JPWO2011105530A1 - 炭素膜積層体 - Google Patents
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Abstract
従来の銅箔を基板に用いた熱ＣＶＤによるグラフェン成膜の課題である、結晶サイズが小さいという問題を解決し、より結晶サイズの大きなグラフェンが堆積された炭素膜積層体を提供することを目的とするものであって、原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる表面を有するサファイア(０００１)単結晶基板と、基板上にエピタキシャル成長させて形成した銅(１１１)単結晶薄膜と、銅(１１１)単結晶薄膜上に堆積されたグラフェンとを備える炭素膜積層体とすることにより、結晶サイズの大きなグラフェンの作成が可能となる。
Description
本発明は電子デバイス、透明導電膜などに利用するための大面積の炭素膜積層体に関するものである。
ＳＰ２結合した炭素原子による平面状の単層炭素膜であるグラフェンは、その特異的ともいえる高い電気伝導性や光透過率のため、超高性能電子デバイスや透明導電性薄膜などの基盤材料としての利用が期待されている。これまで天然黒鉛からの剥離法、炭化ケイ素の高温熱処理によるケイ素の脱離法、さらにさまざまな金属表面への形成法などのグラフェン形成手法が開発された。
特に最近、銅箔表面への化学気相合成法（ＣＶＤ）による単層から数層のグラフェンの形成法が開発された（非特許文献１，２）。銅箔を基材とするグラフェン成膜手法は熱ＣＶＤによるものである。この手法では原料ガスであるメタンガスを約１０００℃程度で熱的に分解し、銅箔表面に単層から数層のグラフェンを形成する。
この銅箔を基材とする手法では銅の表面の特性を利用し、従来のニッケルなど他の金属を用いる手法と比較して、グラフェンを制御性よく合成することが可能である。一方、銅箔を基材として用いた合成手法で得られるグラフェンの結晶サイズは今のところ数十μｍが最大である。グラフェンを高性能電子デバイスなどの材料として利用するためには、できるだけ大きな結晶サイズのグラフェンが求められており、結晶サイズの拡大が課題となっている。
この銅箔を基材とする手法では銅の表面の特性を利用し、従来のニッケルなど他の金属を用いる手法と比較して、グラフェンを制御性よく合成することが可能である。一方、銅箔を基材として用いた合成手法で得られるグラフェンの結晶サイズは今のところ数十μｍが最大である。グラフェンを高性能電子デバイスなどの材料として利用するためには、できるだけ大きな結晶サイズのグラフェンが求められており、結晶サイズの拡大が課題となっている。
Xuesong Li, Weiwei Cai, Jinho An, Seyoung Kim, Junghyo Nah, Dongxing Yang, Richard Piner, Aruna Velamakanni, Inhwa Jung, Emanuel Tutuc, Sanjay K. Banerjee, Luigi Colombo, Rodney S. Ruoff1, Science, Vol.324, 2009, pp.1312-1314.
Xuesong Li, Yanwu Zhu, Weiwei Cai, Mark Borysiak, Boyang Han, David Chen, Richard D. Piner, Luigi Colombo, Rodney S. Ruoff, Nano Letters, Vol.9, 2009, pp.4359-4363.
本発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであって、従来の銅箔を基板に用いた熱ＣＶＤによるグラフェン成膜の課題である、結晶サイズが小さいという問題を解決し、より結晶サイズの大きなグラフェンを形成した炭素膜積層体を提供することを目的とするものである。
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、結晶サイズの大きなグラフェンを形成した炭素膜積層体を得るための新たな手法を見出し、これによりグラフェンが従来法と比較して格段の大面積に形成でき、従来技術における上記課題を解決しうることが判明した。
本発明は、これらの知見に基づいて完成するに至ったものであり、以下のとおりのものである。
［１］単結晶基板と、該基板上にエピタキシャル成長させて形成された銅(１１１)単結晶薄膜と、該銅(１１１)単結晶薄膜上に堆積されたグラフェンとを備える炭素膜積層体。
［２］前記単結晶基板は、サファイア(０００１)単結晶基板又はダイヤモンド(１１１)単結晶基板であることを特徴とする上記［１］の炭素膜積層体。
［３］前記単結晶基板は、原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる表面を有するサファイア(０００１)単結晶基板又は原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる表面を有するダイヤモンド(１１１)単結晶基板であることを特徴とする上記［１］の炭素膜積層体。
［４］前記グラフェンは、減圧下で水素ガス及びメタンガスを用いて熱ＣＶＤ法により形成したものであることを特徴とする上記［１］〜［３］のいずれかの炭素膜積層体。
［５］単結晶基板にエピタキシャル成長させて形成された銅(１１１)単結晶薄膜上に堆積されたものであることを特徴とするグラフェン。
［６］減圧下で水素ガス及びメタンガスを用いて熱ＣＶＤ法により形成されたものであることを特徴とする上記［５］のグラフェン。
［７］前記銅(１１１)単結晶薄膜から剥離して得られる上記［５］又は［６］に記載のグラフェン。
［１］単結晶基板と、該基板上にエピタキシャル成長させて形成された銅(１１１)単結晶薄膜と、該銅(１１１)単結晶薄膜上に堆積されたグラフェンとを備える炭素膜積層体。
［２］前記単結晶基板は、サファイア(０００１)単結晶基板又はダイヤモンド(１１１)単結晶基板であることを特徴とする上記［１］の炭素膜積層体。
［３］前記単結晶基板は、原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる表面を有するサファイア(０００１)単結晶基板又は原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる表面を有するダイヤモンド(１１１)単結晶基板であることを特徴とする上記［１］の炭素膜積層体。
［４］前記グラフェンは、減圧下で水素ガス及びメタンガスを用いて熱ＣＶＤ法により形成したものであることを特徴とする上記［１］〜［３］のいずれかの炭素膜積層体。
［５］単結晶基板にエピタキシャル成長させて形成された銅(１１１)単結晶薄膜上に堆積されたものであることを特徴とするグラフェン。
［６］減圧下で水素ガス及びメタンガスを用いて熱ＣＶＤ法により形成されたものであることを特徴とする上記［５］のグラフェン。
［７］前記銅(１１１)単結晶薄膜から剥離して得られる上記［５］又は［６］に記載のグラフェン。
本発明の、単結晶基板上にエピタキシャル成長させて形成された銅(１１１)単結晶薄膜上にグラフェンを堆積してなる炭素膜積層体によれば、従来と比較して格段に結晶サイズの大きな（１０ｍｍクラス）グラフェンの作成が可能となる。これによりこれまで数十μｍのグラフェンを用いて開発が行われてきた、グラフェントランジスタなどの超高性能電子デバイスの作成が容易となる。さらに超高性能デバイスの集積化なども可能となり、さまざまな機能をもつグラフェンデバイスの作成が可能である。
１０：炭素膜積層体
１２：サファイア(０００１)単結晶基板
１４：銅(１１１)単結晶薄膜
１６：グラフェン
１２：サファイア(０００１)単結晶基板
１４：銅(１１１)単結晶薄膜
１６：グラフェン
グラフェンは、ＳＰ２結合した炭素原子による平面状の単層炭素膜である。（グラフェンについては非特許文献１に詳述されている。）本発明の結晶サイズの大きなグラフェンを形成した炭素膜積層体は、主として特定の製造条件を採用することに基づくものである。その結晶サイズの大きなグラフェンを形成した炭素膜積層体は、平坦性の良好なサファイア（０００１）単結晶基板上にエピタキシャル成長させて作成した銅（１１１）単結晶薄膜をグラフェン合成の基材として使用する。さらに熱ＣＶＤ法により、その作成条件として原料ガスの濃度やモル比、反応時間などを選定することが望ましい。
本発明に先立って上記非特許文献１、非特許文献２に開示される方法により銅箔基材を用いて、熱ＣＶＤによるグラフェンの成膜を行った。銅箔は多結晶体であるため、その表面は異なる面方位をもつ領域に区分されている。そこでラマン分光測定により形成されるグラフェンが銅箔表面にどのように分布するかを測定した。さらに銅箔表面の結晶学的な面方位分布を後方散乱電子回折法(ＥＢＰＳ)により測定した。これらの測定により、グラフェンは銅箔表面の銅(１１１)面、銅(１００)面の領域に、好ましくは銅(１１１)面の領域に成膜されることが分かった。一方、銅箔表面の銅(１０１)面の領域にはグラフェンはほとんど成膜されないことが明らかとなった。このようにして本発明では、グラフェンは結晶学的な銅（１１１）面上に堆積させることが好ましいことを見出した。
以上の結果から、結晶サイズの大きなグラフェンを作成するためには、銅(１１１)面の領域をもつ銅表面を成膜の基材として使用する。したがって、大面積のグラフェンの成膜には、結晶学的な(１１１)面をもつ単結晶の銅を用いることが好ましい。
以上の結果から、結晶サイズの大きなグラフェンを作成するためには、銅(１１１)面の領域をもつ銅表面を成膜の基材として使用する。したがって、大面積のグラフェンの成膜には、結晶学的な(１１１)面をもつ単結晶の銅を用いることが好ましい。
結晶学的な(１１１)面を表面にもつ単結晶の銅のバルク(かたまり)を準備するのは、技術的には可能である。しかし単結晶の銅のバルクは高額であり、工業的に不向きである。表面が結晶学的な(１１１)面をもつ単結晶の銅を準備するためには、単結晶基板上にエピタキシャル成長により銅(１１１)単結晶薄膜を作成するのが工業的により現実的である。このようにして、結晶サイズの大きなグラフェンを得るためには、単結晶基板と、基板上にエピタキシャル成長させて形成された銅(１１１)単結晶薄膜と、銅(１１１)単結晶薄膜上に堆積されたグラフェンとを備える炭素膜積層体を作成する
以上の知見および考察から、結晶サイズの大きなグラフェンの成膜のために表面が結晶学的な(１１１)面をもつ単結晶の銅薄膜(以降、「銅(１１１)単結晶薄膜」という)の準備を行った。さまざまな基材上への銅の単結晶成長の実験により、発明者らはマグネトロンスパッタリング法による成膜により、単結晶基板に銅(１１１)単結晶薄膜がエピタキシャル成長することを見出した。さらに、結晶サイズの大きなグラフェンを得るためには、サファイア(０００１)単結晶基板上にエピタキシャル成長させて形成された銅(１１１)単結晶薄膜と、銅(１１１)単結晶薄膜上に堆積されたグラフェンとを備える炭素膜積層体を作成する。
