JP5032138B2 - 発光ダイオード素子の製造方法 - Google Patents
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Description
しかし、フリップチップ構造の発光ダイオード素子の透明電極膜を、上述した蒸着法で成膜すると、反射電極膜の反射率が小さくなるという問題があった。
発光ダイオード素子の発光光の波長は、例えば460nmであり、その波長での光の反射率と、表面粗さ(算術平均粗さ)との関係を図6のグラフに示す。
発光ダイオード素子として実用上必要な反射率は80%であり、反射率80%を得るために必要な算術平均粗さは3.4nm以下であることが図6のグラフから分かる。
本発明は発光ダイオード素子の製造方法であって、前記真空槽内部に酸素を供給した状態で、前記透明電極膜を成膜する発光ダイオード素子の製造方法である。
従って、発光層の表面に透明電極膜を成膜する場合には、「交番電磁界形成」が最も優れている。
「交番電磁界形成」で成膜されたITO膜と、「標準条件」で成膜されたITO膜について、AFM(原子間力顕微鏡)により表面粗さを求めた。
従来法で成膜されたITO膜は、二乗平均粗さ(Rms)が8.707nm、算術平均粗さ(Ra)が6.825nm、最大高さ(Rmax)が67.903nmである。
図3(a)の符号21は単結晶基板(ここではサファイア基板、Al2O3)からなる透明基板を示している。
透明基板21の表面には下地層22が形成されており、下地層22の表面には、n−クラッド層23と、活性層25と、p−クラッド層26とが記載した順番に積層され、発光層20が形成されている。
真空排気を続けながらガス供給系8から酸素ガスを導入し、酸素ガスを含む成膜雰囲気を形成する。
蒸着容器5には、予めITOを主成分とする透明導電材料7が収容されている。
真空槽2内部の基板ホルダ3の裏面側には加熱ヒータ12が配置されており、加熱ヒータ12に通電し、予め透明基板21を所定温度に加熱しておく。
反射電極膜32と透明電極膜31と発光層20とを、膜厚方向に発光層20の途中まで部分的にエッチング除去し、発光層20のn−クラッド層23の一部表面を露出させる(図3(d))。
そのため、反射電極膜32に入射した発光光は、散乱又は吸収されることなく、80%以上の高い反射率で反射され、透明電極膜31と、p−クラッド層26と、活性層25と、n−クラッド層23と、下地層22と、透明基板21を透過して外部に放出される。
成膜対象物としてガラス基板を、透明導電材料としてITOを用い、図1で示した成膜装置1で、電磁界形成手段17への投入電力を変えてガラス基板の表面に膜厚100nmの透明電極膜31を成膜した。投入電力以外の成膜条件を下記に示す。
酸素分圧:2.7×10-2Pa
成膜速度:0.2nm/秒
尚、酸素ガスだけを真空槽2に供給して成膜を行っており、酸素ガス分圧は真空槽2の全圧と等しい。
従って、投入電力が11W以上50W以下であれば、実用上十分な反射率と抵抗率を兼ね備えた発光ダイオード素子が得られることが分かる。
電磁界形成手段17に電圧を印加せずに、成膜時の酸素分圧を変えて透明電極膜31を成膜した。尚、基板加熱温度と成膜速度は、上記「RF投入電力」の時と同じにした。上記「RF投入電力」の時と同様に、透明電極膜31の表面にそれぞれ反射電極膜32を成膜して反射率を測定した。
電磁界形成手段17に電圧を印加せずに、成膜速度と、酸素ガス分圧を変えて透明電極膜31を成膜した。尚、基板加熱温度は「RF投入電力」の時と同じにした。上記「RF投入電力」の時と同様に、透明電極膜31の表面にそれぞれ反射電極膜32を成膜して反射率を測定した。反射率と光の波長との関係を、成膜速度と酸素ガス分圧の条件の組合せ毎に曲線化し、図11に示した。
Claims (2)
- 発光層と、前記発光層上に配置された透明電極膜と、前記透明電極膜表面に配置された反射電極膜とを有し、
前記発光層から放出され、前記透明電極膜を透過した光は、前記反射電極膜で反射され、前記透明電極膜と前記発光層とを透過して外部に放出される発光ダイオード素子を製造する発光ダイオード素子の製造方法であって、
前記発光層が表面に露出する基板と、透明導電材料とを真空槽内部に配置した状態で、前記基板を加熱しながら、前記真空槽内部に配置された電磁界形成手段に交流電圧を印加して、前記基板と前記透明導電材料との間の中間領域に交番電磁界を形成しながら、前記透明導電材料を加熱溶融して蒸気を発生させ、
前記中間領域を通過した蒸気を前記基板に到達させて前記透明電極膜を成膜し、
前記電磁界形成手段への投入電力を11W以上50W以下にする発光ダイオード素子の製造方法。 - 前記真空槽内部に酸素を供給した状態で、前記透明電極膜を成膜する請求項1記載の発光ダイオード素子の製造方法。
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