JP2014002104A - SiC単結晶基板及びSiCエピタキシャルウェハの評価方法、SiC単結晶及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法、並びに、SiC単結晶 - Google Patents
SiC単結晶基板及びSiCエピタキシャルウェハの評価方法、SiC単結晶及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法、並びに、SiC単結晶 Download PDFInfo
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 227
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 238000004854 X-ray topography Methods 0.000 claims abstract description 83
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 242
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 236
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 69
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 8
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 6
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明のSiC単結晶基板の評価方法は、反射X線トポグラフィによってSiC単結晶基板の転位を評価する方法であって、X線源としてMoKα線を用い、回折面として非対称反射面を用いて、SiC単結晶基板のX線トポグラフィ像を得て、該X線トポグラフィ像を用いてSiC単結晶基板の転位密度を計測することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
その基盤技術としてSiC単結晶の成長技術の研究開発が精力的に進められている。
また、他の方法として、珪素原料からの蒸発ガスを炭素材と反応させることによりSiC単結晶を製造する方法(特許文献4)なども知られている。
炭化珪素は多くの多形(ポリタイプ)を有するが、実用的なSiCデバイスは主に、キャリア移動度が高い六方晶の4H−SiCが使用されている。
インゴット内の転位分布を予測することは困難なので、SiC単結晶は、一部の単結晶基板(ウェハ)のみを検査する抜き取り検査は適切ではなく、全数検査が望ましい。この場合、破壊検査であるKOHエッチングは適していない。これに対して、X線トポグラフィ法は非破壊で検査できるので、単結晶基板(ウェハ)の全数検査が可能である。
rew Dislocation:TSD)はc軸方向に伝播するバーガースベクトルが
<0001>あるいはその2倍の転位である。また、貫通刃状転位(ThreadingEdge Dislocation:TED)はc軸方向に伝播するバーガースベクトルが1/3<11−20>の転位である。更に、基底面転位(Basal Plane D
islocation:BPD)はc面((0001)面)に存在するバーガースベクトルが1/3<11−20>の転位である。
X線トポグラフィでSiC単結晶基板の明瞭な転位像が得られ、転位の種類が識別でき、転位密度を計測することができれば、転位密度が低くて高品質のSiC単結晶基板のみを選別して、SiCエピタキシャルウェハを製造することが可能となる。また、X線トポグラフィでSiCエピタキシャルウェハにおける転位(例えば、基板とエピタキシャル膜との界面における転位)を観察することができれば、転位密度が低くて高品質のSiCエピタキシャルウェハのみを選別して、SiCデバイスを製造することが可能となる。
反射X線トポグラフィ像において、貫通転位(貫通螺旋転位及び貫通刃状転位)と基底面転位とでは異なる形状の像として識別可能なほどの明瞭な転位像が得られたならば、貫通転位及び基底面転位のそれぞれの転位密度を得ることが可能となる。
透過力が強いMoKα線(0.71Å)が用いられ、反射法で用いる場合には波長が長く、結晶の中に深く浸透しないCuKα線(1.54Å)が用いられてきた(例えば、特許文献5)。すなわち、MoKα線は試料の内部の結晶構造を調べるのに用いられてきたのに対して、CuKα線は試料の表面の結晶構造を調べるのに用いられてきた。
このように、X線源は従来、MoKα線とCuKα線とでそれぞれ、透過法と反射法とに棲み分けられて用いられてきた。
従来、10μm程度の膜厚のSiCエピタキシャル膜を有するSiCエピタキシャルウェハにおいて、基板−エピタキシャル膜界面にある転位の観察は、CuKα線を用いた反射X線トポグラフィで足りていた。
しかしながら、近年、SiCエピタキシャル技術の進歩によって厚膜のSiCエピタキシャル膜の形成が可能になり、CuKα線の試料表面からの侵入深さは約11μmであるために、高耐圧用の厚膜のSiCエピタキシャル膜(例えば、厚さ30μm(通常は10μm程度))の基板−エピタキシャル膜界面にある転位を観察することはできないという問題が生じてきた。
用いることにより、モノクロメータを用いないでも、貫通螺旋転位と基底面転位とが異なる形状の像として識別可能なほどの明瞭な転位像を得られることを見い出した。
ここで、反射法を用いる場合、試料とフィルムがほぼ平行になるように配置しなければならないため、回折線の射出角度が試料面に対してほぼ90°になることが望ましい。このため、回折面として、入射X線の侵入角度と回折線の射出角度とが異なる非対称反射面を使うことが必要となる。例えば、特許文献5では、回折面として非対称反射面(11−28)が用いられた。
本発明は、非対称反射面である{1 2 −3 L}面(Lは整数)を用いるものである
。
なお、透過X線トポグラフィは転位密度の評価として有効ではない。透過X線トポグラフィでは、成長に影響しない深い位置に存在する転位も観察されてしまい、成長に影響する転位密度の計測が困難であり、また、回折面の関係で、貫通螺旋転位が観察しにくく、貫通螺旋転位の数え落としが生じやすいからである。また、一般に透過法では試料の厚さが2mm以上になると欠陥のコントラストが弱くなり、厚い結晶の評価には用いることできない。
(1)反射X線トポグラフィによってSiC単結晶基板の転位を評価する方法であって、
X線源としてMoKα線を用い、回折面として非対称反射面を用いて、SiC単結晶基板のX線トポグラフィ像を得て、該X線トポグラフィ像を用いてSiC単結晶基板の転位密度を計測することを特徴とするSiC単結晶基板の評価方法。
(2)回折面として{1 2 −3 L}面(Lは整数)を用いることを特徴とする(1)
に記載のSiC単結晶基板の評価方法。
(3)前記SiC単結晶基板の結晶多形が4H型であって、前記Lが14、15、16又
は17のいずれかであることを特徴とする(2)に記載のSiC単結晶基板の評価方法。(4)前記SiC単結晶基板の結晶多形が4H型以外の六方晶あるいは三方晶であって、
前記Lが14,15,16,17が単位格子のc軸長さの比(4H以外の多形結晶のc軸長さ)/(4H結晶c軸長さ)で補正された指数を用いることを特徴とする(2)に記載のSiC単結晶基板の評価方法。
(5)反射X線トポグラフィによって、SiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル膜が形成されたSiCエピタキシャルウェハの転位を評価する方法であって、
X線源としてMoKα線を用い、回折面として非対称反射面を用いて、SiCエピタキシャルウェハのX線トポグラフィ像を得て、該X線トポグラフィ像を用いてSiCエピタキシャルウェハの転位密度を計測することを特徴とするSiCエピタキシャルウェハの評価方法。
(6)回折面として{1 2 −3 L}面(Lは整数)を用いることを特徴とする(5)
に記載のSiCエピタキシャルウェハの評価方法。
(7)前記SiCエピタキシャルウェハの結晶多形が4H型であって、前記Lが14、1
5、16又は17のいずれかであることを特徴とする(6)に記載のSiCエピタキシャルウェハの評価方法。
(8)前記SiCエピタキシャルウェハの結晶多形が4H型以外の六方晶あるいは三方晶
であって、前記指数14,15,16,17が単位格子のc軸長さの比(4H以外の多形結晶のc軸長さ)/(4H結晶c軸長さ)で補正された指数を用いることを特徴とする(6)に記載のSiCエピタキシャルウェハの評価方法。
(9)坩堝内に配したSiC種結晶上に原料ガスを供給して、該SiC種結晶上にSiCの単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法において、
X線源としてMoKα線を用い、回折面として非対称反射面を用いて、SiC単結晶板の反射X線トポグラフィ像を得て、該X線トポグラフィ像を用いてSiC単結晶板の転位密度を計測し、転位密度が所定値以下のSiC単結晶基板を前記SiC種結晶として用いることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
(10)前記所定値として、基底面転位密度が1000個/cm2以下でかつ貫通螺旋転位密度が500個/cm2以下であることを特徴とする請求項9に記載のSiC単結晶の製造方法。
(11)SiC単結晶基板上に珪素含有ガス及び炭素含有ガスを供給してSiCエピタキシャル膜を形成してSiCエピタキシャルウェハを製造する方法であって、
X線源としてMoKα線を用い、回折面として非対称反射面を用いて、SiC単結晶基板の反射X線トポグラフィ像を得て、該X線トポグラフィ像を用いてSiC単結晶基板の転位密度を計測し、転位密度が所定値以下のSiC単結晶基板を用いることを特徴とするSiCエピタキシャルウェハの製造方法。
(12)前記所定値として、基底面転位密度が1000個/cm2以下でかつ貫通螺旋転位密度が500個/cm2以下であることを特徴とする(11)に記載のSiCエピタキシャルウェハの製造方法。
(13) (9)又は(10)のいずれかに記載のSiC単結晶の製造方法によって製造さ
れた、基底面転位密度が1000個/cm2以下で、かつ、貫通螺旋転位密度が500個/cm2以下であることを特徴とするSiC単結晶。
とができ、この転位像を用いてSiC単結晶基板の転位密度を計測することができる。また、MoKα線はCuKα線に比べて線幅が約1/2と狭いため、CuKα線を用いてきた従来の反射X線トポグラフィに比べて分解能が向上し、CuKα線では観察できなかった転位線が観察できる。また、モノクロメータを用いないため、入射X線強度は発生させた強度のままなので、モノクロメータを用いる従来の反射X線トポグラフィに比べて短時間でトポグラフィ像を得ることができる。また、MoKα線は、試料表面からの侵入深さが約55μmと深いため、従来の反射X線トポグラフィを用いた場合に比べて、SiC単結晶基板の深い位置に存在する転位(例えば、SiC単結晶基板上に膜厚10μm以上のエピタキシャル膜を有する試料についても界面近傍の転位)を評価することができる。また、モノクロメータを用いないため、異方性の小さいX線を用いた観察を行うことができ、特許文献5に記載されているような転位線向きとX線入射方向との関係を考慮する必要がない。
本発明のSiC単結晶基板の評価方法は、反射X線トポグラフィによってSiC単結晶基板の転位を評価する方法であって、X線源としてMoKα線を用い、回折面として非対称反射面を用いて、SiC単結晶基板のX線トポグラフィ像を得て、該X線トポグラフィ
像を用いてSiC単結晶基板の転位密度を計測するものである。
らである。
結晶多形が4H以外たとえば青色LED用基板として使用される6H−SiCに適用する場
合には指数Lを(4H以外の多形結晶のc軸長さ)/(4H結晶c軸長さ)で補正すれば適切な格子面の指数が得られる。たとえば4H−SiCの(12−3 16)に相当する6H−SiCの指数は(6Hのc軸長さ15.12Å)/(4H結晶c軸長さ10.05Å)x16=24となり(12−3 16)に相当する(12−3 24)が得られる。
同様に15Rでは(15Rのc軸長さ37.70Å)/(4H結晶c軸長さ10.05Å)x16=60となり(12−3 16)に相当する(12−3 60)が得られる。
ィ装置を用いて得られた反射X線トポグラフィ像を示す。また、図1(b)は、同じSiC単結晶基板の同じ場所について、モノクロメータを用いない点以外は従来法のようにX線源としてCuKα線(1.54Å)を用い、回折面の非対称反射面として{1 1 −2
8}面を用いて得られた反射X線トポグラフィ像を示す。
このサンプルの場合、貫通螺旋転位の転位密度は468個/cm2であり、基底面転位の転位密度は92個/cm2であった。
本発明のSiCエピタキシャルウェハの評価方法は、反射X線トポグラフィによって、SiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル膜が形成されたSiCエピタキシャルウェハの転位を評価する方法であって、X線源としてMoKα線を用い、回折面として非対称反射面を用いて、SiCエピタキシャルウェハのX線トポグラフィ像を得て、該X線トポグラフィ像を用いてSiCエピタキシャルウェハの転位密度を計測するものである。
ることが好ましい。高強度の転位像が得られるからである。特に、Lが14、15、16又は17のいずれかであることが好ましい。より高強度の転位像が得られるからである。またこれら指数面はそれぞれ入射角が異なっていることから表1に示したようにX線の侵
入深さが異なる。これを利用しエピ膜の深さ方向の結晶性解析も可能である。また、基板―エピ界面の解析を行う場合膜厚に合わせて指数面を選択することができる。
トポグラフィ装置を用いて得られた反射X線トポグラフィ像を示す。SiCエピタキシャル膜の膜厚は30μmであった。
また、図2(b)は、同じSiCエピタキシャルウェハの同じ場所について、モノクロメータを用いない点以外は従来法のようにX線源としてCuKα線(1.54Å)を用い、回折面の非対称反射面として{1 1 −2 8}面を用いて得られた反射X線トポグラ
フィ像を示す。
このサンプルの場合、貫通螺旋転位の転位密度は324個/cm2であり、基底面転位の転位密度は60個/cm2であった。
本発明のSiC単結晶の製造方法は、坩堝内に配したSiC種結晶上に原料ガスを供給して、該SiC種結晶上にSiCの単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法において、X線源としてMoKα線を用い、回折面として非対称反射面を用いて、SiC単結晶板の反射X線トポグラフィ像を得て、該X線トポグラフィ像を用いてSiC単結晶板の転位密度を計測し、転位密度が所定値以下のSiC単結晶板をSiC種結晶として用いるものである。
単結晶成長装置100は、真空容器1の内部に、断熱材2に覆われた坩堝3が配置されて概略構成されており、蓋部3aと本体部3bとからなる坩堝3の蓋部3aの台座4の一面4aにSiC種結晶Wが接合されている。
蓋部と台座は一体の部材として一つの材料で形成されていてもよく、別個の部材を組み合わることにより構成されていてもよい。
断熱材2を巻き付けた坩堝3は真空容器1の内部中央の支持棒10上に設置されている。支持棒10は筒状とされており、この支持棒10の孔部10aを断熱材2に設けた孔部2aと合わせるようにする。これにより、真空容器1の下に配置された放射温度計9により、この支持棒10の孔部10aおよび断熱材2の下側の孔部2aを通して、坩堝3の下部表面の温度を観測できる構成とされている。同様に、真空容器1の上に配置された別の放射温度計9により、断熱材2の上側の孔部2bを通して、坩堝3の上部表面の温度を観測できる構成とされている。
真空容器1の内部のガス交換はまず、排出管8に接続した真空ポンプ(図示略)を用いて、真空容器1の内部の空気を排気して、たとえば、4×10−3Pa以下の減圧状態とする。真空ポンプとしては、例えば、ターボ分子ポンプなどを用いることができる。 その後、導入管7から真空容器1の内部に高純度Arガスを導入して、真空容器1の内部をAr雰囲気で9.3×104Paという環境とする。
央に設置された坩堝3を、例えば、1900℃以上の温度に加熱することができる。これにより、坩堝3内の炭化珪素原料5を加熱して、炭化珪素原料5から昇華ガスを発生させる。
回折面として用いる非対称反射面としては、{1 2 −3 L}面(Lは整数)を用い
ることが好ましい。高強度の転位像が得られるからである。特に、Lが14、15、16又は17のいずれかであることが好ましい。より高強度の転位像が得られるからである。
本発明のSiCエピタキシャルウェハの製造方法は、SiC単結晶基板上に珪素含有ガス及び炭素含有ガスを供給してSiCエピタキシャル膜を形成してSiCエピタキシャルウェハを製造する方法であって、X線源としてMoKα線を用い、回折面として非対称反射面を用いて、SiC単結晶基板のX線トポグラフィ像を得て、該X線トポグラフィ像を用いてSiC単結晶基板の転位密度を計測し、転位密度が所定値以下のSiC単結晶基板を用いるものである。
SiCエピタキシャルウェハ膜の成膜装置200は、複数のウェハ載置部21bを支持するプラネタリ21と熱輻射部材22との間に設けられた反応室24と、熱輻射部材22の中央部を貫通して反応室24内にガスを供給するガス供給部25と、プラネタリ21及び熱輻射部材22をそれぞれ加熱する高周波コイル26とを備えている。公転用回転軸21aは、ガス供給部25の直下に配置されている。
このように、ウェハ載置部21bとプラネタリ21とを自公転せることにより、SiCエピタキシャルウェハの膜厚やキャリア濃度、温度分布の面内均一性を向上させる構成となっている。
また、高周波コイル26を反応室24の上下に配置する構成によって、基板を高温に加熱することができる。
は通常行われている手順で行うことができる。
回折面として用いる非対称反射面としては、{1 2 −3 L}面(Lは整数)を用い
ることが好ましい。高強度の転位像が得られるからである。特に、Lが14、15、16又は17のいずれかであることが好ましい。より高強度の転位像が得られるからである。またこれら指数面はそれぞれ入射角が異なっていることから表1に示したようにX線の侵
入深さが異なる。これを利用しエピ膜の深さ方向の結晶性解析も可能である。また、基板―エピ界面の解析を行う場合膜厚に合わせて指数面を選択することができる。
ば、SiCデバイスの作動に支障がないSiCエピタキシャルウェハを製造することができるからである。
が(230)個/cm2のSiC単結晶基板を用いて製造したSiCエピタキシャルウェハ
の反射X線トポグラフィ像である。
上記した通り、SiCエピタキシャルウェハの貫通螺旋転位密度は324個/cm2であり、基底面転位密度は60個/cm2であった。
基底面転位密度が1000個/cm2以下でかつ貫通螺旋転位密度が500個/cm2以下のSiC単結晶基板を用いた結果、転位密度の低い高品質のSiCエピタキシャルウェハを製造することができた。
なお、上述した通り、本発明のSiCエピタキシャルウェハの製造方法で用いるX線トポグラフィでは、X線(MoKα線)は侵入深さが約65μmあるので、30μm厚のSiCエピタキシャル膜のみならず、SiCエピタキシャル膜とSiC単結晶基板との界面、さらに、SiC単結晶基板中にまで侵入してその転位情報をトポグラフィ像に反映する。従って、上記の貫通螺旋転位密度324個/cm2及び基底面転位密度は60個/cm2の値は、SiCエピタキシャル膜のみならず、界面及びSiC単結晶基板中の転位も含めたものであるから、SiCエピタキシャル膜中の転位密度はそれらの値よりも低い。
SiC単結晶基板の成長面に存在する基底面転位の一部はSiCエピタキシャル膜において積層欠陥に変換して、SiCエピタキシャル膜中の基底面転位密度は低下するのに対して、貫通転位の方はSiC単結晶基板からSiCエピタキシャル膜にそのまま伝播することが知られており、上記転位密度の値はそれを反映したものとなっている。
本発明のSiC単結晶は、本発明のSiC単結晶の製造方法によって製造された、基底面転位密度が1000個/cm2以下で、かつ、貫通螺旋転位密度が500個/cm2以下のSiC単結晶である。
3 坩堝
4 台座
5 炭化珪素原料
11 加熱手段
21 プラネタリ
21b ウェハ載置部
22 熱輻射部材
24 反応室
25 ガス供給部
100 単結晶成長装置
200 SiCエピタキシャルウェハ膜の成膜装置
W SiC種結晶
Claims (13)
- 反射X線トポグラフィによってSiC単結晶基板の転位を評価する方法であって、
X線源としてMoKα線を用い、回折面として非対称反射面を用いて、SiC単結晶基板のX線トポグラフィ像を得て、該X線トポグラフィ像を用いてSiC単結晶基板の転位密度を計測することを特徴とするSiC単結晶基板の評価方法。 - 回折面として{1 2 −3 L}面(Lは整数)を用いることを特徴とする請求項1に
記載のSiC単結晶基板の評価方法。 - 前記SiC単結晶基板の結晶多形が4H型であって、前記Lが14、15、16又は1
7のいずれかであることを特徴とする請求項2に記載のSiC単結晶基板の評価方法。 - 前記SiC単結晶基板の結晶多形が4H型以外の六方晶あるいは三方晶であって、前記
Lが14,15,16,17が単位格子のc軸長さの比(4H以外の多形結晶のc軸長さ)/(4H結晶c軸長さ)で補正された指数を用いることを特徴とする請求項2に記載のSiC単結晶基板の評価方法。 - 反射X線トポグラフィによって、SiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル膜が形成されたSiCエピタキシャルウェハの転位を評価する方法であって、
X線源としてMoKα線を用い、回折面として非対称反射面を用いて、SiCエピタキシャルウェハのX線トポグラフィ像を得て、該X線トポグラフィ像を用いてSiCエピタキシャルウェハの転位密度を計測することを特徴とするSiCエピタキシャルウェハの評価方法。 - 回折面として{1 2 −3 L}面(Lは整数)を用いることを特徴とする請求項5に
記載のSiCエピタキシャルウェハの評価方法。 - 前記SiCエピタキシャルウェハの結晶多形が4H型であって、前記Lが14、15、
16又は17のいずれかであることを特徴とする請求項6に記載のSiCエピタキシャルウェハの評価方法。 - 前記SiCエピタキシャルウェハの結晶多形が4H型以外の六方晶あるいは三方晶であ
って、前記指数14,15,16,17が単位格子のc軸長さの比(4H以外の多形結晶のc軸長さ)/(4H結晶c軸長さ)で補正された指数を用いることを特徴とする請求項6に記載のSiCエピタキシャルウェハの評価方法。 - 坩堝内に配したSiC種結晶上に原料ガスを供給して、該SiC種結晶上にSiCの単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法において、
X線源としてMoKα線を用い、回折面として非対称反射面を用いて、SiC単結晶板の反射X線トポグラフィ像を得て、該X線トポグラフィ像を用いてSiC単結晶板の転位密度を計測し、転位密度が所定値以下のSiC単結晶基板を前記SiC種結晶として用いることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。 - 前記所定値として、基底面転位密度が1000個/cm2以下でかつ貫通螺旋転位密度が500個/cm2以下であることを特徴とする請求項9に記載のSiC単結晶の製造方法。
- SiC単結晶基板上に珪素含有ガス及び炭素含有ガスを供給してSiCエピタキシャル膜を形成してSiCエピタキシャルウェハを製造する方法であって、
X線源としてMoKα線を用い、回折面として非対称反射面を用いて、SiC単結晶基板の反射X線トポグラフィ像を得て、該X線トポグラフィ像を用いてSiC単結晶基板の転位密度を計測し、転位密度が所定値以下のSiC単結晶基板を用いることを特徴とするSiCエピタキシャルウェハの製造方法。 - 前記所定値として、基底面転位密度が1000個/cm2以下でかつ貫通螺旋転位密度が500個/cm2以下であることを特徴とする請求項11に記載のSiCエピタキシャルウェハの製造方法。
- 請求項9又は10のいずれかに記載のSiC単結晶の製造方法によって製造された、基底面転位密度が1000個/cm2以下で、かつ、貫通螺旋転位密度が500個/cm2以下であることを特徴とするSiC単結晶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012138839A JP6037673B2 (ja) | 2012-06-20 | 2012-06-20 | SiC単結晶基板及びSiCエピタキシャルウェハの評価方法、SiC単結晶及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法、並びに、SiC単結晶 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2014002104A true JP2014002104A (ja) | 2014-01-09 |
JP6037673B2 JP6037673B2 (ja) | 2016-12-07 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6037673B2 (ja) |
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