JPWO2010071182A1 - 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents

光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2010071182A1
JPWO2010071182A1 JP2010543004A JP2010543004A JPWO2010071182A1 JP WO2010071182 A1 JPWO2010071182 A1 JP WO2010071182A1 JP 2010543004 A JP2010543004 A JP 2010543004A JP 2010543004 A JP2010543004 A JP 2010543004A JP WO2010071182 A1 JPWO2010071182 A1 JP WO2010071182A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alloy
lead frame
optical semiconductor
semiconductor device
silver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010543004A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4763094B2 (ja
Inventor
良聡 小林
良聡 小林
和宏 小関
和宏 小関
伸 菊池
伸 菊池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Original Assignee
THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD. filed Critical THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority to JP2010543004A priority Critical patent/JP4763094B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4763094B2 publication Critical patent/JP4763094B2/ja
Publication of JPWO2010071182A1 publication Critical patent/JPWO2010071182A1/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

基体上に純銀からなる純銀層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、該純銀層の算術平均高さRaが0.001〜0.2μmであって、かつその表面に、耐食性に優れた金属材料からなる平均膜厚0.001μm以上0.2μm以下の皮膜が形成されている、可視光域の反射特性に優れ、かつ耐食性に優れた光半導体装置用リードフレーム。