前述のように、本発明では結晶サイズの大きなグラフェンの成膜には、銅(１１１)単結晶薄膜が好ましいことを見出した。グラフェンは炭素原子１層の２次元結晶であるので、その結晶サイズは銅(１１１)単結晶薄膜表面の平坦性に大きく影響を受けると考えられる。そこで本発明では、銅(１１１)単結晶薄膜のエピタキシャル成長の基板として、原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる表面をもつサファイア(０００１)単結晶基板を用いることとした。図１はこのサファイア(０００１)単結晶基板表面の原子間力顕微鏡像(２μｍ角領域)である。このように縞模様のコントラストが分かるが、これは原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップによるものであり、きわめて平坦な単結晶表面に特有のものである。本発明では、銅(１１１)単結晶薄膜のエピタキシャル成長の基板として、原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる表面をもつサファイア(０００１)単結晶基板を用いた。原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる表面をもつ単結晶基板とは、どのような基板かを以下に説明する。
図２−１は通常の平坦性の良くない凹凸のある結晶表面の断面を示す模式図である。これに対して、図２−２及び図２−３は、それぞれ原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる平坦な結晶表面の断面を示す模式図及び上から見た模式図である。なお、図２−２中、破線（−−−）は、実際の表面の傾斜を示し、一点破線（−・−・−）は、結晶学的な表面の結晶方位を示している。
きわめて良好な表面平坦性が出現すると、図２−２、図２−３に示すように、原子レベルで平坦なテラスと原子層の高さの段差、すなわち原子層ステップが周期的に表れる。テラスは結晶学的な表面の結晶方位（−・−・−）と実際の表面の傾斜（−−−）とのなす角度θによって決まる幅をもつ。このような表面を原子間力顕微鏡で観察すると図１のような縞模様のコントラストを得る。
きわめて良好な表面平坦性が出現すると、図２−２、図２−３に示すように、原子レベルで平坦なテラスと原子層の高さの段差、すなわち原子層ステップが周期的に表れる。テラスは結晶学的な表面の結晶方位（−・−・−）と実際の表面の傾斜（−−−）とのなす角度θによって決まる幅をもつ。このような表面を原子間力顕微鏡で観察すると図１のような縞模様のコントラストを得る。
なお、結晶サイズの大きなグラフェンの成膜のためには、原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる表面をもつ単結晶基板にエピタキシャル成長させた銅(１１１)単結晶薄膜を用いることが好ましい。したがってサファイア単結晶基板の他にも、銅(１１１)単結晶薄膜をエピタキシャル成長することができ、かつ原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる表面を形成可能な単結晶材料が使用可能である。たとえば、ダイヤモンド(１１１)単結晶基板は使用可能であると考えられる。
本発明では、原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる表面を有するサファイア(０００１)単結晶基板と、基板上にエピタキシャル成長させて形成した銅(１１１)単結晶薄膜と、銅(１１１)単結晶薄膜上に堆積されたグラフェンとを備える炭素膜積層体を形成し、結晶サイズの大きなグラフェンを得た。
以下に実施例の詳細について述べるが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
以下に実施例の詳細について述べるが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
図３は、本発明に係る炭素膜積層体を示す概略図である。炭素膜積層体１０は、サファイア(０００１)単結晶基板１２と、基板１２上にエピタキシャル成長させて形成された銅(１１１)単結晶薄膜１４と、銅(１１１)単結晶薄膜上に堆積されたグラフェン１６とを備える。
