JPWO2010016101A1 - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2010016101A1 JPWO2010016101A1 JP2010523660A JP2010523660A JPWO2010016101A1 JP WO2010016101 A1 JPWO2010016101 A1 JP WO2010016101A1 JP 2010523660 A JP2010523660 A JP 2010523660A JP 2010523660 A JP2010523660 A JP 2010523660A JP WO2010016101 A1 JPWO2010016101 A1 JP WO2010016101A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type dopant
- organic
- layer
- electron transport
- transport layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/18—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the nature or concentration of the activator
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/346—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising platinum
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
Abstract
Description
2 陽極
3 ホール注入層
4 ホール輸送層
5 発光層
6 n型ドーパントブロック層
7 n型ドーパント含有電子輸送層
7A 電子注入層
8 陰極
56 n型ドーパントブロック発光層
基板1のガラスの透明材料の他としては、ポリスチレン等のプラスチック材料といった半透明材料の他に、シリコンやAl等の不透明な材料、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂等を用いることができる。
ホール注入層3、ホール輸送層4、発光層5、n型ドーパントブロック層6並びにn型ドーパント含有電子輸送層7の主成分を構成する有機半導体層は、電荷輸送性(ホール及び/又は電子の移動性)を有する有機化合物を利用する。
n型ドーパント含有電子輸送層の主成分の電子輸送性を有する有機化合物(上記の電子輸送性有機化合物から選択される)へ混合される電子供与性材料であるn型ドーパントは、Li,Na,K,Rb,Csなどのアルカリ金属や、Be,Mg,Ca,Baなどのアルカリ土類金属や、Sc,Y,Yb,Eu,Sm,Ceなどの希土類金属や、これらのハロゲン塩(LiF,CsFなど)や、これらの酸化物塩(Cs2MoO4,Cs2WO4)や、これらの有機化合物(BLiq4,CsTPBなど)、それらの化合物であれば特に限定はない。特に、仕事関数が4.0eV以下の金属が好適に使用でき、具体例としてCs、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Mg、Sm、Gd、Yb、又はそれらの化合物等が挙げられる。
発明者は、n型ドーパント含有電子輸送層から隣接層へのアルカリ金属化合物などのn型ドーパント(金属又はそのイオン)の拡散防止のためにn型ドーパントブロック層を提案する。n型ドーパントブロック層に重原子化合物を含ませることにより内部重原子効果を発揮させるのである。
第1成分の電子輸送性を有する有機化合物のNBphen=2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolineに、電子供与性のアルカリ金属Csを含むn型ドーパントCs2MoO4が第2成分として混合されたn型ドーパント含有電子輸送層と、第3成分の電子輸送性を有する有機化合物TRZ=1,3,5-Triazine derivativesに、79以上の原子量を持つ少なくとも1種の重原子を含有する重原子化合物Ir(ppy)3=Tris(2-phenylpyridine)iridium(III) 「重原子(Ir:192)」が第4成分として混合されたn型ドーパントブロック層と、を含む複数の有機EL素子(実施例1)を作製し、その特性を測定し、アルカリ金属イオン(Cs)に対するn型ドーパントブロック層のブロック効果を評価した。
実施例3として、他のn型ドーパントを含むn型ドーパント含有電子輸送層を用いた素子を作成した。
他の実施例として、n型ドーパントブロック層を発光層と兼用、すなわち、一体化しn型ドーパントブロック発光層として膜厚を増加させた素子を作成した。
Claims (12)
- 対向する1対の陽極及び陰極の間に積層配置されかつ有機発光層を含む複数の有機半導体層を備え、第1成分の電子輸送性を有する有機化合物に、電子供与性の金属原子又はそのイオンを含むn型ドーパントが第2成分として混合されたn型ドーパント含有電子輸送層を前記陰極及び前記有機発光層間に有する有機電界発光素子であって、79以上の原子量を持つ少なくとも1種の重原子を含有する重原子化合物を含みかつ前記n型ドーパント含有電子輸送層の界面に接するn型ドーパントブロック層を有することを特徴とする有機電界発光素子。
- 前記n型ドーパントブロック層は、第3成分の電子輸送性を有する有機化合物に前記重原子化合物が第4成分として混合されていることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記n型ドーパント含有電子輸送層の前記n型ドーパントはアルカリ金属、アルカリ土類金属又はそれらの化合物であることを特徴とする請求項1〜2のいずれか1に記載の有機電界発光素子。
- 前記n型ドーパントブロック層は、前記有機発光層の界面に接していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1に記載の有機電界発光素子。
- 前記n型ドーパントブロック層は、前記有機発光層と一体となっていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1に記載の有機電界発光素子。
- 前記n型ドーパント含有電子輸送層の前記陰極側に電子注入層が配置されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1に記載の有機電界発光素子。
- 前記n型ドーパントブロック層における前記重原子化合物の体積含有量濃度は、前記n型ドーパント含有電子輸送層における前記n型ドーパントの体積含有量濃度以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1に記載の有機電界発光素子。
- 前記重原子化合物の濃度は、0.1vol%〜100vol%であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1に記載の有機電界発光素子。
- 前記n型ドーパントの濃度は、0.1vol%〜100vol%であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1に記載の有機電界発光素子。
- 前記重原子がIr、Pt,Os,Re,Au,W,Ru,Hf,Eu,Tb,等の重原子、希土類金属から構成する重原子化合物であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属原子又はそのイオンは、Li,Na,K,Rb,Cs,Be,Mg,Ca,Ba,Sc,Y,Yb,Eu,Sm,Ceから選択されたものであることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1に記載の有機電界発光素子。
- 前記陽極及び陰極のどちらか片方の電極が半透明、又は透明、又は前記陽極及び陰極が透明であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1に記載の有機電界発光素子。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2008/063962 WO2010016101A1 (ja) | 2008-08-04 | 2008-08-04 | 有機電界発光素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012200558A Division JP5456120B2 (ja) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | 有機電界発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010016101A1 true JPWO2010016101A1 (ja) | 2012-01-12 |
JP5090534B2 JP5090534B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=41663331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010523660A Active JP5090534B2 (ja) | 2008-08-04 | 2008-08-04 | 有機電界発光素子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8436345B2 (ja) |
EP (1) | EP2315290B1 (ja) |
JP (1) | JP5090534B2 (ja) |
KR (1) | KR101254167B1 (ja) |
WO (1) | WO2010016101A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2012023177A1 (ja) * | 2010-08-17 | 2013-10-28 | パイオニア株式会社 | 有機発光素子 |
US8883323B2 (en) | 2010-11-22 | 2014-11-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
TW201301598A (zh) * | 2010-11-22 | 2013-01-01 | Idemitsu Kosan Co | 有機電激發光元件 |
US9324950B2 (en) | 2010-11-22 | 2016-04-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
CN102097601B (zh) * | 2011-01-05 | 2012-06-27 | 河北工业大学 | N型掺杂薄膜的有机发光二极管 |
EP2692796B1 (en) | 2011-03-28 | 2019-07-10 | Sumitomo Chemical Co., Ltd | Composition |
EP3667752A1 (en) * | 2011-06-22 | 2020-06-17 | Novaled GmbH | Electronic device and compound |
WO2013171872A1 (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-21 | パイオニア株式会社 | 有機el発光パネル及び発光装置 |
US10374187B2 (en) | 2012-05-22 | 2019-08-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device and method of producing the same |
KR101671343B1 (ko) | 2012-05-22 | 2016-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101441963B1 (ko) * | 2012-06-14 | 2014-09-24 | 서울대학교산학협력단 | 양면 발광형 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP2014063829A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Samsung Display Co Ltd | 有機el表示装置 |
KR102356696B1 (ko) * | 2015-07-03 | 2022-01-26 | 삼성전자주식회사 | 유기 광전 소자 및 이미지 센서 |
EP3184602B1 (en) * | 2015-12-23 | 2018-07-04 | Avantama AG | Luminescent component |
KR102503845B1 (ko) * | 2016-04-20 | 2023-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 및 이를 포함하는 유기발광 표시패널 |
CN107799571B (zh) * | 2017-10-12 | 2020-10-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管器件及显示装置 |
JP6633716B1 (ja) | 2018-10-26 | 2020-01-22 | 株式会社Joled | 有機el素子及び有機el素子の製造方法、並びに有機elパネル、有機elパネルの製造方法、有機el表示装置、電子機器 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4683829B2 (ja) | 2003-10-17 | 2011-05-18 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法 |
RU2346996C2 (ru) | 2004-06-29 | 2009-02-20 | ЮРОПИЭН НИКЕЛЬ ПиЭлСи | Усовершенствованное выщелачивание основных металлов |
DE112005002603A5 (de) | 2004-08-13 | 2007-08-09 | Novaled Gmbh | Schichtanordnung für ein Lichtemittierendes Bauelement |
US7351999B2 (en) | 2004-12-16 | 2008-04-01 | Au Optronics Corporation | Organic light-emitting device with improved layer structure |
GB2439013B (en) | 2005-03-28 | 2010-10-06 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic electroluminescent element, display and illuminator |
JP5050333B2 (ja) | 2005-09-20 | 2012-10-17 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2007180277A (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2008098475A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機発光素子の構造 |
-
2008
- 2008-08-04 WO PCT/JP2008/063962 patent/WO2010016101A1/ja active Application Filing
- 2008-08-04 JP JP2010523660A patent/JP5090534B2/ja active Active
- 2008-08-04 US US13/057,343 patent/US8436345B2/en active Active
- 2008-08-04 EP EP08792166.4A patent/EP2315290B1/en active Active
- 2008-08-04 KR KR1020117002232A patent/KR101254167B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2315290A4 (en) | 2012-01-25 |
EP2315290A1 (en) | 2011-04-27 |
US8436345B2 (en) | 2013-05-07 |
WO2010016101A1 (ja) | 2010-02-11 |
JP5090534B2 (ja) | 2012-12-05 |
KR101254167B1 (ko) | 2013-04-18 |
US20110169045A1 (en) | 2011-07-14 |
EP2315290B1 (en) | 2016-03-16 |
KR20110036096A (ko) | 2011-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5090534B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP5216104B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4939284B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
JP4486713B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
JP4514841B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
KR100641880B1 (ko) | 유기전기장발광성소자 | |
Gaj et al. | Highly efficient organic light-emitting diodes from thermally activated delayed fluorescence using a sulfone–carbazole host material | |
JP4505067B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
US6013384A (en) | Organic electroluminescent devices | |
KR101688317B1 (ko) | 저전압 구동 유기발광소자 및 이의 제조 방법 | |
JP2007294261A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2005085599A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2012521087A (ja) | 有機発光素子およびその製造方法 | |
JP2004079413A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
WO2009110075A1 (ja) | 有機半導体素子 | |
JP5456120B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPWO2012023177A1 (ja) | 有機発光素子 | |
WO2009107187A1 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPWO2004052057A1 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4825296B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
Su et al. | Enhancement of efficiency of white organic light-emitting diodes with p-type hole injection layer | |
JP2004079414A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
JP4820902B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及びその発光スペクトルの制御方法 | |
Chang et al. | 17.4: Highly Power Efficient Organic Light‐Emitting Diodes with a Novel P‐Doping Layer | |
Kang et al. | Efficient blue electroluminescence from 9, 10-diphenylanthracene |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120814 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120912 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150921 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5090534 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |