiOx)막을 패터닝하고 잔여 산화 규소막(RL)을 제거하여 금속층(Me) 상에 산화 규소 격벽들(IR)을 형성하였다. 이후, 산화 규소 격벽들(IR)을 이용하여 금속층(Me)을 패터닝하여 와이어 그리드 편광판을 제작하였다.

도 6 및 도 14 를 참고하면, 기존의 와이어 그리드 편광판은 투광성 기판(110), 투광성 기판(100)상에 배치된 금속 격벽들(120), 금속 격벽들(120) 상에 배치된 금속 산화물 격벽들(140)을 포함하고, 금속 산화물 격벽들(140)이 산화 규소로 이루어진다.

산화 규소막은 화학 기상 증착(CVD)법을 이용하여 금속층(Me) 상에 성막되었는데, 산화 규소막의 성막 공정은 고온증착 공정이므로, 금속층(Me)에는 힐록(hillock, H)이 발생되는 문제가 있다. 힐록(H)은 금속층(Me)의 표면을 불균일하게 만드는데, 나노 임프린트법은 나노 임프린트 몰드가 산화 규소막과 직접 접촉하는 접촉식 패턴 형성 방법이므로, 금속층(Me)의 표면 불균일은 나노 임프린트 공정 시 패턴 불량을 발생시키는 문제가 있다.

도 17 을 참고하면, 산화 규소막 성막 시 발생한 금속층(Me)의 힐록(H)은 금속층(Me)의 와이어 그리드 패턴의 형성 공정에서 제거되지 않으므로, 와이어 그리드 패턴에는 힐록(H)이 잔존하게 되어 패턴 불량을 발생시키게 된다.

또한, 기존의 와이어 그리드 편광판의 제조방법은, 금속층(Me) 상에 산화 규소막을 형성하기 위해서, 금속층(Me)이 성막된 투광성 기판(S)을 스퍼터 챔버에서 화학 기상 증착 챔버로 이동시켜야 하므로, 공정성이 저하되는 문제가 있다.

한편, 금속층상에 몰리브덴(Mo)층이나 티타늄(Ti)층과 같은 캡핑층을 형성한 이후, 상기 캡핑층 상에 산화 규소막을 형성하는 방법을 통해서 화학 기상 증착 공정에서 발생되는 상기 금속층의 힐록을 방지하는 방법이 있었으나, 이 방법은 상기 금속층 상에 상기 캡핑층을 추가적으로 증착시켜야 하므로, 공정성이 저하되는 문제가 있다.

하기 표 1에는 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판의 표면 거칠기에 대한 실험결과가 정리되어 있다. 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판은 산화 규소 격벽들을 마스크로 이용하여 투광성 기판 상에 성막된 알루미늄층을 패터닝하여 제작하였다. 도 6 및 도 14 를 참고하면, 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판은 투광성 기판(110), 투광성 기판(100) 상에 배치된 금속 격벽들(120), 금속 격벽들(120) 상에 배치된 금속 산화물 격벽들(140)을 포함하고, 금속 산화물 격벽들(140)이 산화 규소로 이루어진다.

구분	측정 반경 (㎛)	측정 위치	표면 거칠기(RMS)(nm)	표면 거칠기 (Rp-v)(nm)
Al+SiO₂	3	1	6.26	189.7
	3	2	6.99	164.1
	3	3	6.4	128.8
	평균		6.55	160.87

* RMS(Root Mean Square): 평균 제곱근

* Rp-v: 최대 단면 산 높이(Rp)와 최대 단면 골 높이(Rv)의 차이

하기 표 2에는 비교예 2에 따른 와이어 그리드 편광판의 표면 거칠기에 대한 실험결과가 정리되어 있다. 비교예 2에 따른 와이어 그리드 편광판은 산화 규소 격벽들을 마스크로 이용하여 알루미늄층 상에 성막된 몰리브덴층을 패터닝하고, 패터닝된 몰리브덴층을 마스크로 하여 투광성 기판 상에 성막된 알루미늄층을 패터닝하여 제작하였다. 도 6 및 도 14 를 참고하면, 비교예 2에 따른 와이어 그리드 편광판은 투광성 기판(110), 투광성 기판(100) 상에 배치된 금속 격벽들(120), 금속 격벽들(120) 상에 배치된 캡핑층(미도시), 캡핑층(미도시) 상에 배치된 금속 산화물 격벽들(140)을 포함하고, 캡핑층이 몰리브덴으로 이루어지고, 금속 산화물 격벽들(140)이 산화 규소로 이루어진다.

구분	측정 반경 (㎛)	측정 위치	표면 거칠기(RMS)(nm)	표면 거칠기 (Rp-v)(nm)
Al+Mo+SiO₂	3	1	4.81	77.69
	3	2	4.69	98.27
	3	3	4.61	62.07
	평균		4.70	79.34

* RMS(Root Mean Square): 평균 제곱근

* Rp-v: 최대 단면 산 높이(Rp)와 최대 단면 골 높이(Rv)의 차이

하기 표 3 에는 발명의 일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판의 표면 거칠기에 대한 실험결과가 정리되어 있다. 발명의 일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판은 도 1 내지 도 6에 도시된 방법에 따라, 알루미늄 산화물 격벽들을 마스크로 이용하여 투광성 기판 상에 성막된 알루미늄층을 패터닝하여 제작하였다. 도 6 을 참고하면, 발명의 일 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판은 투광성 기판(110), 투광성 기판(100) 상에 배치된 금속 격벽들(120), 금속 격벽들(120) 상에 배치된 금속 산화물 격벽들(140)을 포함하고, 금속 격벽들(120)이 알루미늄으로 이루어지고, 금속 산화물 격벽들(140)이 알루미늄 산화물로 이루어진다.

구분	측정 반경 (㎛)	측정 위치	표면 거칠기(RMS)(nm)	표면 거칠기 (Rp-v)(nm)
Al+AlOx	5	1	2.838	27.171
	5	2	2.646	25.533
	5	3	2.609	23.125
	평균		2.70	25.28

* RMS(Root Mean Square): 평균 제곱근

* Rp-v: 최대 단면 산 높이(Rp)와 최대 단면 골 높이(Rv)의 차이

도 18 은 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판과 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판의 표면 거칠기(RMS)를 비교 분석한 결과 그래프이다. 도 19 는 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판과 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판의 표면 거칠기(Rp-v)를 비교 분석한 결과 그래프이다.

도 18 및 도 19 에서, 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판(A)은 알루미늄 격벽들의 두께가 2000 Å 이고, 알루미늄 산화물 격벽들의 두께가 300 Å 이고, 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판(B)은 알루미늄 격벽들의 두께가 1500 Å 이고, 알루미늄 산화물 격벽들의 두께가 300 Å 이며, 비교예 1에 따른 그리드 편광판(Ref)은 알루미늄 격벽들의 두께가 2000 Å 이고, 산화 규소(SiO₂) 격벽들의 두께가 300 Å 이다.

도 18 을 참고하면, 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판(A)은 중앙에서의 표면 거칠기(RMS)의 평균값이 2.7 nm 이었고, 모서리에서의 표면 거칠기(RMS)의 평균값이 3.8 nm 이었으며, 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판(B)은 중앙에서의 표면 거칠기(RMS)의 평균값이 3.8 nm 이었고, 모서리에서의 표면 거칠기(RMS)의 평균값이 3.0 nm 이었던 반면에, 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판(Ref)은 표면 거칠기(RMS)의 평균값이 6.6 nm 이었다.

도 19 를 참고하면, 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판(A)은 중앙에서의 표면 거칠기(Rp-v)의 평균값이 25.29 nm 이었고, 모서리에서의 표면 거칠기(Rp-v)의 평균값이 26.93 nm 이었으며, 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판(B)은 중앙에서의 표면 거칠기(Rp-v)의 평균값이 36.48 nm 이었고, 모서리에서의 표면 거칠기(Rp-v)의 평균값이 25.69 nm 이었던 반면에, 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판(Ref)은 표면 거칠기(RMS)의 평균값이 160.87 nm 이었다.

표 1 내지 표 3, 도 18 및 도 19 를 참조하면, 발명의 실시예들에 따른 와이어 그리드 편광판들은 비교예들에 따른 와이어 그리드 편광판들에 비해 표면 불균일이 개선되었음을 확인할 수 있다. 특히, 도 16 및 도 17 을 참고하면, 발명의 실시예들에 따른 와이어 그리드 편광판(A)은 동일한 두께 조건의 비교예 1 에 따른 와이어 그리드 편광판(Ref)에 비해 표면 거칠기(RMS) 평균값이 최대 대략 61% 감소하였고, 표면 거칠기(Rp-v) 평균값이 최대 대략 82% 감소하였다.

