JP4460026B2 - 抵抗膜層を備えた銅箔 - Google Patents
抵抗膜層を備えた銅箔 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4460026B2 JP4460026B2 JP2009503343A JP2009503343A JP4460026B2 JP 4460026 B2 JP4460026 B2 JP 4460026B2 JP 2009503343 A JP2009503343 A JP 2009503343A JP 2009503343 A JP2009503343 A JP 2009503343A JP 4460026 B2 JP4460026 B2 JP 4460026B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper foil
- layer
- copper
- zinc
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 112
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims description 107
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 42
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 41
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 26
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 26
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 21
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 21
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 5
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910001430 chromium ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCBRSDRBJKLFK-UHFFFAOYSA-N zinc chromium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cr+3].[O-2].[Zn+2] ADCBRSDRBJKLFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JQOAZIZLIIOXEW-UHFFFAOYSA-N zinc;chromium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Cr+3].[Cr+3].[Zn+2] JQOAZIZLIIOXEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N chromium(6+) Chemical compound [Cr+6] JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005246 galvanizing Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/32—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer
- C23C28/321—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer with at least one metal alloy layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
- C23C28/345—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates with at least one oxide layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
- C23C28/345—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates with at least one oxide layer
- C23C28/3455—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates with at least one oxide layer with a refractory ceramic layer, e.g. refractory metal oxide, ZrO2, rare earth oxides or a thermal barrier system comprising at least one refractory oxide layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/04—Wires; Strips; Foils
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/167—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed resistors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/58—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of copper
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0355—Metal foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0361—Stripping a part of an upper metal layer to expose a lower metal layer, e.g. by etching or using a laser
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/0723—Electroplating, e.g. finish plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
したがって、抵抗の基板内蔵化により、従来のようにチップ抵抗素子を、半田接合法を用いて基板上に表面実装する手法しかなかったものに比べ、限られた基板の表面積を有効に利用することが可能となる。
これらの抵抗材料に用いるベースとなる銅箔は、その上に更に抵抗層を形成することを前提に表面処理を施されており、一般のプリント基板配線用とは通常異なるが、粗化により樹脂との接着強度を確保している点は同様である。
一方、高性能化し続けるプリント回路基板として求められている、更なる微小抵抗回路の形成や、高周波特性の改善の要求により、抵抗材料の表面粗さを抑えることが求められている。その実現の為には、表面粗さに頼らない接着強度の向上が不可欠となる。
この知見に基づき、本発明は
1)銅箔の粗化面又は光沢面に、単位面積当りの亜鉛含有量が1000〜9000μg/dm2である銅−亜鉛合金層を備え、この銅−亜鉛合金層の上に、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化ニッケルから選択した少なくとも1成分からなる5Å〜100Åの間の厚さを有する安定化層を形成し、当該安定化層の上に電気抵抗材料からなる膜層を備えている電気抵抗膜層を備えた銅箔、を提供する。
これを改善するために、前記安定化層を形成する前に、単位面積当りの亜鉛含有量が1000〜9000μg/dm2である銅−亜鉛合金層を形成することが有効であることを見出した。銅箔及び銅−亜鉛合金層と安定化層との間、そして電気抵抗膜層との接着力の改善は、ピール強度をもって評価できる。
この安定化層は、上記に述べた通り、その効果に限界はあるが銅箔との密着性も向上させる効果も備えている。
また、アルミニウム、シリコン、銅、鉄、インジウム、亜鉛、錫等の、比較的電気抵抗の低い材料であっても、それを他の元素と合金化することにより、電気抵抗が高くなる材料であれば、当然使用できる。
例えば、NiCr合金、NiCrAlSi合金等の電気抵抗素子が注目されている材料である。また、上記の元素の酸化物、窒化物、ケイ化物の群から選択された材料酸化物、窒化物、ケイ化物も使用できる。上記の通り、これらの材料の選択は回路設計に応じて任意に選択されるものであり、これらの材料に制限されるものでないことは理解されるべきことである。
一般には、電気めっき法が低コストで製造できる利点がある。また、スパッタリング法は、均一な厚みの膜であり、かつ等方性を備えているので、品質の高い抵抗素子を得ることができるという利点がある。
この電気抵抗膜層の形成は、膜の用途に応じて形成されるものであり、その場合の付着方法又はめっき方法は、その電気抵抗膜層の性質に応じて、適宜選択することが望ましいと言える。
2)箔厚が5〜70μmの銅箔、特に5〜35μm銅箔を使用することができる。この銅箔の厚みは、用途に応じて任意に選択できるが、製造条件からくる制約もあり、上記の範囲で製造するのが効率的である。
電解銅箔のマット面に、さらに節(ふし)こぶ状の粒子を付着させる粗化処理を行うこともできる。また、必要に応じて、圧延銅箔への粗化処理も行うこともできる。上記粗化処理によって、Rz0.3〜10.0μmの低プロファイル銅箔又は標準プロファイル等の粗化面を得ることができる。
また、実装部品や半田数が低減される結果、スペースが拡張でき小型軽量になるという利点もある。これによって回路設計の自由度を向上させることができる。また、このように銅箔に抵抗体が内蔵されることにより、高周波領域での信号特性が改善される効果を備えている。
さらに、本願発明は、このような電気抵抗膜層を内蔵した銅箔に伴う欠点である接着力の低下を改善することができ、良好な耐熱性及び耐酸性を備えているという優れた効果を有する。
この陰極ドラム1の外周下半分を取り囲むように、不溶性アノード(陽極)2が設けられている。この陰極ドラム1とアノード2の間は一定の間隙3があり、この間を電解液が流動するようになっている。の装置には2枚のアノード板が配置されている。
陰極ドラム1が回転するにつれ、電解液から電着した銅は厚みを増大し、ある厚み以上になったところで、この生箔4を剥離し、連続的に巻き取っていく。このようにして製造された生箔は、陰極ドラム1とアノード2の間の距離、供給される電解液の流速あるいは供給する電気量により厚みを調整する。
このような銅箔製造装置によって製造される銅箔は、陰極ドラムと接触する面は鏡面(光沢面)となるが、反対側の面は凸凹のある粗面(マット面)となる。この電解銅箔の厚さは任意に選択できる。通常、9μm〜35μmの厚さの銅箔を使用することができる。
上記においては、電解銅箔の製造について説明したが、圧延銅箔については、溶解及び鋳造したインゴットを、焼鈍及び熱間圧延、さらには冷間圧延を施して必要な厚みの銅箔として製造することができる。圧延銅箔は、いずれも光沢面となっているので、必要に応じて、粗化処理を施す。この粗化処理は、すでに公知の粗化処理を用いることができる。
粗化処理の一例を示すと、次の通りである。また、この粗化処理は、電解銅箔の光沢面及びマット面(粗面)にも適用できる。
Cuイオン濃度:10〜30g/L
硫酸濃度:20〜100g/L
電解液温:20〜60°C
電流密度:5〜80A/dm2
処理時間:0.5〜30秒
(亜鉛−銅合金めっき浴組成と処理条件)
浴組成
CuCN:60〜120g/L
Zn(CN)2:1〜10g/L
NaOH:40〜100g/L
Na(CN):10〜30g/L
pH:10〜13
浴温:60〜80°C
電流密度:100〜10000A/dm2
処理時間:2〜60秒
したがって、銅上に亜鉛めっきを行って、それを加熱拡散させて銅−亜鉛合金層を形成しても良い。また、一般にプレス工程で熱がかかるので、亜鉛めっきが形成されていれば、加熱拡散により銅−亜鉛合金層が形成されるので、それを利用しても良い。好適な亜鉛めっきの例を下記に示す。
浴組成
ZnSO4・7H2O:50〜350g/L
pH:2.5〜4.5
浴温:40〜60°C
電流密度:5〜40A/m2
処理時間:1〜30秒
一つの実施形態として、亜鉛イオンとクロムイオンとを含む電解溶液を用いて被覆層を形成することができる。電解溶液中の亜鉛イオン源としては、例えば、ZnSO4 ,ZnCO3 ,ZnCrO4 などを用いることができる。電解溶液中のクロムイオン源としては、6価クロムの塩または化合物、例えば、ZnCrO4 ,CrO3 などを用いることができる。
ニッケルイオンの電解溶液中の濃度は、0.2g/L〜1.2g/Lとするのが好適である。さらに米国特許5、908、544号に記載されているリンを含むような安定化層を使用することもできる。なお、これらの条件は、あくまで酸化亜鉛、酸化クロム、酸化ニッケルから選択した少なくとも1成分からなる5Å〜100Åの間の厚さを有する安定化層を効率的に形成するための条件であり、必要に応じて、上記の条件の範囲外とすることも可能である。
電解溶液の温度は、20°C〜100°C、好ましくは25°C〜45°C、さらに好ましくは26°C〜44°Cとするのが好適である。
好適なめっき時間は、1から〜30秒、好ましくは5〜20秒、さらに好ましくは約15秒である。ある実施形態では、合計処理時間は光沢側すなわち平滑側上では約3から約10秒であり、光沢のない側の上では約1から約5秒である。
以上述べてきた実施形態においては、安定化層は酸化クロムと酸化亜鉛で構成しているが、安定化層を酸化クロムのみで構成しても良い。
酸化クロム安定化層を適用するための浴の好適な条件は、次の通りである。
1−10g/L Cr O3 溶液
5g/L Cr O3 が好ましい
pH−2
浴の温度:25°C
5−10秒で10−30A/ft2 (108−320A/m2 )
浸漬処理:10秒
上面に安定化層を有する銅箔は、さらに乾燥を行う。実施形態に示すように、強制空気乾燥器を銅箔の上下に配置して、そこから空気を噴出させて銅箔の面を乾燥させる。
安定化層を形成した銅箔に、さらに電気抵抗材料からなる層を形成する。この電気抵抗層の例として、例えば、NiCr合金、NiCrAlSi合金等の電気抵抗素子を挙げることができる。この電気抵抗材料からなる層は、回路基板設計からくる要求であり、これは任意に選択できる。したがって、特定の材料に限定される必要はない。
また、基材(下地材)との密着性を向上させるために、必要に応じ抵抗層の上に各種のシラン処理を実施しても良い。しかし、このシラン処理は任意であり、本願発明はこれに限定されるものではない。
本実施例においては、厚さ18μm電着銅箔を使用した。この電解銅箔の粗面(マット面)側に銅−亜鉛合金層を形成した。
この銅−亜鉛合金層は、次の処理条件で実施し、単位面積当りの亜鉛含有量が約3500μg/dm2(下2桁は四捨五入した)である銅−亜鉛合金層を形成した。被覆量は、処理時間により調節した。
(銅−亜鉛合金めっきの浴組成とめっき条件)
浴組成
CuCN:90g/L
Zn(CN)2:5g/L
NaOH:70g/L
Na(CN):20g/L
浴温:70°C
電流密度:500A/dm2
処理時間:5〜20秒
(安定化処理の浴組成と処理条件)
浴組成
ZnSO4としての亜鉛 0.53g/L
CrO3としてのクロム 0.6g/L
Na2SO411g/L
浴のpH:5.0
浴の温度:42°C
電流密度:85−160A/m2
めっき時間:3−4秒
