JPWO2008007660A1 - ステージ装置及び露光装置 - Google Patents

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Abstract

剛性、強度、又は平面度等の特性を殆ど低下させることなく、一層の軽量化を達成できるステージ装置である。ウエハ(W)をウエハホルダ(25)を介して保持するウエハステージ(WST)をウエハベース(BS)に沿って駆動するウエハステージ系であって、ウエハホルダ(25)を、位置計測用の測長ビーム(LWY)を反射する反射面(56Y)を含む部分を高密度部(25a)、それ以外の部分を低密度部(25b)とした密度分布が一様でない材料から形成し、ウエハステージ(WST)を、気体軸受けを構成する面を含む部分を高密度部(WSTa)、それ以外の部分を低密度部(WSTb)とした密度分布が一様でない材料から形成する。

Description

本発明は、物体を駆動するためのステージ装置、このステージ装置を用いる露光装置、及びこの露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
半導体素子又は液晶表示素子等のデバイス(電子デバイス、マイクロデバイス等)を製造するためのフォトリソグラフィ工程では、レチクル(又はフォトマスク等)に形成された回路パターンを投影光学系を介して感光材料(フォトレジスト等)が塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)上に投影露光するために、ステップ・アンド・リピート方式の静止露光型(一括露光型)の投影露光装置(いわゆるステッパ等)、及びステップ・アンド・スキャン方式の走査露光型の投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ等)等の露光装置が使用されている。これらの露光装置においては、レチクル及びウエハの位置決め及び移動を行うためにそれぞれレチクルステージ系及びウエハステージ系が備えられている。
これらのステージ系において、高い位置決め精度を得るためにはできるだけ剛性(曲げ剛性等)を高くする必要がある。一方、特に走査露光型の投影露光装置のレチクルステージ系において、露光工程のスループットを高めるために可動部の高速駆動を可能とするためには、可動部をできるだけ軽量化する必要がある。さらに、露光装置の運搬を容易にし、露光装置が設置される工場の負荷を軽くするためにも、ステージ系は全体としてできるだけ軽量化することが好ましい。
そこで、ステージ系を軽量化するために、例えばステージ系中の可動部材を薄くした場合、製造技術上の難易度が上がり、製造コストが増加する場合があるとともに、その部材そのものの曲げ剛性や座屈強度は厚さの3乗に反比例して大幅に低下してしまう。従って、剛性や強度を或るレベル以上に維持して軽量化を図るためには、ステージ系の可動部材の材料としては、比剛性(=剛性(弾性率)/単位体積の重量)が同じであれば、密度の小さい材料が有利である。実際には、ステージ系の可動部材は、コストが所定の範囲内で、できるだけ比剛性が高く密度の小さい材料を用いた上で、さらに軽量化を図るために肉抜きやリブ構造の採用等が行われている(例えば、特許文献1参照)。
国際公開第2005/036618号パンフレット
上記の如く比剛性が高く密度の小さい材料を用いることで、ステージ系の剛性及び強度の維持と軽量化とが図られている。しかしながら、最近では、ステージ系及び露光装置として一層の軽量化が求められている。このために、ステージ系の可動部材をさらに薄くすることは、曲げ剛性等の大幅な低下を招くために困難である。
また、最近は、露光装置の投影光学系として大型で重いミラーが用いられることがあるが、露光装置の軽量化を図るためには、このようなミラーについても反射面の平面度を高く維持した上で軽量化することが望まれている。
本発明はこのような課題に鑑み、剛性、強度、又は平面度等の特性を殆ど低下させることなく、一層の軽量化を達成することが可能なステージ装置及び露光装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、その露光装置を用いるデバイス製造技術を提供することをも目的とする。
本発明によるステージ装置は、物体(R;W)が載置される可動部(RST;WST)を駆動するステージ装置であって、その可動部が、密度分布が一様でない材料から形成された所定部材(22;25)を備えたものである。
また、本発明による第1の露光装置は、露光光でパターンを照明し、その露光光でそのパターンを介して基板(W)を露光する露光装置であって、そのパターンが形成されたマスク(R)及びその基板の少なくとも一方を駆動するために、本発明のステージ装置を用いるものである。
また、本発明による第2の露光装置は、照明光学系(IOP)を介して露光光をパターンに照射し、投影光学系(PL)を介してそのパターンの像を基板(W)に露光する露光装置であって、その照明光学系又はその投影光学系のいずれか一方は、反射部材(50)を有し、その反射部材は、反射面(50c)が形成された部分(50a)の密度が他の部分の密度よりも高いものである。
なお、以上の本発明の所定要素に付した括弧付き符号は、本発明の一実施形態を示す図面中の部材に対応しているが、各符号は本発明を分かり易くするために本発明の要素を例示したに過ぎず、本発明をその実施形態の構成に限定するものではない。
本発明のステージ装置及び第1の露光装置によれば、その所定部材のうちで比較的高い剛性、強度、又は平面度等の特性が要求される部分では材料の密度を高くし、それ以外の部分では材料の密度を低くすることで、必要な特性を殆ど低下させることなく、一層の軽量化を達成することができる。
本発明の第2の露光装置によれば、反射面の平面度を高く維持した上で、ミラーを軽量化でき、ひいては露光装置を軽量化できる。
本発明の実施形態の一例の投影露光装置の概略構成を示す一部を切り欠いた図である。 図1の枠状部材18及びレチクルステージRSTの構成を示す斜視図である。 図1のレチクルステージRST、枠状部材18、及びレチクルベース16の構成を示す分解斜視図である。 (A)は図1のレチクルステージRSTを示す斜視図、(B)はレチクルステージRSTをY方向に見た断面図である。 図1の照明系側プレート14、レチクルステージRST、及びレチクルベース16をY方向に見た断面図である。 図1のレチクルステージRSTの要部を示す平面図である。 図4(A)のレチクルステージ本体22を示す平面図である。 図1のウエハホルダ25の製造工程の説明図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
符号の説明
R…レチクル、PL…投影光学系、W…ウエハ、RST…レチクルステージ、WST…ウエハステージ、BS…ウエハベース、MX…固定鏡、MXa…高密度部、MXb…低密度部、16…レチクルベース、22…レチクルステージ本体、22e1〜22e4,22f1〜22f4…高密度部、25…ウエハホルダ、25F…フレーム枠部、44…凹部、45…ねじブッシュ、50…凹面鏡
以下、本発明の好ましい実施形態の一例につき図面を参照して説明する。本例は、スキャニング・ステッパよりなる走査露光型の投影露光装置(露光装置)に本発明を適用したものである。
図1は、本例の投影露光装置10の概略構成を示し、この図1において、投影露光装置10に備えられている投影光学系PLの物体面(像面に平行)に垂直にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクルR及びウエハWの走査方向にY軸を取り、その走査方向に直交する非走査方向(図1の紙面に垂直な方向)にX軸を取って説明を行う。
先ず、投影露光装置10は、照明光学系ユニットIOP、回路パターンが形成されたレチクルR(マスク)をY方向に所定ストロークで駆動すると共に、X方向、Y方向、及びθz方向(Z軸の回りの回転方向)に微少駆動するレチクルステージ系12(ステージ装置)、投影光学系PL、レジストが塗布されたウエハW(基板)をXY平面内で2次元方向に駆動するウエハステージ系(ステージ装置)、並びにこれらの制御系等を備えている。
照明光学系ユニットIOPは、露光光源及び照明光学系を含み、その内部に配置された視野絞り(レチクルブラインド)で規定されるレチクルRのパターン面の矩形又は円弧状の照明領域IARを露光光ILで均一な照度分布で照明する。その照明光学系と同様の照明系は、例えば特開平6−349701号公報などに開示されている。本例の露光光ILとしては、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)或いはF2 レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光が用いられる。なお、露光光ILとして、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの遠紫外光、又は超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線(g線、i線等)等を用いることも可能である。
本例では、照明光学系IOPの内部及び投影光学系PLの内部の露光光ILの光路上の空間に、真空紫外域の光に対して高透過率の気体として、例えば窒素又は希ガス(ヘリウムなど)からなるパージガスを満たしている。更に、後述のようにレチクルRが配置される空間及びウエハWが配置される空間にもパージガスが供給されている。
次に、レチクルステージ系12は、照明光学系IOPの下端部の外周にシール部材99を介して連結された環状の取り付け部101を有する照明系側プレート(キャッププレート)14の下方に配置されている。照明系側プレート14のほぼ中央部には露光光ILの光路(通路)となる矩形の開口14aが形成されている。
図2は図1のレチクルステージ系12の斜視図であり、図1及び図2から分かるように、レチクルステージ系12は、定盤としてのレチクルベース16(ガイド部)、このレチクルベース16と照明系側プレート14との間に配置されたレチクルステージRST(可動部)、このレチクルステージRSTを取り囲む状態でレチクルベース16と照明系側プレート14との間に配置された枠状部材18、及びレチクルステージRSTを駆動するレチクルステージ駆動系等を備えている。そのレチクルベース16は、不図示の支持部材によって略水平に支持されている。
図3は図2の分解斜視図であり、この図3に示すように、ほぼ板状のレチクルベース16の中央部には、凸のガイド部16aが形成されている。このガイド部16aの上面(ガイド面)GPは極めて高い平面度に仕上げられ、ガイド部16aのほぼ中央には、露光光ILをZ方向に通過させるための開口16bが形成されている。レチクルベース16の下面側には、図1に示すように、開口16bの周囲を取り囲む状態で、シール部材98を介して投影光学系PLの鏡筒部の上端が連結されている。
レチクルステージRSTは、図4(A)に示すように、特殊な形状のレチクルステージ本体22及びこのレチクルステージ本体22に固定された各種磁石ユニット(詳細後述)等を備えている。レチクルステージ本体22は、上方から見て概略矩形の板状部24Aと、この板状部24Aの−X方向の端部に設けられた特定部分としての2つの光学部材支持部24B1及び24B2と、板状部24AのY方向の一側及び他側の端部からそれぞれY方向に突設された各一対の延設部24C1,24C2,24D1,24D2とを備えている。
前記板状部24Aのほぼ中央部には、露光光ILを通過させるための開口22a1(図4(B)参照)がその中央に形成された段付き開口22aが形成され、この段付き開口22aの段部には、レチクルRを下側から複数点(例えば3点)で支持する複数(例えば3つ)のレチクル支持部材34が設けられている。また、各レチクル支持部材34にそれぞれ対応して、レチクルRを挟んで固定するために、板状部24Aには複数(例えば3つ)のレチクル固定機構34Pが設けられている。
そして、図4(B)は図4(A)のレチクルステージRSTのXZ面に平行な面における断面図であり、図4(B)に示すように、レチクルRは、そのパターン面(下面)がレチクルステージ本体22(レチクルステージRST)の中立面CT(曲げモーメントを受けた場合に伸縮しない面)に略一致する状態で、複数の支持部材34によって支持されている。なお、レチクル支持部材34及びレチクル固定機構34Pに代えて、或いはこれと共に、真空チャックや静電チャックなどのレチクルの吸着固定機構を用いることは可能である。
また、図4(A),(B)から分かるように、光学部材支持部24B1,24B2上にそれぞれレチクルステージRSTの位置計測用の第1光学系31及び第2光学系32が固定されている。光学部材支持部24B1,24B2と板状部24Aとの間は、一種のフレキシャとして作用するヒンジ部(不図示)によりそれぞれ2箇所で局所的に連結されており、板状部24Aの変形の影響が光学部材支持部24B1,24B2に及ばないように構成されている。なお、実際には、板状部24A、光学部材支持部24B1,24B2、及びヒンジ部(不図示)を含むレチクルステージ本体22は、密度分布の異なる多孔質セラミックスによって一体成形(例えば、一つの部材を削り出すことにより成形)されているが(詳細後述)、本例では、説明を分かり易くするため、必要に応じて各部が別部材であるかのような表現をも用いている。勿論、上記各部の何れか1つを他と別部材で構成しても良い。
レチクルステージRSTを、図2のレチクルベース16のガイド部16aの上面GPに載置した状態で、図4(A)に2点鎖線で示すように、光学系31及び32の−X方向の側面にY軸に平行にロッド状のX軸の固定鏡MX(基準鏡)が配置される。図3に示すように、固定鏡MXはレチクルベース16上のガイド部16aの近傍の領域に、Y軸に沿って細長い支持部材29を介して固定される。固定鏡MXは、図6に示すように、密度が3〜4g/cm3 程度の高密度部MXaと、高密度部MXaの1/10である0.3〜0.4g/cm3 の程度の密度の低密度部MXbとからなる多孔質セラミックスから形成され、その高密度部MXa(局所的に他の部分よりも高い平面度が必要とされる部分)の+X方向の実質的にZY平面に平行な側面が、極めて高い平面度に仕上げられると共に、例えばクロム等の高反射率の膜が被着された反射面MXcとされている。
なお、本例で、低密度部MXbの密度が1/10程度とは、一例として高密度部MXaの密度の1/20〜1/5、即ち高密度部MXaの密度が3〜4g/cm3 であれば、0.15〜0.2g/cm3 から0.6〜0.8g/cm3 (全体として0.15〜0.8g/cm3 )であることを言う(以下同様)。このように高密度部MXaに反射面MXcを形成することで、固定鏡MXを十分に軽量化して、かつ反射面の平面度を高く維持できる。なお、高密度部の密度は3〜4g/cm3 以外でもよく、低密度部の密度は単に高密度部より低いだけでもよい。この場合でも、必要な部分の平面度又は剛性等を高く維持して、全体として当該部材(ここでは固定鏡MX)を軽量化するという効果は得られる。
また、固定鏡MXは、一例として孔の割合が少ない高密度部MXaと孔の割合が多い低密度部MXbとを密着させてから焼き固めることで製造できる。本例の他の密度が一様でない材料から形成されている部材も同様に製造できる。また、固定鏡MXの密度は反射面MXcを含む部分で高く、それ以外では低ければよいため、密度が反射面MXcの部分からその反対側の側面にかけて連続的に低くなるようにしてもよい。また、固定鏡MX及び以下で説明する密度分布が一様でない材料から形成された部材の材料としては、多孔質セラミックスの他に焼結金属も使用できる。本発明の焼結金属の材料としては、例えば、アルミニウム、マグネシウム、鉄、銅、タングステン、ステンレス等、又はこれらの合金等が使用できる。
また、レチクルステージRSTを、図2のレチクルベース16のガイド部16aの上面GPに載置した状態で、図4(A)に示すように、レチクルステージRST上の第1光学系31に対して+Y方向に対向するようにレーザ光源69XL、及び光電センサよりなるX軸の第1レシーバ69XAが配置され、レチクルステージRST上の第2光学系32に−Y方向に対向するように光電センサよりなるX軸の第2レシーバ69XBが配置される。そして、レーザ光源69XLからY軸にほぼ平行に、例えば波長633nm(He−Neレーザ)で所定の周波数差を持ち偏光方向が互いに直交する2つのレーザビームを含む計測用のレーザビームLXが第1光学系31に照射される。第1光学系31は入射したレーザビームLXを第1及び第2のレーザビームに分割して、更に前者の第1のレーザビームを偏光状態に応じて2つのX軸の第1計測ビーム及び第1参照ビームに分割する。そして、第1光学系31は、その第1計測ビームをX軸に平行にダブルパス方式で固定鏡MXの反射面に照射し、反射された第1計測ビームとその第1参照ビームとの干渉光をほぼY軸に平行に第1レシーバ69XAに照射する。
更に、第1光学系31は、上記の分割後の第2のレーザビームを第2光学系32に照射する。第2光学系32は入射した第2のレーザビームを偏光状態に応じて2つのX軸の第2計測ビーム及び第2参照ビームに分割する。そして、第2光学系32は、その第2計測ビームをX軸に平行にダブルパス方式で固定鏡MXの反射面に照射し、反射された第2計測ビームとその第2参照ビームとの干渉光をほぼY軸に平行に第2レシーバ69XBに照射する。上記の第1及び第2計測ビームのZ方向の位置は、中立面CT(レチクル面)にほぼ一致している。なお、光学系31及び32によってそれぞれ干渉光を生成するための具体的な構成例は後述する。レシーバ69XA及び69XBは、それぞれ入射する干渉光を光電変換することによって、固定鏡MX(即ちレチクルベース16)を基準として光学系31及び32の(即ちレチクルステージRSTのY方向に離れた2箇所の位置で)X方向の座標(変位)を例えば0.1nm程度の分解能で常時計測する。その計測値から、レチクルステージRSTのX方向の位置XR及びZ軸の回りの回転角(ヨーイング)θzRが求められ、これらの位置情報XR,θzRは図1のステージ制御系90に供給される。本例のようにレチクルステージRST上には光学系31,32を設置し、外部にロッド状の固定鏡MXを配置することによって、レチクルステージRSTを軽量化でき、レチクルステージRSTをより高速に安定に駆動することができる。
図5は、図1のレチクルステージ系12をY方向に見た断面図である。図5に示すように、投影光学系PLの鏡筒の上端部近傍の−X方向の側面には、固定鏡Mrxが取付部材92を介して設けられ、固定鏡Mrxに対向するように投影光学系PL用のX軸のレーザ干渉計69XRが不図示のコラムに支持されている。そして、レーザ干渉計69XRからの計測ビームはレチクルベース16に形成された貫通孔(光路)71を介して、固定鏡Mrxに対して投射され、その反射光がレーザ干渉計69XR内に戻る。レーザ干渉計69XRでは、内部で生成した参照ビームとその反射光との干渉光を内部の光電センサで受光する。そして、その光電センサの検出信号に基づいて、レーザ干渉計69XRは、投影光学系PLのX方向の位置を、内部の参照面を基準として、例えば0.1nm程度の分解能で常時計測し、計測結果を図1のステージ制御系90に供給する。ステージ制御系90では、例えばレチクルステージRSTのX方向の位置と投影光学系PLのX方向の位置との差分を求めることによって、投影光学系PLを基準としたレチクルステージRSTのX方向の位置を求めることができる。
なお、図4(A)の光学系31,32の固定鏡MXに対するX方向の位置を計測する際に、図5の投影光学系PLの側面の固定鏡Mrxで反射されたレーザビームを参照ビームとして使用してもよい。そして、その参照ビームと固定鏡MXで反射された計測ビームとの干渉光をそれぞれレシーバ69XA,69XBで検出してもよい。これによって、レチクルステージRSTのX方向の位置を、投影光学系PLを基準として直接計測できる。
また、図4(A)において、レチクルステージ本体22の板状部24Aの−Y方向の端部には凹部24gが形成され、この凹部24gには、Y軸の移動鏡としてのコーナミラーよりなるレトロリフレクタMYが設けられている。レチクルステージRSTを、図2のレチクルベース16のガイド部16aの上面GPに載置した状態で、図4(A)に示すように、レトロリフレクタMYに対して−Y方向に対向するようにY軸のレーザ干渉計69Yが配置される。レーザ干渉計69Yからの計測ビームLYは、Y軸に平行にレトロリフレクタMYの反射面に投射され、その反射光がレーザ干渉計69Y内に戻る。この場合も、計測ビームLYの照射点のZ方向の位置は、中立面CTの位置(レチクル面)にほぼ一致している。レーザ干渉計69Yは、その計測ビームLYと内部で生成される参照ビームとの干渉光を光電検出することによって、レチクルステージRST(レチクルステージ本体22)のY方向の位置YRを、内部の参照面を基準として例えば0.1nm程度の分解能で常時計測し、計測結果を図1のステージ制御系90に供給する。
また、図1に示すように、投影光学系PLの鏡筒の上端部近傍の+Y方向の側面には、固定鏡Mryが取付部材を介して設けられ、固定鏡Mryに対向するように投影光学系PL用のY軸のレーザ干渉計69YRが配置されている。レーザ干渉計69YRからの計測ビームはレチクルベース16に形成された貫通孔(光路)を介して、固定鏡Mryに対して投射され、その反射光がレーザ干渉計69YR内に戻る。レーザ干渉計69YRでは、内部で生成した参照ビームとその反射光との干渉光を内部の光電センサで受光する。そして、その光電センサの検出信号に基づいて、レーザ干渉計69YRは、投影光学系PLのY方向の位置を、内部の参照面を基準として、例えば0.1nm程度の分解能で常時計測する。そして、その計測結果をステージ制御系90に供給する。ステージ制御系90では、例えばレチクルステージRSTのY方向の位置と投影光学系PLのY方向の位置との差分を求めることによって、投影光学系PLを基準としたレチクルステージRSTのY方向の位置を求めることができる。
なお、図4(A)のレチクルステージRSTのY方向の位置を計測する際に、図1の投影光学系PLの側面の固定鏡Mryで反射されたレーザビームを参照ビームとして使用し、その参照ビームとレトロリフレクタMYで反射された計測ビームとの干渉光をレーザ干渉計69Yで検出してもよい。これによって、レチクルステージRSTのY方向の位置を、投影光学系PLを基準として直接計測できる。
本例では、図4(A)の前記4つの延設部24C1,24C2,24D1,24D2は、概略板状の形状を有し、各延設部には強度向上のための断面三角形状の補強部(リブ)が設けられている。レチクルステージ本体22の底面には、延設部24C1から延設部24D1に至るY方向の全域に亘る第1の差動排気型の気体静圧軸受けが形成され、延設部24C2から延設部24D2に至るY方向の全域に亘る第2の差動排気型の気体静圧軸受けが形成されている。
即ち、レチクルステージ本体22の底面の延設部24C1から延設部24D1に至る領域、及び延設部24C2から延設部24D2に至る領域に、それぞれ図5に示すように、差動排気型のエアーパッド33A及び33Bが配置されている。エアーパッド33A及び33Bからレチクルベース16のガイド部16aの上面(ガイド面)GPに噴き付けられる加圧気体の静圧と、レチクルステージRST全体の自重とのバランスにより、その上面GPの上方に数μm程度のクリアランスを介して、レチクルステージRSTが非接触で浮上支持されている。
図2に戻り、前記枠状部材18の上面には、概略環状の凹溝18d,18eが二重に形成されている。このうちの内側の凹溝(給気溝)18dには、その内部に複数の給気口(不図示)が形成され、外側の凹溝(排気溝)18eには、複数の排気口(不図示)が形成されている。給気溝18dの内部に形成された給気口は、不図示の給気管路及び給気管を介してパージガスを供給する不図示のガス供給装置に接続されている。また、排気溝18eの内部に形成された排気口は、不図示の排気管路及び排気管を介して不図示の真空ポンプに接続されている。枠状部材18の上面の給気溝18d及び排気溝18eを含んで、実質的に、枠状部材18の上面に数μm程度のクリアランスを介して図1の照明系側プレート14を浮上支持する差動排気型の気体静圧軸受けが構成されている。
また、枠状部材18の底面にも、上面の給気溝18d及び排気溝18eに対応するように概略環状の凹溝からなる給気溝及び排気溝(不図示)が形成され、これらの給気溝及び排気溝もそれぞれ不図示のパージガス用のガス供給装置及び真空ポンプに接続されている。その給気溝及び排気溝を含んで、実質的に、レチクルベース16の上面に枠状部材18を数μm程度のクリアランスを介して浮上支持する差動排気型の気体静圧軸受けが構成されている。これらの場合、給気溝18d等から排気溝18e等に向かう気体の流れが生じているため、それらのクリアランスを介して枠状部材18の内部に外気が混入するのが効果的に阻止されている。
このように、図1の枠状部材18と照明系側プレート14との間のクリアランス、及びレチクルベース16と枠状部材18との間のクリアランスが前述のパージガスの流れによって気密化される。更に、投影光学系PLの上端部とレチクルベース16との間が前述のシール部材98により覆われている。従って、枠状部材18により囲まれた空間内は非常に気密度が高い空間となっている。以下、枠状部材18により囲まれた空間を、便宜上、気密空間と呼ぶものとする。
本例の枠状部材18によって囲まれたレチクルRを含む気密空間内にも、露光光に対する透過率を高く維持するために、不図示のガス供給装置及び真空ポンプを介して露光光を透過する上述のパージガスが供給されている。そして、枠状部材18の+Y方向側の側壁の端部には、図3に示すように、矩形開口18aが形成され、この矩形開口18a内には窓ガラスg1が嵌め込まれている。更に、枠状部材18の−Y方向側の側壁の端部及び中央部には、矩形開口18b及び18cが形成され、矩形開口18b及び18c内にはそれぞれ窓ガラスg2及びg3が嵌め込まれている。図4(A)のレーザ干渉計の配置において、実際にはレーザ光源69XL及びレシーバ69XAは、図3の矩形開口18aの外側に配置され、レシーバ69XB及びレーザ干渉計69Yはそれぞれ図3の矩形開口18b及び18cの外側に配置されている。この場合、窓ガラスg1,g2,g3が設けられているため、枠状部材18内の気密空間の気密性を損なうことなく、レーザ干渉計によってレチクルステージRSTの位置を計測することができる。
次に、図2に示すように、レチクルステージ駆動系は、レチクルステージRSTをY方向に駆動するとともにθz方向(Z軸の回りの回転方向)に微小駆動する一対の第1駆動機構36,38と、レチクルステージRSTをX方向に微小駆動する第2駆動機構40とを備えている。図1のステージ制御系90が、上記のレーザ干渉計によって計測されるレチクルステージRSTのX方向、Y方向の位置XR,YR、及びZ軸の回りの回転角θzRの情報と、主制御装置70からの制御情報とに基づいて、それらの第1及び第2駆動機構の動作を制御する。前者の第1駆動機構36,38は、枠状部材18の内部に、Y方向に沿って互いに平行に架設され、後者の第2駆動機構40は、枠状部材18の内部に架設された第1駆動機構38の+X方向側に、Y方向に沿って架設されている。
前記一方の第1駆動機構36は、図3の分解斜視図に示すように、Y方向を長手方向とする一対のそれぞれコイルユニットが配置された固定子ユニット136A,136Bと、これらの固定子ユニット136A,136BをY方向(長手方向)の一端部と他端部とで保持する一対の固定部材152とを備えている。この場合、一対の固定部材152により、固定子ユニット136A,136Bは、Z方向(上下方向)に所定間隔をあけて相互に対向してかつXY平面にそれぞれ平行に保持されている。一対の固定部材152のそれぞれは、前述の枠状部材18の内壁面に固定されている。
前記固定子ユニット136A,136Bは、図3及び図1のレチクルステージ本体22付近の断面図である図5からも分かるように、断面矩形(長方形)の非磁性材料から成るフレームを有し、その内部には、Y方向に所定間隔で複数のコイルが配設されている。
前記+X方向側の第1駆動機構38も上記一方の第1駆動機構36と同様に構成されている。即ち、第1駆動機構38は、Y方向を長手方向とする上下一対のそれぞれコイルユニットが配置された固定子ユニット138A,138Bと、これらの固定子ユニット138A,138BをZ方向に所定間隔を維持した状態で両端部にて固定する一対の固定部材154とを備えている。一対の固定部材154のそれぞれは、前述の枠状部材18の内壁面に固定されている。固定子ユニット138A,138Bは、前述の固定子ユニット136A,136Bと同様に構成されている(図5参照)。
また、上側の固定子ユニット136A,138Aと、下側の固定子ユニット136B,138Bとの間には、図5に示すように、それぞれ所定のクリアランスを介して、レチクルステージRSTが配設されている。この場合、固定子ユニット136A,136Bにそれぞれ対向して、レチクルステージRSTの上面、下面には、一対のそれぞれ磁石ユニット(磁極ユニット)が配置された可動子ユニット26A,26Bが固定される。そして、固定子ユニット138A,138Bに対向して、レチクルステージRSTの上面、下面には、一対のそれぞれ磁石ユニットが配置された可動子ユニット28A,28Bが固定されている。本例では、可動子ユニット26A,26B及び28A,28Bの磁石ユニットとして、それぞれZ方向に磁界を発生する複数の永久磁石を所定ピッチで極性を反転しながらY方向に配置したユニットが使用されている。なお、その永久磁石の代わりに電磁石等も使用することができる。
可動子ユニット26A,26Bのそれぞれは、図4(B)に示すように、前述のレチクルステージ本体22の板状部24Aの段付き開口22aの−X方向側に、レチクルステージ本体22の中立面CTに対して対称に上下面側にそれぞれ形成された凹部24e1,24e2内に配置されている。この場合、図5の固定子ユニット136A,136Bは、上記中立面CTを基準としてほぼ対称な位置に位置している。可動子ユニット26Aの上方の空間及び可動子ユニット26Bの下方の空間にはそれぞれY方向に沿って交番磁界が形成されている。
また、図4(B)の多孔質セラミックスよりなるレチクルステージ本体22の凹部24e1,24e2の両端部が高密度部22e1,22e2とされ、高密度部22e1,22e2にそれぞれ凹部44が形成されている。これらの凹部44に金属製のねじブッシュ45が埋め込まれて例えば接着によって固定され、ボルト46を可動子ユニット26Aを通してねじブッシュ45のねじ孔に締め付けることによって、可動子ユニット26Aが凹部24e1に固定されている。図4(A)に示すように、可動子ユニット26Aは4箇所でボルト46によって凹部24e1に固定されている。従って、高密度部はさらに2箇所設けられている(図7参照)。また高密度部22e1,22e2の底面にもねじブッシュ(不図示)が埋め込まれ、可動子ユニット26Bは4箇所でボルトによって凹部24e2に固定されている。なお、ねじブッシュの代わりに例えばヘリサートを用いてもよい。
同様に、前記一対の可動子ユニット28A,28Bのそれぞれは、図4(B)に示すように、前述のレチクルステージ本体22の板状部24Aの段付き開口22aの+X方向側に、レチクルステージ本体22の中立面CTに関して対称に上下面側にそれぞれ形成された凹部24f1,24f2内に配置されている。また、図5の第1固定子ユニット138A,138Bは、中立面CTを基準としてほぼ対称な位置に位置している。一対の可動子ユニット28A,28Bの構成は、可動子ユニット26A,26Bと同様であり、可動子ユニット28Aの上方の空間及び可動子ユニット28Bの下方の空間にもそれぞれY方向に沿って交番磁界が形成されている。
また、図4(B)のレチクルステージ本体22の凹部24f1,24f2の両端部が高密度部22f1,22f2(実際にはさらに2箇所の高密度部がある)とされ、高密度部22f1,22f2にそれぞれ凹部44が形成されている。これらの凹部44に金属製のねじブッシュ45が埋め込まれて固定され、底面側にもねじブッシュ(不図示)が埋め込まれている。そして、4箇所のボルト46等を可動子ユニット28A及び28Bを通してねじブッシュ45等のねじ孔に締め付けることによって、可動子ユニット28A及び28Bが凹部24f1及び24f2に固定されている。
図7はレチクルステージ本体22を示し、この図7において、レチクルステージ本体22の一方の凹部24e1,24e2は抜き部となっており、その中に3箇所のリブ22g1,22g2,22g3が架設されている。そして、両側のリブ22g1及び22g3の両端部にそれぞれ凹部44を有する高密度部22e1,22e2及び22e3,22e4が設けられている。これと対称にレチクルステージ本体22の他方の凹部24f1,24f2も抜き部となっており、その中に3箇所のリブ22h1,22h2,22h3が架設され、両側のリブ22h1及び22h3の両端部にそれぞれ凹部44を有する高密度部22f1,22f2及び22f3,22f4が設けられている。この場合、高密度部22e1〜22e4及び22f1〜22f4の密度は例えば3〜4g/cm3 で、レチクルステージ本体22の他の部分(低密度部)の密度はその高密度部の1/10程度とされている。この構成によって、ねじブッシュ45が埋め込まれる凹部44を有する高密度部22e1〜22e4及び22f1〜22f4(局所的に他の部分よりも高い強度が必要とされる部分)では十分な強度を得ることができる。また、リブ22g1〜22g3及び22f1〜22f3は、低密度部材であるため、曲げ剛性及び座屈強度を増すためにその肉厚を厚くしても、重量はあまり増加しない。従って、レチクルステージ本体22全体として軽量化を図ることができる。
なお、図5に示すように、レチクルステージ本体22の中央部の底面は、レチクルベース16のガイド部16aと気体軸受けを構成するように圧縮気体層を挟んで対向配置される。従って、より高い平面度が得られるように、レチクルステージ本体22の中央部の底面を含む部分を高密度部としてもよい。同様に、レチクルベース16のガイド部16aを含む部分を高密度部として、その他の部分を低密度部として、レチクルベース16を密度分布が一様でない材料から形成してもよい。
本例では、図5に示すように、上述の上側の固定子ユニット136A及び138Aと、レチクルステージ本体22側に対向して配置された可動子ユニット26A及び28Aとから、それぞれ第1のY軸リニアモータ76A及び第2のY軸リニアモータ78Aが構成されている。そして、下側の固定子ユニット136B及び138Bと、レチクルステージ本体22側の対応する可動子ユニット26B及び28Bとから、それぞれ第3のY軸リニアモータ76B及び第4のY軸リニアモータ78Bが構成されている。つまり、それぞれ1軸の駆動装置としての第1、第2、第3、及び第4のY軸リニアモータ76A,78A,76B,78Bから上記の第1駆動機構36及び38が構成されている。
この場合、Y軸リニアモータ76A,78A,76B,78Bでは、それぞれ固定子ユニット136A,138A,136B,138B(固定子)に対して相対的に可動子ユニット26A,28A,26B,28B(可動子)をY方向に駆動する推力を発生する。実際にはその推力の反作用によって固定子も可動子とは反対方向に僅かに移動する。そのため、本明細書では、相対的な移動量が多い方の部材を可動子又は可動子ユニットと呼び、相対的な移動量が少ない方の部材を固定子又は固定子ユニットと呼んでいる。
上述の通り、第1、第2、第3、及び第4のY軸リニアモータ76A,78A,76B,78Bの固定子ユニット136A,138A,136B,138B(固定子)はそれぞれ図2の枠状部材18に連結されている。また、可動子ユニット26A,28A,26B,28Bはそれぞれ図2の可動ステージとしてのレチクルステージRST(レチクルステージ本体22)に固定されている。また、第1及び第2のY軸リニアモータ76A及び78Aは、レチクルRを挟むようにほぼ対称にX方向に離れて配置されて、それぞれ枠状部材18に対して相対的にレチクルステージRSTをY方向に駆動する。また、第3及び第4のY軸リニアモータ76B及び78Bは、第1及び第2のY軸リニアモータ76A及び78Aに対向するように配置されて、それぞれ枠状部材18に対して相対的にレチクルステージRSTをY方向に駆動する。
また、本例では図2の第1駆動機構36,38が内側に固定された枠状部材18は、底面側のレチクルベース16及び上面側の照明系側プレート14との間で気体軸受けを介して非接触に支持されている。そのため、Y軸リニアモータ76A,78A,76B,78BによってレチクルステージRSTをY方向に駆動する際に、反力を相殺するように枠状部材18が逆方向に僅かに移動する。これによってレチクルステージRSTを駆動する際の振動の発生が抑制される。但し、レチクルステージRSTの質量に対して枠状部材18の質量はかなり大きいため、枠状部材18の移動量は僅かである。
本例では、レチクルステージRST(レチクルR)をY方向に等速駆動するような場合には、第1及び第3のY軸リニアモータ76A,76Bと、第2及び第4のY軸リニアモータ78A,78Bとが同期してほぼ等しい推力で枠状部材18に対してレチクルステージRSTをY方向に駆動する。また、レチクルステージRSTの回転角θz(ヨーイング)を補正する必要のある場合には、第1及び第3のY軸リニアモータ76A,76Bが発生する推力と、第2及び第4のY軸リニアモータ78A,78Bが発生する推力との大きさの比が制御される。
次に、第2駆動機構40は、図3に示すように、Y方向を長手方向とする一対の固定子としての固定子ユニット140A,140Bと、これらの固定子ユニット140A,140BをY方向(長手方向)の一端部と他端部とで保持する一対の固定部材156とを備えている。この場合、一対の固定部材156により、固定子ユニット140A,140Bは、Z方向(上下方向)に所定間隔をあけて相互に対向してかつXY平面にそれぞれ平行に保持されている。一対の固定部材156のそれぞれは、前述の枠状部材18の内壁面に固定されている。
固定子ユニット140A,140Bは、図5からも分かるように、断面矩形(長方形)の非磁性材料から成るフレームを有し、その内部には、コイルが配置されている。固定子ユニット140A,140Bの間には、図5に示すように、それぞれ所定のクリアランスを介して、レチクルステージRSTの+X方向の端部に固定された可動子としての断面矩形(長方形)の板状のZ方向に磁界を発生する永久磁石30が配置されている。永久磁石30に代えて、磁性体部材とその上下面にそれぞれ固定された一対の平板状の永久磁石とから成る磁石ユニットを用いても良い。
この場合、永久磁石30及び固定子ユニット140A,140Bは、中立面CTを基準としてほぼ対称な形状及び配置となっている(図4(B)及び図5参照)。従って、永久磁石30によって形成されるZ方向の磁界と固定子ユニット140A,140Bをそれぞれ構成するコイルをY方向に流れる電流との間の電磁相互作用により、そのコイルにX方向の電磁力(ローレンツ力)が発生し、この電磁力の反力が永久磁石30(レチクルステージRST)をX方向に駆動する推力となる。また、この場合にも、レチクルステージRSTをX方向に駆動する際の反力を相殺するように、逆方向に枠状部材18が僅かに移動する。従って、レチクルステージRSTをX方向に駆動する際の振動の発生も抑制されている。
上述のように、固定子ユニット140A,140Bと永久磁石30とにより、レチクルステージRSTをX方向に微小駆動可能なムービングマグネット型のX軸ボイスコイルモータ79が構成されている。この駆動装置としてのX軸ボイスコイルモータ79によって、第2駆動機構40が構成されている。
したがって、図2の本例のレチクルステージRSTは、枠状部材18に対してガイドレス方式でX方向、Y方向、θz方向の3自由度で相対的に変位できるように支持されるようになっている。そして、枠状部材18に対してレチクルステージRSTを相対的に駆動するために、Y方向に推力を発生する4軸のY軸リニアモータ76A,78A,76B,78BとX方向に推力を発生する1軸のX軸ボイスコイルモータ79とからなる5軸の駆動装置が設けられる。
本例では、更に、前述の枠状部材18の+X方向の側面及び+Y方向の側面には、図3に示すように、Z方向の磁界を形成する磁石ユニットを含む可動子60A,60B,60Cが設けられている。これらの可動子60A,60B,60Cに対応してレチクルベース16には、支持台64A,64B,64Cを介して、Y方向に電流を流すコイルを含む固定子62A,62B及びX方向に電流を流すコイルを含む固定子62Cが設けられている。従って、固定子62A,62B内のコイルにY方向の電流が供給されることにより、可動子60A,60BにはX方向への駆動力(ローレンツ力の反力)が作用する。即ち、可動子60Aと固定子62Aとにより、及び可動子60Bと固定子62Bとにより、それぞれムービングマグネット型のボイスコイルモータから成るX方向駆動用のトリムモータが構成されている。また、固定子62C内のコイルにY方向の電流が供給されることにより、可動子60CにはX方向への駆動力(ローレンツ力の反力)が作用する。即ち、可動子60Cと固定子62Cとによりムービングマグネット型のボイスコイルモータから成るY方向駆動用のトリムモータが構成されている。これら3つのトリムモータを用いることにより、レチクルベース16に対して枠状部材18をX方向、Y方向、及びθz方向の3自由度方向に駆動することが可能である。
上述のようにレチクルステージRSTをX方向、Y方向、θz方向に駆動する際には、その作用を相殺するように枠状部材18が僅かに移動するため、枠状部材18のXY平面内の位置が次第にずれる恐れがある。そこで、可動子60A〜60C及び固定子62A〜62Cよりなるトリムモータを用いて、例えば定期的に枠状部材18の位置を中央に戻すことで、枠状部材18の位置がレチクルベース16から外れることが防止できる。
次に、本例の図4(A)の第1及び第2光学系31,32を含むレーザ干渉計の構成例につき詳細に説明する。
図6は、図4(A)のレチクルステージRSTを図1のレチクルベース16上に載置した状態を示す要部の平面図である。図6において、レチクルステージRST(レチクルステージ本体22)の−X方向の端部のY方向に離れた光学部材支持部24B1及び24B2上にそれぞれ光学系31及び32が固定されている。前者の第1光学系31は、ハーフミラー面31aと、偏光ビームスプリッター面31bと、1/4波長板が設けられた入射出面31cと、全反射面31dとを備える5角形のプリズム体である。後者の第2光学系32は、全反射面32aと、偏光ビームスプリッター面32bと、1/4波長板が設けられた入射出面32cと、全反射面32dとを備える5角形のプリズム体である。また、第1光学系31に対して+Y方向に窓ガラスg1を隔ててレーザ光源69XLと第1レシーバ69XAとが配置され、第2光学系32に対して−Y方向に窓ガラスg2を隔てて第2レシーバ69XBが配置されている。更に、光学系31及び32に−X方向に対向するように、レチクルベース16上にY軸に平行に固定鏡MXが配置されている。
この構成において、レーザ光源69XLからY軸に平行に射出されたレーザビームLX(上記のように所定周波数差を持ち偏光方向が直交する2つの成分よりなる)は、第1光学系31のハーフミラー面31aにて反射光である第1レーザビームと透過光である第2レーザビームとに分割される。そして、前者の第1レーザビームは偏光ビームスプリッター面31bに向かい、後者の第2レーザビームは第2光学系32に向かう。その第1レーザビームのS偏光成分は、偏光ビームスプリッター面31bにて第1参照ビームLX2として第1レシーバ69XA側に反射される。また、その第1レーザビームのP偏光成分は、偏光ビームスプリッター面31bを第1計測ビームLX1として透過した後、入射出面31c(1/4波長板)を経てX軸に平行に固定鏡MXの反射面に入射する。そこで反射された第1計測ビームLX1は、入射出面31c、偏光ビームスプリッター面31b、全反射面31d、及び入射出面31cを経て再びX軸に平行に固定鏡MXの反射面に入射する。そこで再び反射された第1計測ビームLX1は、入射出面31c及び全反射面31dを経てP偏光となって偏光ビームスプリッター面31bを透過する。そして、その後、上記の第1参照ビームLX2と同軸に合成されてレシーバ69XAに入射する。この際に、第1光学系31の射出面又はレシーバ69XAの入射面等に1/4波長板を設置しておくことによって、レシーバ69XAでは第1計測ビームLX1と第1参照ビームLX2との干渉光(ビート光)を検出できる。従って、その光電変換信号から上述のようにダブルパス干渉方式で、固定鏡MXに対する第1光学系31(偏光ビームスプリッター面31b)のX方向の位置(変位)を例えば分解能0.1nm程度で計測できる。
一方、上記の第2レーザビームは、第2光学系32の全反射面32aで−X方向に反射される。その第2レーザビームのS偏光成分は、偏光ビームスプリッター面32bにて第2参照ビームLX4として第2レシーバ69XB側に反射される。また、その第2レーザビームのP偏光成分は、偏光ビームスプリッター面32bを第2計測ビームLX3として透過した後、入射出面32c(1/4波長板)を経てX軸に平行に固定鏡MXの反射面に入射する。そこで反射された第2計測ビームLX3は、入射出面32c、偏光ビームスプリッター面32b、全反射面32d、及び入射出面32cを経て再びX軸に平行に固定鏡MXの反射面に入射する。そこで再び反射された第2計測ビームLX3は、入射出面32c及び全反射面32dを経てP偏光となって偏光ビームスプリッター面32bを透過した後、上記の第2参照ビームLX4と同軸に合成されてレシーバ69XBに入射する。この際に、第2光学系32の射出面又はレシーバ69XBの入射面等に1/4波長板を設置しておくことによって、レシーバ69XBでは第2計測ビームLX3と第2参照ビームLX4との干渉光(ビート光)を検出できる。従って、その光電変換信号から上述のようにダブルパス干渉方式で、固定鏡MXに対する第2光学系32(偏光ビームスプリッター面32b)のX方向の位置(変位)を例えば分解能0.1nm程度で計測できる。これによってレーザ干渉計方式で、レチクルステージRST(レチクルステージ本体22)のY方向に離れた2箇所の位置で、レチクルベース16に対するX方向の位置(変位)を高精度に計測することができる。
図1に戻り、前記投影光学系PLとしては、両側テレセントリックで反射屈折系よりなる投影倍率が1/4又は1/5等の縮小系が用いられている。走査露光中には、露光光ILのもとで、レチクルRの照明領域IAR内のパターンの投影光学系PLを介した縮小像は、投影光学系PLの物体面上に配置されてレジストの塗布されたウエハW(基板)の一つのショット領域上の細長い露光領域IA上に転写される。
投影光学系PLは、鏡筒部に設けられたフランジ部FLGを介して、不図示の保持部材によって保持されている。また、投影光学系PLの鏡筒内には、不図示の気体供給機構を介して露光光ILを透過するパージガスがフロー方式で供給されている。また、投影光学系PLは反射屈折系であり、その鏡筒の+Y方向に突き出た部分の内部にレンズ枠51を介して、光軸AX側から来た露光光ILを光軸AX側に反射する凹面鏡50(ミラー)が保持されている。多孔質セラミックスよりなる凹面鏡50は、反射面50cを含む高密度部50a(局所的に他の部分よりも高い平面度が必要とされる部分)の密度が例えば3〜4g/cm3 程度、それ以外の低密度部50bの密度がその1/10である。従って、凹面鏡50を軽量化できるとともに、反射面50cの平面度を高くできる。
なお、図1の投影露光装置10の照明光学系ユニットIOP内には、光路折り曲げ用の平面鏡等の複数のミラーが備えられている。そこで、これらのミラーについても、反射面を含む部分の密度を高く、それ以外の部分の密度を低くして、密度分布が一様でない材料から形成してもよい。これによって、反射面の平面度を高く維持して、露光装置を全体として軽量化できる。
次に、ウエハステージ系はウエハステージWST、ウエハベースBS、ウエハステージWSTの駆動機構(不図示)、及びウエハステージWSTの位置計測機構を含んで構成されている。ウエハステージWSTは、ウエハ室80内に配置されている。このウエハ室80は、天井部の略中央部に投影光学系PLの下端部を通すための円形開口71aが形成された隔壁71で覆われている。この隔壁71は、ステンレス(SUS)等の脱ガスの少ない材料で形成されている。また、隔壁71の天井壁の開口71aの周囲と投影光学系PLのフランジ部FLGとの間は、フレキシブルベローズ97により隙間なく密閉されている。このようにして、ウエハ室80の内部が外部と隔離されている。
ウエハ室80内には、定盤よりなるウエハベースBS(ガイド部)が、複数の防振ユニット86を介してほぼ水平に支持されている。ウエハステージWST(可動部)は、ウエハホルダ25を介してウエハWを真空吸着等により保持し、気体静圧軸受けを介してウエハベースBS上に載置されている。ウエハステージWSTは、例えばリニアモータ等を含む不図示のウエハ駆動系によってウエハベースBSの上面に沿ってXY2次元方向に駆動される。ウエハ室80の隔壁71には、図1に示すように、給気管41の一端と、排気管43の一端とがそれぞれ接続されている。給気管41の他端は、不図示のパージガスの供給装置に接続され、排気管43の他端は、外部のガス回収装置に接続されている。そして、前述と同様にして、ウエハ室80内にパージガスが常時フロー方式で供給されている。
ウエハ室80の隔壁71の−Y方向側の側壁には光透過窓85が設けられている。これと同様に、図示は省略されているが、隔壁71の+X方向側の側壁にも光透過窓が設けられている。また、ウエハホルダ25の−Y方向側の端部には、Y軸の移動鏡としての平面鏡よりなる反射面56Yが形成されている。同様に、図示は省略されているが、ウエハホルダ25の+X方向側の端部には、X軸の移動鏡としての平面鏡から成る反射面56X(図8参照)が形成されている。そして、ウエハ室80の外部のY軸レーザ干渉計57Y及びX軸レーザ干渉計(不図示)からの測長ビームLWY等が、それぞれ光透過窓85及び不図示の透過窓を介してY軸の反射面56Y及び不図示のX軸の反射面に照射されている。Y軸レーザ干渉計57Y及びX軸レーザ干渉計は、それぞれ例えば内部の参照鏡を基準として対応する反射面の位置及び回転角、即ちウエハWのX方向、Y方向の位置、及びX軸、Y軸、Z軸の回りの回転角を計測する。Y軸レーザ干渉計57Y及びX軸レーザ干渉計の計測値は、ステージ制御系90及び主制御装置70に供給され、ステージ制御系90は、その計測値及び主制御装置70からの制御情報に基づいて、不図示の駆動系を介してウエハステージWSTの位置及び速度を制御する。
図1において、ウエハステージWSTに装着されたウエハホルダ25は、密度分布が一様でない多孔質セラミックスより形成されている。ウエハホルダ25の反射面56Y及び56X(図8参照)を含む高密度部25a(局所的に他の部分よりも高い平面度が必要とされる部分)の密度は例えば3〜4g/cm3 程度であり、それ以外の低密度部25bの密度は例えばその1/10程度である。実際には、ウエハホルダ25のうちで、ウエハWが載置される部分は剛性及び強度を高めるために、密度を高めることが望ましい。
そのようなウエハホルダ25を製造する場合には、一例として図8に示すように、反射面56X及び56Yが形成される枠部25Fa及び25Fb、これらに対向する枠部25Fc及び25Fd、ウエハWが載置されるほぼ円形の平板部25Fe、並びにこれらを連結する複数のリブ25Ffよりなるフレーム枠部25Fを、高密度の多孔質セラミックスから形成する。そして、フレーム枠部25Fのリブ25Ffの間の空間SPにそれぞれ低密度の多孔質セラミックスを充填し、その上下に高密度の多孔質セラミックスよりなる薄い平板で蓋をした後、全体を焼き固めればよい。これによって、必要な剛性、強度、及び平面度を得た上で、ウエハホルダ25を全体として軽量化できる。
また、図1において、ウエハステージWSTの底面とウエハベースBSの上面とは気体軸受けの圧縮気体を挟んで対向配置されている。そこで、ウエハステージWSTのフレーム及びウエハベースBSをそれぞれ密度分布が一様でない材料(例えば焼結金属等)から形成し、ウエハステージWSTの底面を含む部分を高密度部WSTa、それ以外の部分を低密度部WSTbとして、ウエハベースBSの上面を含む部分を高密度部BSa、それ以外の部分を低密度部BSbとしてもよい。これによって、ウエハステージWST及びウエハベースBSを全体として軽量化した上で、気体軸受けを構成する部分では高い平面度を得ることができる。
なお、本実施の形態に限定されることなく、ウエハステージ系の構成部材においても、図7のレチクルステージ本体22と同様に、ねじブッシュ等が設置される部分を高密度部としてその他の部分を低密度部としてもよい。
次に、上述のようにして構成された図1の投影露光装置10による基本的な露光動作の流れについて簡単に説明する。
先ず、主制御装置70の管理の下、不図示のレチクルローダ、ウエハローダによって、レチクルロード、ウエハロードが行なわれる。その後、レチクルアライメント系、ウエハステージWST上の基準マーク板、オフアクシス・アライメント検出系(いずれも図示省略)等を用いて、レチクルアライメント及びウエハアライメントが実行される。次に、先ず、ウエハWの位置が、ウエハW上の最初のショット領域(ファースト・ショット)の露光のための走査開始位置となるように、ウエハステージWSTが移動される。同時に、レチクルRの位置が走査開始位置となるように、レチクルステージRSTが移動される。そして、主制御装置70からの指示により、ステージ制御系90がレチクル側のレーザ干渉計69Y,69YR等によって計測されたレチクルRの位置情報、及びウエハ側のY軸レーザ干渉計57Y及びX軸レーザ干渉計によって計測されたウエハWの位置情報に基づき、レチクルR(レチクルステージRST)とウエハW(ウエハステージWST)とをY方向(走査方向)に同期移動させて、露光光ILを照射することにより、ファースト・ショットへの走査露光が行なわれる。続いて、ウエハステージWSTが非走査方向(X方向)又はY方向に1ショット領域分だけステップ移動した後、次のショット領域に対する走査露光が行なわれる。このようにして、ショット間のステップ移動と走査露光とが順次繰り返されて、ウエハW上の各ショット領域にレチクルRのパターンが転写される。
本例によれば、レチクルステージRST及びウエハステージWSTが軽量化できる。そのため、走査露光時にレチクルステージRST及びウエハステージWSTをより高速に移動することが可能になり、露光工程のスループットが向上する。また、凹面鏡50の軽量化等も実施され、投影露光装置全体としての軽量化が図られているため、投影露光装置の運搬、設置、組立等が容易になる。
本実施形態の作用効果は以下の通りである。
(1)本実施形態のレチクルステージ系12(レチクル用のステージ装置)によれば、レチクルRが載置された状態でレチクルベース16上で駆動されるレチクルステージRSTは、図7に示すように、ねじブッシュ45が装着される部分が高密度部22e1〜22e4及び22f1〜22f4とされた、密度分布が一様でない材料から形成されたレチクルステージ本体22を備えている。従って、強度又は剛性の特性を殆ど低下させることなく、一層の軽量化を達成することが可能である。
(2)更に、レチクルステージ系12は、レチクルステージRSTの移動を案内するためのレチクルベース16及びこの支持機構(不図示)よりなる案内機構を備える。そして、この案内機構内のレチクルベース16は、図5に示すように、ガイド部16aを含む部分を高密度部とした密度分布が一様でない材料から形成することができる。これによって、案内機構の強度を殆ど低下させることなく、レチクルステージ系12の一層の軽量化を図ることができる。
(3)また、本実施形態のウエハステージ系(ウエハ用のステージ装置)によれば、ウエハWが載置された状態でウエハベースBS上で駆動されるウエハステージWSTは、図1に示すように、反射面56Yが形成された部分が高密度部25aとされた、密度分布が一様でない材料から形成されたウエハホルダ25を備えている。従って、反射面の平面度の特性を殆ど低下させることなく、一層の軽量化を達成することが可能である。
(4)更に、ウエハステージ系は、ウエハステージWSTの移動を案内するためのウエハベースBS及び防振ユニット86を含む案内機構を備える。そして、この案内機構内のウエハベースBSは、上面(ガイド面)を含む部分が高密度部BSaとされた密度分布が一様でない材料から形成することができる。これによって、案内機構の強度を殆ど低下させることなく、ウエハステージ系の一層の軽量化を図ることができる。
(5)また、本実施形態の投影露光装置10は、露光光ILでレチクルRのパターンを照明し、その露光光でそのパターンを介してウエハWを露光する露光装置であって、レチクルR及びウエハWをそれぞれ駆動するために本実施形態のレチクルステージ系12及びウエハステージ系を用いている。従って、レチクルステージRST及びウエハステージWSTが軽量化できるため、走査露光時にレチクルステージRST及びウエハステージWSTをより高速に移動することが可能になり、露光工程のスループットが向上する。
なお、上記の実施形態において、レチクルステージ系12及びウエハステージ系の一方を、密度分布が一様でない材料から形成された部材を含まない通常のステージ系としてもよい。
(6)また、本実施形態の投影露光装置10は、照明光学系IOPを介して露光光ILをレチクルRのパターンに照射し、投影光学系PLを介してそのパターンの像をウエハWに露光する露光装置であって、投影光学系PLは凹面鏡50(反射部材、ミラー)を有し、凹面鏡50は、反射面50cを含む高密度部50aの密度がその他の部分の密度よりも高くなっている。従って、反射面の平面度を殆ど低下させることなく、ひいては、投影光学系PLの結像性能を殆ど低下させることなく、露光装置の一層の軽量化を達成することが可能である。
なお、投影光学系PLの代わりに、又は投影光学系PLとともに、照明光学系IOP内のミラーを、反射面を含む部分の密度がその他の部分の密度よりも高くなるように形成してもよい。この場合には、照明特性を殆ど低下させることなく、露光装置の一層の軽量化を達成することが可能である。
このように露光装置全体としての軽量化が図られているため、露光装置(投影露光装置10)の運搬、設置、組立等が容易になる。
なお、上記の実施形態の投影露光装置10において、照明光学系IOP又は投影光学系PL内のミラーを、反射面を含む部分の密度がその他の部分の密度よりも高くなるように形成した場合には、レチクルステージ系12及びウエハステージ系を、密度分布が一様でない材料から形成された部材を含まない通常のステージ系としてもよい。この場合にも、露光装置全体としての軽量化の効果は得られる。
なお、上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイス等のマイクロデバイスを製造する場合、マイクロデバイスは、図9に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の投影露光装置10(露光装置)によりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱(キュア)及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、並びに検査ステップ206等を経て製造される。
言い換えると、このマイクロデバイスの製造方法は、デバイスを構成する回路パターンの形成工程の少なくとも一部において、上記の実施形態の投影露光装置10(露光装置)を用いている。この際に、剛性、強度、又は平面度等の特性を殆ど低下させることなく、ステージ系又は露光装置が軽量化されているため、マイクロデバイスを高精度に、高いスループットで量産することができる。
なお、本発明は、走査露光型の露光装置のみならず、一括露光型の露光装置のステージ系や半導体検査装置等のステージ系にも同様に適用することができる。これらの場合の投影光学系の倍率は等倍でもよく、拡大倍率でもよい。更に本発明は、投影光学系を使用しないプロキシミティ方式等の露光装置のステージ系にも適用することができる。
また、例えば国際公開第99/49504号パンフレットなどに開示されるように、解像度及び焦点深度を向上させるために、露光中に投影光学系と基板との間に露光光を透過する液体を供給する液浸型露光装置にも本発明を適用することができる。液浸露光に必要な構造は、例えば液体供給部、ノズル部、及び液体回収部を含んで構成される。その液浸露光に必要な機構は、上記の機構の他に、例えば、欧州特許公開第1420298号公報、国際公開第2004/055803号パンフレット、国際公開第2004/057590号パンフレット、国際公開第2005/029559号パンフレット(対応米国特許公開第2006/0231206号)、国際公開第2004/086468号パンフレット(対応米国特許公開第2005/0280791号)、特開2004−289126号公報(対応米国特許第6,952,253号)などに記載されているものを用いることができる。液浸露光装置の液浸機構及びその付属機器について、指定国または選択国の法令が許す範囲において上記の米国特許又は米国特許公開などの開示を援用して本文の記載の一部とする。
これらの場合、ウエハステージ系やレチクルステージ系にリニアモータを用いる場合は、エアーベアリングを用いたエアー浮上型、又は磁気浮上型等の何れの方式で可動ステージを保持してもよい。そして、可動ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもよいし、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。更に、ウエハステージ、又はレチクルステージのステップ移動時や走査露光時等の加減速時に発生する反力は、それぞれ例えば米国特許(USP) 第5,528,118 号、又は米国特許(USP) 第6,020,710 号(特開平8−33022号公報)に開示されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。
なお、上記の実施形態の露光装置の用途としては、半導体素子製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド、MEMS(Microelectromechanical Systems:微小電気機械システム)、又はDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのレチクルパターンが形成されたレチクル(フォトマスク等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程(露光装置)にも適用することができる。
以上のように、上記の実施形態の露光装置(投影露光装置10)は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
本願明細書に掲げた種々の米国特許及び米国特許出願公開については、特に援用表示をしたもの以外についても、指定国または選択国の法令が許す範囲においてそれらの開示を援用して本文の一部とする。
また、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。また、明細書、特許請求の範囲、図面、及び要約を含む2006年7月14日付け提出の日本国特願2006−194890の全ての開示内容は、そっくりそのまま引用して本願に組み込まれている。

Claims (14)

  1. 物体が載置される可動部を駆動するステージ装置であって、
    前記可動部が、密度分布が一様でない材料から形成された所定部材を備えたステージ装置。
  2. 前記可動部の可動を案内するガイド機構を更に備え、
    前記ガイド機構が、密度分布が一様でない材料から形成された所定部材を備えた請求項1に記載のステージ装置。
  3. 前記所定部材は、局所的に他の部分よりも高い強度が必要とされる部分を含み、
    前記高い強度が必要とされる部分の密度が他の部分の密度よりも高い請求項1又は2に記載のステージ装置。
  4. 前記所定部材の他の部分よりも高い強度が必要とされる部分は、ねじ止め用のブッシュ又はヘリサートが設けられた部分である請求項3に記載のステージ装置。
  5. 前記所定部材は、局所的に他の部分よりも高い平面度が必要とされる部分を含み、
    前記高い平面度が必要とされる部分の密度が他の部分の密度よりも高い請求項1又は2に記載のステージ装置。
  6. 前記所定部材の他の部分よりも高い平面度が必要とされる部分は、位置計測用の計測光を反射する反射面が形成される部分である請求項5に記載のステージ装置。
  7. 前記所定部材の他の部分よりも高い平面度が必要とされる部分は、気体軸受けを形成するように気体を挟んで対向配置される部分の少なくとも一部である請求項5に記載のステージ装置。
  8. 前記所定部材は、多孔質セラミックス又は焼結金属から形成される請求項1から7のいずれか一項に記載のステージ装置。
  9. 前記所定部材の最も密度が高い部分の密度に対して最も密度が低い部分の密度はほぼ1/10である請求項1から8のいずれか一項に記載のステージ装置。
  10. 前記所定部材は、高密度のフレームの隙間に低密度の材料を充填した後、焼き固めて形成される請求項1から9のいずれか一項に記載のステージ装置。
  11. 前記密度分布が一様でない材料は、密度が連続的に変化する材料である請求項1又は2に記載のステージ装置。
  12. 露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターンを介して基板を露光する露光装置であって、
    前記パターンが形成されたマスク及び前記基板の少なくとも一方を駆動するために、請求項1から11のいずれか一項に記載のステージ装置を用いる露光装置。
  13. 照明光学系を介して露光光をパターンに照射し、投影光学系を介して前記パターンの像を基板に露光する露光装置であって、
    前記照明光学系又は前記投影光学系のいずれか一方は、反射部材を有し、
    前記反射部材は、反射面が形成された部分の密度が他の部分の密度よりも高い露光装置。
  14. デバイスを構成する回路パターンの形成工程の少なくとも一部において、請求項12又は13に記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
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