ES2615730T3 - Laminado de película de carbono - Google Patents

Laminado de película de carbono Download PDF

Info

Publication number
ES2615730T3
ES2615730T3 ES11747486.6T ES11747486T ES2615730T3 ES 2615730 T3 ES2615730 T3 ES 2615730T3 ES 11747486 T ES11747486 T ES 11747486T ES 2615730 T3 ES2615730 T3 ES 2615730T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
monocrystalline
substrate
graphene
film
thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
ES11747486.6T
Other languages
English (en)
Inventor
Masataka Hasegawa
Masatou Ishihara
Yoshinori Koga
Jaeho Kim
Kazuo Tsugawa
Sumio Iijima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Application granted granted Critical
Publication of ES2615730T3 publication Critical patent/ES2615730T3/es
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C23C16/0281Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating of metallic sub-layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/05Preparation or purification of carbon not covered by groups C01B32/15, C01B32/20, C01B32/25, C01B32/30
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182Graphene
    • C01B32/184Preparation
    • C01B32/186Preparation by chemical vapour deposition [CVD]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182Graphene
    • C01B32/184Preparation
    • C01B32/19Preparation by exfoliation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/50Carbon dioxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26Deposition of carbon only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/04Diamond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/20Aluminium oxides
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Laminado de película de carbono, que comprende: un sustrato monocristalino, una película delgada monocristalina de cobre (111) formada por crecimiento epitaxial sobre el sustrato monocristalino, y grafeno formado sobre la película delgada monocristalina de cobre (111), en el que el sustrato monocristalino es un sustrato monocristalino de zafiro (0001) que tiene una superficie del sustrato compuesta de superficies en terrazas planas a nivel atómico y de escalones de capa atómica.

Description

DESCRIPCION
Laminado de pelmula de carbono Campo tecnico
La presente invencion se refiere a un laminado de pelmula de carbono de gran superficie para su uso en dispositivos 5 electronicos, pelmulas conductoras transparentes y similares.
Antecedentes de la invencion
Se preve utilizar grafeno, en forma de una pelmula de carbono de una sola capa plana compuesta de atomos de carbono hibridados en sp2, como un material de base tal como un dispositivo electronico de rendimiento ultraalto y una pelmula delgada conductora transparente debido a su conductividad electrica y transmitancia optica 10 particularmente elevadas. Hasta ahora, se han desarrollado metodos para la formacion de grafeno, tales como un metodo para laminar grafito natural, un metodo para eliminar silicio mediante un tratamiento termico a alta temperatura de carburo de silicio, un metodo para formar grafeno sobre diversas superficies metalicas y similares.
En particular, se ha desarrollado recientemente un metodo para formar una o varias capas de grafeno sobre una superficie de una lamina de cobre mediante un metodo de deposicion qmmica por vapor (CVD) (Literatura no 15 patente 1 y 2). La tecnica de depositar grafeno utilizando una lamina de cobre como material de base se realiza mediante una tecnica CVD termica. En esta tecnica, un gas metano tal como un gas de materia prima se descompone termicamente a aproximadamente 1.000 °C para formar de una a varias capas de grafeno sobre la superficie de la lamina de cobre.
La tecnica que utiliza la lamina de cobre como material de base permite la smtesis de grafeno con caractensticas 20 satisfactorias de utilizacion de una superficie de cobre, en comparacion con una tecnica convencional que utiliza otros metales tales como mquel. Por el contrario, el grafeno obtenido por el metodo de smtesis que utiliza la lamina de cobre como material de base tiene un tamano de cristal de varias decenas de pm a lo sumo en este momento. Para usar el grafeno como material en un dispositivo electronico de alto rendimiento o similar, existe la necesidad de que el grafeno tenga un tamano de cristal lo mas grande posible y, por tanto, el problema es aumentar el tamano de 25 cristal.
Lista de citas
Literatura no patente
Literatura no patente 1
Xuesong Li, Weiwei Cai, Jinho An, Seyoung Kim, Junghyo Nah, Dongxing Yang, Richard Piner, Aruna Velamakanni, 30 Inhwa Jung, Emanuel Tutuc, Sanjay K. Banerjee, Luigi Colombo, Rodney S. Ruoff, Science, Vol. 324, 2009, pags. 1312 -1314.
Literatura no patente 2
Xuesong Li, Yanwu Zhu, Weiwei Cai, Mark Borysiak, Boyang Han, David Chen, Richard D. Piner, Luigi Colombo, Rodney S. Ruoff, Nano Letters, Vol. 9, 2009, pags. 4359-4363.
35 Breve descripcion de la invencion
Problema tecnico
La presente invencion se ha hecho en vista de las circunstancias anteriores y un objeto de la misma es resolver un problema tal como un tamano de cristal pequeno, que es el problema de un metodo convencional para la formacion de una pelmula de grafeno mediante una tecnica CVD termica usando una lamina de cobre como sustrato, y 40 proporcionando asf un laminado de pelmula de carbono en el que se forma grafeno que tiene un tamano de cristal mas grande.
Solucion al problema
Los presentes inventores han estudiado intensamente para conseguir el objeto anterior y encontraron un nuevo metodo para obtener un laminado de pelmula de carbono en el que se forma grafeno que tiene un tamano de cristal 45 grande, con lo cual es posible formar grafeno con una superficie notablemente mayor si se compara con una tecnica convencional, y por tanto puede resolver el problema anterior de la tecnica convencional.
La presente invencion se ha conseguido en base a estos hallazgos e incluye lo siguiente.
5
10
15
20
25
30
35
40
45
[1] Un laminado de pelfcula de carbono que incluye un sustrato monocristalino, una peKcula delgada monocristalina de cobre (111) formada por crecimiento epitaxial sobre el sustrato y grafeno depositado sobre la pelfcula delgada monocristalina de cobre (111).
[2] El laminado de pelfcula de carbono de acuerdo con [1], en el que el sustrato monocristal es un sustrato monocristalino de zafiro (0001) o de diamante (111).
[3] El laminado de pelfcula de carbono de acuerdo con [1], en el que el sustrato monocristalino es un sustrato monocristalino de zafiro (0001) que tiene una superficie compuesta de superficies en terrazas plana a nivel atomico y de escalones de capa atomica.
Efectos ventajosos de la invencion
De acuerdo con el laminado de pelfcula de carbono de la presente invencion en el que se deposita grafeno sobre una pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) formada por crecimiento epitaxial sobre un sustrato monocristalino, es posible formar grafeno con un tamano de cristal notablemente mayor (clase de 10 mm) si se compara con uno convencional, facilitando asf la produccion de dispositivos electronicos de rendimiento ultraalto tales como un transistor de grafeno que hasta ahora se ha desarrollado utilizando grafeno con un tamano de cristal de varias decenas de pm. Tambien es posible integrar el dispositivo de rendimiento ultraalto, y por tanto puede producirse un transistor de grafeno que tenga varias prestaciones.
Breve descripcion de los dibujos
La figura 1 es una imagen microscopica de fuerza atomica de un sustrato monocristalino de zafiro (0001) que tiene una superficie compuesta de una superficie en terrazas que es plana a nivel atomico y de escalones de capa atomica.
La figura 2-1 es un diagrama esquematico en seccion transversal de una superficie de cristal normal que tiene poca planitud.
La figura 2-2 es un diagrama esquematico en seccion transversal de una superficie de cristal compuesta de una superficie en terrazas que es plana a nivel atomico y de escalones de capa atomica.
La figura 2-3 es un diagrama esquematico de una superficie de cristal compuesta de una superficie en terrazas que es plana a nivel atomico y de escalones de capa atomica, como se ve anteriormente.
La figura 3 es un diagrama esquematico que ilustra una estructura estratificada de un laminado de pelfcula de carbono que incluye un sustrato monocristalino de zafiro (0001), una pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) formada por crecimiento epitaxial sobre el sustrato y grafeno depositado sobre la pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) de la presente invencion.
La figura 4 es un espectro de difraccion de rayos X de una pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) formada por crecimiento epitaxial sobre un sustrato monocristalino de zafiro (0001) (medida 20 / 0).
La figura 5 es un espectro de dispersion Raman de grafeno formado utilizando, como material de base, una pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) formada por crecimiento epitaxial sobre un sustrato monocristalino de zafiro
(0001).
La figura 6 es un diagrama que ilustra la posicion en la que se realizo la medicion de mapeo Raman en un area con forma cuadrada, cuyo lado es de 20 pm.
La figura 7 es un diagrama que ilustra los resultados de la medicion de mapeo Raman realizada en un area con forma cuadrada, cuyo lado es de 150 pm, en el que una zona blanca indica una zona que satisface I (2D) / I (G) > 2 y una zona negra indica una zona que satisface I (2D) / I (G) <2 o una zona donde se observo una banda D.
La figura 8 es un diagrama que ilustra los resultados de la medicion de mapeo Raman realizada en un area con forma cuadrada, cuyo lado es de 10 mm, en el que una zona blanca indica una zona que satisface I (2D) / I (G) > 2 y una zona negra indica una zona que satisface I (2D) / I (G) <2 o una zona donde se observo una banda D.
Lista de senales de referencia
10 Laminado de pelfcula de carbono
12 Sustrato monocristalino de zafiro (0001)
14 Pelfcula delgada monocristalina de cobre (111)
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
16 Grafeno
Descripcion de realizaciones
El grafeno es una peKcula de carbono de una sola capa plana compuesta de atomos de carbono hibridados en sp2. (El grafeno se describe en detalle en la bibliograffa no patente 1). Un laminado de peKcula de carbono de la presente invencion en el que se deposita grafeno que tiene un tamano de cristal grande se proporciona principalmente en base al empleo de condiciones de produccion espedficas. En el laminado de pelfcula de carbono en el que se forma grafeno que tiene un tamano de cristal grande, se utiliza una pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) formada por crecimiento epitaxial sobre un sustrato monocristalino de zafiro (0001) como material de base para la smtesis de grafeno. Tambien es deseable seleccionar la concentracion y la fraccion molar de los gases crudos, el tiempo de reaccion y similares como las condiciones de produccion mediante un metodo CVD termico.
Antes de describir la presente invencion, se llevo a cabo la formacion de una pelfcula de grafeno a traves de CVD termico mediante los metodos descritos en las literaturas no patentes 1 y 2 utilizando una lamina de cobre como
material de base. Dado que la lamina de cobre es un policristal, su superficie se divide en zonas que tienen cada
una, una direccion de plano diferente. Por tanto, se realizo la medicion de espectrometna Raman para determinar como el grafeno asf formado se distribuye sobre una superficie de una pelfcula delgada de cobre. Ademas, la
distribucion cristalografica en las direcciones de plano de la superficie de la lamina de cobre se determino mediante
un patron de difraccion de retrodispersion de electrones (EBPS). Como es evidente a partir de las mediciones, se forma una pelfcula de grafeno en las zonas del plano de Cu (111) y del plano de Cu (100) sobre una superficie de la lamina de cobre, y preferiblemente en la zona del plano de Cu (111). Por otro lado, es evidente que apenas se formo una pelfcula de grafeno en la zona del plano de Cu (101) de la superficie de la lamina de cobre. Por tanto, se encontro en la presente invencion que una pelfcula de grafeno se forma preferiblemente en el plano de cobre cristalografico (111).
Como es evidente a partir de los resultados anteriores, la superficie de cobre que tiene la zona del plano de Cu (111) se usa como material de base para la formacion de una peifcula de grafeno que tiene un tamano de cristal grande. De acuerdo con esto, el cobre monocristalino que tiene un plano cristalografico (111) se utiliza de preferencia para la formacion de una pelfcula de grafeno que tenga una superficie grande.
Es tecnicamente posible preparar una masa de cobre monocristalino que tenga un plano cristalografico (111) sobre la superficie. Sin embargo, la masa de cobre monocristalino es costosa y no es adecuada o es poco apropiada para uso industrial. Con el fin de preparar el cobre monocristalino con un plano cristalografico (111) sobre la superficie, es mas preferible desde el punto de vista industrial que una pelfcula delgada monocristalina de Cu (111) sea formada mediante crecimiento epitaxial sobre un sustrato monocristalino. De este modo, se obtiene grafeno con un tamano de cristal grande produciendo un laminado de pelfcula de carbono que incluye un sustrato monocristalino, una pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) formada mediante crecimiento epitaxial sobre el sustrato y grafeno depositado sobre la pelfcula delgada monocristalina de cobre (111).
En vista de los hallazgos y consideraciones anteriores, una pelfcula delgada de cobre monocristalino que tiene un plano cristalografico (111) en su superficie (denominada en lo sucesivo "pelfcula delgada monocristalina de Cu (111)") se preparo para formar una pelfcula de grafeno con un tamano de cristal grande. Los presentes inventores han encontrado que una pelfcula delgada monocristalina de Cu (111) se forma por crecimiento epitaxial sobre un sustrato monocristalino mediante un metodo de pulverizacion de magnetron, mediante pruebas de crecimiento monocristalino de cobre sobre diversos sustratos. Ademas, se obtiene grafeno con un tamano de cristal grande mediante la produccion de un laminado de pelfcula de carbono, que incluye una pelfcula delgada monocristalina de Cu (111) formada por crecimiento epitaxial sobre un sustrato monocristalino de zafiro (0001) y grafeno depositado sobre la pelfcula delgada monocristalina de Cu (111).
Como se ha mencionado anteriormente, en la presente invencion se encontro que se usa preferiblemente una pelfcula delgada monocristalina de Cu (111) para formar una pelfcula de grafeno con un tamano de cristal grande. Dado que el grafeno es un cristal bidimensional compuesto de una sola capa de atomos de carbono, se considera que su tamano de cristal esta muy influenciado por la planicidad de una superficie de una pelfcula delgada monocristalina de Cu (111). Por tanto, en la presente invencion, se intento utilizar un sustrato monocristalino de zafiro (0001) que tiene una superficie compuesta de superficies en terrazas que son planas a nivel atomico y de escalones de capa atomica, como sustrato para el crecimiento epitaxial de una pelfcula delgada monocristalina de Cu (111). La figura 1 es una imagen microscopica de fuerza atomica (en un area con forma cuadrada cuyo lado es de 2 pm) de la superficie de un sustrato monocristalino de zafiro (0001). Como se muestra en el dibujo, existe un contraste de patron de bandas y esta compuesto de superficies en terrazas que son planas a nivel atomico y de escalones de capa atomica, y el contraste de patron de bandas es unico para una superficie monocristalina muy plana. En la presente invencion, como sustrato para crecimiento epitaxial de una pelfcula delgada monocristalina de Cu (111), se uso un sustrato monocristalino del zafiro (0001) que tiene una superficie compuesta de superficies en terrazas que son planas a nivel atomico y de escalones de capa atomica. Se hara una descripcion del significado de "sustrato monocristalino que tiene una superficie compuesta de superficies en terrazas que son planas a nivel atomico y de escalones de capa atomica".
La figura 2-1 es un diagrama esquematico en seccion transversal de una superficie de cristal normal que tiene poca planitud. La figura 2-2 y la figura 2-3 son, respectivamente, un diagrama esquematico en seccion transversal de una superficie de cristal compuesta de superficies en terrazas que son planas a nivel atomico y de escalones de capa atomica, y un diagrama esquematico de una superficie de cristal compuesta de superficies en terrazas que son 5 planas a nivel atomico y de escalones de capa atomica, como se ve anteriormente. En la figura 2-2, la lmea
discontinua (-----) indica una inclinacion de una superficie real, y la lmea de trazos (-.-.-.) indica una orientacion de
cristal cristalografico de una superficie.
Cuando aparece una superficie plana extremadamente satisfactoria, una diferencia de altura entre la superficie en terrazas plana a nivel atomico y la capa atomica, es decir, un escalon de capa atomica, aparece a intervalos 10 mostrados en la figura 2-2 y la figura 2-3. La terraza tiene una anchura definida por un angulo 0 entre la orientacion de cristal cristalografico de una superficie (-.-.-.) y una inclinacion real de una superficie (—). Cuando una superficie de este tipo es observada por un microscopio de fuerza atomica, la figura 1 esta presente.
Es preferible utilizar una pelmula delgada monocristalina de Cu (111) formada por crecimiento epitaxial sobre un sustrato monocristalino que tenga una superficie compuesta de superficies en terrazas que sean planas a nivel 15 atomico y de escalones de capa atomica, para formar una pelmula de grafeno con un tamano de cristal grande. Por consiguiente, tambien es posible utilizar un material monocristalino que permita el crecimiento epitaxial de una pelmula delgada monocristalina de Cu (111), ademas de un sustrato monocristalino de zafiro, y que tambien permita la formacion de una superficie compuesta de superficies en terrazas que sean planas a nivel atomico, y de escalones de capa atomica. Por ejemplo, se cree que se puede utilizar un sustrato monocristalino de diamante 20 (111).
En la presente invencion, se obtuvo grafeno con un tamano de cristal grande formando un laminado de pelmula de carbono, que incluye un sustrato monocristalino de zafiro (0001) que tiene una superficie compuesta de superficies en terrazas que son planas a nivel atomico y de escalones de capa atomica, una pelmula delgada monocristalina de cobre (111) formada por crecimiento epitaxial sobre el sustrato y grafeno depositado sobre la pelmula delgada 25 monocristalina de cobre (111).
A continuacion se describiran en detalle ejemplos, aunque la presente invencion no pretende limitarse a los mismos.
La figura 3 es un diagrama esquematico que ilustra un laminado de pelmula de carbono de acuerdo con la presente invencion. El laminado de pelmula de carbono 10 incluye un sustrato monocristalino 12 de zafiro (0001), una pelmula delgada monocristalina 14 de cobre (111) formada por crecimiento epitaxial sobre el sustrato 12 y grafeno 16 30 depositado sobre la pelmula delgada monocristalina de cobre (111).
La pelmula delgada monocristalina de cobre (111) se cultivo epitaxialmente sobre un sustrato monocristalino de zafiro (0001) usando un metodo de pulverizacion de magnetron DC. El sustrato monocristalino de zafiro (0001) se coloco sobre un escalon de sustrato capaz de calentar un sustrato y se coloco en un sistema de pulverizacion.
Las caractensticas detalladas de un sustrato monocristalino de zafiro (0001) son las siguientes:
35 Fabricado y distribuido por: Shinkosha Co., Ltd. (
http://www.shinkosha.com/index.html)
Nombre: Sustrato de ESCALON de zafiro
Material: AhO3 (zafiro)
Direccion del plano: (0001)
Tamano: 10 mm * 10 mm * 0,5 mm de espesor
40 Pulido: Una superficie
Direccion de plano en tolerancia: 0,3° o menos
Paralelismo: 0,020 mm o menos en ambos extremos de sustrato de 10 mm de ancho Planitud: Lfmite de medicion optica o menor
Perfil de superficie: Superficie en terrazas plana a nivel atomico y escalones de capa atomica (ver en la figura 1).
45 El dispositivo de formacion de pelmula de pulverizacion fue evacuado a la presion de 2,0 x 10-4 Pa o menos antes de que el sustrato para la formacion de pelmula se calentara a 100 °C y se mantuviera a la temperatura. A continuacion, se formo una pelmula delgada monocristalina Cu (111) de 1 pm de espesor sobre un sustrato monocristalino de
5
10
15
20
25
30
35
40
45
zafiro (0001) en las condiciones de una presion de gas de 1,3 x 10-1 Pa y una potencia de 100 W. Las condiciones detalladas de formacion de pelfcula son las siguientes:
Material de deposicion: Cobre (pureza de 99,99 % o mas)
Evacuacion preliminar: 2,0 x 10-4 Pa
Gas de descarga: Argon (pureza de 99,999 % o mas)
Potencia descargada: 100 W (modo de alimentacion constante)
Corriente de descarga: 370 a 380 mA
Tension de descarga: 338 a 340 V
Presion de gas de descarga: 1,3 x 10-1 Pa
Duracion de la descarga: 28 minutos y 6 segundos
Grosor de pelreula de ajuste: 1.000 nm
Temperature de sustrato: aproximadamente 100 °C (valor medido de 106 a 113 °C sobre un soporte de sustrato cuando se forma).
Se determino mediante medicion de difraccion de rayos X que una pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) fue cultivada epitaxialmente sobre un sustrato monocristalino de zafiro (0001). Un difractometro de rayos X utilizado en la presente invencion es X-RINT 2100 XRD-DSC II fabricado por Rigaku Corporation, y el goniometro es un goniometro horizontal Ultima III fabricado por Rigaku Corporation. En el goniometro, se monta una platina multiusos para un patron de pelfcula delgada. La pelfcula delgada de Cu de 1 pm de espesor fabricada de acuerdo con los procedimientos antes mencionados se examino mediante difraccion de rayos X mientras estaba fijada al sustrato monocristalino zafiro (0001). Como rayos X, se utilizaron rayos de cobre (Cu)-Ka1. Un voltaje aplicado y una corriente aplicada de un tubo de rayos X fueron 40 kV y 40 mA, respectivamente. Como detector de rayos X, se utilizo un contador de centelleo.
Una superficie de una muestra se irradio con rayos X con un angulo de 0, y sobre el detector de rayos X colocado en el angulo de doble 0 (20) desde la direccion de irradiacion de rayos X, se determino la intensidad de rayos X emitidos desde la muestra en cada angulo 20 mientras que el angulo 20 se vario girando cada 0,05 grados entre 40 grados a 100 grados (es decir, se vario 0 simultaneamente girando cada 0,025 grados entre 20 grados a 50 grados). Este metodo de medicion se denomina generalmente medicion 20-0, que esta destinado a detectar rayos X reflejados por una superficie de cristal paralela a la superficie de la muestra. Un programa informatico utilizado para la medicion es el software RINT2000 / Pc, version Windows (marca registrada), fabricado por Rigaku Corporation.
La figura 4 es un espectro de difraccion de rayos X medido de esa manera. Los rayos X usados en la presente invencion son rayos de cobre (Cu)-Ka1. Es evidente que existe un pico claro en 20 de 43,4°. Este pico se atribuye a la reflexion en Cu (111). Ademas, existe un pico debil en 20 de 95,4°, que se atribuye a la reflexion en Cu (222). Si la pelfcula delgada de Cu tiene tambien un elemento plano de Cu (200) y un elemento plano de Cu (220) paralelo a su superficie, deben observarse picos correspondientes en 20 de 50,6° y 74,3°, respectivamente, pero ninguno de estos picos fue observado. Los resultados anteriores revelaron que la pelfcula delgada de Cu estaba compuesta de un cristal que terna el plano (111) paralelo a su superficie y era un monocristal (111). Por tanto, se confirmo que la pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) fue cultivada epitaxialmente sobre el sustrato monocristalino de zafiro (0001).
En la presente invencion, se formo grafeno mediante una tecnica CVD termica sobre una superficie de una pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) formada mediante crecimiento epitaxial sobre un sustrato monocristalino de zafiro (0001), obteniendose asf un laminado de pelfcula de carbono, tal como se muestra en la figura 3, que incluye un sustrato monocristalino de zafiro (0001), una pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) formada mediante crecimiento epitaxial sobre el sustrato y grafeno depositado sobre la pelfcula delgada monocristalina de cobre (111).
Como dispositivo de calentamiento requerido para la tecnica CVD termica, se utilizo un horno de imagen de oro por infrarrojos capaz de realizar un rapido calentamiento y enfriamiento de la muestra y de controlar con precision la temperatura (en lo sucesivo denominado horno). El horno utilizado en este documento fue MINI-LAMP-ANNEALER "MiLa3000-PN" fabricado por Ulvac-Rico Inc.
La formacion de la pelfcula se realizo mediante los procedimientos siguientes.
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
(1) En una platina de muestra de cuarzo de un horno de calentamiento, se coloco una pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) formada mediante crecimiento epitaxial sobre un sustrato monocristalino de zafiro
(0001) (denominado en lo sucesivo "material de base"), junto con el sustrato de zafiro.
(2) El horno se cerro y luego fue evacuado primeramente a 3 * 10-4 Pa o menos.
(3) Se dejo fluir un gas hidrogeno (2 SCCM) y se mantuvo una presion en el horno a 5,3 Pa.
(4) Se inicio un proceso de calentamiento en esta condicion y se elevo la temperatura del material de base de la temperatura ambiente a 1.000 °C durante 5 minutos.
(5) Al mismo tiempo que la temperatura del material de base alcanzo 1.000 °C, ademas de 2 SCCM del gas hidrogeno, se dejo fluir 35 SCCM de gas metano y luego se aumento la presion de 5,3 Pa a 66,5 Pa mientras se mantema la temperatura a 1.000 °C. Un aumento de presion requirio 1 minuto y 20 segundos.
(6) Se realizo la formacion de pelfcula de grafeno mientras se mantema la temperatura a 1.000 °C, un gas hidrogeno a 2 SCCM, un gas metano a 35 SCCM y la presion a 66,5 Pa. El tiempo de formacion de la pelfcula fue de 20 minutos
(7) Despues de la formacion de la pelfcula mientras se mantema la condicion anterior durante 20 minutos, se termino la formacion de la pelfcula. La terminacion se llevo a cabo mediante los siguientes procedimientos: detener el flujo de un gas metano, detener el flujo de un gas hidrogeno, iniciar la evacuacion y luego detener el calentamiento. Los procedimientos de terminacion requirieron 10 segundos o menos.
(8) El material de base de la oblea formado en pelfcula se enfrio mientras se mantuvo la presion a 1 * 10-3 Pa o menos mediante su evacuacion en el interior del horno. La operacion de enfriamiento a 300 °C despues de la terminacion del calentamiento requirio aproximadamente 6 minutos, y la operacion de enfriamiento a aproximadamente 100 °C requirio 19 minutos.
(9) Despues de confirmar que el material de base sometido a formacion de pelfcula se enfrio a 100 °C o menos, se termino la evacuacion, a continuacion se introdujo aire en el horno y despues se retiro del horno el material de base formado en pelfcula.
Para evaluar la calidad del grafeno de un laminado de pelfcula de carbono que incluye un sustrato monocristalino de zafiro (0001), una pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) formada mediante crecimiento epitaxial sobre el sustrato y grafeno depositado sobre la pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) de la presente invencion, se realizo la medicion de espectrometna Raman. La figura 5 ilustra un espectro de dispersion Raman asf medido. Un dispositivo de medicion es un Modelo XploRA fabricado por Horiba Ltd., y la medicion se realizo en las siguientes condiciones: una longitud de onda de excitacion de un laser es de 632 nm, un tamano de punto de rayo laser es de 1 micrometro de diametro, el numero de lmeas de rejilla de un espectroscopio es 600 y un tiempo de medicion de 5 segundos, y luego se realizo la medicion dos veces y se acumularon los valores de medicion. La medicion se realizo en un estado en el que el grafeno se deposito sobre una pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) sobre un sustrato monocristalino de zafiro (0001).
Como se muestra en la figura 5, se observaron picos claros respectivamente a unos 2.670 cm-1 y 1.590 cm-1 de desplazamiento Raman, respectivamente, sobre un fondo suavemente inclinado. El pico a aproximadamente 1.590 cm-1 se atribuye a un anillo normal de seis elementos de atomos de carbono, que en general se denomina banda G. El pico a aproximadamente 2.670 cm-1 se denomina generalmente banda 2D. El fondo suavemente inclinado se atribuye a la fluorescencia emitida desde una pelfcula delgada de cobre de un material de base. En el espectro Raman de grafeno, un pico puede ser observado a veces a alrededor de 1.358 cm-1 y se atribuye a un defecto de un anillo normal de seis elementos de atomos de carbono, y tambien se denomina banda D. En la figura 5, no se observa un pico de la banda D, lo que revela que el grafeno producido mediante la tecnica de la presente invencion es una pelfcula que esta sustancialmente libre de defectos y tiene una cristalinidad satisfactoria.
El numero de capas de grafeno que componen la pelfcula puede identificarse mediante una relacion entre la intensidad de la banda 2D y la de la banda G en el espectro Raman resultante de grafeno (vease la literatura no patente 1 mencionada anteriormente). La literatura no patente 1 revela que cuando una relacion entre la intensidad de la banda 2D I (2D) y la de la banda G I (G) satisface I (2D) / I (G) > 2, se supone que la pelfcula esta compuesta de una o dos capas de grafeno.
Cada fondo se resta de los picos en la banda 2D y la banda G mostradas en la figura 5, respectivamente, seguido del ajuste y determinacion adicional de la relacion de la intensidad mediante el calculo de cada area de picos. Como resultado de ello, I (2D) / I (G) fue 3,27. Por consiguiente, se encontro que la zona examinada mediante espectrometna Raman (la zona de 1 micrometro de diametro que es el tamano de punto del rayo laser de medicion) corresponde al grafeno.
5
10
15
20
25
30
35
A continuacion, como se muestra en la figura 6, se seleccionaron cinco posiciones en una superficie de un area de forma cuadrada, cuyo lado eran 10 mm de un laminado de peKcula de carbono y despues se realizo la medicion Raman en un area de forma cuadrada, cuyo lado era de 20 pm con el fin de llenar completamente el area cuadrada, cuyo lado era de 20 pm con puntos de rayo laser cada 1 pm de cada tamano de punto de rayo, es decir, la medicion Raman se realizo en puntos de medicion (21 * 21 = 441 puntos) por posicion. Como resultado de ello, exceptuando que la banda D se observo en algunos puntos de 441 puntos de medicion en una posicion entre cinco posiciones, todos los 441 puntos de medicion cumplieron I (2D) / I (G) >2 en las 4 posiciones restantes. Por consiguiente, se encontro que en el laminado de pelfcula de carbono de la presente invencion, el grafeno tiene un area de forma cuadrada, cuyo lado es de 20 pm o mas en casi todas las posiciones de la superficie
A continuacion, en el centro de una superficie de un area de forma cuadrada, cuyo lado era 10 mm de un laminado de pelfcula de carbono, se realizo la medicion Raman en un area de forma cuadrada, cuyo lado era de 150 pm para llenar completamente el area de forma cuadrada, cuyo lado era de 150 pm con puntos de rayo laser cada 1 pm de cada tamano de punto de rayo, es decir, se realizo la medicion Raman en puntos de medicion (151 * 151 = 22,801 puntos) por posicion. La figura 7 muestra los resultados de la medicion, en la que una zona blanca indica una zona que satisface I (2D) / I (G) >2 y una zona negra indica una zona que satisface I (2D) / I (G) <2 o una zona donde se observa una banda D. Por tanto, se determino que sustancialmente todo el campo medido (en los puntos de medicion 18,840 en todas las 22,801) satisfada I (2d) / I (G) >2, y que se formo grafeno en toda el area de forma cuadrada, cuyo lado era de 150 pm. Por consiguiente, se encontro que en el laminado de pelfcula de carbono de la presente invencion, el grafeno tiene un area de forma cuadrada, cuyo lado es de 150 pm o mas.
A continuacion, en toda el area de una superficie de un area de forma cuadrada, cuyo lado son 10 mm de un laminado de pelfcula de carbono, se realizo la medicion Raman cada 200 pm (es decir, 51 x 51 = 2.601 puntos de medicion). La figura 8 muestra los resultados de la medicion, en la que una zona blanca indica una zona que satisface I (2D) / I (G) >2 y una zona negra indica una zona que satisface I (2D) / I (G) <2 o una zona donde se observo una banda D. Por tanto, se encontro que sustancialmente todo el area de forma cuadrada, cuyo lado era de 10 mm (2.131 puntos de medicion en todos los 2.601 puntos de medicion) satisface I (2D) / I (G) >2 y que se forma grafeno en casi todo el area de forma cuadrada, cuyo lado es de 10 mm.
Como se menciona anteriormente, es posible obtener grafeno que tenga un cristal perceptiblemente mayor, si se compara con la smtesis termica convencional CVD de grafeno que usa la lamina de cobre, mediante un laminado de pelfcula de carbono que incluye un sustrato monocristalino de zafiro (0001), una pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) formada mediante crecimiento epitaxial sobre el sustrato y grafeno depositado sobre la pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) de la presente invencion.
Tambien es posible obtener grafeno que tenga un tamano de cristal grande laminando grafeno depositado sobre una superficie de una pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) a partir de la pelfcula delgada monocristalina de cobre (111) en el laminado de pelfcula de carbono de la presente invencion.

Claims (2)

  1. REIVINDICACIONES
    1. Laminado de peKcula de carbono, que comprende: un sustrato monocristalino,
    una peKcula delgada monocristalina de cobre (111) formada por crecimiento epitaxial sobre el sustrato 5 monocristalino, y
    grafeno formado sobre la pelfcula delgada monocristalina de cobre (111),
    en el que el sustrato monocristalino es un sustrato monocristalino de zafiro (0001) que tiene una superficie del sustrato compuesta de superficies en terrazas planas a nivel atomico y de escalones de capa atomica.
  2. 2. Laminado de pelfcula de carbono segun la reivindicacion 1, en el que la superficie del sustrato comprende una 10 tolerancia de 0,3° o menos en la direccion de plano y un paralelismo de 0,02 mm o menos en ambos extremos del
    sustrato que tiene una anchura de 10 mm.
ES11747486.6T 2010-02-26 2011-02-25 Laminado de película de carbono Active ES2615730T3 (es)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010041419 2010-02-26
JP2010041419 2010-02-26
PCT/JP2011/054243 WO2011105530A1 (ja) 2010-02-26 2011-02-25 炭素膜積層体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2615730T3 true ES2615730T3 (es) 2017-06-08

Family

ID=44506928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES11747486.6T Active ES2615730T3 (es) 2010-02-26 2011-02-25 Laminado de película de carbono

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9074278B2 (es)
EP (1) EP2540862B1 (es)
JP (1) JP5569825B2 (es)
KR (1) KR101472948B1 (es)
CN (1) CN102859032B (es)
ES (1) ES2615730T3 (es)
WO (1) WO2011105530A1 (es)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2458620B1 (en) 2010-11-29 2021-12-01 IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik Fabrication of graphene electronic devices using step surface contour
CN103596879B (zh) * 2011-06-02 2018-06-12 Jx日矿日石金属株式会社 石墨烯制造用铜箔以及石墨烯的制造方法
JP5909082B2 (ja) * 2011-11-21 2016-04-26 Jx金属株式会社 グラフェン製造用銅箔及びグラフェンの製造方法
JP5926035B2 (ja) * 2011-11-21 2016-05-25 Jx金属株式会社 グラフェン製造用銅箔及びグラフェン製造用銅箔の製造方法、並びにグラフェンの製造方法
US9112002B2 (en) * 2012-02-13 2015-08-18 Tyco Electronics Corporation Electrical conductors and methods of manufacturing electrical conductors
GB201205801D0 (en) 2012-03-30 2012-05-16 Isis Innovation Process
JP5918075B2 (ja) * 2012-08-16 2016-05-18 Jx金属株式会社 グラフェン製造用圧延銅箔、及びグラフェンの製造方法
KR102083960B1 (ko) * 2012-08-30 2020-03-03 엘지전자 주식회사 그래핀의 제조 방법 및 그 그래핀과 그 제조 장치
CN103924207B (zh) * 2013-01-10 2017-04-19 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种增强泡沫铜在较高温度下抗氧化能力的方法
KR20200003258A (ko) 2013-01-14 2020-01-08 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 그라펜을 형성시키는 방법 및 시스템
WO2014128834A1 (ja) * 2013-02-19 2014-08-28 Jx日鉱日石金属株式会社 グラフェン製造用銅箔及びグラフェンの製造方法
WO2014128833A1 (ja) * 2013-02-19 2014-08-28 Jx日鉱日石金属株式会社 グラフェン製造用銅箔及びグラフェンの製造方法
WO2014189271A1 (ko) * 2013-05-21 2014-11-27 한양대학교 산학협력단 대면적의 단결정 단일막 그래핀 및 그 제조방법
WO2015126139A1 (en) 2014-02-19 2015-08-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Wiring structure and electronic device employing the same
KR101541517B1 (ko) * 2014-03-26 2015-08-03 부산대학교 산학협력단 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 투명전극 및 그 제조방법
CN103943601A (zh) * 2014-05-09 2014-07-23 浙江大学 一种具有铜-石墨烯复相的互连线及其制备方法
WO2015190739A1 (ko) * 2014-06-09 2015-12-17 한양대학교 산학협력단 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막 및 그 제조방법
KR101767242B1 (ko) * 2014-06-09 2017-08-10 한양대학교 산학협력단 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막 및 그 제조방법
CN104045079A (zh) * 2014-06-25 2014-09-17 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 在蓝宝石与外延金属界面外延生长石墨烯的方法
KR101629697B1 (ko) 2014-10-14 2016-06-13 한국화학연구원 그래핀 적층 구조체의 제조방법 및 이로 제조된 그래핀 적층 구조체
CN104576862B (zh) * 2014-12-24 2017-08-25 江苏巨晶新材料科技有限公司 一种基于铜衬底的氮化物led垂直芯片及其制备方法
KR101704723B1 (ko) 2015-04-06 2017-02-09 연세대학교 산학협력단 탄소 박막 소자 및 이의 제조 방법
CN104975344A (zh) * 2015-07-09 2015-10-14 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 基于氧化亚铜薄膜衬底低成核密度石墨烯单晶的制备方法
GB201514542D0 (en) * 2015-08-14 2015-09-30 Thomas Simon C S A method of producing graphene
WO2017034018A1 (ja) * 2015-08-26 2017-03-02 並木精密宝石株式会社 グラフェン膜、複合体、それらの製造方法、及び単結晶サファイア基板
CN106584976A (zh) * 2016-08-10 2017-04-26 上海交通大学 一种高导电石墨烯/铜基层状复合材料及其制备方法
FR3062398B1 (fr) 2017-02-02 2021-07-30 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat pour la croissance d'un film bidimensionnel de structure cristalline hexagonale
WO2020053102A1 (en) 2018-09-10 2020-03-19 Centre National De La Recherche Scientifique Process for preparing single-crystal thin films
KR102170111B1 (ko) * 2018-12-18 2020-10-26 한양대학교 산학협력단 다결정 금속 필름의 비정상입자성장에 의한 단결정 금속 필름 및 그 제조방법
CN109811306A (zh) * 2019-02-27 2019-05-28 台州学院 一种与基体表面具有垂直取向关系的碳涂层材料
KR102443562B1 (ko) * 2020-11-11 2022-09-16 광주과학기술원 그래핀올 화합물 및 그래핀올 합성 방법
CN114604860B (zh) * 2022-03-15 2023-10-03 北京石墨烯技术研究院有限公司 石墨烯薄膜生长基底及其制备方法和应用

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7311889B2 (en) * 2002-06-19 2007-12-25 Fujitsu Limited Carbon nanotubes, process for their production, and catalyst for production of carbon nanotubes
EP2014616A3 (en) * 2005-11-25 2009-04-08 National Institute for Materials Science Carbon nanotubes, substrate and electron emission device with such carbon nanotubes and carbon nanotube synthesizing substrate as well as methods of and apparatus for making them
KR101019029B1 (ko) 2007-08-14 2011-03-04 한국과학기술연구원 그라핀 하이브리드 물질 및 그 제조 방법
KR101344493B1 (ko) * 2007-12-17 2013-12-24 삼성전자주식회사 단결정 그라펜 시트 및 그의 제조방법
US7781061B2 (en) * 2007-12-31 2010-08-24 Alcatel-Lucent Usa Inc. Devices with graphene layers
CN101285175B (zh) * 2008-05-29 2010-07-21 中国科学院化学研究所 化学气相沉积法制备石墨烯的方法
KR101490111B1 (ko) 2008-05-29 2015-02-06 삼성전자주식회사 에피택셜 그래핀을 포함하는 적층구조물, 상기적층구조물의 형성방법 및 상기 적층구조물을 포함하는전자 소자
FR2937343B1 (fr) * 2008-10-17 2011-09-02 Ecole Polytech Procede de croissance controlee de film de graphene
US20100255984A1 (en) * 2009-04-03 2010-10-07 Brookhaven Science Associates, Llc Monolayer and/or Few-Layer Graphene On Metal or Metal-Coated Substrates
WO2011025045A1 (ja) * 2009-08-31 2011-03-03 独立行政法人科学技術振興機構 グラフェン薄膜とその製造方法
EP3196645B1 (en) * 2009-09-18 2019-06-19 President and Fellows of Harvard College Bare single-layer graphene membrane having a nanopore enabling high-sensitivity molecular detection and analysis

Also Published As

Publication number Publication date
JP5569825B2 (ja) 2014-08-13
US20130052121A1 (en) 2013-02-28
KR20130001253A (ko) 2013-01-03
JPWO2011105530A1 (ja) 2013-06-20
EP2540862B1 (en) 2016-11-23
WO2011105530A1 (ja) 2011-09-01
CN102859032B (zh) 2015-01-14
KR101472948B1 (ko) 2014-12-15
EP2540862A4 (en) 2015-12-09
CN102859032A (zh) 2013-01-02
US9074278B2 (en) 2015-07-07
EP2540862A1 (en) 2013-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2615730T3 (es) Laminado de película de carbono
Puretzky et al. Low-frequency Raman fingerprints of two-dimensional metal dichalcogenide layer stacking configurations
Lee et al. Laser-synthesized epitaxial graphene
Yang et al. Layer-by-layer thinning of graphene by plasma irradiation and post-annealing
Yannopoulos et al. CO2‐Laser‐Induced Growth of Epitaxial Graphene on 6H‐SiC (0001)
Perova et al. Micro-raman mapping of 3c-sic thin films grown by solid–gas phase epitaxy on si (111)
Wang et al. Visible and near-infrared radiative properties of vertically aligned multi-walled carbon nanotubes
JP4533925B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
KR20140093944A (ko) 그래핀의 신속 합성 및 그래핀 구조의 형성
KR101493893B1 (ko) 펄스 레이저 증착을 이용한 그래핀의 제조방법
Machac et al. Graphene prepared by chemical vapour deposition process
TW201221709A (en) Grain-arranged diamond film and method for production thereof
Wu et al. Molecular beam epitaxy growth and optical properties of single crystal Zn3N2 films
Prevost et al. Heteroepitaxial growth of sp2-hybridized boron nitride multilayer on nickel substrates by CVD: the key role of the substrate orientation
JP2014002104A (ja) SiC単結晶基板及びSiCエピタキシャルウェハの評価方法、SiC単結晶及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法、並びに、SiC単結晶
Sun et al. The effect of the surface energy and structure of the SiC substrate on epitaxial graphene growth
Li et al. Direct integration of polycrystalline graphene on silicon as a photodetector via plasma-assisted chemical vapor deposition
JP7012393B2 (ja) グラファイト薄膜、グラファイト薄膜積層体、およびそれらの製造方法
Ualibek et al. Manipulating and probing the growth of plasmonic nanoparticle arrays using light
JPWO2017126561A1 (ja) 単結晶ダイヤモンド、単結晶ダイヤモンドの製造方法およびそれに用いられる化学気相堆積装置
Cheng et al. Large-area epitaxial growth of MoSe2 via an incandescent molybdenum source
Li et al. Effect of temperature on the properties of Al: ZnO films deposited by magnetron sputtering with inborn surface texture
Wei et al. Real-time monitoring of 2D semiconductor film growth with optical spectroscopy
Zimin et al. Application of abnormally high sputtering rate of PbTe (Te) single crystals during inductively coupled argon plasma treatment for fabrication of nanostructures
Chen et al. Structure and electronic properties of closed-ring defects in epitaxial graphene