CN102576173B - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的液晶显示装置的目的在于在有源矩阵基板与相对基板之间难以产生短路，在电极膜(19)与作为相对基板(2)的共用电极的电极膜(23)之间具备阻碍这些电极膜导通的导通阻止部件(31)，电极膜(19)在有源矩阵基板(1)中使栅极配线(12)和主干配线(14c)在接触孔(20)内导通。导通阻止部件(31)在有源矩阵基板(1)和相对基板(2)中的至少一方，在有源矩阵基板(1)的电极膜(19)与相对基板(2)的电极膜(23)之间设于在基板面的法线方向上至少一部分与电极膜(19)重叠的位置。

Description

液晶显示装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及液晶显示装置，更详细地，涉及具有使有源矩阵基板和相对基板贴合、在其之间密封液晶的结构的液晶显示装置及其制造方法。 

背景技术

以往，取如下结构的所谓的有源矩阵型的液晶显示装置被广泛普及：使有源矩阵基板和相对基板贴合，在这些基板间密封液晶。在有源矩阵基板中形成有作为液晶的驱动元件执行功能的半导体元件(例如，简称为TFT的薄膜晶体管等)、用于控制该半导体元件的配线类。另一方面，在相对基板中根据需要形成有彩色滤光片等，并且在其整个面形成有共用电极。 

在现有的有源矩阵型的液晶显示装置中，一般提供电源、电压的外部连接端子设于有源矩阵基板侧。因此，例如，为了将从有源矩阵基板的外部连接端子提供的电压向相对基板的共用电极提供，需要使有源矩阵基板和相对基板导通。 

作为使有源矩阵基板和相对基板导通的方法，已知(1)在有源矩阵基板与相对基板之间设置银膏(例如，参照专利文献1)、(2)使在将有源矩阵基板和相对基板贴合时所使用的密封物含有导电性珠状物(例如，参照专利文献2)等。 

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开平8-234224号公报 

专利文献2：特开2000-199915号公报 

发明内容

发明要解决的问题

近年来，特别是在大型的液晶显示装置的领域中，正在进行如下的所谓的单片面板的开发：在有源矩阵基板的像素区域外，利用像素内的半导体元件的制造工艺同时形成驱动电路。在该情况下，在像素区域外配置有驱动电路和配线的部位(多数称为边框区域。)，配线类在有源矩阵基板的表面露出的情况多。 

因此，具有如下问题：当用手指按压面板表面等而施加压力时，有源矩阵基板和相对基板的单元空隙变小，由此有时有源矩阵基板上的配线和相对基板的共用电极短路。另外，如上述专利文献2所记载那样，具有如下问题：在利用含导电性珠状物的密封物取得基板间的导通的结构的情况下，当密封物中的导电性珠状物进入到导通部分以外的部位(例如，主干配线和其它配线的接触部分(电极图案)等)时，使接触部分和相对基板的共用电极短路。 

另外，也有时在有源矩阵基板中像素区域内的取向膜也在像素区域外的配线、电极图案上延设，但取向膜一般极其薄，薄至100nm程度，在施加压力而使单元空隙变小的情况、密封物中的导电性珠状物进入到接触部分等的情况下，没有能足以防止有源矩阵基板与相对基板之间的绝缘破坏的绝缘性。 

本发明鉴于上述问题，其目的在于提供如下液晶显示装置：是将有源矩阵基板和相对基板贴合而成的液晶显示装置，难以产生基板间的短路。 

用于解决问题的方案

本发明的液晶显示装置具有形成有多个像素电极的像素区域和位于上述像素区域的外侧的周边区域，具备有源矩阵基板和具有共用电极的相对基板，上述有源矩阵基板具备：在上述周边区域延伸的第1配线；形成于上述第1配线上的第1绝缘层；在上述周边区域中在上述绝缘层上延伸的第2配线；形成于上述第2配线上的第2绝缘层；以及电极膜，其在上述周边区域中配置于在上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中形成的贯穿孔中，将上述第1配线和上述第2配线电连接，在上述周边区域中的上述有源矩阵基板与上述相对基板之间配置有：将上述有源矩阵基板和上述相对基板贴合的密封 物；以及导通阻止部件，其配置于在从上述有源矩阵基板的基板面法线方向看的情况下至少一部分与上述电极膜重叠的位置，阻碍上述电极膜和上述共用电极导通。 

另外，本发明的液晶显示装置的制造方法是如下液晶显示装置的制造方法：上述液晶显示装置具有形成有多个像素电极的像素区域和位于上述像素区域的外侧的周边区域，具备有源矩阵基板和具有共用电极的相对基板，上述液晶显示装置的制造方法包含如下工序：在上述有源矩阵基板中形成在上述周边区域延伸的第1配线的工序；在上述有源矩阵基板的上述第1配线上形成第1绝缘层的工序；在上述有源矩阵基板的上述第1绝缘层上形成在上述周边区域延伸的第2配线的工序；在上述有源矩阵基板的上述第2配线上形成第2绝缘层的工序；在上述周边区域中在上述第1绝缘层和上述第2绝缘层设置贯穿孔的工序；在上述贯穿孔中形成将上述第1配线和上述第2配线电连接的电极膜的工序；在上述相对基板形成共用电极的工序；在上述有源矩阵基板和上述相对基板中的一方中形成阻碍上述电极膜和上述共用电极导通的导通阻止部件的工序；以及以在从上述有源矩阵基板的基板面法线方向看的情况下上述电极膜的至少一部分和上述导通阻止部件重叠的方式将上述有源矩阵基板和上述相对基板用密封物贴合的工序。 

发明效果

根据本发明，能提供将有源矩阵基板和相对基板贴合而成的、难以产生基板间的短路的液晶显示装置。 

图1是示出本发明的第1实施方式的液晶显示装置的构成的平面图。 

图2是放大示出第1实施方式的液晶显示装置中图1中虚线所示的区域A的附近的平面图。 

图3是图2所示的B-B线截面图。 

图4是放大示出第2实施方式的液晶显示装置中图1中虚线所示 的区域A的附近的平面图。 

图5是图4所示的B-B线截面图。 

图6是图4所示的C-C线截面图。 

图7是示出液晶模块101的第1变形例的概略构成的截面图。 

图8是示出液晶模块101的第2变形例的概略构成的截面图。 

图9是示出液晶模块101的第3变形例的概略构成的截面图。 

图10是示出液晶模块101的第4变形例的概略构成的截面图。 

图11是示出液晶模块101的第5变形例的概略构成的截面图。 

图12是示出液晶模块101的第6变形例的概略构成的截面图。 

图13是更详细地示出第2变形例中的导通部41附近的构成的截面图。 

图14是更详细地示出第2变形例中的接触部42附近的构成的截面图。 

图15表示图1所示的D-D截面的构成(像素的截面构成)。 

图16是图1所示的D-D线截面图，是示出在像素区域内形成有取向控制结构物的构成的图。 

图17是示意性地表示栅极驱动器4a内的TFT30及其附近的接触部63的构成的平面图。 

图18是图17所示的E-E线截面图。 

图19是示出与第2实施方式的比较例的液晶模块的概略构成的截面图。 

具体实施方式

本发明的实施方式的液晶显示装置具有形成有多个像素电极的像素区域和位于上述像素区域的外侧的周边区域，具备有源矩阵基板和具有共用电极的相对基板，上述有源矩阵基板具备：在上述周边区域延伸的第1配线；形成于上述第1配线上的第1绝缘层；在上述周边区域中在上述绝缘层上延伸的第2配线；形成于上述第2配线上的第2绝缘层；以及电极膜，其在上述周边区域中配置于在上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中形成的贯穿孔中，将上述第1配 线和上述第2配线电连接，在上述周边区域中的上述有源矩阵基板与上述相对基板之间配置有：将上述有源矩阵基板和上述相对基板贴合的密封物；以及导通阻止部件，其配置于在从上述有源矩阵基板的基板面法线方向看的情况下至少一部分与上述电极膜重叠的位置，阻碍上述电极膜和上述共用电极导通。 

上述构成的液晶显示装置是在有源矩阵基板的像素区域外的周边区域中第1配线和第2配线利用电极膜通过贯穿孔连接。另外，在该周边区域中的上述有源矩阵基板与上述相对基板之间，除了将上述有源矩阵基板和上述相对基板贴合的密封物之外，还具备如下导通阻止部件：其配置于在从上述有源矩阵基板的基板面法线方向看的情况下至少一部分与上述电极膜重叠的位置，阻碍上述电极膜和上述相对基板的共用电极导通。根据该构成，在从基板外施加压力的情况、在有源矩阵基板的电极膜与相对基板的共用电极之间夹设任何的导电性物质的情况下，能利用上述导通阻止部件有效地抑制基板间由于这些原因而短路。其结果是能提供将有源矩阵基板和相对基板贴合而成的、难以产生基板间的短路的液晶显示装置。 

在上述液晶显示装置中，可以是上述导通阻止部件与电极膜及共用电极两方相接的方式，而且可以是仅与电极膜和共用电极中的一方相接的方式。根据前者的方式，任何的导电性物质进入导通阻止部件与电极膜或者共用电极之间的余地变少，能更可靠地防止基板间的短路。另外，导通阻止部件在像素区域外也起到间隔物的作用，在像素区域外也能保持有源矩阵基板和相对基板的间隔。另一方面，根据后者的方式，具有如下优点：导通阻止部件的高度比单元空隙小，所以在有东西进入导通阻止部件和与其相对的电极膜或者共用电极之间的情况下，该部位的基板厚度的增量会小些。 

在上述的液晶显示装置中，优选上述导通阻止部件具有不与上述有源矩阵基板相接而与上述有源矩阵基板面对的端面，在上述导通阻止部件的上述端面形成有凹凸。根据该构成，具有如下优点：在密封物等进入导通阻止部件与和其相对的电极膜或者共用电极之间的情况下，进入的物质被凹部的间隙吸收，所以防止该部位的 基板厚度增大。 

在上述的液晶显示装置中，优选具备：驱动电路，其配置于上述周边区域中的上述有源矩阵基板上；以及第2导通阻止部件，其配置于上述周边区域中的上述有源矩阵基板与上述相对基板之间，且配置于在从上述有源矩阵基板的基板面法线方向看的情况下与上述驱动电路重叠的位置。利用第2导通阻止部件能抑制驱动电路内的配线和相对基板的电极短路。另外，在该优选的构成中进一步优选：上述第2导通阻止部件为黑色，配置成在从上述有源矩阵基板的基板面法线方向看的情况下上述驱动电路的沟道区域和上述第2导通阻止部件至少一部分重叠。根据该方式，导通阻止部件作为对驱动电路内的驱动元件的遮光层执行功能，能抑制驱动元件的特性劣化。 

优选上述的液晶显示装置还具备在像素区域内设于上述有源矩阵基板与上述相对基板之间的突起状结构物，上述导通阻止部件由与上述突起状结构物相同的材料形成。根据该构成，能用相同材料形成导通阻止部件和突起状结构物，所以能实现制造工序的简化。另外，也优选上述突起状结构物是规定上述有源矩阵基板和上述相对基板的间隔的间隔物。或者，也优选上述突起状结构物是规定液晶的取向状态的取向控制结构物的方式。此时，优选上述突起状结构物和导通阻止部件在有源矩阵基板中设于相同层。即，优选有源矩阵基板通过在例如玻璃基板等透光性基板上依次层叠包括金属、树脂等的各种层而形成，而上述突起状结构物和导通阻止部件在它们的层叠结构中设于相同层。 

在上述的液晶显示装置中，也可以是，上述密封物含导电性粒状体，配置于上述电极膜与上述相对基板的共用电极之间。根据该构成，导通阻止部件抑制导电性粒状体进入有源矩阵基板的电极膜与相对基板的共用电极之间，所以能有效地抑制基板间的短路。 

另外，在上述的液晶显示装置中，优选在上述贯穿孔中的上述第2绝缘层的表面形成有阶梯部，上述电极膜的端部位于上述阶梯部上。根据该构成，能充分确保电极膜和相对基板的共用电极的距 离。由此，具有如下优点：能更可靠地防止有源矩阵基板的电极膜和相对基板的共用电极的短路。 

本发明的实施方式的液晶显示装置的制造方法是如下液晶显示装置的制造方法：上述液晶显示装置具有形成有多个像素电极的像素区域和位于上述像素区域的外侧的周边区域，具备有源矩阵基板和具有共用电极的相对基板，上述液晶显示装置的制造方法包含如下工序：工序(a)，在上述有源矩阵基板中形成在上述周边区域延伸的第1配线；工序(b)，在上述有源矩阵基板的上述第1配线上形成第1绝缘层；工序(c)，在上述有源矩阵基板的上述第1绝缘层上形成在上述周边区域延伸的第2配线；工序(d)，在上述有源矩阵基板的上述第2配线上形成第2绝缘层；工序(e)，在上述周边区域中在上述第1绝缘层和上述第2绝缘层设置贯穿孔；工序(f)，在上述贯穿孔中形成将上述第1配线和上述第2配线电连接的电极膜；工序(g)，在上述相对基板形成共用电极；(h)在上述有源矩阵基板和上述相对基板中的一方中形成阻碍上述电极膜和上述共用电极导通的导通阻止部件；以及工序(i)，以在从上述有源矩阵基板的基板面法线方向看的情况下上述电极膜的至少一部分和上述导通阻止部件重叠的方式将上述有源矩阵基板和上述相对基板用密封物贴合。此外，在该制造方法中，工序(a)～(i)不必按照字母的顺序执行。 

在利用该方法制造的液晶显示装置中，导通阻止部件阻碍电极膜和上述相对基板的共用电极导通，所以在从基板外施加压力的情况、在有源矩阵基板的电极膜与相对基板的共用电极之间夹设有任何的导电性物质的情况下，能有效地抑制基板间由于这些原因而短路。其结果是能实现将有源矩阵基板和相对基板贴合而成的、难以产生基板间的短路的液晶显示装置。 

上述的方法还可以包含如下工序：在上述有源矩阵基板和上述相对基板中的至少一方，在像素区域内形成突起状结构物。优选上述导通阻止部件的材料和上述突起状结构物的材料相同，形成上述突起状结构物的工序和形成上述导通阻止部件的工序同时进行。根 据该方法，导通阻止部件用与像素区域内的突起状结构物相同的材料形成，且与突起状结构物同时形成，所以具有能抑制制造工序的复杂化的优点。 

下面一边参照附图一边说明本发明的液晶显示装置的几个具体实施方式。此外，为了使说明易于理解，在下面参照的附图中，简化地或者示意地示出构成，或者将一部分构成部件省略。另外，各图所示的构成部件间的尺寸比未必示出实际的尺寸比。 

(实施方式1) 

图1是示意性示出本发明的第1实施方式的液晶模块(液晶显示装置)的概略构成的平面图。如图1所示，第1实施方式的液晶模块100具有有源矩阵基板1和相对基板2。有源矩阵基板1和相对基板2利用设于像素区域内的感光间隔物(突起状结构物)保持规定的间隔，并且利用密封物(未图示)贴合。并且，在由有源矩阵基板1、相对基板2以及密封物所形成的空间中密封着液晶。 

有源矩阵基板1具有：呈矩阵状配置有像素电极43的像素区域3；以及栅极驱动器4a、4b，其配置于像素区域3的两侧(在图1所示的例子中为水平方向(长度方向)的两侧)。在像素区域3以相互正交的方式配置有源极配线5和栅极配线6。在源极配线5和栅极配线6的交点附近形成有薄膜晶体管(TFT)7。栅极驱动器4a、4b在图1中省略其内部结构的图示，但具有与像素区域3的TFT7的制造工艺同时制成的开关元件(图3所示的TFT30)。即，栅极驱动器4a、4b在有源矩阵基板1上制成单片。 

TFT7的栅极电极连接到栅极配线6，源极电极连接到源极配线5，漏极电极连接到像素电极43。并且，从栅极驱动器4a、4b通过栅极配线6向TFT7的栅极电极施加栅极信号，由此控制TFT7的导通/截止。另外，从未图示的源极驱动器通过源极配线5对TFT7的源极电极施加数据信号。 

有源矩阵基板1形成为其短边的长度比相对基板2的短边的长度大。并且，在有源矩阵基板1的未被相对基板2覆盖的部位形成有端子区域8，端子区域8用于在有源矩阵基板1与外部电路之间输入 输出各种信号。例如，源极配线5各自通过形成于该端子区域8的源极驱动器连接用端子连接到设于有源矩阵基板1的外部的源极驱动器(未图示)。此外，在图1中，省略端子区域8的端子进行图示，但可以在端子区域8形成有1个或者2个以上的端子。 

如图1所示，在栅极驱动器4a、4b的外侧(基板外周侧)引绕着主干配线14。此外，图1示出主干配线14的形态的一例，也能采用如主干配线的条数不同的其它形态。主干配线14连接到端子区域8的端子。主干配线14如后详述，使用与像素区域3的源极配线5或者栅极配线6相同的材料，与源极配线5或者栅极配线6同时形成。密封物以覆盖在主干配线14中的1条或者数条上的方式铺设于栅极驱动器4a的外侧(基板外周侧)。在本说明书中，将位于像素区域外侧的配置有栅极驱动器4a、4b、主干配线14、端子区域8等的区域称为周边区域。 

图2是放大示出图1中虚线所示的区域A的附近的平面图。如图2所示，在栅极驱动器4a的外侧(基板外周侧)配置有多条主干配线14a～14d。在图2的例子中，在主干配线14c上设有与连接到栅极驱动器4a的栅极配线12(对栅极驱动器4a提供电源电压、信号的配线：第1配线)的接触部42。 

在此，一边参照图3一边对接触部42的结构进行说明。图3是图2所示的B-B线的截面图，示出接触部42的截面结构。此外，图3简化示出接触部42的截面结构。例如优选主干配线14是多种金属层的层叠结构，但在图3中作为单层的金属层省略地进行图示。另外，在图3中，省略例如钝化膜等的图示。而且，图3所示的各种膜的平坦度、构成部件的尺寸比等未必表示实际的状态。 

如图3所示，本实施方式的液晶模块100是如下构成：用密封物40使有源矩阵基板1和相对基板2贴合，在其间隙中密封液晶34。有源矩阵基板1和相对基板2利用设于像素区域3内的具有均匀高度的柱状或者壁状的感光间隔物(突起状结构物)将其间隔维持为一定。感光间隔物一般以避开像素的开口部、与源极配线5或者栅极配线6重叠的方式利用树脂等形成。此外，后面一边参照图15一边说明感 光间隔物的详细实施例。 

能使用热固化性树脂作为密封物40的材料。优选密封物40一并具有光固化性。这是因为：在将有源矩阵基板1和相对基板2定位并贴合后使其感光，由此使密封物40预固化，进一步加热，由此能使密封物40正式固化。作为具有这样的特性的树脂，能利用环氧树脂和丙烯酸树脂的混合树脂等。密封物40也可以使用光固化性树脂。 

如图3所示，有源矩阵基板1具备玻璃基板11和形成于玻璃基板11的表面的栅极配线12(第1配线)。栅极配线12连接到栅极驱动器4a内的TFT30的栅极电极。利用与像素区域3中的栅极配线6相同的材料通过形成栅极配线6的工序与栅极配线6同时形成栅极配线12。优选栅极配线6、12是例如钛层、铝层、钛层的三层结构，但不限于此，可以是单层金属层，而且可以是两层或者四层以上的金属层。另外，也能取代铝而使用例如钼等金属。栅极配线12由层间绝缘膜13(第1绝缘层)覆盖。层间绝缘膜13也被称为栅极绝缘膜，能适当使用例如氮化硅膜。 

在层间绝缘膜13上设有主干配线14(14a～14c：第2配线)。利用与像素区域3中的源极配线5相同的材料通过形成源极配线5的工序与源极配线5同时形成主干配线14a～14c。优选源极配线5和主干配线14a～14c是在钛层上重叠铝层的两层结构，但不限于此，可以是单层金属层，而且可以是三层以上的金属层。另外，也能取代铝而使用例如钼等。此外，在本实施方式中，有源矩阵基板1的主干配线14d通过设于适当部位的银膏(未图示)电连接到相对基板2的共用电极(后述)。 

在主干配线14和TFT30上设有层间绝缘膜18(第2绝缘层)。此外，在像素区域3中，利用公知的方式在层间绝缘膜18的表面设有包括铟锡氧化物(ITO)等透明电极膜的像素电极43和控制液晶34的取向的取向膜(未图示)。 

另一方面，相对基板2具备配置于玻璃基板21上的彩色滤光片(图3中未表示)，还具备覆盖彩色滤光片的外涂膜22和透明的电极膜23。电极膜23覆盖相对基板2的整个面，作为共用电极执行功能。 此外，在像素区域3中，在相对基板2的电极膜23的表面设有控制液晶34的取向的取向膜(未图示)。另外，在相对基板2中，为了防止栅极驱动器4a内的TFT30的特性由于光而劣化，在与栅极驱动器4a相对的区域设有遮光层(黑矩阵)24。 

如图3所示，在接触部42中设有贯穿主干配线14c上的层间绝缘膜18和层间绝缘膜13的贯穿孔(接触孔)20，通过该贯穿孔20和电极膜19，主干配线14c和栅极配线12电连接。即，电极膜19连续地层叠于接触部42中的层间绝缘膜18上、贯穿孔20中的层间绝缘膜13、主干配线14c、层间绝缘膜18的壁面上、以及在贯穿孔20的底部露出的栅极配线12上。 

此外，利用与像素区域3中的像素电极43相同的材料(例如ITO)与像素电极43同时形成图3所示的电极膜19。此外，在图3中标注附图标记27的构成要素是下层半导体层，标注附图标记28的构成要素是上层半导体层。下层半导体层27和上层半导体层28例如能在形成TFT30的半导体层时同时形成。在贯穿孔20中，在下层半导体层27和上层半导体层28露出的情况下，在这些层的壁面上也形成电极膜19。 

但是，在图3所示的接触部42中，在相对基板2的电极膜23上形成有由绝缘性的树脂形成的导通阻止部件31a，另外，在接触部42的内侧(靠近TFT30的一侧)形成有导电阻止部件31b。在下面的说明中，在需要区别导通阻止部件31a、31b进行说明的情况下，使用31a、31b作为附图标记，在对导通阻止部件31a、31b进行共同的说明的情况下，使用31作为附图标记。导通阻止部件31是与密封物40分体的结构物。此外，可以在电极膜23与导通阻止部件31之间夹设有从像素区域3延设的取向膜(未图示)。导通阻止部件31需要以在基板面的法线方向(垂直于基板面的方向)(从基板面的法线方向看的情况)上其至少一部分与有源矩阵基板1的电极膜19重叠的方式设置。在图3的例子中，导通阻止部件31a以在基板面的法线方向上与电极膜19整体重叠的方式设置，在与电极膜19不重叠的位置设有导通阻止部件31b。但是，与电极膜19不重叠的位置的导通阻 止部件31b可以没有，而且导通阻止部件31a未必需要与电极膜19整体重叠。此外，在此，仅图示了导通阻止部件31a、31b，但导通阻止部件的数量不限于此。导通阻止部件31使用与设于像素区域3内的突起状结构物(在此为感光间隔物)相同的材料形成为柱状或者壁状。能以例如透明的感光性丙烯酸树脂为材料利用光刻工序同时形成导通阻止部件31和感光间隔物。 

优选导通阻止部件31a的有源矩阵基板1侧的端面具有至少足以覆盖接触部42的电极膜19的宽度和长度。在图3所示的例子中，导通阻止部件31a以从相对基板2的电极膜23的表面突出的方式设置，当使有源矩阵基板1和相对基板2贴合时，无间隙地夹设在这些基板之间。由此，即使在对基板施加压力的情况下，也阻碍有源矩阵基板1的电极膜19和相对基板2的共用电极(电极膜23)接触。因此，根据该构成，能防止在接触部42中有源矩阵基板1和相对基板2短路的情况。 

而且，导通阻止部件31也具有如下效果：起到与在像素区域3中规定单元空隙的感光间隔物同样的功能。因此，在用与规定单元空隙的感光间隔物相同的材料形成导通阻止部件31的情况下，如图3所示，优选设为如下构成：在像素区域3外，在接触部42以外的部位也设有导通阻止部件31b。根据该构成，得到如下效果：导通阻止部件31b均匀地保持像素区域3外的有源矩阵基板1和相对基板2的间隔。 

此外，如上所述，优选利用与用于在像素区域3中将有源矩阵基板1和相对基板2保持为规定间隔的感光间隔物相同的材料与感光间隔物同时形成导通阻止部件31。在该情况下，具有如下优点：能不增加制造工序数地形成导通阻止部件31。 

但是，作为设于像素区域3内的突起状结构物，除了规定基板间隔的感光间隔物以外，也有时具有规定液晶的取向状态的取向控制结构物。取向控制结构物在例如垂直取向型的液晶模块等中被使用，一般使用透明的树脂形成为具有规定高度的壁状。此外，取向控制结构物的详细的一实施例将在后面一边参照图16一边进行说明。在这样具有取向控制结构物作为像素区域内的突起状结构物的液晶模块的情况下，也能不是利用与规定基板间隔的感光间隔物相同的材料，而是利用与该取向控制结构物相同的材料形成导通阻止部件31。 

此外，导通阻止部件31可以用与上述感光间隔物不同的材料形成，另外，可以用与上述感光间隔物不同的工序形成。而且，上述导通阻止部件31可以用与上述取向控制结构物不同的材料形成，另外，可以用与上述取向控制结构物不同的工序形成。 

如上所述，在第1实施方式的液晶显示装置中，导通阻止部件31以在基板面的法线方向上至少一部分与有源矩阵基板1的像素区域3外的电极膜19重叠的方式设于相对基板2的共用电极(电极膜23)上。由此，即使在对像素区域3外的基板施加压力的情况下，也阻碍有源矩阵基板1的电极膜19和相对基板2的电极膜23接触。由此，能防止在接触部42中有源矩阵基板1和相对基板2短路的情况。 

(实施方式2) 

下面参照图4～6对本发明的第2实施方式进行说明。此外，在下面的说明中，对具有与在第1实施方式中说明的构成同样功能的构成标注相同的附图标记，省略其详细的说明。 

图4是放大示出第2实施方式的液晶显示装置(液晶模块)101中与图1中虚线所示的区域A对应的区域的附近的平面图。此外，液晶显示装置101的整体构成与图1所示的液晶显示装置100基本相同。 

如图4所示，在本实施方式的液晶显示装置101中，为了使有源矩阵基板1和相对基板2导通，在主干配线14d上设有导通部41。另外，在本实施方式的液晶显示装置101中，密封物40含导电性粒状体(后述)，该密封物40配置于导通部41，由此通过导电性粒状体取得有源矩阵基板1和相对基板2的导通。因此，具有如下优点：不需要第1实施方式的构成具有的银膏，与第1实施方式比较能减小边框区域的面积。此外，导通部41也可以在主干配线14d上设于靠近端子区域8的边框部分、与端子区域8相反的一侧的边框部分。另外， 与第1实施方式同样，在主干配线14c上设有与连接到栅极驱动器4a的栅极配线12的接触部42。 

在此，一边参照图5和图6一边对接触部42和导通部41的结构进行说明。图5是图4所示的B-B线截面图，示出接触部42的截面结构。图6是图4所示的C-C线截面图，示出导通部41的截面结构。此外，图5和图6简化示出导通部41和接触部42的截面结构。优选例如主干配线14是多种金属层的层叠结构，但在图5和图6中作为单层的金属层省略地进行图示。另外，在图5和图6中，例如钝化膜等的图示被省略。而且，图5和图6所示的各种膜的平坦度、构成部件的尺寸比等未必表示实际的状态。 

如图5和图6所示，本实施方式的液晶模块(液晶显示装置)101是用密封物40将有源矩阵基板1和相对基板2贴合、在其间隙中密封液晶34的构成。有源矩阵基板1和相对基板2的间隔利用设于像素区域3内的感光间隔物(突起状结构物)维持为一定。此外，后面一边参照图15一边说明感光间隔物的详细实施例。 

密封物40是使作为基材的热固化性树脂33含有导电性粒状体32的结构。优选热固化性树脂33一并具有光固化性。这是因为：在将有源矩阵基板1和相对基板2定位并贴合后使其感光，由此使密封物40预固化，进一步加热，由此使密封物40正式固化。作为具有这样的特性的树脂，能利用环氧树脂和丙烯酸树脂的混合树脂等。作为热固化性树脂33可以使用透明的树脂，但如在后面的变形例(第5变形例)中说明的那样，也有时优选使用黑色的树脂。 

导电性粒状体32是例如对塑料珠状物实施导电性的金属电镀(例如镀金等)的粒状体。优选导电性粒状体32在向热固化性树脂33混入前为大致正球形，但具有如下程度的可塑性：在有源矩阵基板1和相对基板2的贴合工序中，没有破损而产生一些变形。另外，也优选使用例如环氧树脂等热可塑性树脂作为成为导电性粒状体32的芯的塑料珠状物。这是因为：在有源矩阵基板1和相对基板2的贴合的正式固化工序中，能使导电性粒状体32不破损地夹设于有源矩阵基板1与相对基板2之间。在此，导电性粒状体32的形状不限 于大致正球形，可以是卵形(截面为大致椭圆形)或者圆柱状。或者，导电性粒状体32可以是截面形状呈四边形、多边形、或者复杂的异型形状的粒状体。 

如图5和图6所示，在层间绝缘膜13上设有主干配线14(14a～14c)。主干配线14a～14c利用与像素区域3的源极配线5相同的材料通过形成源极配线5的工序与源极配线5同时形成。主干配线14d利用与像素区域3的栅极配线6相同的材料通过形成栅极配线6的工序与栅极配线6同时形成于层间绝缘膜13下。 

在此，如图6所示，在导通部41中，在主干配线14d上的层间绝缘膜13和层间绝缘膜18中设有贯穿孔(接触孔)20，通过该贯穿孔20，主干配线14d和层间绝缘膜18上的电极膜19电连接。即，电极膜19连续地层叠于导通部41中的层间绝缘膜18上、贯穿孔20中的层间绝缘膜13和18的壁面上、以及在贯穿孔20的底部露出的主干配线14d上。 

另外，在本实施方式中，密封物40设于覆盖主干配线14a～14d的位置、或者主干配线14a～14d的一部分或者全部的上方。由此，导通部41的电极膜19利用密封物40中的导电性粒状体32与相对基板2的电极膜23导通。由此，从端子区域8的端子向主干配线14d输入的信号通过电极膜19和导电性粒状体32向相对基板2的共用电极提供。 

另一方面，如图5所示，在接触部42中，设有贯穿主干配线14c上的层间绝缘膜18和层间绝缘膜13的贯穿孔20，主干配线14c和栅极配线12通过该贯穿孔20和电极膜19电连接。即，电极膜19连续地层叠于接触部42中的层间绝缘膜18上、贯穿孔20中的层间绝缘膜13、主干配线14c、层间绝缘膜18的壁面上、以及在贯穿孔20的底部露出的栅极配线12上。此外，在贯穿孔20中，在下层半导体层27和上层半导体层28露出的情况下，在这些层的壁面上也形成有电极膜19。此外，利用与像素区域3中的像素电极43相同的材料(例如ITO)与像素电极43同时形成图5和图6中分别示出的电极膜19。 

但是，在图5所示的接触部42上及其附近，在相对基板2的电极 膜23上设有由绝缘性的树脂形成的导通阻止部件31(31a、31b)。此外，导通阻止部件31在图5所示的例子中埋设于密封物40中(或者被其包围)，是与密封物40分体的结构物。此外，可以在电极膜23与导通阻止部件31之间夹设从像素区域3延设的取向膜(未图示)。导通阻止部件31需要在基板面的法线方向上至少一部分与有源矩阵基板1的电极膜19重叠的方式设置。 

在图5的例子中，导通阻止部件31a以在基板面的法线方向与电极膜19整体重叠的方式设置，在与电极膜19不重叠的位置设有导通阻止部件31b。但是，导通阻止部件31b可以没有，而且导通阻止部件31a未必需要与电极膜19整体重叠。导通阻止部件31使用与设于像素区域3内的突起状结构物(在此为感光间隔物)相同的材料形成为柱状或者壁状。能以例如透明的感光性丙烯酸树脂为材料利用光刻工序同时形成导通阻止部件31和感光间隔物。 

优选导通阻止部件31a的有源矩阵基板1侧的端面具有至少足以覆盖接触部42的电极膜19的宽度和长度。在图5所示的例子中，导通阻止部件31a以从相对基板2的电极膜23的表面突出的方式设置，当使有源矩阵基板1和相对基板2贴合时，无间隙地夹设在这些基板之间。由此，在接触部42中，没有密封物40进入有源矩阵基板1的电极膜19与相对基板2的共用电极(电极膜23)之间的余地。因此，根据该构成，能防止在接触部42中密封物40中的导电性粒状体32使有源矩阵基板1和相对基板2短路的情况。 

在此，作为比较例，图19示出从本实施方式的液晶模块101省去导通阻止部件31的构成(液晶模块901)。比较例的液晶模块901设为除了不具备导通阻止部件31的方面之外，具有与本实施方式的液晶模块101同样的结构。如图19所示，在比较例的液晶模块901中，密封物40所含的导电性粒状体32夹设于有源矩阵基板1的电极膜与相对基板2的电极膜23之间，有可能使有源矩阵基板1和相对基板2短路。另一方面，如上所述，在本实施方式的液晶模块101的情况下，能利用导通阻止部件31解决由导电性粒状体32引起的有源矩阵基板1和相对基板2短路的问题。 

而且，导通阻止部件31也具有如下效果：起到与在像素区域3中规定单元空隙的感光间隔物同样的功能。因此，在用与规定单元空隙的感光间隔物相同的材料形成导通阻止部件31的情况下，如图5所示，优选设为如下构成：在像素区域3外，在接触部42以外的部位也设有导通阻止部件31b。根据该构成，得到如下效果：导通阻止部件31b均匀保持像素区域3外的有源矩阵基板1和相对基板2的间隔。 

此外，如上所述，优选利用与用于在像素区域3中将有源矩阵基板1和相对基板2保持为规定间隔的感光间隔物相同的材料与感光间隔物同时形成导通阻止部件31。在该情况下，具有如下优点：能不增加制造工序数地形成导通阻止部件31。 

但是，作为设于像素区域3内的突起状结构物，除了规定基板间隔的感光间隔物以外，也有时具有规定液晶的取向状态的取向控制结构物。此外，后面一边参照图16一边说明取向控制结构物的详细的一实施例。在这样具有取向控制结构物作为像素区域内的突起状结构物的液晶模块的情况下，也能不是利用与规定基板间隔的感光间隔物相同的材料，而是利用与该取向控制结构物相同的材料形成导通阻止部件31。 

在此，导通阻止部件31可以用与上述感光间隔物不同的材料形成，另外，可以用与上述感光间隔物不同的工序形成。而且，导通阻止部件31可以用与上述取向控制结构物不同的材料形成，另外，可以用与上述取向控制结构物不同的工序形成。 

如上所述，在第2实施方式的液晶显示装置中，导通阻止部件31以在基板面的法线方向上至少一部分与有源矩阵基板1的像素区域外的电极膜19重叠的方式设于相对基板2的共用电极(电极膜23)上。由此，即使在形成有电极膜19的区域配置密封物40的情况下，也阻碍密封物40所含的导电性粒状体32进入有源矩阵基板1的电极膜19与相对基板2的电极膜23之间。由此，能防止在接触部42中有源矩阵基板1和相对基板2短路的情况。 

作为在上述中说明的第1实施方式的液晶模块100和第2实施方 式的液晶模块101的变形(变形例)，考虑到几个方式。下面对这些变形例进行说明。 

(第1变形例) 

图7是示出第2实施方式的液晶模块101的第1变形例的概略构成的截面图。如图7所示，在液晶模块101的第1变形例中，在密封物40中与导电性粒状体32一起混合有切得短的玻璃纤维(密封内间隔物)35。玻璃纤维35为圆柱状，其截面直径比导电性粒状体32小。玻璃纤维35与导电性粒状体32不同，在有源矩阵基板1和相对基板2贴合时不变形。或者，玻璃纤维35比导电性粒状体32硬，具有高弹性率。因此，玻璃纤维35的截面直径对配置有密封物40的部位的、有源矩阵基板1和相对基板2的最小间隔进行规定。优选导电性粒状体32的直径(至少施加变形前的直径、或者变形后的宽度最宽的部分的直径)比该最小间隔(即玻璃纤维35的截面直径)大些。 

例如，在玻璃纤维35的截面直径为2～4μm程度的情况下，优选导电性粒状体32的变形前的直径、或者最长部分的直径在4～5μm程度的范围内，比玻璃纤维35的截面直径大。例如，如果玻璃纤维35的截面直径为约3μm，则优选将导电性粒状体32的直径设为约4μm。这样，作为导电性粒状体32使用比玻璃纤维35的截面直径大些的直径的粒状体，由此在导通部41中，有源矩阵基板1的电极膜19和相对基板2的电极膜23两者能可靠地与1个导电性粒状体32接触。由此，能在导通部41中使有源矩阵基板1和相对基板2可靠地导通。 

如上所述，根据液晶模块101的第1变形例，在密封物40中混合玻璃纤维35，由此，玻璃纤维35起到与在像素区域3中规定单元空隙的感光间隔物等同的功能。由此，得到如下效果：能均匀保持像素区域3外的有源矩阵基板1和相对电极2的间隔。 

另外，在本变形例中，使用柱状的玻璃纤维35作为密封内间隔物，但是也能取代玻璃纤维而使用球状的硬质塑料珠状物。优选该情况下的塑料珠状物的直径比导电性粒状体32小些，且比导电性粒状体32硬。 

(第2变形例) 

图8是示出液晶模块101的第2变形例的概略构成的截面图。如图8所示，液晶模块101的第2变形例是不具备上述的导通阻止部件31而具备导通阻止部件36(36a、36b)。在下面的说明中，在需要区别导通阻止部件36a、36b进行说明的情况下，使用36a、36b作为附图标记，在针对导通阻止部件36a、36b进行共同的说明的情况下，使用36作为附图标记。 

导通阻止部件36与导通阻止部件31同样地以从相对基板2突出的方式设置，但导通阻止部件36的高度比有源矩阵基板1和相对基板2的单元空隙的大小(即像素区域3中的感光间隔物的高度)小。优选导通阻止部件36的高度满足如下条件(a)：在利用密封物40使有源矩阵基板1和相对基板2贴合的情况下，导通阻止部件36的端面不会与电极膜19接触。通过满足该(a)的条件，当基板贴合时，导通阻止部件36的端面不会与电极膜19强烈接触。其结果是：能防止由电极膜19的断裂引起的接触不良。 

而且，进一步优选导通阻止部件36的高度被规定为除了满足(a)的条件也满足如下第2个条件(b)：即使导电性粒状体32进入导通阻止部件36中的有源矩阵基板1侧的端面与电极膜19之间，也不对有源矩阵基板1和相对基板2的间隔带来影响。通过满足该(b)的条件，能均匀保持有源矩阵基板1和相对基板2的间隔。 

这样，在第2变形的例子中，像素区域3的感光间隔物(或者单元空隙)和导通阻止部件36的高度不同。但是，在该情况下，也能使用与像素区域3中的感光间隔物相同的材料同时形成导通阻止部件36。例如，正型的感光性丙烯酸树脂具有如下性质：因为曝光后的部分在显影时溶出，所以当曝光量不同时，利用蚀刻所形成的凹形状的深度也不同。如果利用该性质，在相对基板2的电极膜23上涂敷正型的感光性丙烯酸树脂，使用部分地配置有透射率相互不同的膜或者设有缝的光掩模(所谓的半色调掩模)，则能用1片掩模将导通阻止部件36和感光间隔物和两方同时形成为相互不同的厚度，提高制造效率。 

另外，如上所述，在例如垂直取向型液晶显示器等的情况下，除了用于均匀保持有源矩阵基板1和相对基板2的间隔的(用于规定单元空隙的)感光间隔物之外，也有时在像素区域3内具有用于规定液晶的取向状态的取向控制结构物。该取向控制结构物的高度一般比用于规定单元空隙的感光间隔物的高度低。在该情况下，也优选使用与取向控制结构物相同的材料将导通阻止部件36形成为与其相同的高度。 

此外，在图8的例子中，例示了设于接触部42的导通阻止部件36a和设于接触部42以外的部位的导通阻止部件36b两方形成得比单元空隙低的构成。但是，导通阻止部件36a和导通阻止部件36b的高度不必相同。例如，如上所述，在感光间隔物和取向控制结构物设于像素区域3内的结构的情况下，可以用与感光间隔物相同的材料，以具有与其相同的高度的方式形成导通阻止部件36b，并用与取向控制结构物相同的材料，以具有与其相同的高度的方式形成导通阻止部件36a。 

在此，导通阻止部件36可以用与上述感光间隔物不同的材料形成，另外，可以用与上述感光间隔物不同的工序形成。而且，导通阻止部件36可以用与上述取向控制结构物不同的材料形成，另外，可以用与上述取向控制结构物不同的工序形成。 

此外，在图8中，示出了在密封物40中混合有玻璃纤维35的例子，但在第2变形例中玻璃纤维35不是必需的。 

另外，在此说明了第2实施方式的液晶模块101的变形例，但也能设为如下构成：在第1实施方式的液晶模块100中，取代导通阻止部件31而具备导通阻止部件36，起到同样的效果。 

(第3变形例) 

图9是示出液晶模块101的第3变形例的概略构成的截面图。如图9所示，液晶模块101的第3变形例是在第2变形例的导通阻止部件36的有源矩阵基板1侧的端面设有凹凸的构成。 

此外，对于这样的导通阻止部件36的端面中的凹凸，当利用光刻工序使导通阻止部件36图案化时，在与该端面对应的光掩模设置 光的透射率相互不同的多个小区域，由此能实现。例如，在用正型的感光性树脂形成导通阻止部件36的情况下，只要使光的透射率低的掩模部分与导通阻止部件36的端面的应成为凸部的部位对应，使透射率高的掩模部分与应成为凹部的部位对应即可。 

另外，优选尽量粗且深地形成导通阻止部件36的端面的凹凸。根据该构成，即使当有源矩阵基板1和相对基板2贴合时密封物40的热固化性树脂33、导电性粒状体32进入导通阻止部件36的端面与有源矩阵基板1之间，也能使凹部吸收这些进入物。其结果是：即使密封物40进入导通阻止部件36的端面与有源矩阵基板1之间，也难以发生有源矩阵基板1和相对基板2的间隔变化，能将两基板的间隔维持为期望值。 

此外，在图9中也示出了在密封物40中混合有玻璃纤维35的例子，但在第3变形例中，玻璃纤维35也不是必需的。 

另外，可以在具有与单元空隙大致相同高度的导通阻止部件31(参照第1变形例)的在基板面的法线方向的端面(有源矩阵基板1侧或者相对基板2侧的端面)形成凹凸。 

(第4变形例) 

图10是示出液晶模块101的第4变形例的概略构成的截面图。如图10所示，在液晶模块101的第4变形例中，作为导通阻止部件31，设有着色为黑色以使得光不通过的导通阻止部件37(37a～37c)。在下面的说明中，在需要区别导通阻止部件37a～31c进行说明的情况下，使用37a～37c作为附图标记，在对导通阻止部件37a～37c进行共同的说明的情况下，使用37作为附图标记。导通阻止部件37能利用着色为黑色的感光性丙烯酸树脂制作。 

在此，导通阻止部件37能利用与像素区域3内的感光间隔物相同的材料用相同的工序形成。但是，导通阻止部件37可以用与上述感光间隔物不同的材料形成，另外，可以用与上述感光间隔物不同的工序形成。 

另外，导通阻止部件37c(第2导通阻止部件)设于栅极驱动器4a的TFT30的上部，由此不需要相对基板2的遮光层24(参照图3)。 此外，导通阻止部件37c不必覆盖TFT30整体，只要以光至少不入射到沟道区域的方式发挥作用即可。 

另外，在该变形例中，也可以在密封物40中混入玻璃纤维35。 

另外，可以取代第1实施方式的液晶模块100的导通阻止部件31而使用导通阻止部件37，从而可得到同样的效果。 

(第5变形例) 

图11是示出液晶模块101的第5变形例的概略构成的截面图。如图11所示，液晶模块101的第5变形例在取代使用透明的热固化性树脂33而使用着色为黑色的热固化性树脂38作为密封物40的基材的方面与第4变形例不同。 

另外，与第4变形例同样，黑色的导通阻止部件37c设于栅极驱动器4a的TFT30的上方，由此不需要相对基板2侧的遮光层24(参照图3)。此外，导通阻止部件37c不必覆盖TFT30整体，只要以光至少不入射到沟道区域的方式配置即可。 

另外，可以取代将导通阻止部件37c配置于TFT30的上方，而使密封物40延设至TFT30的上方。在该情况下，TFT30的沟道区域用黑色的热固化性树脂38覆盖，所以即使没有相对基板2的遮光层24，也能防止TFT30的特性劣化。另外，例如，在密封物40的宽度比主干配线区域的宽度大的情况下，不是使密封物伸出到主干配线区域的外侧，而是在栅极驱动器4a的上方形成密封物40，由此具有能使边框区域变窄的优点。 

另外，在该第5变形例中，也可以在密封物40中混入玻璃纤维35。 

(第6变形例) 

图12是示出液晶模块101的第6变形例的概略构成的截面图。如图12所示，液晶模块101的第6变形例的特征是：导通阻止部件39(39a、39b)不是设于相对基板2而是设于有源矩阵基板1侧。即，在有源矩阵基板1和相对基板2贴合前，导通阻止部件39形成于有源矩阵基板1侧。此外，在该变形的例子中，优选像素区域3的感光间隔物也设于有源矩阵基板1侧，导通阻止部件39使用与像素区域3 的感光间隔物相同的材料同时形成。但是，导通阻止部件39可以使用与上述感光间隔物不同的材料形成，另外，可以用与上述感光间隔物不同的工序形成。 

此外，在该变形例中，也可以在密封物40中混入玻璃纤维35(参照第1变形例)。另外，可以使导通阻止部件39的高度形成得比单元空隙小(参照第2变形例)。而且，可以在导通阻止部件39的相对基板2侧的端面形成凹凸(参照第3变形例)。另外，导通阻止部件39可以着色为黑色(参照第4变形例)，而且可以使用含黑色的热固化性树脂作为基材的密封物40(参照第5变形例)。 

另外，可以取代第1实施方式的液晶模块100的导通阻止部件31而使用导通阻止部件39，从而也可得到同样的效果。 

实施例 

接着，一起说明本发明的液晶显示装置的优选实施例和其制造工序。此外，在此以图8所示的第2实施方式的第2变形例的液晶显示装置101为例进行说明。即，下面说明的例子具有如下构成：具有比单元空隙小的高度的导通阻止部件36设于相对基板2侧，且虽然不是必需的，但在密封物40中混合有玻璃纤维35(参照图8)。 

图13是更详细地示出第2变形例的液晶显示装置101中的导通部41(参照图4)附近的构成的截面图。图14同样是更详细地示出第2变形例中的接触部42附近的构成的截面图。图15表示图1所示的D-D截面的构成(像素的截面构成)。 

如图13所示，本实施例中的主干配线14d是下层为钛层141d、中层为铝层142d、上层为钛层143d的三层结构。与主干配线14d同时形成的像素区域3的栅极配线6也是与主干配线14d相同的结构。并且，电极膜19与像素区域3的像素电极43同样地由ITO形成。另外，在图5中省略图示，但如图13所示，在有源矩阵基板1中设有层间绝缘膜13和在层间绝缘膜13上形成的钝化膜143。钝化膜143是氮化硅膜，具有防止有源元件的特性劣化等的效果。而且，在钝化膜143的上方设有包括感光性丙烯酸树脂的层间绝缘膜18。层间绝缘膜18的厚度在最厚部位为约2～4μm。 

接着，使用图14说明本实施例中的接触部42的构成。如图14所示，在接触部42中，栅极配线12省略图示，但具有依次重叠钛层、铝层、钛层而成的三层结构。与栅极配线12同时形成的像素区域3的栅极配线6也是与栅极配线12相同的结构。如上所述，层间绝缘膜13能使用氮化硅膜。主干配线14c是下层为钛层141c、上层为铝层142c的两层结构，利用与像素区域3的源极配线5相同的工序形成。 

如图所示，接触部42具有在玻璃基板11与电极膜19之间层叠着栅极配线12、层间绝缘膜13、以及非晶硅膜146的区域。另外，接触部42具有在玻璃基板11与电极膜19之间层叠着栅极配线12、层间绝缘膜13、非晶硅膜146、以及钛层141c的区域，以及在玻璃基板11与电极膜19之间层叠着栅极配线12、层间绝缘膜13、钛层141c、铝层142c、钝化膜143、以及层间绝缘膜18的区域。 

另外，图14所示的主干配线14c在与电极膜19连接的部位利用蚀刻被除去主干配线14c的上层(即铝层142c)，钛层141c和电极膜19相接。另外，在图8中省略图示，但优选设有覆盖层间绝缘膜13和主干配线14的钝化膜143。钝化膜143是氮化硅膜。 

而且，在钝化膜143上设有包括感光性丙烯酸树脂的层间绝缘膜18。层间绝缘膜18的最厚部位的厚度为约2～4μm。电极膜19在贯穿孔20(下面也称为接触孔20)中与主干配线14c的钛层141c和栅极配线12电连接。 

此外，在图14所示的优选实施方式中，在层间绝缘膜18的接触孔20内设有阶梯部144，在接触孔20的开口端与阶梯部144之间形成有平滑的斜面145。所谓阶梯部144是形成得比层间绝缘膜18的最上面低的部分。电极膜19从接触孔20的底部延设至阶梯部144的中途。这样，电极膜19的端部位于阶梯部144上，未达到斜面145和层间绝缘膜18的表面，由此能充分确保电极膜19和相对基板的电极膜23的距离。由此，具有能防止有源矩阵基板1的电极膜19和相对基板2的电极膜23的短路的优点。另外，在主干配线14c与电极膜19之间夹设钝化膜143和层间绝缘膜18，由此能防止作为电极膜19的ITO 和主干配线14c的铝层142c的电蚀。 

另外，通过从接触孔20的开口部朝向内侧形成平滑的斜面145，由此与急剧或者垂直地形成接触孔20的内壁的情况相比，具有贴合精度等的余量扩大的优点。 

另外，如上所述，导通阻止部件36的厚度被决定为如下厚度：即使导电性粒状体32进入导通阻止部件36的相对基板2侧的端面与电极膜19之间，也使有源矩阵基板1和相对基板2的间隔实质上不变化。在此，例如当层间绝缘膜18的厚度在最厚部位为约2.5μm、玻璃纤维35的截面直径为约3μm、导电性粒状体32的直径为约4μm时，层间绝缘膜18的厚度和玻璃纤维35的截面直径的和为约5.5μm。如果导通阻止部件36的厚度和导电性粒状体32的厚度的和比该值小，则能防止两基板间的空隙的变化，所以在图14的例子中，优选导通阻止部件36的高度不足约1.5μm。在该例子中，导通阻止部件36的高度为约1.0μm。 

接着，参照图15对像素区域3中的感光间隔物53进行说明。图15是图1所示的D-D线的截面图。如图15所示，在像素区域3中，在源极配线5的上方形成有用于控制单元空隙的感光间隔物53。另外，在感光间隔物53的上方设有黑矩阵(BM)149。 

在从相对基板2的基板面的法线方向看的情况下，黑矩阵149设于红的彩色滤光片150R、绿的彩色滤光片150G、蓝的彩色滤光片150B的边界，以与感光间隔物53及其下方的源极配线5重合的方式配置。红的彩色滤光片150R、绿的彩色滤光片150G、蓝的彩色滤光片150B分别以与设有像素电极43的区域(像素开口部)重合的方式配置。 

黑矩阵149的厚度为约1μm，红的彩色滤光片150R、绿的彩色滤光片150G、蓝的彩色滤光片150B各自的厚度为约2μm，彩色滤光片上的外涂膜22的厚度为约0.5μm。 

像素区域3的源极配线5与上述的主干配线14同样，具有钛层51和铝层52的层叠结构。在层间绝缘膜13和源极配线5上层叠着钝化膜143。在钝化膜143上层叠着包括感光性丙烯酸树脂的层间绝缘膜 18。层间绝缘膜18的厚度在最厚部位为约2.5μm。层间绝缘膜18的表面大致平坦。在层间绝缘膜18上呈矩阵状配置有多个像素电极43。在像素电极43上形成有取向膜147。 

另一方面，在相对基板2中，玻璃基板21、各颜色的彩色滤光片150R、150G、105B、黑矩阵149、外涂膜22、电极膜23按该顺序层叠。电极膜23是由ITO形成的共用电极。电极膜23的厚度为约0.1μm。在电极膜23上形成有感光性丙烯酸树脂的感光间隔物53。并且，以覆盖电极膜23和感光间隔物53的方式形成有取向膜148。取向膜147、148各自的厚度为约100nm。 

1条源极配线5的线宽为约2～3μm，与该源极配线5重合的感光间隔物53和黑矩阵149的线宽也为约2～3μm。感光间隔物53的高度为约3μm。这与规定密封物40的厚度的玻璃纤维35的截面直径大致相等。 

优选使用与感光间隔物53相同的材料利用相同的工序形成像素区域外的导通阻止部件。这是因为：由此能简化制造工序。 

此外，如在第1实施方式和第2实施方式中说明的那样，作为设于像素区域3内的突起状结构物，除了规定基板间隔的感光间隔物以外，也有时形成规定液晶的取向状态的取向控制结构物。该取向控制结构物在例如垂直取向型液晶模块等中使用。在此，使用图16说明该取向控制结构物的具体的构成例。 

如图16所示，取向控制结构物81作为比感光间隔物53低的突起结构物形成于垂直取向型液晶模块的像素区域内。在图16所示的例子中，取向膜147、148是用于使液晶分子相对于基板面垂直地取向的垂直取向膜。另外，在该例子中，取向控制结构物81设于各像素的中心附近的相对基板2侧，使其周围的液晶分子341呈放射状倾斜取向。取向控制结构物81与感光间隔物53同样地形成于电极膜23上。因此，取向控制结构物81的表面由垂直取向膜148覆盖。根据该构成，利用设于取向控制结构物81的斜面81s的垂直取向膜48的锚固效果，液晶分子341相对于该斜面81s大致垂直地取向。 

其结果是：在取向控制结构物81的附近，液晶分子341以取向 控制结构物81为中心呈放射状倾斜取向。此外，在此取向控制结构物81形成为圆锥台状，但其形状可以为圆锥状、三角锥状等各种形状。 

这样，在使用取向控制结构物81的情况下，也能利用与取向控制结构物81相同的材料以相同工序形成导通阻止部件31。由此，得到能简化制造工序的优点。 

接着，一边参照图17和图18一边说明栅极驱动器4a内的TF T30和接触部63。图17是示意性地表示配置于栅极驱动器4a内的TFT30及其附近的接触部63的构成的平面图。图18是图17所示的E-E线截面图。此外，在此说明栅极驱动器4a的构成，但栅极驱动器4b也可以具有同样的构成。 

在图17和图18所示的例子中，TFT30是梳形结构的TFT，但栅极驱动器4a内的开关元件不限于此。如图17和图18所示，在栅极驱动器4a内，在栅极配线12的上方设有层间绝缘膜13，进一步在该层间绝缘膜13上形成有基于n⁺硅等的硅层15、漏极配线61、源极配线62等。漏极配线61和源极配线62是利用与主干配线14、像素区域3的源极配线5相同的材料与源极配线5同时形成于栅极驱动器4a内的配线。主干配线14、漏极配线61、源极配线62具有例如钛层141c和铝层142c的两层结构。 

如图17和18所示，从漏极配线61延设的2个电极形成TFT30的漏极电极61a、61b，从源极配线62延设的1个电极形成源极电极62a。在漏极配线61、源极配线62上层叠着钝化膜143。在钝化膜143上层叠着层间绝缘膜18。在层间绝缘膜18和层间绝缘膜13中设有贯穿孔20。在贯穿孔20中的层间绝缘膜13和层间绝缘膜18的壁面上、主干配线14的露出部分、以及在贯穿孔20的底部露出的栅极配线12上连续地层叠着电极膜19。利用这样的结构，在接触部63中栅极配线12和主干配线14电连接。此外，在贯穿孔20中，在硅层15、钝化层143露出的情况下，在它们的露出面上也形成有电极膜19。 

如图18所示，在栅极驱动器4a、4b中的有源矩阵基板1与相对基板2之间不存在密封物40。在本实施例中，密封物40含感光性树 脂作为基材，在制造工序中对感光性树脂照射光而进行密封物40的预固化。但是，当对TFT30照射光时沟道特性劣化，因此产生如下问题：当要在TFT30上形成密封物40时，在制造工序中对TFT30照射光，TFT30的特性劣化。在本实施例中，在TFT30的上部不存在密封物40，所以可防止TFT30的特性劣化。 

另外，基于同样的理由，不优选在液晶显示装置完成后也对TFT30照射外界光。因此，在本实施例中，在栅极驱动器4a、4b的上方设有遮光层24。 

但是，在有源矩阵基板1与相对基板2之间不存在密封物40的情况下，当作用使有源矩阵基板1和相对基板2相互按压的力时(例如，从外部用手指等按压液晶面板时等)，有源矩阵基板1的电极膜19和相对基板2的电极膜23接触而有可能短路。为了防止该问题，如图18中虚线所示，优选在接触部63的上部的相对基板2设置导通阻止部件36。可以代替导通阻止部件36，设置与规定单元空隙或者液晶的取向状态的感光间隔物相同高度的导通阻止部件(与上述的导通阻止部件31a对应)。另外，如在第4变形例中说明的那样，可以设置黑色的导通阻止部件。或者，如在第6变形例中说明的那样，可以将导通阻止部件36设于有源矩阵基板1的一侧。 

导通阻止部件36可以用与上述感光间隔物不同的材料形成，另外，可以用与上述感光间隔物不同的工序形成。而且，导通阻止部件36可以用与上述取向控制结构物不同的材料形成，另外，可以用与上述取向控制结构物不同的工序形成。 

接着，对液晶模块101的制造方法进行说明。在下面的说明中，除特别注释的部分以外，一边参照图5一边说明图5的液晶模块101的各构成要素的制造工序。各构成要素的制造方法基本上也能应用于其它实施方式和实施例的相同构成要素。 

首先，说明有源矩阵基板1的制造工序。最初，在洗净玻璃基板11使其干燥后，利用溅射法在玻璃基板11的表面依次层叠钛层、铝层、钛层。接着，使用光刻法和干式蚀刻法对这3层进行整形，形成栅极配线12(第1配线)。 

然后，以覆盖栅极配线12的方式在玻璃基板11上分别利用等离子体CVD法连续形成成为层间绝缘膜13(第1绝缘层)的氮化硅膜、成为像素区域3的TFT7的半导体层的非晶硅膜以及n⁺非晶硅膜。接着，使用光刻法和干式蚀刻法使非晶硅膜和n⁺非晶硅膜图案化，得到TFT7和30的配置成岛状的半导体层。 

接着，使用溅射法依次沉积钛层和铝层。然后，使用光刻法、湿式蚀刻法以及干式蚀刻法使这2层图案化，形成像素区域3的源极配线5、源极电极和漏极电极、主干配线14、栅极驱动器4a、4b内的漏极配线61、源极配线62、以及TFT30的漏极电极61a、61b和源极电极62a。将主干配线14、漏极配线61、源极配线62称为第2配线。 

接着，在利用等离子体CVD法层叠成为钝化膜143的氮化硅膜后，涂敷成为层间绝缘膜18的丙烯酸树脂。然后，使用光刻法和干式蚀刻法选择性地除去从层间绝缘膜18至层间绝缘膜13的层，形成图5～14和图18所示的接触孔(贯穿孔)20。此时，可以利用湿式蚀刻除去位于接触孔20内的源极配线5和主干配线14的铝层。由此，可防止在这些配线的铝层与电极膜19的ITO之间可能产生的电蚀。 

接着，利用溅射法使ITO成膜并蚀刻，由此形成像素区域3的像素电极43和电极膜19。接着，在像素区域3形成取向膜147而完成有源矩阵基板1。 

此外，也能在有源矩阵基板的制造工序的最后增加形成导通阻止部件的工序。 

接着，说明相对基板2的制造工序。 

最初，在洗净玻璃基板21使其干燥后，在成为像素区域3的部分形成彩色滤光片150R、150G、150B。此时，同时在相当于源极配线5的上方的部位和相当于栅极驱动器4a、4b的上方的部位形成黑矩阵149。接着，在基板上形成外涂膜22。然后，在外涂膜22的面上利用溅射法使ITO成膜而得到电极膜23(共用电极)。 

接着，在电极膜23的表面涂敷感光性的丙烯酸树脂，使用光刻法和干式蚀刻法同时形成导通阻止部件36和感光间隔物53(参照图15和16)。此时，如上所述，在使导通阻止部件36和感光间隔物53的高度不同的情况下，只要使用与导通阻止部件36对应的部位和与感光间隔物53对应的部位的透射率相互不同的光掩模即可。接着，在像素区域3中以覆盖电极膜23和感光间隔物53的方式形成取向膜148，由此完成相对基板2。此外，也能用与导通阻止部件36相同的丙烯酸树脂同时形成图16所示的取向控制结构物81。 

接着，在相对基板2的包含周边区域的一部分的规定部位涂敷密封物40，在由密封物40包围的区域滴下液晶后，使相对基板2和有源矩阵基板1贴合。密封物40能包含热固化性树脂33、和导电性粒状体32及玻璃纤维35中的一方或者两方。接着，在使有源矩阵基板1和相对基板2对位的状态下向密封物40照射紫外线，使密封物40预固化。接着，加热至规定的温度，由此使密封物40正式固化。贴合以在从有源矩阵基板的基板面法线方向看的情况下有源矩阵基板的电极膜19的至少一部分和导通阻止部件36重叠的方式进行。 

利用上面的工序完成本实施例的液晶模块(贴合基板)101。将该液晶模块101组装到适当的框体，安装需要的驱动电路和电源电路等，由此完成液晶显示装置的最终形态。此外，在本申请中，将上述的液晶模块101称为本发明的液晶显示装置，但可以将液晶显示装置的上述最终形态称为本发明的液晶显示装置。 

上面说明了本发明的实施方式，但上述的实施方式只不过是用于实施本发明的例示。因此，本发明不限于上述的实施方式和实施例，能在不脱离其宗旨的范围内使上述的实施方式和实施例适当变形而实施。 

例如，在上述的例子中，使用玻璃基板作为有源矩阵基板1和相对基板2的底基板，但是只要是透光性的绝缘性基板，可以使用玻璃基板以外的基板。 

另外，在图1中，例示了2个栅极驱动器4a、4b配置于像素区域3的两侧的构成，但栅极驱动器的数量不限于2个，另外，也能配置于与上述构成不同的位置。另外，在图1中，示出了在有源矩阵基板1的1个长边附近形成有端子区域8的例子，但也可以在有源矩阵基板1的短边附近形成端子区域8。 

另外，在上述的说明中，例示了栅极驱动器4a、4b在有源矩阵基板1上设为单片的构成，但除此之外，也能在有源矩阵基板1上将源极驱动器组装为单片。在该情况下，作为TFT的半导体层的材料，优选使用迁移率比非晶硅高的微晶硅(microcrystalline silicon)、氧化物半导体(IZO、IGZO等)等。 

此外，微晶硅膜一般使用等离子体CVD法等与非晶硅膜的形成方法同样的方法制作。其原料气体一般使用用氢气稀释后的硅烷气体。微晶硅所含的晶粒的粒径多数小至数nm至数100nm程度，微晶硅多数形成为晶粒和非晶硅的混合状态。另外，在形成低温结晶硅膜的情况下，首先使非晶硅成膜，然后需要利用激光、热进行结晶化，但微晶硅具有如下特征：在利用CVD装置等完成成膜时已经包含基本的晶粒。因此，能省去在成膜后利用激光、热实施退火处理形成晶粒的工序。因此，微晶硅TFT能以比用于制作低温结晶硅TFT所需的工序数少的工序数制作，能以与非晶硅TFT相同程度的工序数和成本制作。 

工业上的可利用性

本发明适合使用于具备具有薄膜晶体管的有源矩阵基板的液晶单元、液晶显示装置。 

附图标记说明

1    有源矩阵基板 

2    相对基板 

3    像素区域 

4    栅极驱动器 

5    源极配线 

6    栅极配线 

7    TFT 

8    端子区域 

11   玻璃基板 

12   栅极配线 

14   主干配线 

19    电极膜 

20    贯穿孔 

31    导通阻止部件 

36    导通阻止部件 

37    导通阻止部件 

39    导通阻止部件 

53    感光间隔物 

81    取向控制结构物 

100   液晶模块 

101   液晶模块 

Claims (18)

1.一种液晶显示装置，其特征在于，

具有形成有多个像素电极的像素区域和位于上述像素区域的外侧的周边区域，具备有源矩阵基板和具有共用电极的相对基板，

上述有源矩阵基板具备：

在上述周边区域延伸的第1配线；

形成于上述第1配线上的第1绝缘层；

在上述周边区域中在上述绝缘层上延伸的第2配线；

形成于上述第2配线上的第2绝缘层；以及

电极膜，其在上述周边区域中配置于在上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中形成的贯穿孔中，将上述第1配线和上述第2配线电连接，

在上述周边区域中的上述有源矩阵基板与上述相对基板之间配置有：

将上述有源矩阵基板和上述相对基板贴合的密封物；以及

导通阻止部件，其配置于在从上述有源矩阵基板的基板面法线方向看的情况下至少一部分与上述电极膜重叠的位置，阻碍上述电极膜和上述共用电极导通。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，

上述导通阻止部件与上述电极膜及上述共用电极两方相接。

3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，

上述导通阻止部件仅与上述电极膜和上述共用电极中的一方相接。

4.根据权利要求1或3所述的液晶显示装置，

上述导通阻止部件具有不与上述有源矩阵基板相接而与上述有源矩阵基板面对的端面，

在上述导通阻止部件的上述端面形成有凹凸。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的液晶显示装置，

具备：

驱动电路，其配置于上述周边区域中的上述有源矩阵基板上；以及

第2导通阻止部件，其配置于上述周边区域中的上述有源矩阵基板与上述相对基板之间，且配置于在从上述有源矩阵基板的基板面法线方向看的情况下与上述驱动电路重叠的位置。

6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，

上述第2导通阻止部件为黑色，

配置成在从上述有源矩阵基板的基板面法线方向看的情况下上述驱动电路的沟道区域和上述第2导通阻止部件至少一部分重叠。

7.根据权利要求5所述的液晶显示装置，

上述有源矩阵基板还具备多个TFT，

上述多个TFT的半导体层的材料是氧化物半导体。

8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，

上述氧化物半导体是IGZO。

9.根据权利要求1、2、3、6、7以及8中的任一项所述的液晶显示装置，

具备在上述像素区域内设于上述有源矩阵基板与上述相对基板之间的突起状结构物，

上述导通阻止部件由与上述突起状结构物相同的材料形成。

10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，

上述突起状结构物是规定上述有源矩阵基板和上述相对基板的间隔的间隔物。

11.根据权利要求9所述的液晶显示装置，

上述突起状结构物是规定液晶的取向状态的取向控制结构物。

12.根据权利要求1、2、3、6、7、8、10以及11中的任一项所述的液晶显示装置，

上述密封物含导电性粒状体，

上述密封物配置于上述电极膜与上述相对基板的共用电极之间。

13.根据权利要求1、2、3、6、7、8、10以及11中的任一项所述的液晶显示装置，

在上述贯穿孔中的上述第2绝缘层的表面形成有阶梯部，

上述电极膜的端部位于上述阶梯部上。

14.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，

上述液晶显示装置具有形成有多个像素电极的像素区域和位于上述像素区域的外侧的周边区域，具备有源矩阵基板和具有共用电极的相对基板，

上述液晶显示装置的制造方法包含如下工序：

在上述有源矩阵基板形成在上述周边区域延伸的第1配线的工序；

在上述有源矩阵基板的上述第1配线上形成第1绝缘层的工序；

在上述有源矩阵基板的上述第1绝缘层上形成在上述周边区域延伸的第2配线的工序；

在上述有源矩阵基板的上述第2配线上形成第2绝缘层的工序；

在上述周边区域中在上述第1绝缘层和上述第2绝缘层设置贯穿孔的工序；

在上述贯穿孔中形成将上述第1配线和上述第2配线电连接的电极膜的工序；

在上述相对基板形成共用电极的工序；

在上述有源矩阵基板和上述相对基板中的至少一方形成阻碍上述电极膜和上述共用电极导通的导通阻止部件的工序；以及

以在从上述有源矩阵基板的基板面法线方向看的情况下上述电极膜的至少一部分和上述导通阻止部件重叠的方式将上述有源矩阵基板和上述相对基板用密封物贴合的工序。

15.根据权利要求14所述的液晶显示装置的制造方法，

包含在上述有源矩阵基板和上述相对基板中的至少一方的上述像素区域内利用与上述导通阻止部件的材料相同的材料形成突起状结构物的工序，

形成上述突起状结构物的工序和形成上述导通阻止部件的工序同时进行。

16.根据权利要求15所述的液晶显示装置的制造方法，

上述突起状结构物是规定上述有源矩阵基板和上述相对基板的间隔的间隔物。

17.根据权利要求15所述的液晶显示装置的制造方法，

上述突起状结构物是规定液晶的取向状态的取向控制结构物。

18.根据权利要求14至17中的任一项所述的液晶显示装置的制造方法，

使用含导电性粒状体的密封物作为上述密封物，

上述密封物配置于上述电极膜与上述相对基板的上述共用电极之间。

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