サファイア(０００１)単結晶基板への銅(１１１)単結晶薄膜のエピタキシャル成長には、直流マグネトロンスパッタリング法を用いた。サファイア(０００１)単結晶基板をスパッタリング装置内に設置した基板加熱が可能な基板ステージに設置した。
サファイア(０００１)単結晶基板の詳細なスペックは以下のとおりである。
製造・販売元：株式会社信光社(http://www.shinkosha.com/index.html)
品名：サファイアSTEP基板
材質：Ａｌ２Ｏ３(サファイア)
面方位：(０００１)
大きさ：１０ｍｍ×１０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍ
研磨：片面
面方位公差：０．３°以下
平行度：幅１０ｍｍの基材の端と端で０．０２０ｍｍ以下
平坦度：光学的な測定限界以下
表面形状：原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップ（図１参照）
サファイア(０００１)単結晶基板の詳細なスペックは以下のとおりである。
製造・販売元：株式会社信光社(http://www.shinkosha.com/index.html)
品名：サファイアSTEP基板
材質：Ａｌ２Ｏ３(サファイア)
面方位：(０００１)
大きさ：１０ｍｍ×１０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍ
研磨：片面
面方位公差：０．３°以下
平行度：幅１０ｍｍの基材の端と端で０．０２０ｍｍ以下
平坦度：光学的な測定限界以下
表面形状：原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップ（図１参照）
スパッタリング成膜装置を圧力２．０×１０−４Ｐａ以下まで排気した後、成膜用基板を１００℃に加熱し保持した。その後、ガス圧１．３×１０−１Ｐａ、パワー１００Ｗで成膜を行い、サファイア(０００１)単結晶基板上に厚さ１μｍの銅(１１１)単結晶薄膜を形成した。詳細な成膜条件は以下のとおりである。
蒸着材料：銅(純度９９．９９％以上)
予備排気：２．０×１０−４Ｐａ
放電気体：アルゴン(純度９９．９９９％)
放電電力：１００Ｗ(定電力モード)
放電電流：３７０〜３８０ｍＡ
放電電圧：３３８〜３４０Ｖ
放電気体圧力：１．３×１０−１Ｐａ
放電時間：２８分６秒
設定膜厚：１０００ｎｍ
基板温度：約１００℃(成膜時基板ホルダー実測値で１０６〜１１３℃)
蒸着材料：銅(純度９９．９９％以上)
予備排気：２．０×１０−４Ｐａ
放電気体：アルゴン(純度９９．９９９％)
放電電力：１００Ｗ(定電力モード)
放電電流：３７０〜３８０ｍＡ
放電電圧：３３８〜３４０Ｖ
放電気体圧力：１．３×１０−１Ｐａ
放電時間：２８分６秒
設定膜厚：１０００ｎｍ
基板温度：約１００℃(成膜時基板ホルダー実測値で１０６〜１１３℃)
サファイア(０００１)単結晶基板に銅(１１１)単結晶薄膜がエピタキシャル成長していることを、Ｘ線回折測定により確認した。使用したＸ線回折装置は、株式会社リガク製Ｘ線回折測定装置RINT2100 XRD-DSCIIであり、ゴニオメーターは理学社製UltimaIII水平ゴニオメーターである。このゴニオメーターに薄膜標準用多目的試料台を取り付けてある。上記の手法で作成した厚さ１μｍの銅薄膜をサファイア(０００１)単結晶基板についたままＸ線回折測定を行った。Ｘ線は銅（Ｃｕ）のＫα１線を用いた。Ｘ線管の印加電圧・電流は４０ｋＶ、４０ｍＡであった。Ｘ線の検出器にはシンチレーションカウンターを用いた。
試料表面に対して角度θでＸ線を照射し、Ｘ線の検出器を照射Ｘ線の方向からθの２倍角度（２θ）の位置に置き、２θ角を４０度から１００度まで０．０５度きざみで回転しながら（したがって同時に、θを２０度から５０度まで０．０２５度きざみで回転しながら）、それぞれの２θ角で試料から散乱するＸ線の強度を測定した。この測定方法は一般的に２θ‐θ測定と呼ばれるものであり、試料表面に平行な結晶面によるＸ線の反射を検出するものである。測定に用いたコンピュータープログラムは、株式会社リガク製RINT2000/PCソフトウェア Windows（登録商標）版である。
図４に測定したＸ線回折のスペクトルを示す。使用したＸ線は銅（Ｃｕ）のＫα１線である。２θが４３．４°に明瞭なピークがあることがわかる。このピークは銅の（１１１）反射によるものである。また２θが９５．４°に弱いピークがあるが、これは銅の（２２２）反射によるものである。もしこの銅薄膜が表面に平行な(２００)面や（２２０）面の成分をもつのであれば、それぞれ２θが５０．６°、７４．３°にピークが観測されるが、それらのピークはまったく観測されなかった。以上のことからこの銅薄膜からは表面に平行な（１１１）面による結晶で構成されており、（１１１）単結晶であることが明らかとなった。このように、サファイア(０００１)単結晶基板に銅(１１１)単結晶薄膜がエピタキシャル成長することを確認した。
本発明では、サファイア(０００１)単結晶基板にエピタキシャル成長させて作成した銅(１１１)単結晶薄膜の表面にグラフェンを熱ＣＶＤ法により形成した。これにより図３に示すようなサファイア(０００１)単結晶基板と、基板上にエピタキシャル成長させて形成した銅(１１１)単結晶薄膜と、銅(１１１)単結晶薄膜上に堆積されたグラフェンとを備える炭素膜積層体を得た。
熱ＣＶＤに必要な加熱装置には、試料の急速加熱冷却と温度の精密制御を行うことが可能な、赤外線ゴールドイメージ炉を用いた(以下、加熱炉という)。使用した加熱炉はアルバック理工株式会社製MINI-LAMP-ANNEALER「MILA3000-P-N」であった。
成膜は以下の手順で行った。
（１）サファイア(０００１)単結晶基板にエピタキシャル成長させて作成した銅(１１１)単結晶薄膜(以下、「基材」と呼ぶ)をサファイア基板ごと加熱炉の石英製サンプルステージに乗せた。
（２）加熱炉を閉め、３×１０−４Pa以下まで予備真空排気した。
（３）水素ガスを２ＳＣＣＭ流し、加熱炉内の圧力を５．３Ｐａに保った。
（４）この状態で加熱を開始し、基材の温度を室温から１０００℃まで５分間かけて上昇させた。
（５）基材の温度が１０００℃に達したと同時に、温度を１０００℃に保ちながら、水素ガス２ＳＣＣＭに加えてメタンガス３５ＳＣＣＭ流し、圧力を５．３Ｐａから６６．５Ｐａに上昇させた。圧力を上昇するのに１分２０秒ほど時間を要した。
（６）温度１０００℃、水素ガス２ＳＣＣＭ、メタンガス３５ＳＣＣＭ、圧力６６．５Ｐａを維持し、グラフェンの成膜を行った。成膜時間は２０分間であった。
（７）上記状態を２０分間保って成膜を行った後、成膜を終了した。終了の手順は、メタンガスを止める→水素ガスを止める→真空排気をスタート→加熱ストップ、で行った。終了手順に要した時間は１０秒以下であった。
（８）加熱炉内を真空排気して１×１０−３Ｐａ以下の圧力に保ちながら、成膜済みの基材を冷却した。加熱を終了してから３００℃まで冷却するのに要した時間はおよそ６分、１００℃まで冷却するのに要した時間はおよそ１９分であった。
（９）成膜済みの基材が１００℃以下に冷却されたのを確認し、真空排気を停止、その後加熱炉に空気を導入して成膜済みの基材を取り出した。
熱ＣＶＤに必要な加熱装置には、試料の急速加熱冷却と温度の精密制御を行うことが可能な、赤外線ゴールドイメージ炉を用いた(以下、加熱炉という)。使用した加熱炉はアルバック理工株式会社製MINI-LAMP-ANNEALER「MILA3000-P-N」であった。
成膜は以下の手順で行った。
（１）サファイア(０００１)単結晶基板にエピタキシャル成長させて作成した銅(１１１)単結晶薄膜(以下、「基材」と呼ぶ)をサファイア基板ごと加熱炉の石英製サンプルステージに乗せた。
（２）加熱炉を閉め、３×１０−４Pa以下まで予備真空排気した。
（３）水素ガスを２ＳＣＣＭ流し、加熱炉内の圧力を５．３Ｐａに保った。
