JPWO2011122377A1 - 半導体製造装置用耐食性部材及びその製法 - Google Patents

半導体製造装置用耐食性部材及びその製法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2011122377A1
JPWO2011122377A1 JP2012508218A JP2012508218A JPWO2011122377A1 JP WO2011122377 A1 JPWO2011122377 A1 JP WO2011122377A1 JP 2012508218 A JP2012508218 A JP 2012508218A JP 2012508218 A JP2012508218 A JP 2012508218A JP WO2011122377 A1 JPWO2011122377 A1 JP WO2011122377A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
corrosion
oxide
semiconductor manufacturing
resistant member
sintered body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012508218A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5819816B2 (ja
Inventor
守道 渡邊
守道 渡邊
勝田　祐司
祐司 勝田
早瀬　徹
徹 早瀬
明日美 神藤
明日美 神藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP2012508218A priority Critical patent/JP5819816B2/ja
Publication of JPWO2011122377A1 publication Critical patent/JPWO2011122377A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5819816B2 publication Critical patent/JP5819816B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/111—Fine ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
    • C04B35/505—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds based on yttrium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/444—Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
    • C04B2235/445—Fluoride containing anions, e.g. fluosilicate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/604—Pressing at temperatures other than sintering temperatures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567—Treatment time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/661—Multi-step sintering
    • C04B2235/662—Annealing after sintering
    • C04B2235/663—Oxidative annealing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • C04B2235/85—Intergranular or grain boundary phases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/95—Products characterised by their size, e.g. microceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9669—Resistance against chemicals, e.g. against molten glass or molten salts

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

まず、Ｙｂ2Ｏ3原料粉末を、２００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で一軸加圧成形し、φ３５ｍｍ、厚さ１０ｍｍ程度の円盤状成形体を作製し、焼成用黒鉛モールドに収納した。次いで、ホットプレス法を用いて所定の焼成温度（１５００℃）で焼成を行い、半導体製造装置用耐食性部材を得た。焼成時のプレス圧力は２００ｋｇｆ／ｃｍ２とし、焼成終了までＡｒ雰囲気とした。焼成温度（最高温度）での保持時間は４時間とした。これにより、開気孔率０．２％のＹｂ2Ｏ3焼結体からなる半導体製造装置用耐食性部材を得た。

Description

本発明は、半導体製造装置用耐食性部材及びその製法に関する。
半導体製造におけるドライプロセスやプラズマコーティングなどを実施する際に利用される半導体製造装置では、エッチング、クリーニング用として、反応性の高いＦ、Ｃｌ系プラズマが使用される。このため、こうした装置に利用される部材には高い耐食性が必要であり、静電チャックやヒーター等のＳｉウエハと接する部材は更なる高耐食が求められる。このような要求に応えられる耐食性部材として、特許文献１には、ＰＶＤ法によって形成されたＹｂ2Ｏ3やＤｙ2Ｏ3の薄膜が開示されている。これらの薄膜は、プラズマ中でのエッチングレートがアルミナ焼結体などと比べて非常に小さくなっている。
特開２００２−２２２８０３号公報
しかし、薄膜は成膜時に気孔やクラックが内在し易いためプラズマによる腐食が進み易く、更に基材との性質の違いや密着性の問題によって腐食の進行及び繰返し使用に伴う剥離等によってデバイス特性に影響を与える可能性があり、静電チャック等への適用には問題があった。これらの部材には焼結体が好適だが、上述の特許文献１では、ＰＶＤ法によって形成されたＹｂ2Ｏ3やＤｙ2Ｏ3の薄膜について評価されているものの、焼結体については評価されていなかった。耐食性部材としては、Ｙ2Ｏ3やＡｌ2Ｏ3の焼結体が知られているものの、よりエッチングレートを小さく抑えることのできる焼結体材料の開発が望まれていた。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、半導体製造装置用耐食性部材として、これまでに知られている焼結体に比べてエッチングレートをより小さく抑えるものを提供することを主目的とする。
本発明者らは、半導体製造装置用耐食性部材として、希土類酸化物の焼結体の適用可能性を鋭意検討したところ、そのうちの一部の希土類酸化物の焼結体が特定の物性を満たすときにエッチングレートの抑制効果が格段に高くなることを見いだし、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の半導体製造装置用耐食性部材は、開気孔率が０．３％以下であり、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の焼結体からなるものである。
また、本発明の半導体製造装置用耐食性部材の製法は、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の酸化物原料を、（ａ）焼結助剤を用いることなく目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、所定の焼成温度でホットプレス焼成することにより、又は、（ｂ）Ｍｇ，Ｃａ及びＳｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素のフッ化物である焼結助剤と共に目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、前記所定の焼成温度より低い温度でホットプレス焼成することにより、前記酸化物原料を焼結させて開気孔率が０．３％以下の焼結体を得るものである。
本発明の半導体製造装置用耐食性部材によれば、これまでに知られているイットリア焼結体やアルミナ焼結体に比べてエッチングレートをより小さく抑えることできるため、耐食性部材からの発塵量が低減し、半導体製造プロセスにおいて使用される反応性の高いＦ、Ｃｌ系プラズマに長期間耐えることができる。これらの材料は体積抵抗率が１×１０15Ω・ｃｍ以上と高く、静電チャックやヒーター材としても好適である。また、本発明の半導体製造装置用耐食性部材の製法は、こうした耐食性部材を製造するのに適している。特に、焼結助剤を加えたときには、低温で緻密体が得られるため、製造コストが低減される。
実施例７の焼結体の断面（研磨面）を撮影した反射電子像である。 実施例９の焼結体の断面（研磨面）を撮影した二次電子像である。
本発明の半導体製造装置用耐食性部材は、開気孔率が０．３％以下であり、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の焼結体からなるものである。
焼結体としては、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の焼結体を用いる。これらは希土類酸化物の焼結体であるが、希土類酸化物の焼結体であっても、例えば酸化ガドリニウムの焼結体は緻密化に問題があり、酸化ユウロピウムの焼結体は緻密化可能であるがエッチングレートを十分抑制できないため適切でなく、酸化ネオジムの焼結体は大気保管中に崩壊してしまうため適切でない。また、焼結体としては、前出の群より選ばれた複数種の焼結体を用いることもできるが、その群より選ばれた１種の焼結体を用いてもよい。焼結体を作製する際に用いる酸化物原料は、不純物金属量が少ないほど好ましく、例えば酸化物の０．１ｗｔ％以下であることが好ましい。
開気孔率は、ここでは純水を媒体としたアルキメデス法により測定した値とする。開気孔率が０．３％を超えると、エッチングレートが高くなったり強度が低下したりするため、好ましくない。開気孔率は、できるだけゼロに近いほど好ましい。このため、特に下限値は存在しない。
本発明の半導体製造装置用耐食性部材において、焼結体には、Ｍｇ，Ｃａ及びＳｒからなる群より選ばれた少なくとも１種とＯ及びＦの少なくとも１種とを含む粒界相が分散していてもよい。例えば、ＭｇＯを含む粒界相が分散していたり、Ｃａ，Ｆを含む粒界相が分散していてもよい。このような粒界相は、Ｍｇ，Ｃａ又はＳｒを含む焼結助剤（例えばＭｇＦ2とかＣａＦ2など）と共に焼成したときに生成するものであるが、そのような焼結助剤を用いると焼成温度を低くすることができるため、その分、消費エネルギーが少なくなり製造コストが低減する。
本発明の半導体製造装置用耐食性部材としては、嵩密度が８．８〜９．２ｇ／ｃｍ3であり、酸化イッテルビウムの焼結体からなるものが好例として挙げられる。この場合、エッチングレートを十分抑制できるばかりでなく、前述の粒界相を分散させることにより強度も高くなる。また、嵩密度が８．１〜８．４ｇ／ｃｍ3であり、酸化ホルミウムの焼結体からなるものも好例として挙げられる。
本発明の半導体製造装置用耐食性部材の製法は、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の酸化物原料を、（ａ）焼結助剤を用いることなく目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、所定の焼成温度でホットプレス焼成することにより、又は、（ｂ）Ｍｇ，Ｃａ及びＳｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素のフッ化物である焼結助剤と共に目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、前記所定の焼成温度より低い温度でホットプレス焼成することにより、前記酸化物原料を焼結させて開気孔率が０．３％以下の焼結体を得るものである。この製法は、本発明の半導体製造装置用耐食性部材を得るのに好適である。
ここで、不活性雰囲気とは、酸化物原料の焼成に影響を及ぼさない雰囲気であればよく、例えば窒素雰囲気やアルゴン雰囲気、ヘリウム雰囲気などが挙げられる。また、ホットプレス時の焼成温度及びプレス圧力は、開気孔率が０．３％以下の緻密な焼結体が得られるような温度及び圧力であればよく、酸化物原料の種類に応じて適宜設定すればよい。例えば、焼成温度を１５００〜１８００℃の間で設定し、プレス圧力を１００〜３００ｋｇｆ／ｃｍ2の間で設定してもよい。更に、成形時の圧力は、特に制限するものではなく、形状を保持することのできる圧力に適宜設定すればよい。
以下に、本発明の好適な実施例について説明する。Ｙｂ2Ｏ3，Ｅｒ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｇｄ2Ｏ3，Ｎｄ2Ｏ3，Ｅｕ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3原料は、純度９９．９％以上、平均粒径１μｍ以下の市販粉末を使用した。Ａｌ2Ｏ3原料は純度９９．５％以上の平均粒径０．５μｍの市販粉末を使用した。ＭｇＦ2原料は、純度９９．９％以上の市販粉末を必要に応じて０．５〜１μｍに予備粉砕したものを使用した。ＣａＦ2原料についても同様のものを使用した。なお、予備粉砕は溶媒をイソプロピルアルコールとし、ジルコニア製玉石を使用してポットミル粉砕した。
［実施例１〜７，比較例１〜６］
実施例１〜５，比較例１〜６では、希土類酸化物原料を単味で用いて、半導体製造装置用耐食性部材を作製した。具体的には、まず、表１に示す希土類酸化物原料粉末を、２００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で一軸加圧成形し、φ５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍ程度の円盤状成形体を作製し、焼成用黒鉛モールドに収納した。次いで、ホットプレス法を用いて所定の焼成温度（表１参照）で焼成を行い、半導体製造装置用耐食性部材を得た。焼成時のプレス圧力は２００ｋｇｆ／ｃｍ２とし、焼成終了までＡｒ雰囲気とした。焼成温度（最高温度）での保持時間は４時間とした。
実施例６，７では、２種類の希土類酸化物原料を用いて、半導体製造装置用耐食性部材を作製した。具体的には、まず、表１に示す２種類の希土類酸化物原料粉末を秤量し、イソプロピルアルコールを溶媒とし、ナイロン製のポット、φ５ｍｍのアルミナ玉石を用いて４時間湿式混合した。混合後スラリーを取り出し、窒素気流中１１０℃で乾燥した。その後３０メッシュの篩に通し、調合粉末とした。この調合粉末を用いて、実施例１〜５，比較例１〜６と同様にして、成形及び焼成を行った。なお、表１の「Ｙｂ2Ｏ3／２５ｍｏｌ％Ｈｏ2Ｏ3」という表記は、１００ｍｏｌ％のＹｂ2Ｏ3に２５ｍｏｌ％のＨｏ2Ｏ3を加えた調合粉末であることを意味する。
得られた各焼結体を各種評価用に加工し、以下の評価を行った。各評価結果を表１に示す。
（１）開気孔率・嵩密度
純水を媒体としたアルキメデス法により測定した。試料形状は（２）と同形状に加工したものを用いた。
（２）強度
３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍのＪＩＳＲ１６０１に準じた形状に加工して４点曲げ試験を行い、強度を算出した。
（３）結晶相評価
焼結体を乳鉢で粉砕し、Ｘ線回折装置により結晶相を同定した。測定条件はＣｕＫα，４０ｋＶ，４０ｍＡ，２θ＝１０−７０°とし、封入管式Ｘ線回折装置（ブルカー・エイエックスエス製 Ｄ８ ＡＤＶＡＮＣＥ）を使用した。
（４）粒界相の評価
複合材中の粒界相は、焼結体の結晶相と鏡面研磨した焼結体のＳＥＭ／ＥＤＳ観察から評価した。
（５）エッチングレート
各焼結体表面を鏡面に研磨し、ＩＣＰプラズマ耐食試験装置を用いて下記条件の耐食試験を行った。表面粗さ計により測定した非暴露面と暴露面との段差を試験時間で割ることにより各材料のエッチングレートを算出した。
ＩＣＰ：８００Ｗ、バイアス：４５０Ｗ、導入ガス：ＮＦ3／Ｏ2／Ａｒ＝７５／３５／１００ｓｃｃｍ ０．０５Ｔｏｒｒ、暴露時間：１０ｈ、試料温度：室温
（６）化学分析
焼結体中の不純物金属量（Ｙｂ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒを除く金属元素）は誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光スペクトル分析、並びに誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）質量分析による。
（７）体積抵抗率測定
ＪＩＳ Ｃ２１４１に準じた方法により、大気中、室温にて測定した。試験片形状はφ５０ｍｍ×０．５〜１ｍｍとし、主電極は直径２０ｍｍ、ガード電極は内径３０ｍｍ、外径４０ｍｍ、印加電極は直径４０ｍｍとなるよう各電極を銀で形成した。印加電圧は２ｋＶ／ｍｍとし、電圧印加後１分時の電流値を読み取り、その電流値から室温体積抵抗率を算出した。
［評価結果］
表１に示すように、実施例１〜４では、Ｙｂ2Ｏ3，Ｅｒ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3をそれぞれ単味で用いて、焼成温度１５００℃で緻密化したところ、エッチレートが２２４〜２５２ｎｍ／ｈであり、耐食性が高かった。また、実施例５では、Ｙｂ2Ｏ3を焼成温度１８００℃で緻密化したところ、エッチレートが２１０ｎｍ／ｈであり、実施例１と比べて耐食性が向上した。実施例５で耐食性が向上した理由は、より高温で焼成したことで粒径が粗大化して相対的に低耐食な粒界面積が減ることによって、全体の耐食性が向上したと推察している。実施例１〜５の材料は体積抵抗率が１×１０15Ω・ｃｍ以上と高く、静電チャックやヒーター材として好適であった。実施例６では、Ｙｂ2Ｏ3とＨｏ2Ｏ3との混合粉末、実施例７では、Ｙｂ2Ｏ3とＥｒ2Ｏ3との混合粉末を用いて、焼成温度１５００℃で緻密化したところ、比較例１〜６に比べて耐食性が優れ、実施例１（単味）に比べて強度が向上し体積抵抗率も高くなる傾向が見られた。これら実施例６，７では、ＸＲＤ解析より、Ｙｂ2Ｏ3のピークが低角度側にシフトしており、Ｈｏ2Ｏ3やＥｒ2Ｏ3のピークが検出されなかったことから、それぞれＹｂ2Ｏ3−Ｈｏ2Ｏ3固溶体（Ｙｂ2Ｏ3−Ｈｏ2Ｏ3ｓｓ）、Ｙｂ2Ｏ3−Ｅｒ2Ｏ3固溶体（Ｙｂ2Ｏ3−Ｅｒ2Ｏ3ｓｓ）を形成していると考えられる。
一方、比較例１，２では、Ｙ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3を１５００、１７００℃でそれぞれ焼成したところ、いずれも緻密化したが、耐食性は実施例１〜４より劣っていた。比較例３では、Ｙｂ2Ｏ3を１３００℃で焼成したところ、開気孔率４．６％と気孔が多いため、耐食性が実施例１〜４より劣っていた。比較例４，５では、Ｇｄ2Ｏ3，Ｅｕ2Ｏ3を１５００℃でそれぞれ焼成したところ、Ｇｄ2Ｏ3は開気孔率２．５％と気孔が多いため、耐食性が実施例１〜４より劣っていた。Ｅｕ2Ｏ3は粒界が非常に低耐食であり、粒界を介して焼結体内部にフッ素が侵入し、腐食が進んだと考えられる。Ｙｂ2Ｏ3，Ｅｒ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3は粒界がＥｕ2Ｏ3より高耐食であることが、希土類酸化物中で耐食性が高い要因の一つと推察している。比較例６では、Ｎｄ2Ｏ3を１５００℃で焼成したが、大気保管数日で焼結体が崩壊し、評価不能であった。
Figure 2011122377
［実施例８〜１５］
実施例８〜１５では、希土類酸化物と２Ａ族元素（アルカリ土類金属）のフッ化物との調合粉末を用いて、半導体製造装置用耐食性部材を作製した。具体的には、まず、表２に示す希土類酸化物と２Ａ族元素のフッ化物とを秤量し、イソプロピルアルコールを溶媒とし、ナイロン製のポット、φ５ｍｍのアルミナ玉石を用いて４時間湿式混合した。混合後スラリーを取り出し、窒素気流中１１０℃で乾燥した。その後３０メッシュの篩に通し、調合粉末とした。続いて、その調合粉末を、２００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で一軸加圧成形し、φ３５ｍｍ、厚さ１０ｍｍ程度の円盤状成形体を作製し、焼成用黒鉛モールドに収納した。次いで、ホットプレス法を用いて所定の焼成温度（表２）で焼成を行い、半導体製造装置用耐食性部材を得た。焼成時のプレス圧力は２００ｋｇｆ／ｃｍ２とし、焼成終了までＡｒ雰囲気とした。焼成温度（最高温度）での保持時間は４時間とした。なお、表２の「Ｙｂ2Ｏ3／１ｖｏｌ％ＭｇＦ2」という表記は、１００ｖｏｌ％のＹｂ2Ｏ3に１ｖｏｌ％のＭｇＦ2を加えた調合粉末であることを意味する。
得られた各焼結体を各種評価用に加工し、先ほどと同様の評価を行った。各評価結果を表２に示す。
実施例８，９では、Ｙｂ2Ｏ3に表２に示す所定量のＭｇＦ2を添加し、焼成温度１３００℃で緻密化したところ、焼結中にＭｇＦ2とＹｂ2Ｏ3が反応し、Ｙｂ2Ｏ3マトリックス中に粒状のＭｇＯ，ＹｂＯＦ相が形成された（図１参照）。実施例１と比べて焼成温度が低いにもかかわらず、フッ化物の添加によって緻密な焼結が可能となり、耐食性は実施例１と同等であった。また、粒界相が分散導入されたことにより、実施例１よりも高強度化した。
実施例１０，１１では、Ｙｂ2Ｏ3に表２に示す所定量のＣａＦ2を添加し、焼成温度１２００〜１３００℃で緻密化したところ、Ｙｂ2Ｏ3マトリックス中にＣａ，Ｆを主とする粒界相が形成された（図２参照）。実施例１と比べて焼成温度が低いにもかかわらず、フッ化物の添加によって緻密な焼結が可能となり、耐食性は実施例１とほぼ同等であった。また、粒界相が分散導入されたことにより、実施例１よりも高強度化した。
実施例１２，１３では、Ｈｏ2Ｏ3に表２に示す所定量のＭｇＦ2を添加し、焼成温度１３００℃で緻密化したところ、実施例８，９と同様、焼結中にＭｇＦ2とＨｏ2Ｏ3が反応し、Ｈｏ2Ｏ3マトリックス中に粒状のＭｇＯ，ＨｏＯＦ相が形成された。実施例１２，１３では、実施例３と比べて焼成温度が低いにもかかわらず、フッ化物の添加によって緻密な焼結が可能となり、耐食性は実施例３と同等であった。また、粒界相が分散導入されたことにより、実施例３よりも高強度化した。
実施例１４，１５では、Ｈｏ2Ｏ3に表２に示す所定量のＣａＦ2を添加し、焼成温度１３００℃で緻密化したところ、実施例１０，１１と同様、Ｙｂ2Ｏ3マトリックス中にＣａ，Ｆを主とする粒界相が形成された。実施例１４，１５では、実施例３と比べて焼成温度が低いにもかかわらず、フッ化物の添加によって緻密な焼結が可能となり、耐食性は実施例３とほぼ同等であった。また、粒界相が分散導入されたことにより、実施例３よりも高強度化した。
実施例９〜１１，１３〜１５の材料は体積抵抗率が１×１０15Ω・ｃｍ以上と高く、静電チャックやヒーター材として好適であった。また、実施例８，１２についても同様の特性が見込まれる。
Figure 2011122377
［実施例１６〜２０］
実施例１６，１７では、実施例１で得られた焼結体（Ｙｂ2Ｏ3・１５００℃焼成品）を厚さ１ｍｍに加工し、それぞれ１１００℃で１０時間、１２００℃で１０時間、大気アニール処理を行った。また、実施例１８では、実施例５で得られた焼結体（Ｙｂ2Ｏ3・１８００℃焼成品）、実施例１９，２０では、実施例６，７で得られた焼結体（それぞれＹｂ2Ｏ3−Ｈｏ2Ｏ3固溶体、Ｙｂ2Ｏ3−Ｅｒ2Ｏ3固溶体）を厚さ１ｍｍに加工し、１２００℃で１０時間、大気アニール処理を行った。
得られた各大気アニール処理品を各種評価用に加工し、先ほどと同様の評価（強度を除く）を行った。各評価結果を表３に示す。
実施例１６〜２０では、いずれも大気アニール処理を行う前の焼結体に比べて耐食性が向上すると共に体積抵抗率が高くなった。また、いずれも大気アニール処理を行う前の焼結体に比べて白みを帯びた色調に変化した。具体的には、Ｙｂ2Ｏ3焼成品は象牙色から白色に変化し（実施例１６〜１８）、Ｙｂ2Ｏ3−Ｈｏ2Ｏ3固溶体は橙褐色から橙白色に変化し（実施例１９）、Ｙｂ2Ｏ3−Ｅｒ2Ｏ3固溶体は赤褐色から桃色に変化した（実施例２０）。焼成後に大気アニール処理を施すことにより焼結体に含まれる酸素欠損等が低減し、結晶性が向上することで耐食性、体積抵抗率が一段と向上したと推察される。
Figure 2011122377
本出願は、2010年3月30日に出願された日本国特許出願第2010-079251号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容全てが本明細書に含まれる。
本発明は、半導体製造におけるドライプロセスやプラズマコーティングなどを実施する際に利用される半導体製造装置に利用可能である。

