TWI518409B - 顯示面板 - Google Patents

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TWI518409B TW103115370A TW103115370A TWI518409B TW I518409 B TWI518409 B TW I518409B TW 103115370 A TW103115370 A TW 103115370A TW 103115370 A TW103115370 A TW 103115370A TW I518409 B TWI518409 B TW I518409B
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Description

顯示面板
本發明係關於一種顯示面板，尤指一種包括一由具特殊構型之聚團物所形成之顯示面板。
隨著顯示器技術不斷進步，所有的裝置均朝體積小、厚度薄、重量輕等趨勢發展，故目前市面上主流之顯示器裝置已由以往之陰極射線管發展成液晶顯示裝置。特別是，液晶顯示裝置可應用的領域相當多，舉凡日常生活中使用之手機、筆記型電腦、攝影機、照相機、音樂播放器、行動導航裝置、電視等顯示裝置，大多數均使用液晶顯示面板。
其中，液晶顯示面板之亮度、對比度、色彩、可視角度為決定液晶顯示裝置觀看效果之主要參數。隨著液晶顯示裝置之發展，目前主流或開發中之面板可區分為：扭曲向列型(TN)、垂直配向型(VA)、平面配向型(IPS)等模式。
於垂直配向型(VA)之液晶面板技術中，最早係發展出多象限垂直配向技術(Multi-domain Vertical Alignment,MVA)，其透過於彩色濾光板側設置凸塊，使液晶分子靜止時並非垂直直立式，而是偏向一特定角度靜 止；故當施加電壓時，液晶分子傾倒速度更快，同時，因凸塊可改變液晶分子的配向，而能達到廣視角之效果。除了MVA技術外，目前更發展出聚合高分子輔助配向技術(Polymer-Stabilizing Alignment,PSA)，其使用微結構高分子層來取代MVA技術中之凸塊，而可達到廣視角及反應速度快之效果。據此，目前高階的液晶顯示裝置，多採用垂直配向型之液晶面板技術。
本發明之主要目的係在提供一種顯示面板，藉由使可幫助液晶傾倒之聚團物層具有特殊構型，而可幫助液晶分子的配向，而提升顯示面板之液晶層反應速度。
本發明之另一目的係在提供一種顯示面板之製作方法，俾能形成具有特殊構型之聚團物層。
為達成上述目的，本發明之顯示面板之製作方法包括：提供一第一基板及一第二基板，其中第一基板與第二基板係相對設置；形成一遮光圖案於第二基板上，其中遮光圖案包括一開口區及一遮蔽區；注入一液晶材料於第一基板及第二基板間，且液晶材料包括一液晶分子及一感光性單體；以及由第二基板之一側施加一光源以使感光性單體聚合以形成於一聚團物層於第一基板及第二基板之至少一者上，以搭配一配向膜作為影響液晶預傾角(pre-tilt angle)之膜層。此外，於聚合的過程中，於不同區域可選擇的更施加一電壓，以使液晶可先朝一預定角度傾倒。
此外，本發明之一實施態樣係提供一使用上述 方法所製得之顯示面板，包括：一第一基板；一第二基板，相對該第一基板設置；一液晶層，位於第一基板與第二基板之間；一遮光圖案層，位於第二基板上，且遮光圖案具有一第一區域與一第二區域，第一區域之透光率大於第二區域之透光率；以及一第一聚團物層，位於第一基板朝向第二基板之一側上，其中對應第一區域之第一聚團物層之粗糙度大於對應第二區域之第一聚團物層之粗糙度。
其中，第一區域及第二區域之透光率並無特殊限制，只要第一區域之透光率大於第二區域之透光率即可達到製作出具有不同粗糙度之第一聚團物層。較佳為，第一區域之透光率係為30~100%，而第二區域之透光率係為0~20%。在此，所謂之「聚團物層」係為由複數聚團物所形成之層；且於部分情形下，聚團物層之聚團物間可具有孔洞或開孔。
此外，於本實施態樣中，依據透光率之不同，遮光圖案具有一第一區域與一第二區域較佳分別為一開口區及一遮蔽區。此時，對應遮光圖案之開口區之第一聚團物層之粗糙度大於對應遮光圖案之遮蔽區之第一聚團物層之粗糙度。
於本實施態樣所提供之顯示面板中，第一聚團物層可包括一對應開口區及一對應遮蔽區，對應開口區及對應遮蔽區分別相對於遮光圖案之開口區(或第一區域)及遮蔽區(或第二區域)，且遮光圖案之開口區之投影係落在對應開口區(或第一區域)內，其中遮光圖案之開口區之寬度為 α，第一聚團物之對應開口區之寬度為β，液晶層之厚度為D，且α、β及D係符合下列方程式(I)：0.0002 α 2+0.9888 α+1.637D-4.2987<β<0.0002 α 2+0.9888 α+1.637D+11.5657 (I)。
此外，本發明另一實施態樣更提供另一使用上述方法所製得之顯示面板，包括：一第一基板；一第二基板，相對第一基板設置；一液晶層，位於第一基板與第二基板之間；一遮光圖案，位於第二基板上，且遮光圖案具有一開口區與一遮蔽區；以及一對應開口區，位於第一基板朝向第二基板之一側上且相對於遮光圖案之開口區，其中遮光圖案之開口區之投影係落在對應開口區內，且一第一聚團物(或由第一聚團物所形成之第一聚團物層)設置於對應開口區中。其中，遮光圖案之開口區之寬度為α，對應開口區之寬度為β，液晶層之厚度為D，且α、β及D係符合前述方程式(I)。
於本實施態樣中，對應開口區較佳為一反光圖案；更具體而言，對應開口區係為一光學顯微鏡之反射光拍攝圖案，其係因光線照到對應開口區與對應遮蔽區時，因兩區域對光線的反射率不同而形成之圖案，於此實施例中，照射光線之波長係位於可見光範圍內(380nm~780nm)。此外，本實施態樣之顯示面板可更包括一對應遮蔽區，位於第一基板朝向第二基板之一側上且相對於遮光圖案之遮蔽區，其中第一聚團物層係設於對應開口區及對應遮蔽區中，其中對應開口區之第一聚團物層之粗糙度大於對應遮 蔽區之第一聚團物層之粗糙度。
於前述本發明所有實施態樣所提供之顯示面板中，遮光圖案係為一黑色矩陣層或一如金屬走線之圖案化金屬層。
此外，前述本發明所有實施態樣所提供之顯示面板，可更包括一第二聚團物層，位於第二基板朝向第一基板之一側上，其中對應遮光圖案之開口區(或第一區域)之第二聚團物層之粗糙度大於對應遮光圖案之遮蔽區(或第二區域)之第二聚團物層之粗糙度。
再者，於前述本發明所有實施態樣所提供之顯示面板中，對應遮光圖案之開口區(或第一區域)之第一聚團物層之粗糙度大於對應遮光圖案之開口區(或第一區域)之第二聚團物層之粗糙度；及/或對應遮光圖案之遮蔽區(或第二區域)之第一聚團物層之粗糙度大於對應遮光圖案之遮蔽區(或第二區域)之第二聚團物層之粗糙度。更具體而言，由於在製作本發明之顯示面板時，係由第二基板之一側施加一光源，故第一基板可視為一遠光側，而第二基板可視為一近光側；此時，形成於遠光側之對應遮光圖案之開口區(或第一區域)/遮光區(或第二區域)之第一聚團物層粗糙度係分別大於形成於近光側之遮光圖案之開口區(或第一區域)/遮光區(或第二區域)之第二聚團物層之粗糙度。然而，無論是在遠光側之第一聚團物層或近光側之第二聚團物層，對應該開口區之第一聚團物層或第二聚團物層之粗糙度均大於對應遮蔽區之第一聚團物層或第二聚團物層之粗糙度； 且較佳為對應開口區之第一聚團物層或第二聚團物層之粗糙度係為對應遮蔽區之第一聚團物層或第二聚團物層之粗糙度之5~12倍。
此外，於前述本發明所有實施態樣所提供之顯示面板中，所謂之「粗糙度」係指粗糙度幾何平均值(Rq)，即整個樣本長度上中心線距離外形偏差值幾何平均。
再者，於前述本發明所有實施態樣所提供之顯示面板中，第一聚團物層包括一對應開口區及一對應遮蔽區，對應開口區及對應遮蔽區分別相對於遮光圖案之開口區(或第一區域)及遮蔽區(或第二區域)，對應開口區之一表面距離第一基板之第一配向層之一第一配向層表面之平均高度係大於對應遮蔽區之一表面距離第一基板之第一配向層之一第一配向層表面之平均高度至少15nm；較佳為15~100nm；且更佳為20~50nm。
11‧‧‧第一基板
12‧‧‧薄膜電晶體元件層
122‧‧‧資料線
123‧‧‧薄膜電晶體單元
124‧‧‧畫素電極
125‧‧‧儲存電極
13‧‧‧第一配向層
131‧‧‧第一配向層表面
14‧‧‧第一聚團物層
141,241‧‧‧對應遮蔽區
142,242‧‧‧對應開口區
21‧‧‧第二基板
22‧‧‧彩色濾光層
221‧‧‧黑色矩陣層
2211‧‧‧開口區
2212‧‧‧遮蔽區
23‧‧‧第二配向層
24‧‧‧第二聚團物層
31‧‧‧液晶層
A‧‧‧顯示區
B‧‧‧非顯示區
D‧‧‧厚度
△H‧‧‧高度差
R‧‧‧區域
α,β,β’‧‧‧寬度
α’‧‧‧寬度
圖1A及圖1B係分別本發明一較佳實施例之液晶顯示面板之部分剖面示意圖。
圖2係本發明一較佳實施例之液晶顯示面板之第一基板及其上方之薄膜電晶體元件之部分示意圖。
圖3係本發明一較佳實施例之液晶顯示面板之第二基板及其上方之黑色矩陣層之部分示意圖。
圖4係本發明一較佳實施例之液晶顯示面板之第二聚團物層之圖案示意圖。
圖5係本發明另一較佳實施例之液晶顯示面板之第一聚團物層之圖案示意圖。
圖6係本發明另一較佳實施例之液晶顯示面板之非顯示區之第一聚團物層與黑色矩陣層間之示意圖。
圖7係本發明另一較佳實施例之液晶顯示面板之非顯示區之第一聚團物層與黑色矩陣層間之示意圖。
圖8至圖10係本發明其他較佳實施例之液晶顯示面板之第一聚團物層剖面示意圖。
以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本發明之其他優點與功效。本發明亦可藉由其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可針對不同觀點與應用，在不悖離本創作之精神下進行各種修飾與變更。
圖1A係本實施例之液晶顯示面板之部分剖面示意圖。
如圖1A所示，首先提供一第一基板11及一第二基板21，其中第一基板11上係依序設置有一薄膜電晶體元件層12及一彩色濾光層22，以製作出一彩色濾光層位於薄膜電晶體基板上(Color filter on Array,COA)之顯示面板。此外，於第二基板21係設置有一黑色矩陣層221，以作為一遮光圖案。在此，第一基板11及第二基板21可為 本技術領域常用之基板，如塑膠基板或玻璃基板。
於本發明之其他實施例中，如圖1B所示，一薄膜電晶體元件層12及一彩色濾光層22係分別形成於第一基板11及第二基板21上，其中薄膜電晶體元件層12與彩色濾光層22係相對設置，且於彩色濾光層22係形成於一黑色矩陣層221上，該黑色矩陣層221係用以作為一遮光圖案。
接下來，僅以圖1A所示之顯示面板進行描述。
請參閱圖2，其為本實施例之液晶顯示面板之第一基板及其上方之薄膜電晶體元件之部分示意圖。其中，第一基板11上之薄膜電晶體元件層包括：設於第一基板11上之一掃描線121、一資料線122、一薄膜電晶體單元123、一畫素電極124及一儲存電極125。在此，以兩相鄰之掃描線121及兩相鄰之資料線122定義出一畫素單元；於一畫素單元中，係包括一薄膜電晶體單元123、一畫素電極124及一儲存電極125，且畫素電極124係設於兩相鄰之掃描線121及兩相鄰之資料線122間。在此，掃描線121、資料線122、儲存電極125之材料可使用本技術領域常用之導電材料，如金屬、合金、金屬氧化物、金屬氮氧化物、或其他本技術領域常用之電極材料；且較佳為金屬材料；而畫素電極124之材料可使用本技術領域常用之透明導電材料，如ITO、IZO等或其組合(如：ITO與IZO之複合材料)之金屬氧化物之透明電極材料。於其他實施例中，儲存電極線之位置並不限定，可移置於其他位置，端 視設計之需求。
此外，請參閱圖3，其為本實施例之液晶顯示面板之第二基板及其上方之黑色矩陣層之部分示意圖。其中，第二基板21上之黑色矩陣層221包括：開口區2211及設於開口區2211間之遮光區2212。此外，第二基板21可更包括一顯示區A及一非顯示區B。
而後，如圖1A所示，分別於第一基板11及第二基板21上，更層疊一由聚乙醯胺所形成之第一配向層13及第二配向層23；並再注入一液晶材料於第一基板11及第二基板21間以形成一液晶層31。其中，液晶材料包括：一液晶分子及一感光性單體。在此，液晶材料可以本技術領域已知之方法，包括滴下式液晶注入製程或液晶吸入製程注入第一基板11及第二基板21間。此外，液晶材料可更包括一光起始劑，以幫助感光性單體聚合。於本實施例中，感光性單體及光起始劑無特別限制，可為本技術領域常用以形成配向膜之化合物。
接著，如圖1A所示，施加一能量以使感光性單體聚合以分別於第一基板11及第二基板21上形成於一第一聚團物層14及一第二聚團物層24，該第一聚團物層14及該第二聚團物層24具有影響液晶傾倒角之功能。更具體而言，感光性單體係透過光照(如，UV光)而進行聚合反應而形成聚團物，其中於第一基板11層疊之複數第一聚團物可組成第一聚團物層14，而於第二基板21層疊之複數第二聚團物則可組成第二聚團物層24。由於第一聚團物層14 及第二聚團物層24均分別由複數第一聚團物及第二聚團物所組成，故聚團物彼此之間可能會形成孔洞或開口。
此外，如圖1A所示，於光聚合反應過程中，較佳不另外加電場於非顯示區B，如此可使最後所製得之顯示面板中之液晶分子的垂直能力更強，進而使得後續以外力操作液晶面板時，能使液晶回復較快。同時，於光聚合反應過程中，較佳需施加電場於顯示區A，使液晶層31中的液晶分子朝預定方向傾倒，接著感光性單體因光聚合而形成之由複數第一聚團物所組成之複數第一聚團物層及由第二聚團物所組成之第二聚團物之構型，該構型可固定顯示區A之液晶預傾角度，以加速液晶傾倒速度，進而能快速轉換面板的亮暗態。
接下來，將詳細描述本實施例之液晶顯示面板中第一聚團物層及第二聚團物層之構型。
如圖1A所示，本實施例之第一聚團物層及第二聚團物層之形成係透過光照(如，UV光)使感光性單體進行聚合反應而形成聚團物；在此，並不限定由第一基板11或由第二基板21一側進行照光。舉例而言，於圖1A所示之顯示面板之情形下，較佳由第二基板21一側進行照光；而於圖1B所示之顯示面板之情形下，則較佳由第一基板11一側進行照光。但於其他實施例中，亦可分別自第一基板11與第二基板21進行照光，並不限制僅照光一次。
請同時參照圖1B及圖2，於本發明之一較佳實施例中，當由第一基板11一側進行照光時，設於第一基 板11上之薄膜電晶體元件層12(其係為一圖案化金屬層)可做為一遮光圖案。更具體而言，設於第一基板11上之圖案化金屬層可包括：金屬走線(圖未示)、掃描線121、資料線122、儲存電極125等；其中，包括金屬走線(圖未示)、掃描線121、資料線122、儲存電極125可作為遮光圖案之一第二區域或一遮蔽區，而其他區域(如，畫素電極124或未設有元件之其他基板區域)則可作為遮光圖案之一第一區域或一開口區。由於金屬層相較於其他區域具有相對較低之透光率，其中作為遮光圖案之第二區域之金屬層的透光率約為0~20%，而作為遮光圖案之第一區域之透光率則約為30~100%，其中透光率係依第一基板11之材料及其上方所形成元件而有所不同，故當由第一基板11一側進行照光時，可藉由調整照光時之相關參數設計，以令感光性單體於第二區域(或遮蔽區)及第一區域(或開口區)之聚合程度不同，而形成具有不同構型之第一聚團物層14及第二聚團物層24。舉例而言，請同時參照圖1B及圖4，當由第一基板11一側進行照光時，形成於第二基板21上方之第二聚團物層24可具有一包括一對應遮蔽區241及一對應開口區242之圖案。
請同時參照圖1A及圖3，於本發明之一較佳實施例中，當由第二基板21一側進行照光時，設於第二基板21上之黑色矩陣層221可作為遮光圖案，其中黑色矩陣層221包括一遮蔽區2212(即，第二區域)及一開口區2211(即，第一區域)。遮蔽區2212相較於開口區2211具有 相對較低之透光率，其中因在此係以黑色矩陣層221作為遮光圖案，故第二區域之遮蔽區2212的透光率趨近於0%，而第一區域之開口區2211的透光率則約為30~100%(依第二基板21之材料及其上方是否形成元件而有所不同)，故當由第二基板21一側進行照光時，可藉由調整照光時之相關參數設計，以令感光性單體於第二區域(或遮蔽區)及第一區域(或開口區)之聚合程度不同，而形成具有不同構型之第一聚團物層14及第二聚團物層24。舉例而言，請同時參照圖1A及圖5，當由第二基板21一側進行照光時，形成於第一基板11上方之第一聚團物層14可具有一包括一對應遮蔽區141及一對應開口區142之圖案。
在此，第一聚團物層14之對應遮蔽區141及對應開口區142，可由一反光圖案所定義，且較佳由一光學顯微鏡之反射光拍攝圖案所定義，其係因光線照到對應開口區與對應遮蔽區時，因兩區域對光線的反射率不同而形成之圖案，於此實施例中，照射光線之波長係位於可見光範圍內(380nm~780nm)。然而，於其他實施例中，第一聚團物層14之對應遮蔽區141及對應開口區142，可由其他方式來定義，如聚團物層之粗糙度等。
如圖6所示(其中，第一基板11上之薄膜電晶體元件層及第一配向層、以及第二基板21上之第二配向層係省略未示)，當由第二基板21一側進行照光時，於第一基板11朝向第二基板21之一側上係形成一第一聚團物層14，其可具有一包括一對應遮蔽區141及一對應開口區142 之圖案。其中，對應開口區142及對應遮蔽區141分別相對於第二基板21之作為遮光圖案之黑色矩陣層221之開口區2211及遮蔽區2212(於本實施例中，舉例為黑色矩陣層221，於其他實施例中，可為其他金屬或是其他遮光圖案)，且遮光圖案之開口區2211之投影係落在對應開口區142內。若遮光圖案之開口區2211之寬度為α，第一聚團物層14之對應開口區142之寬度為β，液晶層31之厚度為D，則α、β及D係符合下列方程式(I)：0.0002α2+0.9888α+1.637D-4.2987<β<0.0002α2+0.9888α+1.637D+11.5657 (I)。
在此，若設計遮光圖案之開口區2211之寬度α為98.72μm，兩相鄰開口區2211間之寬度α’為52.32μm，液晶層31之厚度D為3.2，則所得到之第一聚團物層14之對應開口區142之寬度β為104.04μm，兩相鄰對應開口區142間之對應遮蔽區141之寬度β’為47μm。然而，於其他實施例中，並不侷限於前述數值，只要符合前述方程式(I)，即可透過設計遮光圖案之開口區之寬度α及液晶層之厚度D，而可製作出具有預定寬度之第一聚團物層之對應開口區。
此外，如圖6所示，雖然本實施例之第一聚團物層14之對應遮蔽區141及對應開口區142均形成有第一聚團物；然而，於其他實施例中，聚團物層之聚團物間可具有孔洞或開孔，故第一聚團物層14之對應遮蔽區141有時可不形成有第一聚團物，使得對應遮蔽區141可顯露部 分第一基板11及其上方之元件；只要對應開口區142中有形成第一聚團物即可。
接著，如圖7所示，當由第二基板21一側進行照光時，除了於第一基板11上形成第一聚團物層14，於第二基板21朝向第一基板11之一側上也會形成一第二聚團物層24。其中，第二聚團物層24也包括一對應遮蔽區241及一對應開口區242，且對應開口區242及對應遮蔽區241分別相對於第二基板21遮光圖案(黑色矩陣層221)之開口區2211及遮蔽區2212。
於本實施例中，於進行照光的過程中，透過控制光照的焦距、能量、照光時間等參數，可控制第一聚團物層14及第二聚團物層24之粗糙度，以幫助操作液晶顯示面板時之液晶分子傾倒。較佳為，第一聚團物層14之對應開口區142粗糙度係大於其對應遮蔽區141之粗糙度；及/或第二聚團物層24之對應開口區242粗糙度係大於其對應遮蔽區241之粗糙度。此外，較佳更使第一聚團物層14之對應開口區142粗糙度大於之第二聚團物層24之對應開口區242粗糙度。更佳為，第一聚團物層14之對應開口區142或第二聚團物層24之對應開口區242之粗糙度係為第一聚團物層14之對應遮蔽區141或第二聚團物層24之對應遮蔽區241粗糙度之5~12倍。在此，前述所謂之「粗糙度」係指粗糙度幾何平均值(Rq)，即整個樣本長度上中心線距離外形偏差值幾何平均。
於本實施例中，第一聚團物層14之對應開口 區142粗糙度可約為24.8nm，而對應遮蔽區141之粗糙度可約為3.37nm；且第二聚團物層24之對應開口區242粗糙度可約為18nm，而對應遮蔽區241粗糙度可約為2.46nm。然而，於其他實施例中，並不侷限於前述數值，只要符合前述第一聚團物層及第二聚團物層其對應開口區與對應遮蔽區間之關係，即可達到幫助操作液晶顯示面板時之液晶分子傾倒的目的。
再者，如圖7所示，於進行照光的過程中，透過控制光照的焦距、能量、照光時間等參數，更可控制第一聚團物層及第二聚團物層不同區域之高度。舉例而言，第一聚團物層14之對應開口區142之一表面距離第一配向層13之一第一配向層表面131之平均高度係大於其對應遮蔽區141之一表面距離第一配向層13之一第一配向層表面131之平均高度至少15nm，即△H=H1-H2≧15nm；較佳為15~100nm(100nm≧△H=H1-H2≧15nm)；且更佳為20~50nm(50nm≧△H=H1-H2≧20nm)。
此外，請參考圖8至圖10，其係為不同實施例之液晶顯示面板之第一聚團物層於圖6中區域R之剖面示意圖，其中虛線部分係指對應遮蔽區141與對應開口區142之平均高度，橫軸單位為μm，而縱軸單位為nm。如圖8至圖10，不同實施例之液晶顯示面板之第一聚團物層可具有不同的構型，且對應遮蔽區141與對應開口區142間具有一高度差△H，此高度差△H係至少為15nm；較佳為15~100nm；且更佳為20~50nm。
綜上所述，當本發明之液晶顯示面板之製作過程中係由第二基板一側進行照光時，可透過於非顯示區中之黑色矩陣層之開口區，來可幫助後續感光性單體之聚合。於習知之顯示面板中，黑色矩陣層之開口區會導致漏光；但本發明所提供之液晶顯示面板，因黑色矩陣層之開口區對側所形成之第一聚團物層之對應開口區具有相對較大的粗糙度，而可增加第一聚團物層之對應開口區對液晶的影響力，故於液晶面板操作時當液晶受到外力施壓後能回復較快，而防止漏光的情形發生。同時，為了更加達到影響液晶指向，於光聚合反應過程中，不另外加電場於非顯示區使得最後所製得之顯示面板中之液晶分子的垂直能力更強，進而使得後續以外力操作液晶面板時，能使液晶回復較快；但卻施加電場於顯示區使得液晶分子可以朝預定方向傾倒，而達到快速轉換面板的亮暗態之目的。
在此，僅以圖1A之顯示面板進行說明做說明；然而，本技術領域者均了解，圖1B之顯示面板也具有前述之聚團物層之相關技術特徵。
此外，本發明所提供之顯示面板，亦可應用於本技術領域已知之各種顯示裝置，如顯示器、手機、筆記型電腦、攝影機、照相機、音樂播放器、行動導航裝置、電視等。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。
11‧‧‧第一基板
14‧‧‧第一聚團物層
141‧‧‧對應遮蔽區
142‧‧‧對應開口區
21‧‧‧第二基板
13‧‧‧第一配向層
131‧‧‧第一配向層表面
221‧‧‧黑色矩陣層
2211‧‧‧開口區
2212‧‧‧遮蔽區
31‧‧‧液晶層
D‧‧‧厚度
R‧‧‧區域
α,β,β’‧‧‧寬度
α’‧‧‧寬度

Claims (20)

  1. 一種顯示面板，包括：一第一基板；一第二基板，相對該第一基板設置；一液晶層，位於該第一基板與該第二基板之間；一遮光圖案，位於該第二基板上，且該遮光圖案具有一開口區與一遮蔽區；以及一第一聚團物層，位於該第一基板朝向該第二基板之一側上，其中對應該開口區之該第一聚團物層之粗糙度大於對應該遮蔽區之該第一聚團物層之粗糙度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該遮光圖案係為一黑色矩陣層或一圖案化金屬層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，更包括一第二聚團物層，位於該第二基板朝向該第一基板之一側上，其中對應該開口區之該第二聚團物層之粗糙度大於對應該遮蔽區之該第二聚團物層之粗糙度。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示面板，其中對應該開口區之該第一聚團物層之粗糙度大於對應該開口區之該第二聚團物層之粗糙度。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板，其中對應該開口區之該第一聚團物層或該第二聚團物層之粗糙度係為對應該遮蔽區之該第一聚團物層或該第二聚團物層之粗糙度之5~12倍。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中對應該開口區之該第一聚團物層之粗糙度係為對應該遮蔽區之該第一聚團物層之粗糙度之5~12倍。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一聚團物層包括一對應開口區及一對應遮蔽區，該對應開口區及該對應遮蔽區分別相對於該遮光圖案之該開口區及該遮蔽區，其中該遮光圖案之該開口區之寬度為α，該第一聚團物之該對應開口區之寬度為β，該液晶層之厚度為D，且α、β及D係符合下列方程式(I)：0.0002α2+0.9888α+1.637D-4.2987<β<0.0002α2+0.9888α+1.637D+11.5657 (I)。
  8. 一種顯示面板，包括：一第一基板；一第二基板，相對該第一基板設置；一液晶層，位於該第一基板與該第二基板之間；一遮光圖案層，位於該第二基板上，且該遮光圖案具有一第一區域與一第二區域，該第一區域之透光率大於該第二區域之透光率；以及一第一聚團物層，位於該第一基板朝向該第二基板之一側上，其中對應該第一區域之該第一聚團物層之粗糙度大於對應該第二區域之該第一聚團物層之粗糙度。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之顯示面板，其中該第一區域之透光率係為30~100%，且該第二區域之透光率係為0~20%。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之顯示面板，其中該遮光圖案係為一黑色矩陣層或一圖案化金屬層。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之顯示面板，更包括一第二聚團物層，位於該第二基板朝向該第一基板之一側上，其中該第一區域之該第二聚團物層之粗糙度大於該第二區域之該第二聚團物層之粗糙度。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示面板，其中對應該第一區域之該第一聚團物層之粗糙度大於對應該第一區域之該第二聚團物層之粗糙度。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之顯示面板，其中對應該第一區域之該第一聚團物層或該第二聚團物層之粗糙度係為對應該第二區域之該第一聚團物層或該第二聚團物層之粗糙度之5~12倍。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之顯示面板，其中該第一聚團物層包括一對應開口區及一對應遮蔽區，該對應開口區及該對應遮蔽區分別相對於該遮光圖案之該第一區域及該第二區域，其中該遮光圖案之該第一區域之寬度為α，該第一聚團物之該對應開口區之寬度為β，該液晶層之厚度為D，且α、β及D係符合下列方程式(I)：0.0002α2+0.9888α+1.637D-4.2987<β<0.0002α2+0.9888α+1.637D+11.5657 (I)。
  15. 一種顯示面板，包括：一第一基板；一第二基板，相對該第一基板設置； 一液晶層，位於該第一基板與該第二基板之間；一遮光圖案，位於該第二基板上，且該遮光圖案具有一開口區與一遮蔽區；以及一對應開口區，位於該第一基板朝向該第二基板之一側上且相對於該遮光圖案之該開口區，且一第一聚團物層設置於該對應開口區中；其中，該遮光圖案之該開口區之寬度為α，該對應開口區之寬度為β，該液晶層之厚度為D，且α、β及D係符合下列方程式(I)：0.0002α2+0.9888α+1.637D-4.2987<β<0.0002α2+0.9888α+1.637D+11.5657 (I)。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之顯示面板，其中該對應開口區係為一反光圖案。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之顯示面板，其中該遮光圖案係為一黑色矩陣層或一圖案化金屬層。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之顯示面板，更包括一對應遮蔽區，位於該第一基板朝向該第二基板之一側上且相對於該遮光圖案之該遮蔽區，其中該第一聚團物層係設於該對應開口區及該對應遮蔽區中，其中該對應開口區之該第一聚團物層之粗糙度大於該對應遮蔽區之該第一聚團物層之粗糙度。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之顯示面板，更包括一第二聚團物層，位於該第二基板朝向該第一基板之一側上，其 中該開口區之該第二聚團物層之粗糙度大於該遮蔽區之該第二聚團物層之粗糙度。
  20. 如申請專利範圍第15項所述之顯示面板，其中該對應開口區之該第一聚團物層之粗糙度係為該對應遮蔽區之該第一聚團物層之粗糙度之5~12倍。
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