（４）この状態で加熱を開始し、基材の温度を室温から１０００℃まで５分間かけて上昇させた。
（５）基材の温度が１０００℃に達したと同時に、温度を１０００℃に保ちながら、水素ガス２ＳＣＣＭに加えてメタンガス３５ＳＣＣＭ流し、圧力を５．３Ｐａから６６．５Ｐａに上昇させた。圧力を上昇するのに１分２０秒ほど時間を要した。
（６）温度１０００℃、水素ガス２ＳＣＣＭ、メタンガス３５ＳＣＣＭ、圧力６６．５Ｐａを維持し、グラフェンの成膜を行った。成膜時間は２０分間であった。
（７）上記状態を２０分間保って成膜を行った後、成膜を終了した。終了の手順は、メタンガスを止める→水素ガスを止める→真空排気をスタート→加熱ストップ、で行った。終了手順に要した時間は１０秒以下であった。
（８）加熱炉内を真空排気して１×１０−３Ｐａ以下の圧力に保ちながら、成膜済みの基材を冷却した。加熱を終了してから３００℃まで冷却するのに要した時間はおよそ６分、１００℃まで冷却するのに要した時間はおよそ１９分であった。
（９）成膜済みの基材が１００℃以下に冷却されたのを確認し、真空排気を停止、その後加熱炉に空気を導入して成膜済みの基材を取り出した。
本発明のサファイア(０００１)単結晶基板と、基板上にエピタキシャル成長させて形成した銅(１１１)単結晶薄膜と、銅(１１１)単結晶薄膜上に堆積されたグラフェンとを備える炭素膜積層体のグラフェンの品質を評価するためにラマン分光測定を行った。図５に測定したグラフェンのラマン散乱分光スペクトルを示す。測定装置は（株）堀場製作所製XploRA型機であり、励起用レーザーの波長は６３２nm、レーザービームのスポットサイズは直径１ミクロン、分光器のグレーティングは６００本、測定時間は５秒で２回測定して積算したものである。測定はサファイア(０００１)単結晶基板上の銅(１１１)単結晶薄膜にグラフェンがついたままの状態で行った。
図５に示すように、なだらかなバックグラウンドの上にラマンシフトが２６７０ｃｍ−１付近と、１５９０ｃｍ−１にそれぞれ明瞭なピークが観測された。１５９０ｃｍ−１付近のピークは炭素の正常六員環によるものでＧバンドとよばれる。２６７０ｃｍ−１付近のピークはＧバンドの倍音によるものであり、２Ｄバンドと一般的に呼ばれている。なだらかなバックグラウンドは、基材の銅薄膜の蛍光によるものである。またグラフェンのラマンスペクトルには１３５８ｃｍ−１付近にピークが観測されることがあるが、これは炭素の正常六員環の欠陥によるものであり、Ｄバンドと呼ばれている。図５にはＤバンドのピークは見られず、したがって本発明の手法で作成したグラフェンは欠陥のほとんどない結晶性の良好な膜であることを示している。
グラフェンのラマンスペクトルの２ＤバンドとＧバンドの強度比で、膜を構成するグラフェンの層数を同定することができる（上記非特許文献１参照）。非特許文献１によれば、２Ｄバンドの強度Ｉ(２Ｄ)とＧバンドの強度Ｉ(Ｇ)との比が、Ｉ(２Ｄ)／Ｉ(Ｇ)≧２、となる場合、膜は、１層又は２層のグラフェンで構成されるとされている。
図５の２ＤバンドとＧバンドのピークをそれぞれのバックグラウンドを差し引いてフィッティングし、ピークの面積を算出して強度比を求めたところ、Ｉ(２Ｄ)／Ｉ(Ｇ)＝３．２７であった。したがって、このラマン測定を行った領域(測定用レーザービームのスポットサイズである直径１ミクロンの領域)はグラフェンであることがわかった。
図５の２ＤバンドとＧバンドのピークをそれぞれのバックグラウンドを差し引いてフィッティングし、ピークの面積を算出して強度比を求めたところ、Ｉ(２Ｄ)／Ｉ(Ｇ)＝３．２７であった。したがって、このラマン測定を行った領域(測定用レーザービームのスポットサイズである直径１ミクロンの領域)はグラフェンであることがわかった。
次に、図６に示すような１０ｍｍ角の炭素膜積層体表面の５箇所を選択し、それぞれ２０μｍ角の領域でレーザービームスポットのサイズである１μｍきざみで２０μｍ角の領域を埋めつくすように、すなわち１箇所につき測定点数２１×２１＝４４１点ずつ、ラマン測定を行った。その結果、５箇所のうちの１箇所でのみ４４１点中の数点でＤバンドが観測されたのを除いて、残りの４箇所では、４４１点のすべてでＩ(２Ｄ)／Ｉ(Ｇ)≧２となった。したがって本発明の炭素膜積層体は、その表面のほぼ全ての場所でグラフェンの領域が２０μｍ角以上あることが分かった。
次に１０ｍｍ角の炭素膜積層体表面の中心部で、１５０μｍ角の領域でレーザービームスポットのサイズである１μｍきざみで１５０μｍ角の領域を埋めつくすように、測定点数１５１×１５１＝２２８０１点でラマン測定を行った。図７はこの測定の結果を示すものである。白い領域ではＩ(２Ｄ)／Ｉ(Ｇ)≧２であり、黒い領域ではＩ(２Ｄ)／Ｉ(Ｇ)＜２またはＤバンドが観測された。このように１５０μｍ角のほぼ全測定領域（全測定点２２８０１点中の１８８４０点）でＩ(２Ｄ)／Ｉ(Ｇ)≧２であり、１５０μｍ角のほぼ全領域でグラフェンが形成されていることがわかった。したがって本発明の炭素膜積層体は、グラフェンの領域が１５０μｍ角以上あることが分かった。
次に１０ｍｍ角の炭素膜積層体表面の全域で、２００μｍきざみ(すなわち測定点数５１×５１＝２６０１点)でラマン測定を行った。図８はこの測定の結果を示すものである。白い領域ではＩ(２Ｄ)／Ｉ(Ｇ)≧２であり、黒い領域ではＩ(２Ｄ)／Ｉ(Ｇ)＜２またはＤバンドが観測された。このように１０ｍｍ角のほぼ全測定領域（全測定点２６０１点中の２１３１点）でＩ(２Ｄ)／Ｉ(Ｇ)≧２であり、１０ｍｍ角のほぼ全面でグラフェンが形成されていることがわかった。
以上のように、本発明のサファイア(０００１)単結晶基板と、基板上にエピタキシャル成長させて形成した銅(１１１)単結晶薄膜と、銅(１１１)単結晶薄膜上に堆積されたグラフェンとを備える炭素膜積層体により、従来の銅箔を用いたグラフェンの熱ＣＶＤ合成と比較して、格段に結晶サイズの大きなグラフェンを得ることが可能となった。
また、本発明の炭素膜積層体において、銅(１１１)単結晶薄膜の表面に堆積されたグラフェンを、該銅(１１１)単結晶薄膜から剥離することにより、結晶サイズの大きなグラフェンを得ることができる。
また、本発明の炭素膜積層体において、銅(１１１)単結晶薄膜の表面に堆積されたグラフェンを、該銅(１１１)単結晶薄膜から剥離することにより、結晶サイズの大きなグラフェンを得ることができる。
Claims (7)
- 単結晶基板と、該基板上にエピタキシャル成長させて形成された銅(１１１)単結晶薄膜と、該銅(１１１)単結晶薄膜上に形成されたグラフェンとを備える炭素膜積層体。
- 前記単結晶基板は、サファイア(０００１)単結晶基板又はダイヤモンド(１１１)単結晶基板であることを特徴とする請求項１に記載の炭素膜積層体。
- 前記単結晶基板は、原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる表面を有するサファイア(０００１)単結晶基板又は原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる表面を有するダイヤモンド(１１１)単結晶基板であることを特徴とする請求項１に記載の炭素膜積層体。
- 前記グラフェンは、減圧下で水素ガス及びメタンガスを用いて熱ＣＶＤ法により形成したものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の炭素膜積層体。
- 単結晶基板にエピタキシャル成長させて形成された銅(１１１)単結晶薄膜上に堆積されたものであることを特徴とするグラフェン。
- 減圧下で水素ガス及びメタンガスを用いて熱ＣＶＤ法により形成されたものであることを特徴とする請求項５に記載のグラフェン。
- 前記銅(１１１)単結晶薄膜から剥離して得られる請求項５又は６に記載のグラフェン。
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