Claims (6)

  1. 開気孔率が０．３％以下であり、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の焼結体からなる、半導体製造装置用耐食性部材。
  2. 前記焼結体には、Ｍｇ，Ｃａ及びＳｒからなる群より選ばれた少なくとも１種とＯ及びＦの少なくとも１種とを含む粒界相が分散している、
    請求項１又は２に記載の半導体製造装置用耐食性部材。
  3. 嵩密度が８．８〜９．２ｇ／ｃｍ3であり、酸化イッテルビウムの焼結体からなる、請求項１又は２記載の半導体製造装置用耐食性部材。
  4. 嵩密度が８．１〜８．４ｇ／ｃｍ3であり、酸化ホルミウムの焼結体からなる、請求項１又は２記載の半導体製造装置用耐食性部材。
  5. 酸化イッテルビウム、酸化ホルミウム、酸化ジスプロシウム及び酸化エルビウムからなる群より選ばれた少なくとも１種の酸化物原料を、（ａ）焼結助剤を用いることなく目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、所定の焼成温度でホットプレス焼成することにより、又は、（ｂ）Ｍｇ，Ｃａ及びＳｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素のフッ化物である焼結助剤と共に目的とする半導体製造装置用耐食性部材の形状に成形したあと、不活性雰囲気下、前記所定の焼成温度より低い温度でホットプレス焼成することにより、前記酸化物原料を焼結させて開気孔率が０．３％以下の焼結体を得る、半導体製造装置用耐食性部材の製法。
  6. 前記酸化物原料を焼結させて開気孔率が０．３％以下の焼結体を得たあと、１０００℃以上で大気アニール処理を施す、
    請求項５に記載の半導体製造装置用耐食性部材の製法。
JP2012508218A 2010-03-30 2011-03-18 半導体製造装置用耐食性部材及びその製法 Active JP5819816B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012508218A JP5819816B2 (ja) 2010-03-30 2011-03-18 半導体製造装置用耐食性部材及びその製法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010079251 2010-03-30
JP2010079251 2010-03-30
JP2012508218A JP5819816B2 (ja) 2010-03-30 2011-03-18 半導体製造装置用耐食性部材及びその製法
PCT/JP2011/056624 WO2011122377A1 (ja) 2010-03-30 2011-03-18 半導体製造装置用耐食性部材及びその製法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2011122377A1 true JPWO2011122377A1 (ja) 2013-07-08
JP5819816B2 JP5819816B2 (ja) 2015-11-24