상기한 결과들을 종합해보면, 발명의 실시예들에 따른 와이어 그리드 편광판들은 비교예들에 따른 와이어 그리드 편광판들에 비해 표면 불균일이 현저히 개선되었다. 이는 발명의 실시예들에 따른 와이어 그리드 편광판들은 고온 증착 공정이 필요한 산화 규소(SiOx)막을 대체하여, 스퍼터링 법을 이용하여 알루미늄 산화물(AlOx)막을 형성하므로, 알루미늄 힐록의 발생이 방지되기 때문이다.

도 20 은 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판의 표면 이미지이다. 도 21 은 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판의 표면 이미지이다.

도 20 및 도 21 을 참조하면, 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판은 표면에 힐록이 발생되는 반면에, 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판은 힐록이 발생되지 않았다.

또한, 발명의 실시예들에 따른 와이어 그리드 편광판의 제조방법은 불필요한 캡핑층을 추가적으로 형성할 필요가 없으므로 공정성 및 생산성을 개선할 수 있으며, 산화 규소(SiOx)막 대신에 알루미늄 산화물(AlOx)막을 형성하므로 금속층이 성막된 투광성 기판을 스퍼터 챔버 내에서 화학 기상 증착 챔버로 불필요하게 이동시키지 않아도 되므로, 공정성 및 생산성을 개선할 수 있다.

도 22 는 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판과 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판의 편광도를 비교한 그래프이다. 도 23 은 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판과 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판의 투과율을 비교한 그래프이다. 도 22 및 도 23 에서, 대조군(Ref)은 편광 필름이다.

도 22 및 도 23 을 참고하면, 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판은 대조군(Ref)과 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판에 비해 편광도가 높고, 투과율은 동등한 수준임을 확인할 수 있다. 구체적으로, 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판은 편광도가 99.9967%(마스크(HM)의 두께가 200 Å), 99.9969%(마스크(HM)의 두께가 100 Å) 이었고, 대조군은 편광도가 99.9959%, 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판은 편광도가 99.9956%(마스크(HM)의 두께가 200 Å), 99.9958%(마스크(HM)의 두께가 100 Å) 이었다. 또한, 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광판은 투과율이 45.24%(마스크(HM)의 두께가 200 Å), 45.26%(마스크(HM)의 두께가 100 Å) 이었고, 대조군은 투과율이 45.43%, 비교예 1에 따른 와이어 그리드 편광판은 투과율이 45.38%(마스크(HM)의 두께가 200 Å), 45.37%(마스크(HM)의 두께가 100 Å) 이었다.

도 24 는 수지(Resin) 격벽들을 마스크로 이용하여 알루미늄 산화물(AlOx)층을 패터닝한 후 알루미늄 산화물 격벽들의 두께(Å)와 수지 격벽들의 잔막률(%)의 상관관계 그래프이다.

도 25 는 알루미늄 산화물(AlOx) 격벽들을 마스크로 이용하여 알루미늄층을 패터닝한 후 알루미늄 산화물 격벽들의 두께(Å)와 알루미늄 산화물 격벽들의 잔막률(%)의 상관관계 그래프이다.

도 26 은 수지 격벽들과 알루미늄 산화물 격벽들의 식각 선택비가 1: 0.8 인 때, 수지 격벽들의 잔막률(%), 알루미늄 산화물 격벽들의 잔막률(%)과 알루미늄 산화물 격벽들의 두께(Å)의 상관관계 그래프이다.

도 27 은 수지 격벽들과 산화 규소(SiOx) 격벽들의 식각 선택비가 1: 1.5 인 때, 수지 격벽들의 잔막률(%), 산화 규소 격벽들의 잔막률(%)과 산화 규소 격벽들의 두께(Å)의 상관관계 그래프이다.

도 24 내지 도 27 을 참조하면, 수지 격벽들과 알루미늄 산화물 격벽들의 식각 선택비가 1:0.8 이상인 때, 다시 말하면, 알루미늄 산화물 격벽들의 두께가 300 Å 이상인 때, 산화 규소 격벽들을 대체하여 알루미늄 산화물 격벽들을 마스크로 사용하면, 산화 규소 격벽들과 동등 수준의 수지 격벽들의 잔막률 및 알루미늄 산화물 격벽들의 잔막률을 확보할 수 있음을 알 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 발명의 실시예들을 설명하였으나, 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

100: 와이어 그리드 편광판
110: 투광성 기판
120: 금속 격벽 140: 금속 산화물 격벽
121: 금속층 141: 금속 산화물층

Claims

투광성 기판;
알루미늄(Al), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co) 중 적어도 하나의 금속으로 구성되고 상기 투광성 기판 상에 상호 이격 배치된 금속 격벽들; 및
상기 금속의 산화물로 구성되고 상기 금속 격벽들 상에 배치된 금속 산화물 격벽들; 을 포함하고,
상기 금속 산화물 격벽들의 두께가 300 Å 인 때, 표면 거칠기의 평균값이 4 nm 이하인 와이어 그리드 편광판.
제1 항에 있어서,
상기 금속 산화물 격벽들의 최대 단면 산 높이(Rp) 와 최대 단면 골 높이(Rv) 의 차이값(Rp-v)의 평균값이 50 nm 이하인 와이어 그리드 편광판.
제1 항에 있어서,
편광도가 99.9960 % 이상인 와이어 그리드 편광판.
제1 항에 있어서,
상기 금속 산화물 격벽들은 상기 금속 격벽들에 비해 모스 경도가 큰 와이어 그리드 편광판.
제1 항에 있어서,
상기 금속 산화물 격벽들은 전기 전도성을 갖는 와이어 그리드 편광판.
제1 항에 있어서,
상기 투광성 기판과 상기 금속 격벽들이 이루는 각은 88° 이상 내지 90° 이하인 와이어 그리드 편광판.
스퍼터 챔버(sputter chamber) 내에 비활성 기체를 주입하여 투광성 기판 상에 알루미늄(Al), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co) 중 적어도 하나의 금속으로 이루어진 금속층을 스퍼터링 증착한 후, 상기 스퍼터 챔버 내에 상기 비활성 기체와 산소를 주입하여, 상기 금속층 상에 상기 금속의 산화물로 이루어진 금속 산화물층을 스퍼터링 증착하는 연속 스퍼터링 증착 단계;
상기 금속 산화물층 상에 수지 격벽들을 형성하는 단계; 및
상기 수지 격벽들을 마스크로 이용하여 상기 금속 산화물층을 패터닝하여 상기 금속층 상에 금속 산화물 격벽들을 형성하는 단계; 및
상기 금속 산화물 격벽들을 마스크로 이용하여 상기 금속층을 패터닝하여 상기 투광성 기판 상에 상기 금속 격벽들을 형성하는 단계;
를 포함하는 와이어 그리드 편광판의 제조방법.
제7 항에 있어서,
상기 각 단계가 상기 스퍼터 챔버 내에서 수행되는 와이어 그리드 편광판의 제조방법.
제7 항에 있어서,
상기 금속 산화물 격벽들의 두께가 300 Å 이상 내지 400 Å 인 때, 상기 수지 격벽들과 상기 금속 산화물 격벽들의 식각 선택비는 1:0.8 이상 1:1 이하인 와이어 그리드 편광판의 제조방법.
제7 항에 있어서,
상기 산소의 유량이 50 sccm 미만인 와이어 그리드 편광판의 제조방법.
스퍼터 챔버(sputter chamber) 내에 비활성 기체를 주입하여 투광성 기판 상에 알루미늄(Al), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co) 중 적어도 하나의 금속으로 이루어진 금속층을 스퍼터링 증착하는 단계;
상기 금속층 상에 수지 격벽들을 형성하는 단계;
상기 스퍼터 챔버 내에 상기 비활성 기체와 산소를 주입하여, 상기 금속의 산화물로 이루어진 금속 산화물층을 상기 수지 격벽들과 상기 금속층 상에 스퍼터링 증착하는 단계;
상기 수지 격벽들을 제거하고 상기 금속층 상에 상기 금속의 산화물로 이루어진 금속 산화물 격벽들을 형성하는 단계; 및
상기 금속 산화물 격벽들을 마스크로 이용하여 상기 금속층을 패터닝하여 상기 투광성 기판 상에 상기 금속 격벽들을 형성하는 단계;
를 포함하는 와이어 그리드 편광판의 제조방법.
제11 항에 있어서,
상기 각 단계가 상기 스퍼터 챔버 내에서 수행되는 와이어 그리드 편광판의 제조방법.
제11 항에 있어서,
상기 금속 산화물 격벽들의 두께가 300 Å 이상 내지 400 Å 인 때, 상기 수지 격벽들과 상기 금속 산화물 격벽들의 식각 선택비는 1:0.8 이상 1:1 이하인 와이어 그리드 편광판의 제조방법.
제11 항에 있어서,
상기 산소의 유량이 50 sccm 미만인 와이어 그리드 편광판의 제조방법.