JPWO2011043440A1 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明による液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板と対向基板との間でショートを生じにくくすることを目的とし、アクティブマトリクス基板（１）においてゲート配線（１２）と基幹配線（１４ｃ）とをコンタクトホール（２０）内で導通させる電極膜（１９）と、対向基板（２）の共通電極としての電極膜（２３）との間に、これらの電極膜が導通することを妨げる導通阻止部材（３１）を備える。導通阻止部材（３１）は、アクティブマトリクス基板（１）および対向基板（２）の少なくとも一方において、アクティブマトリクス基板（１）の電極膜（１９）と対向基板（２）の電極膜（２３）との間に、基板面の法線方向において電極膜（１９）と少なくとも一部が重なる位置に設けられる。

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、さらに詳しくは、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、その間に液晶を封止した構造を有する液晶表示装置と、その製造方法に関する。

従来、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、それらの基板間に液晶を封止した構造をとる、いわゆるアクティブマトリクス型の液晶表示装置が広く普及している。アクティブマトリクス基板には、液晶の駆動素子として機能する半導体素子（例えば、ＴＦＴと略称される薄膜トランジスタ等）や、この半導体素子を制御するための配線類が形成されている。一方、対向基板には、必要に応じてカラーフィルタ等が形成されると共に、その全面に共通電極が形成されている。

従来のアクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、一般的に、電源、電圧を供給する外部接続端子はアクティブマトリクス基板側に設けられている。このため、例えば、アクティブマトリクス基板の外部接続端子から供給された電圧を対向基板の共通電極へ供給するために、アクティブマトリクス基板と対向基板とを導通させる必要がある。

アクティブマトリクス基板と対向基板とを導通させる手段としては、（１）アクティブマトリクス基板と対向基板との間に銀ペーストを設ける（例えば、特許文献１参照）、（２）アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせる際に用いられるシール材に導電性ビーズを含有させる（例えば、特許文献２参照）、等が知られている。

特開平８−２３４２２４号公報 特開２０００−１９９９１５号公報

近年、特に大型の液晶表示装置の分野において、アクティブマトリクス基板の画素領域外に、画素内の半導体素子の製造プロセスによって同時にドライバ回路が形成された、いわゆるモノリシックパネルの開発が進んでいる。この場合、画素領域外においてドライバ回路および配線が配置されている箇所（額縁領域と称されることが多い。）には、アクティブマトリクス基板の表面に配線類が露出していることが多い。

そのため、パネル表面を指で押されたりする等して圧力がかかったときに、アクティブマトリクス基板と対向基板とのセルギャップが小さくなることにより、アクティブマトリクス基板上の配線と対向基板の共通電極とがショートすることがある、という問題があった。また、上記特許文献２に記載されているように、導電性ビーズを含むシール材で基板間の導通をとる構造の場合、導通部分以外の箇所（例えば、基幹配線と他の配線とのコンタクト部分（電極パターン）など）にシール材中の導電性ビーズが入り込むと、コンタクト部分と対向基板の共通電極とをショートさせてしまうという問題がある。

また、アクティブマトリクス基板において画素領域内の配向膜が画素領域外の配線や電極パターン上にも延設されている場合もあるが、配向膜は、一般的に１００ｎｍ程度と極めて薄く、圧力がかかってセルギャップが小さくなった場合や、シール材中の導電性ビーズがコンタクト部分などに入り込んだ場合に、アクティブマトリクス基板と対向基板との間の絶縁破壊を防止できるほどの絶縁性はない。

本発明は、上記の問題を鑑み、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせてなる液晶表示装置であって、基板間のショートを生じにくい液晶表示装置を提供することを目的とする。

本発明による液晶表示装置は、複数の画素電極が形成された画素領域と、前記画素領域の外側に位置する周辺領域とを有し、アクティブマトリクス基板と、共通電極を有する対向基板とを備えた液晶表示装置であって、前記アクティブマトリクス基板が、前記周辺領域に延びる第１配線と、前記第１配線の上に形成された第１絶縁層と、前記周辺領域において前記絶縁層の上に延びる第２配線と、前記第２配線の上に形成された第２絶縁層と、前記周辺領域において、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層に形成された貫通孔の中に配置され、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に接続する電極膜と、を備え、前記周辺領域における前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板とを貼り合せるシール材と、前記アクティブマトリクス基板の基板面法線方向から見た場合、前記電極膜と少なくとも一部が重なる位置に配置され、前記電極膜と前記共通電極とが導通することを妨げる導通阻止部材と、が配置されている

また、本発明による液晶表示装置の製造方法は、複数の画素電極が形成された画素領域と、前記画素領域の外側に位置する周辺領域とを有し、アクティブマトリクス基板と、共通電極を有する対向基板とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、前記アクティブマトリクス基板に、前記周辺領域に延びる第１配線を形成する工程と、前記アクティブマトリクス基板の前記第１配線の上に、第１絶縁層を形成する工程と、前記アクティブマトリクス基板の前記第１絶縁層の上に、前記周辺領域に延びる第２配線を形成する工程と、前記アクティブマトリクス基板の前記第２配線の上に、第２絶縁層を形成する工程と、前記周辺領域において、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層前に貫通孔を設ける工程と、前記貫通孔のなかに、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に接続する電極膜を形成する工程と、前記対向基板に共通電極を形成する工程と、前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板の一方に、前記電極膜と前記共通電極とが導通することを妨げる導通阻止部材を形成する工程と、前記アクティブマトリクス基板の基板面法線方向から見た場合、前記電極膜の少なくとも一部と前記導通阻止部材とが重なるように、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板とを、シール材で貼り合わせる工程と、を含む。

本発明によれば、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせてなる液晶表示装置であって、基板間のショートが生じにくい液晶表示装置を提供できる。

本発明の第１の実施形態にかかる液晶表示装置の構成を示す平面図である。 第１の実施形態にかかる液晶表示装置において、図１に破線で示した領域Ａの近傍を拡大して示す平面図である。 図２に示すＢ−Ｂ線断面図である。 第２の実施形態にかかる液晶表示装置において、図１に破線で示した領域Ａの近傍を拡大して示す平面図である。 図４に示すＢ−Ｂ線断面図である。 図４に示すＣ−Ｃ線断面図である。 液晶モジュール１０１の第１の変形例の概略構成を示す断面図である。 液晶モジュール１０１の第２の変形例の概略構成を示す断面図である。 液晶モジュール１０１の第３の変形例の概略構成を示す断面図である。 液晶モジュール１０１の第４の変形例の概略構成を示す断面図である。 液晶モジュール１０１の第５の変形例の概略構成を示す断面図である。 液晶モジュール１０１の第６の変形例の概略構成を示す断面図である。 第２の変形例における導通部４１付近の構成をより詳細に示した断面図である。 第２の変形例におけるコンタクト部４２付近の構成をより詳細に示した断面図である。 図１に示したＤ−Ｄ断面の構成（画素の断面構成）を表している。 図１に示したＤ−Ｄ線断面図であって、画素領域内に配向制御構造物が形成された構成を示した図である。 ゲートドライバ４ａ内におけるＴＦＴ３０およびその近傍のコンタクト部６３の構成を模式的に表した平面図である。 図１７に示したＥ−Ｅ線断面図である。 第２の実施形態との比較例にかかる液晶モジュールの概略構成を示す断面図である。

本発明の実施形態による液晶表示装置は、複数の画素電極が形成された画素領域と、前記画素領域の外側に位置する周辺領域とを有し、アクティブマトリクス基板と、共通電極を有する対向基板とを備えた液晶表示装置であって、前記アクティブマトリクス基板が、前記周辺領域に延びる第１配線と、前記第１配線の上に形成された第１絶縁層と、前記周辺領域において前記絶縁層の上に延びる第２配線と、前記第２配線の上に形成された第２絶縁層と、前記周辺領域において、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層に形成された貫通孔の中に配置され、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に接続する電極膜と、を備え、前記周辺領域における前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板とを貼り合せるシール材と、前記アクティブマトリクス基板の基板面法線方向から見た場合、前記電極膜と少なくとも一部が重なる位置に配置され、前記電極膜と前記共通電極とが導通することを妨げる導通阻止部材と、が配置されている。

上記の構成にかかる液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板の画素領域外の周辺領域において第１配線と第２配線とが電極膜によって貫通孔を介して接続されている。また、この周辺領域における前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材の他に、前記アクティブマトリクス基板の基板面法線方向から見た場合に前記電極膜と少なくとも一部が重なる位置に設けられ、前記電極膜と前記対向基板の共通電極とが導通することを妨げる導通阻止部材を備えている。この構成によれば、基板の外から圧力が加わった場合や、アクティブマトリクス基板の電極膜と対向基板の共通電極との間に何らかの導電性物質が介在する場合に、これらに起因して基板間がショートすることを、前記導通阻止部材によって効果的に抑制することができる。この結果、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせてなる液晶表示装置であって、基板間のショートを生じにくい液晶表示装置を提供することが可能となる。

上記液晶表示装置において、前記導通阻止部材は、電極膜と共通電極の両方に接する態様であっても良いし、電極膜と共通電極との一方のみに接する態様であっても良い。前者の態様によれば、導通阻止部材と電極膜または共通電極との間に何らかの導電性物質が入り込む余地が少なくなり、基板間のショートをより確実に防止できる。また、導通阻止部材が画素領域外においてスペーサの役割も果たし、画素領域外においてもアクティブマトリクス基板と対向基板との間隔を保持することができる。一方、後者の態様によれば、導通阻止部材の高さがセルギャップよりも小さいので、導通阻止部材とこれに対向する電極膜または共通電極との間に何かが入り込んだ場合に、その箇所の基板の厚さの増分が少なくてすむという利点がある。

上記の液晶表示装置において、前記導通阻止部材が、前記アクティブマトリクス基板に接することなく前記アクティブマトリクス基板に対面する端面を有し、前記導通阻止部材の前記端面に凹凸が形成されていることが好ましい。この構成によれば、導通阻止部材とこれに対向する電極膜または共通電極との間にシール材等が入り込んだ場合に、入り込んだ物質が凹部の間隙に吸収されるので、その箇所の基板厚さの増大が防止されるという利点がある。

上記の液晶表示装置において、前記周辺領域における前記アクティブマトリクス基板の上に配置された駆動回路と、前記周辺領域における前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に配置され、かつ、前記アクティブマトリクス基板の基板面法線方向から見た場合、前記駆動回路と重なる位置に配置された第２の導通阻止部材を備えることが好ましい。第２導通阻止部材によって、駆動回路内の配線と、対向基板の電極とがショートすることを抑制できる。また、この好ましい構成において、前記第２導通阻止部材が黒色であり、前記アクティブマトリクス基板の基板面法線方向から見た場合、前記駆動回路のチャネル領域と前記第２の導通阻止部材とが少なくとも一部が重なるように配置されていることがさらに好ましい。この態様によれば、導通阻止部材が、駆動回路内の駆動素子に対する遮光層として機能し、駆動素子の特性劣化を抑制することができる。

上記の液晶表示装置が、画素領域内で前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に設けられた突起状構造物をさらに備え、前記導通阻止部材が、前記突起状構造物と同じ材料で形成されていることが好ましい。この構成によれば、導通阻止部材と突起状構造物とを同じ材料で形成することができるので、製造工程の簡略化を図ることができる。また、前記突起状構造物が、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間隔を規定するスペーサであることも好ましい。あるいは、前記突起状構造物が、液晶の配向状態を規定する配向制御構造物である態様も好ましい。この時、前記突起状構造物と導通阻止部材がアクティブマトリクス基板において同じ層に設けられることが好ましい。すなわち、アクティブマトリクス基板は、例えばガラス基板等の透光性基板に金属や樹脂等からなる各種の層を順次積層していくことによって形成されるが、前記突起状構造物と導通阻止部材とが、これらの積層構造において同じ層に設けられていることが好ましい。

上記の液晶表示装置において、前記シール材が、導電性粒状体を含み、前記電極膜と前記対向基板の共通電極との間にも配置されていてよい。この構成によれば、導通阻止部材が、アクティブマトリクス基板の電極膜と対向基板の共通電極との間に導電性粒状体が入り込むことを抑止するので、基板間のショートを効果的に抑制することができる。

また、上記の液晶表示装置において、前記貫通孔における前記第２絶縁層の表面に段差部が形成され、前記電極膜の端部が前記段差部の上に位置することが好ましい。この構成によれば、電極膜と対向基板の共通電極との距離を十分に確保することができる。これにより、アクティブマトリクス基板の電極膜と対向基板の共通電極とのショートをより確実に防止できるという利点がある。

本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法は、複数の画素電極が形成された画素領域と、前記画素領域の外側に位置する周辺領域とを有し、アクティブマトリクス基板と、共通電極を有する対向基板とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、（ａ）前記アクティブマトリクス基板に、前記周辺領域に延びる第１配線を形成する工程と、（ｂ）前記アクティブマトリクス基板の前記第１配線の上に、第１絶縁層を形成する工程と、（ｃ）前記アクティブマトリクス基板の前記第１絶縁層の上に、前記周辺領域に延びる第２配線を形成する工程と、（ｄ）前記アクティブマトリクス基板の前記第２配線の上に、第２絶縁層を形成する工程と、（ｅ）前記周辺領域において、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層前に貫通孔を設ける工程と、（ｆ）前記貫通孔のなかに、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に接続する電極膜を形成する工程と、（ｇ）前記対向基板に共通電極を形成する工程と、（ｈ）前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板の一方に、前記電極膜と前記共通電極とが導通することを妨げる導通阻止部材を形成する工程と、（ｉ）前記アクティブマトリクス基板の基板面法線方向から見た場合、前記電極膜の少なくとも一部と前記導通阻止部材とが重なるように、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板とを、シール材で貼り合わせる工程と、を含む。なお、この製造方法において、工程（ａ）〜（ｉ）はアルファベットの順にしたがって実行される必要はない。

この方法によって製造された液晶表示装置においては、導通阻止部材が、電極膜と前記対向基板の共通電極とが導通することを妨げるので、基板の外から圧力が加わった場合や、アクティブマトリクス基板の電極膜と対向基板の共通電極との間に何らかの導電性物質が介在する場合に、これらに起因して基板間がショートすることを効果的に抑制することができる。この結果、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせてなる液晶表示装置であって、基板間のショートを生じにくい液晶表示装置が実現される。

上記の方法は、前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板の少なくとも一方において、画素領域内に突起状構造物を形成する工程をさらに含んでよい。前記導通阻止部材の材料と前記突起状構造物の材料とが同じであり、前記突起状構造物を形成する工程と前記導通阻止部材を形成する工程とが同時に行われることが好ましい。この方法によれば、導通阻止部材が、画素領域内の突起状構造物と同じ材料で形成され、かつ、突起状構造物と同時に形成されるので、製造工程の煩雑化を抑制できるという利点がある。

以下、図面を参照しつつ、本発明による液晶表示装置の具体的な実施形態のいくつかを説明する。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示した、一部の構成部材を省略したりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。

（実施形態１）
図１は、本発明の第１の実施形態による液晶モジュール（液晶表示装置）の概略構成を模式的に示す平面図である。図１に示すように、第１の実施形態の液晶モジュール１００は、アクティブマトリクス基板１と対向基板２とを有する。アクティブマトリクス基板１と対向基板２とは、画素領域内に設けられたフォトスペーサ（突起状構造物）によって所定の間隔を保ちつつ、シール材（図示せず）により貼り合わされている。そして、アクティブマトリクス基板１と対向基板２とシール材とによって形成される空間に液晶が封止されている。

アクティブマトリクス基板１は、マトリクス状に画素電極４３が配置された画素領域３と、画素領域３の両側（図１に示した例では水平方向（長手方向）の両側）に配置されたゲートドライバ４ａ、４ｂとを有する。画素領域３には、ソース配線５とゲート配線６とが互いに直交するよう配置されている。ソース配線５とゲート配線６との交点付近に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）７が形成されている。ゲートドライバ４ａ、４ｂは、図１においてはその内部構造の図示を省略しているが、画素領域３のＴＦＴ７の製造プロセスと同時に作り込まれるスイッチング素子（図３に示すＴＦＴ３０）を有している。すなわち、ゲートドライバ４ａ、４ｂは、アクティブマトリクス基板１にモノリシックに作り込まれている。

ＴＦＴ７は、そのゲート電極がゲート配線６に、ソース電極がソース配線５に、ドレイン電極が画素電極４３に、それぞれ接続されている。そして、ゲートドライバ４ａ、４ｂから、ゲート配線６を介してＴＦＴ７のゲート電極へゲート信号が印加されることにより、ＴＦＴ７のＯＮ／ＯＦＦが制御される。また、ＴＦＴ７のソース電極には、図示しないソースドライバからソース配線５を介して、データ信号が印加される。

アクティブマトリクス基板１は、その短辺の長さが対向基板２の短辺の長さよりも大きくなるよう形成されている。そして、アクティブマトリクス基板１の対向基板２に覆われない箇所に、アクティブマトリクス基板１と外部回路との間で各種の信号を入出力するための端子領域８が形成されている。例えば、ソース配線５のそれぞれは、この端子領域８に形成されたソースドライバ接続用端子を介して、アクティブマトリクス基板１の外部に設けられたソースドライバ（図示せず）に接続される。なお、図１においては、端子領域８の端子を省略して図示したが、端子領域８には１つまたは２つ以上の端子が形成されていてよい。

図１に示すように、ゲートドライバ４ａ、４ｂの外側（基板外周側）には、基幹配線１４が引き回されている。なお、図１は基幹配線１４の形態の一例を示したものであり、基幹配線の本数が異なるような他の形態を採用することもできる。基幹配線１４は、端子領域８の端子に接続されている。基幹配線１４は、後に詳述するが、画素領域３のソース配線５またはゲート配線６と同じ材料を用いて、ソース配線５またはゲート配線６と同時に形成される。シール材は、ゲートドライバ４ａの外側（基板外周側）に、基幹配線１４のうちの１本または数本の上を覆うように敷設されている。画素領域の外側に位置する、ゲートドライバ４ａ、４ｂ、基幹配線１４、端子領域８等が配置された領域を、本明細書では周辺領域と呼ぶ。

図２は、図１に破線で示した領域Ａの近傍を拡大して示す平面図である。図２に示すように、ゲートドライバ４ａの外側（基板外周側）には、複数の基幹配線１４ａ〜１４ｄが配置されている。図２の例では、基幹配線１４ｃ上には、ゲートドライバ４ａに接続されたゲート配線１２（ゲートドライバ４ａに電源電圧や信号を供給する配線：第１配線）とのコンタクト部４２が設けられている。

ここで、図３を参照しながら、コンタクト部４２の構造について説明する。図３は、図２に示すＢ−Ｂ線の断面図であり、コンタクト部４２の断面構造を示す。なお、図３は、コンタクト部４２の断面構造を簡略化して示したものである。例えば基幹配線１４は、複数種類の金属層の積層構造であることが好ましいが、図３においては単層の金属層として省略して図示している。また、図３においては、例えばパッシベーション膜等の図示は省略されている。さらに、図３に示されている各種の膜の平坦度や、構成部材の寸法比等は、必ずしも実際の態様を表したものではない。

図３に示すように、本実施形態の液晶モジュール１００は、アクティブマトリクス基板１と対向基板２とをシール材４０で貼り合わせ、その間隙に液晶３４を封止した構成である。アクティブマトリクス基板１と対向基板２とは、画素領域３内に設けられた、均一な高さを有する柱状または壁状のフォトスペーサ（突起状構造物）によって、その間隔が一定に維持されている。フォトスペーサは、一般的に、画素の開口部を避けて、ソース配線５またはゲート配線６に重なるように、樹脂等によって形成されている。なお、フォトスペーサの詳しい実施例は、後に図１５を参照しながら説明する。

シール材４０の材料としては、熱硬化性樹脂を用いることができる。シール材４０は、光硬化性を併せ持つことが好ましい。アクティブマトリクス基板１と対向基板２とを位置決めして貼り合わせた後、感光させることでシール材４０を仮硬化し、さらに加熱することによってシール材４０を本硬化させることができるからである。このような特性を持つ樹脂としては、エポキシ樹脂とアクリル樹脂との混合樹脂等が利用可能である。シール材４０には、光硬化性樹脂を用いてもよい。

図３に示すように、アクティブマトリクス基板１は、ガラス基板１１と、ガラス基板１１の表面に形成されたゲート配線１２（第１配線）とを備えている。ゲート配線１２は、ゲートドライバ４ａ内のＴＦＴ３０のゲート電極に接続されている。ゲート配線１２は、画素領域３におけるゲート配線６と同じ材料により、ゲート配線６を形成するプロセスによってゲート配線６と同時に形成される。ゲート配線６、１２は、例えば、チタニウム層、アルミニウム層、チタニウム層の三層構造であることが好ましいが、これに限定されず、単層金属層でも良いし、二層または四層以上の金属層であっても良い。また、アルミニウムの代わりに、例えばモリブデン等の金属を用いることもできる。ゲート配線１２は層間絶縁膜１３（第１絶縁層）で覆われている。層間絶縁膜１３は、ゲート絶縁膜とも呼ばれ、例えば窒化シリコン膜を好適に用いることができる。

層間絶縁膜１３の上には、基幹配線１４（１４ａ〜１４ｃ：第２配線）が設けられている。基幹配線１４ａ〜１４ｃは、画素領域３におけるソース配線５と同じ材料により、ソース配線５を形成するプロセスによってソース配線５と同時に形成される。ソース配線５および基幹配線１４ａ〜１４ｃは、チタニウム層の上にアルミニウム層を重ねた二層構造であることが好ましいが、これに限定されず、単層金属層でも良いし、三層以上の金属層であっても良い。また、アルミニウムの代わりに、例えばモリブデン等を用いることもできる。なお、本実施形態においては、アクティブマトリクス基板１の基幹配線１４ｄが、適宜の箇所に設けられた銀ペースト（図示せず）を介して、対向基板２の共通電極（後述）に電気的に接続されている。

基幹配線１４とＴＦＴ３０の上には、層間絶縁膜１８（第２絶縁層）が設けられている。なお、画素領域３においては、層間絶縁膜１８の表面に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明な電極膜からなる画素電極４３と、液晶３４の配向を制御する配向膜（図示せず）とが、周知の態様により設けられる。

一方、対向基板２は、ガラス基板２１の上に配置されたカラーフィルタ（図３には表れず）を備え、さらに、カラーフィルタを覆うオーバーコート膜２２と、透明な電極膜２３とを備えている。電極膜２３は、対向基板２の全面を覆っており、共通電極として機能する。なお、画素領域３においては、対向基板２の電極膜２３の表面に、液晶３４の配向を制御する配向膜（図示せず）が設けられる。また、対向基板２において、ゲートドライバ４ａに対向する領域には、ゲートドライバ４ａ内のＴＦＴ３０の特性が光によって劣化することを防止するために、遮光層（ブラックマトリクス）２４が設けられている。

図３に示すように、コンタクト部４２においては、基幹配線１４ｃ上の層間絶縁膜１８と層間絶縁膜１３とを貫通する貫通孔（コンタクトホール）２０が設けられ、この貫通孔２０と電極膜１９を介して、基幹配線１４ｃとゲート配線１２とが電気的に接続されている。つまり、電極膜１９は、コンタクト部４２における層間絶縁膜１８の上、貫通孔２０における層間絶縁膜１３、基幹配線１４ｃ、および層間絶縁膜１８の壁面の上、ならびに貫通孔２０の底部で露出したゲート配線１２の上に連続的に積層されている。

なお、図３に示した電極膜１９は、画素領域３における画素電極４３と同じ材料（例えばＩＴＯ）により、画素電極４３と同時に形成される。なお、図３において参照符号２７を付した構成要素は下層半導体層であり、参照符号２８を付した構成要素は上層半導体層である。下層半導体層２７および上層半導体層２８は、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層を形成する際に同時に形成することが可能である。貫通孔２０のなかで、下層半導体層２７および上層半導体層２８が露出している場合は、これらの層の壁面上にも電極膜１９が形成される。

ただし、図３に示したコンタクト部４２においては、対向基板２の電極膜２３の上に、絶縁性の樹脂で形成された導通阻止部材３１ａが、また、コンタクト部４２の内側（ＴＦＴ３０に近い側）には導電阻止部材３１ｂが形成されている。以下の説明においては、導通阻止部材３１ａ、３１ｂを区別して説明する必要がある場合は、参照符号として３１ａ、３１ｂを用い、導通阻止部材３１ａ、３１ｂに共通した説明を行う場合は、参照符号として３１を用いる。導通阻止部材３１は、シール材４０とは別個の構造物である。なお、電極膜２３と導通阻止部材３１との間には、画素領域３から延設された配向膜（図示せず）が介在していても良い。導通阻止部材３１は、基板面の法線方向（基板面に垂直な方向）において（基板面の法線方向から見た場合）、アクティブマトリクス基板１の電極膜１９に少なくともその一部が重なるように設けられていることが必要である。図３の例においては、導通阻止部材３１ａが、基板面の法線方向において、電極膜１９の全体に重なるように設けられ、電極膜１９とは重ならない位置に導通阻止部材３１ｂが設けられている。しかし、電極膜１９とは重ならない位置の導通阻止部材３１ｂは無くても良いし、導通阻止部材３１ａは必ずしも電極膜１９の全体に重なっている必要はない。なお、ここでは、導通阻止部材３１ａ、３１ｂのみを図示したが、導通阻止部材の数はこれに限定されない。導通阻止部材３１は、画素領域３内に設けられる突起状構造物（ここではフォトスペーサ）と同じ材料を用いて、柱状または壁状に形成されている。導通阻止部材３１とフォトスペーサとは、例えば透明な感光性アクリル樹脂を材料として、フォトリソグラフィ工程により、同時に形成することが可能である。

導通阻止部材３１ａのアクティブマトリクス基板１側の端面は、少なくともコンタクト部４２の電極膜１９を覆うに足る幅と長さとを有することが好ましい。導通阻止部材３１ａは、図３に示す例では、対向基板２の電極膜２３の表面から突出するように設けられ、アクティブマトリクス基板１と対向基板２とを貼り合わせた際に、これらの基板の間に隙間無く介在する。これにより、基板に圧力がかかった場合でも、アクティブマトリクス基板１の電極膜１９と対向基板２の共通電極（電極膜２３）とが接触することが妨げられる。したがって、この構成によれば、コンタクト部４２においてアクティブマトリクス基板１と対向基板２とがショートする、という事態を防止できる。

さらに、導通阻止部材３１は、画素領域３においてセルギャップを規定するフォトスペーサと同様の機能を果たす効果もある。したがって、セルギャップを規定するフォトスペーサと同じ材料で導通阻止部材３１を形成する場合は、図３に示すように、画素領域３外においてコンタクト部４２以外の箇所にも導通阻止部材３１ｂを設けた構成とすることが好ましい。この構成によれば、導通阻止部材３１ｂが、画素領域３外でのアクティブマトリクス基板１と対向基板２との間隔を均一に保つ、という効果が得られる。

なお、導通阻止部材３１は、上述のとおり、画素領域３においてアクティブマトリクス基板１と対向基板２とを所定間隔に保つためのフォトスペーサと同じ材料により、フォトスペーサと同時に形成されることが好ましい。この場合、製造工程数を増加させることなく、導通阻止部材３１を形成することができる、という利点がある。

ただし、画素領域３内に設けられる突起状構造物として、基板間隔を規定するフォトスペーサ以外に、液晶の配向状態を規定する配向制御構造物を有する場合もある。配向制御構造物は、例えば垂直配向型の液晶モジュール等において用いられており、一般的に、透明な樹脂を用いて、所定の高さを有する壁状に形成される。なお、配向制御構造物の詳しい一実施例は、後で図１６を参照しながら説明する。このように配向制御構造物を画素領域内の突起状構造物として有する液晶モジュールの場合は、導通阻止部材３１を、基板間隔を規定するフォトスペーサではなく、この配向制御材と同じ材料によって形成することも可能である。

なお、導通阻止部材３１は、上記フォトスペーサと異なる材料で形成してもよく、また、上記フォトスペーサと異なる工程で形成してもよい。さらに、上記導通阻止部材３１は、上記配向制御構造物と異なる材料で形成してもよく、また、上記配向制御構造物と異なる工程で形成してもよい。

以上のように、第１の実施形態にかかる液晶表示装置には、基板面の法線方向において、アクティブマトリクス基板１の画素領域３外の電極膜１９に対して少なくとも一部が重なるように、対向基板２の共通電極（電極膜２３）上に導通阻止部材３１が設けられている。これにより、画素領域３外の基板に圧力がかかった場合でも、アクティブマトリクス基板１の電極膜１９と対向基板２の電極膜２３とが接触することが妨げられる。これにより、コンタクト部４２においてアクティブマトリクス基板１と対向基板２とがショートする、という事態を防止できる。

（実施形態２）
本発明の第２の実施形態について、図４〜６を参照して、以下に説明する。なお、以下の説明において、第１の実施形態で説明した構成と同様の機能を有する構成については同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。

図４は、第２の実施形態にかかる液晶表示装置（液晶モジュール）１０１において、図１に破線で示した領域Ａに対応する領域の近傍を拡大して示す平面図である。なお、液晶表示装置１０１の全体的な構成は図１に示す液晶表示装置１００と基本的に同じである。

図４に示すように、本実施形態の液晶表示装置１０１においては、基幹配線１４ｄ上に、アクティブマトリクス基板１と対向基板２を導通させるために、導通部４１が設けられている。また、本実施形態の液晶表示装置１０１においては、シール材４０が導電性粒状体（後述）を含み、このシール材４０が導通部４１に配置されることにより、導電性粒状体を介して、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との導通がとられている。したがって、第１の実施形態にかかる構成が有する銀ペーストが不要となり、第１の実施形態と比較して額縁領域の面積を小さくできるという利点がある。なお、導通部４１は、基幹配線１４ｄ上において、端子領域８に近い額縁部分や、端子領域８とは反対側の額縁部分にも設けられて良い。また、基幹配線１４ｃ上には、第１の実施形態と同様に、ゲートドライバ４ａに接続されたゲート配線１２とのコンタクト部４２が設けられている。

ここで、図５および図６を参照しながら、コンタクト部４２および導通部４１の構造について説明する。図５は、図４に示すＢ−Ｂ線断面図であり、コンタクト部４２の断面構造を示す。図６は、図４に示すＣ−Ｃ線断面図であり、導通部４１の断面構造を示す。なお、図５および図６は、導通部４１およびコンタクト部４２の断面構造を簡略化して示したものである。例えば基幹配線１４は、複数種類の金属層の積層構造であることが好ましいが、図５および図６においては単層の金属層として省略して図示している。また、図５および図６においては、例えばパッシベーション膜等の図示は省略されている。さらに、図５および図６に示されている各種の膜の平坦度や、構成部材の寸法比等は、必ずしも実際の態様を表したものではない。

図５および図６に示すように、本実施形態の液晶モジュール（液晶表示装置）１０１は、アクティブマトリクス基板１と対向基板２とをシール材４０で貼り合わせ、その間隙に液晶３４を封止した構成である。アクティブマトリクス基板１と対向基板２とは、画素領域３内に設けられたフォトスペーサ（突起状構造物）によって、その間隔が一定に維持されている。なお、フォトスペーサの詳しい一実施例は、後に図１５を参照しながら説明する。

シール材４０は、導電性粒状体３２を、基材としての熱硬化性樹脂３３に含有させたものである。熱硬化性樹脂３３は、光硬化性を併せ持つことが好ましい。アクティブマトリクス基板１と対向基板２とを位置決めして貼り合わせた後、感光させることでシール材４０を仮硬化し、さらに加熱することによってシール材４０を本硬化させることができるからである。このような特性を持つ樹脂としては、エポキシ樹脂とアクリル樹脂との混合樹脂等が利用可能である。熱硬化性樹脂３３としては、透明な樹脂を用いても良いが、後の変形例（第５の変形例）において説明するように、黒色の樹脂を用いることが好ましい場合もある。

導電性粒状体３２は、例えば、プラスチックビーズに導電性の金属メッキ（例えば金メッキ等）を施したものである。導電性粒状体３２は、熱硬化性樹脂３３へ混入する前にはほぼ真球状であるが、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせ工程において、破損せずに多少のつぶれが生じる程度の可塑性を有していることが好ましい。また、導電性粒状体３２の芯となるプラスチックビーズとして、例えばエポキシ樹脂等の熱可塑性樹脂を使うことも好ましい。これは、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせにおける本硬化工程で、導電性粒状体３２を破損することなく、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との間に介在させることができるからである。ここで、導電性粒状体３２の形状は、ほぼ真球状に限らず、卵形（断面がほぼ楕円形）または円柱状であっても良い。あるいは、導電性粒状体３２は、断面形状が四角形、多角形、または、複雑な異型の形状を呈する粒状体であってもよい。

図５および図６に示すように、層間絶縁膜１３の上には、基幹配線１４（１４ａ〜１４ｃ）が設けられている。基幹配線１４ａ〜１４ｃは、画素領域３におけるソース配線５と同じ材料により、ソース配線５を形成するプロセスによってソース配線５と同時に形成される。基幹配線１４ｄは、層間絶縁膜１３の下に、画素領域３におけるゲート配線６と同じ材料により、ゲート配線６を形成するプロセスによってゲート配線６と同時に形成される。

ここで、図６に示すように、導通部４１においては、基幹配線１４ｄ上の層間絶縁膜１３および層間絶縁膜１８に貫通孔（コンタクトホール）２０が設けられ、この貫通孔２０を介して、基幹配線１４ｄと、層間絶縁膜１８上の電極膜１９とが電気的に接続されている。つまり、電極膜１９は、導通部４１における層間絶縁膜１８の上、貫通孔２０における層間絶縁膜１３および１８の壁面の上、ならびに貫通孔２０の底部で露出した基幹配線１４ｄの上に連続的に積層されている。

また、本実施形態においては、シール材４０が、基幹配線１４ａ〜１４ｄを覆う位置、あるいは基幹配線１４ａ〜１４ｄの一部または全部の上方に設けられている。これにより、導通部４１の電極膜１９は、シール材４０中の導電性粒状体３２によって、対向基板２の電極膜２３と導通する。これにより、端子領域８の端子から基幹配線１４ｄへ入力された信号が、電極膜１９および導電性粒状体３２を介して対向基板２の共通電極へ供給されることとなる。

一方、図５に示すように、コンタク卜部４２においては、基幹配線１４ｃ上の層間絶縁膜１８と層間絶縁膜１３とを貫通する貫通孔２０が設けられ、この貫通孔２０と電極膜１９とを介して、基幹配線１４ｃとゲート配線１２とが電気的に接続されている。つまり、電極膜１９は、コンタクト部４２における層間絶縁膜１８の上、貫通孔２０における層間絶縁膜１３、基幹配線１４ｃ、および層間絶縁膜１８の壁面の上、ならびに貫通孔２０の底部で露出したゲート配線１２の上に連続的に積層されている。なお、貫通孔２０のなかで、下層半導体層２７および上層半導体層２８が露出している場合は、これらの層の壁面上にも電極膜１９が形成される。なお、図５および図６にそれぞれ示した電極膜１９は、画素領域３における画素電極４３と同じ材料（例えばＩＴＯ）により、画素電極４３と同時に形成される。

ただし、図５に示したコンタクト部４２の上およびその近傍においては、対向基板２の電極膜２３の上に、絶縁性の樹脂で形成された導通阻止部材３１（３１ａ、３１ｂ）が設けられている。なお、導通阻止部材３１は、図５に示した例ではシール材４０の中に埋設されている（あるいは取り囲まれている）が、シール材４０とは別個の構造物である。なお、電極膜２３と導通阻止部材３１との間には、画素領域３から延設された配向膜（図示せず）が介在していても良い。導通阻止部材３１は、基板面の法線方向において、アクティブマトリクス基板１の電極膜１９に少なくとも一部が重なるように設けられていることが必要である。

図５の例においては、導通阻止部材３１ａが、基板面の法線方向において、電極膜１９の全体に重なるように設けられ、電極膜１９とは重ならない位置に導通阻止部材３１ｂが設けられている。しかし、導通阻止部材３１ｂは無くても良いし、導通阻止部材３１ａは必ずしも電極膜１９の全体に重なっている必要はない。導通阻止部材３１は、画素領域３内に設けられる突起状構造物（ここではフォトスペーサ）と同じ材料を用いて、柱状または壁状に形成されている。導通阻止部材３１とフォトスペーサとは、例えば透明な感光性アクリル樹脂を材料として、フォトリソグラフィ工程により、同時に形成することが可能である。

導通阻止部材３１ａのアクティブマトリクス基板１側の端面は、少なくともコンタクト部４２の電極膜１９を覆うに足る幅と長さとを有することが好ましい。導通阻止部材３１ａは、図５に示す例では、対向基板２の電極膜２３の表面から突出するように設けられ、アクティブマトリクス基板１と対向基板２とを貼り合わせた際に、これらの基板の間に隙間無く介在する。これにより、コンタクト部４２において、アクティブマトリクス基板１の電極膜１９と対向基板２の共通電極（電極膜２３）との間には、シール材４０が入り込む余地がない。したがって、この構成によれば、コンタクト部４２において、シール材４０中の導電性粒状体３２がアクティブマトリクス基板１と対向基板２とをショートさせてしまう、という事態を防止できる。

ここで、比較例として、図１９に、本実施形態にかかる液晶モジュール１０１から導通阻止部材３１を省いた構成（液晶モジュール９０１）を示す。比較例にかかる液晶モジュール９０１は、導通阻止部材３１を備えていない点を除いては、本実施形態にかかる液晶モジュール１０１と同様の構造を有するものとする。図１９に示すように、比較例にかかる液晶モジュール９０１では、シール材４０に含まれている導電性粒状体３２が、アクティブマトリクス基板１の電極膜と、対向基板２の電極膜２３との間に介在し、アクティブマトリクス基板１と対向基板２とをショートさせてしまうおそれがある。一方、上述のとおり、本実施形態にかかる液晶モジュール１０１の場合は、導電性粒状体３２によるアクティブマトリクス基板１と対向基板２とがショー卜するという問題を、導通阻止部材３１によって解決することができる。

さらに、導通阻止部材３１は、画素領域３においてセルギャップを規定するフォトスペーサと同様の機能を果たす効果もある。したがって、セルギャップを規定するフォトスペーサと同じ材料で導通阻止部材３１を形成する場合は、図５に示すように、画素領域３外においてコンタクト部４２以外の箇所にも導通阻止部材３１ｂを設けた構成とすることが好ましい。この構成によれば、導通阻止部材３１ｂが、画素領域３外でのアクティブマトリクス基板１と対向基板２との間隔を均一に保つ、という効果が得られる。

なお、導通阻止部材３１は、上述のとおり、画素領域３においてアクティブマトリクス基板１と対向基板２とを所定間隔に保つためのフォトスペーサと同じ材料により、フォトスペーサと同時に形成されることが好ましい。この場合、製造工程数を増加させることなく、導通阻止部材３１を形成することができる、という利点がある。

ただし、画素領域３内に設けられる突起状構造物として、基板間隔を規定するフォトスペーサ以外に、液晶の配向状態を規定する配向制御構造物を有する場合もある。なお、配向制御構造物の詳しい一実施例は、後に図１６を参照しながら説明する。このように配向制御構造物を画素領域内の突起状構造物として有する液晶モジュールの場合は、導通阻止部材３１を、基板間隔を規定するフォトスペーサではなく、この配向制御構造物と同じ材料によって形成することも可能である。

ここで、導通阻止部材３１は、上記フォトスペーサと異なる材料で形成してもよく、また、上記フォトスペーサと異なる工程で形成してもよい。さらに、導通阻止部材３１は、上記配向制御構造物と異なる材料で形成してもよく、また、上記配向制御構造物と異なる工程で形成してもよい。

以上のように、第２の実施形態にかかる液晶表示装置では、基板面の法線方向において、アクティブマトリクス基板１の画素領域外の電極膜１９に対して少なくとも一部が重なるように、対向基板２の共通電極（電極膜２３）上に導通阻止部材３１が設けられている。これにより、電極膜１９が形成されている領域にシール材４０を配置した場合であっても、シール材４０に含まれる導電性粒状体３２がアクティブマトリクス基板１の電極膜１９と対向基板２の電極膜２３との間に入り込むことが妨げられる。これにより、コンタクト部４２においてアクティブマトリクス基板１と対向基板２とがショートする、という事態を防止できる。

上記において説明した第１の実施形態の液晶モジュール１００および、第２の実施形態の液晶モジュール１０１のバリエーション（変形例）として、いくつかの態様が考えられる。以下、それらの変形例について説明する。

（第１の変形例）
図７は、第２の実施形態による液晶モジュール１０１の第１の変形例の概略構成を示す断面図である。図７に示すように、液晶モジュール１０１の第１の変形例では、シール材４０中に、導電性粒状体３２と共に、短く切断されたガラスファイバ（シール内スペーサ）３５が混合されている。ガラスファイバ３５は円柱状であり、その断面直径は導電性粒状体３２よりも小さい。ガラスファイバ３５は、導電性粒状体３２とは異なり、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせ時に変形しない。あるいは、ガラスファイバ３５は導電性粒状体３２よりも硬く、高い弾性率を有している。したがって、ガラスファイバ３５の断面直径が、シール材４０が配置された箇所における、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との最小間隔を規定することとなる。導電性粒状体３２の直径（少なくとも変形が加えられる前の直径、あるいは変形後の最も幅の広い部分の直径）は、この最小間隔（すなわちガラスファイバ３５の断面直径）よりも若干大きいことが好ましい。

例えば、ガラスファイバ３５の断面直径が２〜４μｍ程度である場合、導電性粒状体３２の変形前の直径、あるいは最も長い部分の直径は、４〜５μｍ程度の範囲で、ガラスファイバ３５の断面直径よりも大きいことが好ましい。例えば、ガラスファイバ３５の断面直径が約３μｍであれば、導電性粒状体３２の直径を約４μｍとすることが好ましい。このように、導電性粒状体３２として、ガラスファイバ３５の断面直径よりも若干大きい直径の粒状体を用いることにより、導通部４１において、１つの導電性粒状体３２に対して、アクティブマトリクス基板１の電極膜１９と対向基板２の電極膜２３との両方が、確実に接触することとなる。これにより、導通部４１において、アクティブマトリクス基板１と対向基板２とを確実に導通させることができる。

以上のとおり、液晶モジュール１０１の第１の変形例によれば、シール材４０にガラスファイバ３５を混合したことにより、ガラスファイバ３５が、画素領域３においてセルギャップを規定するフォトスペーサと同等の機能を果たす。これにより、画素領域３外でのアクティブマトリクス基板１と対向電極２との間隔を均一に保つことができる、という効果が得られる。

また、本変形例においてはシール内スペーサとして柱状のガラスファイバ３５を用いたが、ガラスファイバの代わりに、球状の硬質プラスチックビーズを用いることも可能である。この場合のプラスチックビーズは、導電性粒状体３２よりも若干直径が小さく、かつ、導電性粒状体３２よりも硬質であることが好ましい。

（第２の変形例）
図８は、液晶モジュール１０１の第２の変形例の概略構成を示す断面図である。図８に示すように、液晶モジュール１０１の第２の変形例は、上述の導通阻止部材３１の代わりに、導通阻止部材３６（３６ａ、３６ｂ）を備えている。以下の説明においては、導通阻止部材３６ａ、３６ｂを区別して説明する必要がある場合は、参照符号として３６ａ、３６ｂを用い、導通阻止部材３６ａ、３６ｂに共通した説明を行う場合は、参照符号として３６を用いる。

導通阻止部材３６は、導通阻止部材３１と同様に、対向基板２から突出するように設けられているが、導通阻止部材３６の高さは、アクティブマトリクス基板１と対向基板２とのセルギャップの大きさ（すなわち画素領域３におけるフォトスペーサの高さ）よりも小さい。導通阻止部材３６の高さは、（ａ）アクティブマトリクス基板１と対向基板２とをシール材４０によって貼り合わせた場合に、導通阻止部材３６の端面が電極膜１９に接触することがない、という条件を満たすことが好ましい。この（ａ）の条件が満たされることにより、基板の貼り合わせ時に、導通阻止部材３６の端面が電極膜１９に強く接触することがない。この結果、電極膜１９の断裂によるコンタクト不良を防止することができる。

さらに、導通阻止部材３６の高さは、（ａ）の条件に加えて、（ｂ）導通阻止部材３６におけるアクティブマトリクス基板１側の端面と電極膜１９との間に導電性粒状体３２が入り込んでも、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との間隔に影響を与えない、という２つ目の条件が満たされるように規定されることがさらに好ましい。この（ｂ）の条件が満たされることにより、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との間隔を均一に保つことができるからである。

このように、第２の変形例においては、画素領域３のフォトスペーサ（あるいはセルギャップ）と導通阻止部材３６との高さが異なっている。ただし、この場合でも、導通阻止部材３６を、画素領域３におけるフォトスペーサと同じ材料を用いて同時に形成することができる。例えば、ポジ型の感光性アクリル樹脂は、露光した部分が現像的に溶け出すので、露光量が異なるとエッチングで形成される凹形状の深さも異なるという性質を持つ。この性質を利用し、対向基板２の電極膜２３上に、ポジ型の感光性アクリル樹脂を塗布し、互いに透過率が異なるフィルムを部分的に配したり、スリットを設けたりしたフォトマスク（いわゆるハーフトーンマスク）を用いれば、１枚のマスクで導通阻止部材３６とフォトスペーサとの両方を、互いに異なる厚さに同時に形成することができ、製造効率が向上する。

また、前述したように、例えば垂直配向型液晶ディスプレイ等の場合、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との間隔を均一に保つための（セルギャップを規定するための）フォトスペーサの他に、液晶の配向状態を規定するための配向制御構造物を画素領域３内に有することもある。この配向制御構造物の高さは、一般的に、セルギャップを規定するためのフォトスペーサの高さよりも低い。この場合、導通阻止部材３６を、配向制御構造物と同じ材料を用いて、これと同じ高さに形成することも好ましい。

なお、図８の例では、コンタクト部４２に設けられた導通阻止部材３６ａと、コンタクト部４２以外の箇所に設けられた導通阻止部材３６ｂとの両方が、セルギャップよりも低く形成された構成を例示した。しかし、導通阻止部材３６ａと導通阻止部材３６ｂとの高さが同じである必要はない。例えば、上述のように、フォトスペーサと配向制御構造物とが画素領域３内に設けられた構造の場合、フォトスペーサと同じ材料で、これと同じ高さを有するように導通阻止部材３６ｂを形成し、配向制御構造物と同じ材料で、これと同じ高さを有するように導通阻止部材３６ａを形成するようにしても良い。

ここで、導通阻止部材３６は、上記フォトスペーサと異なる材料で形成してもよく、また、上記フォトスペーサと異なる工程で形成してもよい。さらに、導通阻止部材３６は、上記配向制御構造物と異なる材料で形成してもよく、また、上記配向制御構造物と異なる工程で形成してもよい。

なお、図８においては、シール材４０にガラスファイバ３５が混合されている例を示したが、第２の変形例においてガラスファイバ３５は必須ではない。

また、ここでは、第２の実施形態による液晶モジュール１０１の変形例を説明したが、第１の実施形態による液晶モジュール１００において、導通阻止部材３１の代わりに導通阻止部材３６を備えた構成とすることも可能であり、同様の効果を奏する。

（第３の変形例）
図９は、液晶モジュール１０１の第３の変形例の概略構成を示す断面図である。図９に示すように、液晶モジュール１０１の第３の変形例は、第２の変形例にかかる導通阻止部材３６のアクティブマトリクス基板１側の端面に凹凸を設けた構成である。

なお、このような、導通阻止部材３６の端面における凹凸は、導通阻止部材３６をフォトリソグラフィ工程によってパターニングする際に、この端面に対応するフォトマスクに、光の透過率が互いに異なる複数の小領域を設けることで実現できる。例えば、導通阻止部材３６をボジ型の感光性樹脂で形成する場合、導通阻止部材３６の端面の凸部となるべき箇所に光の透過率が低いマスク部分を対応させ、凹部となるべき筒所に透過率が高いマスク部分を対応させればよい。

また、導通阻止部材３６の端面の凹凸を、できるだけ粗く且つ深く形成することが好ましい。この構成によれば、仮に、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせ時に、導通阻止部材３６の端面とアクティブマトリクス基板１との間に、シール材４０の熱硬化性樹脂３３や導電性粒状体３２が進入したとしても、これらの進入物を凹部に吸収させることができる。この結果、導通阻止部材３６の端面とアクティブマトリクス基板１との間に、シール材４０が入り込んだとしても、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との間隔の変化が発生しにくく、両基板の間隔を所望の値に維持させることができる。

なお、図９においても、シール材４０にガラスファイバ３５が混合されている例を示したが、第３の変形例においてもガラスファイバ３５は必須ではない。

また、セルギャップとほぼ同じ高さを有する導通阻止部材３１ （第１の変形例参照）の基板面の法線方向における端面（アクティブマトリクス基板１側または対向基板２側の端面）に凹凸を形成しても良い。

（第４の変形例）
図１０は、液晶モジュール１０１の第４の変形例の概略構成を示す断面図である。図１０に示すように、液晶モジュール１０１の第４の変形例においては、導通阻止部材３１として、光を通さないように黒色に着色された導通阻止部材３７（３７ａ〜３７ｃ）が設けられている。以下の説明においては、導通阻止部材３７ａ〜３１ｃを区別して説明する必要がある場合は、参照符号として３７ａ〜３７ｃを用い、導通阻止部材３７ａ〜３７ｃに共通した説明を行う場合は、参照符号として３７を用いる。導通阻止部材３７は、黒く着色された感光性アクリル樹脂によって作成可能である。

ここで、導通阻止部材３７は、画素領域３内のフォトスペーサと同じ材料によって、同じ工程で形成することができる。しかし、導通阻止部材３７は、上記フォトスペーサと異なる材料で形成してもよく、また、上記フォトスペーサと異なる工程で形成してもよい。

また、導通阻止部材３７ｃ（第２導通阻止部材）が、ゲートドライバ４ａのＴＦＴ３０の上部にも設けられたことにより、対向基板２の遮光層２４（図３参照）が不要となっている。なお、導通阻止部材３７ｃは、ＴＦＴ３０の全体を覆う必要はなく、少なくともチャネル領域に光が入射しないように作用すれば良い。

また、この変形例においても、シール材４０にガラスファイバ３５を混入させても良い。

また、第１の実施形態にかかる液晶モジュール１００の導通阻止部材３１の代わりに導通阻止部材３７を用いても良く、それによって同様の効果が得られる。

（第５の変形例）
図１１は、液晶モジュール１０１の第５の変形例の概略構成を示す断面図である。図１１に示すように、液晶モジュール１０１の第５の変形例は、シール材４０の基材として、透明な熱硬化性樹脂３３の代わりに、黒色に着色された熱硬化性樹脂３８を用いた点で、第４の変形例と異なっている。

また、第４の変形例と同様に、黒色の導通阻止部材３７ｃが、ゲートドライバ４ａのＴＦＴ３０の上方に設けられたことにより、対向基板２側の遮光層２４ （図３参照）が不要となっている。なお、導通阻止部材３７ｃは、ＴＦＴ３０の全体を覆う必要はなく、少なくともチャネル領域に光が入射しないように配置されていれば良い。

また、導通阻止部材３７ｃをＴＦＴ３０の上方に配置する代わりに、ＴＦＴ３０の上方にまで、シール材４０を延設させても良い。この場合、ＴＦＴ３０のチャネル領域は、黒色の熱硬化性樹脂３８で覆われるので、対向基板２の遮光層２４が無くても、ＴＦＴ３０の特性劣化を防止できる。また、例えば、シール材４０の幅が基幹配線領域の幅よりも大きくなる場合には、基幹配線領域の外側にシール材をはみ出させるのではなく、ゲートドライバ４ａの上方にシール材４０を形成することで、額縁領域を狭くすることができるという利点が得られる。

また、この第５の変形例においても、シール材４０にガラスファイバ３５を混入させても良い。

（第６の変形例）
図１２は、液晶モジュール１０１の第６の変形例の概略構成を示す断面図である。図１２に示すように、液晶モジュール１０１の第６の変形例は、導通阻止部材３９（３９ａ、３９ｂ）が、対向基板２ではなく、アクティブマトリクス基板１側に設けられていることが特徴である。つまり、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との貼り合わせ前に、導通阻止部材３９がアクティブマトリクス基板１側に形成される。なお、この変形例においては、画素領域３のフォトスペーサもアクティブマトリクス基板１側に設けられており、導通阻止部材３９は、画素領域３のフォトスペーサと同じ材料を用いて同時に形成されることが好ましい。ただし、導通阻止部材３９は、上記フォトスペーサと異なる材料で形成してもよく、また、上記フォトスペーサと異なる工程で、形成してもよい。

なお、この変形例においても、シール材４０にガラスファイバ３５を混入させても良い（第１の変形例参照）。また、導通阻止部材３９の高さをセルギャップよりも小さく形成しても良い（第２の変形例参照）。さらに、導通阻止部材３９の対向基板２側の端面に凹凸に形成しても良い（第３の変形例参照）。また、導通阻止部材３９を黒色に着色しても良いし（第４の変形例参照）、黒色の熱硬化性樹脂を基材として含むシール材４０を用いても良い（第５の変形例参照）。

また、第１の実施形態にかかる液晶モジュール１００の導通阻止部材３１の代わりに導通阻止部材３９を用いてもよく、それによっても同様の効果が得られる。

次に、本発明による液晶表示装置の好適な実施例を、その製造工程と共に説明する。なお、ここでは、図８に示した第２実施形態の第２の変形例の液晶表示装置１０１を例にとって説明を行う。すなわち、以下で説明する例は、セルギャップよりも小さい高さを有する導通阻止部材３６が対向基板２側に設けられ、かつ、必須ではないが、シール材４０にガラスファイバ３５が混合されている構成を有する（図８参照）。

図１３は、第２の変形例の液晶表示装置１０１における導通部４１（図４参照）付近の構成をより詳細に示した断面図である。図１４は、同じく第２の変形例におけるコンタクト部４２付近の構成をより詳細に示した断面図である。図１５は、図１に示したＤ−Ｄ断面の構成（画素の断面構成）を表している。

図１３に示すように、本実施例における基幹配線１４ｄは、下層がチタニウム層１４１ｄ、中層がアルミニウム層１４２ｄ 、上層がチタニウム層１４３ｄの三層構造である。基幹配線１４ｄと同時に形成される画素領域３のゲート配線６も、基幹配線１４ｄと同じ構造である。そして、電極膜１９は、画素領域３の画素電極４３と同じく、ＩＴＯで形成されている。また、図５では図示を省略したが、図１３に示すように、アクティブマトリクス基板１には、層間絶縁膜１３と、層間絶縁膜１３の上に成膜されたパッシベーション膜１４３とが設けられている。パッシベーション膜１４３は、窒化シリコン膜であり、能動素子の特性劣化を防ぐなどの効果がある。さらに、パッシべーション膜１４３の上方には、感光性アクリル樹脂からなる層間絶縁膜１８が設けられている。層間絶縁膜１８の厚さは、最も厚い箇所において約２〜４μｍである。

次に、本実施例におけるコンタクト部４２の構成を、図１４を用いて説明する。図１４に示すように、コンタクト部４２において、ゲート配線１２は、図示を省略しているが、チタニウム層、アルミニウム層、チタニウム層を順次重ねてなる三層構造を有する。ゲート配線１２と同時に形成される画素領域３のゲート配線６も、ゲート配線１２と同じ構造である。層間絶縁膜１３には、前記のとおり、窒化シリコン膜を用いることができる。基幹配線１４ｃは、下層がチタニウム層１４１ｃで上層がアルミニウム層１４２ｃの二層構造であり、画素領域３のソース配線５と同じ工程によって形成される。

コンタクト部４２は、図に示すように、ガラス基板１１と電極膜１９との間にゲート配線１２、層間絶縁膜１３、およびアモルファスシリコン膜１４６が積層された領域を有する。また、コンタクト部４２は、ガラス基板１１と電極膜１９との間にゲート配線１２、層間絶縁膜１３、アモルファスシリコン膜１４６、およびチタニウム層１４１ｃが積層された領域、ならびに、ガラス基板１１と電極膜１９との間にゲート配線１２、層間絶縁膜１３、チタニウム層１４１ｃ、アルミニウム層１４２ｃ、パッシべーション膜１４３、および層間絶縁膜１８が積層された領域を有する。

また、図１４に示した基幹配線１４ｃは、電極膜１９と接続する箇所においては、基幹配線１４ｃの上層（すなわちアルミニウム層１４２ｃ）がエッチングにより除去され、チタニウム層１４１ｃと電極膜１９とが接している。また、図８においては図示を省略したが、層間絶縁膜１３と基幹配線１４を覆うパッシベーション膜１４３が設けられていることが好ましい。パッシベーション膜１４３は、窒化シリコン膜である。

さらに、パッシベーション膜１４３の上には、感光性アクリル樹脂からなる層間絶縁膜１８が設けられている。層間絶縁膜１８は、最も厚い箇所の厚さが約２〜４μｍである。電極膜１９は、貫通孔２０（以下、コンタクトホール２０とも呼ぶ）の中で、基幹配線１４ｃのチタニウム層１４１ｃおよびゲート配線１２と電気的に接している。

なお、図１４に示した好適な実施形態においては、層間絶縁膜１８のコンタクトホール２０内に段差部１４４が設けられており、コンタクトホール２０の開口端と段差部１４４との間になだらかな斜面１４５が形成されている。段差部１４４とは、層間絶縁膜１８の最上面よりも低く形成された部分である。電極膜１９は、コンタクトホール２０の底部から段差部１４４の途中まで延設されている。このように、電極膜１９の端部が段差部１４４上に位置し、斜面１４５および層間絶縁膜１８の表面には及ばないことにより、電極膜１９と対向基板の電極膜２３との距離を十分に確保することができる。これにより、アクティブマトリクス基板１の電極膜１９と対向基板２の電極膜２３とのショートを防止できるという利点がある。また、基幹配線１４ｃと電極膜１９との間にパッシベーション膜１４３と層間絶縁膜１８が介在することにより、電極膜１９であるＩＴＯおよび基幹配線１４ｃのアルミニウム層１４２ｃの電食を防止することができる。

また、コンタクトホール２０の開口部から内側にかけてなだらかな斜面１４５を形成することにより、コンタクトホール２０の内壁を急峻または垂直に形成する場合に比べて、貼り合わせ精度等のマージンが拡大するという利点がある。

また、導通阻止部材３６の厚さは、前述したとおり、導通阻止部材３６の対向基板２側の端面と電極膜１９との間に導電性粒状体３２が入り込んでも、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との間隔を実質的に変化させない厚さに決定されている。ここで、例えば、層間絶縁膜１８の厚さが、最も厚い箇所で約２.５μｍ、ガラスファイバ３５の断面直径が約３μｍ、導電性粒状体３２の直径が約４μｍであるとすると、層間絶縁膜１８の厚さとガラスファイバ３５の断面直径との和は約５．５μｍとなる。この値よりも、導通阻止部材３６の厚さと導電性粒状体３２の厚さとの和が小さければ、両基板間のギャップの変化を防止することができるので、図１４の例では、導通阻止部材３６の高さは約１．５μｍ未満であることが好ましい。この例では、導通阻止部材３６の高さは約１．０μｍである。

次に、図１５を参照し、画素領域３におけるフォトスペーサ５３について説明する。図１５は、図１に示したＤ−Ｄ線の断面図である。図１５に示すように、画素領域３においては、ソース配線５の上方に、セルギャップを制御するためのフォトスペーサ５３が形成されている。また、フォトスペーサ５３の上方には、ブラックマトリクス（ＢＭ）１４９が設けられている。

対向基板２の基板面の法線方向から見た場合、ブラックマトリクス１４９は、赤のカラーフィルタ１５０Ｒ、緑のカラーフィルタ１５０Ｇ、青のカラーフィルタ１５０Ｂの境界に設けられており、フォトスペーサ５３とその下方のソース配線５とにオーバーラップするように配置されている。赤のカラーフィルタ１５０Ｒ、緑のカラーフィルタ１５０Ｇ、青のカラーフィルタ１５０Ｂのそれぞれは、画素電極４３が設けられた領域（画素開口部）にオーバーラップするように配置されている。

ブラックマトリクス１４９の厚さは約１μｍ、赤のカラーフィルタ１５０Ｒ、緑のカラーフィルタ１５０Ｇ、青のカラーフィルタ１５０Ｂのそれぞれの厚さは約２μｍ、カラーフィルタ上のオーバーコート膜２２の厚さは約０．５μｍである。

画素領域３のソース配線５は、前述の基幹配線１４と同様に、チタニウム層５１とアルミニウム層５２との積層構造を有する。層間絶縁膜１３とソース配線５の上には、パッシベーション膜１４３が積層されている。パッシべーション膜１４３の上には、感光性アクリル樹脂からなる層間絶縁膜１８が積層されている。層間絶縁膜１８の厚さは、最も厚い箇所において、約２.５μｍである。層間絶縁膜１８の表面はほぼ平坦である。層間絶縁膜１８の上には複数の画素電極４３がマトリクス状に配置されている。画素電極４３の上には、配向膜１４７が形成されている。

一方、対向基板２は、ガラス基板２１と、各色のカラーフィルタ１５０Ｒ、１５０Ｇ、１０５Ｂ、およびブラックマトリクス１４９と、オーバーコート膜２２と、電極膜２３とが、この順に積層されている。電極膜２３は、ＩＴＯで形成された共通電極である。電極膜２３の厚さは、約０．１μｍである。電極膜２３の上には、感光性アクリル樹脂のフォトスペーサ５３が形成されている。そして、電極膜２３とフォトスペーサ５３とを覆うように、配向膜１４８が形成されている。配向膜１４７、１４８のそれぞれの厚さは、約１００ｎｍである。

１本のソース配線５の線幅は約２〜３μｍであり、このソース配線５にオーバーラップするフォトスペーサ５３とブラックマトリクス１４９の線幅も、約２〜３μｍである。フォトスペーサ５３の高さは、約３μｍである。これは、シール材４０の厚さを規定するガラスファイバ３５の断面直径とほぼ等しい。

フォトスペーサ５３と同じ材料を用いて、同じ工程により、画素領域外の導通阻止部材を形成することが好ましい。これにより、製造工程を簡略化することができるからである。

なお、第１の実施形態および第２の実施形態において説明したとおり、画素領域３内に設けられる突起状構造物として、基板間隔を規定するフォトスペーサ以外に、液晶の配向状態を規定する配向制御構造物を形成することもある。この配向制御構造物は、例えば垂直配向型液晶モジュール等において用いられる。ここで、この配向制御構造物の具体的な構成例を、図１６を用いて説明する。

図１６に示すように、配向制御構造物８１は、垂直配向型液晶モジュールの画素領域内に、フォトスペーサ５３よりも低い突起構造物として形成される。図１６に示す例においては、配向膜１４７、１４８は、液晶分子を基板面に対して垂直に配向させるための垂直配向膜である。また、この例においては、配向制御構造物８１は、各画素の中心付近の対向基板２側に設けられており、その周囲の液晶分子３４１を放射状に傾斜配向させる。配向制御構造物８１は、フォトスペーサ５３と同様に、電極膜２３上に形成されている。したがって、配向制御構造物８１の表面は、垂直配向膜１４８によって覆われている。この構成によれば、配向制御構造物８１の斜面８１ｓに設けられた垂直配向膜４８のアンカリング効果によって、液晶分子３４１はこの斜面８１ｓに対してほぼ垂直に配向する。

この結果、配向制御構造物８１の近傍においては、液晶分子３４１が配向制御構造物８１を中心として放射状に傾斜配向する。なお、ここで配向制御構造物８１は円錐台状に形成されているが、その形状は、円錐状、三角錐状など種々の形状であってよい。

このように、配向制御構造物８１を用いる場合は、導通阻止部材３１を配向制御構造物８１と同じ材料によって、同じ工程で形成することも可能である。これにより、製造工程を簡略化できるという利点が得られる。

次に、図１７および図１８を参照しながら、ゲートドライバ４ａ内のＴＦＴ３０およびコンタクト部６３を説明する。図１７は、ゲートドライバ４ａ内におけるＴＦＴ３０およびその近傍に配置されたコンタクト部６３の構成を模式的に表した平面図である。図１８は、図１７に示したＥ−Ｅ線断面図である。なお、ここでは、ゲートドライバ４ａの構成を説明するが、ゲートドライバ４ｂも同様の構成を有していてよい。

図１７および図１８に示す例においては、ＴＦＴ３０は、櫛形構造のＴＦＴであるが、ゲートドライバ４ａ内のスイッチング素子はこれに限定されない。図１７および図１８に示すように、ゲートドライバ４ａ内では、ゲート配線１２の上方に層間絶縁膜１３が設けられ、さらにその上にｎ⁺シリコン等によるシリコン層１５、ドレイン配線６１、ソース配線６２等が形成されている。ドレイン配線６１とソース配線６２は、基幹配線１４や画素領域３のソース配線５と同じ材料により、ソース配線５と同時に、ゲートドライバ４ａ内に形成される配線である。基幹配線１４、ドレイン配線６１、ソース配線６２は、例えばチタニウム層１４１ｃとアルミニウム層１４２ｃの二層構造を有している。

図１７および１８に示すように、ドレイン配線６１から延設された２本の電極がＴＦＴ３０のドレイン電極６１ａ、６１ｂを形成し、ソース配線６２から延設された１本の電極がソース電極６２ａを形成する。ドレイン配線６１、ソース配線６２の上には、パッシベーション膜１４３が積層される。パッシベーション膜１４３の上には、層間絶縁膜１８が積層される。層間絶縁膜１８と層間絶縁膜１３には貫通孔２０が設けられている。貫通孔２０における層間絶縁膜１３および層間絶縁膜１８の壁面の上、基幹配線１４の露出部分、ならびに貫通孔２０の底部で露出したゲート配線１２の上に、電極膜１９が連続的に積層されている。このような構造により、コンタクト部６３においてゲート配線１２と基幹配線１４とが電気的に接続される。なお、貫通孔２０において、シリコン層１５、パッシベーション層１４３が露出している場合は、これらの露出面上にも電極膜１９が形成される。

図１８に示すように、ゲートドライバ４ａ、４ｂにおけるアクティブマトリクス基板１と対向基板２との間には、シール材４０は存在しない。本実施例では、シール材４０は感光性樹脂を基材として含み、製造工程で感光性樹脂に光を照射してシール材４０の仮硬化がなされる。しかしながら、ＴＦＴ３０に光が照射されるとチャネル特性が劣化するため、シール材４０をＴＦＴ３０の上に形成しようとすると、製造工程においてＴＦＴ３０に光が照射されて、ＴＦＴ３０の特性が劣化するという問題が生じる。本実施例では、ＴＦＴ３０の上部にシール材４０が存在しないので、ＴＦＴ３０の特性劣化が防止される。

また、同様の理由により、液晶表示装置の完成後においてもＴＦＴ３０に外光が照射されることは好ましくない。そのため、本実施例では、ゲートドライバ４ａ、４ｂの上方に遮光層２４が設けられている。

しかし、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との間にシール材４０が存在しない場合、アクティブマトリクス基板１と対向基板２とを互いに押しつける力が働くと（例えば、液晶パネルを外部から指などで押さえつけたとき等）、アクティブマトリクス基板１の電極膜１９と対向基板２の電極膜２３とが接触してショー卜する可能性がある。この問題を防止するために、図１８に破線で示すように、コンタクト部６３の上部の対向基板２に導通阻止部材３６を設けることが好ましい。導通阻止部材３６に変えて、セルギャップまたは液晶の配向状態を規定するフォトスペーサと同じ高さの導通阻止部材（上述した導通阻止部材３１ａに対応）を設けても良い。また、第４の変形例で説明したように、黒色の導通阻止部材を設けても良い。あるいは、第６の変形例で説明したように、導通阻止部材３６をアクティブマトリクス基板１の側に設けても良い。

導通阻止部材３６は、上記フォトスペーサと異なる材料で形成してもよく、また、上記フォトスペーサと異なる工程で形成してもよい。さらに、導通阻止部材３６は、上記配向制御構造物と異なる材料で形成してもよく、また、上記配向制御構造物と異なる工程で形成してもよい。

次に、液晶モジュール１０１の製造方法について説明する。以下の説明においては、特に注記する部分以外は、図５を参照しながら、図５の液晶モジュール１０１の各構成要素の製造工程を説明する。各構成要素の製造方法は、基本的に、他の実施形態および実施例の同じ構成要素にも適用可能である。

まず、アクティブマトリクス基板１の製造工程を説明する。最初に、ガラス基板１１を洗浄して乾燥させた後、スパッタ法により、ガラス基板１１の表面にチタニウム層、アルミニウム層、チタニウム層を順に積層する。次に、この３層を、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて整形して、ゲート配線１２（第１配線）を形成する。

その後、ゲート配線１２を覆うようにガラス基板１１の上に、層間絶縁膜１３（第１絶縁層）となる窒化シリコン膜と、画素領域３のＴＦＴ７の半導体層となるアモルファスシリコン膜及びｎ⁺アモルファスシリコン膜とを、それぞれプラズマＣＶＤ去により連続成膜する。次に、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、アモルファスシリコン膜及びｎ⁺アモルファスシリコン膜をパターニングし、ＴＦＴ７および３０の島状に配置された半導体層を得る。

次に、スパッタ法を用いて、チタニウム層とアルミニウム層とを順に堆積する。その後、これら２層をフォトリソグラフィ法とウェットエッチング法とドライエッチング法を用いてパターニングして、画素領域３のソース配線５、ソース電極、およびドレイン電極と、基幹配線１４と、ゲートドライバ４ａ、４ｂ内のドレイン配線６１、ソース配線６２、ならびにＴＦＴ３０のドレイン電極６１ａ、６１ｂおよびソース電極６２ａとを形成する。基幹配線１４、ドレイン配線６１、ソース配線６２を第２配線と呼ぶ。

次に、パッシベーション膜１４３となる窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により積層した後、層間絶縁膜１８となるアクリル樹脂を塗布する。その後、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、層間絶縁膜１８から層間絶縁膜１３までの層を選択的に除去して、図５〜１４および図１８に示したコンタクトホール（貫通孔）２０を形成する。このとき、コンタクトホール２０内に位置するソース配線５および基幹配線１４のアルミニウム層を、ウェットエッチングにより除去してもよい。これにより、これらの配線のアルミニウム層と電極膜１９のＩＴＯとの間で生じ得る電食が防止される。

次に、ＩＴＯをスパッタ法により成膜してエッチングすることにより、画素領域３の画素電極４３と電極膜１９とを形成する。次に、画素領域３に配向膜１４７を成膜してアクティブマトリクス基板１が完成する。

なお、アクティブマトリクス基板の製造工程の最後に導通阻止部材を形成する工程が加わることもあり得る。

次に、対向基板２の製造工程を説明する。

最初に、ガラス基板２１を洗浄して乾燥させた後、画素領域３となる部分にカラーフィルタ１５０Ｒ、１５０Ｇ、１５０Ｂを形成する。このとき同時に、ソース配線５の上方にあたる箇所と、ゲートドライバ４ａ、４ｂの上方にあたる箇所とに、ブラックマトリクス１４９を形成する。次に、基板上にオーバーコート膜２２を形成する。その後、オーバーコート膜２２の面上に、ＩＴＯをスパッタ法により成膜して電極膜２３（共通電極）を得る。

次に、電極膜２３の表面に感光性のアクリル樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法を用いて、導通阻止部材３６とフォトスペーサ５３（図１５および１６参照）とを同時に形成する。この際に、前述したとおり、導通阻止部材３６とフォトスペーサ５３の高さを異ならせる場合、導通阻止部材３６に対応する筒所とフォトスペーサ５３に対応する箇所との透過率が互いに異なるフォトマスクを用いれば良い。次に、画素領域３において電極膜２３とフォトスペーサ５３とを覆うように配向膜１４８を成膜することにより、対向基板２が完成する。なお、図１６に示した配向制御材８１を導通阻止部材３６と同じアクリル樹脂で同時に形成することもあり得る。

次に、対向基板２の周辺領域の一部を含む所定の箇所にシール材４０を塗布し、シール材４０で囲まれた領域に液晶を滴下した後、対向基板２とアクティブマトリクス基板１とを貼り合わせる。シール材４０は、熱硬化性樹脂３３と、導電性粒状体３２およびガラスファイバ３５の一方または両方を含み得る。次に、アクティブマトリクス基板１と対向基板２とを位置合わせした状態で、シール材４０へ紫外線を照射して、シール材４０を仮硬化させる。次に、所定の温度まで加熱することにより、シール材４０を本硬化させる。貼り合わせは、アクティブマトリクス基板の基板面法線方向から見た場合、アクティブマトリクス基板の電極膜１９の少なくとも一部と導通阻止部材３６とが重なるようになされる。

以上の工程により、本実施例の液晶モジュール（貼り合せ基板）１０１が完成する。この液晶モジュール１０１を適宜の筐体に組み込み、必要な駆動回路および電源回路等を取り付けることにより、液晶表示装置の最終形態が完成する。なお本願においては、上記の液晶モジュール１０１を本発明による液晶表示装置と呼んでいるが、液晶表示装置の上記最終形態を本発明による液晶表示装置と呼んでもよい。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態および実施例に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施形態および実施例を適宜変形して実施することが可能である。

例えば、上述の例では、アクティブマトリクス基板１と対向基板２とのベース基板としてガラス基板を用いたが、透光性の絶縁性基板であれば、ガラス基板以外の基板を用いてもよい。

また、図１においては、２つのゲートドライバ４ａ、４ｂが画素領域３の両側に配置された構成を例示したが、ゲートドライバの数は２個に限定されず、また上述したものとは異なる位置に配置することも可能である。また、図１においては、アクティブマトリクス基板１の１つの長辺付近に端子領域８が形成された例を示したが、端子領域８をアクティブマトリクス基板１の短辺付近に形成してもよい。

また、上記の説明においては、アクティブマトリクス基板１上にゲートドライバ４ａ、４ｂがモノリシックに設けられた構成を例示したが、それに加えて、アクティブマトリクス基板１上にソースドライバをモノリシックに組み込むことも可能である。この場合、ＴＦＴの半導体層の材料としては、アモルファスシリコンよりも移動度が高い微結晶シリコン（マイクロクリスタルシリコン）や酸化物半導体（ＩＺＯ、ＩＧＺＯ等）などを用いることが好ましい。

なお、微結晶シリコン膜は、一般に、プラズマＣＶＤ法など、アモルファスシリコン膜の形成方法と同様の方法を用いて作製される。その原料ガスには、水素ガスで希釈したシランガスを用いるのが一般的である。微結晶シリコンに含まれる結晶粒の粒径は数ｎｍから数１００ｎｍ程度と小さく、微結晶シリコンは結晶粒とアモルファスシリコンとの混合状態として形成されることが多い。また、低温結晶化シリコン膜を形成する場合、まずアモルファスシリコンを成膜し、その後レーザーや熱による結晶化が必要であるが、微結晶シリコンは、ＣＶＤ装置等によって成膜が完了したときに、既に基本的な結晶粒を含んでいるという特徴がある。したがって、成膜後に、レーザーや熱によるアニール処理を施して結晶粒を形成する工程を省くことが可能である。よって、微結品シリコンＴＦＴは、低温結晶化シリコンＴＦＴを作成するために必要とされる工程数よりも少ない工程数で作製可能であり、アモルファスシリコンＴＦＴと同程度の工程数とコストで作製され得る。

本発明は、薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス基板を備えた液晶セル、液晶表示装置に好適に用いられる。

１ アクティブマトリクス基板
２ 対向基板
３ 画素領域
４ ゲートドライバ
５ ソース配線
６ ゲート配線
７ ＴＦＴ
８ 端子領域
１１ ガラス基板
１２ ゲート配線
１４ 基幹配線
１９ 電極膜
２０ 貫通孔
３１ 導通阻止部材
３６ 導通阻止部材
３７ 導通阻止部材
３９ 導通阻止部材
５３ フォトスペーサ
８１ 配向制御構造物
１００ 液晶モジュール
１０１ 液晶モジュール

Claims (16)

1. 複数の画素電極が形成された画素領域と、前記画素領域の外側に位置する周辺領域とを有し、アクティブマトリクス基板と、共通電極を有する対向基板とを備えた液晶表示装置であって、
   前記アクティブマトリクス基板が、
   前記周辺領域に延びる第１配線と、
   前記第１配線の上に形成された第１絶縁層と、
   前記周辺領域において前記絶縁層の上に延びる第２配線と、
   前記第２配線の上に形成された第２絶縁層と、
   前記周辺領域において、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層に形成された貫通孔の中に配置され、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に接続する電極膜と、を備え、
   前記周辺領域における前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に、
   前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材と、
   前記アクティブマトリクス基板の基板面法線方向から見た場合、前記電極膜と少なくとも一部が重なる位置に配置され、前記電極膜と前記共通電極とが導通することを妨げる導通阻止部材と、が配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記導通阻止部材が前記電極膜と前記共通電極との両方に接する、請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記導通阻止部材が前記電極膜と前記共通電極との一方のみに接する、請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記導通阻止部材が、前記アクティブマトリクス基板に接することなく前記アクティブマトリクス基板に対面する端面を有し、
   前記導通阻止部材の前記端面に凹凸が形成されている、請求項１または３に記載の液晶表示装置。
5. 前記周辺領域における前記アクティブマトリクス基板の上に配置された駆動回路と、
   前記周辺領域における前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に配置され、かつ、前記アクティブマトリクス基板の基板面法線方向から見た場合、前記駆動回路と重なる位置に配置された第２の導通阻止部材を備える、請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置。
6. 前記第２の導通阻止部材が黒色であり、
   前記アクティブマトリクス基板の基板面法線方向から見た場合、前記駆動回路のチャネル領域と前記第２の導通阻止部材とが少なくとも一部が重なるように配置されている、請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記画素領域内で前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に設けられた突起状構造物を備え、
   前記導通阻止部材が、前記突起状構造物と同じ材料で形成されている、請求項１から６のいずれかに記載の液晶表示装置。
8. 前記突起状構造物が、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間隔を規定するスペーサである、請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記突起状構造物が、液晶の配向状態を規定する配向制御構造物である、請求項７に記載の液晶表示装置。
10. 前記シール材が、導電性粒状体を含み、
    前記シール材が、前記電極膜と前記対向基板の共通電極との間に配置されている、請求項１から９のいずれかに記載の液晶表示装置。
11. 前記貫通孔における前記第２絶縁層の表面に段差部が形成されており、
    前記電極膜の端部が前記段差部の上に位置する、請求項１から１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
12. 複数の画素電極が形成された画素領域と、前記画素領域の外側に位置する周辺領域とを有し、アクティブマトリクス基板と、共通電極を有する対向基板とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、
    前記アクティブマトリクス基板に、前記周辺領域に延びる第１配線を形成する工程と、
    前記アクティブマトリクス基板の前記第１配線の上に、第１絶縁層を形成する工程と、
    前記アクティブマトリクス基板の前記第１絶縁層の上に、前記周辺領域に延びる第２配線を形成する工程と、
    前記アクティブマトリクス基板の前記第２配線の上に、第２絶縁層を形成する工程と、
    前記周辺領域において、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層前に貫通孔を設ける工程と、
    前記貫通孔のなかに、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に接続する電極膜を形成する工程と、
    前記対向基板に共通電極を形成する工程と、
    前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板の少なくとも一方に、前記電極膜と前記共通電極とが導通することを妨げる導通阻止部材を形成する工程と、
    前記アクティブマトリクス基板の基板面法線方向から見た場合、前記電極膜の少なくとも一部と前記導通阻止部材とが重なるように、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板とを、シール材で貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
13. 前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板の少なくとも一方の前記画素領域内に、前記導通阻止部材の材料と同じ材料によって、突起状構造物を形成する工程を含み、
    前記突起状構造物を形成する工程と前記導通阻止部材を形成する工程とが同時に行われる、請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
14. 前記突起状構造物が、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間隔を規定するスペーサである、請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
15. 前記突起状構造物が、液晶の配向状態を規定する配向制御構造物である、請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
16. 前記シール材として、導電性粒状体を含むシール材を用い、
    前記シール材を、前記電極膜と前記対向基板の前記共通電極との間に配置する、請求項１２から１５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。

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