Family

ID=44712088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012508218A Active JP5819816B2 (ja) 2010-03-30 2011-03-18 半導体製造装置用耐食性部材及びその製法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8679998B2 (ja)
JP (1) JP5819816B2 (ja)
KR (1) KR101400598B1 (ja)
CN (2) CN102822115B (ja)
TW (1) TWI540635B (ja)
WO (1) WO2011122377A1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9034199B2 (en) 2012-02-21 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article
US9212099B2 (en) 2012-02-22 2015-12-15 Applied Materials, Inc. Heat treated ceramic substrate having ceramic coating and heat treatment for coated ceramics
US9865434B2 (en) 2013-06-05 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application
US9850568B2 (en) 2013-06-20 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings
US9440886B2 (en) * 2013-11-12 2016-09-13 Applied Materials, Inc. Rare-earth oxide based monolithic chamber material
US9687953B2 (en) 2014-06-27 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Chamber components with polished internal apertures
US10714224B2 (en) 2015-01-29 2020-07-14 Framatome Gmbh Method of preparing of irradiation targets for radioisotope production and irradiation target
WO2016120120A1 (en) 2015-01-29 2016-08-04 Areva Gmbh Irradiation target for radioisotope production, method for preparing and use of the irradiation target
US10424417B2 (en) 2015-01-29 2019-09-24 Framatome Gmbh Method of preparing irradiation targets for radioisotope production and irradiation target
WO2017087474A1 (en) 2015-11-16 2017-05-26 Coorstek, Inc. Corrosion-resistant components and methods of making
EP3560906B1 (en) 2016-11-16 2024-02-21 Coorstek Inc. Corrosion-resistant components and methods of making
US11047035B2 (en) 2018-02-23 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Protective yttria coating for semiconductor equipment parts
CN111302800B (zh) * 2020-03-11 2022-02-01 宁波大学 一种镍离子均匀掺杂技术制备高费尔德常数及高光学质量的氧化钬磁光透明陶瓷
KR102597644B1 (ko) 2020-11-06 2023-11-03 (주)기연 불화 마그네슘이 첨가된 이트리아 세라믹스 및 그 제조방법
KR102608236B1 (ko) 2020-11-16 2023-12-01 ㈜에이치엠테크 저온소결 이트리아 세라믹스 및 그 제조방법
CN113321509A (zh) * 2021-06-25 2021-08-31 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种用于氟化物玻璃活性气氛处理的耐腐蚀通气管

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0493802B1 (en) * 1990-12-27 1996-08-28 Kyocera Corporation Silicon nitride-silicon carbide composite sintered material
US5506185A (en) * 1994-06-24 1996-04-09 Lockheed Idaho Technologies Company Ceramic oxyanion emitter
JP2983174B2 (ja) * 1996-04-26 1999-11-29 新日本チューブ工業株式会社 チューブコンテナー
JPH104083A (ja) * 1996-06-17 1998-01-06 Kyocera Corp 半導体製造用耐食性部材
JP3619330B2 (ja) * 1996-07-31 2005-02-09 京セラ株式会社 プラズマプロセス装置用部材
JP3261044B2 (ja) * 1996-07-31 2002-02-25 京セラ株式会社 プラズマプロセス装置用部材
JPH1053462A (ja) * 1996-08-02 1998-02-24 Tosoh Corp ＳｒＭ２Ｏ４型固体電解質及びその製造方法
US6447937B1 (en) * 1997-02-26 2002-09-10 Kyocera Corporation Ceramic materials resistant to halogen plasma and components using the same
JP2002057207A (ja) * 2000-01-20 2002-02-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置
US6888236B2 (en) * 2000-03-07 2005-05-03 Ibiden Co., Ltd. Ceramic substrate for manufacture/inspection of semiconductor
JP2002362966A (ja) * 2001-06-08 2002-12-18 Nihon Ceratec Co Ltd セラミックス材料
US6825144B2 (en) * 2001-07-05 2004-11-30 Konoshima Chemical Co., Ltd. Translucent rare earth oxide sintered article and method for production thereof
JP2002222803A (ja) 2001-12-03 2002-08-09 Kyocera Corp 半導体製造用耐食性部材
KR101196297B1 (ko) 2003-07-29 2012-11-06 쿄세라 코포레이션 Ｙ₂ｏ₃질 소결체, 내식성 부재 및 그 제조방법, 및반도체?액정제조장치용 부재
JP4558431B2 (ja) * 2004-09-30 2010-10-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体製造装置のクリーニング方法
JP4894379B2 (ja) * 2005-09-26 2012-03-14 Ｔｏｔｏ株式会社 希土類焼結体およびその製造方法
JP5324029B2 (ja) * 2006-03-20 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 半導体加工装置用セラミック被覆部材
US7648782B2 (en) 2006-03-20 2010-01-19 Tokyo Electron Limited Ceramic coating member for semiconductor processing apparatus
CN101665352A (zh) * 2008-09-01 2010-03-10 日本碍子株式会社 氧化铝烧结体及其制造方法
CN101514100B (zh) * 2009-03-10 2013-09-18 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种石榴石结构的闪烁透明陶瓷体系及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107098686B (zh) 2020-08-11
US20130023401A1 (en) 2013-01-24
KR20120134128A (ko) 2012-12-11
JP5819816B2 (ja) 2015-11-24
TW201145386A (en) 2011-12-16
CN107098686A (zh) 2017-08-29
KR101400598B1 (ko) 2014-05-27
CN102822115B (zh) 2017-06-27
CN102822115A (zh) 2012-12-12
WO2011122377A1 (ja) 2011-10-06
TWI540635B (zh) 2016-07-01
US8679998B2 (en) 2014-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5819816B2 (ja) 半導体製造装置用耐食性部材及びその製法
JP5307671B2 (ja) 窒化アルミニウム基複合材料、その製造方法及び半導体製造装置用部材
JP4987238B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体、半導体製造用部材及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP5203313B2 (ja) 酸化アルミニウム焼結体及びその製法
JP2002356387A (ja) 耐プラズマ性部材
JP2011168472A (ja) アルミナ焼結体、その製法及び半導体製造装置部材
JP5406565B2 (ja) 酸化アルミニウム焼結体、その製法及び半導体製造装置部材
JP5577287B2 (ja) フッ化マグネシウム焼結体、その製法及び半導体製造装置用部材
JP2002249379A (ja) 窒化アルミニウム焼結体及び半導体製造装置用部材
JP5767209B2 (ja) 半導体製造装置用耐食性部材及びその製法
JP4429742B2 (ja) 焼結体及びその製造方法
JP4480951B2 (ja) 耐食性部材
WO2013114654A1 (ja) 静電チャック部材
JP3716386B2 (ja) 耐プラズマ性アルミナセラミックスおよびその製造方法
JP6614842B2 (ja) セラミックス材料、その製法及び半導体製造装置用部材
JP2003146760A (ja) 窒化アルミニウム焼結体とその製造方法
JP2001220243A (ja) 耐食性複合部材およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141111

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150512

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150529

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150929

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151001

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5819816

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150