JPWO2008136284A1 - 多層フィルムの製造方法 - Google Patents

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Abstract

仮基材上に形成された接着剤層を、仮基材の長手方向に沿って所定の間隔を空けて配され接着フィルムとして用いられる複数の部分とそれ以外の部分とに区分されるようにカットする工程と、仮基材上の複数の接着フィルムを、支持フィルムの長手方向に沿って所定の間隔を空けて支持フィルム上に移動させる工程と、を備える多層フィルムの製造方法。仮基材上で隣り合う接着フィルムの間隔は、支持フィルム上で隣り合う接着フィルムの間隔とは異なる。

Description

本発明は、支持フィルム上に設けられた複数の接着フィルムを有する多層フィルム、さらには、支持フィルム上に設けられた複数の接着フィルム及び粘着フィルムを有する多層フィルムの製造方法に関する。
支持フィルム上に形成された複数の接着フィルム及び粘着フィルムを有する多層フィルムとして、例えば、ダイボンディング用の接着剤層及びダイシング用の粘着剤層が支持フィルム上に形成されたダイボンドダイシング一体型フィルムがある。
このような多層フィルムは、例えば、支持フィルム及び該支持フィルム上に所定の間隔を空けて形成された接着剤層を有するダイボンディングフィルムと、基材フィルム及び該基材フィルム上に形成された粘着剤層を有するダイシングフィルムとを、接着剤層及び粘着剤層を内側にして貼り合わせる方法により製造される(特許文献1)。
特開2004−221336号公報
所定の間隔を空けて配された複数の接着剤層は、支持フィルムの片面全面を覆う接着剤層を一旦形成し、その後その一部を残して不要部分を除去する方法により形成させることが可能であり、生産効率等の点から、工業的にはそのような方法を採用することが望ましい。
しかし、従来の方法で多層フィルムを製造する場合、最終製品において必要とされる間隔を空けて支持フィルム上に接着フィルムを形成する必要があるため、接着剤層のうち不要部分として廃棄される部分の量が多くなる場合があるという問題があった。特に、ダイボンディング用の接着フィルムのように高価な材料を用いる場合、不要部分として廃棄される部分の量を少しでも減少させることが工業上強く求められる。
また、従来の方法で多層フィルムを製造する場合、支持フィルム上で接着フィルムをカットする必要があるため、接着フィルムをカットする際に支持フィルムの表面に接着フィルムの外周に沿うカット傷が発生してしまうという問題があった。カット傷があるとその部分にフィルム塵等の異物が付着し易くなることから、カット傷の発生を抑制することが強く望まれる。
そこで、本発明は、支持フィルム上に設けられた複数の接着フィルムを有する多層フィルムの製造において、最終製品における間隔とは異なる任意に設定された間隔で又は間隔を空けずに複数の接着フィルムを効率的に形成することと、支持フィルムの表面におけるカット傷の発生を抑制することを可能にする方法を提供することを目的とする。
本発明は、支持フィルムと、支持フィルムの長手方向に沿って支持フィルム上に配された複数の接着フィルムと、を備える多層フィルムの製造方法に関する。本発明に係る製造方法は、仮基材上に形成された接着剤層を、仮基材の長手方向に沿って所定の間隔を空けて又は間隔を空けずに配され接着フィルムとして用いられる複数の部分とそれ以外の部分とに区分されるようにカットする工程(A)と、仮基材上の接着フィルムを、支持フィルムの長手方向に沿って所定の間隔を空けて支持フィルム上に移動させる工程(B)と、を備える。接着フィルムとして用いられる複数の部分が仮基材の長手方向に沿って所定の間隔を空けて配されるとき、仮基材上で隣り合う接着フィルムの間隔は、支持フィルム上で隣り合う接着フィルムの間隔とは異なる。
上記本発明に係る製造方法では、多層フィルムを構成する複数の接着フィルムを一旦仮基材上に形成し、その後形成された接着フィルムを支持フィルム上に移動させる。したがって、最終製品における間隔とは異なる任意に設定された間隔で又は間隔を空けずに配されるように接着フィルムを形成することができる。
また、本発明に係る製造方法では、接着剤層を仮基材上でカットし、形成された接着フィルムを支持フィルム上に移動させるため、支持フィルム表面におけるカット傷の発生を抑制することができる。
本発明に係る製造方法は、工程(A)と工程(B)の間に、仮基材上の接着剤層のうち接着フィルム以外の部分の一部又は全部を除去して、接着フィルムを仮基材上に残す工程(C)を更に備えていてもよい。これにより、仮基材上の接着フィルムをより容易に支持フィルムに移動させることができる。
接着フィルムとして用いられる複数の部分が仮基材の長手方向に沿って所定の間隔を空けて配されるとき、仮基材上で隣り合う接着フィルムの間隔が、支持フィルム上で隣り合う接着フィルムの間隔よりも狭いことが好ましい。この場合、最終製品において必要とされる間隔よりも狭い間隔で高密度に配されるように接着フィルムが仮基材上に形成される。その結果、不要部分として除去される接着剤層の量が小さくなる。
上記多層フィルムは、接着フィルム上に設けられた、接着フィルムの外周から張り出した張り出し部を有する粘着フィルムを更に備えていてもよい。この場合、本発明に係る製造方法は、好ましくは、接着フィルムと粘着剤層とを貼り合わせる工程(a)と、接着フィルム上の粘着剤層を、粘着フィルムとして用いられる複数の部分とそれ以外の部分とに区分されるようにカットする工程(b)と、粘着剤層のうち粘着フィルム以外の部分の一部又は全部を除去して、粘着フィルムを接着フィルム上に残す工程(c)と、を更に備える。
例えば、接着フィルムと粘着剤層とを貼り合わせることにより、粘着剤層の長手方向に沿って、仮基材上で隣り合う接着フィルムの間隔とは異なる所定の間隔を空けて、仮基材上の複数の接着フィルムを粘着剤層上に移動させ、その後、粘着剤層上の接着フィルムと支持フィルムとを貼り合せることにより、複数の接着フィルムを粘着剤層に貼り合わせた状態で、支持フィルムの長手方向に沿って所定の間隔を空けて支持フィルム上に移動させてもよい。この場合、工程(a)は工程(B)に含まれ、工程(b)及び(c)は工程(B)の後工程となる。また、例えば、工程(B)で支持フィルム上に移動した接着フィルムを、支持フィルムに貼り合わせた状態で、粘着剤層に貼り合わせてもよい。この場合、工程(a)、(b)及び(c)は、工程(B)の後工程となる。
上記粘着フィルムを有する多層フィルムの場合、粘着フィルムの張り出し部の場所を確保するために接着フィルム同士の間隔を大きく広げる必要があるが、このような場合であっても、本発明によれば不要部分として除去される接着剤層の量を少なく維持することができる。
工程(c)においては、粘着剤層を、粘着フィルムとして用いられる複数の部分と該部分のそれぞれを囲む部分とそれら以外の部分とに区分されるようにカットし、粘着剤層のうち複数の粘着フィルムのそれぞれを囲む部分を除去して、接着フィルム上に粘着フィルムを残すことが好ましい。この場合、得られる多層フィルムにおいて、支持フィルムが露出した部分が粘着フィルムの周囲に形成される。これにより、接着フィルム及び粘着フィルムを有する積層体を用いる際に支持フィルムからの剥離が容易になるなど、多層フィルムの取扱い性が改善される。
本発明に係る製造方法においては、例えば、接着フィルムがダイボンディング用の接着フィルムであり、粘着フィルムがダイシング用の粘着フィルムであってもよい。
本発明に係る製造方法は、仮基材上の接着フィルムの外観を検査する工程を更に備えていてもよい。この場合、例えば、仮基材上の複数の接着フィルムのうち、接着フィルムの外観を検査する工程により良品と判定されたもののみ、支持フィルム上に移動させることにより、最終製品中への不良品の混入を防ぐことができる。
本発明によれば、支持フィルム上に設けられた複数の接着フィルムを有する多層フィルムの製造において、最終製品における間隔とは異なる任意に設定された間隔で又は間隔を空けずに複数の接着フィルムを効率的に形成することが可能になる。その結果、例えば、不要部分として除去される接着剤層の量を少なくすることが可能になり、廃棄物の減量や製造コストの削減が図られる。また、本発明によれば、支持フィルム表面におけるカット傷の発生及びこれに起因するフィルム塵等の異物の残存を抑制することが可能になる。
多層フィルムの一実施形態を示す平面図である。 図1のII−II線に沿った端面図である。 半導体ウェハをダイシングする工程を示す端面図である。 多層フィルムの製造方法の一実施形態を示す模式図である。 多層フィルムの製造方法の一実施形態を示す模式図である。 多層フィルムの製造方法の一実施形態を示す模式図である。 多層フィルムの製造方法の一実施形態を示す模式図である。 多層フィルムの製造方法の一実施形態を示す模式図である。
符号の説明
1…多層フィルム、3…積層体(ダイボンドダイシング一体型フィルム)、5…半導体ウェハ、7…リングフレーム、9…ダイシングフィルム、10…支持フィルム、11…仮基材、12…ベースフィルム、13…カバーフィルム、21…接着剤層、21a…接着フィルム、22…粘着剤層、22A…張り出し部、22a…粘着フィルム、31,32…カッター、40…剥離板、50,51…吸着パッド、80…検査部、90…露出部。
以下、本発明の好適な実施形態について必要により図面を参照して詳細に説明する。図中、同一又は同等の構成要素については同一符号を付し、重複する説明は適宜省略される。
図1は、多層フィルムの一実施形態を示す平面図であり、図2は図1のII−II線に沿った端面図である。図1、2に示す多層フィルム1は、長尺の支持フィルム10と、円形の主面を有する複数の接着フィルム21aと、複数の接着フィルム21aそれぞれの支持フィルム10とは反対側の面上に積層された粘着フィルム22aと、粘着フィルム22aを覆うベースフィルム12aとから構成される。
接着フィルム21aは支持フィルム10の長手方向に沿って所定の間隔D2を空けて支持フィルム10上に配されている。接着フィルム21aは半導体素子を半導体素子搭載用基板に接着するために用いられるダイボンディング用の接着フィルムである。粘着フィルム22a及びベースフィルム12aは接着フィルム21aの主面よりも大きな面積を有する円形の主面を有しており、粘着フィルム22aは接着フィルム21a主面の外周から張り出したリング状の張り出し部22Aを有している。粘着フィルム22aは半導体ウェハをダイシングにより個片化する際に半導体ウェハを固定するために用いられるダイシング用の粘着フィルムである。
接着フィルム21a、粘着フィルム22a及びベースフィルム12aがこの順で積層された積層構成を有する積層体3が支持フィルム10から剥離され、ダイボンディング及びダイシングの両機能を兼ね備えたダイボンドダイシング一体型フィルムとして用いられる。積層体3の剥離を容易にするため、積層体3の周囲には支持フィルム10が露出したリング状の露出部90が設けられている。露出部90よりも更に外側の部分の支持フィルム10上には、粘着剤層の一部22b及びベースフィルム12bが積層されている。なお、図では簡略化のため粘着フィルム22aの張り出し部22Aが支持フィルム10から離れた状態で示されているが、張り出し部22Aも通常は部分的に支持フィルム10と接した状態となっている。
図3は、積層体(ダイボンドダイシング一体型フィルム)3を用いて半導体ウェハをダイシングする工程の一実施形態を示す端面図である。接着フィルム21aが半導体ウェハ5に貼り付けられるとともに、半導体ウェハ5の周囲を囲んで設けられたリングフレーム7に粘着フィルム22aの張り出し部22Aが貼り付けられる。張り出し部22Aの粘着力によってリングフレーム7に対してダイボンドダイシング一体型フィルム3が固定される。この状態で半導体ウェハ5が図中の破線Aに沿って接着フィルム21aとともに格子状にダイシングされる。ダイシングの後、必要により光照射により粘着フィルム22aの粘着力を減少させ、個片化された半導体ウェハ(半導体チップ)がその片面に貼りつけられた接着フィルム21aとともにピックアップされる。ピックアップされた半導体チップは接着フィルム21aを介して半導体搭載用基板に接着される。
図4、5は、多層フィルム1の製造方法の一実施形態を示す模式図である。図4に示す実施形態に係る製造方法は、仮基材11の片面全面を覆って形成された接着剤層21を、仮基材11の長手方向に沿って所定の間隔D1を空けて配され接着フィルム21aとして用いられる複数の部分とそれ以外の部分とに区分されるようにカットする工程と、仮基材11上の接着剤層21のうち接着フィルム21a以外の部分を除去する工程と、仮基材11上の接着フィルム21aを、粘着剤層22の長手方向に沿って間隔D2を空けて粘着剤層22上に移動させる工程と、粘着剤層22上に移動された接着フィルム21a上に支持フィルム10を貼り合わせる工程とを備える。仮基材11上で隣り合う接着フィルム21aの間隔D1は、支持フィルム10上で隣り合う接着フィルム21aの間隔D2よりも狭い。図5に示す実施形態に係る製造方法は、さらに、接着フィルム21a上の粘着剤層22及びベースフィルム12を、粘着フィルム22aとして用いられる複数の部分と該部分を囲むリング状の部分22cとそれら以外の部分とに粘着剤層22が区分されるようにカットする工程と、粘着剤層22のうちリング状の部分22cを該リング状の部分22c上の部分のベースフィルム12cとともに除去する工程とを備える。
接着剤層21は、例えば、接着剤及び該接着剤が溶解又は分散している溶剤を含有する接着剤溶液を仮基材11上に塗付し、塗布された接着剤溶液から溶剤を除去する方法により仮基材11上に形成される。仮基材11としては樹脂フィルムが好ましく用いられ、特に、シリコーン系の離型剤により離型処理を施されたポリエチレンテレフタレートフィルムが好適である。接着剤層21は、通常、カバーフィルム13に覆われた状態で供給される。
カバーフィルム13をロール61の外周面を走行させて接着剤層21から剥離した後、円形の刃を有するカッター31を用いて接着剤層21を円形にカットする。この時、仮基材11が完全には切断されないように、接着剤層21のみ切断される。接着フィルム21aとして残す円形の部分以外の部分である接着剤層の一部21bは、カッター31の下流側に設けられたロール63の外周面を経て除去される。接着剤層の一部21bの除去後、所定の間隔D1を空けて配された接着フィルム21aが仮基材11上に残される。
間隔D1は最終製品としての多層フィルム1における隣り合う接着フィルム21a同士の間隔D2に依存することなく、任意に設定することが可能である。本実施形態の場合、間隔D1は間隔D2よりも小さく設定されている。
間隔D1を小さくして接着フィルム21aを高密度に形成することにより、不要部分として除去される接着剤層の一部21bの量が大きく減少する。特に、本実施形態のようにダイボンディング用に用いられる接着剤は一般に高価であり、不要部分の削減によるメリットが大きい。また、上述のようにダイシングの際にリングフレームへの貼り付けに用いられる張り出し部22Aのスペースを確保するためには多層フィルム1における接着フィルム21a同士の間隔D2を比較的大きくとる必要があるため、本発明によるメリットは極めて大きい。
好ましくは、間隔D1(隣り合う接着フィルム同士の最短距離)は0〜60mmの範囲で設定される。仮基材11上で隣り合う接着フィルム21aは、間隔を空けずに、すなわち間隔D1=0となるように配されていてもよい。間隔D1がこの範囲より大きいと不要部分として除去される接着剤層の一部21bの量が多くなって、本発明による効果が小さくなる。
間隔D2は、間隔D1によらずに調整することが可能であり、複数の間隔D2は個々に異ならせることができる。
図4、5に示す実施形態では、接着フィルム21aを支持フィルム10上に移動させる工程は、接着フィルム21aと粘着剤層22とを貼り合わせる工程と同時進行的に行われる。接着フィルム21aは仮基材11から粘着剤層22に貼り替えられ、粘着剤層22上の接着フィルム21aに対して支持フィルム10が貼り付けられる。係る一連のプロセスを経て、接着フィルム21aは仮基材11上から支持フィルム10上へ移動する。ここで、接着フィルム21aが支持フィルム10及び粘着剤層22に貼り合わせられる順序は、どちらが先であってもよく、両者が同時に貼り合わせられてもよい。すなわち、図4の実施形態のように仮基材11上の接着フィルム21aを粘着剤層22と貼り合わせて粘着剤層22上に移動させた後、粘着剤層22上の接着フィルム21aに支持フィルム10を貼り合わせるのに代えて、例えば、仮基材11上の接着フィルム21aを支持フィルム10と貼り合わせて支持フィルム10上に移動させた後、支持フィルム10上の接着フィルム21aに粘着剤層22を貼り合わせてもよい。
粘着剤層22は、ベースフィルム12及び粘着剤層22を有するダイシングフィルム9の形態で供給される。粘着剤層22は、ダイシング用のフィルム状粘着剤として通常用いられているものから適宜選択される。原反から巻き出された長尺のダイシングフィルム9はロール66の外周面上を走行する。ロール66と対向してロール65が配置されており、ロール66は矢印Bの方向に沿って移動可能に設置されている。接着剤層21aを載せた仮基材11はロール65の外周面上を走行し、接着フィルム21aがロール65,66の間に到達した時に、ロール66がロール65に向かって加圧される。これにより、接着フィルム21aが粘着剤層22に転写される。接着フィルム21aがロール65,66の間を通過後、ロール66はロール65から離れるように矢印Bの方向に沿って移動し、次の接着フィルム21aが到達するまで所定の位置で待機する。接着フィルム21aから剥離された仮基材11はロール65の外周面を経て排出される。
ロール65,66の上流側には、接着フィルム21aの外観の状態を検出可能なCCDカメラ等の検査部80が設置されており、検査部80により接着フィルム21aの外観が検査される。検査の結果不良と判定された接着フィルム21aが転写用のロール65,66間を通過する際には、ロール66がロール65から離れた位置を維持し、不良の接着フィルム21aは粘着剤層22に転写されることなく仮基材11とともに排出される。言い換えると、仮基材11上の複数の接着フィルム21aのうち、接着フィルム21aの外観を検査する工程により良品と判定されたもののみ、支持フィルム10上に移動する。接着フィルム21aの良否は、所望の製品仕様等に応じて予め設定された基準に基づいて判定される。これにより、不良の接着フィルム21aを実質的に含まない多層フィルム1を得ることが可能になる。
粘着剤層22と貼り合わせられた接着フィルム21aに対して、ロール68の外周面を経て供給された支持フィルム10が貼り付けられる。ロール68により支持フィルム10が粘着剤層22に対して圧着される。その後、図5に示されるように、リング状に設けられた刃を有するカッター32により、リング状の露出部90の形状に沿って粘着剤層22及びベースフィルム12が切断(カット)される。リング状の粘着剤層の一部22c及びベースフィルムの一部12cがロール69の外周面を経て除去され、粘着フィルム22aが形成される。以上の工程により、図1、2に示される多層フィルム1が得られる。
支持フィルム10としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の樹脂フィルムが好適に用いられる。支持フィルム上に接着剤溶液を塗布する工程を経て支持フィルム上に接着フィルムを形成する場合、接着フィルムの支持フィルムからの十分な離型性を確保することは一般に困難である。離型性が不足すると、接着フィルムを含む積層体を支持フィルムから剥離する際に、接着フィルムと粘着フィルムとが剥がれてしまう場合がある。そのため、支持フィルムの表面は離型処理されていることが通常必要とされる。しかし、シリコーン系離型剤等の離型剤の層が支持フィルムの接着フィルム側の表面に形成されていると、粘着フィルムの張り出し部のうち支持フィルムに接触した部分の表面に離型剤が転写されて、張り出し部の粘着力が低下する可能性がある。更には、離型剤の混入によって接着フィルムの特性が低下したり、離型剤により半導体素子等が汚染されたりする可能性がある。
これに対して、本実施形態の場合、支持フィルム10に接着剤溶液を塗布することはなく、仮基材11上で形成された接着フィルム21aが支持フィルム10に転写されるため、支持フィルム10の接着フィルム21a側の表面は離型処理を施されていなくても、接着フィルム21aの支持フィルム10からの剥離性を良好なものとすることが可能である。したがって、本実施形態によれば、接着フィルム21aの支持フィルム10からの十分な離型性を維持しつつ、接着フィルム21a側の表面に離型剤が実質的に付着していない支持フィルム10を採用することが可能である。支持フィルム10の離型処理が不要であることから、本実施形態によれば上記のような問題の発生を回避することできる。なお、接着フィルム10と仮基材11との密着性がある程度強かったとしても接着フィルム10の貼り替えは可能であるため、仮基材11の離型処理は必ずしも必要とされない。
また、支持フィルム上に接着剤溶液を塗布する工程を経て支持フィルム上に接着フィルムを形成する場合、支持フィルム上に残された接着フィルム周囲において支持フィルム上に接着剤層の一部が残存する場合がある。特に、支持フィルムが離型処理されていないと接着剤層が残存し易い。残存した接着剤が粘着フィルムの張り出し部に転写されて、張り出し部の粘着性が低下する可能性がある。本実施形態によればそのような問題も解消される。
さらに、支持フィルム上に接着剤溶液を塗布する工程を経て支持フィルム上に接着フィルムを形成する場合、支持フィルム上で接着フィルムをカットする必要があるため、接着フィルムをカットする際に支持フィルム表面にカット傷が発生し易い。このカット傷があると、接着フィルムの周囲において支持フィルム表面にフィルム塵等の異物が残存する場合がある。本実施形態によれば、このようなカット傷の発生及び異物の残存を抑制することができる。
図6、7及び8は、多層フィルム1の製造方法の他の実施形態を示す模式図である。図6に示す実施形態では、図4におけるロール63に代えて、鋭角を有する形状の断面を有する剥離板40の鋭角部分に添わせることにより仮基材11が除去される。仮基材11の除去とともに、対向配置された1対のロール70,71間に接着フィルム21aが挿入される。ロール70の外周面にはダイシングフィルム9が、ロール71の外周面には支持フィルム10が、それぞれ供給される。1対のロール70,71間で接着フィルム21aが粘着剤層22及び支持フィルム10の間に挿入される。
図7に示す実施形態では、仮基材11上の接着剤層21がカッター31を用いたカットによりカバーフィルム13とともに円形にカットされる。接着フィルム21a及び該接着フィルム21a上にあるカバーフィルム13aを残して、不要部分である接着剤層の一部21b及びカバーフィルムの一部13bがロール72の外周面を経て除去される。その後、鋭角を有する形状の断面を有する剥離板40の鋭角部分に添わせることにより仮基材11が除去される。仮基材11の除去とともに、接着フィルム21a及びカバーフィルム13aが、ロール74を経て供給されたダイシングフィルム9の粘着剤層22に貼り付けられる。剥離板40の下流側において、ダイシングフィルム9を挟んで接着フィルム21aの反対側の位置に吸着パッド50が設けられており、吸着パッド50の作用によってダイシングフィルム9が吸着パット50上に吸着される。吸着パッド50は、静電気、真空圧等の作用によりダイシングフィルム9を吸引する。吸着パッド50に吸着されたダイシングフィルム9上に、ロール75によって接着フィルム21aが圧着される。その後、カバーフィルム13aが除去され、露出した接着フィルム21a上に支持フィルム10がロール76により積層される。
図8に示す実施形態では、接着フィルム21a及びカバーフィルム13aからなる積層体から仮基材11がロール77により剥離される。仮基材11が剥離される位置で、該積層体の仮基材11とは反対側に待機する吸着パッド51に該積層体が吸着される。接着フィルム21a及びカバーフィルム13aからなる積層体を載せた吸着パッド51が下流側に移動し、ロール78により供給されるダイシングフィルム9の粘着剤層22に接着フィルム21aが貼り付けられる。その後、カバーフィルム13aが除去され、露出した接着フィルム21a上に支持フィルム10がロール76により積層される。
図6〜8により示される工程の後、図5の実施形態と同様にして、粘着フィルム22aが形成される。
本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜変形が可能である。例えば、仮基材の幅が、支持フィルムの幅より小さくてもよい。これにより、接着剤層の不要部分を幅方向においても削減することが可能になる。また、接着フィルムが仮基材から支持フィルムへ移動し、粘着フィルムが接着フィルム上に形成されるような一連のプロセスであれば特に制限なく採用することができ、各構成部材の貼り付けや貼り替えの順番等は適宜変更され得る。
本発明によれば、支持フィルム上に設けられた複数の接着フィルムを有する多層フィルムの製造において、最終製品における間隔とは異なる任意に設定された間隔で又は間隔を空けずに複数の接着フィルムを効率的に形成することが可能になる。その結果、例えば、不要部分として除去される接着剤層の量を少なくすることが可能になり、廃棄物の減量や製造コストの削減が図られる。また、本発明によれば、支持フィルム表面のカット傷の発生及びこれに起因するフィルム塵等の異物の残存を抑制することが可能になる。

Claims (11)

  1. 支持フィルムと、前記支持フィルムの長手方向に沿って前記支持フィルム上に配された複数の接着フィルムと、を備える多層フィルムの製造方法において、
    仮基材上に形成された接着剤層を、前記仮基材の長手方向に沿って所定の間隔を空けて又は間隔を空けずに配され前記接着フィルムとして用いられる複数の部分とそれ以外の部分とに区分されるようにカットする工程(A)と、
    前記仮基材上の複数の前記接着フィルムを、前記支持フィルムの長手方向に沿って所定の間隔を空けて前記支持フィルム上に移動させる工程(B)と、を備え、
    前記接着フィルムとして用いられる複数の部分が前記仮基材の長手方向に沿って所定の間隔を空けて配されるとき、前記仮基材上で隣り合う前記接着フィルムの間隔が、前記支持フィルム上で隣り合う前記接着フィルムの間隔とは異なる、製造方法。
  2. 前記工程(A)と前記工程(B)の間に、前記仮基材上の前記接着剤層のうち前記接着フィルム以外の部分の一部又は全部を除去して、前記接着フィルムを前記仮基材上に残す工程(C)を更に備える、請求項1記載の製造方法。
  3. 前記接着フィルムとして用いられる複数の部分が前記仮基材の長手方向に沿って所定の間隔を空けて配され、前記仮基材上で隣り合う前記接着フィルムの間隔が、前記支持フィルム上で隣り合う前記接着フィルムの間隔よりも狭い、請求項1記載の製造方法。
  4. 前記支持フィルムが、前記接着フィルムの外周に沿うカット傷を実質的に有しない、請求項1記載の製造方法。
  5. 前記多層フィルムが、前記接着フィルム上に設けられた、前記接着フィルムの外周から張り出した張り出し部を有する粘着フィルムを更に備え、
    当該製造方法が、
    前記接着フィルムと粘着剤層とを貼り合わせる工程(a)と、
    前記接着フィルム上の前記粘着剤層を、前記粘着フィルムとして用いられる複数の部分とそれ以外の部分とに区分されるようにカットする工程(b)と、
    前記粘着剤層のうち前記粘着フィルム以外の部分の一部又は全部を除去して、前記粘着フィルムを前記接着フィルム上に残す工程(c)と、を更に備える、請求項1記載の製造方法。
  6. 前記工程(a)において、前記接着フィルムと前記粘着剤層とを貼り合わせることにより、前記粘着剤層の長手方向に沿って、前記仮基材上で隣り合う前記接着フィルムの間隔とは異なる所定の間隔を空けて、前記仮基材上の複数の前記接着フィルムを前記粘着剤層上に移動させ、
    前記工程(B)が、前記工程(a)と、
    前記粘着剤層上の前記接着フィルムと前記支持フィルムとを貼り合わせることにより、複数の前記接着フィルムを前記粘着剤層に貼り合わせた状態で、前記支持フィルムの長手方向に沿って所定の間隔を空けて前記支持フィルム上に移動させる工程(d)と、をこの順に含み、
    当該製造方法が、前記工程(B)の後に前記工程(b)及び(c)を備える、請求項5記載の製造方法。
  7. 前記工程(B)の後に前記工程(a)、(b)及び(c)を備え、
    前記工程(a)において、前記工程(B)で前記支持フィルム上に移動した前記接着フィルムを、前記支持フィルムに貼り合わせた状態で、前記粘着剤層に貼り合わせる、請求項5記載の製造方法。
  8. 前記工程(c)において、前記粘着剤層を、前記粘着フィルムとして用いられる複数の部分と該部分のそれぞれを囲む部分とそれら以外の部分とに区分されるようにカットし、前記粘着剤層のうち複数の前記粘着フィルムのそれぞれを囲む部分を除去する、請求項5記載の製造方法。
  9. 前記接着フィルムがダイボンディング用の接着フィルムであり、
    前記粘着フィルムがダイシング用の粘着フィルムである、
    請求項5記載の製造方法。
  10. 前記仮基材上の前記接着フィルムの外観を検査する工程を更に備える、請求項1〜9のいずれか一項に記載の製造方法。
  11. 前記仮基材上の複数の前記接着フィルムのうち、前記接着フィルムの外観を検査する工程により良品と判定されたもののみ、前記支持フィルム上に移動させる、請求項10記載の製造方法。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5322609B2 (ja) * 2008-12-01 2013-10-23 日東電工株式会社 半導体装置製造用フィルムロール
DE102011017689A1 (de) * 2010-08-13 2012-05-10 Tesa Se Verfahren zur Herstellung eines Klebebands mit überstehendem Liner
DE102011080760A1 (de) * 2011-08-10 2013-02-14 Tesa Se Verfahren zur Herstellung eines Klebebands mit überstehendem Liner
JP5996241B2 (ja) * 2012-04-12 2016-09-21 デクセリアルズ株式会社 接着フィルムの貼着装置、接着フィルムの貼着方法、及び接続構造体
CN107078075A (zh) * 2014-11-05 2017-08-18 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于对产品衬底进行涂层的方法和装置
JP2019151745A (ja) * 2018-03-02 2019-09-12 日東電工株式会社 剥離材付き接着シートの巻回体
KR102098466B1 (ko) 2018-04-23 2020-04-07 주식회사 포스코 간격 보정 방법
KR102238757B1 (ko) * 2019-02-26 2021-04-09 구자규 반도체 웨이퍼의 보호필름 제조방법 및 이에 따라 제조된 보호필름

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5411942A (en) * 1977-06-30 1979-01-29 Tokujirou Okui Bothhside tape and method of making same
US4475969A (en) * 1978-01-19 1984-10-09 Avery International Corporation Label roll manufacture
DE2832248A1 (de) 1978-07-22 1980-01-31 Celamerck Gmbh & Co Kg Dispenser fuer die applikation von pheromonen
JPS5991176A (ja) 1982-11-15 1984-05-25 Nitto Electric Ind Co Ltd 両面接着片配付テ−プの製造方法
JPH0457871A (ja) 1990-06-26 1992-02-25 Sekisui Chem Co Ltd 両面粘着テープもしくはフィルム及びその製造方法
US6357503B1 (en) * 1998-06-13 2002-03-19 Pasquini Und Kromer Gmbh Device for producing a strip with self-adhesive labels or other materials with parts placed underneath and a device for laterally guiding edges
US6451154B1 (en) 2000-02-18 2002-09-17 Moore North America, Inc. RFID manufacturing concepts
JP2002052629A (ja) * 2000-08-09 2002-02-19 Sato Corp ラベル連続体の製造方法及び装置
KR100468748B1 (ko) 2002-07-12 2005-01-29 삼성전자주식회사 프리컷 다이싱 테이프와 범용 다이싱 테이프를 웨이퍼에 마운팅할 수 있는 다이싱 테이프 부착 장비 및 이를포함하는 인라인 시스템
JP2004221336A (ja) 2003-01-15 2004-08-05 Hitachi Chem Co Ltd ダイボンドダイシング一体型フィルム
TWI318649B (en) 2003-06-06 2009-12-21 Hitachi Chemical Co Ltd Sticking sheep, connecting sheet unified with dicing tape,and fabricating method of semiconductor device
JP2005162818A (ja) 2003-12-01 2005-06-23 Hitachi Chem Co Ltd ダイシングダイボンドシート
CN100463114C (zh) * 2003-12-15 2009-02-18 古河电气工业株式会社 晶片加工带及其制造方法
JP2006190416A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Fuji Photo Film Co Ltd 光ディスク用のカバー層の打ち抜き装置及び方法と貼り合せ装置及び方法
JP4743707B2 (ja) * 2006-03-27 2011-08-10 大阪シーリング印刷株式会社 多重ラベルの製造装置

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CN101541906A (zh) 2009-09-23
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