JPWO2007037358A1 - 有機elディスプレイおよびその製造方法 - Google Patents
有機elディスプレイおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2007037358A1 JPWO2007037358A1 JP2007537694A JP2007537694A JPWO2007037358A1 JP WO2007037358 A1 JPWO2007037358 A1 JP WO2007037358A1 JP 2007537694 A JP2007537694 A JP 2007537694A JP 2007537694 A JP2007537694 A JP 2007537694A JP WO2007037358 A1 JPWO2007037358 A1 JP WO2007037358A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing film
- inorganic material
- density
- display
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 277
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 122
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 122
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 41
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 37
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 31
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 claims description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 180
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 26
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 4
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4827—Materials
- H01L23/4828—Conductive organic material or pastes, e.g. conductive adhesives, inks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
Applied Physics Letters,Volume 76,Number 10,p1243(2000).Tkashi Yamasaki et al. Journal of Applied Physics,Volume 91,Number 5,p3324(2002).S Moller et al. Advanced Material,Volume 13,p1149(2001).T.Tsutsui et al.
[1]透明無機材料を含む封止膜を有するトップエミッション型有機EL素子を備えるディスプレイであって、前記封止膜の内層の透明無機材料の密度が、前記封止膜の外層の透明無機材料の密度よりも低い、ディスプレイ。
[2]前記透明無機材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、および酸化アルミニウムからなる群から選択される、[1]に記載のディスプレイ。
[3]前記封止膜の内層の透明無機材料の密度は、前記封止膜の断面のSEM画像を二値化処理することにより求められ、74%以下である、[1]または[2]に記載のディスプレイ。
[4]前記封止膜の内層の透明無機材料の密度は、前記封止膜の断面のSEM画像を二値化処理することにより求められ、50%以下である、[1]〜[3]のいずれかに記載のディスプレイ。
[5]前記封止膜の外層の透明無機材料の密度は、前記封止膜の断面のSEM画像を二値化処理することにより求められ、90%以上である、[1]〜[4]のいずれかに記載のディスプレイ。
[6]前記封止膜の厚さが0.1μm〜10μmである、[1]〜[5]のいずれかに記載のディスプレイ。
[7]前記封止膜の厚さが1μm〜10μmである、[1]〜[6]のいずれかに記載のディスプレイ。
[8][1]に記載のディスプレイの製造方法であって、封止膜が形成される部材、およびターゲットを準備するステップ;および前記ターゲットにイオンを衝突させて、スパッタされた原子または分子を前記部材に付着させて封止膜を形成するステップを含み、
前記封止膜を形成するときに、前記部材の環境温度を上昇させていくか、前記部材と前記ターゲットの距離を縮めていくか、前記部材と前記ターゲットに印加された電圧を上げていくか、前記電圧を印加するための電源の周波数を上げていくか、前記ターゲットに衝突させるイオンの量を増やしていくか、または前記イオン源となるガスの量を増やしていく、製造方法。
[9][1]に記載のディスプレイの製造方法であって、封止膜が形成される部材にソースガスを提供するステップ;および前記ソースガス存在下で、高周波放電電極によりプラズマを発生させて、前記部材に封止膜を形成するステップを含み、
前記封止膜を形成するときに、前記部材の環境温度を上昇させていくか、前記部材と高周波放電電極との距離を縮めていくか、前記高周波放電電極の電圧を上げていくか、前記電圧を印加するための電源の周波数を上げていくか、または前記ソースガスの密度を上げていく、製造方法。
[10][1]に記載のディスプレイの製造方法であって、封止膜が形成される部材、および前記部材に対向して設けられたターゲットを準備するステップ;前記ターゲットの周辺にプラズマを発生させて、ターゲットからイオンを発生させるステップ;および前記部材に前記イオンを衝突させて封止膜を形成するステップを含み、
前記封止膜を形成するときに、イオンの衝突速度を上げていくか、前記部材の環境温度を上昇させていくか、前記部材とターゲットとの距離を縮めていくか、プラズマを発生させるための電源の周波数を上げていく、製造方法。
[11][1]に記載のディスプレイの製造方法であって、封止膜が形成される部材に、透明無機材料の粒子を含むペーストを塗布するステップ;および前記塗布膜にレーザを照射するステップを含む、製造方法。
本発明のディスプレイは複数の有機EL素子を含むが、有機EL素子は基板上にマトリックス状に配置されていることが好ましい。有機EL素子は、パッシブ型であってもアクティブ型であってもよいが、トップエミッション型であることを特徴とする。トップエミッション型有機EL素子とは、発光層からの光が、封止膜を通して取り出される素子を意味する。
図2に示された有機ELディスプレイは、基板1,防湿膜2,陰極電極3,有機発光層4,陽極電極5および封止膜6’を含む。封止膜6’は透明無機材料を含むが、その内層に含まれる透明無機材料粒子の数が少ないため緻密性が低く、一方、その外層に含まれる透明無機材料の数が多いため緻密性が高い。
以下において、トップエミッション型の有機EL装置の例を、図面を参照して説明する。
本発明の有機ELディスプレイは、透明無機材料を含む封止膜の、内層と外層の透明無機材料の密度を制御すること以外は、従来の製造法を適宜適用して製造することができる。
スパッタ法による封止膜の形成は、以下のように行えばよい。
封止膜が形成される部材と、ターゲットを準備し;前記ターゲットにイオンを衝突させ、スパッタされた原子または分子を前記部材に付着させて膜を形成すればよいが、このとき、A)前記部材の環境温度を上昇させていくか、B)前記部材とターゲットの距離を縮めていくか、C)衝突させるイオンの量を増やしていくか、D)前記イオン源となるガスの量を増やしていくか、E)その他の条件を調整する。また、前記部材と前記ターゲットとの間に電圧を印加する場合には、F)前記部材とターゲットに印加された電圧を上げていくか、G)前記電源の周波数を上げてもよい。
このようにターゲットを互いに対向して配置させたスパッタ装置を用いれば、部材100へのプラズマによるダメージを防ぐことができる。
プラズマCVD法による封止膜の形成は、以下のように行えばよい。
封止膜が形成される部材にソースガスを提供し;前記ソースガス存在下で、高周波放電電極によりプラズマを発生させて前記部材に封止膜を形成すればよいが、このとき、A)前記部材の環境温度を上昇させていくか、B)部材と高周波電極との距離を縮めていくか、C)高周波放電電極の電圧を上げていくか、D)前記電圧を印加するための電源の周波数を上げて行くか、E)ソースガスの密度を上げていくか、またはF)その他の条件を調整する。
次に、部材100の環境温度を徐々に上昇させていく(温度プロファイルは、図5と同様にすればよい)。環境温度の上昇は、ステージ110の加熱機構や、加熱ランプ160による光照射、またはチャンバー内を覆うニクロム線(不図示)によりチャンバー内の温度を上昇させて行えばよい。このようにして、無機材料の密度が制御された封止膜が形成される。
イオンプレーティング法による封止膜の形成は、以下のように行えばよい。
封止膜が形成される部材、および前記部材に対向して設けられたターゲットを準備し;前記ターゲットの周辺にプラズマを発生させて、ターゲットからイオンを発生させ;前記部材に前記イオンを衝突させて膜を形成すればよいが、このとき、A)イオンの衝突速度を上げていくか、B)部材の環境温度を上げていくか、C)部材とターゲットとの距離を縮めていくか、D)プラズマを発生させるための電源の周波数を上げていくか、E)その他の条件を調整する。
塗布法による封止膜の形成は、以下のように行えばよい。
封止膜が形成される部材に、透明無機材料の粒子を含むペーストを塗布して;塗布されたペースト膜にレーザを照射して加熱し、表面の透明無機材料の粒子を溶融する。粒子が溶融することにより、表層を無機材料の密度の高い層とする。
Applied Physics Letters, Volume 76, Number 10, p1243 (2000). Tkashi Yamasaki et al. Journal of Applied Physics, Volume 91, Number 5, p3324 (2002). S Moller et al. Advanced Material, Volume 13, p1149 (2001). T. Tsutsui et al.
[1]透明無機材料を含む封止膜を有するトップエミッション型有機EL素子を備えるディスプレイであって、前記封止膜の内層の透明無機材料の密度が、前記封止膜の外層の透明無機材料の密度よりも低い、ディスプレイ。
[2]前記透明無機材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、および酸化アルミニウムからなる群から選択される、[1]に記載のディスプレイ。
[3]前記封止膜の内層の透明無機材料の密度は、前記封止膜の断面のSEM画像を二値化処理することにより求められ、74%以下である、[1]または[2]に記載のディスプレイ。
[4]前記封止膜の内層の透明無機材料の密度は、前記封止膜の断面のSEM画像を二値化処理することにより求められ、50%以下である、[1]〜[3]のいずれかに記載のディスプレイ。
[5]前記封止膜の外層の透明無機材料の密度は、前記封止膜の断面のSEM画像を二値化処理することにより求められ、90%以上である、[1]〜[4]のいずれかに記載のディスプレイ。
[6]前記封止膜の厚さが0.1μm〜10μmである、[1]〜[5]のいずれかに記載のディスプレイ。
[7]前記封止膜の厚さが1μm〜10μmである、[1]〜[6]のいずれかに記載のディスプレイ。
[8] [1]に記載のディスプレイの製造方法であって、封止膜が形成される部材、およびターゲットを準備するステップ;および前記ターゲットにイオンを衝突させて、スパッタされた原子または分子を前記部材に付着させて封止膜を形成するステップを含み、
前記封止膜を形成するときに、前記部材の環境温度を上昇させていくか、前記部材と前記ターゲットの距離を縮めていくか、前記部材と前記ターゲットに印加された電圧を上げていくか、前記電圧を印加するための電源の周波数を上げていくか、前記ターゲットに衝突させるイオンの量を増やしていくか、または前記イオン源となるガスの量を増やしていく、製造方法。
[9] [1]に記載のディスプレイの製造方法であって、封止膜が形成される部材にソースガスを提供するステップ;および前記ソースガス存在下で、高周波放電電極によりプラズマを発生させて、前記部材に封止膜を形成するステップを含み、
前記封止膜を形成するときに、前記部材の環境温度を上昇させていくか、前記部材と高周波放電電極との距離を縮めていくか、前記高周波放電電極の電圧を上げていくか、前記電圧を印加するための電源の周波数を上げていくか、または前記ソースガスの密度を上げていく、製造方法。
[10] [1]に記載のディスプレイの製造方法であって、封止膜が形成される部材、および前記部材に対向して設けられたターゲットを準備するステップ;前記ターゲットの周辺にプラズマを発生させて、ターゲットからイオンを発生させるステップ;および前記部材に前記イオンを衝突させて封止膜を形成するステップを含み、
前記封止膜を形成するときに、イオンの衝突速度を上げていくか、前記部材の環境温度を上昇させていくか、前記部材とターゲットとの距離を縮めていくか、プラズマを発生させるための電源の周波数を上げていく、製造方法。
[11] [1]に記載のディスプレイの製造方法であって、封止膜が形成される部材に、透明無機材料の粒子を含むペーストを塗布するステップ;および前記塗布膜にレーザを照射するステップを含む、製造方法。
本発明のディスプレイは複数の有機EL素子を含むが、有機EL素子は基板上にマトリックス状に配置されていることが好ましい。有機EL素子は、パッシブ型であってもアクティブ型であってもよいが、トップエミッション型であることを特徴とする。トップエミッション型有機EL素子とは、発光層からの光が、封止膜を通して取り出される素子を意味する。
図2に示された有機ELディスプレイは、基板1,防湿膜2,陰極電極3,有機発光層4,陽極電極5および封止膜6’を含む。封止膜6’は透明無機材料を含むが、その内層に含まれる透明無機材料粒子の数が少ないため緻密性が低く、一方、その外層に含まれる透明無機材料の数が多いため緻密性が高い。
以下において、トップエミッション型の有機EL装置の例を、図面を参照して説明する。
本発明の有機ELディスプレイは、透明無機材料を含む封止膜の、内層と外層の透明無機材料の密度を制御すること以外は、従来の製造法を適宜適用して製造することができる。
スパッタ法による封止膜の形成は、以下のように行えばよい。
封止膜が形成される部材と、ターゲットを準備し;前記ターゲットにイオンを衝突させ、スパッタされた原子または分子を前記部材に付着させて膜を形成すればよいが、このとき、A)前記部材の環境温度を上昇させていくか、B)前記部材とターゲットの距離を縮めていくか、C)衝突させるイオンの量を増やしていくか、D)前記イオン源となるガスの量を増やしていくか、E)その他の条件を調整する。また、前記部材と前記ターゲットとの間に電圧を印加する場合には、F)前記部材とターゲットに印加された電圧を上げていくか、G)前記電源の周波数を上げてもよい。
このようにターゲットを互いに対向して配置させたスパッタ装置を用いれば、部材100へのプラズマによるダメージを防ぐことができる。
プラズマCVD法による封止膜の形成は、以下のように行えばよい。
封止膜が形成される部材にソースガスを提供し;前記ソースガス存在下で、高周波放電電極によりプラズマを発生させて前記部材に封止膜を形成すればよいが、このとき、A)前記部材の環境温度を上昇させていくか、B)部材と高周波電極との距離を縮めていくか、C)高周波放電電極の電圧を上げていくか、D)前記電圧を印加するための電源の周波数を上げて行くか、E)ソースガスの密度を上げていくか、またはF)その他の条件を調整する。
次に、部材100の環境温度を徐々に上昇させていく(温度プロファイルは、図5と同様にすればよい)。環境温度の上昇は、ステージ110の加熱機構や、加熱ランプ160による光照射、またはチャンバー内を覆うニクロム線(不図示)によりチャンバー内の温度を上昇させて行えばよい。このようにして、無機材料の密度が制御された封止膜が形成される。
イオンプレーティング法による封止膜の形成は、以下のように行えばよい。
封止膜が形成される部材、および前記部材に対向して設けられたターゲットを準備し;前記ターゲットの周辺にプラズマを発生させて、ターゲットからイオンを発生させ;前記部材に前記イオンを衝突させて膜を形成すればよいが、このとき、A)イオンの衝突速度を上げていくか、B)部材の環境温度を上げていくか、C)部材とターゲットとの距離を縮めていくか、D)プラズマを発生させるための電源の周波数を上げていくか、E)その他の条件を調整する。
塗布法による封止膜の形成は、以下のように行えばよい。
封止膜が形成される部材に、透明無機材料の粒子を含むペーストを塗布して;塗布されたペースト膜にレーザを照射して加熱し、表面の透明無機材料の粒子を溶融する。粒子が溶融することにより、表層を無機材料の密度の高い層とする。
Claims (11)
- 透明無機材料を含む封止膜を有するトップエミッション型有機EL素子を備えるディスプレイであって、
前記封止膜の内層の透明無機材料の密度が、前記封止膜の外層の透明無機材料の密度よりも低い、ディスプレイ。 - 前記透明無機材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、および酸化アルミニウムからなる群から選択される、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記封止膜の内層の透明無機材料の密度は、前記封止膜の断面のSEM画像を二値化処理することにより求められ、74%以下である、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記封止膜の内層の透明無機材料の密度は、前記封止膜の断面のSEM画像を二値化処理することにより求められ、50%以下である、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記封止膜の外層の透明無機材料の密度は、前記封止膜の断面のSEM画像を二値化処理することにより求められ、90%以上である、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記封止膜の厚さが0.1μm〜10μmである、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記封止膜の厚さが1μm〜10μmである、請求項1に記載のディスプレイ。
- 請求項1に記載のディスプレイの製造方法であって、
封止膜が形成される部材、およびターゲットを準備するステップ;および前記ターゲットにイオンを衝突させて、スパッタされた原子または分子を前記部材に付着させて封止膜を形成するステップを含み、
前記封止膜を形成するときに、前記部材の環境温度を上昇させていくか、前記部材と前記ターゲットの距離を縮めていくか、前記部材と前記ターゲットに印加された電圧を上げていくか、前記電圧を印加するための電源の周波数を上げていくか、前記ターゲットに衝突させるイオンの量を増やしていくか、または前記イオン源となるガスの量を増やしていく、製造方法。 - 請求項1に記載のディスプレイの製造方法であって、
封止膜が形成される部材にソースガスを提供するステップ;および前記ソースガス存在下で、高周波放電電極によりプラズマを発生させて、前記部材に封止膜を形成するステップを含み、
前記封止膜を形成するときに、前記部材の環境温度を上昇させていくか、前記部材と高周波放電電極との距離を縮めていくか、前記高周波放電電極の電圧を上げていくか、前記電圧を印加するための電源の周波数を上げていくか、または前記ソースガスの密度を上げていく、製造方法。 - 請求項1に記載のディスプレイの製造方法であって、
封止膜が形成される部材、および前記部材に対向して設けられたターゲットを準備するステップ;前記ターゲットの周辺にプラズマを発生させて、ターゲットからイオンを発生させるステップ;および前記部材に前記イオンを衝突させて封止膜を形成するステップを含み、
前記封止膜を形成するときに、イオンの衝突速度を上げていくか、前記部材の環境温度を上昇させていくか、前記部材とターゲットとの距離を縮めていくか、前記プラズマを発生させるための電源の周波数を上げていく、製造方法。 - 請求項1に記載のディスプレイの製造方法であって、
封止膜が形成される部材に、透明無機材料の粒子を含むペーストを塗布するステップ;および前記塗布膜にレーザを照射するステップを含む、製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005284326 | 2005-09-29 | ||
JP2005284326 | 2005-09-29 | ||
PCT/JP2006/319434 WO2007037358A1 (ja) | 2005-09-29 | 2006-09-29 | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4106076B2 JP4106076B2 (ja) | 2008-06-25 |
JPWO2007037358A1 true JPWO2007037358A1 (ja) | 2009-04-16 |
Family
ID=37899779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007537694A Expired - Fee Related JP4106076B2 (ja) | 2005-09-29 | 2006-09-29 | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8080935B2 (ja) |
JP (1) | JP4106076B2 (ja) |
KR (1) | KR100958480B1 (ja) |
WO (1) | WO2007037358A1 (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7902748B2 (en) * | 2007-05-31 | 2011-03-08 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device having improved light output |
JP2009037811A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機el装置の製造方法 |
JP2009037813A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機el装置の製造方法 |
WO2009084209A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Panasonic Corporation | 有機elデバイスおよび有機elディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法 |
EP2270896B1 (en) | 2008-02-28 | 2014-12-24 | Panasonic Corporation | Organic el display panel |
KR101318072B1 (ko) * | 2008-06-04 | 2013-10-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법 |
KR100984574B1 (ko) * | 2008-06-06 | 2010-09-30 | 파나소닉 주식회사 | 유기 el 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
WO2010035337A1 (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機elデバイスおよびその製造方法 |
JP5695818B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2015-04-08 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工方法及び断面観察試料の製造方法 |
WO2010092797A1 (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-19 | パナソニック株式会社 | 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法 |
KR20110126594A (ko) * | 2009-02-10 | 2011-11-23 | 파나소닉 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자를 구비한 발광 장치 및 발광 소자의 제조 방법 |
JP5526610B2 (ja) * | 2009-06-09 | 2014-06-18 | 凸版印刷株式会社 | 有機elディスプレイの構造とその製造方法 |
JP5209123B2 (ja) | 2009-11-04 | 2013-06-12 | パナソニック株式会社 | 表示パネル装置及びその製造方法 |
JP5612692B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-10-22 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
WO2012017502A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
WO2012017486A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP5612691B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-10-22 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
WO2012017496A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 |
WO2012017490A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el素子、表示装置および発光装置 |
WO2012017489A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el素子、表示装置および発光装置 |
JP5677431B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-02-25 | パナソニック株式会社 | 有機el素子、表示装置および発光装置 |
JP5677436B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-02-25 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
CN103053041B (zh) | 2010-08-06 | 2015-11-25 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el元件 |
WO2012017491A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 |
CN103053040B (zh) | 2010-08-06 | 2015-09-02 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el元件 |
KR101752876B1 (ko) | 2010-12-16 | 2017-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US11038144B2 (en) | 2010-12-16 | 2021-06-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
KR20120106453A (ko) * | 2011-03-18 | 2012-09-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP5987407B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-09-07 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
WO2013151095A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | シャープ株式会社 | 成膜方法、及び有機el表示装置の製造方法 |
JP6040443B2 (ja) * | 2012-05-09 | 2016-12-07 | 株式会社Joled | 表示パネルの製造方法および表示パネル |
JP6122253B2 (ja) * | 2012-05-22 | 2017-04-26 | 株式会社オプトラン | 静電容量型タッチパネル基板及びその製造方法並びに製造装置 |
EP2722412B1 (en) * | 2012-10-17 | 2018-04-25 | Solmates B.V. | Method for depositing a target material onto a sensitive material |
US8754434B1 (en) | 2013-01-28 | 2014-06-17 | Corning Incorporated | Flexible hermetic thin film with light extraction layer |
US9484553B2 (en) * | 2013-09-25 | 2016-11-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light-emitting diode device and manufacturing method thereof |
DE102014102281B4 (de) * | 2014-02-21 | 2017-01-05 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements und organisches optoelektronisches Bauelement |
DE102014222946A1 (de) * | 2014-11-11 | 2016-05-12 | Osram Oled Gmbh | Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Bauelements |
KR101711965B1 (ko) | 2014-12-01 | 2017-03-06 | 고려대학교 산학협력단 | 플렉시블 가스배리어 막 및 그의 제조방법 |
CN105226198A (zh) * | 2015-10-13 | 2016-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种防水增透型柔性oled器件装置及其制备方法 |
KR102453924B1 (ko) | 2015-11-11 | 2022-10-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102469745B1 (ko) * | 2017-10-23 | 2022-11-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5920080A (en) * | 1997-06-23 | 1999-07-06 | Fed Corporation | Emissive display using organic light emitting diodes |
US6309272B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-10-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making an image forming apparatus |
KR100472502B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2005-03-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
JP3797317B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2006-07-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電性薄膜用ターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法、ディスプレイ用電極材料、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7109650B2 (en) * | 2002-07-08 | 2006-09-19 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Active matrix organic electroluminescent display device and method of fabricating the same |
JP3948365B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2007-07-25 | 株式会社島津製作所 | 保護膜製造方法および有機el素子 |
US7015640B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-03-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
JP2004127606A (ja) | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
KR100527189B1 (ko) * | 2003-05-28 | 2005-11-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2005174726A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el素子及びその形成方法 |
JP3994998B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2007-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器 |
JPWO2005099311A1 (ja) * | 2004-04-05 | 2008-03-06 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
WO2006033233A1 (ja) * | 2004-09-21 | 2006-03-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 透明ガスバリア性フィルム |
JP2006338947A (ja) | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 保護膜形成方法および保護膜 |
-
2006
- 2006-09-29 JP JP2007537694A patent/JP4106076B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-29 WO PCT/JP2006/319434 patent/WO2007037358A1/ja active Application Filing
- 2006-09-29 KR KR1020077027330A patent/KR100958480B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-09-29 US US11/914,840 patent/US8080935B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090058268A1 (en) | 2009-03-05 |
KR100958480B1 (ko) | 2010-05-17 |
US8080935B2 (en) | 2011-12-20 |
WO2007037358A1 (ja) | 2007-04-05 |
JP4106076B2 (ja) | 2008-06-25 |
KR20080053439A (ko) | 2008-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4106076B2 (ja) | 有機elディスプレイおよびその製造方法 | |
US20060049034A1 (en) | Laser ablation apparatus and method of preparing nanoparticles using the same | |
JP2020520076A (ja) | パターン化コーティングにわたって伝導性コーティングを選択的に堆積させるための方法および伝導性コーティングを含むデバイス | |
US7560134B2 (en) | Nanoparticle implantation | |
MX2011012989A (es) | Metodo para depositar una capa delgada, y producto obtenido. | |
JP6783294B2 (ja) | 透明電極及びこれを備えた有機電子デバイス | |
JP2004095953A (ja) | 窒化シリコンの堆積膜形成方法 | |
KR101997296B1 (ko) | 자외광 생성용 타겟, 전자선 여기 자외광원 및 자외광 생성용 타겟의 제조 방법 | |
US9837599B1 (en) | Films and the like produced from particles by processing with electron beams, and a method for production thereof | |
KR102347960B1 (ko) | 도전체 및 그 제조 방법 | |
KR20150065897A (ko) | 전기적 기능성 유기 물질 상에 표적 물질을 침착시키는 방법 | |
WO2003046255A8 (en) | Field emission device and method of fabricating same | |
US10381215B2 (en) | Target for ultraviolet light generation, and method for manufacturing same | |
JP2008308725A (ja) | 蛍光体の成膜方法 | |
JP3460260B2 (ja) | 発光デバイスの製造方法 | |
JP5032138B2 (ja) | 発光ダイオード素子の製造方法 | |
CN110491993B (zh) | 一种pi基板的制备方法及其显示装置 | |
JP6927968B2 (ja) | 透明導電部材、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPS5929031A (ja) | 基質上にコ−テイングを析出するための高圧非局所熱平衡ア−クプラズマ発生装置 | |
Koleva et al. | Effect of the plasmon-exciton coupling on the optical response of a ZnO/Ag/ZnO nanocomposite | |
KR101101178B1 (ko) | 귀금속의 플라즈마 이온주입 장치 및 방법과 이를 이용한 귀금속 나노복합체 형성 방법 | |
Suda et al. | Deposition of fine carbon particles using pulsed ArF laser ablation assisted by inductively coupled plasma | |
JP2006193800A (ja) | 硬質炭素膜の成膜方法及び成膜装置 | |
TWI433611B (zh) | A plasma source, an ion manufacturing method, a plasma manufacturing method, and a method of manufacturing the inner package carbon cluster | |
JPS63288017A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080328 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120404 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130404 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |