JPWO2008035395A1 - 静電チャックの給電構造及びその製造方法並びに静電チャック給電構造の再生方法 - Google Patents
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Abstract
Description
更に、本発明の別の目的は、各種装置で使用された静電チャックの給電構造を再生することで、使用済み静電チャックを有効利用することができる静電チャック給電構造の再生方法を提供することにある。
先ず、貫通孔7内に絶縁保持部材2を介して給電端子3が配設された金属基盤1を準備する。この際、金属基盤1の上面側に給電端子3の一部を突出させて、給電側端部3aを形成させる。そして、この金属基盤1の上面側に、アルミナ、窒化アルミ等のセラミック粉末を溶射して下部絶縁層を形成する。ここで、セラミック粉末の純度については好ましくは99.9〜99.99%であるのがよい。また、下部絶縁層4の膜厚は、装置の使用される環境によっても異なるが、通常200〜500μmとするのがよい。
φ230mm×厚さ48mmのアルミニウム製金属基盤1を用意した。この金属基盤1の上面側の平坦度は10μm以下である。金属基盤1には、上下面を貫通する最大径がφ11.1mmの貫通孔7が形成されており、また、図示外の管路が複数形成されている。管路については、冷却水を用いて金属基盤1を直接冷却することができるものと、静電チャックに載置した半導体ウエハ等の被処理物の裏面にヘリウム等のガスを導くことができるものである。
先ず、使用済み静電チャックから一部手作業を交えながら機械的切削により表面絶縁誘電層6、電極層5、及び下部絶縁層4を除去した。金属基盤1から下部絶縁層4を取り除く際には、0.1〜0.5mmの範囲で金属基盤1の上面側を除去して、平坦性を10μm以下にした。
実施例1と同様の金属基盤1及び給電端子3を準備し、金属基盤1の貫通孔7内に絶縁保持部材2を介して配設した。この際、下部絶縁層4側には気孔率は5〜10%のアルミナ製絶縁保持部材2aを使用した。このアルミナ製絶縁保持部材2aは、後に形成する下部絶縁層4と同じ材質であり、外径が11mm、長さが10mmである。それ以外は実施例1と同じにした。
先ず、実施例2と同様にして、使用済み静電チャックから表面絶縁誘電層6、電極層5、及び下部絶縁層4を除去し、その後、金属基盤1の貫通孔7から使用済みの給電端子及び絶縁保持部材を取り除いた。次いで、金属基盤1の上面側を研磨して0.1〜0.5mmの範囲で取り除き、平坦性を10μm以下にした。また、実施例2と同様に給電端子の給電側端部をボールエンドミルで加工し、先端に直径3mmの頂面3bを形成し、また、側面にはR1mmの曲率半径を有する曲面3cを形成した。
Claims (9)
- 金属基盤の上面側に、金属基盤から近い順に下部絶縁層、電極層及び表面絶縁誘電層を備えてなる静電チャックにおいて、上記金属基盤の上下面間を貫通する貫通孔と、この貫通孔内に配設され、金属基盤の下面側から供給された電圧を上面側に積層された電極層に供給する給電端子と、電気絶縁性材料で形成されて上記貫通孔の内壁と給電端子との間を絶縁すると共に上記給電端子を保持する絶縁保持部材とで構成された静電チャックの給電構造であり、上記給電端子が、金属基盤の上面側に突出する給電側端部を有し、この給電側端部の先端が、上記電極層と下部絶縁層との界面より電極層側であり上記電極層と表面絶縁誘電層との界面以下に位置することを特徴とする静電チャックの給電構造。
- 給電端子の給電側端部が、先端に所定の面積を持つ頂面を有すると共に、先端に向かって漸次縮径する突起状に形成されている請求項1に記載の静電チャックの電極構造。
- 少なくとも下部絶縁層と接する給電端子の給電側端部の側面が、所定の曲率を有した曲面である請求項2に記載の静電チャックの電極構造。
- 給電端子が、金属チタンから形成される請求項1に記載の静電チャックの電極構造。
- 絶縁保持部材が、少なくとも金属基盤の上面側に露出する部分が多孔質セラミックからなり、下部絶縁層が、上記多孔質セラミックに接するようにセラミック粉末を溶射してなる請求項1に記載の静電チャックの電極構造。
- 金属基盤の上面側に、金属基盤から近い順に下部絶縁層、電極層及び表面絶縁誘電層を備えてなる静電チャックにおいて、上記金属基盤の上下面間を貫通する貫通孔と、この貫通孔内に配設され、金属基盤の下面側から供給された電圧を上面側に積層された電極層に供給する給電端子と、電気絶縁性材料で形成されて上記貫通孔の内壁と給電端子との間を絶縁すると共に上記給電端子を保持する絶縁保持部材とで構成される静電チャック給電構造の製造方法であり、貫通孔内に絶縁保持部材を介して給電端子が配設されると共に、金属基盤の上面側に給電端子の一部が突出した金属基盤の上面側に、セラミック粉末を溶射して下部絶縁層を形成する工程と、金属粉末を溶射して、金属基盤の上面側に突出した給電端子の給電側端部の先端を埋設するように、又は給電側端部の先端と面一になるように電極層を形成する工程と、セラミック粉末を溶射して表面絶縁誘電層を形成する工程とを有することを特徴とする静電チャック給電構造の製造方法。
- 絶縁保持部材が、少なくとも金属基盤の上面側に露出する部分が多孔質セラミックからなり、この多孔質セラミックに接して下部絶縁層を形成する請求項6に記載の静電チャック給電構造の製造方法。
- 金属基盤の上面側に、金属基盤から近い順に下部絶縁層、電極層及び表面絶縁誘電層を備えてなる静電チャックにおいて、上記金属基盤の上下面間を貫通する貫通孔と、この貫通孔内に配設され、金属基盤の下面側から供給された電圧を上面側に積層された電極層に供給する給電端子と、電気絶縁性材料で形成されて上記貫通孔の内壁と給電端子との間を絶縁すると共に上記給電端子を保持する絶縁保持部材とで構成される静電チャックの給電構造を再生する方法であり、使用済み静電チャックの金属基盤から表面絶縁誘電層、電極層及び下部絶縁層を除去する工程と、貫通孔内に絶縁保持部材を介して給電端子が配設されていると共に、金属基盤の上面側に給電端子の一部が突出した金属基盤の上面側に、セラミック粉末を溶射して下部絶縁層を形成する工程と、金属粉末を溶射して、金属基盤の上面側に突出した給電端子の給電側端部の先端を埋設するように、又は給電側端部の先端と面一になるように電極層を形成する工程と、セラミック粉末を溶射して表面絶縁誘電層を形成する工程とを有することを特徴とする静電チャック給電構造の再生方法。
- 電極層を形成する工程に先駆けて、給電端子の給電側端部を、先端に所定の面積を持つ頂面を有すると共に先端に向かって漸次縮径する突起状に加工する工程を含む請求項8に記載の静電チャック給電構造の再生方法。
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