JPWO2006040986A1 - 受光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は上記事情にかんがみてなされたものであり、外部の水分を吸収しにくく受光率の経時劣化の少ない受光装置を提供するものである。
基板と、
前記基板の一方の面に設けられた受光素子と、
前記基板の前記面の上部に設けられた透明カバーと、
前記基板と前記透明カバーとの間において、少なくとも前記受光素子の周囲部分に設けられ、前記受光素子を外部に対して密閉する密閉部材と、
を備え、
前記密閉部材が環状オレフィン樹脂を含む受光装置、
が提供される。
本発明の受光素子は、吸湿性の低い環状オレフィン樹脂を含む密閉部材を用いているので、受光素子部分に水分が侵入することを効果的に抑制することができる。これにより、受光率の経時劣化の少ない受光装置を提供することができる。
図1は、本実施形態に係る受光素子の概略構造を示す図である。この受光素子は、基板1と、基板1の一方の面に設けられた受光素子2と、その面の上部に設けられた透明カバー6とを備え、基板1と透明カバー6との間隙を充填するように設けられ、受光素子2を外部に対して密閉する密閉部材5とを備える。密閉部材5は環状オレフィン樹脂を含む材料により構成されている。
支持体1上の受光素子2は光電領域4及びマイクロレンズ3で構成される画素センサの二次元配列であり、これは標準的な構成を持つものであっても良い。該画素センサのサイズ、及び数量により、そのイメージセンサが実現し得る画像解像度が決まるものであり、その配列は、通常1行あるいは1列当たりに数百又は数千個の画素センサを含んでいる。
密閉部材5が環状オレフィン樹脂を含むことにより、外部湿気を吸収しにくい、受光率の劣化が少ない、製造安定性に優れるなどの効果を得ることができる。環状オレフィン樹脂は密閉部材5の全体に均一に存在してもよいし、密閉部材5の一部に局在する状態であってもよい。環状オレフィン樹脂が密閉部材5の主成分として用いられていることが好ましい。
本発明では、エポキシ基を有する環状オレフィン樹脂を密閉部材として用いることにより、こうした樹脂劣化を大幅に抑制することが可能となり、また受光素子と上記樹脂との屈折率差も適度に確保できることから集光能力を維持し続けることが可能となる。
図2は、本実施形態に係る受光素子の概略構造を示す図である。この受光素子は、基板1と、基板1の一方の面に設けられた受光素子2と、その面の上部に設けられた透明カバー6とを備える。基板1と透明カバー6との間には、環状オレフィン樹脂を含む材料により構成される密閉部材5が設けられている。密閉部材5は、受光素子2から離隔した位置において受光素子2を取り囲むように設けられ、基板1と透明カバー6とを接合するとともに、その内側に中空部分を形成している。密閉部材5は環状オレフィン樹脂を含む材料により構成されている。
密閉部材5は透明カバー6と受光素子2の間の中空構造を形成するためのスペーサー(ダム)として機能している。密閉部材5と透明カバー6は図3に示すように接着剤7を介して接合されていてもよい。密閉部材5はエポキシ基を有する環状オレフィン樹脂で構成され、より好ましくはエポキシ基を有する感光性環状オレフィン樹脂で構成される。感光性を付与することで、作業性が向上し、かつ高位置精度、サイズ高さの均一性に優れるという利点を有する。また、密閉部材5がエポキシ基を有する環状オレフィン樹脂を含むことにより、外部湿気を吸収しにくくなるため、透明カバー6が曇りにくいなどの効果を得ることができる。
マイクロレンズ3が設けられた半導体基板上にエポキシ基を有する感光性環状オレフィン樹脂組成物をスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて加熱、乾燥し、塗膜を得る。この塗膜にダムを形成する部分に露光を行い、その後ホットプレートにて50℃〜180℃にて数分間架橋反応を促進させるため加熱する。次に現像液に30秒程度浸漬することによって未露光部を溶解除去する。
更にこの塗膜上に透明カバーを乗せ、全体を50℃から250℃に加熱させて接合させる。または、この塗膜を50℃から250℃に加熱したあと、この塗膜上に接着剤を塗布し、透明カバーを乗せ、接合させる。その結果、受光素子領域を囲むようにダムが成形され、マイクロレンズ3上に残渣のない受光装置が作製される。
図3および図4は、本実施形態に係る受光素子の概略構造を示す図である。図4は本発明の中空構造を持つ図3に示す受光装置の一つであるウェハーレベルCSP(Chip Size Package)構造のCMOSイメージセンサの断面図を示したものである。
上記のうち、(1)ノルボルネン型モノマーを付加(共)重合させて得られる付加(共)重合体が好ましいが、本発明はなんらこれに限定されるものではない。
一般的にはラジカル重合はラジカル開始剤の存在下、温度を50℃〜150℃に上げ、モノマーを溶液中で反応させる。ラジカル開始剤としてはアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウリル、アゾビスイソカプトロニトリル、アゾビスイソレロニトリル、t−ブチル過酸化水素などである。
アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル基等が、アルケニル基の具体例としては、ビニル、アリル、ブチニル、シクロヘキシル基等が、アルキニル基の具体例としては、エチニル、1−プロピニル、2−プロピニル、1−ブチニル、2−ブチニル基等が、アリール基の具体例としては、フェニル、ナフチル、アントラセニル基等が、アラルキル基の具体例としてはベンジル、フェネチル基等がそれぞれ挙げられるが、本発明は何らこれらに限定されない。
[式(7)中、XはO、CH2、(CH2)2のいずれかであり、nは0〜5までの整数である。R1〜R4は、それぞれ、水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アリール基、アラルキル基、エステル基を含有する一価の官能基、ケトン基を含有する一価の官能基、エーテル基を含有する一価の官能基およびエポキシ基を含有する一価の官能基から選択されるいずれかの基である。R1〜R4は、同一のものであっても異なっていてもよい。式(7)においては、全繰り返し単位のR1〜R4のうち少なくとも一つ以上はエポキシ基を含有する官能基である。]
[式(8)中、XはO、CH2、(CH2)2のいずれかであり、nは0〜5までの整数、mは10〜10,000までの整数である。R1〜R4は、それぞれ、水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アリール基、アラルキル基、エステル基を含有する一価の官能基、ケトン基を含有する一価の官能基、エーテル基を含有する一価の官能基およびエポキシ基を含有する一価の官能基から選択されるいずれかの基である。R1〜R4は、同一のものであっても異なっていてもよい。式(8)においては、全繰り返し単位のR1〜R4のうち少なくとも一つ以上はエポキシ基を含有する官能基である。]
[式(9)中、m、nは1以上の整数である。R1〜R7は、それぞれ、水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アリール基、アラルキル基、エステル基を含有する一価の官能基、ケトン基を含有する一価の官能基、エーテル基を含有する一価の官能基およびエポキシ基を含有する一価の官能基から選択されるいずれかの基である。R1〜R7は、同一のものであっても異なっていてもよい。]
[式(10)中、l、m、nは1以上の整数、pは0〜5の整数である。R1〜R10は、それぞれ、水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アリール基、アラルキル基、エステル基を含有する一価の官能基、ケトン基を含有する一価の官能基、エーテル基を含有する一価の官能基およびエポキシ基を含有する一価の官能基から選択されるいずれかの基である。R1〜R10は、同一のものであっても異なっていてもよい。]
本発明における光酸発生剤の配合割合としては、ポリマー100重量部に対して0.1から100重量部であり、より好ましくは0.1から10重量部である。
次に本発明の半導体装置の作成方法について述べる。まず環状オレフィン樹脂組成物を適当な支持体、例えば、シリコンウェハー、セラミック、アルミ基板等に塗布する。塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等がある。次に、90〜140℃でプリベークして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射する。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、200〜700nmの波長のものが好ましい。
(実施例)
《実施例1》
○環状オレフィン樹脂組成物の作製
5−デシル−2−ノルボルネン(以下、「デシルノルボルネン」と称す)/5−[(2,3−エポキシプロポキシ)メチル]−2−ノルボルネン(以下、「グリシジルメチルエーテルノルボルネン」と称す)=70/30コポリマーの共重合体(A−1)の例を挙げる。
すべてのガラス機器は60℃で0.1Torr下で18時間乾燥した。その後ガラス機器はグローボックスに移され、グローボックスに備え付けられた。エチルアセテート(917g)、シクロヘキサン(917g)、デシルノルボルネン(192g、0.82mol)とグリシジルメチルエーテルノルボルネン(62g、0.35mol)が反応フラスコに加えられた。反応フラスコはグローボックスから取り出し、乾燥窒素ガスを導入した。反応中間体は30分間溶液中に窒素ガスを通して脱気した。グローボックス中でニッケル触媒すなわちビストルエンビスパーフルオロフェニルニッケル9.36g(19.5mmol)がトルエン15mlに溶解して、25mlのシリンジに入れ、グローボックスから取り出し、反応フラスコに加えられた。20℃にて5時間攪拌して反応を終了した。次に過酢酸溶液(975mmol)を加え18時間攪拌した。攪拌を止めると水層と溶媒層に分離した。水層を分離した後、1lの蒸留水を加え、20分間攪拌した。水層が分離するので取り除いた。1lの蒸留水で3回洗浄を行った。その後ポリマーをメタノールに投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥した。乾燥後243g(収率96%)のポリマーを回収した。得られたポリマーの分子量はGPCによりMw=115,366 Mn=47,000、Mw/Mn=2.45であった。ポリマー組成はH−NMRからデシルノルボルネンが70モル%、エポキシノルボルネンが30モル%であった。
平均粒径が約12nmの超微粒子シリカ粉末(3.0g)及びビスフェノールFとエピクロルヒドリンとの反応により得られるジグリシジルエーテル(エポキシ当量180、常温で液状)(91.0g)とビスフェノールF(5.0g)、ジシアンジアミド(1.0g)を配合し、三本ロールで混練して絶縁樹脂ペーストを得た。この絶縁樹脂ペーストを真空チャンバーにて2mmHg、30分間脱泡し接着剤を得た。
受光領域の各々に対応してマイクロレンズが配置された受光素子が形成され、マイクロレンズ領域以外の領域に表面電極が形成された半導体基板上に作製した上記の環状オレフィン樹脂組成物をスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて110℃で5分乾燥し、膜厚約40μmの塗膜を得た。この塗膜にブロードバンドステッパー露光機(ウルトラテック(株)製)によりレチクルを通して1500mJ/cm2でダムを形成する部分の露光を行った。その後ホットプレートにて90℃で4分、露光部の架橋反応を促進させるため加熱した。
次に形成されたダムの上に上記の接着剤をスクリーン印刷により塗布した後、ガラス基板をダムの上に乗せ、100℃、60分で硬化し、ダムとガラス基板を接着した。
次に、シェルケース方式CSPで使用される電気リードの形成方法を用いて配線を形成し、受光素子単位に切断して、受光装置を得た。得られた受光装置は、受光装置としての動作に支障のないことが確認された。
実施例1のデシルノルボルネン(192g、0.82mol)とグリシジルメチルエーテルノルボルネン(62g、0.35mol)の代わりに、デシルノルボルネン(129g、0.55mol)とグリシジルメチルエーテルノルボルネン(177g、0.30mol)、フェネチルノルボルネン(29.7g、0.15mol)を用いた以外は、実施例1と同様にしてデシルノルボルネン/グリシジルメチルエーテルノルボルネン/フェネチルノルボルネン=55/30/15のターポリマー(A−2)を得た。重合、再沈殿を行い、乾燥後309g(収率92%)のポリマーを回収した。得られたポリマーの分子量はGPCによりMw=68000、Mn=30000、Mw/Mn=2.3であった。ポリマー組成はH−NMRからデシルノルボルネンが54モル%、エポキシノルボルネンが31モル%、フェネチルノルボルネンが15モル%であった。
実施例1と同様の工程を行い、受光装置を得た。得られた受光装置は、受光装置としての動作に支障のないことが確認された。
《実施例3》
実施例と同様の合成、調合を行い、環状オレフィン樹脂組成物を得た。
○受光装置の作製
受光領域の各々に対応してマイクロレンズが配置された受光素子が形成され、マイクロレンズ領域以外の領域に表面電極が形成された半導体基板上に作製した上記の環状オレフィン樹脂組成物をスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて110℃で5分乾燥し、膜厚約40μmの塗膜を得た。この塗膜にブロードバンドステッパー露光機(ウルトラテック(株)製)によりレチクルを通して1500mJ/cm2でダムを形成する部分の露光を行った。その後ホットプレートにて90℃で4分、露光部の架橋反応を促進させるため加熱した。
《実施例4》
実施例と同様の合成、調合を行い、環状オレフィン樹脂組成物を得た。
○受光装置の作製
受光領域の各々に対応してマイクロレンズが配置された受光素子が形成され、マイクロレンズ領域以外の領域に表面電極が形成された半導体基板上に作製した上記の環状オレフィン樹脂組成物をスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて110℃で5分乾燥し、膜厚約10μmの塗膜を得た。
次に塗膜の上にガラス基板を乗せ、80kPaの圧力をかけながら160℃、30分で硬化し、半導体基板とガラス基板を接着した。この硬化膜の吸水率は0.2%であった。
次に、シェルケース方式CSPで使用される電気リードの形成方法を用いて配線を形成し、受光素子単位に切断して、受光装置を得た。得られた受光装置は、受光装置としての動作に支障のないことが確認された。
[1]少なくとも1つの受光素子を含む半導体基板と、該半導体基板上に設けられた受光素子を囲むダムと、該ダム上に設けられた接着剤層と、該接着剤層の上に設けられた透明なカバーから構成される受光装置においてダムがエポキシ基を有する環状オレフィン樹脂と光酸発生剤とを含む樹脂組成物よりなることを特徴とする受光装置。
[2]環状オレフィン樹脂がポリノルボルネン樹脂である[1]記載の受光装置。
[3]エポキシ基を有する環状オレフィン樹脂が式(1)で示される繰り返し単位を含むものである[1]又は[2]記載の受光装置。
[式(1)中、XはO、CH2、(CH2)2のいずれかであり、nは0〜5までの整数である。R1〜R4はそれぞれ水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アリール基、アラルキル基、又はエステル基を含有する官能基、ケトン基を含有する官能基、エーテル基を含有する官能基、エポキシ基を含有する官能基のうちいずれであってもよい。R1〜R4は単量体の繰り返しの中で異なっていてもよいが、全繰り返し単位のR1〜R4のうち、少なくとも一つ以上はエポキシ基を有する官能基である。]
[4]エポキシ基を有する環状オレフィン樹脂が式(2)及び式(3)で示される繰り返し単位を含むものである[1]〜[3]のいずれかに記載の受光装置。
[式(2)(3)中、R1〜R7はそれぞれ水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アリール基、アラルキル基、又はエステル基を含有する官能基、ケトン基を含有する官能基、エーテル基を含有する官能基のうちいずれであってもよい。R1〜R7は単量体の繰り返しの中で異なっていてもよい。]
[5]エポキシ基を有する環状オレフィン樹脂が式(4)、(5)及び(6)で示される繰り返し単位を含むものである[1]〜[4]のいずれかに記載の受光装置。
[式(4)(5)(6)中、nは0〜5の整数である。R1〜R10はそれぞれ水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アリール基、アラルキル基、又はエステル基を含有する官能基、ケトン基を含有する官能基、エーテル基を含有する官能基のうちいずれであってもよい。R1〜R10は単量体の繰り返しの中で異なっていてもよい。]
[6] [1]記載の半導体基板はシリコンであり、該受光素子はマイクロレンズが配置されたCMOSイメージ装置を含むものである[1]〜[5]のいずれかに記載の受光装置。
[7]該ダムの高さがマイクロレンズの高さより高いことものである[1]〜[6]のいずれかに記載の受光装置。
[8]前記接着剤層を構成する接着剤が、シリカフィラー(A)、常温で液状のエポキシ樹脂(B)及び硬化剤(C)で構成されるものである[1]〜[7]のいずれかに記載の受光装置。
[9]前記接着剤中にシリカフィラー(A)が1〜10重量%含まれるものである[8]記載の受光装置。
[10]前記接着剤中のシリカフィラー(A)の平均粒径が2〜500nmである[8]または[9]記載の受光装置。
Claims (13)
- 基板と、
前記基板の一方の面に設けられた受光素子と、
前記基板の前記面の上部に設けられた透明カバーと、
前記基板と前記透明カバーとの間において、少なくとも前記受光素子の周囲部分に設けられ、前記受光素子を外部に対して密閉する密閉部材と、
を備え、
前記密閉部材が環状オレフィン樹脂を含む、受光装置。 - 前記密閉部材が、前記受光素子から離隔した位置において前記受光素子を取り囲むように設けられている、請求の範囲第1項に記載の受光装置。
- 前記密閉部材が、前記基板と前記透明カバーとの間隙を充填するように設けられている、請求の範囲第1項に記載の受光装置。
- 前記密閉部材がエポキシ基を有する環状オレフィン樹脂の架橋物である請求の範囲第1項に記載の受光装置。
- 前記環状オレフィン樹脂がノルボルネン樹脂である請求の範囲第1項に記載の受光装置。
- 前記エポキシ基を有する環状オレフィン樹脂が、式(1)で示される繰り返し単位を含むものである請求の範囲第4項に記載の受光装置。
[式(1)中、XはO、CH2、(CH2)2のいずれかであり、nは0〜5までの整数である。R1〜R4は、それぞれ、水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アリール基、アラルキル基、エステル基を含有する一価の官能基、ケトン基を含有する一価の官能基、エーテル基を含有する一価の官能基およびエポキシ基を含有する一価の官能基から選択されるいずれかの基である。R1〜R4は、同一のものであっても異なっていてもよい。式(1)における全繰り返し単位のR1〜R4のうち少なくとも一つ以上はエポキシ基を含有する官能基である。] - 前記密閉部材の厚みが、前記受光素子の基板からの突起高さよりも厚いものである請求の範囲第1項に記載の受光装置。
- 前記密閉部材と前記透明カバーとが、接着剤層を介して接合されている請求の範囲第1項に記載の受光装置。
- 前記接着剤層が、シリカフィラー、常温で液状のエポキシ樹脂、及び硬化剤を含む接着剤を硬化させたものである請求の範囲第10項に記載の受光装置。
- 前記接着剤は、前記シリカフィラーを1重量%以上10重量%以下含むものである請求の範囲第11項に記載の受光装置。
- 前記シリカフィラーの平均粒径が2〜500nmである請求の範囲第11項に記載の受光装置。
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