TWI516833B - 液晶顯示裝置及製造其之方法 - Google Patents

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TWI516833B TW100109332A TW100109332A TWI516833B TW I516833 B TWI516833 B TW I516833B TW 100109332 A TW100109332 A TW 100109332A TW 100109332 A TW100109332 A TW 100109332A TW I516833 B TWI516833 B TW I516833B
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金喆鎬
李東勳
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Description

液晶顯示裝置及製造其之方法 相關申請案之交互參考
本申請案主張2010年3月22日於韓國智慧財產局所提申之韓國申請案第10-2010-0025306號之優先權優勢，在此將其揭示全體一併整合參考之。
本發明實施例關於一種液晶顯示(LCD)裝置及一種製造該液晶顯示裝置之方法。
大體上，一液晶顯示(LCD)裝置包含其上放置用以驅動像素區域之切換裝置之第一基板、面對該第一基板之第二基板及插置於該第一基板和該第二基板間之液晶層。該液晶顯示裝置根據施加至該液晶層之電壓來顯示一影像，且透光性係受到控制。
一圖案垂直配向(PVA)型液晶顯示裝置，其係一垂直配向(VA)型液晶顯示裝置類型，具有使用一圖案化透明電極將液晶分子配置於不同方向之方式以形成一液晶區域而使得一液晶顯 示裝置之視角被改善之結構。因此，為了製造一圖案垂直配向型液晶顯示裝置，一形成該圖案化透明電極之程序大體上係有需要的，因而增加形成該液晶顯示裝置的程序數量。在組合程序期間，該第一及第二基板未對準會引起該第一基板之像素電極圖案未與該第二基板之共同電極圖案對準，如此，也許不會形成一正常液晶區域。
為了增加液晶顯示裝置生產力，具有複數個產品單元形成於其上之母基板一般會先被製造，接著該複數個產品單元被切割成產品單元單位，以替代製造例如一行動電話螢幕之每一個產品單元。然而，當具有該複數個產品單元形成於其上之母基板被製造時，短路可能會出現於該複數個產品單元之間之切割區域。儘管稍後要切割之切割區域不具有一液晶層，但該切割區域確實具有一像素電極層及一共同電極層，因而在切割該切割區域前施加一電場至該切割區域時，若一像素電極和一共同電極相接觸，則該短路可能會發生。若該短路發生於該切割區域，在該切割區域四周之產品單元可能會具有缺陷。
本發明一個或更多實施例包含一種液晶顯示(LCD)裝置及一種製造該液晶顯示裝置之方法，藉此一液晶區域可被形成而不必在一電極內形成一圖案，且降低一切割區域內之短路可能。
額外態樣會於下列說明中部分被提及，且由該說明中而部分地顯而易見，或可由所示實施例之實行中得知。
本發明之一態樣係一種液晶顯示(LCD)裝置，包括：包含其上形成一像素電極之第一基板、其上形成一共同電極之第二基板、與插置於該第一基板和該第二基板間之液晶層之複數個單元區域，以及形成於該複數個單元區域間且包含延伸自該複數個單元區域之第一基板和第二基板與插置於該第一基板和該第二基板間之至少一周邊間隔之一切割區域，其中，該周邊間隔接觸該第一和第二基板中之至少一者。
另一態樣係一種製造一液晶顯示(LCD)裝置之方法，該方法包括：製造包含一像素電極之第一基板、製造包含一面對該像素電極之共同電極之第二基板、在該第一基板和該第二基板間形成複數個單元區域，其中，該複數個單元區域係使用一密封劑來密封、在該複數個單元區域中之每一個內形成一單元間隔、在該複數個單元區域中形成一液晶層、及將插置於該第一基板和該第二基板間之至少一周邊間隔形成於該複數個單元區域之間之一切割區域內，其中，該至少一周邊間隔接觸到該第一和第二基板中之至少一者。
10‧‧‧單元區域
20‧‧‧切割區域
100‧‧‧第一基板
110‧‧‧第一基底基板
120‧‧‧閘極絕緣層
130a‧‧‧半導體層
130b‧‧‧歐姆接觸層
140‧‧‧保護層
150‧‧‧區域形成層
152‧‧‧下陷圖案
200‧‧‧第二基板
210‧‧‧第二基底基板
220‧‧‧黑色矩陣
232‧‧‧第一彩色濾片
234‧‧‧第二彩色濾片
236‧‧‧第三彩色濾片
240‧‧‧保護塗層
250‧‧‧共同電極
260a‧‧‧單元間隔
260b‧‧‧周邊間隔
260c‧‧‧周邊間隔
300‧‧‧液晶層
310‧‧‧液晶分子
320‧‧‧活性液晶元聚合物
330‧‧‧活性液晶元單體
350‧‧‧密封劑
GL1‧‧‧第一閘極線
GL2‧‧‧第二閘極線
DL1‧‧‧第一資料線
DL2‧‧‧第二資料線
STL‧‧‧儲存線
SW‧‧‧薄膜電晶體
PE‧‧‧像素電極
AL1‧‧‧第一配向層
AL2‧‧‧第二配向層
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
P‧‧‧像素區域
GE‧‧‧閘極
SW‧‧‧薄膜電晶體
AP‧‧‧作用圖案
SE‧‧‧源極
DE‧‧‧源極
CNT‧‧‧接觸電極
這些及/或其它態樣會由搭配附圖所進行之下列某些實施例說明中變得顯而易見且更易理解，其中：
第1圖係一液晶顯示(LCD)裝置實施例之部分單元區域之平面圖。
第2A圖係沿著第1圖之I-I’線條所截取之示於第1圖中之液晶顯示裝置實施例之單元區域剖面圖。
第2B圖係沿著第1圖之II-II’線條所截取之示於第1圖中之液晶顯示裝置實施例之單元區域剖面圖。
第2C圖係施加一電壓至第2B圖所示液晶顯示裝置實施例之剖面圖。
第3A圖至第3E圖係說明製造第1圖之液晶顯示裝置實施例之方法實施例之剖面圖。
第4圖係另一液晶顯示裝置實施例之單元區域之剖面圖。
現在將對某些發明實施例進行詳細了解，其範例係顯示於附圖中。如同在此所使用，該用語“及/或”包含相關登錄項中之一者或更多之任一及全部實施例。
第1圖係一液晶顯示(LCD)裝置實施例之部分單元區域之平面圖，第2A圖係沿著第1圖之I-I’線條所截取之示於第1圖中之液晶顯示裝置實施例之單元區域剖面圖，且第2B圖係沿著第1圖之II-II’線條所截取之示於第1圖中之液晶顯示裝置實施例之單元區域剖面圖。
在第2A圖和第2B圖之單元區域中之液晶層包含一無電場中之液晶分子，其中，一電壓未被施加於一像素電極及一共同電極之間且具有一活性液晶元(RM)狀態。該活性液晶元係一紫外線反應材料或其複合物，且在將該活性液晶元曝露至紫外線時，產生聚合作用。在第2A圖中，顯示形成一像素之單元區域10及相鄰於該單元區域10之切割區域20。分別對應至產品單元之複數個單元區域10係形成於一母基板內，且一切割區域20係形成於該些單元區域10中之每一個之間。第2A圖虛線所示部分對應至相鄰於該單元區域10之另一單元區域10，具有該切割區域20插置於其間。當一產品單元被製造時，該切割區域20被切割，因而複數個產品單元與該母基板分開。
參考至第1圖、第2A圖和第2B圖，一液晶顯示裝置實施例之單元區域10包含一第一基板100、一第二基板200及一液晶層300。
在所示實施例中，該第一基板100包含一第一基底基板100、第一及第二閘極線GL1及GL2、一儲存線STL、一閘極絕緣層120、第一及第二資料線DL1及DL2、一為切換裝置之薄膜電晶體SW、一保護層140、一區域形成層150、一像素電極PE、及一第一配向層AL1。
該第一及第二閘極線GL1及GL2可沿著一第一方向D1延伸於該第一基底基板上。該第一及第二閘極線GL1及GL2彼此 間可沿著與該第一方向D1不同之第二方向D2平行配置。在所示實施例中，該第二方向D2係垂直於該第一方向D1。該儲存線STL可被放置於該第一及第二閘極線GL1及GL2之間，並可沿著該第一方向D1延伸。該閘極絕緣層120係形成於該第一基底基板110上，用以覆蓋該第一及第二閘極線GL1及GL2和該儲存線STL。該第一及第二資料線DL1及DL2可沿著該第二方向D2延伸於該閘極絕緣層120上。該第一及第二資料線DL1及DL2彼此間可於第二方向D2平行配置。該第一及第二資料線DL1及DL2可分別跨越該第一及第二閘極線GL1及GL2和該儲存線STL。該第一基板100之像素區域P可由該第一及第二閘極線GL1及GL2和該第一及第二資料線DL1及DL2來定義，且該像素電極PE可形成於該像素區域P內。
該薄膜電晶體SW可包含連接至該第一閘極線GL1之閘極GE、形成於該閘極絕緣層120上用以對應至該閘極GE之作用圖案AP、連接至該第一資料線DL1並堆疊於該作用圖案AP上之源極SE、與該源極SE分開並堆疊於該作用圖案AP上之汲極DE、以及自該汲極DE朝向該像素區域P延伸之接觸電極CNT。該作用圖案AP可包含依序形成於該閘極絕緣層120上之半導體層130a及歐姆接觸層130b。該接觸電極CNT係自該汲極DE延伸至該儲存線STL，並與該儲存線STL部分重疊。
該保護層140可形成於該閘極絕緣層120上，用以覆蓋該第一及第二資料線DL1及DL2、該源極SE、該汲極DE和該接觸電極CNT。
該區域形成層150可形成於該保護層140上、並可平坦化該第一基板100。該區域形成層150可包含自該區域形成層150朝向該保護層凹陷所形成之下陷圖案152。該下陷圖案152可形成於該像素區域P內，並可形成該像素區域P之一液晶區域。該下陷圖案152可形成於該區域形成層150內，成為一點型。該下陷圖案152可形成於該接觸電極CNT上，用以對應至該接觸電極CNT。該下陷圖案152可形成具有一點型孔洞以露出一部分接觸電極CNT。該下陷圖案152雖具有一孔洞形式，但是因為形成於該下陷圖案152下方之儲存線STL及接觸電極CNT之故，阻止光穿透該下陷圖案152形成所在區域係可行的。在一些實施例中，該區域形成層150可由一有機材料或一無機材料所形成。在其它實施例中，該區域形成層150可由一有機層或一無機層所形成，且可將該區域形成層150形成於該有機層或該無機層內。
該像素電極PE係形成於該像素區域P中之區域形成層150。該像素電極PE可由一透明又導電材料所形成，且可完全覆蓋該下陷圖案152。該像素電極PE可藉由接觸該接觸電極CNT透過該下陷圖案152來電性連接至該薄膜電晶體SW。相對於具有相同平坦區之區域，在該下陷圖案152上之像素電極PE區係相對地大於 在該區域形成層150之平坦區域上所形成之像素電極PE區。在一電場係形成於該第一基板100及該第二基板200間之實施例中，相鄰於該下陷圖案152之區域中之電場強度可相對地大於該下陷圖案152未形成之平坦區域中之電場強度。
該第一配向層AL1可形成於包含該像素電極PE之第一基板100一側上。
再參考至第2A圖和第2B圖，該第二基板200包含面對該第一基板100之第二基底基板210、一黑色矩陣220、第一、第二和第三彩色濾片232、234和236、一保護塗層240、一共同電極250、以及一第二配向層AL2。在一些實施例中，該第二基板200可以不包含該保護塗層240。
該黑色矩陣220可形成於該第二基底基板210上，用以對應至形成該第一及第二閘極線GL1及GL2、該第一及第二資料線DL1及DL2和該薄膜電晶體SW之無像素區域。該第一、第二和第三彩色濾片232、234和236可形成於由該黑色矩陣220所定義之第二基底基板210之區域內。該第一彩色濾片232可形成於該第二基底基板210上，用以對應至形成該像素電極PE之像素區域P。該第二彩色濾片234可沿著該第一方向D1形成於該第一彩色濾片232之一側上，而該第三彩色濾片236可沿著該第一方向D1形成於該第一彩色濾片232之另一側上。該保護塗層240可形成於形成該黑色 矩陣220及該第一、第二和第三彩色濾片232、234和236之第二基底基板210上，並可平坦化該第二基板200。
該共同電極250可形成於該保護塗層240上。該共同電極250可由一透明又導電材料所形成。該共同電極250可形成於該第二基板200之正面上而不需分別進行圖案化。該液晶層300之液晶區域可由該像素電極PE所形成，其透過該下陷圖案152及無圖案之共同電極250來控制一電場強度。
在第2A圖中，參考號260a表示充當一有機絕緣體而形成之單元間隔，並可藉由執行一微影成像製程來形成於該共同電極250上。在一些實施例中，該單元間隔260a可直接形成於該共同電極250上，而在其它實施例中，另一構件可被插置於該單元間隔260a及該共同電極250之間。該單元間隔260a之作用為保持該第一基板100及該第二基板200間之空隙。在第2A圖中，參考號260b表示充當一有機絕緣體而形成於該切割區域20內之周邊間隔，並可藉由執行一微影成像製程而與該單元間隔260a同時形成。該單元間隔260a和該周邊間隔260b實體上可具有相同形式。在該切割區域20內之周邊間隔260b之作用為在製造期間阻止該切割區域20內之短路。
該第二配向層AL2可形成於形成該共同電極250之第二基底基板210上。該第二配向層AL2可形成於面對該第一基板100之第二基板200之前面上。
再參考至第2A圖和第2B圖，該液晶層300係插置於使用一密封劑350(見第2A圖)來密封且介於該第一基板100及該第二基板200間之空間內。該液晶層300係由包含液晶分子310及活性液晶元聚合物320(此後為RM聚合物320)之液晶合成物所形成。
該些液晶分子310可調整透光性。該些液晶分子310之陣列係依據形成於該像素電極PE及該共同電極250之間之電場而變。在一些實施例中，該些液晶分子310可具有負介電異向性。
沒有電壓被施加於該像素電極PE及該共同電極250之間時，相鄰於該第一基板100及/或該第二基板200之液晶分子310可以該些液晶分子310之長軸係在該第一基底基板110一表面及/或該第二基底基板210一表面之垂直方向上之這類方式進行配置。相鄰於該下陷圖案152之液晶分子310之長軸可配置於形成該下陷圖案152之區域形成層150之側壁表面之垂直方向上。
該活性液晶元聚合物320可插置於該些液晶分子310中之每一個之間。該活性液晶元聚合物320可插置於相鄰於該像素電極PE及/或該共同電極250之液晶分子310中之每一個之間。該活性液晶元聚合物320可插置於相鄰於該第一配向層AL1之液晶分子310中之每一個之間。該活性液晶元聚合物320也可插置於相鄰於該第二配向層AL2之液晶分子310中之每一個之間。
即使未施加於一電場於該像素電極PE及該共同電極250之間，該活性液晶元聚合物320使該些液晶分子310可相對於該 第一基底基板110之表面及/或該第二基底基板210之表面而預先傾斜，其中，該些液晶分子310係相鄰於該第一基板100及/或該第二基板200。該活性液晶元聚合物320可由於一液晶顯示裝置製造方法期間藉由執行一紫外線曝光所聚合之活性液晶元單體330(參考至第3E圖)所形成。
利用紫外線照射該些活性液晶元單體330，該些活性液晶元單體330被聚合成該活性液晶元聚合物，接著該活性液晶元聚合物及該些液晶分子310被附接至該像素電極PE及該共同電極250，使得該些液晶分子310可維持它們的預先傾斜狀態。該紫外線照射可包含在一電壓差介於該像素電極PE及該共同電極250之間時照射紫外線之電場曝光程序和在未施加一電壓至該像素電極PE及該共同電極250時照射具有高能量之紫外線之無電場曝光程序。
隨著一電場曝光程序中施加一電壓至該像素電極PE及該共同電極250，若該像素電極PE及該共同電極250接觸到彼此，則可能發生短路。尤其，既然一液晶顯示裝置係在該單元區域10內進行製造，該單元間隔260a大體上係形成於該單元區域10內，用以穩定地維持該第一基板100及該第二基板200間之空隙。大體上，既然該切割區域20係在該製程期間進行切割，在該切割區域20內之周邊間隔260b大體上未被使用。然而，以母基板單位製造最終產品的地方，該切割區域20及該單元區域10係相連接， 直到該切割區域20最後被切割為止，使得該切割區域20內之短路可能損毀該相鄰單元區域10。因此，藉由在該切割區域20內形成該周邊間隔260b，製程期間不要之短路可被阻止。
第2C圖係施加一電壓至第2B圖所示液晶顯示裝置實施例之剖面圖。
參考至第2C圖，隨著一電場被形成於該像素電極PE及該共同電極250之間，在該像素區域P內之電場係在相對於該第一基底基板110表面及/或該第二基底基板210表面之垂直方向上。
該電場方向係彎曲於該像素電極PE一末端及該共同電極250之間。該電場方向也是彎曲於該共同電極250及相鄰於該像素電極PE之像素電極之一末端之間。介於相鄰像素區域P間之液晶區域因此可被分割。
相鄰於該下陷圖案152之電場可具有聚集於該共同電極250一點上之外形。因為在該下陷圖案152側壁附近之預先傾斜，故該點可對應至該下陷圖案152。據此，不用在該共同電極250內形成一圖案，就可形成具有該液晶區域形成於其中之單元區域10。
既然液晶顯示裝置大體上不是在單元產品單位內，而是在每一個包含一些單元產品之母基板單位內進行製造，該切割區域20表示位在該些單元區域10中之每一個之間之暫時連接區 域。該切割區域20係稍後在該母基板被分割成單元產品單位時進行切割。
在製造期間之電場曝光程序中施加電壓至該像素電極PE及該共同電極250時，一短路可能發生於該切割區域20內，且該短路可能損毀該單元區域10。如第2A圖所示，該第一及第二基板100及200延伸至該切割區域20，該第二基板200包含該共同電極250，且該第一基板100包含該像素電極PE。該像素電極PE係形成於該單元區域10內之像素區域P中，但其上所形成之第一配向層AL1係一導電構件，使得在施加該電壓至該像素電極PE及該共同電極250時，該像素電極PE及該共同電極250可直接接觸該切割區域20。更進一步，既然該液晶層300係插置於該單元區域10內之第一及第二基板100及200間，有可能該像素電極PE及該共同電極250直接接觸到彼此。
因為在該切割區域20內之第一100及第二200基板間之空隙，故會因該像素電極PE及該共同電極250間之直接接觸而有短路可能。若發生短路，在該短路四周之單元區域10之電性結構會受損，且該些受損單元區域10係不能充當產品單元之瑕疵產品。
據此，如第2A圖所示，一單元間隔260a和一周邊間隔260b可被插置於該第一及第二基板100及200之間，該單元間隔和該周邊間隔兩者係絕緣體。可藉由執行該微影成像製程將該單元間隔260a和該周邊間隔260b形成於該共同電極250上。
該單元間隔260a和該周邊間隔260b可形成於該單元區域10及該切割區域20兩者內。該單元間隔260a和該周邊間隔260b可維持該第一及第二基板100及200間之單元空隙，且它們可阻止發生於該切割區域20內之短路。因此，藉由在該切割區域20內形成該周邊間隔260b，可在製造期間阻止一短路，而產品不良率因而降低。
第3A圖至第3E圖係說明製造第1圖之液晶顯示裝置實施例之方法實施例之剖面圖。
第3A圖至第3E圖係對應至第1圖中沿著II-II’線條所截取之液晶顯示裝置之每一個製程剖面圖。第3A圖至第3C圖係說明一種製造該第一基板100之方法實施例之剖面圖。
參考至第3A圖，一閘極金屬層(未顯示)係形成於該第一基底基板110上，且該閘極金屬層係藉由執行一微影成像製程來進行圖案化，因而形成包含該第一和第二閘極線GL1和GL2、該閘極GE及該儲存線STL之閘極圖案。
該閘極絕緣層120係形成於形成該閘極圖案之第一基底基板110上。在一些實施例中，該閘極絕緣層120可由包含氧化矽、氮化矽及雷同之材料所形成。
該作用圖案AP係形成於形成該閘極絕緣層120之第一基底基板110上。該半導體層130a及該歐姆接觸層130b可形成於 該閘極絕緣層120上。該半導體層130a可包含非結晶矽，而該歐姆接觸層130b可包含高度摻雜著n型雜質之非結晶矽。
一資料金屬層(未顯示)係形成於形成該作用圖案AP之第一基底基板110上，並藉由執行一微影成像製程來進行圖案化以形成包含該第一及第二資料線DL1及DL2之源極圖案、該源極SE、該汲極DE和該接觸電極CNT。
該保護層140及該區域形成層150係形成於形成該源極圖案之第一基底基板110上。在一些實施例中，該保護層140可由包含氧化矽、氮化矽及雷同之材料所形成。在一些實施例中，該區域形成層150可由包含一正型光阻合成物或負型光阻合成物之材料或例如氧化矽、氮化矽及雷同之無機材料所形成。
參考至第3B圖，該下陷圖案152係藉由圖案化該區域形成層150而形成。該下陷圖案152可形成於該接觸電極CNT上。該接觸電極CNT可部分重疊該儲存線STL。該下陷圖案152可形成為一孔洞以露出在該接觸電極CNT上之保護層140。
一保護孔洞142係藉由移除透過該下陷圖案152所露出之保護層140而形成。該保護孔洞142係形成於該接觸電極CNT內。部分接觸電極CNT可透過該保護孔洞142及該下陷圖案152而露出。
參考至第3C圖，一透明電極層(未顯示)係形成於包含具有該下陷圖案152形成於其中之區域形成層150之第一基底基 板110上，且該透明電極層被圖案化以形成該像素電極PE。在一些實施例中，該透明電極層可由包含銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)及雷同之材料所形成。
該第一配向層AL1係形成於形成該像素電極PE之第一基地基板110上。該第一配向層AL1可包含能夠垂直對準該些液晶分子310之垂直配向材料。
第3D圖係說明一種製造該第二基板200之方法實施例之剖面圖。
參考至第3D圖，該黑色矩陣220係形成於該第二基底基板210上。該黑色矩陣220可藉由噴灑一有機墨水而形成，或一金屬層係藉由執行一微影成像製程來進行圖案化。該黑色矩陣220係形成於該第一、第二和第三彩色濾片232、234和236及對應至該顯示器螢幕之一邊緣之邊緣部分之間。
該第一、第二和第三彩色濾片232、234和236係形成於形成該黑色矩陣220之第二基底基板210上。在一些實施例中，該第一彩色濾片232可被形成，該第二彩色濾片234可形成於包含該第一彩色濾片232之第二基底基板210上，且該第三彩色濾片236可形成於包含該第一彩色濾片232及該第二彩色濾片234之第二基底基板210上。該第一、第二和第三彩色濾片232、234和236可藉由執行一微影成像製程來圖案化一彩色光阻層或藉由噴灑彩色墨水而形成。
該保護塗層240可形成於包含該黑色矩陣220及該第一、第二和第三彩色濾片232、234和236之第二基底基板210上。在一實施例中，形成該保護塗層240之材料可包含丙烯樹脂。
該共同電極250可藉由在形成該保護塗層240之第二基底基板210上形成一透明電極(未顯示)而形成。該共同電極250可被形成以覆蓋該第二基底基板210之整個表面，而不用圖案化該透明電極之製程。在一些實施例中，該共同電極250可利用包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物及雷同之材料來形成。
該單元間隔260a，其為一絕緣體，可藉由執行一微影成像製程來形成於該共同電極250上。在該切割區域20內之周邊間隔260b可被形成以具有與該單元間隔260a相同之材料和形式。
該第二配向層AL2可形成於形成該共同電極250之第二基底基板210上。該第二配向層AL2可覆蓋形成該共同電極250之第二基底基板210之整個表面。
第3E圖係說明一種形成該液晶層300之曝光程序實施例之剖面圖。
參考至第3E圖，該第一基板100及該第二基板200係密封在一起。該些液晶分子310及該些活性液晶元單體330可被插置於該第一基板100及該第二基板200之間。該些液晶分子310及該些活性液晶元單體330可被插置於該第一基板100及該第二基板200之間。
一第一電壓Vcom可被施加至該共同電極250，且一不同於該第一電壓Vcom之第二電壓Vdata可被施加至該像素電極PE。因此在該像素電極PE及該共同電極250之間形成一電場。結果，該些液晶分子310之長軸可於一垂直方向指向該電場之方向。
該第一電壓Vcom可大於該第二電壓Vdata。在一些實施例中，該第一電壓Vcom約為0伏特，而該第二電壓Vdata可具有一負值。在一實施例中，該第二電壓Vdata約為-5伏特。
隨著一電場形成於該第一基板100及該第二基板200之間而使該些液晶分子310預先傾斜，光照射至該第一基板100及該第二基板200；一電場曝光程序被執行。在一些實施例中，該光可為紫外線。因為該光之故，該些活性液晶元單體330進行光反應及聚合，因而形成插置於該些液晶分子310間之活性液晶元聚合物320。
該活性液晶元聚合物320及該些液晶分子310附接至該像素電極PE及該共同電極250，以使該些液晶分子310可維持它們預先傾斜狀態。隨著施加一電壓至該像素電極PE及該共同電極250，若該像素電極PE及該共同電極250接觸到彼此，則可能發生短路。然而，既然該單元間隔260a及該周邊間隔260b在該單元區域10及該切割區域20兩者內之第一基板100及第二基板200間維持一空隙，該短路被阻止。一未施加電場之無電場曝光程序被執行以完成該液晶區域之設置。
利用該電壓被施加至該像素電極PE及該共同電極250時，由該單元間隔260a及該周邊間隔260b所維持於該第一基板100及該第二基板200間之空隙，可阻止該切割區域20內之潛在性短路，因而降低產品不良率。
根據一些實施例，因為該區域形成層150之下陷圖案152而沒在該共同電極內執行一獨立圖案即形成該液晶區域係可行的。既然該共同電極不具有該獨立圖案，與該第一基板100及該第二基板200相關之未對準原因可被移除，且既然用以圖案化該共同電極250之獨立圖案化程序被省略，該製造方法可被簡化。一潛在性短路同時也藉由在該切割區域20內形成該周邊間隔260b而被阻止。
在一些實施例中，在該切割區域20內之周邊間隔260b具有與該單元區域10內之單元間隔260a相同之形式，以使該單元間隔260a及該周邊間隔260b中之每一個兩末端接觸到該第一基板100及該第二基板200。
在例如第4圖所示者之其它實施例中，一周邊間隔260c可被形成，用以只接觸到該第二基板200。既然在該切割區域20內之周邊間隔260c之作用係在執行一電場曝光程序時阻止該第一基板100及該第二基板200間之接觸，它並不需要形成該周邊間隔260c以便像該單元區域10內之單元間隔260a般地在該第一基板100及該第二基板200間維持一固定空隙。因此，如第4圖實施例所 示，所形成之周邊間隔260c可具有小於該單元區域10內之單元間隔260a長度之長度，而仍可阻止在該切割區域20內之第一基板100及第二基板200之間之接觸。
如上所述，製造該液晶顯示裝置之方法實施例可形成該液晶區域而不需在該共同電極內形成該獨立圖案，同時可阻止該切割區域內之短路風險。
應了解到在此所示示範實施例應只視為一說明用而非限定用途。每一個實施例內之特徵或態樣說明應視為可用於其它實施例中之其它類似特徵或態樣。
100‧‧‧第一基板
110‧‧‧第一基底基板
120‧‧‧閘極絕緣層
140‧‧‧保護層
150‧‧‧區域形成層
152‧‧‧下陷圖案
200‧‧‧第二基板
210‧‧‧第二基底基板
220‧‧‧黑色矩陣
232‧‧‧第一彩色濾片
234‧‧‧第二彩色濾片層
236‧‧‧第三彩色濾片
240‧‧‧保護塗層
250‧‧‧共同電極
300‧‧‧液晶層
310‧‧‧液晶分子
320‧‧‧活性液晶元聚合物
DL1‧‧‧第一資料線
DL2‧‧‧第二資料線
STL‧‧‧儲存線
PE‧‧‧像素電極
AL1‧‧‧第一配向層
AL2‧‧‧第二配向層

Claims (18)

  1. 一種液晶顯示(LCD)裝置，包括：複數個單元區域，包括其上形成一像素電極之第一基板、其上形成一共同電極之第二基板、與插置於該第一基板和該第二基板間之液晶層；及一切割區域，形成於該複數個單元區域間，且包括延伸自該複數個單元區域之第一基板和第二基板以及插置於該第一基板和該第二基板間之至少一周邊間隔，其中，該周邊間隔接觸該第一和第二基板中之至少一者，且該周邊間隔係位於該共同電極與該像素電極之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中，該至少一周邊間隔被架構以維持該切割區域內之第一基板和第二基板間之單元空隙，以阻止在該像素電極及該共同電極中之電性短路。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中，該第一基板包括用以形成一液晶區域之下陷圖案。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示裝置，其中，該液晶層包括用以形成該液晶區域之液晶分子以及用以固定因為該下陷圖案所影響之液晶分子之活性液晶元聚合物。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之液晶顯示裝置，其中，該活性液晶元聚合物係以執行一紫外線曝光來聚合活性液晶元單體之方式而形成，且該紫外線曝光包括在施加一電壓至該像素電極及該共同電極時執行一曝光 程序之電場曝光程序，以及在未施加一電壓至該像素電極及該共同電極時執行一曝光程序之無電場曝光程序。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中，一單元間隔係形成於該複數個單元區域中之每一個內。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示裝置，其中，該單元間隔具有相同之形式並且包括與該至少一周邊間隔相同之材料。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中，該單元間隔及該至少一周邊間隔係絕緣體。
  9. 一種製造液晶顯示(LCD)裝置之方法，該方法包括：製造包括一像素電極之第一基板；製造包括一面對該像素電極之共同電極之第二基板；在該第一基板和該第二基板間形成複數個單元區域，其中，該複數個單元區域係使用一密封劑來密封；在該複數個單元區域中之每一個內形成一單元間隔；在該複數個單元區域中形成一液晶層；及將插置於該第一基板和該第二基板間之至少一周邊間隔形成於該複數個單元區域之間之一切割區域內，其中，該至少一周邊間隔接觸該第一和第二基板中之至少一者，且該至少一周邊間隔係位於該共同電極與該像素電極之間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中，該至少一周邊間隔被架構以維持該切割區域內之第一基板和 第二基板間之單元空隙，以阻止在該像素電極及該共同電極中之電性短路。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中，當具有一介於該像素電極及該共同電極間之電壓差時，利用紫外線照射該液晶層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中，該液晶層包括一紫外線反應材料或其複合物。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中，該紫外線反應材料包括活性液晶元(RM)。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中，該第一基板包括用以形成一液晶區域之下陷圖案。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中，該液晶層形成步驟包括：在該複數個單元區域內插置一液晶合成物；及利用紫外線來曝光該液晶合成物，其中，該液晶合成物包括液晶分子和活性液晶元(RM)單體。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中，利用紫外線來曝光該液晶合成物以將該些活性液晶元單體聚合成活性液晶元聚合物，並藉由沿著該下陷圖案形成一液晶區域以配置該些液晶分子。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中，利用紫外線來曝光該液晶合成物包括：施加一電壓至該像素電極和該共同電極之一電場曝光程序；及未施加一電壓至該像素電極和該共同電極之一無電場曝光程序。
  18. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中，該單元間隔及該至少一周邊間隔被形成以具有相同形式並包括相同絕緣材料。
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