JPWO2009096202A1 - ハロ多環芳香族化合物及びその製造方法 - Google Patents

ハロ多環芳香族化合物及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

非対称形を有する多環芳香族化合物を高収率で合成する際に有用な中間体であるハロ多環芳香族化合物の製造方法は、下記一般式[1]で表される化合物を用い下記一般式[2]で表されるハロ多環芳香族化合物を製造することを特徴とする。【化1】(式中、R1、R2は置換基を表し、n1、n2は0〜3の整数を表す。R3、R4は水酸基またはアルコキシ基を表す。R3とR4はお互いに結合して環を形成してもよい。X1は酸素原子、硫黄原子またはイミノ基を表す。X2はハロゲン原子を表す。)

Description

本発明は、有機合成化合物の中間体、特に有機エレクトロルミネッセンス材料の中間体として有用なハロ多環芳香族化合物、及びその製造方法に関する。
カルバゾイル基が二つ置換した対称形を有するジカルバゾリル多環芳香族化合物を合成する方法において、有用な中間体が知られている。例えば、ジベンゾフランの場合、2,7−ジブロモジベンゾフランまたは2,7−ジヨードジベンゾフランを合成中間体として用いることが可能である。(例えば、非特許文献1参照。)
しかしながら、非対称形を有するジカルバゾリル多環芳香族化合物を合成する際に、これらの中間体を用いると反応制御が困難であり、一つのカルバゾイル基のみが置換した2−カルバゾリル−7−ハロジベンゾフランと同時にカルバゾイル基が2つ置換したものが副生してしまい、収率が大きく低下するという問題があった。
Kryska Anna et al.,J.Chem.Res.Miniprint.10;2501〜2517(1999)
従って、本発明は上記問題点を解決すべくなされたものであり、非対称形を有する多環芳香族化合物を高収率で合成する際に有用な中間体であるハロ多環芳香族化合物、及びその製造方法を提供することにある。
上記課題は、以下の構成により解決することができた。
1.下記一般式[1]で表される化合物を用い下記一般式[2]で表されるハロ多環芳香族化合物を製造することを特徴とするハロ多環芳香族化合物の製造方法。
(式中、R1、R2は置換基を表し、n1、n2は0〜3の整数を表す。R3、R4は水酸基またはアルコキシ基を表す。R3とR4はお互いに結合して環を形成してもよい。X1は酸素原子、硫黄原子またはイミノ基を表す。X2はハロゲン原子を表す。)
2.前記一般式[1]で表される化合物を用い、リチオ化剤を反応させた後、ボロン酸誘導体と反応させて前記一般式[2]で表されるハロ多環芳香族化合物を製造することを特徴とする前記1に記載のハロ多環芳香族化合物の製造方法。
3.下記一般式[2]で表される化合物と下記一般式[3]で表される化合物を遷移金属触媒の存在下反応させて下記一般式[4]で表されるハロ多環芳香族化合物を製造することを特徴とするハロ多環芳香族化合物の製造方法。
(式中、R1、R2は置換基を表し、n1、n2は0〜3の整数を表す。R3、R4は水酸基またはアルコキシ基を表す。R3とR4はお互いに結合して環を形成してもよい。X1は酸素原子、硫黄原子またはイミノ基を表す。X2、X3はハロゲン原子を表す。Zは芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。)
4.下記一般式[2]で表されるハロ多環芳香族化合物。
(式中、R1、R2は置換基を表し、n1、n2は0〜3の整数を表す。R3、R4は水酸基またはアルコキシ基を表す。R3とR4はお互いに結合して環を形成してもよい。X1は酸素原子、硫黄原子またはイミノ基を表す。X2はハロゲン原子を表す。)
有機合成化合物の中間体、特に有機エレクトロルミネッセンス材料の中間体として有用なハロ多環芳香族化合物は、本発明の製造方法により高収率で得られる。
以下、本発明を更に詳細に述べる。
一般式[1]、一般式[2]、一般式[3]及び一般式[4]において、R1及びR2で表される置換基としては、例えば、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アリール、アシルアミノ、スルホンアミド、アルキルチオ、アリールチオ、ハロゲン原子、複素環、スルホニル、スルフィニル、ホスホニル、アシル、カルバモイル、スルファモイル、シアノ、アルコキシ、アリールオキシ、複素環オキシ、シロキシ、アシルオキシ、カルバモイルオキシ、アミノ、アルキルアミノ、イミド、ウレイド、スルファモイルアミノ、アルコキシカルボニルアミノ、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、カルボキシル等の各基が挙げられる。
1は酸素原子、硫黄原子またはイミノ基を表し、イミノ基としてはアルキルまたはアリールで置換されたイミノ基が好ましい。これらの内、好ましいものは酸素原子である。X2で表されるハロゲン原子として、好ましいものは臭素原子である。
3及びR4は水酸基またはアルコキシ基を表す。R3及びR4で表されるアルコキシ基として、例えば、メトキシ基、更には環を形成するところの−OC(CH32C(CH32O−、−OCH2CH(CH3)CH2O−等が挙げられる。R3及びR4で表される基の内、好ましいものは水酸基、−OC(CH32C(CH32O−であり、より好ましくは水酸基である。
Zと共に形成される芳香族炭化水素環及び芳香族複素環としては、例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、カルバゾール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す)等が挙げられる。これらの内、好ましいものはベンゼン環及びカルバゾール環である。
上記の基はいずれも更に置換基によって置換されていてもよく、置換基としては、例えば、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アリール、アシルアミノ、スルホンアミド、アルキルチオ、アリールチオ、ハロゲン原子、複素環、スルホニル、スルフィニル、ホスホニル、アシル、カルバモイル、スルファモイル、シアノ、アルコキシ、アリールオキシ、複素環オキシ、シロキシ、アシルオキシ、カルバモイルオキシ、アミノ、アルキルアミノ、イミド、ウレイド、スルファモイルアミノ、アルコキシカルボニルアミノ、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、カルボキシル等の各基が挙げられる。
以下、本発明に一般式[1]、一般式[2]、一般式[3]及び一般式[4]で表される化合物の代表的具体例を示すが、本発明はこれらに限定されものではない。
一般式[2]で表される化合物は、一般式[1]とリチオ化剤を反応させた後、ボロン酸誘導体と反応することで得ることができる。
リチオ化剤としては、例えば、メチルリチウム、n−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム及びn−ヘキシルリチウム等が挙げられる。これらの内で好ましいものはn−ブチルリチウムである。ボロン酸誘導体としては、例えば、トリメチルボレート、トリブチルボレート、2−イソプロボキシ−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン等が挙げられる。これらの内で好ましいものはトリメチルボレートである。
反応は通常−80〜0℃で行われるのが好ましく、−80〜−50℃で行われるのが特に好ましい。
一般式[4]で表される化合物は、遷移金属触媒の存在下、一般式[2]で表される化合物と一般式[3]で表される化合物との反応で得ることができる。
遷移金属触媒としては、例えば、パラジウム錯体(PdCl2、Pd(OAc)2、Pd(PPh34、PdCl2dppf、Pd(dba)2、Pd/C)、ニッケル錯体(NiBr2、NiBr2(PPh32、Ni(acac)2、Bis(1,5−cyclooctadiene)Ni(0))、亜鉛等が挙げられる。これらの内で好ましいものはパラジウム錯体である。
更に金属触媒と共に以下の化合物を添加してもよい。例えば、4級アンモニウム塩(TBAF(フッ化テトラブチルアンモニウム)、ヨウ化テトラエチルアンモニウム)、2,2′−ビピリジン、トリ(t−ブチル)ホスフィン、DPPE(Bis(diphenylphosphino)ethane)、DPPP(Bis(diphenylphosphino)propane)、DPPB(Bis(diphenylphosphino)butane)、DPPF(1,1′−Bis(diphenylphosphino)ferrocene)、PCy3(Tricyclohexylphosphine)等が挙げられる。
更に上記反応には塩基が用いられる。塩基としては、例えば、アルカリ金属塩(炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸セシウム、フッ化セシウム等)、アミン誘導体(トリエチルアミン等)等が挙げられる。
反応は通常60〜130℃で行われるのが好ましく、70〜100℃で行われるのが特に好ましい。
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれに限定されるものではない。
実施例1(比較実施例)
《化合物Dの合成》
例示化合物1−1、6.30g、カルバゾール2.9g(×0.9mol)、炭酸カリウム4.0g(×1.5mol)、Cu粉3.68g(×3mol)、脱水DMAc75mlを混合し、窒素気流下、30時間攪拌した(内温145〜147℃)。不溶分を減圧濾過し、濾液をTHFで抽出した後、減圧蒸留で溶媒を除去した。カラムクロマトグラフィー(充填剤:シリカゲル、展開液:トルエン/n−ヘキサン)で精製し、化合物Bを0.48g(収率6.0%)得た。
次に窒素気流下、化合物B、0.48g、化合物C、0.43g、エチレングリコールジメチルエーテル50ml、15%炭酸カリウム水溶液2.5ml、Pd(Pph340.080gを投入し、5時間還流した。反応液を水洗後、減圧濾過した。得られた粗結晶をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル、トルエン/へキサン)にて精製し、化合物D、0.13g(収率20.0%)を得た。
実施例2(本発明実施例)
《化合物Dの合成》
窒素気流下、例示化合物1−1、81.5gを脱水THF、1Lに投入し、内温25〜30℃で攪拌溶解した。次に、ドライアイス/アセトン浴で内温−72℃まで冷却した。n−BuLi(2.6M)97.1mlを内温−70℃以下、2.5時間で滴下し、1時間攪拌した。続いて、B(OCH3360.1gを内温−70℃以下、1時間で滴下し、ドライアイス/アセトン浴を解除した。
2時間後(内温20℃)に10%HCl、l300ml(×3.3mol)を投入した。分液ロートに移し、食塩水で洗浄した。THF溶液を減圧濃縮でスラリー状とし、これにアセトニトリルを加え、析出した結晶を減圧濾過し、例示化合物2−1、50.9g(収率70%)を得た。
次に窒素気流下、例示化合物2−1、11.7g、例示化合物3−3、18.5g、炭酸カリウム10.4g、DMSO、600mlを混合し、更にPdCl2dppf1.60gを添加し、90℃付近で2時間攪拌した。水100mlを加え、析出した結晶を減圧濾過した。得られた粗結晶をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル、トルエン/へキサン)にて精製し、例示化合物4−3、10g(収率57.4%)を得た。
次に窒素気流下、Pd(OAc)20.30g、P(But)31.0g、脱水キシレン10mlを40℃で10分攪拌した。例示化合物4−3、5.0g、例示化合物3−3、1.9g、NaOBu−t、1.2g、脱水キシレン100mlを投入し、4時間還流した。反応液を水洗後、減圧濾過した。得られた粗結晶をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル、トルエン/へキサン)にて精製し、化合物D、3.60g(収率61.4%)を得た。
有機エレクトロルミネッセンス材料(化合物D)の製造方法である実施例1、2から、本発明の製造方法である実施例2は、明らかに高収率であることが分かる。
実施例3(本発明実施例)
《例示化合物4−8の合成》
窒素気流下、例示化合物1−6、47.5g、脱水THF、1Lを混ぜ、内温25〜30℃で攪拌溶解した。次に、ドライアイス/アセトン浴で内温−73℃まで冷却した。n−BuLi(2.6M)、56.6mlを内温−70℃以下、2.5時間で滴下し、1時間攪拌した。続いて、ボロン酸エステル、28gを内温−70℃以下、1時間で滴下し、ドライアイス/アセトン浴を解除した。分液ロートに移し、食塩水で洗浄した。THF溶液を減圧濃縮した。これにエタノールを加え、析出した結晶を減圧濾過し、例示化合物2−6、21.1gを得た。(収率39%)
窒素気流下、例示化合物2−6、15.4g、例示化合物3−8、15.5g、炭酸カリウム10.4g、DMSO、600mlを混合し、更にPdCl2dppf、1.60gを添加し、90℃付近で2時間攪拌した。水100mlを加え、析出した結晶を減圧濾過した。得られた粗結晶をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル、トルエン/へキサン)にて精製し、例示化合物4−8、8.4g(収率47.4%)を得た。
実施例4(本発明実施例)
《例示化合物4−4の合成》
窒素気流下、例示化合物1−3、85.5g、脱水THF、1Lを混ぜ、内温25〜30℃で攪拌溶解した。次に、ドライアイス/アセトン浴で内温−70℃まで冷却した。n−BuLi(2.6M)、97.1mlを内温−70℃以下、2.5時間で滴下し、1時間攪拌した。続いて、B(OCH33、60.1gを内温−70℃以下、1時間で滴下し、ドライアイス/アセトンを解除した。2時間後(内温20℃)に10%HCl、300ml(×3.3mol)を投入した。分液ロートに移し、食塩水で洗浄した。THF溶液を減圧濃縮でスラリー状とし、これにアセトニトリルを加え、析出した結晶を減圧濾過し、例示化合物2−3、39.9gを得た。(収率52%)
次に窒素気流下、例示化合物2−3、12.3g、例示化合物3−3、18.5g、炭酸カリウム10.4g、DMSO、600mlを混合し、更にPdCl2dppf、1.60gを添加し、90℃付近で2時間攪拌した。水100mlを加え、析出した結晶を減圧濾過した。得られた粗結晶をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル、トルエン/へキサン)にて精製し、例示化合物4−4、8.3g(収率41%)を得た。
実施例5(本発明実施例)
《例示化合物4−1の合成》
窒素気流下、例示化合物3−1、32.9g、例示化合物2−1、64.0g、エチレングリコールジメチルエーテル1.5L、炭酸カリウム58.0g、水350ml、Pd(Pph347.0gを投入し、還流12時間行った。析出した結晶を濾過、乾燥した。THF4.8Lを投入し加熱溶解し、不溶分を除去後、300mlまで濃縮し、アセトニトリル300mlを滴下し、1時間攪拌した。析出した結晶を濾過し、例示化合物4−1、40.3g(収率71.0%)を得た。
実施例中の各化合物の同定はMASS及びNMRスペクトルで行い、それぞれ目的化合物であることを確認した。その他の例示化合物も上記の方法に準じて合成することができる。

Claims (4)

  1. 下記一般式[1]で表される化合物を用い下記一般式[2]で表されるハロ多環芳香族化合物を製造することを特徴とするハロ多環芳香族化合物の製造方法。

    (式中、R1、R2は置換基を表し、n1、n2は0〜3の整数を表す。R3、R4は水酸基またはアルコキシ基を表す。R3とR4はお互いに結合して環を形成してもよい。X1は酸素原子、硫黄原子またはイミノ基を表す。X2はハロゲン原子を表す。)
  2. 前記一般式[1]で表される化合物を用い、リチオ化剤を反応させた後、ボロン酸誘導体と反応させて前記一般式[2]で表されるハロ多環芳香族化合物を製造することを特徴とする請求の範囲第1項に記載のハロ多環芳香族化合物の製造方法。
  3. 下記一般式[2]で表される化合物と下記一般式[3]で表される化合物を遷移金属触媒の存在下反応させて下記一般式[4]で表されるハロ多環芳香族化合物を製造することを特徴とするハロ多環芳香族化合物の製造方法。

    (式中、R1、R2は置換基を表し、n1、n2は0〜3の整数を表す。R3、R4は水酸基またはアルコキシ基を表す。R3とR4はお互いに結合して環を形成してもよい。X1は酸素原子、硫黄原子またはイミノ基を表す。X2、X3はハロゲン原子を表す。Zは芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。)
  4. 下記一般式[2]で表されるハロ多環芳香族化合物。

    (式中、R1、R2は置換基を表し、n1、n2は0〜3の整数を表す。R3、R4は水酸基またはアルコキシ基を表す。R3とR4はお互いに結合して環を形成してもよい。X1は酸素原子、硫黄原子またはイミノ基を表す。X2はハロゲン原子を表す。)
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