CN102709267A - 半导体中的导线架 - Google Patents

半导体中的导线架 Download PDF

Info

Publication number
CN102709267A
CN102709267A CN2012101608871A CN201210160887A CN102709267A CN 102709267 A CN102709267 A CN 102709267A CN 2012101608871 A CN2012101608871 A CN 2012101608871A CN 201210160887 A CN201210160887 A CN 201210160887A CN 102709267 A CN102709267 A CN 102709267A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead frame
semiconductor
silver
substrate layer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012101608871A
Other languages
English (en)
Inventor
倪兵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shunde Industry Jiangsu Co Ltd
Original Assignee
Shunde Industry Jiangsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shunde Industry Jiangsu Co Ltd filed Critical Shunde Industry Jiangsu Co Ltd
Priority to CN2012101608871A priority Critical patent/CN102709267A/zh
Publication of CN102709267A publication Critical patent/CN102709267A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明涉及一种半导体中的导线架，包括基材层和设置在基材层上方是银层，基材层的材料为铁镍合金、铜、铁中任选其一，所述的基材层和银层外部包覆有高分子纳米保护膜。本发明适用于半导体。

Description

半导体中的导线架
技术领域
本发明涉及到一种半导体中的导线架。
背景技术
目前所使用的半导体中导线架的剖面图如图3所示，其包括基材层1和设置在基材层1上方是银层2。目前所使用的半导体中导线架的银层2厚度为0.003～0.008mm间才能达到行业标准——晶片推力达到210g和金线拉力达到6g。从而导致银的使用量很大，成本较高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种能减少银的使用量并且同样能达到行业标准的半导体中的导线架。
为解决上述问题，本发明采用的技术方案是：半导体中的导线架，包括基材层和设置在基材层上方是银层，基材层的材料为铁镍合金、铜、铁中任选其一，所述的基材层和银层外部包覆有高分子纳米保护膜。
本发明的有益效果是：上述的半导体中的导线架，其银层厚度只需0.0015～0.003mm，从而能节约大约40％的银的使用量。经检测，上述的半导体中导线架，其晶片推力达到260g、金线拉力达到9.6g，远远超出了行业标准，其性能更加优越。另外，上述的半导体中的导线架的银表面抗硫化能力和抗盐雾能力均得到明显增强和提升，具体表现为：目前所使用的半导体中导线架的银层表面在测试环境中，三小时就会出现硫化现象；而本发明所述的半导体中的导线架，在同样的测试环境中，7天后银层表面才开始硫化变色，包装后保质期达24个月。目前所使用的半导体中导线架正常抗盐雾能力为72小时左右；而本发明所述的半导体中的导线架的抗盐雾能力达到106小时左右。
附图说明
图1是本发明的剖面图；
图2是图1中A-A方向的剖视结构示意图；
图3是背景技术中所述的目前所使用的半导体中的导线架的剖面图；
图中：1、基材层，2、银层，3、高分子纳米保护膜。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明半导体中的导线架作进一步的详细描述。
如图1、图2所示，半导体中的导线架，包括基材层1和设置在基材层1上方是银层2，基材层1的材料为铁镍合金、铜、铁中任选其一，所述的基材层1和银层2外部包覆有高分子纳米保护膜3。
本发明的有益效果是：上述的半导体中的导线架，其银层厚度只需0.0015～0.003mm，从而能节约大约40％的银的使用量。经检测，上述的半导体中导线架，其晶片推力达到260g、金线拉力达到9.6g，远远超出了行业标准，其性能更加优越。另外，上述的半导体中的导线架的银表面抗硫化能力和抗盐雾能力均得到明显增强和提升，具体表现为：目前所使用的半导体中导线架的银层表面在测试环境中，三小时就会出现硫化现象；而本发明所述的半导体中的导线架，在同样的测试环境中，7天后银层表面才开始硫化变色，包装后保质期达24个月。目前所使用的半导体中导线架正常抗盐雾能力为72小时左右；而本发明所述的半导体中的导线架的抗盐雾能力达到106小时左右。
上述的实施例仅例示性说明本发明创造的原理及其功效，以及部分运用的实施例，而非用于限制本发明；应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (1)

1.半导体中的导线架，包括基材层和设置在基材层上方是银层，基材层的材料为铁镍合金、铜、铁中任选其一，其特征在于：所述的基材层和银层外部包覆有高分子纳米保护膜。
CN2012101608871A 2012-05-23 2012-05-23 半导体中的导线架 Pending CN102709267A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012101608871A CN102709267A (zh) 2012-05-23 2012-05-23 半导体中的导线架

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012101608871A CN102709267A (zh) 2012-05-23 2012-05-23 半导体中的导线架

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102709267A true CN102709267A (zh) 2012-10-03

Family

ID=46901926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012101608871A Pending CN102709267A (zh) 2012-05-23 2012-05-23 半导体中的导线架

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102709267A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107154392A (zh) * 2016-03-02 2017-09-12 顺德工业股份有限公司 导线架

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201893333U (zh) * 2010-12-01 2011-07-06 厦门永红科技有限公司 新型集成电路框架结构
JP2011204790A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
CN102257647A (zh) * 2008-12-19 2011-11-23 古河电气工业株式会社 光半导体装置用引线框及其制造方法
CN202549826U (zh) * 2012-05-23 2012-11-21 顺德工业(江苏)有限公司 半导体中的导线架

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102257647A (zh) * 2008-12-19 2011-11-23 古河电气工业株式会社 光半导体装置用引线框及其制造方法
JP2011204790A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
CN201893333U (zh) * 2010-12-01 2011-07-06 厦门永红科技有限公司 新型集成电路框架结构
CN202549826U (zh) * 2012-05-23 2012-11-21 顺德工业(江苏)有限公司 半导体中的导线架

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107154392A (zh) * 2016-03-02 2017-09-12 顺德工业股份有限公司 导线架
CN107154392B (zh) * 2016-03-02 2019-11-26 顺德工业股份有限公司 导线架

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017538162A5 (zh)
MY147995A (en) Bonding wire semiconductor device
WO2010016975A3 (en) Method of passivating and encapsulating cdte and czt segmented detectors
MY160982A (en) Bonding wire for semiconductor device
MY166867A (en) Encapsulation barrier stack
EP1743868A3 (en) Sealed semiconductor device with an inorganic bonding layer and method for manufacturing the semiconductor device
EP2933842A3 (en) Techniques and configurations to impart strain to integrated circuit devices
EP2093811A3 (en) Package structure of compound semiconductor device and fabricating method thereof
MY188068A (en) Solar cell contact structures formed from metal paste
EP2597694A3 (en) Conductive pattern forming method and conductive pattern forming system
EP2682263A3 (en) Tin-plated copper-alloy material for terminal and method for producing the same
JP2017503880A5 (zh)
FR2961011B1 (fr) Materiau nanocomposite et son utilisation en opto-electronique
JP2010171107A5 (ja) 半導体装置
CN208765877U (zh) 一种电容式柔性压力传感器
CN202549826U (zh) 半导体中的导线架
EP2763193A3 (en) Light emitting device
WO2019173277A3 (en) Nanoparticle backside die adhesion layer
CN106601592A (zh) 一种光透半导体材料及其制备方法
JP2015522683A5 (zh)
CN102709267A (zh) 半导体中的导线架
JP2014507538A5 (zh)
CN203013712U (zh) 一种三维芯片的金属键合结构
EP2549542A3 (en) Oxygen getter layer for photovoltaic devices and methods of their manufacture
CN204792774U (zh) 一种带有涂覆层的铜键合丝

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C05 Deemed withdrawal (patent law before 1993)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20121003