Ni/Cr合金スパッタリング:
14インチのスパッタリング装置
電力:5−8kw
線速度:1.4−2.2ft/min(0.43−0.67m/min)
Ni/Cr合金の厚さ:約100Å、
なお、この抵抗材料のシート抵抗率は、約160Ω/スクエアであった。
なお、半田処理後のピール値については、260°Cの溶融半田浴中に20秒間、浸漬した(すなわち加熱処理を受けた状態)後にピール値を測定したもの、すなわち半田処理後のピール値は、この処理(熱影響を受けた)後のピール値を示すものである。これは、耐熱性を評価するためのものである。
また、塩酸処理後のピール値については、18wt%塩酸を用い、室温で1時間浸漬した後のピール値を示すものである。すなわち、耐塩酸性を評価するものである。以下、同様である。
次に、良好な特性を示した実施例1の条件を基本とし、単位面積当りの亜鉛含有量を替えた場合(1000〜9000μg/dm2)の、銅−亜鉛合金層を形成した。同様に、2桁以下は四捨五入した。銅−亜鉛合金層の亜鉛含有量以外の処理条件は、実施例1と同様である。被覆量は、処理時間により調節した。この結果を、表1に示す。
なお、比較として、本願発明の条件外の、亜鉛含有量の銅−亜鉛合金層を形成したものを、比較例1及び比較例2として、示した。
これに対して、単位面積当りの亜鉛含有量が増加するにつれ、常態ピール強度と耐熱性は向上するが、逆に耐塩酸性が低下する傾向を示した。逆に、単位面積当りの亜鉛含有量が減少するにつれ、耐塩酸性は向上するが、常態ピール強度と耐熱性が低下する傾向を示した。
比較例1は亜鉛含有量が少ないために、常態ピール強度、耐熱性、耐塩酸性のいずれもが低く、また比較例2は、亜鉛含有量が多過ぎるため常態ピール強度、耐熱性は高いが、耐塩酸性が悪く、いずれも許容できる限界を超えており、実用に適していないことが分かった。このように、銅−亜鉛合金層の存在は、常態ピール強度、耐熱性、耐塩酸性を向上させるためには、極めて有効であることが分かる。
次に、良好な特性を示した実施例1の条件を基本とし、銅箔の厚さを替えた場合の常態ピール強度、耐熱性、耐塩酸性を調べた。銅箔の厚さを替えた以外は、実施例1と同様である。被覆量は、処理時間により調節した。この結果を、表2に示す。
実施例1の場合、電解銅箔の厚さ18μmで実施したが、9μm〜35μmの範囲で替えて実施した場合は、常態ピールは箔厚みに応じて大きく変わった。すなわち銅箔の厚さが増加するにしたがってピール強度が増加した。
しかし、半田処理後のピール値の劣化率及び塩酸処理後のピール劣化率は、それほど大きく変化しなかった。したがって、半田後のピール強度及び塩酸処理後のピール強度は、処理後の劣化率の観点では、銅箔の厚さには大きく影響を受けないことが分かった。この結果を表2に示す。一般的には、銅箔の厚さが増加することにより、ピール強度は増加すると言える。
本実施例においては、厚さ18μm、35μmの電着銅箔を使用すると共に、この電解銅箔の粗面をそのまま使用した場合及び粗化処理した面に、実施例1と同様の条件、すなわち銅−亜鉛合金めっきの浴を用いて、実施例1と同様のめっき条件で、銅−亜鉛合金めっき層を形成した。
なお、上記粗化処理の条件は、次の通りである。
Cuイオン濃度:20g/L
硫酸濃度:60g/L
電解液温:40°C
電流密度:30A/dm2
処理時間:5秒
さらに、このCr−Zn酸化物の安定化層上に、80%ニッケル(Ni)と20%クロム(Cr)よりなる合金の電気抵抗材料をスパッタリングにより形成した。この条件も実施例1と同様である。
次に、抵抗層の上に、シラン処理(TEOS:Tetraethoxysilane)を施した。この結果を表3に示す。この表3に示すように、常態ピール強度が向上し、シラン処理が有効であることが分かる。
上記実施例1の条件下で、単位面積当りの亜鉛含有量が約3500μg/dm2(下2桁は四捨五入した)である銅−亜鉛合金層を形成し、このCu−Zn合金層上に、Cr−Zn酸化物の安定化層を形成した。
次に、このCr−Zn酸化物の安定化層上に、クロムの抵抗膜をスパッタリングにより形成した。
クロムスパッタリングの条件は、次の通りである。
14インチのスパッタリング装置を使用した。
電力:5−8kw
線速度:1.8−2.8ft/min(0.55−0.85m/min)
クロムの厚さ:100Å、1000Å、1200Å、2000Å、3000Å、4000Åの6種
本実施例13について、常態ピール強度、耐熱性、耐塩酸性を調べたが、実施例1と同様であり、表には示さないが、いずれも良好な性質を示した。以上から、抵抗層の種類及び厚さに無関係に、銅−亜鉛合金層を形成が有効であることが分かった。
上記実施例1の条件下で、単位面積当りの亜鉛含有量が約3500μg/dm2(下2桁は四捨五入した)である銅−亜鉛合金層を形成し、この銅−亜鉛合金層上に、クロム−亜鉛酸化物の安定化層を形成した。
次いで、このクロム−亜鉛酸化物の安定化層上に、56%ニッケル(Ni)、38%クロム(Cr)およびドーパントとして4%アルミニウム(Al)と2%シリコン(Si)よりなる合金を、下記の条件で付着させた。
Ni/Cr/Al/Si合金スパッタリング:
14インチのスパッタリング装置
電力:0.85−2.3kw
線速度:0.49ft/min(0.15m/min)
シート抵抗率:約90〜300Ω/スクエア
本実施例14〜実施例14−4について、表4に示すシート抵抗の膜を形成した。この時の常態ピール強度、耐熱性、耐塩酸性を調べたが、実施例1と同様であり、表4に示す様に、いずれも良好な性質を示した。以上から、Ni/Cr/Al/Si合金抵抗層とは無関係に、銅−亜鉛合金層を形成が有効であることが分かった。
本実施例では、9μm、12μm、18μm、35μmの圧延銅箔を使用した。この圧延銅箔に次の条件で、粗化処理を施した。
Cuイオン濃度:20g/L
硫酸濃度:60g/L
電解液温:40°C
電流密度:30A/dm2
処理時間:5秒
次に、この粗化処理を施した圧延銅箔に下記の条件で3500μg/dm2のZnめっき層を形成した。亜鉛めっきの厚さは処理時間で調節した。
亜鉛めっき浴組成:
ZnSO4・7H2O:50〜350g/L
pH:3
浴温:50°C
電流密度:20A/m2
処理時間:2〜3秒
この処理層を形成した銅箔を300°Cで加熱処理し、銅−亜鉛の合金層を形成した。このようにして形成された銅−亜鉛合金層の単位面積当りの亜鉛含有量は、約3500μg/dm2(下2桁は四捨五入した)となった。
安定化処理:
ZnSO4としての亜鉛 0.53g/L
CrO3としてのクロム 0.6g/L
Na2SO411g/L
浴のpH:5.0
浴の温度:42°C
電流密度:85−160A/m2
めっき時間:3−4秒
Ni/Cr合金スパッタリング:
14インチのスパッタリング装置
電力:5−8kw
線速度:1.4−2.2ft/min(0.43−0.67m/min)
Ni/Cr合金の厚さ:約100Å、
なお、この抵抗材料のシート抵抗率は、約160Ω/スクエアであった。
また、上記実施例2−11と同様にCu−Zn合金層の厚さを替えた場合の試験を行ったが、同じ結果となった。したがって、電解銅箔及び圧延銅箔は、いずれも単位面積当りの亜鉛含有量が1000〜9000μg/dm2である銅−亜鉛合金層を形成することが接着力の向上(常態ピール強度の増加)と、耐熱性及び耐酸性に有効であることが分かった。
2:不溶性アノード(陽極)
3:間隙
4:生箔
11:原料銅箔(生箔)
12:銅箔
14:銅箔光沢面
20:前処理工程
22:前処理槽
24:下部案内ローラ
26:案内ローラ
30:洗浄槽
32:水洗ノズル
34:水洗槽
40:安定化工程
42:電槽
44:下部案内ローラ
46:案内ローラ(陰極ローラ)
48:陽極
60:乾燥機
62:ヒーター
72:スパッタ装置
76:ターゲット
77:ガス導入管
100:銅−亜鉛工程
Claims (3)
- 銅箔の粗化面又は光沢面に、単位面積当りの亜鉛含有量が1000〜9000μg/dm2である銅−亜鉛合金層を備え、この銅−亜鉛合金層の上に、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化ニッケルから選択した少なくとも1成分からなる5Å〜100Åの間の厚さを有する安定化層を形成し、当該安定化層の上に、バナジウム、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、タンタル、ニッケル、クロムから選択した金属若しくはこれらの合金、アルミニウム、シリコン、銅、鉄、インジウム、亜鉛、錫から選択した元素の合金、又は前記金属又は元素の酸化物、窒化物若しくはケイ化物から選択した電気抵抗材料からなる膜層を備えていることを特徴とする電気抵抗膜層を備えた銅箔。
- 銅箔の箔厚が5〜35μmであることを特徴とする請求項1記載の抵抗膜層を備えた銅箔。
- 電解銅箔のマット面又は圧延銅箔の粗化処理を施した面側に、電気抵抗層を形成することを特徴とする請求項1又は2記載の抵抗膜層を備えた銅箔。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007295117 | 2007-11-14 | ||
JP2007295117 | 2007-11-14 | ||
PCT/JP2008/070006 WO2009063764A1 (ja) | 2007-11-14 | 2008-11-04 | 抵抗膜層を備えた銅箔 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4460026B2 true JP4460026B2 (ja) | 2010-05-12 |
JPWO2009063764A1 JPWO2009063764A1 (ja) | 2011-03-31 |
Family
ID=40638616
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009503343A Active JP4460026B2 (ja) | 2007-11-14 | 2008-11-04 | 抵抗膜層を備えた銅箔 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4460026B2 (ja) |
KR (2) | KR101188146B1 (ja) |
TW (1) | TWI443226B (ja) |
WO (1) | WO2009063764A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2644753A4 (en) * | 2010-11-22 | 2014-08-06 | Mitsui Mining & Smelting Co | SURFACE-TREATED COPPER FOIL |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012132592A1 (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電気抵抗膜を備えた金属箔及びその製造方法 |
WO2012132593A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電気抵抗層を備えた金属箔及び同金属箔を用いたプリント回路用基板 |
JP5919656B2 (ja) * | 2011-06-14 | 2016-05-18 | 大日本印刷株式会社 | 太陽電池用集電シートの配線パターン形成用の導電性基材 |
EP2722417B1 (en) | 2011-06-14 | 2018-06-27 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Conductive base for forming wiring pattern of collector sheet for solar cells, and method for producing collector sheet for solar cells |
KR102101046B1 (ko) * | 2012-05-22 | 2020-04-14 | 미쓰이금속광업주식회사 | 구리박, 부극 집전체 및 비수계 2차 전지의 부극재 |
JP5742859B2 (ja) * | 2013-01-30 | 2015-07-01 | 日立金属株式会社 | 高速伝送ケーブル用導体、及びその製造方法、並びに高速伝送ケーブル |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5925297A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-09 | 日本電解株式会社 | 印刷回路用銅箔 |
JPH07233497A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Nippon Denkai Kk | 非シアン系銅−亜鉛電気めっき浴、これを用いたプリント配線板用銅箔の表面処理方法及びプリント配線板用銅箔 |
JP3311338B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2002-08-05 | ジーエイ−テック インク(ディービーエイ ゴールド エレクトロニックス インク) | プリント回路板用の、クロムで被覆された銅を形成する方法 |
JP2002319407A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | リチウム二次電池用電極及びリチウム二次電池 |
JP3452557B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2003-09-29 | グールド エレクトロニクス インコーポレイテッド | プリント回路基板で用いられる銅層上に抵抗材料を形成する方法およびシート材料 |
-
2008
- 2008-11-04 JP JP2009503343A patent/JP4460026B2/ja active Active
- 2008-11-04 KR KR1020107001751A patent/KR101188146B1/ko active IP Right Grant
- 2008-11-04 WO PCT/JP2008/070006 patent/WO2009063764A1/ja active Application Filing
- 2008-11-04 KR KR1020127015060A patent/KR20120084784A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-11-10 TW TW097143314A patent/TWI443226B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5925297A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-09 | 日本電解株式会社 | 印刷回路用銅箔 |
JPH07233497A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Nippon Denkai Kk | 非シアン系銅−亜鉛電気めっき浴、これを用いたプリント配線板用銅箔の表面処理方法及びプリント配線板用銅箔 |
JP3311338B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2002-08-05 | ジーエイ−テック インク(ディービーエイ ゴールド エレクトロニックス インク) | プリント回路板用の、クロムで被覆された銅を形成する方法 |
JP3452557B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2003-09-29 | グールド エレクトロニクス インコーポレイテッド | プリント回路基板で用いられる銅層上に抵抗材料を形成する方法およびシート材料 |
JP2002319407A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | リチウム二次電池用電極及びリチウム二次電池 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2644753A4 (en) * | 2010-11-22 | 2014-08-06 | Mitsui Mining & Smelting Co | SURFACE-TREATED COPPER FOIL |
US9138964B2 (en) | 2010-11-22 | 2015-09-22 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd | Surface-treated copper foil |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI443226B (zh) | 2014-07-01 |
KR20120084784A (ko) | 2012-07-30 |
KR101188146B1 (ko) | 2012-10-05 |
TW200927993A (en) | 2009-07-01 |
JPWO2009063764A1 (ja) | 2011-03-31 |
WO2009063764A1 (ja) | 2009-05-22 |
KR20100030654A (ko) | 2010-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4460026B2 (ja) | 抵抗膜層を備えた銅箔 | |
KR100613958B1 (ko) | 표면처리 구리박 및 고주파대응기판 | |
JP3670186B2 (ja) | プリント配線板用表面処理銅箔の製造方法 | |
KR101343667B1 (ko) | 동박 및 그 제조 방법 | |
JP2001177204A (ja) | 表面処理銅箔及びその表面処理銅箔の製造方法 | |
JP5435505B2 (ja) | レプリカ用金属箔及びその製造方法、絶縁基板、配線基板 | |
WO2003102277A1 (fr) | Feuille de cuivre traitee en surface pour substrat dielectrique faible, stratifie cuivre comportant cette feuille et carte a cablage imprime | |
WO2006028207A1 (ja) | プライマー樹脂層を備えたキャリア箔付電解銅箔及びその製造方法 | |
KR20150126008A (ko) | 캐리어 부착 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층판, 프린트 배선판, 전자 기기 및 프린트 배선판의 제조 방법 | |
JP3250994B2 (ja) | 電解銅箔 | |
KR20110117255A (ko) | 전기 저항막 부착 금속박 및 그 제조 방법 | |
KR100755377B1 (ko) | 표면처리 동박의 제조방법 | |
KR100743512B1 (ko) | 표면처리 동박의 제조방법 | |
WO1996025838A1 (fr) | Feuille de cuivre pour circuit imprime multicouche a haute densite | |
JP4217778B2 (ja) | 抵抗層付き導電性基材、抵抗層付き回路基板及び抵抗回路配線板 | |
JP6975845B2 (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板、及びプリント配線板の製造方法 | |
JP2011116074A (ja) | 電気抵抗膜を備えた金属箔及び同金属箔を用いたプリント回路用基板 | |
TWI530390B (zh) | A metal foil having a resistive layer, and a substrate for a printed circuit using the metal foil | |
JP5443157B2 (ja) | 高周波用銅箔及びそれを用いた銅張積層板とその製造方法 | |
JP6329727B2 (ja) | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板、及び、プリント配線板の製造方法 | |
JP2927968B2 (ja) | 高密度多層プリント回路内層用銅箔および該銅箔を内層回路用に用いた高密度多層プリント回路基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100209 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4460026 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140219 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |