JPS58151399A - 強誘電体の単一分域化方法 - Google Patents
強誘電体の単一分域化方法Info
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- JPS58151399A JPS58151399A JP3212182A JP3212182A JPS58151399A JP S58151399 A JPS58151399 A JP S58151399A JP 3212182 A JP3212182 A JP 3212182A JP 3212182 A JP3212182 A JP 3212182A JP S58151399 A JPS58151399 A JP S58151399A
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- crystal
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明＃１新規かつ改良された強誘電体の単−分域叱方
ｌ’ｆ”（二関丁６ものである。
ｌ’ｆ”（二関丁６ものである。
従来Ｘ軸１ｚｔｚ’ｙ軸万回≦二引上げて棒状に成長さ
せたＬｉＴａ０ａ、ＬｉＮｂ０ａ などの強洒亀偽會
単−ｎ域化する方法として、この単結晶の２軸方向の両
側面表皮に二１Ｉｉ１播白餐を浴融丁ゐη為、あゐい−
＝表皮１削り落しに後に白曽ｔ−溶融して１極ケ形成し
、該電極間ｇ二通電することによって単結晶６二電界ｔ
かけ単分域化する方法、あるいは引上げた！ｔの単結晶
の２軸方向の両＠区二、それぞれ該単結晶と同権の粉末
−（数−）全弁して円柱状単結晶棒の外周面ｇ二沿って
樋状瀘二彎曲させた白金亀権板を当接［１、該−″極板
間にｔａ５電して単結晶に電界をかけ単分域化する方法
か知られている。
せたＬｉＴａ０ａ、ＬｉＮｂ０ａ などの強洒亀偽會
単−ｎ域化する方法として、この単結晶の２軸方向の両
側面表皮に二１Ｉｉ１播白餐を浴融丁ゐη為、あゐい−
＝表皮１削り落しに後に白曽ｔ−溶融して１極ケ形成し
、該電極間ｇ二通電することによって単結晶６二電界ｔ
かけ単分域化する方法、あるいは引上げた！ｔの単結晶
の２軸方向の両＠区二、それぞれ該単結晶と同権の粉末
−（数−）全弁して円柱状単結晶棒の外周面ｇ二沿って
樋状瀘二彎曲させた白金亀権板を当接［１、該−″極板
間にｔａ５電して単結晶に電界をかけ単分域化する方法
か知られている。
しかしながら、上記従来公知の単分域他階ではいずれも
単結晶棒より小さな一極ないし［極数が用いられるため
、１１極のｍ縁部か撥触丁ゐかあるいは近接した単結晶
部分に電界集中か起１）や丁〈。
単結晶棒より小さな一極ないし［極数が用いられるため
、１１極のｍ縁部か撥触丁ゐかあるいは近接した単結晶
部分に電界集中か起１）や丁〈。
局時電：単結晶欅の周面で′４１極に工って被われてい
ない部分は他の部分より電界が弱くなる傾向にあリ、そ
のため６二単結晶の全体に均一な電界會かけゐことか困
鑓となって均一な単分域化が行なわれず、その結果、光
学的性實、電気釣牲１Ａ等が均質で良好な結晶か得瘤＜
、１した電界集中−分一二りラブクか発生しやすいなど
の不利、欠点が艶られた。
ない部分は他の部分より電界が弱くなる傾向にあリ、そ
のため６二単結晶の全体に均一な電界會かけゐことか困
鑓となって均一な単分域化が行なわれず、その結果、光
学的性實、電気釣牲１Ａ等が均質で良好な結晶か得瘤＜
、１した電界集中−分一二りラブクか発生しやすいなど
の不利、欠点が艶られた。
本発明はかかる従来公知の本分域化法５二おける不利、
欠点を解決することのできる新規かつ改良された強誘電
体の単一分域化方法を提供するものであって、これ４断
熱材からなる処理槽内直：、１対のＩＩｉ数ｔその表面
が互に平行となるように間隔をおいて配設置１、該！対
の亀ｔｔ歇間のはゾ中央部ｇ二、ｌ１１１誘電体単結晶
をその単結晶の２軸が該電極数に平行とならないよう１
二、好！しくは該電極板にはり１交するよう１二【７て
配置すると共に、ｍ処理槽内Ｃ二鈑単結晶と同棲の強誘
電体粉末全槽に充填し、該電極板間１：ａ電して単結晶
痕二電界をかけ単分域化させることｔ特徴とすあもので
ある。
欠点を解決することのできる新規かつ改良された強誘電
体の単一分域化方法を提供するものであって、これ４断
熱材からなる処理槽内直：、１対のＩＩｉ数ｔその表面
が互に平行となるように間隔をおいて配設置１、該！対
の亀ｔｔ歇間のはゾ中央部ｇ二、ｌ１１１誘電体単結晶
をその単結晶の２軸が該電極数に平行とならないよう１
二、好！しくは該電極板にはり１交するよう１二【７て
配置すると共に、ｍ処理槽内Ｃ二鈑単結晶と同棲の強誘
電体粉末全槽に充填し、該電極板間１：ａ電して単結晶
痕二電界をかけ単分域化させることｔ特徴とすあもので
ある。
以下、添付図ｌ１ｉ（二基づいて本発明の方法を詳細−
二説明する。
二説明する。
まず、８１図１２本発明方法を実施するための単分域化
１ｉ置の概略構成を示す縦断面図であり、塾２因はその
横断面図である。
１ｉ置の概略構成を示す縦断面図であり、塾２因はその
横断面図である。
図面から明らかなように、この単分域化装置は。
アルミナ、ジルコニアなどの断熱材からなる処理槽１内
に、１対の電極数２ａ、２ｂ？その表面が互に平行とな
るように間隔Ｂｆおいて配役【７てなるものであ・］、
これら電極＠２ａ、２ｂのはゾ中間位１に処理しようと
する強誘電体単結晶棒３か配ｌ１１された上に、槽内空
間部に：該単結晶と１檜の単結晶粉末４が密−二充填さ
れている。
に、１対の電極数２ａ、２ｂ？その表面が互に平行とな
るように間隔Ｂｆおいて配役【７てなるものであ・］、
これら電極＠２ａ、２ｂのはゾ中間位１に処理しようと
する強誘電体単結晶棒３か配ｌ１１された上に、槽内空
間部に：該単結晶と１檜の単結晶粉末４が密−二充填さ
れている。
Ｉ、かして、Ｘ発明の単一分域化方法において重要な要
件の１つは、その電機として１対の平取状篇極敬２ａ、
２ｂｆｒ採用し、これらを充５ｆｔ間鵬をおいて、その
表面が互い一二回い合って平行となる工うｉ：配設した
状態で単一分域化を行なうことである。この場合、各電
＆１１１はたとえば金、白曽。
件の１つは、その電機として１対の平取状篇極敬２ａ、
２ｂｆｒ採用し、これらを充５ｆｔ間鵬をおいて、その
表面が互い一二回い合って平行となる工うｉ：配設した
状態で単一分域化を行なうことである。この場合、各電
＆１１１はたとえば金、白曽。
飯などの貴会鵬からなり、その輻し？被処理単結晶棒の
１１１径ＲＩ：＃Ｉ４１遅１．てＬ＝（１，１〜２）Ｘ
Ｒ。
１１１径ＲＩ：＃Ｉ４１遅１．てＬ＝（１，１〜２）Ｘ
Ｒ。
商さＨｆ被処増率結晶棒の島さもしくは直径と同等かそ
れより＾いものとすることかよく、また、−極＆２ｍ、
２ｂの間隔８砿：ついては被処理単結晶棒の―径Ｒ鑑二
ＰＡ通して８＝（１，１〜２）ＸＲとすることがよく、
このようＩ：電極数の大声さならびに電極間間隔管規足
するときは被処理単結晶に幻する鴇界密度會（ｅ）均一
なものとすることができる。
れより＾いものとすることかよく、また、−極＆２ｍ、
２ｂの間隔８砿：ついては被処理単結晶棒の―径Ｒ鑑二
ＰＡ通して８＝（１，１〜２）ＸＲとすることがよく、
このようＩ：電極数の大声さならびに電極間間隔管規足
するときは被処理単結晶に幻する鴇界密度會（ｅ）均一
なものとすることができる。
本発Ｈハ方法に：おいて１１？！なもう一つの要件は。
図面Ｉ：示すよう区：、処理槽１内の空間に被処理単結
晶８と同棲の強誘電体粉末４１１ｒ！ｌ二充填すること
である。この単結晶粉末の充＃ｉＩは、電極数２ａ。
晶８と同棲の強誘電体粉末４１１ｒ！ｌ二充填すること
である。この単結晶粉末の充＃ｉＩは、電極数２ａ。
２ｂ間における誘電率ケー整すると共Ｃ：Ｍ処層単を有
し、かつその充填密度ｆ１〜６９／−程度とすることが
好１ＬＬい。
し、かつその充填密度ｆ１〜６９／−程度とすることが
好１ＬＬい。
つぎ区二、上記した釦１：おいて実除感二強誘亀偽単結
晶の単一分域化するには、家ずｘｍｔｙ；＝ｔｚｙ軸方
向軸方向上：引上状に成長させた、ＬｉＮｂ０．。
晶の単一分域化するには、家ずｘｍｔｙ；＝ｔｚｙ軸方
向軸方向上：引上状に成長させた、ＬｉＮｂ０．。
あるいはＬｉＴａ０１ などの被処理強誘電体単結晶
棒３の直径Ｒとの関連において所定の大きさの亀Ｊｊ＆
２ａ、２ｂ？準備し、この１１１＆板を処理槽１内Ｉ：
所定の間隔ｔおいて配設する。ｌ、かる後−二、引上げ
た後にその上下をカットしただけの被処理単結晶棒３ｆ
、そのＺ軸が電機ｆ１２２ａ、２ｂにはゾ直交するよ少
に配置し、ついで処理槽内空気に同種結晶の粉末４’ｌ
ｉ−密Ｃ二充填する。このようにして準備が終ったら適
当な外部加熱手段によって処理槽内を被ｌＩ＆層単結晶
のキュー１−湿１ｔ〜７００℃削後に加熱した状態で上
記１極′ｒｊ１２ｍ、２ｂ間区−通電し、その電界強さ
を３〜２００Ｖ／国に保てはよく、これ区：よってその
−一分域化ケ容易に達成することができる◎ つぎに本発明の夷−例について説明するが、これ＃１本
発明を限足するものではない。
棒３の直径Ｒとの関連において所定の大きさの亀Ｊｊ＆
２ａ、２ｂ？準備し、この１１１＆板を処理槽１内Ｉ：
所定の間隔ｔおいて配設する。ｌ、かる後−二、引上げ
た後にその上下をカットしただけの被処理単結晶棒３ｆ
、そのＺ軸が電機ｆ１２２ａ、２ｂにはゾ直交するよ少
に配置し、ついで処理槽内空気に同種結晶の粉末４’ｌ
ｉ−密Ｃ二充填する。このようにして準備が終ったら適
当な外部加熱手段によって処理槽内を被ｌＩ＆層単結晶
のキュー１−湿１ｔ〜７００℃削後に加熱した状態で上
記１極′ｒｊ１２ｍ、２ｂ間区−通電し、その電界強さ
を３〜２００Ｖ／国に保てはよく、これ区：よってその
−一分域化ケ容易に達成することができる◎ つぎに本発明の夷−例について説明するが、これ＃１本
発明を限足するものではない。
Ｔ＆抛例
内側のにて、Ｌこ、深さ寸法かそれぞれ１５〇−，１０
０ｍ、１５Ｇ−でＩＩＭＩＬＩＯｗの１１１図、ｓｚ図
に示すようなアルミナカ為らなゐ処理槽１内感二、 １
００ ｓｍＸ １００ ｍｆ）大ｇさノｐｔ１＠極板２
ｍ、２ｂｌ１５０−の間隔をおいて互いＩ：平行となる
ように配設し、これら゛鴫極ｆｉ２ａ、２ｂの中間位置
に、チョグラルスキー法直：より作成したａｙｋ冨イン
チを長さ１００−のＸ軸引上げＬｉＴａ０ｇ 単結晶
ａｔ−１そのＺ軸が電極１１１４：＠交する状態で配−
シ、シカ為る後ｇ二、上紀処理僧内空間に平均粒度ＳＯ
声翼のＬｉＴａ０１ 単結晶粉末全３０Ｉ／−の密度
で充填しに。
０ｍ、１５Ｇ−でＩＩＭＩＬＩＯｗの１１１図、ｓｚ図
に示すようなアルミナカ為らなゐ処理槽１内感二、 １
００ ｓｍＸ １００ ｍｆ）大ｇさノｐｔ１＠極板２
ｍ、２ｂｌ１５０−の間隔をおいて互いＩ：平行となる
ように配設し、これら゛鴫極ｆｉ２ａ、２ｂの中間位置
に、チョグラルスキー法直：より作成したａｙｋ冨イン
チを長さ１００−のＸ軸引上げＬｉＴａ０ｇ 単結晶
ａｔ−１そのＺ軸が電極１１１４：＠交する状態で配−
シ、シカ為る後ｇ二、上紀処理僧内空間に平均粒度ＳＯ
声翼のＬｉＴａ０１ 単結晶粉末全３０Ｉ／−の密度
で充填しに。
つぎｇ：、処堆情内の単結晶棒３を６１０〜６５０℃ｉ
二加熱保持し、−極砺η為ら引出したＰｔ−Ｒｈ９−Ｆ
線間シニ通亀して、３〜！ＯｖＺ画ｆ）電界！１度下に
処理した後、亀圧印Ｗ状態で室温まで徐冷して単−分域
化全完了した口 このよう１ｍｌ、て単一分域化した単結晶の２面１万位
切断し、エツチングｔ１：（二より随べにところ。
二加熱保持し、−極砺η為ら引出したＰｔ−Ｒｈ９−Ｆ
線間シニ通亀して、３〜！ＯｖＺ画ｆ）電界！１度下に
処理した後、亀圧印Ｗ状態で室温まで徐冷して単−分域
化全完了した口 このよう１ｍｌ、て単一分域化した単結晶の２面１万位
切断し、エツチングｔ１：（二より随べにところ。
１００僑の単一分域化か確認された０
以上説明した逸Ｉ八本発明の強誘電体の単一分域化方法
は、その′４８ｉとして１対の平板状−極管採用【７、
これらをその間−二値処理単結晶を配置するの１＝充分
な間隔をおいて断熱材η為らなる処理槽内Ｃ：配設し、
処理権内空曲に被処理単結晶と同柚の結晶粉末を密に充
填して単一分域化を達成するものであり、これ≦二よれ
は被処理単結晶感二対する瘤場の状態をより均一なもの
とすることかできるので、光学的性質、電気的性質かと
もＣ：すぐれ、フラッグ発生のない良好な強誘一体結晶
？＆めて容易Ｉ：得ることかでき、したがってその実用
的価イー＃１大きい。
は、その′４８ｉとして１対の平板状−極管採用【７、
これらをその間−二値処理単結晶を配置するの１＝充分
な間隔をおいて断熱材η為らなる処理槽内Ｃ：配設し、
処理権内空曲に被処理単結晶と同柚の結晶粉末を密に充
填して単一分域化を達成するものであり、これ≦二よれ
は被処理単結晶感二対する瘤場の状態をより均一なもの
とすることかできるので、光学的性質、電気的性質かと
もＣ：すぐれ、フラッグ発生のない良好な強誘一体結晶
？＆めて容易Ｉ：得ることかでき、したがってその実用
的価イー＃１大きい。
因ＬｆＩは本発明方法の代表的実施態様を示すもので、
−１凶は単−分域化麺櫨の線断面図、第２因−１七の横
断面一である・ １・・・処［１４１゜ ２ａ、２ｂ・・・電樵叡。 ８・・・被処理単結晶。 ４・・・単結晶粉末０ 手続補正書 昭和５８年４月 ４ 日 １、事件の表示 １ｌｌｓ ｌ：％軒−＄３２ ｔ ２１ 号２、発明の
名称 強誘鑵体の単一分域化方法 ３、ｉｄｉ、＋ｌそをする考 ・１；ｆ’ｌとの関係 特許出願人 名称 （２０６）信越化学工衰株式会社４、代 理
人 住 所 〒１０３東京都中央区日本橋本町４丁目９番地
永井ｅル〔ｗＬｎ東京（２７０ンｏｇｓｓ、０８５９）
０ 神１１・′ノ月象 １）明細書第２ページ４行における「白金を溶融するか
、」を「白金を接触させるか、Ｊと補正する。 ２）同ページ５行Ｃ：おける「白金を溶融して」を［白
金を接触してＪと補正する。 ３）明細書第２ページ下２行〜＃４３ページ１行におけ
る［同時に・・・・・・傾同にあり、ＪＹ仄のとおりに
補正する。 「電極の幅Ｉ：よっては単結晶棒の周面で電極ｆ二よっ
て被われていない部分の一部の゛（界が他の部分の電界
より鰯くなることもあり、１ ４）明細書第６ページ１１行における［・・・・・・４
！式を二１乞「・・・・・・空隙に１と補正する。 以Ｌ
−１凶は単−分域化麺櫨の線断面図、第２因−１七の横
断面一である・ １・・・処［１４１゜ ２ａ、２ｂ・・・電樵叡。 ８・・・被処理単結晶。 ４・・・単結晶粉末０ 手続補正書 昭和５８年４月 ４ 日 １、事件の表示 １ｌｌｓ ｌ：％軒−＄３２ ｔ ２１ 号２、発明の
名称 強誘鑵体の単一分域化方法 ３、ｉｄｉ、＋ｌそをする考 ・１；ｆ’ｌとの関係 特許出願人 名称 （２０６）信越化学工衰株式会社４、代 理
人 住 所 〒１０３東京都中央区日本橋本町４丁目９番地
永井ｅル〔ｗＬｎ東京（２７０ンｏｇｓｓ、０８５９）
０ 神１１・′ノ月象 １）明細書第２ページ４行における「白金を溶融するか
、」を「白金を接触させるか、Ｊと補正する。 ２）同ページ５行Ｃ：おける「白金を溶融して」を［白
金を接触してＪと補正する。 ３）明細書第２ページ下２行〜＃４３ページ１行におけ
る［同時に・・・・・・傾同にあり、ＪＹ仄のとおりに
補正する。 「電極の幅Ｉ：よっては単結晶棒の周面で電極ｆ二よっ
て被われていない部分の一部の゛（界が他の部分の電界
より鰯くなることもあり、１ ４）明細書第６ページ１１行における［・・・・・・４
！式を二１乞「・・・・・・空隙に１と補正する。 以Ｌ
Claims (1)
- １、ｌｌｒ＃ｌ＆材からなる処理僧門に、１対の電橘敬
をソノ表面か互区二平行となるようζ：間隔Ｙｒおいて
配設し、騙ｌ対の電極１ｆＲ間のはゾ中矢部に、強誘電
偽単結晶をその単結晶の２軸が該′拳株１ｈｌ：平行と
ならないよう２二配置すると共鑑二、該処理槽内１：１
ｌｊｉ単結晶と同権の彊＃１１体粉末１（＝充填し、該
電極数間に通電して単結晶に電界をかけ単分域化させる
ことｔ特徴とする強誘電体の単一分域化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212182A JPS58151399A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 強誘電体の単一分域化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212182A JPS58151399A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 強誘電体の単一分域化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58151399A true JPS58151399A (ja) | 1983-09-08 |
Family
ID=12350050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3212182A Pending JPS58151399A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 強誘電体の単一分域化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58151399A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004079061A1 (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 |
| WO2006051610A1 (ja) * | 2004-11-15 | 2006-05-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 |
| US7374612B2 (en) | 2003-09-26 | 2008-05-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of producing single-polarized lithium tantalate crystal and single-polarized lithium tantalate crystal |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57140400A (en) * | 1981-02-25 | 1982-08-30 | Toshiba Corp | Formation of single domain in single crystal of ferroelectric substance |
-
1982
- 1982-03-01 JP JP3212182A patent/JPS58151399A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57140400A (en) * | 1981-02-25 | 1982-08-30 | Toshiba Corp | Formation of single domain in single crystal of ferroelectric substance |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004079061A1 (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 |
| US7323050B2 (en) | 2003-03-06 | 2008-01-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of producing lithium tantalate crystal |
| CN100424235C (zh) * | 2003-03-06 | 2008-10-08 | 信越化学工业株式会社 | 钽酸锂晶体的制造方法 |
| US7374612B2 (en) | 2003-09-26 | 2008-05-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of producing single-polarized lithium tantalate crystal and single-polarized lithium tantalate crystal |
| WO2006051610A1 (ja) * | 2004-11-15 | 2006-05-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 |
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