JPWO2006051610A1 - タンタル酸リチウム結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
2 処理すべきタンタル酸リチウム結晶
11 アルミナ処理管
12 ガス供給口
13 ガス排出口
14 キャップ
15 アルミナ担体
16 LTラップウェハ
LTウェハ作製を次の通り行った。表面法線に対してy方向に36゜回転して配向された直径100mm、長さ50mmのタンタル酸リチウム結晶を、チョクラルスキー法及び常用の二次加工法を使用することにより得た(以後、LT結晶と記す)。このLT結晶を切断し、ラップ加工を行い、厚さ0.4mmの両面ラップウェハを得た(以後、このウェハをLTラップウェハと記す)。LTラップウェハの片面を研磨し、厚さ0.35mmのウェハを得た(以後、このウェハをLTポリッシュウェハと記す)。このウェハは、無色で半透明であった。
上記LTラップウェハを、表1の各ガスが毎分約1.5リットルの速度で流通する封止された炉中に置いた。炉の概要を図3に示す。
ρ=(πd2/4t)・R
ρ:体積抵抗率(Ω・cm)
π:円周率
d:中心電極直径(cm)
t:T2処理LTウェハ厚さ(cm)
R:抵抗値(Ω)
抵抗値は、試料に500ボルトの電圧を印加し、電圧を印加してから1分後の抵抗値を測定した。
温度T2還元処理−タンタル酸リチウム結晶
LTラップウェハを、水素ガスが毎分約1.5リットルの速度で流通する封止された炉中に置いた。温度T1(1,100℃)に1時間保持してT1処理LTウェハを得た。図1のように、LTラップウェハとT1処理LTウェハを非接触状態に近接(d=0.1−50mm)して交互に配置し、90vol%N2+10vol%H2の混合ガスが毎分約1.5リットルの速度で流通する封止された炉中に置いた。ここで、ウェハ間の間隔を0.1mm以上としたのは、これより短いとウェハの充填が困難であるためである。温度T2(600℃)に1時間保持後、炉を毎分約6.7℃の速度で降温した。250℃以下で炉内に大気を導入し、30℃以下となったところでウェハを炉から取り出し、T2処理LTウェハを得た。導電率の間隔dへの依存性を図4に示す。導電率は間隔dが少ないほど増加し、20mm以上ではほとんど効果がないことがわかる。また、ウェハ充填に支障をきたさず、導電率増加という観点から好ましい間隔は0.2〜3.0mm程度の範囲内といえる。
Claims (16)
- 温度T1で還元処理された物質に処理すべきタンタル酸リチウム結晶を非接触状態で近接配置し、このタンタル酸リチウム結晶を上記温度T1より低い温度T2で還元雰囲気中にさらすことを特徴とする導電率が増加したタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 還元処理された物質と処理すべきタンタル酸リチウム結晶とを距離(d)0.1〜20mmを隔てて配置した請求項1記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 温度T1が700℃以上であることを特徴とする請求項1又は2記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 温度T1での還元処理を、水素、一酸化炭素、一酸化二窒素から選ばれる1種又は2種以上の混合ガスを含む還元性ガス中で行うことを特徴とする請求項1,2又は3記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 前記還元性ガスが、更に希ガス、窒素、二酸化炭素から選ばれる1種又は2種以上の混合ガスを含む請求項4記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 温度T1で還元処理された物質として、無機物結晶、セラミックス、金属のいずれかを用いることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 前記無機物結晶又は前記セラミックスとして、非化学量論組成をもつ複合酸化物からなるものを用いることを特徴とする請求項6記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 前記無機物結晶又は前記セラミックスとして、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムを用いることを特徴とする請求項6又は7記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 前記金属として水素貯蔵合金を用いることを特徴とする請求項6記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 処理すべきタンタル酸リチウム結晶として、単一分極化された結晶を用いることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 前記単一分極化された結晶として、スライス処理及び/又はラップ処理が行われたウェハを用いることを特徴とする請求項10記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 前記単一分極化された結晶として、スライス前段階の結晶を用いることを特徴とする請求項10記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 温度T2が400〜600℃の範囲であることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 温度T2で処理した後に、温度が250℃以下で大気を導入することを特徴とする請求項13記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 温度T2での還元処理を、水素、一酸化炭素、一酸化二窒素から選ばれる1種又は2種以上の混合ガスを含む還元性のガス中で行うことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 前記還元性ガスが、更に希ガス、窒素、二酸化炭素から選ばれる1種又は2種以上の混合ガスを含む請求項15記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
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