Description

本発明は、光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法に関する。
光半導体装置用リードフレームは、従来よりLED素子等を光源に利用した各種表示用・照明用光源として広く利用されている。その光半導体装置は、例えば基板にリードフレームを配し、そのリードフレーム上に発光素子をマウントした後、熱、湿気、酸化などによる光源の劣化やその周辺部位の劣化を防止するため、前記光源とその周囲を封止樹脂で封止してなる。
また、その光源直下には、光の反射特性の優れた銀または銀合金の層が形成されているものが多く、例えば特許文献1などには、銀めっき層を反射板付近に形成することが記載されており、特許文献2などにおいては、銀または銀合金皮膜の結晶粒径を0.5μm〜30μmにすることで、反射特性が向上することなどが提示されている。さらに、特許文献2では、銀膜形成後に熱処理を200度以上で30秒以上処理することで、前記結晶粒径の銀膜を製造する方法などが提示されている。
一方、耐食性を向上させる方法として、例えば特許文献3のようにニッケル下地層上にパラジウムを0.005〜0.15μm、最表層にロジウムを0.003〜0.05μm形成するという方法が開示されている。
しかし、特許文献1に記載の技術のように、銀またはその合金皮膜を単純に形成しただけの場合、特に紫外域の波長の低下が大きく、可視光域の約400nm付近から300nm付近の反射率低下が避けられない。
また、特許文献2に記載の技術のように結晶粒径を0.5μm以上に形成すると、確かに可視光域での反射率には若干の改善が見られたが、400nm以下の波長に対しては特許文献1に記載の技術と同じ現象が見られ、紫外域における反射率の低下は避けられなかった。また、熱処理により上記結晶粒径に調整すると、残留酸素の影響により銀が酸化し、逆に反射率が低下してしまい反射率改善に十分な効果が得られないことが推測される。
さらに、特許文献2には、表層銀膜の下地材料の表面粗さについて最大高さRyを0.5μm以上としたものが記載されているが、光の反射現象を構成するのは下地部分の粗度ではなく、最表層近傍の粗度が影響を与える。このため、基体や下地めっきの上に反射層を構成するめっきや蒸着などで銀膜が形成されるので、下地の粗さを規定しても意味をなさない可能性がある。また、Ryでは粗さの最大値と最小値の差を意味し、表面のある特定の箇所のみの凹凸、例えば線状に形成された傷などの微小部の数値を意味してしまう可能が高く、反射に依存する全体的な範囲の粗度を示すものではないことから、反射層の特性を示すパラメータとして適していない場合がある。
さらに、これらの文献に記載の技術に基づき作製したリードフレームをLEDに用いて使用したところ、経時的に輝度の低下が見られた。調査の結果、封止された樹脂に微量ながら硫黄成分が含有されており、これがリードフレーム表面の銀を硫化したことにより、銀が黒色に変色して輝度を低下させていたことが分かった。また、純銀にはマイグレーションが発生しやすい。
また、特許文献3に記載のリードフレームでは、光半導体装置に重要な反射特性を、特に重要な可視光域を含む、例えば波長400〜800nmの反射率をロジウムでは銀よりも20%以上低下させてしまうため、単純にロジウムを薄く被覆しただけでは青色系や白色系の光半導体装置には反射率の要求特性を満たせていなかった。
特開昭61−148883号公報 特開2008−016674号公報 特開2005−129970号公報
本発明は、光の波長が紫外域の300nmから近赤外域の800nmにおける反射特性の良好なリードフレームであって、さらには放熱性、耐食性(特に硫化腐食に対する耐食性)、反射率の長期安定性に優れたリードフレームおよびその製造方法を提供することである。
上記問題に鑑み誠意検討を進めた結果、0.2μm以下の厚さの金属層であれば、紫外域から近赤外域までの波長範囲の光の反射率が多かれ少なかれ下層の金属の影響を受けることがわかった。また、耐食性をより向上させるには、反射層を形成する純銀層の表面における算術平均高さRaが0.001〜0.2μmの範囲で制御すると、前記耐食性皮膜が純銀層を露出させることなく形成することができることがわかった。これらの結果、基体上に純銀からなる純銀層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、該純銀層の算術平均高さRaが0.001〜0.2μmであって、かつその表面に、0.001〜0.2μmの耐食性に優れた金属層を設けることで、純銀層の高い反射率特性の効果を保持しつつ、かつ硫化腐食に対する耐食性に優れることによる反射率の長期安定性に優れた光半導体用リードフレームを提供できるという知見を得た。
すなわち、本発明は、
(1)基体上に純銀からなる純銀層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、該純銀層の算術平均高さRaが0.001〜0.2μmであって、かつその表面に、硫化腐食に対する耐食性に優れた金属材料からなる平均膜厚0.001μm以上0.2μm以下の皮膜が形成されていることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム、
(2)前記基体は、銅、銅合金、アルミニウム、およびアルミニウム合金からなる群から選ばれた金属または合金からなることを特徴とする(1)項記載の光半導体装置用リードフレーム、
(3)前記基体および前記純銀層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、およびまたは銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層が少なくとも1層形成されていることを特徴とする(1)または(2)項記載の光半導体装置用リードフレーム、
(4)前記純銀層の厚さが0.2〜5.0μmであることを特徴とする(1)〜(3)のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレーム、
(5)前記皮膜を形成する金属材料が、金、金合金、銀合金、白金、白金合金、ロジウム、ロジウム合金、インジウム、およびインジウム合金からなる群から選ばれた金属または合金であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレーム、
(6)前記皮膜を形成する金属材料が、銀−銅合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、および銀−金合金、からなる群から選ばれた銀合金であることを特徴とする(1)〜(5)のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレーム、
(7)(1)〜(6)のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法であって、前記純銀層および前記皮膜が電気めっき法により形成されることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法、および、
(8)(3)〜(6)のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法であって、前記純銀層、前記中間層および前記皮膜が電気めっき法により形成されることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法
を提供するものである。
本発明の光半導体装置用リードフレームは、純銀層が形成された光半導体用リードフレームにおいて、該純銀層の表面における算術平均高さRaが0.001〜0.2μmの範囲であって、かつその表層に、耐食性に優れた金属層を0.001μm以上0.2μm以下の厚さ(平均膜厚)で形成することで、銀の優れた反射特性を生かしつつ耐食性(特に硫化腐食に対する耐食性)も向上でき、マイグレーションの防止もできる。さらには、銀では400nm以下の紫外域での反射率低下が回避できないため、特に300nmの紫外域の反射率が数%程度であったものが、銀以外の金属またはその合金で薄く覆うことによって反射率が数十%レベルにまで向上でき、紫外から近赤外域までをカバーする幅広く反射特性の良好な光半導体装置のリードフレームとして利用できるものである。
また、本発明の製造方法は、LED・フォトカプラ・フォトインタラプタなどに使用される光半導体装置用リードフレームとして好適な、光の波長が紫外域の300nmから近赤外域の800nmにおける反射特性の良好で、さらには放熱性、耐食性(特に硫化腐食に対する耐食性)、反射率の長期安定性に優れたリードフレームを製造することができる。
本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
図1は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの一実施態様の概略断面図である。 図2は、基体の上層に純銀層2が形成され、その上層に最表層となる皮膜3が形成されている部分の模式的な拡大断面図である。 図3は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの別の実施態様の概略断面図である。 図4は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームのさらに別の実施態様の概略断面図である。 図5は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームのさらに別の実施態様の概略断面図である。 図6は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームのさらに別の実施態様の概略断面図である。 図7は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームのさらに別の実施態様の概略断面図である。 図8は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームのさらに別の実施態様の概略断面図である。
図1は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの一実施態様の概略断面図である。ただし、図1では、リードフレームに光半導体チップ4が搭載されている状態で示されている(以下の図3〜8でも同様)。
図1に示すように、本実施態様のリードフレームは、基体1上に純銀からなる純銀層2が形成され、その純銀層2の表層に、耐食性に優れた金属材料からなる皮膜3が形成されている。本発明において、純銀層2の算術平均高さRaは0.001〜0.2μmで形成されており、皮膜3の厚さは0.001μm以上0.2μm以下である。本発明のリードフレームは、可視光域の反射特性に優れ、かつ耐食性(特に硫化腐食に対する耐食性)および耐マイグレーション性に優れた光半導体装置用リードフレームとなる。
基体1は、例えば、銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、鉄または鉄合金などを用いることができ、好ましくは銅、銅合金、アルミニウム、およびアルミニウム合金からなる群から選ばれた金属または合金である。
基体1を銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金とすることで、皮膜を形成するのが容易であり、コストダウンにも寄与できるリードフレームが提供できる。また、これらリードフレームは導電率が良好であることと関連した特性である熱伝達率が良いことから放熱特性に優れており、発光体が発光する際に発生する熱エネルギーを、リードフレームを介してスムーズに外部に放出することができ、発光素子の長寿命化及び長期にわたる反射特性の安定化が見込まれる。
また、本発明において「反射特性が良好」とは反射率が波長300〜400nmにおいて30%以上、かつ波長400〜800nmにおいて70%以上を示すことを意味する。
純銀層2の厚さは、好ましくは0.2〜5.0μm、さらに好ましくは0.5〜4.0μm、より好ましくは1.0〜3.0μmである。純銀層の厚さが薄すぎると反射率に寄与する厚さが十分ではない場合があり、一方厚すぎても効果が飽和しているため、コスト高になる。純銀層2の被覆厚を上記範囲内とすることで、必要以上の貴金属を使用することなく安価に製造できる。純銀層を形成する銀の濃度(純度)は95質量%以上が好ましく、98質量%以上がさらに好ましい。
図2は、基体1の上層に純銀層2が形成され、その上層に最表層となる皮膜3が形成されている部分の模式的な拡大断面図である。図示されるように、純銀層2の表面は凹凸形状を有しており、表面の粗さを示す指数である算術平均高さRaが好ましくは0.001〜0.2μm、さらに好ましくは、0.01〜0.15μm、より好ましくは0.05〜0.15μmである。なお、前記算術平均高さRaは日本工業規格(JIS)の表面粗さ−定義及び表示(B0601−2001)に従って測定した値である。
純銀層2の算術平均高さRaを上記範囲内とすることで、最表層に形成される耐食性(特に硫化腐食に対する耐食性)に優れた金属材料からなる皮膜3が緻密に形成できる。このため、皮膜3を形成された際に発生しやすいピンホールや非被覆部が形成されるのを防ぐ効果があるので、種々の要因による耐食性に優れた皮膜が形成される。また、Raが大きすぎる場合は、表層の凹凸によりその後のチップ搭載工程やボンディング工程に不具合が生じやすくなり、また最表層となる皮膜3によって純銀層2の表層を安定してかつ均一に覆うことができず、純銀層2の露出部分を形成してしまう可能性が高くなる。その結果、光半導体用リードフレームとして使用している最中に、純銀層2が主に硫黄成分によって硫化変色し、反射率が低下してしまう。これを改善するためには、耐食性を付与するために最表層厚がより厚く必要となるためコスト高になり好ましくない。
なお、Raの制御方法としては、純銀めっき液への添加剤やめっき時の電流密度により適宜調整可能である。
上記のように純銀層2の硫化による変色(腐食)を防止できる金属材料からなる皮膜3を基体1上の最表層に形成することで、純銀層2の銀の長期信頼性を確保する。また、皮膜3の厚さ(平均膜厚:皮膜の任意の10点で測定した厚さの算術平均値)は、0.001μm以上0.2μm以下とする。最表層の厚みが薄すぎると十分な耐食性効果が得られず、逆に厚すぎると、光が反射に寄与する銀の反射率を生かせなくなってしまうため、反射率が全体域にわたって急激に低下してしまう。実質的に反射率が低下し始めるのは、算術平均高さの影響も考慮すると、皮膜3の平均膜厚が0.1μm程度より厚い場合であるが、0.2μmまでの厚さであれば下層(純銀層2)の銀の反射率が十分活かせる厚さであり、0.2μmを超えて被覆されると、急激に反射率が低下する臨界点のような挙動を示す。このため、本発明においては、0.001〜0.2μmの被覆厚で緻密に均一に被覆することがより重要となる。皮膜3の厚さは、純銀層2による反射率を高い状態に保つため0.005〜0.1μmが好ましく、0.005〜0.05μmがさらに好ましい。
最表層となる耐食性に優れた金属材料からなる皮膜は、好ましくは硫黄や炭素、酸素等と反応しにくく、変色が発生しにくいような耐食性を有する金属材料からなる層で、金属材料としては、例えば、金、金合金、銀合金、白金、白金合金、錫、錫合金、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、パラジウム、パラジウム合金、ルテニウム、ルテニウム合金、ロジウム、ロジウム合金、イリジウム、イリジウム合金、インジウムおよびインジウム合金からなる群から選ばれた金属材料が挙げられ、金、金合金、銀合金、白金、白金合金、ロジウム、ロジウム合金、インジウム、およびインジウム合金からなる群から選ばれた金属または合金がさらに好適に用いられる。
また、最表層となる皮膜3を形成する耐食性に優れた金属材料が銀合金である場合、その銀合金としては銀−錫合金、銀−銅合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、銀−ルテニウム合金、銀−金合金、銀−パラジウム合金、銀−ニッケル合金などが好ましく、さらに銀−銅合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、および銀−金合金からなる群から選ばれた銀合金であることが特に好ましい。
銀の反射率をより有効に活用できるのは銀合金であり、比較的に安価に製造できる。特に上記合金が形成するのに比較的容易であり、防錆処理効果が高く反射特性も良好である。
最表層となる皮膜3は上記範囲内の厚さ(平均膜厚)であれば、層数に規定はない。例えばAu層を0.005μm、その上層にPt層を0.005μmというのも可能である。しかしながら、生産性やコストなどを考えると、2層以内であるのが好ましい。
本発明のリードフレームは、光半導体チップ4を搭載し、適宜、外部から光半導体4に対して電力供給されるように外部配線を接続し、光半導体チップ4とその周囲を樹脂でモールドされ光半導体装置を形成する。
皮膜3の形成箇所は、光半導体チップ4が搭載される箇所に少なくとも形成されている必要がある。言い換えると、光半導体チップ4が搭載される場所以外には皮膜3が形成されている必要はない。これは、光半導体チップ4の搭載部にのみ皮膜3を形成することで、反射板として作用する純銀層2の変色が防止できれば反射特性に大きく影響を与えないものであるためであり、例えば樹脂をモールドする箇所は最表層が純銀層3であっても良い。このため、形成される皮膜3は部分的に形成されていてもよく、例えばストライプめっきやスポットめっきなどの部分めっきで形成しても良い。部分的に形成されるリードフレームを製造することは、不要となる部分の金属使用量を削減できるので、環境に易しく省コストな光半導体用リードフレームが提供できる。
また、半導体チップ4としては、LED素子等などの任意の光半導体を用いることができる。
図3は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの別の実施態様の概略断面図であり、図1に示す態様のリードフレームに対し、基体1および純銀層2との間に、中間層5が形成されている。なお、図中、特に言及しない符号については、図1における符号と同じ意味を表す(以下の図においても同様。)。
中間層5は、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなることが好ましい。
純銀層2と基体1との間にニッケルまたはニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金、銅または銅合金からなる中間層5を設けることで、発光素子の発熱によって基体の拡散による反射特性の劣化を防ぎ、反射特性が長期にわたってより信頼性の高いものとなる。
中間層5の厚については、特に限定されるものではないが、プレス性、コスト、生産性、耐熱性を考慮すると、好ましくは0.2〜2μm、さらに好ましくは0.5〜1μmが適当である。層数も特に規定はないが、通常は生産性も考えて1層となる。
図4は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームのさらに別の実施態様の概略断面図であり、光半導体チップ4が搭載される部分にのみ耐食性に優れた金属材料からなる皮膜3が形成されてなる様子を示している。
図5は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームのさらに別の実施態様の概略断面図であり、光半導体チップ4が搭載される部分にのみ耐食性に優れた金属材料からなる皮膜3が形成されており、さらに中間層5が形成されている。
図6は、図3に示す態様と同様の光半導体装置用リードフレームの概略断面図であり、リードフレーム両面に光半導体チップ4を搭載している。この態様のように、片面だけでなく両面を使用して光半導体装置を構成することも可能である。
図7は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームのさらに別の実施態様の概略断面図であり、基体1に凹部を設けてその凹部内側に光半導体チップ4を搭載するものである。この形状のように、本発明の光半導体装置用リードフレームは、凹部を設けて集光性を向上させたようなリードフレーム形状にももちろん適応できる。
図8は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの断面図例であり、基体1に凹部を設けてその凹部内側に光半導体を搭載するものであり、なおかつその凹部にのみ最表層3が形成されている。このように、光半導体の発する光の反射に寄与する部分にのみ最表層を施すことで、反射部のみの耐食性を向上させることにも適宜利用できる。
光半導体装置用リードフレームの製造には任意の方法を用いることができるが、純銀層2、耐食性に優れた金属材料からなる皮膜3、中間層5は電気めっき法により形成することが好ましい。電気めっき法は、クラッド法やスパッタ法に比べ、厚さを容易に調整できる、また、コストも低くなる。
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが本発明はこれに限定されるものではない。「下地層」は上記「中間層」と同義である。
実施例1
厚さ0.3mm、幅50mmの表1に示す基体に下記前処理を行った後、下記電気めっき処理により、表1に示す構成の本発明例1〜39、従来例1および比較例1、2のリードフレームを得た。
各リードフレームの層構成は、本発明例1〜6では基体、純銀層、最表層皮膜の順に形成されたものであり、従来例1は基体、下地層、純銀層の順に形成されたものであり、本発明例7〜39、および比較例1、2では基体、下地層、純銀層、最表層皮膜の順に形成されたものである。また、純銀層は下記Agめっき条件によりすべての例において厚さ1μmで形成されたものであり、最表層皮膜形成前に表面粗度を接触式表面粗さ計(サーフコーダ SE−30H(商品名):(株)小坂研究所製)で測定したところ、算術平均高さRa=0.12μmであった。
また、基体に用いられた材料のうち、「C11000」、「C26800」、「C52100」、「C77000」、および「C19400」は銅または銅合金基体を表し、Cの後の数値はCDA(Copper Development Association)規格による種類を示す。また、「EFTEC−3」は古河電気工業(株)製の銅合金で、CDA規格では「C14410」で示される銅合金である。
また、「A1100」、「A2014」、「A3003」、および「A5052」はアルミニウムまたはアルミニウム合金基体を表し、Aの後の数値はJISによる種類を示す。
また、「SUS304」、および「42アロイ」は鉄合金基体を表し、「SUS304」はJIS規定の当該種のステンレス鋼、「42アロイ」は42%Ni含有鉄合金を表す。
前処理としては、基体のうち、銅基体、銅合金基体、および鉄合金基体については、下記電解脱脂、次いで下記酸洗を行った。また、アルミニウム基体およびアルミニウム合金基体については、下記電解脱脂、次いで下記酸洗、次いで下記亜鉛置換を行った。なお、純銀めっき層を形成する前に銀ストライクめっきを厚さ0.01μmで施した。
前処理条件を下記に示す。
(前処理条件)
[電解脱脂]
脱脂液:NaOH 60g/リットル
脱脂条件:2.5 A/dm、温度60℃、脱脂時間60秒
[酸洗]
酸洗液:10%硫酸
酸洗条件:30秒 浸漬、室温
[亜鉛置換]基体がアルミニウムの時に使用
亜鉛置換液:NaOH 500g/リットル、ZnO 100g/リットル、酒石酸(C) 10g/リットル、FeCl 2g/リットル
処理条件:30秒 浸漬、室温
[Agストライクめっき]被覆厚0.01μm
めっき液:KAg(CN) 5g/リットル、KCN 60g/リットル、
めっき条件:電流密度 2A/dm、めっき時間 4秒、温度 25℃
使用した各めっきのめっき液組成およびめっき条件は下記に示す。
[Agめっき]被覆厚1.0μm
めっき液:AgCN 50g/リットル、KCN 100g/リットル、KCO 30g/リットル
めっき条件:電流密度 1A/dm、温度 30℃、処理時間 96秒
[Niめっき]
めっき液:Ni(SONH・4HO 500g/リットル、NiCl 30g/リットル、HBO 30g/リットル
めっき条件:電流密度 5A/dm、温度 50℃
[Coめっき]
めっき液:Co(SONH・4HO 500g/リットル、CoCl 30g/リットル、HBO 30g/リットル
めっき条件:電流密度 5A/dm、温度 50℃
[Cuめっき]
めっき液:CuSO・5HO 250g/リットル、HSO 50g/リットル、NaCl 0.1g/リットル
めっき条件:電流密度 6A/dm、温度 40℃
[Inめっき]
めっき液:InCl 45 g/リットル、KCN 150g/リットル、KOH 35g/リットル、デキストリン 35g/リットル
めっき条件:電流密度 2A/dm、温度 20℃
[Auめっき]
めっき液:KAu(CN) 14.6g/リットル、C 150g/リットル、K 180g/リットル
めっき条件:電流密度 1A/dm、温度 40℃
[Au−Coめっき]Au−0.3%Co
めっき液:KAu(CN) 14.6g/リットル、C 150g/リットル、K 180g/リットル、EDTA−Co(II) 3g/リットル、ピペラジン 2g/リットル
めっき条件:電流密度 1A/dm、温度 40℃
[Ag−Cu合金めっき]Ag−20%Cu
めっき液:AgCN 2.5g/リットル、CuCN 70g/リットル、KCN 60g/リットル、KCO 20g/リットル
めっき条件:電流密度 0.5A/dm、温度 50℃
[Ag−In合金めっき]Ag−10%In
めっき液:KCN 100g/リットル、NaOH 50g/リットル、AgCN 10g/リットル、InCl 20g/リットル
めっき条件:電流密度 2A/dm、温度 30℃
[Ptめっき]
めっき液:Pt(NO(NH 10g/リットル、NaNO 10g/リットル、NHNO 100g/リットル、NH 50ミリリットル/リットル
めっき条件:電流密度 5A/dm、温度 90℃
[Rhめっき]
めっき液:RHODEX(商品名、日本エレクトロプレイティングエンジニヤース(株)製)
めっき条件:1.3A/dm、温度 50℃
[Snめっき]
めっき液:SnSO 80g/リットル、HSO 80g/リットル
めっき条件:電流密度 2A/dm、温度 30℃
[Ni−P合金めっき]Ni−3%P
めっき液:NiSO 20g/リットル、NaHPO 25g/リットル、C 25g/リットル、C 3g/リットル
めっき条件:無電解めっき、温度 90℃
[Pdめっき]
めっき液:Pd(NHCl 45g/リットル、NHOH 90ミリリットル/リットル、(NHSO 50g/リットル
めっき条件:電流密度 1A/dm、温度 30℃
[Pd−Ni合金めっき]Pd−20%Ni
めっき液:Pd(NHCl 40g/リットル、NiSO 45g/リットル、NHOH 90ミリリットル/リットル、(NHSO 50g/リットル
めっき条件:電流密度 1A/dm、温度 30℃
[Ag−Pd合金めっき]Ag−10%Pd
めっき液:KAg[CN] 20g/リットル、PdCl 25g/リットル、K 60g/リットル、KSCN 150g/リットル
めっき条件:電流密度 0.5A/dm、温度 40℃
[Ruめっき]
めっき液:RuNOCl・5HO 10g/リットル、NHSOH 15g/リットル
めっき条件:電流密度 1A/dm、温度 50℃
得られた、本発明例、比較例、および従来例のリードフレームについて、下記試験および基準により評価を行った。
(1)反射率:分光光度計((株)日立ハイテクノロジーズ製、商品名:U−4100)において、全反射率を300nm〜800nmにかけて連続測定を実施した。このうち、300nm、500nm、および800nmにおける反射率(%)を表2に示す。ここで、波長300nmの反射率が30%以上、波長500nm及び800nmの反射率が70%以上を実用レベルと判断した。
(2)耐食性:硫化試験(JIS H 8502記載)、HS 3ppm、24h後の腐食状態について、レイティングナンバー(RN)評価を実施した。結果を表2に示す。ここで、耐食性が良好なレベルとして、RNが9以上で長期信頼性が良好であると判断した。
(3)放熱性(熱伝導性):基材の導電率がIACS(International Annealed Copper Standard)で10%以上であるものを熱伝導性が高いとして「○」とし、10%未満であるものを熱伝導性が低いとして「×」とし、表2に示した。これは、導電率と熱伝導性はほぼ比例関係にあり、IACSで10%以上の導電率があるものは熱伝導性がよく放熱性も高いと判断される。なお、この評価は参考評価であって、熱伝導性が低いものであっても、実用性を否定するものではない。
Figure 2010071182
Figure 2010071182
なお、表1に示す、下地層厚、最表層厚は平均値(任意の10点の測定値の算術平均)としての厚さである。
表2に示される結果から明らかなように、銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金上に純銀層を設け、その上層に耐食性に優れた金属材料からなる皮膜を本発明で規定する厚さの範囲内で設けることで、反射特性、特に300nmでの反射率が、従来の銀では数%レベルだったものが数十%レベルにまで改善した。このことは、紫外域の反射率向上によりこれらの波長を利用した光半導体に適用できる。また、最表層の皮膜の厚さが厚すぎると、光が純銀層まで到達することができないので最表層の光学特性が強まるため、純銀の可視広域における良好な反射特性を消失してしまい、実用レベルである70%を割ってしまうことが分かる。
放熱特性に関しては、導電率の良好な金属またはその合金をリードフレーム基体として利用すると、鉄または鉄合金(本発明例38、39)などと比較して良好である。なお、本発明例38、39のリードフレームは、放熱性よりも機械的強度が求められる用途に適している。
実施例2
厚さ0.15mm、幅30mmのC19400からなる銅合金上に、下地層としてニッケルめっき層を1.0μm、その上層に純銀層を形成し、最表層としてPtめっき層を表3に示す厚さで形成し、本発明例40〜63および比較例3〜7のリードフレームを得た。それぞれのめっき手順や液組成は実施例1の手順と同様であり、純銀層の形成については光沢銀めっき及び無光沢銀めっきを用いた。また、純銀層のRaおよびめっき厚を調整するに当たり、光沢銀めっきおよび無光沢銀めっきにおいて、電流密度を0.1〜10A/dmの条件で調整した。また、純銀層のRaは実施例1と同様、接触式表面粗さ計(サーフコーダ SE−30H(商品名):(株)小坂研究所製)により測定した。
[光沢Agめっき]
めっき液:AgCN 50g/リットル、KCN 100g/リットル、KCO 30g/リットル、Na 5g/リットル
めっき条件:電流密度 2〜10A/dm、温度 30℃
[無光沢Agめっき]
めっき液:AgCN 50g/リットル、KCN 100g/リットル、KCO 30g/リットル
めっき条件:電流密度 0.1〜5A/dm、温度 30℃
得られた発明例および比較例のリードフレームについて、実施例1と同様に反射率および耐食性を測定した。これらの結果を合わせて表3に示す。
Figure 2010071182
表3に示す結果から明らかなように、Raが本発明で規定する範囲内であれば反射特性も良好で耐食性も優れていることが分かる。しかしながら、Raが大きすぎると、その凹凸分を最表層で覆いきれずに純銀部分が露出し、耐食性が低下したものと考えられる。このため、Raは本発明で規定する範囲内であることが、光半導体リードフレームを搭載する箇所ではより有用である。
本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。
本願は、2008年12月19日に日本国で特許出願された特願2008-324716に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。
1 基体
2 純銀層
3 耐食性に優れた金属材料からなる皮膜
4 光半導体チップ
5 中間層
すなわち、本発明は、
(1)基体上に純銀からなる純銀層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、該純銀層の算術平均高さRaが0.001〜0.2μmであって、かつその表面に、硫化腐食に対する耐食性に優れた金属材料からなる平均膜厚0.001μm以上0.2μm以下であり前記光半導体チップが直接搭載される皮膜が形成されており、前記皮膜を形成する金属材料が、金、金合金、銀合金、白金、白金合金、ロジウム、ロジウム合金、インジウム、およびインジウム合金からなる群から選ばれた金属または合金であることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム、
(2)前記基体は、銅、銅合金、アルミニウム、およびアルミニウム合金からなる群から選ばれた金属または合金からなることを特徴とする(1)項記載の光半導体装置用リードフレーム、
(3)前記基体および前記純銀層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、およびまたは銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層が少なくとも1層形成されていることを特徴とする(1)または(2)項記載の光半導体装置用リードフレーム、
(4)前記純銀層の厚さが0.2〜5.0μmであることを特徴とする(1)〜(3)のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレーム、
)前記皮膜を形成する金属材料が、銀−銅合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、および銀−金合金、からなる群から選ばれた銀合金であることを特徴とする(1)〜()のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレーム、
)(1)〜()のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法であって、前記純銀層および前記皮膜が電気めっき法により形成されることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法、および、
)(3)〜()のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法であって、前記純銀層、前記中間層および前記皮膜が電気めっき法により形成されることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法
を提供するものである。
すなわち、本発明は、
(1)基体上に純銀からなる純銀層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、
該純銀層の算術平均高さRaが0.001〜0.2μmであ、かつその表面に、硫化腐食に対する耐食性に優れた金属材料からなる平均膜厚0.001μm以上0.2μm以下であり前記光半導体チップが直接搭載される皮膜が形成されており、
前記皮膜を形成する金属材料が、金、金合金、銀合金、白金、白金合金、ロジウム、ロジウム合金、インジウム、およびインジウム合金からなる群から選ばれた金属または合金であり、
JIS H 8502に規定する硫化水素ガス濃度3ppm、24時間後のレイティングナンバーが9以上であることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム、
(2)前記基体は、銅、銅合金、アルミニウム、およびアルミニウム合金からなる群から選ばれた金属または合金からなることを特徴とする(1)項記載の光半導体装置用リードフレーム、
(3)前記基体および前記純銀層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、およびまたは銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層が少なくとも1層形成されていることを特徴とする(1)または(2)項記載の光半導体装置用リードフレーム、
(4)前記純銀層の厚さが0.2〜5.0μmであることを特徴とする(1)〜(3)のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレーム、
(5)前記皮膜を形成する金属材料が、銀−銅合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、および銀−金合金、からなる群から選ばれた銀合金であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレーム、
(6)(1)〜(5)のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法であって、前記純銀層および前記皮膜が電気めっき法により形成されることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法、および、
(7)(3)〜(5)のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法であって、前記純銀層、前記中間層および前記皮膜が電気めっき法により形成されることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法
を提供するものである。

Claims (8)

  1. 基体上に純銀からなる純銀層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、該純銀層の算術平均高さRaが0.001〜0.2μmであって、かつその表面に、硫化腐食に対する耐食性に優れた金属材料からなる平均膜厚0.001μm以上0.2μm以下の皮膜が形成されていることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。
  2. 前記基体は、銅、銅合金、アルミニウム、およびアルミニウム合金からなる群から選ばれた金属または合金からなることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置用リードフレーム。
  3. 前記基体および前記純銀層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層が少なくとも1層形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の光半導体装置用リードフレーム。
  4. 前記純銀層の厚さが0.2〜5.0μmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
  5. 前記皮膜を形成する金属材料が、金、金合金、銀合金、白金、白金合金、ロジウム、ロジウム合金、インジウム、およびインジウム合金からなる群から選ばれた金属または合金であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
  6. 前記皮膜を形成する金属材料が、銀−銅合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、および銀−金合金、からなる群から選ばれた銀合金であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
  7. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、前記純銀層および前記皮膜が電気めっき法により形成されることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法。
  8. 請求項3〜6のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、前記純銀層、前記中間層および前記皮膜が電気めっき法により形成されることを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法。
JP2010543004A 2008-12-19 2009-12-17 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4763094B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010543004A JP4763094B2 (ja) 2008-12-19 2009-12-17 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008324716 2008-12-19
JP2008324716 2008-12-19
PCT/JP2009/071064 WO2010071182A1 (ja) 2008-12-19 2009-12-17 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
JP2010543004A JP4763094B2 (ja) 2008-12-19 2009-12-17 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP4763094B2 JP4763094B2 (ja) 2011-08-31
JPWO2010071182A1 true JPWO2010071182A1 (ja) 2012-05-31

Family

ID=42268851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010543004A Expired - Fee Related JP4763094B2 (ja) 2008-12-19 2009-12-17 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP4763094B2 (ja)
KR (1) KR101267718B1 (ja)
CN (1) CN102257647B (ja)
TW (1) TWI465614B (ja)
WO (1) WO2010071182A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015106642A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置用反射膜、並びに、それを備えるリードフレーム、配線基板、ワイヤ、及び発光装置

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106067511A (zh) 2010-03-30 2016-11-02 大日本印刷株式会社 带树脂引线框、半导体装置及其制造方法
JP5839861B2 (ja) * 2010-07-09 2016-01-06 古河電気工業株式会社 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置
CN102403437A (zh) * 2010-09-16 2012-04-04 日立电线株式会社 半导体发光元件搭载用基板以及使用其的半导体发光装置
JP5857355B2 (ja) * 2010-09-16 2016-02-10 Shマテリアル株式会社 半導体発光素子搭載用基板、及びそれを用いた半導体発光装置
JP5896302B2 (ja) 2010-11-02 2016-03-30 大日本印刷株式会社 Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、半導体装置の製造方法、および半導体素子搭載用リードフレーム
JP2012107263A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Kyowa Densen Kk メッキ構造及び被覆方法
JP5736770B2 (ja) * 2010-12-27 2015-06-17 大日本印刷株式会社 Led用基板とその製造方法および半導体装置
JP2012151289A (ja) * 2011-01-19 2012-08-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 光半導体実装用基板、その製造方法、及び光半導体装置
JP5985201B2 (ja) 2012-02-20 2016-09-06 シャープ株式会社 発光装置および照明装置
JP5881501B2 (ja) * 2012-03-29 2016-03-09 株式会社Neomaxマテリアル 発光素子用基板および発光モジュール
CN102709267A (zh) * 2012-05-23 2012-10-03 顺德工业(江苏)有限公司 半导体中的导线架
CN104685108B (zh) * 2012-10-05 2017-09-29 古河电气工业株式会社 银反射膜、光反射构件及光反射构件的制造方法
JP6085536B2 (ja) * 2013-08-05 2017-02-22 株式会社Shカッパープロダクツ 銅条、めっき付銅条、リードフレーム及びledモジュール
CN104022295B (zh) * 2014-05-07 2016-10-19 南通大学 一种直接甲醇燃料电池PdAg/TiO2纳米管电极的制备方法
DE102014111895A1 (de) * 2014-08-20 2016-02-25 Infineon Technologies Ag Metallisierte elektrische Komponente
JP5851000B1 (ja) * 2014-08-22 2016-02-03 株式会社神戸製鋼所 Ledのリードフレーム用銅合金板条
JP6398541B2 (ja) * 2014-09-29 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 リードフレーム及び発光装置
JP6411320B2 (ja) * 2015-12-17 2018-10-24 シャープ株式会社 発光装置および照明装置
JP7011142B2 (ja) * 2016-09-30 2022-01-26 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置用パッケージ及び発光装置の製造方法
EP3618129B1 (en) * 2017-04-27 2023-03-29 KYOCERA Corporation Circuit board and light-emitting device provided with same
JP6744020B1 (ja) * 2019-03-22 2020-08-19 大口マテリアル株式会社 リードフレーム
JP6733941B1 (ja) * 2019-03-22 2020-08-05 大口マテリアル株式会社 半導体素子搭載用基板
JP6741356B1 (ja) * 2019-03-22 2020-08-19 大口マテリアル株式会社 リードフレーム
JP6733940B1 (ja) * 2019-03-22 2020-08-05 大口マテリアル株式会社 リードフレーム
JP6736716B1 (ja) * 2019-03-22 2020-08-05 大口マテリアル株式会社 リードフレーム
JP6736719B1 (ja) * 2019-03-28 2020-08-05 大口マテリアル株式会社 半導体素子搭載用部品、リードフレーム及び半導体素子搭載用基板

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101059361B1 (ko) * 2003-01-16 2011-08-24 파나소닉 주식회사 리드 프레임 및 반도체 발광장치
JP4172770B2 (ja) * 2003-03-26 2008-10-29 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP4480407B2 (ja) * 2004-01-29 2010-06-16 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2006269667A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 光反射膜およびそれを用いた発光ダイオード用パッケージ
JP2006303069A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子搭載用パッケージ
JP5226323B2 (ja) * 2006-01-19 2013-07-03 株式会社東芝 発光モジュールとそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置
JP2008091818A (ja) * 2006-10-05 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法
JP2008192635A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置、リードフレームおよび光半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015106642A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置用反射膜、並びに、それを備えるリードフレーム、配線基板、ワイヤ、及び発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010071182A1 (ja) 2010-06-24
CN102257647A (zh) 2011-11-23
KR101267718B1 (ko) 2013-05-24
JP4763094B2 (ja) 2011-08-31
TWI465614B (zh) 2014-12-21
KR20110100281A (ko) 2011-09-09
TW201030191A (en) 2010-08-16
CN102257647B (zh) 2014-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4763094B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
JP4897981B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、その製造方法および光半導体装置
JP4885309B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法および光半導体装置
WO2010150824A1 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置
KR101718575B1 (ko) 광반도체 장치용 리드 프레임, 광반도체 장치용 리드 프레임의 제조방법, 및 광반도체 장치
JP5089795B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置
JP5578960B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
JP2013125859A (ja) 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置
JP5767521B2 (ja) 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
JP2012151289A (ja) 光半導体実装用基板、その製造方法、及び光半導体装置
JP2011129658A (ja) 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置
JP2014072247A (ja) 長期信頼性を有する高反射率光半導体装置用リードフレーム用基体、それを用いた光半導体装置用リードフレームとその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110323

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20110323

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110524

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110608

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4763094

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees