JPWO2009075101A1 - 色素増感太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
色素増感太陽電池およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2009075101A1 JPWO2009075101A1 JP2009545348A JP2009545348A JPWO2009075101A1 JP WO2009075101 A1 JPWO2009075101 A1 JP WO2009075101A1 JP 2009545348 A JP2009545348 A JP 2009545348A JP 2009545348 A JP2009545348 A JP 2009545348A JP WO2009075101 A1 JPWO2009075101 A1 JP WO2009075101A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dye
- solar cell
- conductive metal
- layer
- metal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 114
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 114
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 191
- 239000010408 film Substances 0.000 description 117
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 108
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 11
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 11
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=N1 UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000000717 platinum sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- -1 iodide ions Chemical class 0.000 description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 1,4a-dimethyl-7-propan-2-yl-2,3,4,4b,5,6,10,10a-octahydrophenanthrene-1-carboxylic acid Chemical compound C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920005565 cyclic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000005649 metathesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005553 polystyrene-acrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2022—Light-sensitive devices characterized by he counter electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
色素増感太陽電池は、材料が安価であり、作製に大掛かりな設備を必要としないことから、低コストの太陽電池として注目されている。
そのうちのひとつとして、電極の導電性の改善による電力取り出し効率の向上を図るために、光入射側に設けられる透明基板上に通常形成される透明導電膜を省略することが検討されている。これは、太陽電池を大型化する際に特に大きな意義を持つ。
また、特許文献1のものは、製造方法として煩雑であり、製造コストが高くなるおそれがある。
加熱によりまたは溶剤洗浄により除去可能な、形状異方性を有する微粒子を多孔質半導体層上に配置して微粒子層を形成する微粒子層形成工程と、
該微粒子層上に導電性金属膜を形成する導電性金属膜形成工程と、
加熱によりまたは溶剤洗浄により該微粒子層を消失させる微粒子層消失工程と、
を有することを特徴とする。
多孔質半導体材料と、加熱によりまたは溶剤洗浄により除去可能な、形状異方性を有する微粒子との混合層を多孔質半導体層上に形成する混合層形成工程と、
該混合層の表面に導電性金属膜を形成する導電性金属膜形成工程と、
加熱によりまたは溶剤洗浄により該微粒子を消失させる微粒子層消失工程と、
を有することを特徴とする。
導電性金属と、加熱によりまたは溶剤洗浄により除去可能な、形状異方性を有する微粒子との混合層を多孔質半導体層上に形成する混合層形成工程と、
加熱によりまたは溶剤洗浄により該微粒子を消失させる微粒子層消失工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明に係る色素増感太陽電池の製造方法は、上記の色素増感太陽電池の製造方法であって、加熱によりまたは溶剤洗浄により除去可能な、形状異方性を有する微粒子を導電性金属膜の孔の形成に用いるため、上記の色素増感太陽電池を好適に得ることができる。
12 透明基板
14 多孔質半導体層
16 導電性金属膜
18 導電膜
20 基板
22 電解質
24 貫通孔
26 外部電極
28 微粒子
導電性金属膜16には、深い孔状の多数の貫通孔24が不規則に形成される。ここで、深い孔状の貫通孔24とは、導電性金属膜16の厚みが厚い場合においても相対的に小さな径を有する孔が確実に導電性金属膜16を貫通する程度の奥行きの深い孔の意味であり、例えば孔の径の寸法に比べて数倍あるいは数十倍程度の奥行き寸法をもつ長尺円柱状の孔をいう。
導電性金属膜16は、例えば導電性金属膜16と同一材料で形成されて、透明基板12上の周縁に設けられる外部電極(集電極)26に電気的に接続される。なお、外部電極26は、透明基板12とは独立して適宜の位置に設けてもよい。また、導電性金属膜16は、多孔質半導体層14の内部に設けてもよい。さらにまた、導電性金属膜20を多孔質半導体層と交互に複数形成してもよい。
導電性金属膜16は、好ましくは、少なくとも多孔質半導体層14の材料を焼成するのに必要な温度の熱履歴を有さないものであって、500℃よりも十分低い温度、より好ましくは、200℃以下程度の熱履歴を有するもの、または実質的に加熱工程を経ていないものをいう。また、多孔質半導体層14は、好ましくは、導電性金属膜16を貫通する孔と連通する孔を有する。
導電膜18は、例えば、ITO(スズをドープしたインジウム膜)であってもよく、またFTO(フッ素をドープした酸化スズ膜)であってもよく、あるいはまたSnO2膜であってもよいが、より好ましくは、白金膜である。
太陽光の変換効率を向上させる方法のひとつとして、多孔質半導体層の厚みを厚くして太陽光の吸収効率を上げる方法が考えられる。しかしながら、電子拡散長が多孔質半導体層の厚み寸法を超えてしまうと、それ以上多孔質半導体層の厚みを厚くしても効果がなく、逆に開放電圧が低下し、変換効率が低下する問題がある。
これに対して、本実施の形態に係る色素増感太陽電池10によれば、集電層として作用する導電性金属膜16を介して多孔質半導体層14内を電子が容易に移動し、また、導電性金属膜16から電解質22への電荷移動抵抗が大きく、逆電子移動が起こりにくいため、多孔質半導体層14の厚みを例えば14μm以上に厚くした場合においても高い変換効率を得ることができる。多孔質半導体層16の厚みの上限は得られる変換効率の値等に応じて適宜設定されるが、例えば、40μm程度である。なお、本発明を多孔質半導体層14が通常の厚みを有する場合にも本発明を好適に適用できることは勿論である。
チタン酸化物の微粒子には、粒径が10nm以下の小さなものや20〜30nm程度の大きなものなどがある。前者で膜を作った場合、比較的緻密な膜ができ、一方、後者の微粒子で膜を作った場合には、多孔性の膜が形成される。酸化錫のような透明導電膜の表面には凹凸があり、その凹凸をカバレッジ良く覆うために、比較的緻密な多孔質半導体層14を用いることが望ましい。このため、多孔質半導体層14を例えば2層構成とし、透明導電膜側の第1層を粒径が小さいチタン酸化物の微粒子で形成し、第1層の表面に形成される第2層を粒径が第1層に比べて大きなチタン酸化物の微粒子で形成することは好ましい実施態様である。
ただし、ヨウ素等の酸化還元体を含む電解質18による導電性金属膜20の腐食を確実に防ぐ観点からは、耐食性金属を用いることがより好ましい。
耐食性金属としては、タングステン(W)、チタン(Ti)もしくはニッケル(Ni)またはこれらの混合物、あるいはこれらの金属化合物を好適に用いることができるが、これら以外にも、例えば表面を不動態化した金属を用いることができる。
導電性金属膜16の厚みは、膜の面積抵抗を小さくする観点からは厚ければ厚い方が望ましく、好ましくは100nm以上であり、より好ましくは200nm以上である。導電性金属膜16の厚みの上限は特に限定するものではないが、例えば5μm程度である。
また、導電性金属膜16は、多孔質半導体層を間に挟んで、すなわち、多孔質半導体層と交互に複数形成してもよい。
導電性金属膜16に形成される深い孔状の多数の貫通孔24の形成方法については後述する。貫通孔24は、不規則に配置され、製造条件によっては無数に形成されるが、電解質22を十分に浸透、透過できるものである限り適当な数形成されれば十分である。深い孔状の貫通孔24は、例えば、非特許文献1のようなランダムな小さい孔に比べて電解質22の多孔質半導体層14への拡散性が高い。
本実施の形態に係る色素増感太陽電池の製造方法は、加熱によりまたは溶剤洗浄により除去可能な、形状異方性を有する微粒子を多孔質半導体層上に配置して微粒子層を形成する微粒子層形成工程と、微粒子層上に導電性金属膜を形成する導電性金属膜形成工程と、加熱によりまたは溶剤洗浄により該微粒子層を消失させる微粒子層消失工程と、を有する。
以下、製造工程を模式的に示す図2(A)〜図2(D)を参照して製造例を具体的に説明する。
まず、透明基板12に多孔質半導体層14の材料を塗布し多孔質半導体層14を形成する(図2(A)参照)。ここで、多孔質半導体層14は、多孔質半導体層14の材料を塗布した後、焼成したものをいう。
ついで、加熱によりまたは溶剤洗浄により除去可能な、形状異方性を有する微粒子28を多孔質半導体層14上に配置して微粒子層を形成する(微粒子層形成工程 図2(B)参照)。
ついで、微粒子層上に導電性金属膜16を形成する(導電性金属膜形成工程 図2(C)参照)。
ついで、加熱によりまたは溶剤洗浄により微粒子層を消失させる。これにより、導電性金属膜16に多数の深い孔である貫通孔24が不規則に形成される(微粒子層消失工程 図2(D)参照)。
ついで、多孔質半導体層に色素を添着する。
さらに、導電膜を備えた基板を透明基板に対向配置し、スペーサで封止するとともに、電解液を注入することで、色素増感太陽電池が完成する。
なお、先に本実施の形態に係る色素増感太陽電池の説明のところで触れたように、導電性金属膜は、適宜の工程において、適宜の構成とされる外部電極に電気的に接続させる。
このような微粒子材料は、特に限定するものではないが、例えばポリスチレンやポリメタクリル酸メチル等の樹脂や酸化亜鉛等の金属酸化物を好適に用いることができる。また、溶剤洗浄に用いる溶剤は、特に限定するものではなく、微粒子材料に合わせて適宜選択すればよく、例えば樹脂を溶解することができるトルエン等の有機溶剤や、金属を溶解することができる希塩酸などの酸を用いることができる。
多面体の頂点を先端とする多数の足を有する微粒子を用いる場合、例えば、微粒子が多孔質半導体層の上に1層のみ散布等されたときであっても、微粒子上に形成される適度に厚みの厚い導電性金属膜を確実に貫通して孔を形成することができる程度の寸法を有することが好ましく、そのような微粒子の寸法は、導電性金属膜の厚みに応じて異なるが、例えば1〜30μmである。
一方、針状微粒子を用いる場合、例えばエレクトロニクススプレイ法により散布することで、針状微粒子を多孔質半導体層の上に起き上がり、あるいは立った状態とすることができる。このため、そのような針状微粒子の寸法は特に限定するものではないが、導電性金属膜の厚みに応じて適度の長さとし、また、多孔質半導体層の上に針状微粒子が重なり合うように散布することが好ましい。
これらの形状異方性を有する微粒子を多孔質半導体層14上に配置することで、微粒子を消失させた後の多孔質半導体層14にも深い孔が形成される。そして、上記導電性金属膜を貫通する孔と連通するこの深い孔を介して孔質半導体層14の内部での電解液の浸透、拡散がより良好に行われる。
これにより、不規則に配置される多数の貫通孔が形成された導電性金属膜が得られ、微粒子と混合した多孔質半導体材料は、微粒子を溶解させた後、導電性金属を支える柱となり、より強固に導電性金属膜を支える。
これにより、多孔質半導体層の表面に不規則に配置される多数の貫通孔が形成された導電性金属膜が得られる。本製造方法によれば、導電性金属と微粒子の混合層を1つの工程で形成するため、製造工程が簡略化される。
ガラス基板にチタニアペースト(HT ペースト 一層、Dペースト5層 ソラロニクス社製)を20μmの厚みに塗布し、500℃で30分焼成してチタニア(チタニア層、多孔質半導体層)を形成した。焼成基板のチタニア表面に酸化亜鉛のテトラポット型結晶(商品名パナテトラ 最大寸法の範囲2〜20μm:松下電工社製)をエレクトロスプレイ法により分散した。この後、スパッタによりTi膜(Ti層)を形成した(膜厚300nm)。残存するテトラポット型結晶を希塩酸でリンスすることにより、取り除いた。これにより、ポーラスなTi層を作製した。
ついで、0.05 wt %の色素溶液(ブラックダイ、 ソラロニクス社製 アセトニトリル:tブチルアルコール=1:1)に上記のTi層を形成した基板を浸漬した(20時間)。
対極には白金スパッタ処理を行ったフッ素ドープ酸化錫ガラス(ソラロニクス社製)を使った。Ti層を形成した基板と対極を50μm厚のスペーサー(ハイミラン、三井デュポン社)で封止した。得られたセルの中に、ヨウ素 40mM, LiI 500mM, t-Butylpyridine
580mM のアセトニトリル溶液からなる電解液を注入して、5mm角の電池(電池セル)を作製した。
作製した太陽電池特性を、ソーラーシミュレータを用いAM1.5、100mW/cm2の擬似太陽光を色素増感太陽電池に照射し、測定して評価したところ、10.7%の効率を得た。
酸化亜鉛のテトラポット型結晶(商品名パナテトラ:松下電工)をそのまま使用する方法に代えて、酸化亜鉛のテトラポット型結晶(パナテトラ:松下電工社製)を粉砕し、針状になった酸化亜鉛結晶を用いたほかは、実施例1と同様の方法で5mm角および50mm角の電池を作製した。
作製した5mm角の太陽電池特性を実施例1と同様の方法で評価したところ、10.7%の効率を得た。また、作製した50mm角の効率は8%であり、大面積化しても性能の低下は少なかった。
透明導電膜基板(日本板ガラス社製 lowEガラス)にチタニアペースト(HT ペースト 一層、Dペースト5層 ソラロニクス社製)を20μmの厚みに塗布し、500℃で30分焼成してチタニア(チタニア層、多孔質半導体層)を形成した。この基板を0.05 wt %の色素溶液(ブラックダイ ソラロニクス社製 アセトニトリル:tブチルアルコール=1:1)に浸漬した(20時間)。対極には白金スパッタ処理を行ったフッ素ドープ酸化錫ガラス(ソラロニクス社製)を使った。チタニア基板と対極を50μm厚のスペーサー(ハイミラン、三井デュポン社)で封止した。電解液には、ヨウ素 40mM,
LiI 500mM, t-Butylpyridine 580mM のアセトニトリル溶液を用いた。
作製した5mm角の太陽電池特性を実施例1と同様の方法で評価したところ、10.5%の効率を得た。また、作製した50mm角の太陽電池を作製したところ、効率は3%であり、大面積化により、性能が大幅に低下した。
PET基板(厚み1mm)にチタニアペースト(P25 ,水/エタノール混合溶媒)を10μmの厚みに塗布し、150℃で30分加熱し、チタニア(チタニア層、多孔質半導体層)を形成した。この基板に酸化亜鉛のテトラポット型結晶(商品名パナテトラ 最大寸法の範囲2〜20μm 松下電工社製)をチタニア表面にエレクトロスプレイ法により分散した。この後、スパッタによりTi膜を形成した(膜厚300nm)。残存する酸化亜鉛球を希塩酸でリンスすることにより、取り除いた。これにより、ポーラスなTi層を作製した。
ついで、0.05 wt %の色素溶液(ブラックダイ ソラロニクス社製 アセトニトリル:tブチルアルコール=1:1)に上記のTi層を形成した基板を浸漬した(20時間)。
対極には白金スパッタ処理を行ったチタン板(ソラロニクス社製)を使った。Ti層を形成した基板と対極を25μm厚のスペーサー(ハイミラン、三井デュポン社)で封止した。得られたセルの中に、ヨウ素 40mM, LiI 500mM, t-Butylpyridine 580mM のアセトニトリル溶液からなる電解液を注入して、5mm角および50mm角の電池を作製した。
作製した太陽電池特性を、ソーラーシミュレータを用いAM1.5、100mW/cm2の擬似太陽光を色素増感太陽電池に照射し、測定して評価したところ、5mm角の電池について4.5%および50mm角の電池について4%の効率が得られ、大面積化しても性能の低下は少なかった。
透明導電膜プラスチックPET基板(アルドリッチ、表面抵抗10-20Ω/□ 厚さ1mm)にチタニアペースト(P25 水/エタノール混合溶媒)を10μmの厚みに塗布し、50℃で30分加熱してチタニア(チタニア層、多孔質半導体層)を形成した。ついで、0.05 wt %の色素溶液(ブラックダイ ソラロニクス社製 アセトニトリル:tブチルアルコール=1:1)に上記の基板を浸漬した(20時間)。
対極には白金スパッタ処理を行ったフッ素ドープ酸化錫ガラス(ソラロニクス社製)を使った。上記の基板(チタニア基板)と対極を25μm厚のスペーサー(ハイミラン、三井デュポン社)で封止した。得られたセルの中に、ヨウ素 40mM, LiI 500mM, t-Butylpyridine 580mM のアセトニトリル溶液からなる電解液を注入して、5mm角および50mm角の電池を作製した。
作製した太陽電池特性を、実施例3と同様の方法で評価したところ、5mm角の電池について2.5%、50mm角の電池について0.5%の効率が得られ、大面積化により、性能が大幅に低下した。
酸化亜鉛のテトラポット型結晶に代えて粒径300nmのポリスチレン粒子を焼成基板のチタニア表面に散布したほかは、実施例1と同様の方法で5mm角の電池(電池セル)を作製し、太陽電池特性を測定、評価した。得られた電池の効率は10.0%であった。
実施例1で調製した、焼成したチタニア上にポーラスなTi層を形成した基板を500℃で30分さらに加熱した後に色素溶液を含浸したほかは、実施例1と同様の方法で5mm角の電池(電池セル)を作製し、太陽電池特性を測定、評価した。得られた電池の効率は3.6%であった。
ガラス基板にチタニアペースト(HT ペースト 一層、Dペースト5層 ソラロニクス社製)を20μmの厚みに塗布し、100℃で30分加熱して乾燥チタニア層を形成した。基板のチタニア表面に酸化亜鉛のテトラポット型結晶(商品名パナテトラ 最大寸法の範囲2〜20μm:松下電工社製)をエレクトロスプレイ法により分散した。この後、スパッタによりTi膜(Ti層)を形成した(膜厚300nm)。残存するテトラポット型結晶を希塩酸でリンスすることにより、取り除いた。これにより、ポーラスなTi層を作製した。さらに、乾燥チタニア層およびポーラスなTi層が一体化された基板を500℃で30分加熱することで、乾燥チタニア層を焼成した。
その後は、実施例1と同様の方法で5mm角の電池(電池セル)を作製し、太陽電池特性を測定、評価した。得られた電池の効率は3.5%であった。
ついて、図を参照して、以下に説明する。
[0022]
例えば図1に模式的に示すように、本実施の形態に係る色素増感太陽電池10は、透明基板12と、透明基板12上に配置される色素を吸着した多孔質半導体層14と、多孔質半導体層14の透明基板12とは反対側の表面に配置される導電性金属膜16と、透明基板12と対向して設けられる、導電膜18を備えた基板20(導電性基板)を備える。そして、導電性金属膜16と導電膜18を備えた基板20の間に電解質22を有する。なお、図1中、参照符号23は電池内に電解質22を密閉するために設けられるスペーサを示す。
導電性金属膜16には、深い孔状の多数の貫通孔24が不規則に形成される。ここで、深い孔状の貫通孔24とは、導電性金属膜16の厚みが厚い場合においても相対的に小さな径を有する孔が確実に導電性金属膜16を貫通する程度の奥行きの深い孔の意味であり、例えば孔の径の寸法に比べて数倍あるいは数十倍程度の奥行き寸法をもつ長尺円柱状の孔をいう。
導電膜18は、例えば導電性金属膜16と同一材料で形成されて、透明基板12上の周縁に設けられる外部電極(集電極)26に電気的に接続される。なお、外部電極26は、透明基板12とは独立して適宜の位置に設けてもよい。また、導電性金属膜16は、多孔質半導体層14の内部に設けてもよい。さらにまた、導電性金属膜20を多孔質半導体層と交互に複数形成してもよい。
導電性金属膜16は、好ましくは、少なくとも多孔質半導体層14の材料を焼成するのに必要な温度の熱履歴を有さないものであって、500℃よりも十分低い温度、より好ましくは、200℃以下程度の熱履歴を有するもの、または実質的に加熱工程を経ていないものをいう。また、多孔質半導体層14は、好ましくは、導電性金属膜16を貫通する孔と連通する孔を有する。
[0023]
透明基板12および基板20は、例えば、ガラス板であってもよくあるいはプラスチック板であってもよい。プラスチック板を用いる場合、例えば、
である。
[0027]
多孔質半導体層14の半導体材料として、例えば、チタン、スズ、ジルコニウム、亜鉛、インジウム、タングステン、鉄、ニッケルあるいは銀等の金属の酸化物を用いることができるが、このうち、チタン酸化物(チタニア)がより好ましい。
チタン酸化物の微粒子には、粒径が10nm以下の小さなものや20〜30nm程度の大きなものなどがある。前者で膜を作った場合、比較的緻密な膜ができ、一方、後者の微粒子で膜を作った場合には、多孔性の膜が形成される。酸化錫のような透明導電膜の表面には凹凸があり、その凹凸をカバレッジ良く覆うために、比較的緻密な多孔質半導体層14を用いることが望ましい。このため、多孔質半導体層14を例えば2層構成とし、透明導電膜側の第1層を粒径が小さいチタン酸化物の微粒子で形成し、第1層の表面に形成される第2層を粒径が第1層に比べて大きなチタン酸化物の微粒子で形成することは好ましい実施態様である。
[0028]
導電性金属膜16は、適度の導電性を有するものである限り、適宜の金属を選定して用いることができる。ここで、金属とは、金属単体のみでなく、金属酸化物等の金属化合物や合金を含む。導電性金属膜16は、金属の表面を緻密な酸化物半導体、例えばチタニアにより被覆したものであってもよい。
ただし、ヨウ素等の酸化還元体を含む電解質22による導電性金属膜16の腐食を確実に防ぐ観点からは、耐食性金属を用いることがより好ましい。
耐食性金属としては、タングステン(W)、チタン(Ti)もしくはニッケル(Ni)またはこれらの混合物、あるいはこれらの金属化合物を好適に用いることができるが、これら以外にも、例えば表面を不動態化した金属を用いることができる。
[0029]
導電性金属膜16は、例えば塗布法等の簡易な方法で多孔質半導体層16の表面に形成することができるが、好ましくは、スパッタリングにより形成する。なお、このとき、例えば予め多孔質半導体層14の端部等を適宜の方
、以下に説明する実施例に限定されるものではない。
[0040]
(実施例1)
ガラス基板にチタニアペースト(HTペースト 1層、Dペースト5層 ソラロニクス社製)を20μmの厚みに塗布し、500℃で30分焼成してチタニア(チタニア層、多孔質半導体層)を形成した。焼成基板のチタニア表面に酸化亜鉛のテトラポット型結晶(商品名パナテトラ 最大寸法の範囲2〜20μm:松下電工社製)をエレクトロスプレイ法により分散した。この後、スパッタによりTi膜(Ti層)を形成した(膜厚300nm)。残存するテトラポット型結晶を希塩酸でリンスすることにより、取り除いた。これにより、ポーラスなTi層を作製した。
ついで、0.05wt%の色素溶液(ブラックダイ、ソラロニクス社製 アセトニトリル:tブチルアルコール=1:1)に上記のTi層を形成した基板を浸漬した(20時間)。
対極には白金スパッタ処理を行ったフッ素ドープ酸化錫ガラス(ソラロニクス社製)を使った。Ti層を形成した基板と対極を50μm厚のスペーサー(ハイミラン、三井デュポン社)で封止した。得られたセルの中に、ヨウ素 40mM,Lil 500mM,t−Butylpyridine 580mMのアセトニトリル溶液からなる電解液を注入して、5mm角の電池(電池セル)を作製した。
作製した太陽電池特性を、ソーラーシミュレータを用いAM1.5、100mW/cm2の擬似太陽光を色素増感太陽電池に照射し、測定して評価したところ、10.7%の効率を得た。
[0041]
(実施例2)
酸化亜鉛のテトラポット型結晶(商品名パナテトラ:松下電工)をそのまま使用する方法に代えて、酸化亜鉛のテトラポット型結晶(パナテトラ:松下電工社製)を粉砕し、針状になった酸化亜鉛結晶を用いたほかは、実施例1と同様の方法で5mm角および50mm角の電池を作製した。
作製した5mm角の太陽電池特性を実施例1と同様の方法で評価したところ
、10.7%の効率を得た。また、作製した50mm角の効率は8%であり、大面積化しても性能の低下は少なかった。
[0042]
(比較例1)
透明導電膜基板(日本板ガラス社製 lowEガラス)にチタニアペースト(HTペースト 1層、Dペースト5層 ソラロニクス社製)を20μmの厚みに塗布し、500℃で30分焼成してチタニア(チタニア層、多孔質半導体層)を形成した。この基板を0.05wt%の色素溶液(ブラックダイ ソラロニクス社製 アセトニトリル:tブチルアルコール=1:1)に浸漬した(20時間)。対極には白金スパッタ処理を行ったフッ素ドープ酸化錫ガラス(ソラロニクス社製)を使った。チタニア基板と対極を50μm厚のスペーサー(ハイミラン、三井デュポン社)で封止した。電解液には、ヨウ素 4mM,Lil 500mM,t−Butylpyridine 580mMのアセトニトリル溶液を用いた。
作製した5mm角の太陽電池特性を実施例1と同様の方法で評価したところ、10.5%の効率を得た。また、作製した50mm角の太陽電池を作製したところ、効率は3%であり、大面積化により、性能が大幅に低下した。
[0043]
(実施例3)
PET基板(厚み1mm)にチタニアペースト(P25,水/エタノール混合溶媒)を10μmの厚みに塗布し、150℃で30分加熱し、チタニア(チタニア層、多孔質半導体層)を形成した。この基板に酸化亜鉛のテトラポット型結晶(商品名パナテトラ 最大寸法の範囲2〜20μm 松下電工社製)をチタニア表面にエレクトロスプレイ法により分散した。この後、スパッタによりTi膜を形成した(膜厚300nm)。残存する酸化亜鉛球を希塩酸でリンスすることにより、取り除いた。これにより、ポーラスなTi層を作製した。
ついで、0.05wt%の色素溶液(ブラックダイ ソラロニクス社製 アセトニトリル:tブチルアルコール=1:1)に上記のTi層を形成した基板を浸漬した(20時間)。
対極には白金スパッタ処理を行ったチタン板(ソラロニクス社製)を使った。Ti層を形成した基板と対極を25μm厚のスペーサー(ハイミラン、三
実施例1で調製した、焼成したチタニア上にポーラスなTi層を形成した基板を500℃で30分さらに加熱した後に色素溶液を含浸したほかは、実施例1と同様の方法で5mm角の電池(電池セル)を作製し、太陽電池特性を測定、評価した。得られた電池の効率は3.6%であった。
[0047]
(参考例3)
ガラス基板にチタニアペースト(HTペースト 1層、Dペースト5層 ソラロニクス社製)を20μmの厚みに塗布し、100℃で30分加熱して乾燥チタニア層を形成した。基板のチタニア表面に酸化亜鉛のテトラポット型結晶(商品名パナテトラ 最大寸法の範囲2〜20μm:松下電工社製)をエレクトロスプレイ法により分散した。この後、スパッタによりTi膜(Ti層)を形成した(膜厚300nm)。残存するテトラポット型結晶を希塩酸でリンスすることにより、取り除いた。これにより、ポーラスなTi層を作製した。さらに、乾燥チタニア層およびポーラスなTi層が一体化された基板を500℃で30分加熱することで、乾燥チタニア層を焼成した。
その後は、実施例1と同様の方法で5mm角の電池(電池セル)を作製し、太陽電池特性を測定、評価した。得られた電池の効率は3.5%であった。
[0048]
図3中、(A)に、実施例1のポーラスTi電極(ポーラスTi層)を使った場合のチタニアの色素吸着状態を示す。ポーラスTi電極を介して色素が速やかにチタニアに拡散し、チタニアの全面に吸着している。一方、図3中、(B)に、ポーラスTi電極に代えて従来の方法で緻密なTi層をガラス基板上に形成した場合のガラス基板の色素吸着状態を示す。緻密なチタン層のために、色素がTi層をほとんど通過できず、ガラス基板のごく一部(図3(B)中、島状に散在する部分)のみ吸着している。
[0049]
図4に、実施例1、2においてスパッタリングにより形成したTi層のシート抵抗とTi層の厚みとの関係を示す。これより、Ti層の厚みを増すにつれてシート抵抗の値が大幅に低下し、Ti層の厚みが200nm以上ではシート抵抗が10(Ω/□)以下の低い値が得られることが分かる。
Claims (9)
- 透明基板と、該透明基板上に配置される、色素を吸着した多孔質半導体層と、該多孔質半導体層の内部または該透明基板とは反対側の表面に配置され、深い孔状の多数の貫通孔が不規則に形成されるとともに外部電極に電気的に接続される導電性金属膜と、該透明基板と対向して設けられる導電性基板を備え、該導電性金属膜と該導電性基板の間に電解質を有することを特徴とする色素増感太陽電池。
- 前記導電性金属膜の厚みが100nm以上であることを特徴とする請求項1記載の色素増感太陽電池。
- 前記導電性金属膜の材料が耐食性金属であることを特徴とする請求項1記載の色素増感太陽電池。
- 前記耐食性金属が、タングステン、チタンおよびニッケルから選ばれる1または2種以上またはこれらの化合物であることを特徴とする請求項3記載の色素増感太陽電池。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の色素増感太陽電池の製造方法であって、
加熱によりまたは溶剤洗浄により除去可能な、形状異方性を有する微粒子を多孔質半導体層上に配置して微粒子層を形成する微粒子層形成工程と、
該微粒子層上に導電性金属膜を形成する導電性金属膜形成工程と、
加熱によりまたは溶剤洗浄により該微粒子層を消失させる微粒子層消失工程と、
を有することを特徴とする色素増感太陽電池の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の色素増感太陽電池の製造方法であって、
多孔質半導体材料と、加熱によりまたは溶剤洗浄により除去可能な、形状異方性を有する微粒子との混合層を多孔質半導体層上に形成する混合層形成工程と、
該混合層の表面に導電性金属膜を形成する導電性金属膜形成工程と、
加熱によりまたは溶剤洗浄により該微粒子を消失させる微粒子層消失工程と、
を有することを特徴とする色素増感太陽電池の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の色素増感太陽電池の製造方法であって、
導電性金属と、加熱によりまたは溶剤洗浄により除去可能な、形状異方性を有する微粒子との混合層を多孔質半導体層上に形成する混合層形成工程と、
加熱によりまたは溶剤洗浄により該微粒子を消失させる微粒子層消失工程と、
を有することを特徴とする色素増感太陽電池の製造方法。 - 前記多孔質半導体層とは別の多孔質半導体層を前記導電性金属膜の表面に形成する多孔質半導体層積層工程をさらに有することを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載の色素増感太陽電池の製造方法。
- 前記形状異方性を有する微粒子が、多面体の頂点を先端とする多数の足を有する微粒子または針状微粒子であることを特徴とする請求項5〜8のいずれか1項に記載の色素増感太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009545348A JP5388209B2 (ja) | 2007-12-11 | 2008-12-10 | 色素増感太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007319802 | 2007-12-11 | ||
JP2007319802 | 2007-12-11 | ||
PCT/JP2008/003682 WO2009075101A1 (ja) | 2007-12-11 | 2008-12-10 | 色素増感太陽電池およびその製造方法 |
JP2009545348A JP5388209B2 (ja) | 2007-12-11 | 2008-12-10 | 色素増感太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009075101A1 true JPWO2009075101A1 (ja) | 2011-04-28 |
JP5388209B2 JP5388209B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=40755349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009545348A Expired - Fee Related JP5388209B2 (ja) | 2007-12-11 | 2008-12-10 | 色素増感太陽電池の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2237362A4 (ja) |
JP (1) | JP5388209B2 (ja) |
KR (1) | KR20100089824A (ja) |
CN (1) | CN101897075B (ja) |
WO (1) | WO2009075101A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10290759B2 (en) * | 2017-03-10 | 2019-05-14 | Fujico Co., Ltd. | Back contact type perovskite photoelectric conversion element |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5150818B2 (ja) | 2006-06-29 | 2013-02-27 | 国立大学法人九州工業大学 | 色素増感太陽電池およびその製造方法 |
JP2010225317A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 色素増感型太陽電池用積層体、色素増感型太陽電池素子、色素増感型太陽電池モジュール、および色素増感型太陽電池用積層体の製造方法 |
JP5439883B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-03-12 | 大日本印刷株式会社 | 色素増感型太陽電池用積層体、色素増感型太陽電池素子、色素増感型太陽電池モジュール、および色素増感型太陽電池用積層体の製造方法 |
JP5589164B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2014-09-17 | 新日鉄住金化学株式会社 | 色素増感太陽電池およびその製造方法 |
TWI505482B (zh) * | 2009-06-24 | 2015-10-21 | Nippon Steel & Sumikin Chem Co | Pigment sensitized solar cells |
EP2565980A1 (en) * | 2010-04-29 | 2013-03-06 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. | Dye-sensitized solar cell and dye-sensitized solar cell module |
CN103038892A (zh) * | 2010-06-17 | 2013-04-10 | 聚合物Crc有限公司 | 电极和染料敏化太阳能电池 |
JP5699828B2 (ja) * | 2011-07-05 | 2015-04-15 | 国立大学法人九州工業大学 | 色素増感太陽電池用アノードの製造方法 |
WO2013094446A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | シャープ株式会社 | 光電変換素子 |
WO2013169004A1 (ko) | 2012-05-08 | 2013-11-14 | 주식회사 엘지화학 | 염료감응형 태양전지 및 이의 제조방법 |
KR101530547B1 (ko) * | 2015-02-04 | 2015-06-22 | 부경대학교 산학협력단 | 배면집전형 대면적 염료감응형 태양전지 셀 |
TWI651862B (zh) * | 2017-06-05 | 2019-02-21 | 國立成功大學 | 太陽能電池的製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4415448B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2010-02-17 | パナソニック電工株式会社 | 光電変換素子 |
JP4578695B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2010-11-10 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子の作成方法 |
EP1463073A1 (en) * | 2003-03-24 | 2004-09-29 | Sony International (Europe) GmbH | Porous film having a gradient of light scattering strength |
JP2005196982A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 色素増感型太陽電池 |
JP2005302321A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Bridgestone Corp | 金属酸化物半導体膜の形成方法、色素増感型金属酸化物半導体電極及び色素増感型太陽電池 |
JP4887664B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2012-02-29 | ソニー株式会社 | 多孔質構造体の製造方法及び光電変換素子の製造方法 |
JP2007073505A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-03-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 光電変換素子 |
KR100786868B1 (ko) * | 2005-11-03 | 2007-12-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
JP5070704B2 (ja) * | 2006-01-23 | 2012-11-14 | ソニー株式会社 | 光電変換装置 |
-
2008
- 2008-12-10 JP JP2009545348A patent/JP5388209B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-10 WO PCT/JP2008/003682 patent/WO2009075101A1/ja active Application Filing
- 2008-12-10 EP EP08858598A patent/EP2237362A4/en not_active Withdrawn
- 2008-12-10 CN CN200880120454.5A patent/CN101897075B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-10 KR KR1020107008116A patent/KR20100089824A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10290759B2 (en) * | 2017-03-10 | 2019-05-14 | Fujico Co., Ltd. | Back contact type perovskite photoelectric conversion element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101897075B (zh) | 2014-01-29 |
WO2009075101A1 (ja) | 2009-06-18 |
JP5388209B2 (ja) | 2014-01-15 |
EP2237362A4 (en) | 2013-02-27 |
CN101897075A (zh) | 2010-11-24 |
EP2237362A1 (en) | 2010-10-06 |
KR20100089824A (ko) | 2010-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5388209B2 (ja) | 色素増感太陽電池の製造方法 | |
JP5150818B2 (ja) | 色素増感太陽電池およびその製造方法 | |
JP5678345B2 (ja) | 色素増感太陽電池およびその製造方法 | |
JP5589164B2 (ja) | 色素増感太陽電池およびその製造方法 | |
JP2009245750A (ja) | 色素増感太陽電池およびその製造方法 | |
JP5458271B2 (ja) | 色素増感太陽電池およびその製造方法 | |
TWI505482B (zh) | Pigment sensitized solar cells | |
JP5585779B2 (ja) | 色素増感太陽電池 | |
JP4966525B2 (ja) | 色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法 | |
JP2010015830A (ja) | 光電変換素子 | |
JP5685708B2 (ja) | 色素増感太陽電池の製造方法 | |
JP5135520B2 (ja) | 色素増感太陽電池 | |
JP2007172917A (ja) | 光電変換素子 | |
JP2003123855A (ja) | 光電変換素子用光電極 | |
JP5025938B2 (ja) | 色素増感型太陽電池、その対向電極およびその対向電極の製造方法 | |
Wang et al. | Preparation of High Performance Pt Counter Electrodes on Conductive Plastic Substrate for Flexible Dye-Sensitized Solar Cells | |
JP2008243631A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
WO2014157060A1 (ja) | 太陽電池および色素増感太陽電池の製造方法 | |
JP2011243580A (ja) | 色素増感型光電変換装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A529 | Written submission of copy of amendment under section 34 (pct) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A5211 Effective date: 20100329 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111019 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111020 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111109 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130711 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130924 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131003 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |