JP2000347174A - 液晶装置及びその製造方法並びにそれを用いた電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電圧印加時に液晶分子を所定のプレチルト方
向に向かって良好に略水平配向させることのできる垂直
配向モードの液晶装置及びその製造方法並びにそれを用
いた電子機器を提供する。 【解決手段】 一対の基板１、２間に液晶層３が挟持さ
れてなる液晶装置において、液晶層３内の液晶分子のプ
レチルト角を維持するポリマー分散体３０を液晶層３０
内に形成したことを特徴とする。ポリマー分散体３０を
形成するに当たっては、予め液晶層３内にモノマーを混
入させ、液晶層内の液晶分子に所定のプレチルトを付与
した状態でモノマーを重合させて液晶層３内にポリマー
分散体３０を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置、その製
造方法並びにそれを用いた電子機器に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】いわゆる垂直配向ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｉｃａｌｌｙ ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＢｉｒｅｆｒｉｎ
ｇｅｎｃｅ；複屈折制御）モード等の垂直配向モードの
液晶装置は、電界無印加状態で液晶分子の長軸方向が基
板に対して略直角方向に配向した構成であり、高いコン
トラストが得られる。このため、液晶プロジェクタ用の
ライトバルブへの応用等が検討され、既に一部で実用化
されている。

【０００３】このような液晶装置においては、一対の基
板間に液晶層を介在させ、その両基板の液晶層側の面に
垂直配向膜を形成すると共に、垂直配向膜にラビング処
理を施していわゆるプレチルトを付け、それによって電
圧印加時の液晶分子の傾き方向を制御するのが一般的で
ある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような垂直配向モードにあっては、配向膜の液晶分子に
対する配向規制力が弱いため、画素周辺部の液晶分子
は、隣り合う画素電極間に生じる横電界によってプレチ
ルト方向とは異なる方向に倒れ、それが画素中心部に向
かって順次ドミノ倒し的に波及して画素全体の配向が乱
れることによって明るい表示が得られなくなる等の不具
合があった。

【０００５】このような不具合は、直流電圧印加による
液晶の劣化防止、アナログ駆動したときの電圧のわずか
な非対称性に起因するフリッカなどを防止することを目
的に、各画素電極に印加される電位極性を所定期間毎に
反転させるライン反転駆動方式やドット反転駆動方式が
採用されているアクティブマトリクス型の液晶装置で発
生しやすい。ライン反転駆動方式のうち、同一行の画素
電極を同一極性の電位により駆動しつつ、このような電
位の極性を行毎にフレームまたはフィールド周期で反転
させる方式を１Ｈ反転駆動方式といい、同一列の画素電
極を同一極性の電位により駆動しつつ、このような電位
の極性を列毎にフレームまたはフィールド周期で反転さ
せる方式を１Ｓ反転駆動方式といい、いずれの方式も、
制御が比較的容易であり高品位の画像表示を可能ならし
める反転駆動方式として用いられている。

【０００６】この１Ｓ反転駆動方式を採用したアクティ
ブマトリクス型の液晶装置では、図１７（ａ）に示すよ
うに、ｎ（但し、ｎは自然数）番目のフィールドあるい
はフレームの画像信号を表示する期間中には、画素電極
毎に「＋」または「−」で示す液晶駆動電位の極性は反
転されず、列毎に同一極性で画素電極が駆動されるが、
図１７（ｂ）に示すように、ｎ＋１番目のフィールドあ
るいは１フレームの画像信号を表示するに際しては、各
画素電極における液晶駆動電位の極性は反転され、この
ｎ＋１番目のフィールドあるいは１フレームの画像信号
を表示する期間中には、画素電極９毎に「＋」または
「−」で示す液晶駆動電位の極性は反転されず、列毎に
同一極性で画素電極９が駆動される。そして、図１７
（ａ）、（ｂ）に示す状態が、１フィールドまたは１フ
レームの周期で繰り返されて１Ｓ反転駆動方式による駆
動が行われる。従って、直流電圧印加による液晶５０の
劣化を避けつつ、クロストークやフリッカの低減された
画像表示を行える。

【０００７】但し、１Ｓ反転駆動方式を採用した液晶装
置１では、図１７（ａ）、（ｂ）からわかるように、横
方向（Ｘ方向）に相隣接する画素電極９間の境界領域
は、常時、横電界の発生領域Ｃ２となる。このような横
電界の影響により、液晶が所定の配向からずれたディス
クリネーションが発生する。

【０００８】特に、液晶を垂直配向モードで使用する
と、正面明るさは、電界によって液晶がすべて同一方向
に倒れたときに最大となるが、液晶装置を１Ｈ反転駆動
あるいは１Ｓ反転駆動などといったライン反転駆動を採
用したときには、たとえ、液晶にプレチルト角を付与し
ておいても、隣接する画素との電位差によって、液晶が
横電界の影響を受け、液晶の倒れる方向を制御できない
ことがある。また、垂直配向モードの場合には、水平配
向モードと比較して、配向膜の液晶に対する配向規制力
が弱いため、画素境界領域において液晶分子にかかる横
電界の影響がドミノ倒し的に画素の中心部にまで及びや
すいので、画素の中心部でも液晶分子を所定の方向に倒
すことができない。その結果、ノーマリブラックモード
で用いたとき、電界をかけた画素において隣接する画素
からの横電界の影響を受けて液晶が本来倒れるべき方向
（プレチルト方向）に倒れず、十分な明るさを得ること
ができないとともに、コントラストも低下し、画質が低
下してしまう。

【０００９】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
電圧印加時に液晶分子を所定のプレチルト方向に向かっ
て良好に水平配向させることのできる垂直配向モードの
液晶装置及びその製造方法並びにそれを用いた電子機器
を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明は以下の構成としたものである。すなわち本
発明による液晶装置は、一対の基板間に液晶層が挟持さ
れてなる液晶装置において、前記液晶層内の液晶分子の
にプレチルト角を維持するポリマー分散体を前記液晶層
内に形成したことを特徴とする。

【００１１】本発明では、液晶層内にポリマー分散体を
形成するので、液晶分子のプレチルト状態を良好に維持
させることが可能である。従って、たとえ画素間に生じ
る横電界により画素周辺部にプレチルト方向と異なる方
向に倒れる力が作用したり、実際に画素周辺部の液晶分
子が倒れても画素周辺部だけに留まり、画素中心部への
波及が防止されるため、明るい表示が可能となる。

【００１２】本発明において、前記ポリマー分散体は、
例えば、以下の［化５］

【００１３】

【化５】 で表される２′−メチル−ｐ−ターフェニル−４，４″
−ジイルジメタクリレートをモノマーを重合させること
により以下の［化６］

【００１４】

【化６】 で表される構造を有する。

【００１５】前記の液晶層は、基板に対して略垂直に配
向する特性を有する液晶分子により形成することができ
る。このようないわゆる垂直配向モードの液晶は、一般
に配向規制力が弱く、電圧印加時に液晶分子の配向にバ
ラツキが生じやすいが、ポリマー分散体を形成すること
で配向規制力を高めることが可能となる。

【００１６】また、前記液晶分子は誘電率異方性が負で
あるものを用いることができ、例えば、前記一対の基板
に電極を対向させて設けることによって電圧印加時に液
晶分子を略水平に配向させるようにするとコントラスト
の高い表示が可能となる。

【００１７】さらに、前記のポリマー分散体は、液晶層
中の液晶の０．１〜５重量％程度とするのが望ましい。
０．１重量％未満であると、ポリマー分散体による配向
規制力が弱く、５重量％を越えると液晶分子の所定の配
向動作を妨げるおそれがあるからである。

【００１８】また、本発明による液晶装置の製造方法
は、液晶層内にモノマーを混入させ、液晶層内の液晶分
子に所定のプレチルトを付与した状態で前記モノマーを
重合させて液晶層内にポリマー分散体を形成したことを
特徴とする。

【００１９】このような製造方法によれば、液晶層内の
液晶分子に所定のプレチルトを付与した状態で、液晶層
内に万遍なく且つ良好にポリマー分散体を形成すること
ができる。

【００２０】このような製造方法では、例えば、前記モ
ノマーとして、以下の［化７］

【００２１】

【化７】 で表される２′−メチル−ｐ−ターフェニル−４，４″
−ジイルジメタクリレートを用いて、以下の［化８］

【００２２】

【化８】 で表される構造を有する前記ポリマー分散体を形成す
る。

【００２３】前記のモノマーとしては、例えば液晶性紫
外線硬化型モノマーを用いることができ、ポリマー分散
体形成時は、液晶層に紫外線を照射して前記モノマーを
重合させればよい。

【００２４】前記モノマーの混入量は、液晶層中の液晶
の０．１〜５重量％程度とするのが望ましい。０．１重
量％未満であると、ポリマー分散体による配向規制力が
弱く、５重量％を越えると液晶分子の所定の配向動作を
妨げるおそれがあるからである。

【００２５】本発明において、前記液晶分子に所定のプ
レチルトを付与する手段としては、例えば配向膜にラビ
ング処理を施す。

【００２６】また、本発明では、前記液晶分子に所定の
プレチルトを付与する手段として、前記基板上に蒸着法
によりシリコン酸化膜を形成した後、該シリコン酸化膜
の表面に垂直配向膜を形成することにより、前記シリコ
ン酸化膜によって前記液晶分子のプレチルト角を設定し
てもよい。また、前記基板上に回転斜方蒸着法によりシ
リコン酸化膜からなるプレチルト付きの垂直配向膜を形
成し、該プレチルト付きの垂直配向膜によって前記液晶
分子のプレチルト角を設定してもよい。さらに、液晶層
に磁場、あるいは磁場と電界を印加する。もしくは液晶
層に横電界を印加する等その他適宜の方法を用いればよ
い。

【００２７】さらに、本発明に係る電子機器は、前記の
ような液晶装置、もしくは前記のような製造方法によっ
て製造された液晶装置を備えたことを特徴とする。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した液晶装
置、及びその製造方法、並びにそれを用いた電子機器を
具体的に説明する。

【００２９】（全体構成）図１は、本発明を適用した液
晶装置の一実施形態を示す縦断面図、図２はその一部の
拡大縦断面図である。図３は、図１に示す液晶装置に電
圧を印加した状態における拡大縦断面図である。

【００３０】図１および図２において、１、２はガラス
等よりなる上下一対の基板で、その両基板１、２間には
液晶層３が介在している。４は液晶層３の周縁部に設け
たシール部材、５は上側偏向板、６は下側偏光板であ
る。

【００３１】両基板１、２の液晶層３側の面には、図２
に示すように、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）等の透明電極７、８が設けられ、更にその透明電
極７、８の液晶層３側には、垂直配向膜９、１０が設け
られている。

【００３２】液晶層３に用いる液晶としては、垂直配向
し、電圧印加により配向状態が変化し得るものであれば
材質等は適宜であるが、本実施形態においては負の誘電
率異方性を有する液晶が用いられ、電圧無印加状態（液
晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧以下の状態）に
おいて、液晶層３内の液晶分子３ａは、図２に示すよう
に、基板１、２に対して略垂直に配向し、電圧印加状態
（液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧以上の状
態）においては、図３に示すように、液晶層３内の液晶
分子３ａは、基板１、２と略平行な方向に配向するよう
に構成されている。

【００３３】また、液晶層３内にはネットワーク状のポ
リマー分散体３０が形成され、そのポリマー分散体３０
によって、液晶層３内の液晶分子３ａが基板の垂線Ｌに
対して所定のチルト角θ（例えば１〜５度程度）だけ傾
斜したプレチルト状態が維持されるように構成されてい
る。なお、そのポリマー分散体３０は液晶による表示特
性、すなわち電圧印加時および無印加時の液晶分子の所
定の配向動作を妨げないように、極く少量設ければよ
く、例えば液晶の重量に対して０．１〜５重量％程度が
望ましい。

【００３４】前記の構成において、偏光板５、６の偏向
軸を、例えば図３の状態における液晶分子３ａの長軸方
向に対してそれぞれ約４５度の角度に傾斜させ、かつ両
偏光板５、６を互いにクロスニコルの状態に配置すれ
ば、図２に示す状態において、上側偏向板５から液晶層
３内に入った光は、そのまま下側偏光板６に入射して該
偏向板を透過しないので、黒表示が得られる。これに対
して、図３に示す状態においては、上側偏向板５から液
晶層３内に入った光は、楕円偏向しながら下側偏光板６
の偏向軸と略平行な方向に偏向して、偏向板６を透過す
るので、白表示が得られる。

【００３５】その際、液晶層３内に設けたポリマー分散
体３０によって、電圧無印加時は液晶層３内の液晶分子
を、配向膜近傍だけでなく液晶層３の厚さ方向全体にわ
たって前記のプレチルト状態に良好かつ安定に維持させ
ることができる。また、電圧印加時は液晶層内の液晶分
子を前記のプレチルト方向に向かって良好に水平配向さ
せることが可能である。それ故、コントラスト等の表示
特性のよい垂直配向モードの液晶装置が得られる。

【００３６】（液晶装置の製造方法）次に、本発明を適
用した液晶装置の製造方法、特にポリマー分散体の形成
方法について説明する。

【００３７】図４は、図１に示す液晶装置を製造するに
あたって、液晶分子にプレチルトを付与する工程を示す
説明図である。

【００３８】本発明において、前記のようなポリマー分
散体３０を形成する材料や形成手段等は適宜であるが、
例えば前記のような液晶装置を製造する際に、予め液晶
中にモノマーを混入しておき、その液晶と共にモノマー
を一対の基板１、２間に充填した後、液晶分子を所定の
プレチルト状態に傾斜した状態でモノマーを重合させて
ポリマー分散体を形成すればよい。

【００３９】モノマーとしては、例えば液晶性の紫外線
硬化型モノマーを用いることができる。具体的には、例
えば、以下の表１または表２に記載したＵＶキュアラブ
ル液晶を１種もしくは複数種組み合わせて使用すること
ができる。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【表２】

【００４２】また、モノマーとしては、表３に示す１官
能基タイプのビフェニル化合物、表４に示す２官能基タ
イプのビフェル化合物、表５に示す１官能基タイプのタ
ーフェニル化合物、表６に示す２官能基タイプのターフ
ェニル化合物を用いることができる。

【００４３】

【表３】

【００４４】

【表４】

【００４５】

【表５】

【００４６】

【表６】

【００４７】さらに前記の各表１、２、３、４、５に示
す化合物以外にも、例えば、以下の一般式［化９］で表
される高分子前駆体を１種もしくは複数種組み合わせて
使用することもできる。

【００４８】

【化９】 なお、前記式中、Ｙ¹およびＹ²は、メタクリレート基、
アクリレート基、水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、フッ素原子、シアノ基のいずれかを示すが、Ｙ¹お
よびＹ²の少なくとも一方はメタクリレート基またはア
クリレート基のいずれかを示し、Ａ¹は存在せずその両
側のベンゼン環同士が単結合で直結しているか、または
Ａ¹は下記［化１０］式中のいずれかの基または酸素原
子、あるいは硫黄原子のいずれかを示し、Ａ¹の両側の
ベンゼン環の水素原子はすべて水素原子であるか、また
は少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子によって置
換されているものであってもよい。

【００４９】

【化１０】 本発明に用いられるモノマーは前記以外にもそれ自身が
液晶層を持つものであるか、またはそれ自身は液晶層は
持たないが、液晶内に混入した際に混合物の液晶状態を
失わせるもの以外であればよい。これらのモノマーを総
称して液晶性モノマーと呼んでいる。

【００５０】そして前記モノマーを、前述のように液晶
の表示特性を妨げないように、例えば、液晶の重量に対
して０．１〜５重量％程度の割合で液晶内に混入し、そ
の液晶と共に一対の基板１・２間に充填した後、液晶分
子を所定のプレチルト状態に傾斜した状態で紫外線を照
射する。

【００５１】液晶分子をプレチルト状態に傾斜させる手
段としては、前記の配向膜２１、２２に予めラビング処
理を施してプレチルトを事前に付与しておくという方法
もあるが、必ずしもラビング処理を施すことなくプレチ
ルトを付与することもできる。例えば、図４（ａ）に示
すように液晶層３内に基板１、２と略平行な面Ｘ−Ｘに
対して所定の角度δ（例えば１０°〜２０°程度）だけ
傾斜した磁場Ｈを形成する。また、この状態で電極７、
８により電圧を印加する。あるいは図４（ｂ）のように
一方の基板２側に電極８ａ、８ｂを横方向に並べて配置
し、その電極８ａ、８ｂに電圧を印加して液晶層３内に
横電界Ｅを形成することによってプレチルトを付与する
こともできる。さらに、これらの方法を併用してもよ
い。

【００５２】さらにまた、基板１、２上に蒸着法により
シリコン酸化膜を形成した後、このシリコン酸化膜の表
面に垂直配向膜を形成することにより、シリコン酸化膜
によって液晶分子のプレチルト角を設定してもよい。ま
た、基板１、２上に回転斜方蒸着法によりシリコン酸化
膜からなるプレチルト付きの垂直配向膜を形成し、この
プレチルト付きの垂直配向膜によって液晶分子のプレチ
ルト角を設定してもよい。

【００５３】このようにして、本形態では液晶層内の液
晶分子にプレチルトを付与した状態で紫外線ＵＶを照射
するもので、その照射量としては、例えば３００〜４０
０ｎｍ程度の紫外線を５〜１５ｍＷ／ｃｍ²程度の強度
で、１０分間程度照射すればよい。その紫外線照射によ
って液晶層３内のモノマーが重合してポリマー分散体３
０が形成される。

【００５４】なお、前記実施形態においては、ポリマー
分散体形成材料として紫外線硬化型のモノマーを用いた
が、例えば熱硬化型のモノマーを使用することもでき
る。具体的には、例えば下記［化１１］、［化１２］、
［化１３］に示すようなエポキシ基を持つ化合物と、下
記［化１４］で示すアルコールまたは下記［化１５］で
示すアミン（例えば、（４−（ω−アミノアルコキシ）
−４′−シアノビフェニル）の混合モノマーを使用する
ことができる。加熱条件としては、例えば［化１１］、
［化１３］に示す化合物を用いた場合には、６０℃にお
いて３時間程度加熱すればよい。

【００５５】

【化１１】

【化１２】

【化１３】

【化１４】

【化１５】 また、前記のようにして形成されたポリマー分散体の形
状は、用いるモノマー材料、ＵＶ照射条件（温度、強
度）、加熱条件（温度、時間）により異なる。すなわ
ち、ポリマーが線状になることもあるし、粒子状になる
こともある。また、パネル内でのポリマーの分布も同様
に異なる。パネルの深さ方向に対して均一に分布してい
ることもあるし、基板付近に密度が高くなることもあ
る。ポリマーの形状、またはその分布状態がどうであっ
ても、液晶層内にポリマー分散体を形成することによっ
て液晶分子のプレチルト状態を良好に維持させることが
可能となり、たとえ画素間に生じる横電界により画素周
辺部にプレチルト方向と異なる方向に倒れる力が作用し
たり、実際に画素周辺部の液晶分子が倒れても画素周辺
部だけに留まり、画素中心部への波及が防止され、明る
い表示が可能となればよい。

【００５６】なお、前記実施形態においては、電極を両
基板１、２側に対向させて設けると共に、負の誘電率異
方性を有する液晶を用いたが、電極を図４（ｂ）のよう
に一方の基板側に横方向に並べて設けると共に、正の誘
電率異方性を有する液晶を用いた垂直配向モードの液晶
装置にも適用できる。また、電極構造は単純マトリック
ス型やセグメント型その他適宜であり、さらにＴＦＴ
（Ｔｈｉｎ ＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子やＴ
ＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）素子等のアク
ティブ素子を用いたものにも適用可能である。

【００５７】［液晶装置の断面構造］図５は、アクティ
ブ素子を用いたアクティブマトリックス型液晶装置の平
面図、図６は、図５におけるＡ−Ａ線断面図である。

【００５８】本実施形態の液晶装置は、画素電極４８が
マトリクス状に形成されたアクティブマトリクス基板４
２と、対向電極４７および遮光膜５１が形成された対向
基板４１と、これらの基板間に封入、挟持されている液
晶４３とから概略構成されている。

【００５９】アクティブマトリクス基板４２と対向基板
４１とは、対向基板４１の外周縁に沿って形成されたギ
ャップ材含有のシール材４４によって所定の間隙を介し
て貼り合わされている。また、アクティブマトリクス基
板４２と対向基板４１との間には、シール材４４によっ
て液晶封入領域５２が区画形成され、この液晶封入領域
５２内に液晶４３が封入されている。この液晶封入領域
５２内において、アクティブマトリクス基板４２と対向
基板４１と間にはスベーサ５３を介在させることもあ
る。前記のシール材４４としては、エポキシ樹脂や各種
の紫外線硬化樹脂などを用いることができる。また、シ
ール材４４に配合されるギャップ材としては、約２μｍ
〜約１０μｍの無機あるいは有機質のファイバもしくは
球などが用いられる。

【００６０】前記シール材４４は部分的に途切れてお
り、この途切れ部分によって、液晶注入口４４ａが構成
されている。対向基板４１とアクティブマトリクス基板
４２とを貼り合わせた後、シール材４４の内側領域を減
圧状態にすることによって前記液晶注入口４４ａから液
晶４３を減圧注入することができ、液晶４３を封入した
後は液晶注入口４４ａを封止剤５４で塞げばよい。

【００６１】対向基板４１には、シール材４４の内側に
おいて画像表示領域Ｆを見切りするための遮光膜５５も
形成されている。対向基板４１のコーナー部のいずれに
もアクティブマトリクス基板４２と対向基板４１との間
で電気的導通をとるための上下導通材５６が形成されて
いる。

【００６２】また、対向基板４１およびアクティブマト
リクス基板４２の光入射側の面あるいは光出射側には、
使用する液晶４３の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッ
ドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モー
ド、等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノ
ーマリプラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位
相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。

【００６３】なお、本実施形態の液晶装置には、カラー
フィルタが形成されていないが、対向基板４１において
各画素電極４８に対向する領域にＲＧＢのカラーフィル
タをその保護膜とともに形成することもある。また対向
基板４１に何層もの屈折率の異なる干渉層を積層するこ
とにより、光の干渉作用を利用して、ＲＧＢ色をつくり
出すダイクロイックフィルタを形成することもある。

【００６４】また、本実施形態において、対向基板４１
はアクティブマトリクス基板４２よりも小さく、アクテ
ィブマトリクス基板４２の周辺部分は、対向基板４１の
外周縁からはみ出た状態に貼り合わされる。従って、ア
クティブマトリクス基板４２の駆動回路（走査線駆動回
路７０やデータ線駆動回路６０）や入出力端子５７は対
向基板４１から露出した状態にある。このように構成し
た液晶装置において、アクティブマトリクス基板４２に
形成されている多数の入出力端子５７には、検査に用い
る入力端子５７ａおよび出力端子５７ｂが含まれてい
る。

【００６５】図７は、アクティブマトリックス型の液晶
装置、特に前記実施形態と同様に垂直配向モードとして
構成した液晶装置における電圧無印加状態の一部の拡大
縦断面図、図８は電圧印加状態における拡大断面図であ
る。

【００６６】アクティブ素子として本実施形態において
はＴＦＴ素子２０を用いたもので、そのＴＦＴ素子２０
はソース電極２１とゲート電極２２およびドレイン電極
２３等よりなり、アクティブマトリックス基板４２上に
各画素毎に設けられている。

【００６７】ドレイン電極２３にはコンタクトホールｈ
を介して画素電極４８が導電接続され、その画素電極４
８と対向電極４７の対向面側には垂直配向膜４９、５０
が形成されている。また、配向膜４９、５０間には、図
２および図３の実施形態と同様に液晶層４３が介在して
いる。また、液晶層４３内にはポリマー分散体３０が前
記の実施形態と同様の要領で形成されている。

【００６８】図９は、アクティブマトリクス基板の構成
を模式的に示すブロック図である。図９に示すように、
アクティブマトリクス基板４２において、ガラス製など
の透明な基板のうち、略中央領域に形成された画素部８
１では、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタ
ン、タングステンなどの金属膜、シリサイド膜、導電性
半導体膜などで形成されたデータ線９０および走査線９
１が設けられている。これらのデータ線９０および走査
線９１は、前記の各画素毎に設けたＴＦＴ素子２０のゲ
ート電極２２およびソース電極２１にそれぞれ接続され
ている。また、各画素には、ＴＦＴ素子２０を介して画
素電極４８に画像信号が入力される液晶容量９４（液晶
セル）が形成されている。

【００６９】データ線９０に対しては、シフトレジスタ
８４、レベルシフタ８５、ビデオライン８７、アナログ
スイッチ８６を備えるデータ側駆動回路６０が構成され
ている。一方、走査線９１に対しては、シフトレジスタ
８８およびレベルシフタ８９を備える走査側駆動回路７
０が構成されている。

【００７０】なお、前記各画素には、走査線９１と並行
に延びる容量線９２との間に保持容量４０が形成され、
この保持容量４０は、液晶容量９４での電荷の保持特性
を高める機能を有している。この保持容量４０は、前段
の走査線９１との間に形成されることもある。このよう
に、アクティブマトリクス基板４２の画素部８１には多
数の画素８１０がマトリックス状に形成されているが、
これらの画素のうち、最も外周側に位置する１列分ない
し３列分の画素（斜線を付した画素）８１ａは、表示が
安定しないとして、図５に示す見切り用の遮光膜５５で
覆われたダミー画素として扱われ、これらのダミー画素
８１ａは表示に寄与しない。但し、ダミー画素８１ａで
あっても、他の画素と同様、画素スイッチング用のＴＦ
Ｔ素子２０が形成されているとともに、データ線駆動回
路６０や走査線駆動回路７０とは回路接続している。

【００７１】前記の構成において、アクティブマトリッ
クス基板４２と対向基板４１の外側にそれぞれ偏向板を
図２および図３の場合と同様に配置すれば、図７の電圧
無印加状態においては上側偏向板から液晶層４３内に入
った光は、そのまま下側偏光板に入射して該偏向板を透
過することなく黒表示が得られ、図８の電圧印加状態に
おいては上側偏向板５から液晶層３内に入った光は、楕
円偏向しながら下側偏光板の偏向軸と略平行な方向に偏
向して該偏向板を透過して白表示が得られる。

【００７２】その際、前記液晶層４３内に設けたポリマ
ー分散体３０によって、電圧無印加時は液晶層４３内の
液晶分子を、配向膜近傍だけでなく液晶層４３の厚さ方
向全体にわたって前記のプレチルト状態に良好かつ安定
に維持させることができると共に、電圧印加時は液晶層
内の液晶分子を前記のプレチルト方向に向かって良好に
水平配向させることが可能となり、コントラスト等の表
示特性のよい液晶装置が得られるものである。

【００７３】なお、前記の各実施形態においては、いわ
ゆる透過型の液晶装置を例示したが、反射板を用いた反
射型の液晶装置にも適用できる。その反射板の配置構成
としては、一方の基板の内側に配設させる電極を、反射
性を有する金属膜等で形成する。例えば、図１〜図３を
参照して説明した実施形態における一方の基板上の電極
７または８、もしくは図５〜図９を参照して説明した実
施形態におけるアクティブマトリックス基板４２上の画
素電極４８を、反射性を有する金属膜等で形成して反射
板を兼ねるようにする。

【００７４】あるいは、図１０（ａ）に示すように、図
１における一方の偏向板６の外側に反射板１１を設けた
構成、または図１０（ｂ）に示すように前記偏向板６の
代わりに反射板と偏向板とを兼ねる反射偏光子（反射偏
向板もしくは反射板）１２を設けた構成等、その他適宜
な構成を採用できる。

【００７５】（電子機器の構成）図１１は、本発明によ
る液晶装置を用いた電子機器の基本構成を示す説明図で
ある。

【００７６】このように構成した液晶装置は、各種の電
子機器の表示装置として適用可能であり、前記のような
液晶装置を用いて構成される電子機器は、一般に図１１
に示す表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１０
０２、表示駆動回路１００４、液晶パネルなどの表示パ
ネル１００６、クロック発生回路１００８及び電源回路
１０１０を含んで構成される。表示情報出力源１０００
は、ＲＯＭ、ＲＡＭなどのメモリ、テレビ信号を同調し
て出力する同調回路などを含んで構成され、クロック発
生回路１００８からのクロックに基づいて、ビデオ信号
などの表示情報を出力する。表示情報処理回路１００２
は、クロック発生回路１００８からのクロックに基づい
て表示情報を処理して出力する。この表示情報処理回路
１００２は、例えば増幅・極性反転回路、シリアル−パ
ラレル変換回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路
あるいはクランプ回路等を含むことができる。

【００７７】表示駆動回路１００４は、走査側駆動回路
及びデータ側駆動回路を含んで構成され、液晶パネル１
００６を表示駆動する。電源回路１０１０は、上述の各
回路に電力を供給する。

【００７８】このような構成の電子機器としては、例え
ば液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナル
コンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークス
テーション（ＥＷＳ）、ページャ、あるいは携帯電話、
ワ一ドプロセッサ、テレビ、ビュ一ファインダ型又はモ
ニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓
上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッ
チパネルを備えた装置などを挙げることができる。

【００７９】（投射型表示装置への適用例）図１２は、
図１〜図３および図５〜図９に示すような透過型の液晶
装置をライトバルブとして用いた投射型液晶プロジェク
タの要部の概略構成図である。

【００８０】図１２において、１１０は光源、１１３、
１１４はダイクロイックミラ一、１１５、１１６、１１
７は反射ミラー、１１８、１１９、１２０はリレーレン
ズ、１２２、１２３、１２４は液晶ライトバルブ、１２
５はクロスダイクロイックプリズム、１２６は投写レン
ズを示す。前記光源１１０はメタルハライド等のランプ
１１１とランプの光を反射するリフレクタ１１２とから
なる。

【００８１】前記ダイクロイックミラー１１３は、光源
１１０からの白色光束のうちの赤色光を透過させるとと
もに、青色光と緑色光とを反射する。そのダイクロイッ
クミラー１１３を透過した赤色光は反射ミラー１１７で
反射されて、赤色光用液晶ライトバルブ１２２に入射さ
れる。一方、ダイクロイックミラー１１３で反射された
色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー
１１４によって反射され、緑色光用液晶ライトバルブ１
２３に入射される。一方、青色光は第２のダイクロイッ
クミラー１１４も透過する。その青色光に対しては、長
い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１８、リ
レーレンズ１１９、出射しンズ１２０を含むリレーレン
ズ系からなる導光手段１２１が設けられ、これを介して
青色光が青色光用液晶ライトバルブ１２４に入射され
る。

【００８２】前記各ライトバルブに入射した３つの色光
は各ライトバルブで変調されてクロスダイクロイックプ
リズム１２５に入射する。このプリズムは４つの直角プ
リズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電
体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形
成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色
光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合
成された光は、投写光学系である投写レンズ１２６によ
ってスクリーン１２７上に投写され、画像が拡大されて
表示される。

【００８３】図１３は、図１〜図３および図５〜図９の
実施形態において反射性を有する電極を用いた場合、も
しくは図１０（ａ）、（ｂ）に示すような反射型の液晶
装置をライトバルブとして用いた液晶プロジェクタの要
部の概略構成図である。

【００８４】図１３において、本例のプロジェクタは、
システム光軸Ｌに沿って配置した光源部２１０、インテ
グレータレンズ２２０、偏光変換素子２３０から概略構
成される偏光照明装置２００、その偏光照明装置２００
から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面２５１に
より反射させる偏光ビームスプリッタ２５０、その偏光
ビームスプリッタ２５０のＳ偏光反射面２５１から反射
された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイク
ロイックミラ一４１２、その分離された青色光（Ｂ）を
変調する反射型液晶ライトバルブ３００Ｂ、青色光が分
離された後の光束のうち赤色光（Ｒ）の成分を反射させ
て分離するダイクロイックミラー４１３、その分離され
た赤色光（Ｒ）を変調する反射型液晶ライトバルブ３０
０Ｒ、前記ダイクロイックミラー４１３を透過する残り
の緑色光（Ｇ）を変調する反射型液晶ライトバルブ３０
０Ｇ、前記３つの反射型液晶ライトバルブ３００Ｒ、３
００Ｇ、３００Ｂにて変調された光をダイクロイックミ
ラー４１２、４１３、偏光ビームスプリッタ２００にて
合成し、この合成光をスクリーン６００に投射する投射
レンズからなる投射光学系５００によって構成されてい
る。前記３つの反射型液晶ライトバルブ３００Ｒ、３０
０Ｇ、３００Ｂには、それぞれ前述の本発明による反射
型液晶装置が用いられている。

【００８５】前記光源部２１０から出射されたランダム
な偏光光束は、インテグレータレンズ２２０により複数
の中間光束に分割された後、第２のインテグレータレン
ズを光入射側に有する偏光変換素子２３０により偏光方
向がほぼ揃った一種類の偏光光束（Ｓ偏光光束）に変換
されてから偏光ビームスプリッタ２５０に至るようにな
っている。偏光変換素子２３０から出射されたＳ偏光光
束は、偏光ビームスプリッタ２５０のＳ偏光光束反射面
２５１によって反射され、反射された光束のうち、青色
光（Ｂ）の光束がダイクロイックミラー４１２の青色光
反射層にて反射され、反射型液晶ライトバルブ３００Ｂ
によって変調され反射される。また、ダイクロイックミ
ラー４１２の青色光反射層を透過した光束のうち、赤色
光（Ｒ）の光束はダイクロイックミラー４１３の赤色光
反射層にて反射され、反射型液晶ライトバルブ３００Ｒ
によって変調され反射される。さらに、ダイクロイック
ミラ一４１３の赤色光反射層を透過した緑色光（Ｇ）の
光束は反射型液晶ライトバルブ３００Ｇによって変調さ
れ反射される。

【００８６】前記のようにして、それぞれの反射型液晶
ライトバルブ３００Ｒ、３００Ｇ、３００Ｂによって変
調され反射された色光のうち、Ｓ偏光成分はＳ偏光を反
射する偏光ビームスプリッタ２００を透過せず、一方、
Ｐ偏光成分は透過する。この偏光ビームスプリッタ２０
０を透過した光が合成されて画像が形成され、投射光学
系５００を介してスクリーン６００に投影される構成で
ある。

【００８７】図１２および図１３に示すように、本発明
による液晶装置を液晶プロジェクタのライトバルブに用
いると、液晶層内に形成したポリマー分散体３０によっ
て、電圧無印加時は液晶層内の液晶分子を、所定のプレ
チルト状態に良好かつ安定に維持させることができると
共に、電圧印加時は液晶層内の液晶分子を前記のプレチ
ルト方向に向かって良好に水平配向させることが可能と
なり、高コントラストの液晶プロジェクタを得ることが
できる。

【００８８】また、前記のような液晶プロジェクタにお
いては、ライトバルブとして用いた液晶装置に比較的強
い光が照射され、その光によって配向膜が経時的に徐々
に劣化して特にプレチルト状態にバラツキを生じたり電
圧印加時および無印加時の配向に乱れを生じる等のおそ
れがあるが、本発明のように、液晶層内にポリマー分散
体を形成することによって前記のような不具合を良好に
解消することが可能となり、安定性のよい液晶プロジェ
クタを提供することができる。

【００８９】（その他の電子機器）図１４（ａ）〜
（ｃ）は、それぞれ本発明の液晶装置を用いた電子機器
の他の具体例を示す外観図である。なお、これらの電子
機器では前記のようなライトバルブとしてではなく、直
視型の液晶表示装置（液晶パネル）として使用され、透
過型および反射型のいずれのタイプの液晶装置を用いる
ことができる。

【００９０】図１４（ａ）は携帯電話を示す斜視図であ
る。１０００は携帯電話本体を示し、そのうちの１００
１は本発明の液晶装置を用いた液晶表示部である。

【００９１】図１４（ｂ）は、腕時計型電子機器を示す
図である。１１００は時計本体を示す斜視図である。１
１０１は本発明の液晶装置を用いた液晶表示部である。
この液晶装置は、従来の時計表示部に比べて高精細の画
素を有するので、テレビ画像表示も可能とすることがで
き、腕時計型テレビを実現できる。

【００９２】図１４（ｃ）は、ワープロ、パソコン等の
携帯型情報処理装置を示す図である。１２００は情報処
理装置を示し、１２０２はキーボード等の入力部、１２
０６は本発明の液晶装置を用いた表示部、１２０４は情
報処理装置本体を示す。各々の電子機器は図１〜３およ
び図５〜９の実施形態に示すような透過型の液晶装置を
用いて、その背面側に、いわゆるバックライトを配置す
れば明るい表示が得られ、反射型液晶装置を用いればバ
ックライトが不要となり消費電力を少なくすることがで
きる。

【００９３】なお、本発明は前記実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、本発明は上述の各種の液晶パネ
ルの駆動に適用されるものに限らず、エレクトロルミネ
ッセンス、プラズマディスプレー装置にも適用可能であ
る。

【００９４】

【実施例】次に、本発明による液晶装置およびその製造
方法の実施例について説明する。

【００９５】［実施例１］配向膜としてポリイミド系の
垂直配向膜をスピンコーターを用いて膜厚３０ｎｍ程度
形成した。その後ラビングによりプレチルトを２〜３°
付けた。このようにして作製した上下基板を１８０°
で、セル厚４μｍに貼り合わせて空パネルを作製した。

【００９６】一方、液晶としては、ジフッソ系の負の誘
電率異方性を示す組成物に、モノマーとして液晶性モノ
アクリレートを１％添加する。

【００９７】この混合物を前記の空パネル中に封入し、
１テスラの磁場中にパネルを１０°傾けて、５０℃にお
いて３５０ｎｍの紫外線を１０ｍＷ／ｃｍ² の強度で、
約１０分間照射してポリマー分散体を形成した。

【００９８】［比較例１］前記実施例１に対する比較例
として、モノマーを添加しない、すなわちポリマー分散
体を形成しない以外は前記実施例１と同様の要領で液晶
パネルを作製した。

【００９９】［実施例１および比較例１の評価］実施例
１および比較例１で作製したパネルの印加電圧と透過率
の関係を測定したので、その測定結果を図１５に示す。
図１５において、実線Ａは実施例１におけるポリマー分
散体を形成した場合、実線Ｂは比較例１におけるポリマ
ー分散体を形成しなかった場合の印加電圧と透過率との
関係を示すグラフである。なお前記の測定の際には、隣
りの画素には逆の極性の電界が加えられているため、前
後左右の画素間に横電界が生じている状態で測定した。

【０１００】この結果からも明らかなように本発明によ
る実施例１のようにポリマー分散体を形成した高分子安
定化垂直配向モードの液晶装置においては、比較例１の
ポリマー分散体がないものに比較して明るい表示が得ら
れることが分かった。

【０１０１】また、実施例１で得られた液晶装置を、液
晶プロジェクタのライトバルブとして、また携帯電話や
腕時計およびワープロやパソコン等の電子機器の表示装
置として用いることによって高コントラストで表示性能
および耐久性や安定性のよい電子機器を得ることができ
た。

【０１０２】［実施例２］各画素毎にＴＦＴ及びＩＴＯ
膜からなる画素電極が形成されたＴＦＴアレイ基板（ア
クティブマトリクス基板）の表面、およびＩＴＯ膜から
なる対向電極が形成された対向基板の表面のそれぞれ
に、ポリイミド系の垂直配向膜の前駆体をスピンコータ
を用いて塗布、焼成して、膜厚が３０ｎｍの垂直配向膜
を形成する。次に、ラビング処理により、２°から３°
のプレチルト角を付与する。

【０１０３】このようにして得た一対の基板を３μｍの
セルギャップで貼り合わせて空セルを作製する。

【０１０４】次に、ジフッ素系の負の誘電率異方性を有
する液晶組成物（屈折率異方性Δｎ＝０．０８２１、誘
電率異方性Δε＝−４．１、透明点（ネマティック相−
等方性液体転移点、略称Ｎ−Ｉ点）＝９１．０℃）と、
以下の［化１６］で表されるモノマー（２′−メチル−
ｐ−ターフェニル−４，４″−ジイルジメタクリレート
／融点１３１．７℃）とを９９：１の比率で混合したも
のを前記の空セルの基板間に注入する。しかる後に、温
度が５０℃の条件下で、セルに対して３５０ｎｍの紫外
線を１０ｍＷ／ｃｍ²の強度で１０分間照射する。

【０１０５】

【化１６】 その結果、以下の［化１７］で表される構造のポリマー
分散体が形成された垂直配向型の液晶パネルが形成され
る。

【０１０６】

【化１７】

【０１０７】［比較例２］実施例２に対する比較例２に
係る液晶パネルとして、各画素毎にＴＦＴ及びＩＴＯ膜
からなる画素電極が形成されたＴＦＴアレイ基板（アク
ティブマトリクス基板）の表面、およびＩＴＯ膜からな
る対向電極が形成された対向基板の表面のそれぞれに、
ポリイミド系の垂直配向膜の前駆体をスピンコータを用
いて塗布、焼成して、膜厚が３０ｎｍの垂直配向膜を形
成する。次に、ラビング処理により、２°から３°のプ
レチルト角を付与する。

【０１０８】このようにして得た一対の基板を３μｍの
セルギャップで貼り合わせて空セルを作製する。

【０１０９】次に、ジフッ素系の負の誘電率異方性を有
する液晶組成物（屈折率異方性Δｎ＝０．０８２１、誘
電率異方性Δε＝−４．１、透明点（Ｎ−Ｉ点）＝９
１．０℃）を空セルの基板間に注入して垂直配向型の液
晶パネルを形成する。従って、この液晶パネルでは、ポ
リマー分散体は形成されていない。

【０１１０】［実施例２および比較例２の評価］このよ
うに構成した実施例２に係る液晶パネルと、比較例２に
係る液晶パネルを、図１６に示す測定系を用いてスクー
リーン上に投射される光の強度を測定し、明るさとコン
トラストを比較した。この評価では、実施例２および比
較例２に係る液晶パネルにおいて、ドット反転駆動とラ
イン反転駆動を行い、それぞれの駆動条件で駆動したと
きの黒表示（ＯＦＦ時）と白表示（オン時）の照度を測
定するとともに、コントラストを算出する。なお、図１
６に示す測定系３０００は、白色光源３００１と、この
光源３００１から出射された白色光の照度分布を調整す
るインテグレータ光学系３００２と、液晶パネル３１０
０に照射される光を所定の偏光光に揃える偏光変換素子
３００３と、液晶パネル３１００から出射された光をス
クリーン３００４に投射する投射レンズ３００６と、ス
クリーン３００４上での照度を計測する照度計３００５
とを有している。なお、液晶パネル３１００の両面には
偏光板３１０１、３１０２が重ねられた状態にある。

【０１１１】このような測定系を用いて得られた結果を
表７に示す。

【０１１２】

【表７】

【０１１３】表７に示すように、ドット反転駆動および
ライン反転駆動のいずれにおいても、本発明の実施例２
に係る液晶パネルは、横電界に起因する著しいディスク
リネーションが発生しないので、比較例２に係る液晶パ
ネルと比較して、白表示を行ったときの明るさおよびコ
ントラストのいずれにおいても優れている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶装置の一実施形態を示す概略
構成の縦断面図である。

【図２】図１に示す液晶装置の一部の拡大縦断面図であ
る。

【図３】図１に示す液晶装置に電圧を印加した状態にお
ける拡大縦断面図である。

【図４】図１に示す液晶装置を製造するにあたって、液
晶分子にプレチルトを付与する工程を示す説明図であ
る。

【図５】本発明を適用したアクティブ型液晶装置の一実
施形態を示す平面図である。

【図６】図５におけるＡ−Ａ線断面図である。

【図７】図５に示す液晶装置の一部を拡大した縦断面図
である。

【図８】図７に示す液晶装置において液晶層に電圧を印
加した状態の拡大縦断面図である。

【図９】アクティブマトリクス基板の構成を模式的に示
すブロック図である。

【図１０】本発明を反射型の液晶装置に適用した場合の
一例を示す概略縦断面図である。

【図１１】本発明による液晶装置を用いた電子機器の基
本構成を示す説明図である。

【図１２】本発明を適用した電子機器として、透過型液
晶パネルを用いた投射型表示装置（プロジェクタ）の概
略構成図である。

【図１３】本発明を適用した電子機器として、反射型液
晶パネルを用いた投射型表示装置（プロジェクタ）の概
略構成図である。

【図１４】本発明を適用した液晶装置が用いられる電子
機器の説明図である。

【図１５】本発明の実施例１に係る液晶パネルと、比較
例１に係る液晶パネルの印加電圧と透過率との関係を比
較して示すグラフである。

【図１６】本発明の実施例２に係る液晶パネルと、比較
例２に係る液晶パネルの明るさおよびコントラストを測
定するための測定系の概略構成図である。

【図１７】液晶装置において、ライン反転駆動を行うと
横電界が発生する様子を示す説明図である。

【符号の説明】

１ 上側基板 ２ 下側基板 ３ 液晶層 ５ 上側偏光板 ６ 下側偏光板 ３０ ポリマー分散体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｆ 20/20 Ｃ０８Ｆ 20/20 Ｇ０２Ｆ 1/137 Ｇ０２Ｆ 1/137 Ｆターム(参考） 2H088 EA13 EA14 GA02 GA11 HA03 HA08 JA10 KA14 MA02 MA18 2H089 HA04 KA08 QA15 RA08 SA10 TA04 TA09 UA05 4J011 GA05 GB07 GB08 PA24 PB40 PC02 PC08 QA03 QA12 QA32 QA33 QA39 QA46 UA01 VA04 WA10 4J100 AL08P AL66P AT08P BA04P BA15P BA40P BB01P BB07P BC04P BC43P BC45P BC73P CA01 JA32

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板間に液晶層が挟持されてなる
   液晶装置において、 前記液晶層内の液晶分子のプレチルト角を維持するポリ
   マー分散体を前記液晶層内に形成したことを特徴とする
   液晶装置。
2. 【請求項２】 前記ポリマー分散体は、以下の［化１］ 【化１】 で表される２′−メチル−ｐ−ターフェニル−４，４″
   −ジイルジメタクリレートからなるモノマーを重合させ
   ることにより、以下の［化２］ 【化２】 で表される構造を有することを特徴とする請求項１に記
   載の液晶装置。
3. 【請求項３】 前記液晶層は、基板に対して略垂直に配
   向する特性を有する液晶分子により形成されてなること
   を特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
4. 【請求項４】 前記液晶分子は、誘電率異方性が負であ
   ることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載
   の液晶装置。
5. 【請求項５】 前記ポリマー分散体は、前記液晶層中の
   液晶材料に対して０．１重量％から５重量％までの範囲
   であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに
   記載の液晶装置。
6. 【請求項６】 液晶層内にモノマーを混入させ、前記液
   晶層内の液晶分子に所定のプレチルトを付与した状態で
   前記モノマーを重合させて前記液晶層内にポリマー分散
   体を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記モノマーとして、以下の［化３］ 【化３】 で表される２′−メチル−ｐ−ターフェニル−４，４″
   −ジイルジメタクリレートを用いて、以下の［化４］ 【化４】 で表される構造を有する前記ポリマー分散体を形成する
   ことを特徴とする請求項６に記載の液晶装置の製造方
   法。
8. 【請求項８】 前記モノマーは、液晶性紫外線硬化型モ
   ノマーである請求項６または７に記載の液晶装置の製造
   方法。
9. 【請求項９】 前記モノマーの混入量は、前記液晶層中
   の液晶材料に対して０．１重量％から５重量までの範囲
   であることを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに
   記載の液晶装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記基板上に形成した配向膜にラビン
    グ処理を施し、該ラビング処理によって前記液晶分子の
    プレチルト角を設定することを特徴する請求項６ないし
    ９のいずれかに記載の液晶装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記基板上に蒸着法によりシリコン酸
    化膜を形成した後、該シリコン酸化膜の表面に垂直配向
    膜を形成することにより、前記シリコン酸化膜によって
    前記液晶分子のプレチルト角を設定したことを特徴する
    請求項６ないし９のいずれかに記載の液晶装置の製造方
    法。
12. 【請求項１２】 前記基板上に回転斜方蒸着法によりシ
    リコン酸化膜からなるプレチルト付きの垂直配向膜を形
    成し、該プレチルト付きの垂直配向膜によって前記液晶
    分子のプレチルト角を設定したことを特徴する請求項６
    ないし９のいずれかに記載の液晶装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記液晶層に磁場を印加し、前記液晶
    分子のプレチルト角を設定したことを特徴とする請求項
    ６ないし９のいずれかに記載の液晶装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記液晶層に磁場と電界を印加し、前
    記液晶分子のプレチルト角を設定したことを特徴とする
    請求項６ないし９のいずれかに記載の液晶装置の製造方
    法。
15. 【請求項１５】 前記液晶層に横電界を印加し、前記液
    晶分子のプレチルト角を設定したことを特徴とする請求
    項６ないし９のいずれかに記載の液晶装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の
    液晶装置を表示装置として備えた電子機器。
17. 【請求項１７】 請求項６ないし１６のいずれかに記載
    の製造方法によって製造された液晶装置を表示装置とし
    て備えた電子機器。