JPWO2010110061A1 - 電気抵抗膜付き金属箔及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
少なくとも一方の面の表面粗さを十点平均粗さＲｚ６．０μｍ〜８．０μｍとし、その面に電気抵抗膜を形成した銅又は銅合金からなる金属箔であって、該電気抵抗膜のピール強度が０．６０ｋＮ／ｍ以上、該抵抗値のばらつきが±１０％以内であることを特徴とする電気抵抗膜を備えた銅箔。銅箔に電気抵抗膜を形成して抵抗の基板内蔵化を可能とした電気抵抗膜付き銅箔の、樹脂基板への接着性を確保すると共に、電気抵抗膜の抵抗率のばらつきを低減させた電気抵抗膜付き銅箔を提供する。
Description
本発明は、ピール強度が高く、かつ、電気抵抗値のばらつきが少ない電気抵抗膜付き銅又は銅合金からなる金属箔及びその製造方法に関する。
この場合、電気抵抗膜は、銅箔と層構造になっているので、「電気抵抗層」とも言えるが、本明細書においては、これらの意味を含め「電気抵抗膜」と称することとする。
また、銅又は銅合金からなる金属箔は、一般に電解銅箔と圧延銅箔に分類できるが、本願発明は、これらを総称して「銅箔」とする。さらに、銅箔と銅合金箔にも分類できるが、この場合も、これらを総称して「銅箔」とする。以上に述べる通り、特に、これらを特定して言う場合を除いて「銅箔」と記載する。
この場合、電気抵抗膜は、銅箔と層構造になっているので、「電気抵抗層」とも言えるが、本明細書においては、これらの意味を含め「電気抵抗膜」と称することとする。
また、銅又は銅合金からなる金属箔は、一般に電解銅箔と圧延銅箔に分類できるが、本願発明は、これらを総称して「銅箔」とする。さらに、銅箔と銅合金箔にも分類できるが、この場合も、これらを総称して「銅箔」とする。以上に述べる通り、特に、これらを特定して言う場合を除いて「銅箔」と記載する。
プリント回路基板の配線材料として、一般に銅箔が使用されている。銅箔は、その製造法により電解銅箔と圧延銅箔に分けられる。この銅箔は、厚さは５μｍの非常に薄い銅箔から１４０μｍ程度の厚い銅箔まで、その範囲を任意に調整することができる。
これら銅箔は、エポキシやポリイミド等の樹脂からなる基板に接合され、プリント回路用基板として使用される。銅箔には基板となる樹脂との接着強度を十分確保することが求められるが、その為に、電解銅箔は一般に製箔時に形成されるマット面と呼ばれる粗面を利用し、更にその上に表面粗化処理を施して使用する。又、圧延銅箔も同様にその表面に粗化処理を施して使用される。
最近、配線材料である銅箔に、更に電気抵抗材料からなる薄膜を形成することが提案されている（特許文献１、２参照）。電子回路基板には、電気抵抗素子が不可欠であるが、抵抗層を備えた銅箔を使用すれば、銅箔に形成された電気抵抗膜を、塩化第二銅等のエッチング溶液を用いて、抵抗素子を露出させるだけでよい。
したがって、抵抗の基板内蔵化により、従来のようにチップ抵抗素子を、半田接合法を用いて基板上に表面実装する手法しかなかったものに比べ、限られた基板の表面積を有効に利用することが可能となる。
したがって、抵抗の基板内蔵化により、従来のようにチップ抵抗素子を、半田接合法を用いて基板上に表面実装する手法しかなかったものに比べ、限られた基板の表面積を有効に利用することが可能となる。
また、多層基板内部に抵抗素子を形成することによる設計上の制約が少なくなり、回路長の短縮が可能となることにより電気的特性の改善も図れる。したがって、抵抗層を備えた銅箔を使用すれば、半田接合が不要となるか又は大きく軽減され、軽量化・信頼性向上が図れる。このように、電気抵抗膜を内蔵した基板は多くの利点を持っている。
一方、電気抵抗膜を銅箔の表面に形成する場合、簡単に剥がれない措置を行う必要がある。多くの場合、銅箔の表面処理により表面粗さを増大させ、ピール強度を付与することが行われている。しかし、このピール強度を付与するために表面粗さを大きくすると、抵抗値が大きく変動するという問題が発生した。
従来、銅箔の表面粗さの測定は、ＪＩＳＢ０６０１で規定されている触針式方法を用いて行われていたが、この方法では銅箔の表面粗さと抵抗膜の電気抵抗値の変動やばらつきの相関を見出すことができなかった。
従来、銅箔の表面粗さの測定は、ＪＩＳＢ０６０１で規定されている触針式方法を用いて行われていたが、この方法では銅箔の表面粗さと抵抗膜の電気抵抗値の変動やばらつきの相関を見出すことができなかった。
このようなことから、銅箔への電気抵抗膜の形成に際しては、接着強度のみが重視され、銅箔粗化面の粗さに起因する電気抵抗の変動やばらつきについては無視されていたのが現状であった。しかし、銅箔上に形成される抵抗層の抵抗値が変動し、あるいはばらつきが生ずるのでは、電気抵抗膜を内蔵した基板を形成する上で、品質の低下を招くので好ましい状態ではない。従来の電気抵抗膜を備えた銅箔は、このような問題を内包しており、樹脂基板への接合時の十分な接着強度と電気抵抗膜としての抵抗値のバラツキ低減とが両立した電気抵抗膜付き銅箔は実現されていなかった。
本発明は、銅箔に電気抵抗膜を形成して抵抗の基板内蔵化を可能とした電気抵抗膜付き銅箔の樹脂基板への接着性を確保すると共に、電気抵抗膜の電気抵抗値のばらつきを低減させた電気抵抗膜付き金属箔及びその製造方法を提供する。
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、銅箔と電気抵抗膜との間に、ある程度の接着力を持たせると共に、抵抗率のばらつきを減少させるために、特定の光学的測定法に基づく表面粗さを用い、その表面粗さを調節することが有効であるとの知見を得た。
この知見に基づき、本発明は
１）少なくとも一方の面の表面粗さを十点平均粗さＲｚ６．０μｍ〜８．０μｍとし、その面に電気抵抗膜を形成した銅又は銅合金からなる金属箔であって、該電気抵抗膜のピール強度が０．６０ｋＮ／ｍ以上、抵抗値のばらつきが±１０％以内であることを特徴とする電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
１）少なくとも一方の面の表面粗さを十点平均粗さＲｚ６．０μｍ〜８．０μｍとし、その面に電気抵抗膜を形成した銅又は銅合金からなる金属箔であって、該電気抵抗膜のピール強度が０．６０ｋＮ／ｍ以上、抵抗値のばらつきが±１０％以内であることを特徴とする電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
また、本発明は、
２）電解銅箔又は圧延銅箔の粗化処理を施した面に電気抵抗層を備えていることを特徴とする請求項１に記載の電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
２）電解銅箔又は圧延銅箔の粗化処理を施した面に電気抵抗層を備えていることを特徴とする請求項１に記載の電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
また、本発明は、
３）前記電気抵抗膜の抵抗値のばらつきが±５％以内であることを特徴とする上記１または２記載の電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
３）前記電気抵抗膜の抵抗値のばらつきが±５％以内であることを特徴とする上記１または２記載の電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
また、本発明は、
４）金属箔の箔厚が５〜３５μｍであることを特徴とする上記１）から３）のいずれかに記載の電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
箔厚が５〜７０μｍの銅箔、特に５〜３５μｍ銅箔を使用することができる。この銅箔の厚みは、用途に応じて任意に選択できるが、製造条件からくる制約もあり、上記の範囲で製造するのが効率的である。
４）金属箔の箔厚が５〜３５μｍであることを特徴とする上記１）から３）のいずれかに記載の電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
箔厚が５〜７０μｍの銅箔、特に５〜３５μｍ銅箔を使用することができる。この銅箔の厚みは、用途に応じて任意に選択できるが、製造条件からくる制約もあり、上記の範囲で製造するのが効率的である。
また、本発明は、
５）電解銅箔又は圧延銅箔からなる銅又は銅合金の金属箔の表面に、電解による粗化処理を施して、表面粗さが十点平均粗さＲｚ６．０μｍ〜８．０μｍとした後、この粗化処理面にスパッタリング法、真空蒸着法、イオンビームめっき法による物理的表面処理方法、熱分解法若しくは気相反応法による化学的表面処理法又は電気めっき法若しくは無電解めっき法による湿式表面処理法により電気抵抗膜を形成し、該電気抵抗膜のピール強度を０．６０ｋＮ／ｍ以上とすると共に、該電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±５％以内とすることを特徴とする電気抵抗膜付き金属箔の製造方法、を提供する。
５）電解銅箔又は圧延銅箔からなる銅又は銅合金の金属箔の表面に、電解による粗化処理を施して、表面粗さが十点平均粗さＲｚ６．０μｍ〜８．０μｍとした後、この粗化処理面にスパッタリング法、真空蒸着法、イオンビームめっき法による物理的表面処理方法、熱分解法若しくは気相反応法による化学的表面処理法又は電気めっき法若しくは無電解めっき法による湿式表面処理法により電気抵抗膜を形成し、該電気抵抗膜のピール強度を０．６０ｋＮ／ｍ以上とすると共に、該電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±５％以内とすることを特徴とする電気抵抗膜付き金属箔の製造方法、を提供する。
また、本発明は、
６）前記電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±３％以内とすることを特徴とする上記５）記載の電気抵抗膜付き金属箔の製造方法、を提供する。
６）前記電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±３％以内とすることを特徴とする上記５）記載の電気抵抗膜付き金属箔の製造方法、を提供する。
また、本発明は、
７）電解による粗化処理後、さらに被せめっきを行うことを特徴とする上記５）又は６）記載の電気抵抗膜付き金属箔の製造方法、を提供する。
７）電解による粗化処理後、さらに被せめっきを行うことを特徴とする上記５）又は６）記載の電気抵抗膜付き金属箔の製造方法、を提供する。
電気抵抗膜は、回路設計に応じて任意に決定されるものである。すなわち、電気抵抗材料の種類と膜厚の選択は、抵抗素子の機能を考慮して決定されるものであり、特に制限はない。
電気抵抗素子の材料として用いられる例としては、例えばバナジウム、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、タンタル、ニッケル、クロム等の材料を挙げることができる。このように電気抵抗が比較的高い金属であれば、それぞれ単独の膜として又は他の元素との合金膜として使用することができる。
電気抵抗素子の材料として用いられる例としては、例えばバナジウム、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、タンタル、ニッケル、クロム等の材料を挙げることができる。このように電気抵抗が比較的高い金属であれば、それぞれ単独の膜として又は他の元素との合金膜として使用することができる。
また、アルミニウム、シリコン、銅、鉄、インジウム、亜鉛、錫等の、比較的電気抵抗の低い材料であっても、それを他の元素と合金化することにより、電気抵抗が高くなる材料であれば、当然使用できる。
例えば、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｒＡｌＳｉ合金等の電気抵抗素子が注目されている材料である。また、上記の元素の酸化物、窒化物、ケイ化物の群から選択された材料酸化物、窒化物、ケイ化物も使用できる。上記の通り、これらの材料の選択は回路設計に応じて任意に選択されるものであり、これらの材料に制限されるものでないことは理解されるべきことである。
例えば、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｒＡｌＳｉ合金等の電気抵抗素子が注目されている材料である。また、上記の元素の酸化物、窒化物、ケイ化物の群から選択された材料酸化物、窒化物、ケイ化物も使用できる。上記の通り、これらの材料の選択は回路設計に応じて任意に選択されるものであり、これらの材料に制限されるものでないことは理解されるべきことである。
この電気抵抗膜の形成に際しては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンビームめっき法などの物理的表面処理方法、熱分解法、気相反応法などの化学的表面処理法、又は電気めっき法、無電解めっき法などの湿式表面処理法を用いて形成することができる。
一般には、電気めっき法が低コストで製造できる利点がある。また、スパッタリング法は、均一な厚みの膜であり、かつ等方性を備えているので、品質の高い抵抗素子を得ることができるという利点がある。
この電気抵抗膜の形成は、膜の用途に応じて形成されるものであり、その場合の付着方法又はめっき方法は、その電気抵抗膜の性質に応じて、適宜選択することが望ましいと言える。
一般には、電気めっき法が低コストで製造できる利点がある。また、スパッタリング法は、均一な厚みの膜であり、かつ等方性を備えているので、品質の高い抵抗素子を得ることができるという利点がある。
この電気抵抗膜の形成は、膜の用途に応じて形成されるものであり、その場合の付着方法又はめっき方法は、その電気抵抗膜の性質に応じて、適宜選択することが望ましいと言える。
本願発明は、このような電気抵抗膜を内蔵した銅箔に伴う欠点である抵抗値変動やばらつきを抑制すると共に、良好な接着力を有する電気抵抗膜を備えた銅箔を得るという優れた効果を有する。
電解銅箔の製造装置の概要をに示す。この装置は、電解液を収容する電解槽の中に、陰極ドラムが設置されている。この陰極ドラム１は電解液中に部分的（ほぼ下半分）に浸漬された状態で回転するようになっている。
この陰極ドラム１の外周下半分を取り囲むように、不溶性アノード（陽極）２が設けられている。この陰極ドラム１とアノード２の間は一定の間隙３があり、この間を電解液が流動するようになっている。この装置には２枚のアノード板が配置されている。
この陰極ドラム１の外周下半分を取り囲むように、不溶性アノード（陽極）２が設けられている。この陰極ドラム１とアノード２の間は一定の間隙３があり、この間を電解液が流動するようになっている。この装置には２枚のアノード板が配置されている。
このでは、下方から電解液が供給され、この電解液は陰極ドラム１とアノード２の間隙３を通り、アノード２の上縁から溢流し、さらにこの電解液は循環するように構成されている。陰極ドラム１とアノード２の間には整流器を介して、両者の間に所定の電圧が維持できるようになっている。
陰極ドラム１が回転するにつれ、電解液から電着した銅は厚みを増大し、ある厚み以上になったところで、この生箔４を剥離し、連続的に巻き取っていく。このようにして製造された生箔は、陰極ドラム１とアノード２の間の距離、供給される電解液の流速あるいは供給する電気量により厚みを調整する。
このような銅箔製造装置によって製造される銅箔は、陰極ドラムと接触する面は鏡面（光沢面）となるが、反対側の面は凸凹のある粗面（マット面）となる。この電解銅箔の厚さは任意に選択できる。通常、５μｍ〜３５μｍの厚さの銅箔を使用することができる。
陰極ドラム１が回転するにつれ、電解液から電着した銅は厚みを増大し、ある厚み以上になったところで、この生箔４を剥離し、連続的に巻き取っていく。このようにして製造された生箔は、陰極ドラム１とアノード２の間の距離、供給される電解液の流速あるいは供給する電気量により厚みを調整する。
このような銅箔製造装置によって製造される銅箔は、陰極ドラムと接触する面は鏡面（光沢面）となるが、反対側の面は凸凹のある粗面（マット面）となる。この電解銅箔の厚さは任意に選択できる。通常、５μｍ〜３５μｍの厚さの銅箔を使用することができる。
このようにして製造した銅箔は、次に表面の酸化物皮膜を取り除く清浄化工程を経て、さらに水による洗浄工程を行う。清浄化工程では、通常、１０〜８０ｇ／Ｌの硫酸水溶液を使用する。
上記においては、電解銅箔の製造について説明したが、圧延銅箔については、溶解及び鋳造したインゴットを、焼鈍及び熱間圧延、さらには冷間圧延を施して必要な厚みの銅箔として製造することができる。圧延銅箔は、いずれも光沢面となっているので、必要に応じて、粗化処理を施す。この粗化処理は、すでに公知の粗化処理を用いることができる。
上記においては、電解銅箔の製造について説明したが、圧延銅箔については、溶解及び鋳造したインゴットを、焼鈍及び熱間圧延、さらには冷間圧延を施して必要な厚みの銅箔として製造することができる。圧延銅箔は、いずれも光沢面となっているので、必要に応じて、粗化処理を施す。この粗化処理は、すでに公知の粗化処理を用いることができる。
粗化処理の一例を示すと、次の通りである。また、この粗化処理は、電解銅箔の光沢面及びマット面（粗面）にも適用できる。粗化めっきした上に、さらにかぶせめっきを施しても良い。
（粗化めっき条件）
Ｃｕイオン濃度：１０〜３０ｇ／Ｌ
硫酸濃度：２０〜１００ｇ／Ｌ
電解液温：２０〜６０°Ｃ
電流密度：５〜８０Ａ／ｄｍ２
処理時間：０．５〜３０秒
（かぶせめっき条件）
Ｃｕイオン濃度：３０〜５０ｇ／Ｌ
硫酸濃度：２０〜１００ｇ／Ｌ
電解液温：２０〜６０°Ｃ
電流密度：５〜８０Ａ／ｄｍ２
処理時間：０．５〜３０秒
（粗化めっき条件）
Ｃｕイオン濃度：１０〜３０ｇ／Ｌ
硫酸濃度：２０〜１００ｇ／Ｌ
電解液温：２０〜６０°Ｃ
電流密度：５〜８０Ａ／ｄｍ２
処理時間：０．５〜３０秒
（かぶせめっき条件）
Ｃｕイオン濃度：３０〜５０ｇ／Ｌ
硫酸濃度：２０〜１００ｇ／Ｌ
電解液温：２０〜６０°Ｃ
電流密度：５〜８０Ａ／ｄｍ２
処理時間：０．５〜３０秒
粗化処理した銅箔の面は、０．２μｍ×０．２μｍ以下の分解能を持ち光干渉式による光学的表面形状測定装置により測定する。後述するように、ＪＩＳ規格の触針式粗さ計やレーザーを用いる光学式形状測定法による表面粗さでは、表面粗さと抵抗値の相関性を得ることができないからである。
この光干渉式光学的表面形状測定機器としては、非接触３次元表面形状粗さ測定システム、品番ＮＴ１１００（ＷＹＫＯオプティカルプロファイラ（分解能：０．２μｍ×０．２μｍ以下）：Ｖｅｅｃｏ社製）を用いることができる。
このシステムの測定方式は、垂直走査型干渉方式（Vertical Scan Interferometory/VSI方式）であり、視野範囲は１２０μｍ×９０μｍ、測定スキャン速度は７．２μｍ／ｓｅｃである。干渉方式は、ミラウ干渉方式（対物レンズ５０倍、内部レンズ１倍）である。
この光干渉式光学的表面形状測定機器としては、非接触３次元表面形状粗さ測定システム、品番ＮＴ１１００（ＷＹＫＯオプティカルプロファイラ（分解能：０．２μｍ×０．２μｍ以下）：Ｖｅｅｃｏ社製）を用いることができる。
このシステムの測定方式は、垂直走査型干渉方式（Vertical Scan Interferometory/VSI方式）であり、視野範囲は１２０μｍ×９０μｍ、測定スキャン速度は７．２μｍ／ｓｅｃである。干渉方式は、ミラウ干渉方式（対物レンズ５０倍、内部レンズ１倍）である。
粗化処理を施した銅箔に、電気抵抗材料からなる層を形成する。この電気抵抗層の例として、例えば、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｒＡｌＳｉ合金等の電気抵抗素子を、代表的に挙げることができる。この電気抵抗材料からなる層は、回路基板設計からくる要求であり、これは任意に選択できる。したがって、特定の材料に限定される必要はない。
電気抵抗材料は、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｒＡｌＳｉ合金等の電気抵抗材料のターゲットを用いて、スパッタリングにより形成することができる。このスパッタリング条件は、特に制限はなく、公知のスパッタリング装置を用いて、任意の電気抵抗材料を形成することができる。
電気抵抗膜は例えば抵抗値を２５．０Ω／ｓｑ〜５０．０Ω／ｓｑ程度のものが通常使われるが、膜の厚みを変えてこの範囲を超える抵抗値としてもよい。
電気抵抗材料は、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｒＡｌＳｉ合金等の電気抵抗材料のターゲットを用いて、スパッタリングにより形成することができる。このスパッタリング条件は、特に制限はなく、公知のスパッタリング装置を用いて、任意の電気抵抗材料を形成することができる。
電気抵抗膜は例えば抵抗値を２５．０Ω／ｓｑ〜５０．０Ω／ｓｑ程度のものが通常使われるが、膜の厚みを変えてこの範囲を超える抵抗値としてもよい。
前記ＷＹＫＯオプティカルプロファイラの光学式粗さ計（分解能：０．２μｍ×０．２μｍ以下）による銅箔表面の表面粗さと抵抗値の相関性を示すと、図１のようになる。
この図１から明らかなように、粗化粒子を備えた銅箔の表面粗さＲｚが６．０μｍ〜８．０μｍの範囲で、抵抗値Ｒｚが２５．０Ω／ｓｑ〜５０．０Ω／ｓｑとなり、表面粗さＲｚの増加と共に、抵抗値Ｒが増加する。さらに、高い相関が認められるため、表面粗さを制御することにより、抵抗値のばらつきを±５％以内とすることが可能である。
この図１から明らかなように、粗化粒子を備えた銅箔の表面粗さＲｚが６．０μｍ〜８．０μｍの範囲で、抵抗値Ｒｚが２５．０Ω／ｓｑ〜５０．０Ω／ｓｑとなり、表面粗さＲｚの増加と共に、抵抗値Ｒが増加する。さらに、高い相関が認められるため、表面粗さを制御することにより、抵抗値のばらつきを±５％以内とすることが可能である。
一方、ＪＩＳ規格の触針式粗さ計による表面粗さと抵抗値の相関性を、参考までに示すと、図２のようになる。
この場合の触針式粗さ測定機器は、Surfcorder Model SE-3C（小阪研究所製）を用いたものである。なお、この触針式粗さ測定機器において、Stylus（触針先端径）：2μmR、Load（荷重）：0.07g、Speed（速度）：0.1mm/min、Measurement Length（測定長さ）：0.8mm、Measurement Direction（測定方向）はTransverse：製箔方向に対し９０°の方向として測定した。
この場合の触針式粗さ測定機器は、Surfcorder Model SE-3C（小阪研究所製）を用いたものである。なお、この触針式粗さ測定機器において、Stylus（触針先端径）：2μmR、Load（荷重）：0.07g、Speed（速度）：0.1mm/min、Measurement Length（測定長さ）：0.8mm、Measurement Direction（測定方向）はTransverse：製箔方向に対し９０°の方向として測定した。
図２に示すように、表面粗さと抵抗値に相関は全くない。この理由としては、表面粗さＲｚとして測定された値が２．４〜３．０μｍであり、同じ試料を光干渉式測定法で測定した値の約半分であるが、これは触針の先端径がμｍレベルであることから、触針の凹部への進入が物理的に制約されると考えられる。その結果、粗化粒子の上半分程度の形状を包絡した測定値しか得られない。
すなわち、この触針式粗さ測定機器では、正確な表面粗さＲｚを測定することはできない。
また、レーザーを用いる凹凸形状測定手法（ピンホール共焦点レーザー法など）でも表面粗さと抵抗値の相関は低く、表面粗さとしては触針法より大きく、光干渉式測定法より小さい値であったことから、粗化処理による樹枝上の粒子が表面にある場合、樹枝に隠れた凹凸までは感知できないものと考えられる。
すなわち、この触針式粗さ測定機器では、正確な表面粗さＲｚを測定することはできない。
また、レーザーを用いる凹凸形状測定手法（ピンホール共焦点レーザー法など）でも表面粗さと抵抗値の相関は低く、表面粗さとしては触針法より大きく、光干渉式測定法より小さい値であったことから、粗化処理による樹枝上の粒子が表面にある場合、樹枝に隠れた凹凸までは感知できないものと考えられる。
本発明の電気抵抗膜付き銅箔は、粗化処理された銅箔面の表面形状を０．２μｍ×０．２μｍ以下の分解能を有する光学干渉式測定機器を用い、その形状データから算出した十点平均粗さＲｚのばらつきを測定するものであり、この十点平均粗さＲｚのばらつきが５％以下、さらには３％以下である銅箔を用いる。そして、その銅箔の粗化面の上に電気抵抗膜を形成し、電気抵抗のばらつきを抑制するものである。
これにより、電気抵抗膜の抵抗率のばらつきを銅箔の幅方向に１０％以内、さらには、５％以内を達成することが可能であり、これらの特性を備えた電気抵抗膜付き銅箔を提供することが可能となる。
これにより、電気抵抗膜の抵抗率のばらつきを銅箔の幅方向に１０％以内、さらには、５％以内を達成することが可能であり、これらの特性を備えた電気抵抗膜付き銅箔を提供することが可能となる。
また、銅箔の表面形状の測定を、電気抵抗膜を形成する前に、０．２μｍ×０．２μｍ以下の分解能を持つＷＹＫＯオプティカルプロファイラの光学式粗さ計またはその同等品により測定することができる。
さらに、本願発明においては、箔厚が５〜７０μｍの銅箔、特に５〜３５μｍ銅箔を使用することができる。また、本願発明で電気抵抗層を形成した銅箔は、粗化処理を施した電解銅箔又は圧延銅箔の何れも用いることができる。
さらに、本願発明においては、箔厚が５〜７０μｍの銅箔、特に５〜３５μｍ銅箔を使用することができる。また、本願発明で電気抵抗層を形成した銅箔は、粗化処理を施した電解銅箔又は圧延銅箔の何れも用いることができる。
次に、実施例を説明する。なお、以下の実施例は、本願発明の理解を容易にするためのものであり、これに制限されるものではない。すなわち、本願発明の技術思想に基づく変形、実施態様、他の例は、本願発明に含まれるものである。
（実施例１）
本実施例１においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度４２Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを６．３μｍ、ばらつき±５％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、表１に示す。
本実施例１においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度４２Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを６．３μｍ、ばらつき±５％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、表１に示す。
次に、粗化処理済み電解銅箔を用い、８０％ニッケル（Ｎｉ）と２０％クロム（Ｃｒ）よりなる合金の電気抵抗材料を下記の条件で、前記安定化層上に付着させた。
Ｎｉ／Ｃｒ合金スパッタリング：
６２インチ幅のスパッタリング装置
電力：４５ｋｗ
線速度：３ｆｔ／ｍｉｎ（０．９ｍ／ｍｉｎ）
Ｎｉ／Ｃｒ合金の厚さ：５００Å、
Ｒｚ６．３μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた場合、抵抗材料のシート抵抗率は２８Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは７％であった。この結果を、表２に示す。
Ｎｉ／Ｃｒ合金スパッタリング：
６２インチ幅のスパッタリング装置
電力：４５ｋｗ
線速度：３ｆｔ／ｍｉｎ（０．９ｍ／ｍｉｎ）
Ｎｉ／Ｃｒ合金の厚さ：５００Å、
Ｒｚ６．３μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた場合、抵抗材料のシート抵抗率は２８Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは７％であった。この結果を、表２に示す。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．６７ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．６５ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。
なお、半田処理後のピール値については、２６０°Ｃの溶融半田浴中に２０秒間、浸漬した（すなわち加熱処理を受けた状態）後にピール値を測定したもの、すなわち半田処理後のピール値は、この処理（熱影響を受けた）後のピール値を示すものである。これは、耐熱性を評価するためのものである。
なお、半田処理後のピール値については、２６０°Ｃの溶融半田浴中に２０秒間、浸漬した（すなわち加熱処理を受けた状態）後にピール値を測定したもの、すなわち半田処理後のピール値は、この処理（熱影響を受けた）後のピール値を示すものである。これは、耐熱性を評価するためのものである。
（実施例２）
本実施例２においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度４９Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを６．７μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、同様に表１に示す。
本実施例２においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度４９Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを６．７μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、同様に表１に示す。
次に、実施例１と同様の電気抵抗材料を、同様の条件で、前記安定化層上に付着させた。この結果、Ｒｚ６．７μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた本実施例２の場合、抵抗材料のシート抵抗率は３２Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは６％であった。この結果を、表２に示す。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．８４ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．８０ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．８４ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．８０ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
（実施例３）
本実施例３においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度５５Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを７．２μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、同様に表１に示す。
本実施例３においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度５５Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを７．２μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、同様に表１に示す。
次に、実施例１と同様の電気抵抗材料を、同様の条件で、前記安定化層上に付着させた。この結果、Ｒｚ７．２μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた本実施例３の場合、抵抗材料のシート抵抗率は３８Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは５％であった。この結果を、表２に示す。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は１．０６ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．９９ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は１．０６ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．９９ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
（実施例４）
本実施例４においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度６３Ａ／ｄｍ２で粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを７．９μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。
本実施例４においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度６３Ａ／ｄｍ２で粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを７．９μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。
次に、実施例１と同様の電気抵抗材料を、同様の条件で、前記安定化層上に付着させた。この結果、Ｒｚ７．９μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた本実施例４の場合、抵抗材料のシート抵抗率は４６Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは５％であった。この結果を、表２に示す。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は１．１７ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は１．０９ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は１．１７ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は１．０９ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
（比較例１）
実施例１と同じ従来型の触針式粗さ計で２．７μｍである１８μｍ電解銅箔上に電気抵抗層を形成し、ポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．２９ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．２７ｋＮ／ｍとなり、実施例１〜４に比べ非常に悪い結果となった。
この比較例１について、光学式粗さ計で表面粗さを測定したところ、表１に示すようにＲｚは５．１μｍと小さくなった。このことから、表面粗さが小さいことが、常態ピール値と半田処理後のピール値（耐熱ピール値）の低下になったと考えられる。
実施例１と同じ従来型の触針式粗さ計で２．７μｍである１８μｍ電解銅箔上に電気抵抗層を形成し、ポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．２９ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．２７ｋＮ／ｍとなり、実施例１〜４に比べ非常に悪い結果となった。
この比較例１について、光学式粗さ計で表面粗さを測定したところ、表１に示すようにＲｚは５．１μｍと小さくなった。このことから、表面粗さが小さいことが、常態ピール値と半田処理後のピール値（耐熱ピール値）の低下になったと考えられる。
また、実施例１から４の箔について接触式の粗さ計を用いて表面粗さを測定した。その結果は、図３に示すように、接触式粗さのＲｚと抵抗値の間には相関性が認められず、表面粗さデータに基づく抵抗値の把握は困難であった。
このことから、従来型の触針式粗さ計では、Ｒｚと抵抗値の相関を得ることができず、最適な条件を見出すことができないことが分かった。
このことから、従来型の触針式粗さ計では、Ｒｚと抵抗値の相関を得ることができず、最適な条件を見出すことができないことが分かった。
以上の結果、本実施例では、いずれも常態ピール値は０．６７ｋｇ／ｃｍ以上、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．６５ｋｇ／ｃｍ以上となり、優れた接着性を確保した上で、電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±１０％以内とすることができた。これらは、いずれも本願発明の条件に合致し、良好な性質を有するものであった。
電気抵抗膜を内蔵した銅箔に伴う欠点である抵抗値変動やばらつきを抑制すると共に、良好な接着力を有する電気抵抗膜を備えた銅箔を得るという優れた効果を有する。
本発明の電気抵抗膜を内蔵した銅箔を使用することにより、回路設計の際に、新たに電気抵抗素子を単独に形成する必要がなく、銅箔に形成された電気抵抗膜を、塩化第二銅等のエッチング溶液を用いて、抵抗素子を露出させるだけでよいので、半田接合が不要となるか又は大きく軽減され、実装工程が著しく簡素化されるという効果を有する。
また、実装部品や半田数が低減される結果、スペースが拡張でき小型軽量になるという利点もある。これによって回路設計の自由度を向上させることができる。また、このように銅箔に抵抗体が内蔵されることにより、高周波領域での信号特性が改善される効果を備えているのでプリント回路基板として有用である。
本発明の電気抵抗膜を内蔵した銅箔を使用することにより、回路設計の際に、新たに電気抵抗素子を単独に形成する必要がなく、銅箔に形成された電気抵抗膜を、塩化第二銅等のエッチング溶液を用いて、抵抗素子を露出させるだけでよいので、半田接合が不要となるか又は大きく軽減され、実装工程が著しく簡素化されるという効果を有する。
また、実装部品や半田数が低減される結果、スペースが拡張でき小型軽量になるという利点もある。これによって回路設計の自由度を向上させることができる。また、このように銅箔に抵抗体が内蔵されることにより、高周波領域での信号特性が改善される効果を備えているのでプリント回路基板として有用である。
【０００８】
抵抗素子を、代表的に挙げることができる。この電気抵抗材料からなる層は、回路基板設計からくる要求であり、これは任意に選択できる。したがって、特定の材料に限定される必要はない。
電気抵抗材料は、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｒＡｌＳｉ合金等の電気抵抗材料のターゲットを用いて、スパッタリングにより形成することができる。このスパッタリング条件は、特に制限はなく、公知のスパッタリング装置を用いて、任意の電気抵抗材料を形成することができる。
電気抵抗膜は例えば抵抗値を２５．０Ω／ｓｑ〜５０．０Ω／ｓｑ程度のものが通常使われるが、膜の厚みを変えてこの範囲を超える抵抗値としてもよい。
［００２９］
前記ＷＹＫＯオプティカルプロファイラの光学式粗さ計（分解能：０．２μｍ×０．２μｍ以下）による銅箔表面の表面粗さと抵抗値の相関性を示すと、図２のようになる。
この図２から明らかなように、粗化粒子を備えた銅箔の表面粗さＲｚが６．０μｍ〜８．０μｍの範囲で、抵抗値Ｒが２５．０Ω／ｓｑ〜５０．０Ω／ｓｑとなり、表面粗さＲｚの増加と共に、抵抗値Ｒが増加する。さらに、高い相関が認められるため、表面粗さを制御することにより、抵抗値のばらつきを±１０％以内とすることが可能である。
［００３０］
一方、ＪＩＳ規格の触針式粗さ計による表面粗さと抵抗値の相関を、考までに示すと、図３のようになる。
この場合の触針式粗さ測定器は、Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｄｅｌ ＳＥ−３Ｃ（小阪研究所製）を用いたものである。なお、この触針式粗さ測定器において、Ｓｔｙｌｕｓ（触針先端径）：２μｍＲ、Ｌｏａｄ（荷重）：０．０７ｇ、Ｓｐｅｅｄ（速度）：０．１ｍｍ／ｍｉｎ、Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｌｅｎｇｔｈ（測定長さ）：０．８ｍｍ、Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ（測定方向）はＴｒａｎｓｖｅｒｓｅ：製箔方向に対し９０°の方向として測定した。
［００３１］
図３に示すように、表面粗さと抵抗値に相関は全くない。この理由としては、表面粗さＲｚとして測定された値が２．４〜３．０μｍであり、同じ試料を光干渉式測定法で測定した値の約半分であるが、これは触針の先端径が
抵抗素子を、代表的に挙げることができる。この電気抵抗材料からなる層は、回路基板設計からくる要求であり、これは任意に選択できる。したがって、特定の材料に限定される必要はない。
電気抵抗材料は、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｒＡｌＳｉ合金等の電気抵抗材料のターゲットを用いて、スパッタリングにより形成することができる。このスパッタリング条件は、特に制限はなく、公知のスパッタリング装置を用いて、任意の電気抵抗材料を形成することができる。
電気抵抗膜は例えば抵抗値を２５．０Ω／ｓｑ〜５０．０Ω／ｓｑ程度のものが通常使われるが、膜の厚みを変えてこの範囲を超える抵抗値としてもよい。
［００２９］
前記ＷＹＫＯオプティカルプロファイラの光学式粗さ計（分解能：０．２μｍ×０．２μｍ以下）による銅箔表面の表面粗さと抵抗値の相関性を示すと、図２のようになる。
この図２から明らかなように、粗化粒子を備えた銅箔の表面粗さＲｚが６．０μｍ〜８．０μｍの範囲で、抵抗値Ｒが２５．０Ω／ｓｑ〜５０．０Ω／ｓｑとなり、表面粗さＲｚの増加と共に、抵抗値Ｒが増加する。さらに、高い相関が認められるため、表面粗さを制御することにより、抵抗値のばらつきを±１０％以内とすることが可能である。
［００３０］
一方、ＪＩＳ規格の触針式粗さ計による表面粗さと抵抗値の相関を、考までに示すと、図３のようになる。
この場合の触針式粗さ測定器は、Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｄｅｌ ＳＥ−３Ｃ（小阪研究所製）を用いたものである。なお、この触針式粗さ測定器において、Ｓｔｙｌｕｓ（触針先端径）：２μｍＲ、Ｌｏａｄ（荷重）：０．０７ｇ、Ｓｐｅｅｄ（速度）：０．１ｍｍ／ｍｉｎ、Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｌｅｎｇｔｈ（測定長さ）：０．８ｍｍ、Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ（測定方向）はＴｒａｎｓｖｅｒｓｅ：製箔方向に対し９０°の方向として測定した。
［００３１］
図３に示すように、表面粗さと抵抗値に相関は全くない。この理由としては、表面粗さＲｚとして測定された値が２．４〜３．０μｍであり、同じ試料を光干渉式測定法で測定した値の約半分であるが、これは触針の先端径が
【０００９】
μｍレベルであることから、触針の凹部への進入が物理的に制約されると考えられる。その結果、粗化粒子の上半分程度の形状を包絡した測定値しか得られない。
すなわち、この触針式粗さ測定機器では、正確な表面粗さＲｚを測定することはできない。
また、レーザーを用いる凹凸形状測定手法（ピンホール共焦点レーザー法など）でも表面粗さと抵抗値の相関は低く、表面粗さとしては触針法より大きく、光干渉式測定法より小さい値であったことから、粗化処理による樹枝上の粒子が表面にある場合、樹枝に隠れた凹凸までは感知できないものと考えられる。
［００３２］
本発明の電気抵抗膜付き銅箔は、粗化処理された銅箔面の表面形状を０．２μｍ×０．２μｍ以下の分解能を有する光学干渉式測定機器を用い、その形状データから算出した十点平均粗さＲｚのばらつきを測定するものであり、この十点平均粗さＲｚのばらつきが５％以下、さらには３％以下である銅箔を用いる。そして、その銅箔の粗化面の上に電気抵抗膜を形成し、電気抵抗のばらつきを抑制するものである。
これにより、電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを銅箔の幅方向に１０％以内、さらには、５％以内を達成することが可能であり、これらの特性を備えた電気抵抗膜付き銅箔を提供することが可能となる。
［００３３］
また、銅箔の表面形状の測定を、電気抵抗膜を形成する前に、０．２μｍ×０．２μｍ以下の分解能を持つＷＹＫＯオプティカルプロファイラの光学式粗さ計またはその同等品により測定することができる。
さらに、本願発明においては、箔厚が５〜７０μｍの銅箔、特に５〜３５μｍ銅箔を使用することができる。また、本願発明で電気抵抗層を形成した銅箔は、粗化処理を施した電解銅箔又は圧延銅箔の何れも用いることができる。
実施例
［００３４］
次に、実施例を説明する。なお、以下の実施例は、本願発明の理解を容易
μｍレベルであることから、触針の凹部への進入が物理的に制約されると考えられる。その結果、粗化粒子の上半分程度の形状を包絡した測定値しか得られない。
すなわち、この触針式粗さ測定機器では、正確な表面粗さＲｚを測定することはできない。
また、レーザーを用いる凹凸形状測定手法（ピンホール共焦点レーザー法など）でも表面粗さと抵抗値の相関は低く、表面粗さとしては触針法より大きく、光干渉式測定法より小さい値であったことから、粗化処理による樹枝上の粒子が表面にある場合、樹枝に隠れた凹凸までは感知できないものと考えられる。
［００３２］
本発明の電気抵抗膜付き銅箔は、粗化処理された銅箔面の表面形状を０．２μｍ×０．２μｍ以下の分解能を有する光学干渉式測定機器を用い、その形状データから算出した十点平均粗さＲｚのばらつきを測定するものであり、この十点平均粗さＲｚのばらつきが５％以下、さらには３％以下である銅箔を用いる。そして、その銅箔の粗化面の上に電気抵抗膜を形成し、電気抵抗のばらつきを抑制するものである。
これにより、電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを銅箔の幅方向に１０％以内、さらには、５％以内を達成することが可能であり、これらの特性を備えた電気抵抗膜付き銅箔を提供することが可能となる。
［００３３］
また、銅箔の表面形状の測定を、電気抵抗膜を形成する前に、０．２μｍ×０．２μｍ以下の分解能を持つＷＹＫＯオプティカルプロファイラの光学式粗さ計またはその同等品により測定することができる。
さらに、本願発明においては、箔厚が５〜７０μｍの銅箔、特に５〜３５μｍ銅箔を使用することができる。また、本願発明で電気抵抗層を形成した銅箔は、粗化処理を施した電解銅箔又は圧延銅箔の何れも用いることができる。
実施例
［００３４］
次に、実施例を説明する。なお、以下の実施例は、本願発明の理解を容易
【００１０】
にするためのものであり、これに制限されるものではない。すなわち、本願発明の技術思想に基づく変形、実施態様、他の例は、本願発明に含まれるものである。
［００３５］
（実施例１）
本実施例１においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度４２Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを６．３μｍ、ばらつき±５％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、表１に示す。
［００３６］
［表１］
［００３７］
次に、粗化処理済み電解銅箔を用い、８０％ニッケル（Ｎｉ）と２０％クロム（Ｃｒ）よりなる合金の電気抵抗材料を下記の条件で、前記安定化層上に付着させた。
Ｎｉ／Ｃｒ合金スパッタリング：
６２インチ幅のスパッタリング装置
電力：４５ｋｗ
線速度：３ｆｔ／ｍｉｎ（０．９ｍ／ｍｉｎ）
Ｎｉ／Ｃｒ合金の厚さ：５００Å、
Ｒｚ６．３μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた場合、抵抗材料のシート抵抗値（抵抗値）は２８Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは７％であった。この結果を
にするためのものであり、これに制限されるものではない。すなわち、本願発明の技術思想に基づく変形、実施態様、他の例は、本願発明に含まれるものである。
［００３５］
（実施例１）
本実施例１においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度４２Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを６．３μｍ、ばらつき±５％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、表１に示す。
［００３６］
［表１］
次に、粗化処理済み電解銅箔を用い、８０％ニッケル（Ｎｉ）と２０％クロム（Ｃｒ）よりなる合金の電気抵抗材料を下記の条件で、前記安定化層上に付着させた。
Ｎｉ／Ｃｒ合金スパッタリング：
６２インチ幅のスパッタリング装置
電力：４５ｋｗ
線速度：３ｆｔ／ｍｉｎ（０．９ｍ／ｍｉｎ）
Ｎｉ／Ｃｒ合金の厚さ：５００Å、
Ｒｚ６．３μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた場合、抵抗材料のシート抵抗値（抵抗値）は２８Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは７％であった。この結果を
【００１１】
、表２に示す。
［００３８］
［表２］
［００３９］
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．６７ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．６５ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。
なお、半田処理後のピール値については、２６０°Ｃの溶融半田浴中に２０秒間、浸漬した（すなわち加熱処理を受けた状態）後にピール値を測定したもの、すなわち半田処理後のピール値は、この処理（熱影響を受けた）後のピール値を示すものである。これは、耐熱性を評価するためのものである。
［００４０］
（実施例２）
本実施例２においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度４９Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを６．７μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、同様に表１に示す。
［００４１］
次に、実施例１と同様の電気抵抗材料を、同様の条件で、前記安定化層上に付着させた。この結果、Ｒｚ６．７μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた本実施例２の場合、抵抗材料のシート抵抗値（抵抗値）は３２Ω／ｓｑ（スクエア）、
、表２に示す。
［００３８］
［表２］
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．６７ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．６５ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。
なお、半田処理後のピール値については、２６０°Ｃの溶融半田浴中に２０秒間、浸漬した（すなわち加熱処理を受けた状態）後にピール値を測定したもの、すなわち半田処理後のピール値は、この処理（熱影響を受けた）後のピール値を示すものである。これは、耐熱性を評価するためのものである。
［００４０］
（実施例２）
本実施例２においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度４９Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを６．７μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、同様に表１に示す。
［００４１］
次に、実施例１と同様の電気抵抗材料を、同様の条件で、前記安定化層上に付着させた。この結果、Ｒｚ６．７μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた本実施例２の場合、抵抗材料のシート抵抗値（抵抗値）は３２Ω／ｓｑ（スクエア）、
【００１２】
ばらつきは６％であった。この結果を、表２に示す。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．８４ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．８０ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
［００４２］
（実施例３）
本実施例３においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度５５Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを７．２μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、同様に表１に示す。
［００４３］
次に、実施例１と同様の電気抵抗材料を、同様の条件で、前記安定化層上に付着させた。この結果、Ｒｚ７．２μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた本実施例３の場合、抵抗材料のシート抵抗値（抵抗値）は３８Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは５％であった。この結果を、表２に示す。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は１．０６ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．９９ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
［００４４］
（実施例４）
本実施例４においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度６３Ａ／ｄｍ２で粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを７．９μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理
ばらつきは６％であった。この結果を、表２に示す。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．８４ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．８０ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
［００４２］
（実施例３）
本実施例３においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度５５Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを７．２μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、同様に表１に示す。
［００４３］
次に、実施例１と同様の電気抵抗材料を、同様の条件で、前記安定化層上に付着させた。この結果、Ｒｚ７．２μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた本実施例３の場合、抵抗材料のシート抵抗値（抵抗値）は３８Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは５％であった。この結果を、表２に示す。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は１．０６ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．９９ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
［００４４］
（実施例４）
本実施例４においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度６３Ａ／ｄｍ２で粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを７．９μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理
【００１３】
済み電解銅箔を作成した。
［００４５］
次に、実施例１と同様の電気抵抗材料を、同様の条件で、前記安定化層上に付着させた。この結果、Ｒｚ７．９μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた本実施例４の場合、抵抗材料のシート抵抗値（抵抗値）は４６Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは５％であった。この結果を、表２に示す。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は１．１７ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は１．０９ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
［００４６］
（比較例１）
実施例１と同じ従来型の触針式粗さ計で２．７μｍである１８μｍ電解銅箔上に電気抵抗層を形成し、ポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．２９ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．２７ｋＮ／ｍとなり、実施例１〜４に比べ非常に悪い結果となった。
この比較例１について、光学式粗さ計で表面粗さを測定したところ、表１に示すようにＲｚは５．１μｍと小さくなった。このことから、表面粗さが小さいことが、常態ピール値と半田処理後のピール値（耐熱ピール値）の低下になったと考えられる。
［００４７］
また、実施例１から４の箔について接触式の粗さ計を用いて表面粗さを測定した。その結果は、図３に示すように、接触式粗さのＲｚと抵抗値の間には相関性が認められず、表面粗さデータに基づく抵抗値の把握は困難であった。
このことから、従来型の触針式粗さ計では、Ｒｚと抵抗値の相関を得ることができず、最適な条件を見出すことができないことが分かった。
［００４８］
以上の結果、本実施例では、いずれも常態ピール値は０．６７ｋｇ／ｃｍ以上、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．６５ｋｇ／ｃｍ以上となり、優れた接着性を確保した上で、電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±１
済み電解銅箔を作成した。
［００４５］
次に、実施例１と同様の電気抵抗材料を、同様の条件で、前記安定化層上に付着させた。この結果、Ｒｚ７．９μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた本実施例４の場合、抵抗材料のシート抵抗値（抵抗値）は４６Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは５％であった。この結果を、表２に示す。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は１．１７ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は１．０９ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
［００４６］
（比較例１）
実施例１と同じ従来型の触針式粗さ計で２．７μｍである１８μｍ電解銅箔上に電気抵抗層を形成し、ポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．２９ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．２７ｋＮ／ｍとなり、実施例１〜４に比べ非常に悪い結果となった。
この比較例１について、光学式粗さ計で表面粗さを測定したところ、表１に示すようにＲｚは５．１μｍと小さくなった。このことから、表面粗さが小さいことが、常態ピール値と半田処理後のピール値（耐熱ピール値）の低下になったと考えられる。
［００４７］
また、実施例１から４の箔について接触式の粗さ計を用いて表面粗さを測定した。その結果は、図３に示すように、接触式粗さのＲｚと抵抗値の間には相関性が認められず、表面粗さデータに基づく抵抗値の把握は困難であった。
このことから、従来型の触針式粗さ計では、Ｒｚと抵抗値の相関を得ることができず、最適な条件を見出すことができないことが分かった。
［００４８］
以上の結果、本実施例では、いずれも常態ピール値は０．６７ｋｇ／ｃｍ以上、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．６５ｋｇ／ｃｍ以上となり、優れた接着性を確保した上で、電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±１
本発明は、ピール強度が高く、かつ、電気抵抗値のばらつきが少ない電気抵抗膜付き銅又は銅合金からなる金属箔及びその製造方法に関する。
この場合、電気抵抗膜は、銅箔と層構造になっているので、「電気抵抗層」とも言えるが、本明細書においては、これらの意味を含め「電気抵抗膜」と称することとする。
また、銅又は銅合金からなる金属箔は、一般に電解銅箔と圧延銅箔に分類できるが、本願発明は、これらを総称して「銅箔」とする。さらに、銅箔と銅合金箔にも分類できるが、この場合も、これらを総称して「銅箔」とする。以上に述べる通り、特に、これらを特定して言う場合を除いて「銅箔」と記載する。
この場合、電気抵抗膜は、銅箔と層構造になっているので、「電気抵抗層」とも言えるが、本明細書においては、これらの意味を含め「電気抵抗膜」と称することとする。
また、銅又は銅合金からなる金属箔は、一般に電解銅箔と圧延銅箔に分類できるが、本願発明は、これらを総称して「銅箔」とする。さらに、銅箔と銅合金箔にも分類できるが、この場合も、これらを総称して「銅箔」とする。以上に述べる通り、特に、これらを特定して言う場合を除いて「銅箔」と記載する。
プリント回路基板の配線材料として、一般に銅箔が使用されている。銅箔は、その製造法により電解銅箔と圧延銅箔に分けられる。この銅箔は、厚さは５μｍの非常に薄い銅箔から１４０μｍ程度の厚い銅箔まで、その範囲を任意に調整することができる。
これら銅箔は、エポキシやポリイミド等の樹脂からなる基板に接合され、プリント回路用基板として使用される。銅箔には基板となる樹脂との接着強度を十分確保することが求められるが、その為に、電解銅箔は一般に製箔時に形成されるマット面と呼ばれる粗面を利用し、更にその上に表面粗化処理を施して使用する。又、圧延銅箔も同様にその表面に粗化処理を施して使用される。
最近、配線材料である銅箔に、更に電気抵抗材料からなる薄膜を形成することが提案されている（特許文献１、２参照）。電子回路基板には、電気抵抗素子が不可欠であるが、抵抗層を備えた銅箔を使用すれば、銅箔に形成された電気抵抗膜を、塩化第二銅等のエッチング溶液を用いて、抵抗素子を露出させるだけでよい。
したがって、抵抗の基板内蔵化により、従来のようにチップ抵抗素子を、半田接合法を用いて基板上に表面実装する手法しかなかったものに比べ、限られた基板の表面積を有効に利用することが可能となる。
したがって、抵抗の基板内蔵化により、従来のようにチップ抵抗素子を、半田接合法を用いて基板上に表面実装する手法しかなかったものに比べ、限られた基板の表面積を有効に利用することが可能となる。
また、多層基板内部に抵抗素子を形成することによる設計上の制約が少なくなり、回路長の短縮が可能となることにより電気的特性の改善も図れる。したがって、抵抗層を備えた銅箔を使用すれば、半田接合が不要となるか又は大きく軽減され、軽量化・信頼性向上が図れる。このように、電気抵抗膜を内蔵した基板は多くの利点を持っている。
一方、電気抵抗膜を銅箔の表面に形成する場合、簡単に剥がれない措置を行う必要がある。多くの場合、銅箔の表面処理により表面粗さを増大させ、ピール強度を付与することが行われている。しかし、このピール強度を付与するために表面粗さを大きくすると、抵抗値が大きく変動するという問題が発生した。
従来、銅箔の表面粗さの測定は、ＪＩＳＢ０６０１で規定されている触針式方法を用いて行われていたが、この方法では銅箔の表面粗さと抵抗膜の電気抵抗値の変動やばらつきの相関を見出すことができなかった。
従来、銅箔の表面粗さの測定は、ＪＩＳＢ０６０１で規定されている触針式方法を用いて行われていたが、この方法では銅箔の表面粗さと抵抗膜の電気抵抗値の変動やばらつきの相関を見出すことができなかった。
このようなことから、銅箔への電気抵抗膜の形成に際しては、接着強度のみが重視され、銅箔粗化面の粗さに起因する電気抵抗の変動やばらつきについては無視されていたのが現状であった。しかし、銅箔上に形成される抵抗層の抵抗値が変動し、あるいはばらつきが生ずるのでは、電気抵抗膜を内蔵した基板を形成する上で、品質の低下を招くので好ましい状態ではない。従来の電気抵抗膜を備えた銅箔は、このような問題を内包しており、樹脂基板への接合時の十分な接着強度と電気抵抗膜としての抵抗値のバラツキ低減とが両立した電気抵抗膜付き銅箔は実現されていなかった。
本発明は、銅箔に電気抵抗膜を形成して抵抗の基板内蔵化を可能とした電気抵抗膜付き銅箔の樹脂基板への接着性を確保すると共に、電気抵抗膜の電気抵抗値のばらつきを低減させた電気抵抗膜付き金属箔及びその製造方法を提供する。
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、銅箔と電気抵抗膜との間に、ある程度の接着力を持たせると共に、抵抗率のばらつきを減少させるために、特定の光学的測定法に基づく表面粗さを用い、その表面粗さを調節することが有効であるとの知見を得た。
この知見に基づき、本発明は
１）少なくとも一方の面の表面粗さを十点平均粗さＲｚ６．０μｍ〜８．０μｍとし、その面に電気抵抗膜を形成した銅又は銅合金からなる金属箔であって、該電気抵抗膜のピール強度が０．６０ｋＮ／ｍ以上、抵抗値のばらつきが±１０％以内であることを特徴とする電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
１）少なくとも一方の面の表面粗さを十点平均粗さＲｚ６．０μｍ〜８．０μｍとし、その面に電気抵抗膜を形成した銅又は銅合金からなる金属箔であって、該電気抵抗膜のピール強度が０．６０ｋＮ／ｍ以上、抵抗値のばらつきが±１０％以内であることを特徴とする電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
また、本発明は、
２）電解銅箔又は圧延銅箔の粗化処理を施した面に電気抵抗層を備えていることを特徴とする請求項１に記載の電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
２）電解銅箔又は圧延銅箔の粗化処理を施した面に電気抵抗層を備えていることを特徴とする請求項１に記載の電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
また、本発明は、
３）前記電気抵抗膜の抵抗値のばらつきが±５％以内であることを特徴とする上記１または２記載の電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
３）前記電気抵抗膜の抵抗値のばらつきが±５％以内であることを特徴とする上記１または２記載の電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
また、本発明は、
４）金属箔の箔厚が５〜３５μｍであることを特徴とする上記１）から３）のいずれかに記載の電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
箔厚が５〜７０μｍの銅箔、特に５〜３５μｍ銅箔を使用することができる。この銅箔の厚みは、用途に応じて任意に選択できるが、製造条件からくる制約もあり、上記の範囲で製造するのが効率的である。
４）金属箔の箔厚が５〜３５μｍであることを特徴とする上記１）から３）のいずれかに記載の電気抵抗膜付き金属箔、を提供する。
箔厚が５〜７０μｍの銅箔、特に５〜３５μｍ銅箔を使用することができる。この銅箔の厚みは、用途に応じて任意に選択できるが、製造条件からくる制約もあり、上記の範囲で製造するのが効率的である。
また、本発明は、
５）電解銅箔又は圧延銅箔からなる銅又は銅合金の金属箔の表面に、電解による粗化処理を施して、表面粗さが十点平均粗さＲｚ６．０μｍ〜８．０μｍとした後、この粗化処理面にスパッタリング法、真空蒸着法、イオンビームめっき法による物理的表面処理方法、熱分解法若しくは気相反応法による化学的表面処理法又は電気めっき法若しくは無電解めっき法による湿式表面処理法により電気抵抗膜を形成し、該電気抵抗膜のピール強度を０．６０ｋＮ／ｍ以上とすると共に、該電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±５％以内とすることを特徴とする電気抵抗膜付き金属箔の製造方法、を提供する。
５）電解銅箔又は圧延銅箔からなる銅又は銅合金の金属箔の表面に、電解による粗化処理を施して、表面粗さが十点平均粗さＲｚ６．０μｍ〜８．０μｍとした後、この粗化処理面にスパッタリング法、真空蒸着法、イオンビームめっき法による物理的表面処理方法、熱分解法若しくは気相反応法による化学的表面処理法又は電気めっき法若しくは無電解めっき法による湿式表面処理法により電気抵抗膜を形成し、該電気抵抗膜のピール強度を０．６０ｋＮ／ｍ以上とすると共に、該電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±５％以内とすることを特徴とする電気抵抗膜付き金属箔の製造方法、を提供する。
また、本発明は、
６）前記電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±３％以内とすることを特徴とする上記５）記載の電気抵抗膜付き金属箔の製造方法、を提供する。
６）前記電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±３％以内とすることを特徴とする上記５）記載の電気抵抗膜付き金属箔の製造方法、を提供する。
また、本発明は、
７）電解による粗化処理後、さらに被せめっきを行うことを特徴とする上記５）又は６）記載の電気抵抗膜付き金属箔の製造方法、を提供する。
７）電解による粗化処理後、さらに被せめっきを行うことを特徴とする上記５）又は６）記載の電気抵抗膜付き金属箔の製造方法、を提供する。
電気抵抗膜は、回路設計に応じて任意に決定されるものである。すなわち、電気抵抗材料の種類と膜厚の選択は、抵抗素子の機能を考慮して決定されるものであり、特に制限はない。
電気抵抗素子の材料として用いられる例としては、例えばバナジウム、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、タンタル、ニッケル、クロム等の材料を挙げることができる。このように電気抵抗が比較的高い金属であれば、それぞれ単独の膜として又は他の元素との合金膜として使用することができる。
電気抵抗素子の材料として用いられる例としては、例えばバナジウム、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、タンタル、ニッケル、クロム等の材料を挙げることができる。このように電気抵抗が比較的高い金属であれば、それぞれ単独の膜として又は他の元素との合金膜として使用することができる。
また、アルミニウム、シリコン、銅、鉄、インジウム、亜鉛、錫等の、比較的電気抵抗の低い材料であっても、それを他の元素と合金化することにより、電気抵抗が高くなる材料であれば、当然使用できる。
例えば、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｒＡｌＳｉ合金等の電気抵抗素子が注目されている材料である。また、上記の元素の酸化物、窒化物、ケイ化物の群から選択された材料酸化物、窒化物、ケイ化物も使用できる。上記の通り、これらの材料の選択は回路設計に応じて任意に選択されるものであり、これらの材料に制限されるものでないことは理解されるべきことである。
例えば、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｒＡｌＳｉ合金等の電気抵抗素子が注目されている材料である。また、上記の元素の酸化物、窒化物、ケイ化物の群から選択された材料酸化物、窒化物、ケイ化物も使用できる。上記の通り、これらの材料の選択は回路設計に応じて任意に選択されるものであり、これらの材料に制限されるものでないことは理解されるべきことである。
この電気抵抗膜の形成に際しては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンビームめっき法などの物理的表面処理方法、熱分解法、気相反応法などの化学的表面処理法、又は電気めっき法、無電解めっき法などの湿式表面処理法を用いて形成することができる。
一般には、電気めっき法が低コストで製造できる利点がある。また、スパッタリング法は、均一な厚みの膜であり、かつ等方性を備えているので、品質の高い抵抗素子を得ることができるという利点がある。
この電気抵抗膜の形成は、膜の用途に応じて形成されるものであり、その場合の付着方法又はめっき方法は、その電気抵抗膜の性質に応じて、適宜選択することが望ましいと言える。
一般には、電気めっき法が低コストで製造できる利点がある。また、スパッタリング法は、均一な厚みの膜であり、かつ等方性を備えているので、品質の高い抵抗素子を得ることができるという利点がある。
この電気抵抗膜の形成は、膜の用途に応じて形成されるものであり、その場合の付着方法又はめっき方法は、その電気抵抗膜の性質に応じて、適宜選択することが望ましいと言える。
本願発明は、このような電気抵抗膜を内蔵した銅箔に伴う欠点である抵抗値変動やばらつきを抑制すると共に、良好な接着力を有する電気抵抗膜を備えた銅箔を得るという優れた効果を有する。
電解銅箔の製造装置の概要をに示す。この装置は、電解液を収容する電解槽の中に、陰極ドラムが設置されている。この陰極ドラム１は電解液中に部分的（ほぼ下半分）に浸漬された状態で回転するようになっている。
この陰極ドラム１の外周下半分を取り囲むように、不溶性アノード（陽極）２が設けられている。この陰極ドラム１とアノード２の間は一定の間隙３があり、この間を電解液が流動するようになっている。の装置には２枚のアノード板が配置されている。
この陰極ドラム１の外周下半分を取り囲むように、不溶性アノード（陽極）２が設けられている。この陰極ドラム１とアノード２の間は一定の間隙３があり、この間を電解液が流動するようになっている。の装置には２枚のアノード板が配置されている。
このでは、下方から電解液が供給され、この電解液は陰極ドラム１とアノード２の間隙３を通り、アノード２の上縁から溢流し、さらにこの電解液は循環するように構成されている。陰極ドラム１とアノード２の間には整流器を介して、両者の間に所定の電圧が維持できるようになっている。
陰極ドラム１が回転するにつれ、電解液から電着した銅は厚みを増大し、ある厚み以上になったところで、この生箔４を剥離し、連続的に巻き取っていく。このようにして製造された生箔は、陰極ドラム１とアノード２の間の距離、供給される電解液の流速あるいは供給する電気量により厚みを調整する。
このような銅箔製造装置によって製造される銅箔は、陰極ドラムと接触する面は鏡面（光沢面）となるが、反対側の面は凸凹のある粗面（マット面）となる。この電解銅箔の厚さは任意に選択できる。通常、５μｍ〜３５μｍの厚さの銅箔を使用することができる。
陰極ドラム１が回転するにつれ、電解液から電着した銅は厚みを増大し、ある厚み以上になったところで、この生箔４を剥離し、連続的に巻き取っていく。このようにして製造された生箔は、陰極ドラム１とアノード２の間の距離、供給される電解液の流速あるいは供給する電気量により厚みを調整する。
このような銅箔製造装置によって製造される銅箔は、陰極ドラムと接触する面は鏡面（光沢面）となるが、反対側の面は凸凹のある粗面（マット面）となる。この電解銅箔の厚さは任意に選択できる。通常、５μｍ〜３５μｍの厚さの銅箔を使用することができる。
このようにして製造した銅箔は、次に表面の酸化物皮膜を取り除く清浄化工程を経て、さらに水による洗浄工程を行う。清浄化工程では、通常、１０〜８０ｇ／Ｌの硫酸水溶液を使用する。
上記においては、電解銅箔の製造について説明したが、圧延銅箔については、溶解及び鋳造したインゴットを、焼鈍及び熱間圧延、さらには冷間圧延を施して必要な厚みの銅箔として製造することができる。圧延銅箔は、いずれも光沢面となっているので、必要に応じて、粗化処理を施す。この粗化処理は、すでに公知の粗化処理を用いることができる。
上記においては、電解銅箔の製造について説明したが、圧延銅箔については、溶解及び鋳造したインゴットを、焼鈍及び熱間圧延、さらには冷間圧延を施して必要な厚みの銅箔として製造することができる。圧延銅箔は、いずれも光沢面となっているので、必要に応じて、粗化処理を施す。この粗化処理は、すでに公知の粗化処理を用いることができる。
粗化処理の一例を示すと、次の通りである。また、この粗化処理は、電解銅箔の光沢面及びマット面（粗面）にも適用できる。粗化めっきした上に、さらにかぶせめっきを施しても良い。
（粗化めっき条件）
Ｃｕイオン濃度：１０〜３０ｇ／Ｌ
硫酸濃度：２０〜１００ｇ／Ｌ
電解液温：２０〜６０°Ｃ
電流密度：５〜８０Ａ／ｄｍ２
処理時間：０．５〜３０秒
（かぶせめっき条件）
Ｃｕイオン濃度：３０〜５０ｇ／Ｌ
硫酸濃度：２０〜１００ｇ／Ｌ
電解液温：２０〜６０°Ｃ
電流密度：５〜８０Ａ／ｄｍ２
処理時間：０．５〜３０秒
（粗化めっき条件）
Ｃｕイオン濃度：１０〜３０ｇ／Ｌ
硫酸濃度：２０〜１００ｇ／Ｌ
電解液温：２０〜６０°Ｃ
電流密度：５〜８０Ａ／ｄｍ２
処理時間：０．５〜３０秒
（かぶせめっき条件）
Ｃｕイオン濃度：３０〜５０ｇ／Ｌ
硫酸濃度：２０〜１００ｇ／Ｌ
電解液温：２０〜６０°Ｃ
電流密度：５〜８０Ａ／ｄｍ２
処理時間：０．５〜３０秒
粗化処理した銅箔の面は、０．２μｍ×０．２μｍ以下の分解能を持ち光干渉式による光学的表面形状測定装置により測定する。後述するように、ＪＩＳ規格の触針式粗さ計やレーザーを用いる光学式形状測定法による表面粗さでは、表面粗さと抵抗値の相関性を得ることができないからである。
この光干渉式光学的表面形状測定機器としては、非接触３次元表面形状粗さ測定システム、品番ＮＴ１１００（ＷＹＫＯオプティカルプロファイラ（分解能：０．２μｍ×０．２μｍ以下）：Ｖｅｅｃｏ社製）を用いることができる。
このシステムの測定方式は、垂直走査型干渉方式（Vertical Scan Interferometory/VSI方式）であり、視野範囲は１２０μｍ×９０μｍ、測定スキャン速度は７．２μｍ／ｓｅｃである。干渉方式は、ミラウ干渉方式（対物レンズ５０倍、内部レンズ１倍）である。
この光干渉式光学的表面形状測定機器としては、非接触３次元表面形状粗さ測定システム、品番ＮＴ１１００（ＷＹＫＯオプティカルプロファイラ（分解能：０．２μｍ×０．２μｍ以下）：Ｖｅｅｃｏ社製）を用いることができる。
このシステムの測定方式は、垂直走査型干渉方式（Vertical Scan Interferometory/VSI方式）であり、視野範囲は１２０μｍ×９０μｍ、測定スキャン速度は７．２μｍ／ｓｅｃである。干渉方式は、ミラウ干渉方式（対物レンズ５０倍、内部レンズ１倍）である。
粗化処理を施した銅箔に、電気抵抗材料からなる層を形成する。この電気抵抗層の例として、例えば、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｒＡｌＳｉ合金等の電気抵抗素子を、代表的に挙げることができる。この電気抵抗材料からなる層は、回路基板設計からくる要求であり、これは任意に選択できる。したがって、特定の材料に限定される必要はない。
電気抵抗材料は、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｒＡｌＳｉ合金等の電気抵抗材料のターゲットを用いて、スパッタリングにより形成することができる。このスパッタリング条件は、特に制限はなく、公知のスパッタリング装置を用いて、任意の電気抵抗材料を形成することができる。
電気抵抗膜は例えば抵抗値を２５．０Ω／ｓｑ〜５０．０Ω／ｓｑ程度のものが通常使われるが、膜の厚みを変えてこの範囲を超える抵抗値としてもよい。
電気抵抗材料は、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＣｒＡｌＳｉ合金等の電気抵抗材料のターゲットを用いて、スパッタリングにより形成することができる。このスパッタリング条件は、特に制限はなく、公知のスパッタリング装置を用いて、任意の電気抵抗材料を形成することができる。
電気抵抗膜は例えば抵抗値を２５．０Ω／ｓｑ〜５０．０Ω／ｓｑ程度のものが通常使われるが、膜の厚みを変えてこの範囲を超える抵抗値としてもよい。
前記ＷＹＫＯオプティカルプロファイラの光学式粗さ計（分解能：０．２μｍ×０．２μｍ以下）による銅箔表面の表面粗さと抵抗値の相関性を示すと、図２のようになる。
この図２から明らかなように、粗化粒子を備えた銅箔の表面粗さＲｚが６．０μｍ〜８．０μｍの範囲で、抵抗値Ｒが２５．０Ω／ｓｑ〜５０．０Ω／ｓｑとなり、表面粗さＲｚの増加と共に、抵抗値Ｒが増加する。さらに、高い相関が認められるため、表面粗さを制御することにより、抵抗値のばらつきを±１０％以内とすることが可能である。
この図２から明らかなように、粗化粒子を備えた銅箔の表面粗さＲｚが６．０μｍ〜８．０μｍの範囲で、抵抗値Ｒが２５．０Ω／ｓｑ〜５０．０Ω／ｓｑとなり、表面粗さＲｚの増加と共に、抵抗値Ｒが増加する。さらに、高い相関が認められるため、表面粗さを制御することにより、抵抗値のばらつきを±１０％以内とすることが可能である。
一方、ＪＩＳ規格の触針式粗さ計による表面粗さと抵抗値の相関性を、参考までに示すと、図３のようになる。
この場合の触針式粗さ測定機器は、Surfcorder Model SE-3C（小阪研究所製）を用いたものである。なお、この触針式粗さ測定機器において、Stylus（触針先端径）：2μmR、Load（荷重）：0.07g、Speed（速度）：0.1mm/min、Measurement Length（測定長さ）：0.8mm、Measurement Direction（測定方向）はTransverse：製箔方向に対し９０°の方向として測定した。
この場合の触針式粗さ測定機器は、Surfcorder Model SE-3C（小阪研究所製）を用いたものである。なお、この触針式粗さ測定機器において、Stylus（触針先端径）：2μmR、Load（荷重）：0.07g、Speed（速度）：0.1mm/min、Measurement Length（測定長さ）：0.8mm、Measurement Direction（測定方向）はTransverse：製箔方向に対し９０°の方向として測定した。
図３に示すように、表面粗さと抵抗値に相関は全くない。この理由としては、表面粗さＲｚとして測定された値が２．４〜３．０μｍであり、同じ試料を光干渉式測定法で測定した値の約半分であるが、これは触針の先端径がμｍレベルであることから、触針の凹部への進入が物理的に制約されると考えられる。その結果、粗化粒子の上半分程度の形状を包絡した測定値しか得られない。
すなわち、この触針式粗さ測定機器では、正確な表面粗さＲｚを測定することはできない。
また、レーザーを用いる凹凸形状測定手法（ピンホール共焦点レーザー法など）でも表面粗さと抵抗値の相関は低く、表面粗さとしては触針法より大きく、光干渉式測定法より小さい値であったことから、粗化処理による樹枝上の粒子が表面にある場合、樹枝に隠れた凹凸までは感知できないものと考えられる。
すなわち、この触針式粗さ測定機器では、正確な表面粗さＲｚを測定することはできない。
また、レーザーを用いる凹凸形状測定手法（ピンホール共焦点レーザー法など）でも表面粗さと抵抗値の相関は低く、表面粗さとしては触針法より大きく、光干渉式測定法より小さい値であったことから、粗化処理による樹枝上の粒子が表面にある場合、樹枝に隠れた凹凸までは感知できないものと考えられる。
本発明の電気抵抗膜付き銅箔は、粗化処理された銅箔面の表面形状を０．２μｍ×０．２μｍ以下の分解能を有する光学干渉式測定機器を用い、その形状データから算出した十点平均粗さＲｚのばらつきを測定するものであり、この十点平均粗さＲｚのばらつきが５％以下、さらには３％以下である銅箔を用いる。そして、その銅箔の粗化面の上に電気抵抗膜を形成し、電気抵抗のばらつきを抑制するものである。
これにより、電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを銅箔の幅方向に１０％以内、さらには、５％以内を達成することが可能であり、これらの特性を備えた電気抵抗膜付き銅箔を提供することが可能となる。
これにより、電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを銅箔の幅方向に１０％以内、さらには、５％以内を達成することが可能であり、これらの特性を備えた電気抵抗膜付き銅箔を提供することが可能となる。
また、銅箔の表面形状の測定を、電気抵抗膜を形成する前に、０．２μｍ×０．２μｍ以下の分解能を持つＷＹＫＯオプティカルプロファイラの光学式粗さ計またはその同等品により測定することができる。
さらに、本願発明においては、箔厚が５〜７０μｍの銅箔、特に５〜３５μｍ銅箔を使用することができる。また、本願発明で電気抵抗層を形成した銅箔は、粗化処理を施した電解銅箔又は圧延銅箔の何れも用いることができる。
さらに、本願発明においては、箔厚が５〜７０μｍの銅箔、特に５〜３５μｍ銅箔を使用することができる。また、本願発明で電気抵抗層を形成した銅箔は、粗化処理を施した電解銅箔又は圧延銅箔の何れも用いることができる。
次に、実施例を説明する。なお、以下の実施例は、本願発明の理解を容易にするためのものであり、これに制限されるものではない。すなわち、本願発明の技術思想に基づく変形、実施態様、他の例は、本願発明に含まれるものである。
（実施例１）
本実施例１においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度４２Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを６．３μｍ、ばらつき±５％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、表１に示す。
本実施例１においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度４２Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを６．３μｍ、ばらつき±５％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、表１に示す。
次に、粗化処理済み電解銅箔を用い、８０％ニッケル（Ｎｉ）と２０％クロム（Ｃｒ）よりなる合金の電気抵抗材料を下記の条件で、前記安定化層上に付着させた。
Ｎｉ／Ｃｒ合金スパッタリング：
６２インチ幅のスパッタリング装置
電力：４５ｋｗ
線速度：３ｆｔ／ｍｉｎ（０．９ｍ／ｍｉｎ）
Ｎｉ／Ｃｒ合金の厚さ：５００Å、
Ｒｚ６．３μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた場合、抵抗材料のシート抵抗値（抵抗値）は２８Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは７％であった。この結果を、表２に示す。
Ｎｉ／Ｃｒ合金スパッタリング：
６２インチ幅のスパッタリング装置
電力：４５ｋｗ
線速度：３ｆｔ／ｍｉｎ（０．９ｍ／ｍｉｎ）
Ｎｉ／Ｃｒ合金の厚さ：５００Å、
Ｒｚ６．３μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた場合、抵抗材料のシート抵抗値（抵抗値）は２８Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは７％であった。この結果を、表２に示す。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．６７ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．６５ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。
なお、半田処理後のピール値については、２６０°Ｃの溶融半田浴中に２０秒間、浸漬した（すなわち加熱処理を受けた状態）後にピール値を測定したもの、すなわち半田処理後のピール値は、この処理（熱影響を受けた）後のピール値を示すものである。これは、耐熱性を評価するためのものである。
なお、半田処理後のピール値については、２６０°Ｃの溶融半田浴中に２０秒間、浸漬した（すなわち加熱処理を受けた状態）後にピール値を測定したもの、すなわち半田処理後のピール値は、この処理（熱影響を受けた）後のピール値を示すものである。これは、耐熱性を評価するためのものである。
（実施例２）
本実施例２においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度４９Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを６．７μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、同様に表１に示す。
本実施例２においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度４９Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを６．７μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、同様に表１に示す。
次に、実施例１と同様の電気抵抗材料を、同様の条件で、前記安定化層上に付着させた。この結果、Ｒｚ６．７μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた本実施例２の場合、抵抗材料のシート抵抗値（抵抗値）は３２Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは６％であった。この結果を、表２に示す。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．８４ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．８０ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．８４ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．８０ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
（実施例３）
本実施例３においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度５５Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを７．２μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、同様に表１に示す。
本実施例３においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度５５Ａ／ｄｍ２で３秒間粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを７．２μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。この結果を、同様に表１に示す。
次に、実施例１と同様の電気抵抗材料を、同様の条件で、前記安定化層上に付着させた。この結果、Ｒｚ７．２μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた本実施例３の場合、抵抗材料のシート抵抗値（抵抗値）は３８Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは５％であった。この結果を、表２に示す。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は１．０６ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．９９ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は１．０６ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．９９ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
（実施例４）
本実施例４においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度６３Ａ／ｄｍ２で粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを７．９μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。
本実施例４においては、厚さ１８μｍ電解銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面（マット面）側に粗化処理を施した。そして、上記の粗化めっき条件で電流密度６３Ａ／ｄｍ２で粗化処理を行った。
温度、搬送速度、電解液の状態などによる表面粗さの変動を処理時間により制御し、十点平均粗さＲｚを７．９μｍ、ばらつき±４％となる粗化処理済み電解銅箔を作成した。
次に、実施例１と同様の電気抵抗材料を、同様の条件で、前記安定化層上に付着させた。この結果、Ｒｚ７．９μｍの粗化処理済み電解銅箔を用いた本実施例４の場合、抵抗材料のシート抵抗値（抵抗値）は４６Ω／ｓｑ（スクエア）、ばらつきは５％であった。この結果を、表２に示す。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は１．１７ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は１．０９ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
以上で作成された電気抵抗膜付き銅箔をポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は１．１７ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は１．０９ｋＮ／ｍであった。この結果を、表１に示す。なお、半田処理後のピール値については、実施例１と同様の条件で評価したものである。
（比較例１）
実施例１と同じ従来型の触針式粗さ計で２．７μｍである１８μｍ電解銅箔上に電気抵抗層を形成し、ポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．２９ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．２７ｋＮ／ｍとなり、実施例１〜４に比べ非常に悪い結果となった。
この比較例１について、光学式粗さ計で表面粗さを測定したところ、表１に示すようにＲｚは５．１μｍと小さくなった。このことから、表面粗さが小さいことが、常態ピール値と半田処理後のピール値（耐熱ピール値）の低下になったと考えられる。
実施例１と同じ従来型の触針式粗さ計で２．７μｍである１８μｍ電解銅箔上に電気抵抗層を形成し、ポリイミド樹脂基板に接着したところ、常態ピール値は０．２９ｋＮ／ｍ、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．２７ｋＮ／ｍとなり、実施例１〜４に比べ非常に悪い結果となった。
この比較例１について、光学式粗さ計で表面粗さを測定したところ、表１に示すようにＲｚは５．１μｍと小さくなった。このことから、表面粗さが小さいことが、常態ピール値と半田処理後のピール値（耐熱ピール値）の低下になったと考えられる。
また、実施例１から４の箔について接触式の粗さ計を用いて表面粗さを測定した。その結果は、図３に示すように、接触式粗さのＲｚと抵抗値の間には相関性が認められず、表面粗さデータに基づく抵抗値の把握は困難であった。
このことから、従来型の触針式粗さ計では、Ｒｚと抵抗値の相関を得ることができず、最適な条件を見出すことができないことが分かった。
このことから、従来型の触針式粗さ計では、Ｒｚと抵抗値の相関を得ることができず、最適な条件を見出すことができないことが分かった。
以上の結果、本実施例では、いずれも常態ピール値は０．６７ｋｇ／ｃｍ以上、半田処理後のピール値（耐熱ピール値）は０．６５ｋｇ／ｃｍ以上となり、優れた接着性を確保した上で、電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±１０％以内とすることができた。これらは、いずれも本願発明の条件に合致し、良好な性質を有するものであった。
電気抵抗膜を内蔵した銅箔に伴う欠点である抵抗値変動やばらつきを抑制すると共に、良好な接着力を有する電気抵抗膜を備えた銅箔を得るという優れた効果を有する。
本発明の電気抵抗膜を内蔵した銅箔を使用することにより、回路設計の際に、新たに電気抵抗素子を単独に形成する必要がなく、銅箔に形成された電気抵抗膜を、塩化第二銅等のエッチング溶液を用いて、抵抗素子を露出させるだけでよいので、半田接合が不要となるか又は大きく軽減され、実装工程が著しく簡素化されるという効果を有する。
また、実装部品や半田数が低減される結果、スペースが拡張でき小型軽量になるという利点もある。これによって回路設計の自由度を向上させることができる。また、このように銅箔に抵抗体が内蔵されることにより、高周波領域での信号特性が改善される効果を備えているのでプリント回路基板として有用である。
本発明の電気抵抗膜を内蔵した銅箔を使用することにより、回路設計の際に、新たに電気抵抗素子を単独に形成する必要がなく、銅箔に形成された電気抵抗膜を、塩化第二銅等のエッチング溶液を用いて、抵抗素子を露出させるだけでよいので、半田接合が不要となるか又は大きく軽減され、実装工程が著しく簡素化されるという効果を有する。
また、実装部品や半田数が低減される結果、スペースが拡張でき小型軽量になるという利点もある。これによって回路設計の自由度を向上させることができる。また、このように銅箔に抵抗体が内蔵されることにより、高周波領域での信号特性が改善される効果を備えているのでプリント回路基板として有用である。
Claims (7)
- 少なくとも一方の面の表面粗さを十点平均粗さＲｚ６．０μｍ〜８．０μｍとし、その面に電気抵抗膜を形成した銅又は銅合金からなる金属箔であって、該電気抵抗膜のピール強度が０．６０ｋＮ／ｍ以上、抵抗値のばらつきが±５％以内であることを特徴とする電気抵抗膜付き金属箔。
- 電解銅箔又は圧延銅箔の粗化処理を施した面に電気抵抗層を備えていることを特徴とする請求項１に記載の電気抵抗膜付き金属箔。
- 前記電気抵抗膜の抵抗値のばらつきが±３％以内であることを特徴とする請求項１または２記載の電気抵抗膜付き金属箔。
- 金属箔の箔厚が５〜３５μｍであることを特徴とする請求項１〜３記載の電気抵抗膜付き金属箔。
- 電解銅箔又は圧延銅箔からなる銅又は銅合金の金属箔表面に、電解による粗化処理を施して、表面粗さが十点平均粗さＲｚ６．０μｍ〜８．０μｍとした後、この粗化処理面にスパッタリング法、真空蒸着法、イオンビームめっき法による物理的表面処理方法、熱分解法若しくは気相反応法による化学的表面処理法又は電気めっき法若しくは無電解めっき法による湿式表面処理法により電気抵抗膜を形成し、該電気抵抗膜のピール強度を０．６０ｋＮ／ｍ以上とすると共に、該電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±１０％以内とすることを特徴とする電気抵抗膜付き金属箔の製造方法。
- 前記電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±５％以内とすることを特徴とする請求項５記載の電気抵抗膜付き金属箔の製造方法。
- 電解による粗化処理後、さらに被せめっきを行うことを特徴とする請求項５又は６記載の電気抵抗膜付き金属箔の製造方法。
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