JPWO2010032679A1 - ニッケル含有膜形成材料およびニッケル含有膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
[課題] CVD(化学気相成長法)による膜形成において、ニッケル含有膜中に炭素が残存しにくく、かつHFが副生しにくいニッケル含有膜形成材料を提供すること。さらにはニッケル含有膜がニッケルシリサイド膜であるニッケル含有膜形成材料を提供すること。[解決手段] 本発明のニッケル含有膜形成材料は、配位子を4個有するニッケル錯体を少なくとも1種含み、前記配位子の種類が、CO、PF3、PF2(CF3)、PF(CF3)2、P(CF3)3、PF2R1、PFR2R3、PF2NR4R5、P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2およびP(CF3)2CF2CF2P(CF3)2からなる群(ただし、R1〜R5は各々独立に、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基であり、P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2およびP(CF3)2CF2CF2P(CF3)2は、配位子2個分に相当する。)より選ばれる2種以上であることを特徴とする。
Description
本発明は、ニッケル含有膜形成材料およびニッケル含有膜の製造方法に関する。より詳しくは、化学気相成長法(CVD)による膜形成に用いられるニッケル含有膜形成材料および該材料を用いたニッケル含有膜の製造方法に関する。
現在、半導体デバイスにおける技術の進歩は著しく、更なる高速動作を可能とするために、高度化および微細化が急速に行われ、その為の材料開発が盛んに行われている。
配線材料には低抵抗材料が次々に導入され、ゲート電極、ソースまたはドレインの拡散層上へシリサイド膜を形成することにより、更なる低抵抗化が行われている。ここで使われているシリサイド膜として、チタンシリサイド膜またはコバルトシリサイド膜よりも低抵抗なニッケルシリサイド膜の導入が検討されている。
このニッケルシリサイド膜の形成は、これまでスパッタリング法により行われてきた。しかし、スパッタリング法は、半導体素子への物理的な損傷が懸念されると共に、均一な成膜が困難であることなどから、近年、化学気相成長法(以下「CVD」とも記す。)による膜形成が検討されている。
CVDは、膜形成材料を揮発させてガス状態で流し、反応器内で化学反応を利用して、シリコン基板上に膜を堆積させる方法である。CVDは減圧下での成膜により、低温での成膜を行うことが出来るが、用いる膜形成材料の違いにより、成膜する際の条件が大きく異なる。このとき用いる膜形成材料に求められる特性として、高い蒸気圧を有することなどが挙げられる。
これまでに提案されているニッケル含有膜形成材料の中で、高い蒸気圧を有する化合物として、ビス(アルキルシクロペンタジエニル)ニッケル(例えば、特許文献1参照)、シクロペンタジエニルアリルニッケル(例えば、特許文献2参照)、テトラキス(トリフルオロホスフィン)ニッケル(例えば、特許文献3参照)が報告されている。
しかしながら、ビス(アルキルシクロペンタジエニル)ニッケルまたはシクロペンタジエニルアリルニッケルは、配位子であるシクロペンタジエニルの炭素とニッケルとの相互作用が強いために、形成されたニッケル含有膜に炭素が残存しやすいという課題があった。炭素が残存すると、例えば、ニッケル含有膜の抵抗値が増加する傾向がある。
また、テトラキス(トリフルオロホスフィン)ニッケルは、配位子であるトリフルオロホスフィンのリンの非共有電子対とニッケルとの相互作用が弱いために形成されたニッケル含有膜に炭素は残存しにくいが、膜形成時に配位子のP−F結合の開裂によるHFが副生するという課題があった。HFが副生すると、形成されたニッケル含有膜を損傷する傾向がある。
そのため、CVDにより形成したニッケル含有膜に炭素が残存しにくく、かつHFが副生しにくい材料の開発が望まれている。
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものであって、形成されたニッケル含有膜に炭素が残存しにくく、かつHFが副生しにくいニッケル含有膜形成材料を提供することにある。さらには、ニッケル含有膜がニッケル膜またはニッケルシリサイド膜であるニッケル含有膜形成材料を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記ニッケル含有膜形成材料を用いたニッケル含有膜の製造方法を提供することにある。さらには、ニッケル含有膜がニッケル膜またはニッケルシリサイド膜であるニッケル含有膜の製造方法を提供することにある。
本発明者らは上記課題に対する検討を行った結果、特定の配位子が2種以上配位したニッケル錯体を含むニッケル含有膜形成材料を用いれば、CVDにより安定な膜を形成することができるとともに、形成されたニッケル含有膜に炭素が残存しにくいこと、ならびに膜形成時にHFが副生しにくいことを見出した。さらに、前記ニッケル含有膜形成材料がニッケルシリサイド膜形成に適していることを見出した。本発明のニッケル含有膜形成材料は、いまだ報告されていない。
すなわち、本発明は以下に関する。
[1]配位子を4個有するニッケル錯体を少なくとも1種含むニッケル含有膜形成材料であって、前記配位子の種類が、CO、PF3、PF2(CF3)、PF(CF3)2、P(CF3)3、PF2R1、PFR2R3、PF2NR4R5、P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2およびP(CF3)2CF2CF2P(CF3)2からなる群(ただし、R1〜R5は各々独立に、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基であり、P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2およびP(CF3)2CF2CF2P(CF3)2は、配位子2個分に相当する。)より選ばれる2種以上であることを特徴とするニッケル含有膜形成材料。
[2]前記配位子の種類が、COおよびPF3の2種である[1]に記載のニッケル含有膜形成材料。
[3]前記配位子の種類が、COおよびPF2(CF3)の2種である[1]に記載のニッケル含有膜形成材料。
[4]前記配位子の種類が、COおよびPF(CF3)2の2種である[1]に記載のニッケル含有膜形成材料。
[5]前記配位子の種類が、COおよびP(CF3)3の2種である[1]に記載のニッケル含有膜形成材料。
[6]前記配位子の種類が、PF3およびPF2(CF3)の2種である[1]に記載のニッケル含有膜形成材料。
[7]前記配位子の種類が、PF3およびPF2R1(ただし、R1は、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基である。)の2種である[1]に記載のニッケル含有膜形成材料。
[8]前記配位子の種類が、PF3およびPF2NR4R5(ただし、R4およびR5は各々独立に、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基である。)の2種である[1]に記載のニッケル含有膜形成材料。
[9]前記ニッケル錯体が、Ni(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)である[1]に記載のニッケル含有膜形成材料。
[10]前記ニッケル錯体が、Ni(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)である[1]に記載のニッケル含有膜形成材料。
[11]化学気相成長法(CVD)による膜形成に用いられる[1]〜[10]のいずれかに記載のニッケル含有膜形成材料。
[12]ニッケル含有膜が、ニッケル膜またはニッケルシリサイド膜である[1]〜[11] のいずれかに記載のニッケル含有膜形成材料。
[13]前記ニッケルシリサイド膜のSi源が、SiaH2a+2(ただし、aは1〜3の整数である。)またはRbSiH4-b(ただし、bは1〜3の整数であり、Rは炭素数1〜3のアルキル基を表す。)の構造式で示される少なくとも1種のケイ素化合物である[12]に記載のニッケル含有膜形成材料。
[14]前記ケイ素化合物が、シラン、ジシラン、トリシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、エチルシラン、ジエチルシランまたはトリエチルシランである[13]に記載のニッケル含有膜形成材料。
[15] [1]〜[14]のいずれかに記載のニッケル含有膜形成材料を用いて、化学気相成長法(CVD)によりニッケル含有膜を形成することを特徴とするニッケル含有膜の製造方法。
本発明によれば、CVDにより安定なニッケル含有膜を形成することができ、形成されたニッケル含有膜に炭素が残存しにくく、かつ膜形成時にHFが副生しにくい。すなわち、本発明のニッケル含有膜形成材料を用いることで、CVDにより良好なニッケル含有膜、さらには良好なニッケルシリサイド膜を容易に形成することができる。
以下、本発明のニッケル含有膜形成材料について、詳細に説明する。
本発明のニッケル含有膜形成材料は、特定の配位子を4個有するニッケル錯体を少なくとも1種含み、前記配位子の種類が、CO、PF3、PF2(CF3)、PF(CF3)2、P(CF3)3、PF2R1、PFR2R3、PF2NR4R5、P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2およびP(CF3)2CF2CF2P(CF3)2からなる群(ただし、R1〜R5は各々独立に、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基であり、P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2およびP(CF3)2CF2CF2P(CF3)2は、配位子2個分に相当する。)より選ばれる2種以上であることを特徴としている。
前記配位子の種類としては、CO、PF3、PF2(CF3)、PF(CF3)2、P(CF3)3、PF2R1(ただし、R1は、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基である。)、PFR2R3(ただし、R2およびR3は各々独立に、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基である。)、PF2NR4R5(ただし、R4およびR5は各々独立に、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基である。)であることが好ましく、CO、PF3、PF2(CF3)、PF(CF3)2、P(CF3)3、PF2R1(ただし、R1は、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基である。)、PF2NR4R5(ただし、R4およびR5は各々独立に、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基である。)であることがより好ましい。このような配位子であると、ニッケル錯体の蒸気圧が高くなる傾向がある。また、このようなニッケル錯体は、揮発性が高くなるため、膜形成材料を揮発させて行う膜形成方法、例えばCVDに好適に用いることができる。
本発明のニッケル含有膜形成材料は、例えば、前記配位子の種類がCOおよびPF3であるニッケル錯体を含む。該ニッケル錯体の好ましい具体例としては、Ni(CO)3(PF3)、Ni(CO)2(PF3)2またはNi(CO)(PF3)3などが挙げられる。このようなニッケル錯体であると、蒸気圧が高くなる傾向がある。また、このようなニッケル錯体は、揮発性が高くなるため、膜形成材料を揮発させて行う膜形成方法、例えばCVDに好適に用いることができる。
本発明のニッケル含有膜形成材料は、例えば、前記配位子の種類がCOおよびPF2(CF3)であるニッケル錯体を含む。該ニッケル錯体の好ましい具体例としては、Ni(CO)2(PF2(CF3))2またはNi(CO)(PF2(CF3))3などが挙げられる。このようなニッケル錯体であると、蒸気圧が高くなる傾向がある。また、このようなニッケル錯体は、揮発性が高くなるため、膜形成材料を揮発させて行う膜形成方法、例えばCVDに好適に用いることができる。
本発明のニッケル含有膜形成材料は、例えば、前記配位子の種類がCOおよびPF(CF3)2であるニッケル錯体を含む。該ニッケル錯体の好ましい具体例としては、Ni(CO)2(PF(CF3)2)2またはNi(CO)(PF(CF3)2)3などが挙げられる。このようなニッケル錯体であると、蒸気圧が高くなる傾向がある。また、このようなニッケル錯体は、揮発性が高くなるため、膜形成材料を揮発させて行う膜形成方法、例えばCVDに好適に用いることができる。
本発明のニッケル含有膜形成材料は、例えば、前記配位子の種類がCOおよびP(CF3)3であるニッケル錯体を含む。該ニッケル錯体の好ましい具体例としては、Ni(CO)2(P(CF3)3)2またはNi(CO)(P(CF3)3)3などが挙げられる。このようなニッケル錯体であると、蒸気圧が高くなる傾向がある。また、このようなニッケル錯体は、揮発性が高くなるため、膜形成材料を揮発させて行う膜形成方法、例えばCVDに好適に用いることができる。
本発明のニッケル含有膜形成材料は、例えば、Ni(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)を含む。このようなニッケル錯体であると、蒸気圧が高くなる傾向がある。また、このようなニッケル錯体は、揮発性が高くなるため、膜形成材料を揮発させて行う膜形成方法、例えばCVDに好適に用いることができる。
本発明のニッケル含有膜形成材料は、例えば、Ni(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)を含む。このようなニッケル錯体であると、蒸気圧が高くなる傾向がある。また、このようなニッケル錯体は、揮発性が高くなるため、膜形成材料を揮発させて行う膜形成方法、例えばCVDに好適に用いることができる。
本発明のニッケル含有膜形成材料は、例えば、前記配位子の種類がPF3およびPF2(CF3)であるニッケル錯体を含む。該ニッケル錯体の好ましい具体例としては、Ni(PF3)2(PF2(CF3))2またはNi(PF3)3(PF2(CF3))などが挙げられる。このようなニッケル錯体であると、蒸気圧が高くなる傾向がある。また、このようなニッケル錯体は、揮発性が高くなるため、膜形成材料を揮発させて行う膜形成方法、例えばCVDに好適に用いることができる。
本発明のニッケル含有膜形成材料は、例えば、前記配位子の種類がPF3およびPF2R1(ただし、R1は、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基である。)であるニッケル錯体を含む。前記R1はCH3、C2H5、C3H7、C4H9、cyclo-C6H11またはC6H5であることが好ましい。このようなニッケル錯体の具体例としては、Ni(PF3)2(PF2(CH3))2、Ni(PF3)(PF2(CH3))3、Ni(PF3)3(PF2(C2H5))、Ni(PF3)2(PF2(C2H5))2、Ni(PF3)2(PF2(C3H7))2、Ni(PF3)(PF2(C3H7))3、Ni(PF3)3(PF2(cyclo-C6H11))またはNi(PF3)3(PF2(C6H5))が挙げられる。このようなニッケル錯体であると、蒸気圧が高くなる傾向がある。また、このようなニッケル錯体は、揮発性が高くなるため、膜形成材料を揮発させて行う膜形成方法、例えばCVDに好適に用いることができる。
本発明のニッケル含有膜形成材料は、例えば、前記配位子の種類がPF3およびPFR2R3(ただし、R2およびR3は各々独立に、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基を表す。)であるニッケル錯体を含む。R2およびR3は各々独立に、CH3、C2H5、C3H7、C4H9、cyclo-C6H11またはC6H5であることが好ましい。このようなニッケル錯体の具体例としては、Ni(PF3)3(PF(CH3)(C2H5))、Ni(PF3)2(PF(CH3)(C2H5))2、Ni(PF3)(PF(CH3)(C2H5))3等が挙げられる。このようなニッケル錯体であると、蒸気圧が高くなる傾向がある。また、このようなニッケル錯体は、揮発性が高くなるため、膜形成材料を揮発させて行う膜形成方法、例えばCVDに好適に用いることができる。
本発明のニッケル含有膜形成材料は、例えば、前記配位子の種類がPF3およびPF2NR4R5(ただし、R4およびR5は各々独立に、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基である。)であるニッケル錯体を含む。前記R4およびR5は各々独立に、H、CH3、C2H5、C3H7、C4H9、cyclo-C6H11またはC6H5であることが好ましい。このようなニッケル錯体の具体例としては、Ni(PF3)2(PF2NH2)2、Ni(PF3)3(PF2NH(CH3))、Ni(PF3)2(PF2NH(CH3))2、Ni(PF3)(PF2NH(CH3))3、Ni(PF3)3(PF2NH(C2H5))、Ni(PF3)3(PF2NH(C3H7))、Ni(PF3)3(PF2NH(C4H9))またはNi(PF3)3(PF2N(C2H5)2)等が挙げられる。このようなニッケル錯体であると、蒸気圧が高くなる傾向がある。また、このようなニッケル錯体は、揮発性が高くなるため、膜形成材料を揮発させて行う膜形成方法、例えばCVDに好適に用いることができる。
上述したようなニッケル錯体を少なくとも1種含むニッケル含有膜形成材料を用いると、形成されたニッケル含有膜に炭素が残存しにくく、かつ膜形成時にHFが副生しにくい。特にCVDにより安定なニッケル含有膜を容易に形成することができる。
本発明のニッケル含有膜形成材料は、上記の2種以上のニッケル錯体を含むことも可能である。また、本発明のニッケル含有膜形成材料は、ヘリウム、ネオン、アルゴンまたはクリプトンなどの希ガスを含むことも可能である。
本発明のニッケル含有膜形成材料に含有するニッケル錯体の製造方法は、公知の方法によって製造することが可能である。例えば、テトラカルボニルニッケルまたはジシクロペンタジエニルニッケルなどを目的とするニッケル錯体の配位子との配位子交換により製造することが可能である。
また、ニッケル錯体は、必要に応じて公知の方法によって精製することも可能である。精製の方法としては、例えば、蒸留または吸着などが挙げられる。
本発明のニッケル含有膜形成材料は、CVDによる膜形成に用いられることが好ましいが、ニッケル含有膜形成材料の蒸気を利用する成膜方法であればCVDに限定されるものではない。
本発明のニッケル含有膜の製造方法は、上記ニッケル含有膜形成材料を用いて、化学気相成長法(CVD)により膜形成する。
ニッケル含有膜の製造方法としては、Ni源である上記ニッケル錯体を分解する各種のCVDを利用することができる。すなわち、各種のCVDとして、熱的に分解する熱的CVD、熱及び光により分解する光CVD、プラズマで活性化し光分解するプラズマCVD、レーザーで活性化し光分解するレーザー補助CVD、イオンビームで活性化し光分解するイオンビーム補助CVDなどが挙げられる。これらの各種CVDが、ニッケル含有膜の成膜方法として利用できる。
ニッケル含有膜を形成する際の反応圧力としては、0.0013〜101.3kPaが好ましく、より好ましくは0.013〜101.3kPa、さらに好ましくは0.13〜101.3kPaである。また、反応温度としては、50〜800℃が好ましく、さらに好ましくは100〜500℃である。
本発明のニッケル含有膜形成材料を用いて形成したニッケル含有膜としては、ニッケル膜またはニッケルシリサイド膜が好ましい。
ニッケル膜またはニッケルシリサイド膜は、上記ニッケル錯体をNi源として用いることが必須である。また、ニッケルシリサイド膜のSi源としては、好ましくはSiaH2a+2(ただし、aは1〜3の整数である。)またはRbSiH4-b(ただし、bは1〜3の整数であり、Rは炭素数1〜3のアルキル基を表す。)の構造式で示される少なくとも1種のケイ素化合物であり、さらに好ましくは、シラン、ジシラン、トリシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、エチルシラン、ジエチルシラン、トリエチルシランである。このようなケイ素化合物をニッケルシリサイド膜のSi源として用いると、蒸気圧が高くなる傾向がある。
ニッケル膜またはニッケルシリサイド膜の製造方法としては、Ni源である上記ニッケル錯体を分解する各種のCVDを利用することができる。すなわち、各種のCVDとして、熱的に分解する熱的CVD、熱及び光により分解する光CVD、プラズマで活性化し光分解するプラズマCVD、レーザーで活性化し光分解するレーザー補助CVD、イオンビームで活性化し光分解するイオンビーム補助CVDなどが挙げられる。これらの各種CVDが、ニッケル膜またはニッケルシリサイド膜の成膜に利用することができる。また、ニッケルシリサイド膜のSi源である上記ケイ素化合物を分解する場合も同様の方法で各種のCVDを利用することができる。
ニッケル膜またはニッケルシリサイド膜を形成する際の反応圧力としては、0.0013〜101.3kPaが好ましく、より好ましくは0.013〜101.3kPa、さらに好ましくは0.13〜101.3kPaである。また、反応温度としては、50〜800℃が好ましく、さらに好ましくは100〜500℃である。
本発明のニッケル含有膜形成材料を用いて製造するニッケル含有膜は、還元剤の存在下に製造すると、NiまたはSiが還元されやすくなる。還元剤としては、例えば、水素などが挙げられる。
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
[合成例1]
・Ni(CO)3(PF3)の合成
この錯体は、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス製耐圧容器にNi(CO)4 6.5gを入れ、PF3 25gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で2時間加熱した。加熱後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AutomassII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(CO)3(PF3)であることを確認した(2.8g、収率30%)。
・Ni(CO)3(PF3)の合成
この錯体は、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス製耐圧容器にNi(CO)4 6.5gを入れ、PF3 25gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で2時間加熱した。加熱後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AutomassII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(CO)3(PF3)であることを確認した(2.8g、収率30%)。
[合成例2]
・Ni(CO)2(PF3)2の合成
この錯体は、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス製耐圧容器にNi(CO)4 6.5gを入れ、PF3 37gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で2時間加熱した。加熱後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(CO)2(PF3)2であることを確認した(7.5g、収率68%)。
・Ni(CO)2(PF3)2の合成
この錯体は、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス製耐圧容器にNi(CO)4 6.5gを入れ、PF3 37gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で2時間加熱した。加熱後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(CO)2(PF3)2であることを確認した(7.5g、収率68%)。
[合成例3]
・Ni(CO)(PF3)3の合成
この錯体は、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス製耐圧容器にNi(CO)4 6.5gを入れ、PF3 49gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で2時間加熱した。加熱後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(CO)(PF3)3であることを確認した(7.8g、収率58%)。
・Ni(CO)(PF3)3の合成
この錯体は、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス製耐圧容器にNi(CO)4 6.5gを入れ、PF3 49gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で2時間加熱した。加熱後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(CO)(PF3)3であることを確認した(7.8g、収率58%)。
[合成例4]
・Ni(CO)(PF2(CF3))3の合成
この錯体は、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス製耐圧容器にNi(CO)4 6.5gを入れ、PF2(CF3) 58gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で3時間加熱した。加熱後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(CO)(PF2(CF3))3であることを確認した(14g、収率35%)。
・Ni(CO)(PF2(CF3))3の合成
この錯体は、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス製耐圧容器にNi(CO)4 6.5gを入れ、PF2(CF3) 58gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で3時間加熱した。加熱後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(CO)(PF2(CF3))3であることを確認した(14g、収率35%)。
[合成例5]
・Ni(CO)2(P(CF3)3)2の合成
この錯体は、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス製耐圧容器にNi(CO)4 6.5gを入れ、P(CF3)3 100gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で3時間加熱した。加熱後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(CO)2(P(CF3)3)2であることを確認した(14g、収率46%)。
・Ni(CO)2(P(CF3)3)2の合成
この錯体は、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス製耐圧容器にNi(CO)4 6.5gを入れ、P(CF3)3 100gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で3時間加熱した。加熱後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(CO)2(P(CF3)3)2であることを確認した(14g、収率46%)。
[合成例6]
・Ni(PF3)2(PF2(CF3))2の合成
この錯体は、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス製耐圧容器にNi(PF2(CF3))4 25gを入れ、PF3 50gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で3週間加熱した。加熱後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(PF3)2(PF2(CF3))2であることを確認した(17g、収率83%)。
・Ni(PF3)2(PF2(CF3))2の合成
この錯体は、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス製耐圧容器にNi(PF2(CF3))4 25gを入れ、PF3 50gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で3週間加熱した。加熱後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(PF3)2(PF2(CF3))2であることを確認した(17g、収率83%)。
[合成例7]
・Ni(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)の合成
この錯体は、Journal of the American Chemical Society vol.85、3522(1963)に記載の方法に準じて合成した。まず、窒素雰囲気下、1000mlフラスコに、脱水乾燥したジエチルエーテル 700mlおよびNi(CO)4 12gを入れ、P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2 26gを加えて、60℃で20時間撹拌した。反応後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)であることを確認した(16g、収率48%)。
・Ni(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)の合成
この錯体は、Journal of the American Chemical Society vol.85、3522(1963)に記載の方法に準じて合成した。まず、窒素雰囲気下、1000mlフラスコに、脱水乾燥したジエチルエーテル 700mlおよびNi(CO)4 12gを入れ、P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2 26gを加えて、60℃で20時間撹拌した。反応後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)であることを確認した(16g、収率48%)。
[合成例8]
・Ni(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)の合成
この錯体は、Journal of the American Chemical Society vol.85、3522(1963)に記載の方法に準じて合成した。まず、窒素雰囲気下、1000mlフラスコに、脱水乾燥したジエチルエーテル 700mlおよびNi(CO)4 12gを入れ、P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2 31gを加えて、60℃で21時間撹拌した。反応後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)であることを確認した(25g、収率65%)。
・Ni(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)の合成
この錯体は、Journal of the American Chemical Society vol.85、3522(1963)に記載の方法に準じて合成した。まず、窒素雰囲気下、1000mlフラスコに、脱水乾燥したジエチルエーテル 700mlおよびNi(CO)4 12gを入れ、P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2 31gを加えて、60℃で21時間撹拌した。反応後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)であることを確認した(25g、収率65%)。
[合成例9]
・Ni(PF3)3(PF2NH(CH3))の合成
この錯体は、Journal of the American Chemical Society vol.93、1130(1971)を参考に配位子合成をした後、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス耐圧容器に、クロロジフルオロホスフィン 8.5gとメチルアミン 5.1gとを導入して密閉した。その後、室温で15分間撹拌した。反応後、反応物を−96℃でトラップし、PF2NH(CH3) 5.2gを得た。得られたPF2NH(CH3)の同定は、FT−IR(サーモエレクトロン製Thermo−Nicolet AVATAR360)およびNMR(JEOL製JNM−AL400)で行った。次に、500mlステンレス製耐圧容器にNi(PF3)4 13gを入れ、PF2NH(CH3) 5.2gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で24時間加熱した。反応後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(PF3)3(PF2NH(CH3))であることを確認した(9.0g、収率69%)。
・Ni(PF3)3(PF2NH(CH3))の合成
この錯体は、Journal of the American Chemical Society vol.93、1130(1971)を参考に配位子合成をした後、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス耐圧容器に、クロロジフルオロホスフィン 8.5gとメチルアミン 5.1gとを導入して密閉した。その後、室温で15分間撹拌した。反応後、反応物を−96℃でトラップし、PF2NH(CH3) 5.2gを得た。得られたPF2NH(CH3)の同定は、FT−IR(サーモエレクトロン製Thermo−Nicolet AVATAR360)およびNMR(JEOL製JNM−AL400)で行った。次に、500mlステンレス製耐圧容器にNi(PF3)4 13gを入れ、PF2NH(CH3) 5.2gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で24時間加熱した。反応後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(PF3)3(PF2NH(CH3))であることを確認した(9.0g、収率69%)。
[合成例10]
・Ni(PF3)3(PF2N(C2H5)2)の合成
この錯体は、Journal of the American Chemical Society vol.93、1130(1971)を参考に配位子合成をした後、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス製耐圧容器に、クロロジフルオロホスフィン 8.5gとジエチルアミン 12gとを導入して密閉した。その後、室温で15分間撹拌した。反応後、反応物を−96℃でトラップし、PF2N(C2H5)2 9.1gを得た。同定は、FT−IR(サーモエレクトロン製Thermo−Nicolet AVATAR360)およびNMR(JEOL製JNM−AL400)で行った。次に、500mlステンレス耐圧容器にNi(PF3)4 16gを入れ、PF2N(C2H5)2 9.1gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で24時間加熱した。反応後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(PF3)3(PF2N(C2H5)2)であることを確認した(13g、収率72%)。
・Ni(PF3)3(PF2N(C2H5)2)の合成
この錯体は、Journal of the American Chemical Society vol.93、1130(1971)を参考に配位子合成をした後、Inorganic Chemistry vol.4、651(1965)に記載の方法に準じて合成した。まず、500mlステンレス製耐圧容器に、クロロジフルオロホスフィン 8.5gとジエチルアミン 12gとを導入して密閉した。その後、室温で15分間撹拌した。反応後、反応物を−96℃でトラップし、PF2N(C2H5)2 9.1gを得た。同定は、FT−IR(サーモエレクトロン製Thermo−Nicolet AVATAR360)およびNMR(JEOL製JNM−AL400)で行った。次に、500mlステンレス耐圧容器にNi(PF3)4 16gを入れ、PF2N(C2H5)2 9.1gを導入して密閉した。その後、容器を100℃で24時間加熱した。反応後、蒸留により無色液体を分取した。分取した無色液体をGC−MS(HP製HP6890/JEOL製JMS−AUTOMASSII)、ICP−AES(SII製VISTA−PRO)および有機元素分析装置(LECO製CHNS−932)により分析したところ、Ni(PF3)3(PF2N(C2H5)2)であることを確認した(13g、収率72%)。
[実施例1]
・Ni(CO)3(PF3)の成膜評価
合成例1で得たNi(CO)3(PF3)について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製 TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、99.5質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
・Ni(CO)3(PF3)の成膜評価
合成例1で得たNi(CO)3(PF3)について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製 TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、99.5質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
[実施例1−1]
・Ni(CO)3(PF3)を用いたニッケルシリサイド膜形成
図1に示したCVD装置を用いて、合成例1で得たNi(CO)3(PF3)の成膜評価を行った。Ni(CO)3(PF3)を原料容器に入れ、その容器を30℃に保持し、キャリアガスとしてヘリウムを10ml/min、Si源としてSiH4とH2との混合ガス(SiH4:H2=(1:9)(容量比))を20ml/minの流量で流し、反応容器に導入した。このとき、系内は20kPaに減圧され、反応容器内の基板温度は150〜350℃であった。
・Ni(CO)3(PF3)を用いたニッケルシリサイド膜形成
図1に示したCVD装置を用いて、合成例1で得たNi(CO)3(PF3)の成膜評価を行った。Ni(CO)3(PF3)を原料容器に入れ、その容器を30℃に保持し、キャリアガスとしてヘリウムを10ml/min、Si源としてSiH4とH2との混合ガス(SiH4:H2=(1:9)(容量比))を20ml/minの流量で流し、反応容器に導入した。このとき、系内は20kPaに減圧され、反応容器内の基板温度は150〜350℃であった。
その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例1−2]
・Ni(CO)3(PF3)を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例1−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(CO)3(PF3)を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例1−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例2]
・Ni(CO)2(PF3)2の成膜評価
合成例2で得たNi(CO)2(PF3)2について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、99.2質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
・Ni(CO)2(PF3)2の成膜評価
合成例2で得たNi(CO)2(PF3)2について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、99.2質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
[実施例2−1]
・Ni(CO)2(PF3)2を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例2で得たNi(CO)2(PF3)2を用いた以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(CO)2(PF3)2を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例2で得たNi(CO)2(PF3)2を用いた以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例2−2]
・Ni(CO)2(PF3)2を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例2−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(CO)2(PF3)2を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例2−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例3]
・Ni(CO)(PF3)3の成膜評価
合成例3で得たNi(CO)(PF3)3について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、98.9質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
・Ni(CO)(PF3)3の成膜評価
合成例3で得たNi(CO)(PF3)3について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、98.9質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
[実施例3−1]
・Ni(CO)(PF3)3を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例3で得たNi(CO)(PF3)3を用いた以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(CO)(PF3)3を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例3で得たNi(CO)(PF3)3を用いた以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例3−2]
・Ni(CO)(PF3)3を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例3−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(CO)(PF3)3を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例3−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例4]
・Ni(CO)(PF2(CF3))3カルボニルトリス(トリフルオロメチルジフルオロホスフィン)ニッケルの成膜評価
合成例4で得たNi(CO)(PF2(CF3))3について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、99.1質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
・Ni(CO)(PF2(CF3))3カルボニルトリス(トリフルオロメチルジフルオロホスフィン)ニッケルの成膜評価
合成例4で得たNi(CO)(PF2(CF3))3について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、99.1質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
[実施例4−1]
・Ni(CO)(PF2(CF3))3を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例4で得たNi(CO)(PF2(CF3))3を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(CO)(PF2(CF3))3を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例4で得たNi(CO)(PF2(CF3))3を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例4−2]
・Ni(CO)(PF2(CF3))3を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例4−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(CO)(PF2(CF3))3を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例4−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例5]
・Ni(CO)2(P(CF3)3)2の成膜評価
合成例5で得たNi(CO)2(P(CF3)3)2について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、99.5質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
・Ni(CO)2(P(CF3)3)2の成膜評価
合成例5で得たNi(CO)2(P(CF3)3)2について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、99.5質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
[実施例5−1]
・Ni(CO)2(P(CF3)3)2を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例5で得たNi(CO)2(P(CF3)3)2を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(CO)2(P(CF3)3)2を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例5で得たNi(CO)2(P(CF3)3)2を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例5−2]
・Ni(CO)2(P(CF3)3)2を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例5−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(CO)2(P(CF3)3)2を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例5−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例6]
・Ni(PF3)2(PF2(CF3))2の成膜評価
合成例6で得たNi(PF3)2(PF2(CF3))2について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、99.0質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
・Ni(PF3)2(PF2(CF3))2の成膜評価
合成例6で得たNi(PF3)2(PF2(CF3))2について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、99.0質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
[実施例6−1]
・Ni(PF3)2(PF2(CF3))2を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例6で得たNi(PF3)2(PF2(CF3))2を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(PF3)2(PF2(CF3))2を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例6で得たNi(PF3)2(PF2(CF3))2を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例6−2]
・Ni(PF3)2(PF2(CF3))2を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例6−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(PF3)2(PF2(CF3))2を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例6−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例7]
・Ni(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)の成膜評価
合成例7で得たNi(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、98.9質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
・Ni(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)の成膜評価
合成例7で得たNi(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、98.9質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
[実施例7−1]
・Ni(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例7で得たNi(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例7で得たNi(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例7−2]
・Ni(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例7−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例7−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例8]
・Ni(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)の成膜評価
合成例8で得たNi(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、98.8質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
・Ni(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)の成膜評価
合成例8で得たNi(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、98.8質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
[実施例8−1]
・Ni(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例8で得たNi(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例8で得たNi(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例8−2]
・Ni(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例8−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例8−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例9]
・Ni(PF3)3(PF2NH(CH3))の成膜評価
合成例9で得たNi(PF3)3(PF2NH(CH3))について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、99.0質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
・Ni(PF3)3(PF2NH(CH3))の成膜評価
合成例9で得たNi(PF3)3(PF2NH(CH3))について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、99.0質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
[実施例9−1]
・Ni(PF3)3(PF2NH(CH3))を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例9で得たNi(PF3)3(PF2NH(CH3))を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(PF3)3(PF2NH(CH3))を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例9で得たNi(PF3)3(PF2NH(CH3))を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例9−2]
・Ni(PF3)3(PF2NH(CH3))を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例9−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(PF3)3(PF2NH(CH3))を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例9−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例10]
・Ni(PF3)3(PF2N(C2H5)2)の成膜評価
合成例10で得たNi(PF3)3(PF2N(C2H5)2)について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、99.1質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
・Ni(PF3)3(PF2N(C2H5)2)の成膜評価
合成例10で得たNi(PF3)3(PF2N(C2H5)2)について、示差熱熱重量同時測定装置(SII製TG/DTA6200)を用いて、500℃まで加熱した時の揮発率を求めたところ、99.1質量%であった。揮発残渣が非常に少なく、ニッケル含有膜形成材料として適していることがわかった。
[実施例10−1]
・Ni(PF3)3(PF2N(C2H5)2)を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例10で得たNi(PF3)3(PF2N(C2H5)2)を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(PF3)3(PF2N(C2H5)2)を用いたニッケルシリサイド膜形成
合成例10で得たNi(PF3)3(PF2N(C2H5)2)を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[実施例10−2]
・Ni(PF3)3(PF2N(C2H5)2)を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例10−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(PF3)3(PF2N(C2H5)2)を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は実施例10−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。また、CVD装置からの排気ガスの分析でHFはほとんど確認されなかった。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[比較例1]
・Ni(PF3)4の成膜評価
[比較例1−1]
・Ni(PF3)4を用いたニッケルシリサイド膜形成
Ni(PF3)4を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。しかしながら、CVD装置からの排気ガスの分析でHFが副生していることを確認した。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(PF3)4の成膜評価
[比較例1−1]
・Ni(PF3)4を用いたニッケルシリサイド膜形成
Ni(PF3)4を用い、原料容器の最初の保持温度を60℃にした以外は、実施例1−1と同様にして成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルおよびケイ素の存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。しかしながら、CVD装置からの排気ガスの分析でHFが副生していることを確認した。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
[比較例1−2]
・Ni(PF3)4を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は比較例1−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。しかしながら、CVD装置からの排気ガスの分析でHFが副生していることを確認した。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
・Ni(PF3)4を用いたニッケル膜形成
SiH4とH2との混合ガスの代わりにH2ガスを用いた以外は比較例1−1と同様に成膜した。その結果、基板上に膜の堆積が確認され、X線光電子分析装置(XPS)(KRATOS製AXIS−NOVA)により膜の組成を調べたところ、ニッケルの存在が確認された。また、炭素はほとんど確認されなかった。さらにX線回折装置(XRD)(リガク製RAD−γX)の分析から、この膜がニッケル膜であることが確認された。しかしながら、CVD装置からの排気ガスの分析でHFが副生していることを確認した。当該排気ガスの分析は、FT−IR(サーモエレクトロン製Nicolet380)で行った。
Claims (15)
- 配位子を4個有するニッケル錯体を少なくとも1種含むニッケル含有膜形成材料であって、
前記配位子の種類が、CO、PF3、PF2(CF3)、PF(CF3)2、P(CF3)3、PF2R1、PFR2R3、PF2NR4R5、P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2およびP(CF3)2CF2CF2P(CF3)2からなる群(ただし、R1〜R5は各々独立に、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基であり、P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2およびP(CF3)2CF2CF2P(CF3)2は配位子2個分に相当する。)より選ばれる2種以上であることを特徴とするニッケル含有膜形成材料。 - 前記配位子の種類が、COおよびPF3の2種である請求項1に記載のニッケル含有膜形成材料。
- 前記配位子の種類が、COおよびPF2(CF3)の2種である請求項1に記載のニッケル含有膜形成材料。
- 前記配位子の種類が、COおよびPF(CF3)2の2種である請求項1に記載のニッケル含有膜形成材料。
- 前記配位子の種類が、COおよびP(CF3)3の2種である請求項1に記載のニッケル含有膜形成材料。
- 前記配位子の種類が、PF3およびPF2(CF3)の2種である請求項1に記載のニッケル含有膜形成材料。
- 前記配位子の種類が、PF3およびPF2R1(ただし、R1は、H、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基である。)の2種である請求項1に記載のニッケル含有膜形成材料。
- 前記配位子の種類が、PF3およびPF2NR4R5(ただし、R4およびR5は、各々独立にH、炭素数1〜6のアルキル基またはフェニル基である。)の2種である請求項1に記載のニッケル含有膜形成材料。
- 前記ニッケル錯体が、Ni(CO)2(P(CF3)2CH2CH2P(CF3)2)である請求項1に記載のニッケル含有膜形成材料。
- 前記ニッケル錯体が、Ni(CO)2(P(CF3)2CF2CF2P(CF3)2)である請求項1に記載のニッケル含有膜形成材料。
- 化学気相成長法(CVD)による膜形成に用いられる請求項1〜10のいずれかに記載のニッケル含有膜形成材料。
- ニッケル含有膜が、ニッケル膜またはニッケルシリサイド膜である請求項1〜11のいずれかに記載のニッケル含有膜形成材料。
- 前記ニッケルシリサイド膜のSi源が、SiaH2a+2(ただし、aは1〜3の整数である。)またはRbSiH4-b(ただし、bは1〜3の整数であり、Rは炭素数1〜3のアルキル基を表す。)の構造式で示される少なくとも1種のケイ素化合物である請求項12に記載のニッケル含有膜形成材料。
- 前記ケイ素化合物が、シラン、ジシラン、トリシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、エチルシラン、ジエチルシランまたはトリエチルシランである請求項13に記載のニッケル含有膜形成材料。
- 請求項1〜14のいずれかに記載のニッケル含有膜形成材料を用いて、化学気相成長法(CVD)によりニッケル含有膜を形成することを特徴とするニッケル含有膜の製造方法。
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