JP2004277726A - 樹脂組成物および樹脂組成物の製造方法 - Google Patents

樹脂組成物および樹脂組成物の製造方法 Download PDF

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謙介 中村
Mitsuo Takeya
光男 武谷
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Abstract

【課題】 確実にナノフィラーを低誘電率樹脂中に分散させる樹脂組成物の製造方法および電気特性、機械特性に優れる樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 溶媒可溶性環状オレフィン系樹脂(A)、800nm以下の平均粒径を有する無機フィラー(B)、及び該環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)を含んでなる樹脂組成物において、予め無機フィラー(B)を溶媒(C)を含む溶媒中で分散させて樹脂組成物を得る。前記無機フィラー(B)が、シリカフィラーである樹脂組成物。

Description

本発明は、樹脂組成物および樹脂組成物の製造方法に関するものである。
近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできている。電子機器の高速伝送化のための課題は、電気信号の劣化である。電気信号の劣化は、導体損失と誘電体損失の和である。特に、層間絶縁材料に起因する誘電体損失は、電気信号周波数の増大に伴い、顕著に増加し、GHz帯においは、電気信号劣化の主要因となる。そのため、多層配線板などの電子デバイスに、従来使用されてきたエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂では、誘電率、誘電正接の電気特性に問題があり、高速伝送化に対応することが困難である。
多層配線板に用いる層間絶縁材料は、銅箔や搭載するシリコンチップとの熱膨張係数の差に起因する反りや応力を低減するために、熱膨張係数が低いことが好ましい。高密度実装化のためには、多層配線板の電気信号回路の線幅/線間を微細化する必要があり、線幅/線間が5μm/5μm程度になると、インピーダンス整合の観点より、層間絶縁材料の膜厚は、数μm程度にする必要がある。そのため、従来用いられていたガラスクロスやアラミド不織布に樹脂を含浸させる方法や、サブミクロンから数ミクロン程度のシリカフィラーを配合するといった手法では、この薄膜、且つ、低熱膨張係数に対応することができない。
一方、環状シクロオレフィンポリマーであるポリノルボルネンは、ガラス転移温度が300℃前後の高耐熱性樹脂であり、しかも、GHz帯での誘電率が2.2〜2.8、誘電正接が0.001〜0.006と優れた電気特性を示し、高速伝送化に対応可能な有力樹脂である。しかしながら、ポリノルボルネンは、従来のエポキシ樹脂等と比較して、熱膨張係数が高いといった欠点(側鎖官能基の種類にも依存するが70〜140ppm程度)を有する。
一般に、平均粒子径が1μmより小さいナノフィラーを、樹脂中にナノ分散させることは、非常に困難であり、特に、極性の高いシリカフィラーを、極性が低い低誘電率樹脂中に、ナノサイズレベルで分散させることは極めて困難である。
NiCOLE R. GROVE et al. Journal of Polymer Science:part B,Polymer Physics, Vol.37, 3003−3010(1999)
本発明は、半導体チップを搭載する多層配線板用の層間絶縁材料などにおける、このような現状の問題点に鑑み、成されたものであって、電気特性、機械特性に優れる、特に低誘電率および低熱膨張係数を両立できる樹脂組成物を提供することを目的とする。
すなわち本発明は、
1. 環状オレフィン系樹脂(A)、800nm以下の平均粒径を有する無機フィラー(B)、及び該環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)を含んでなる樹脂組成物において、予め、前記無機フィラー(B)を、前記樹脂組成物に含む環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)を含む溶媒中で分散させて得られることを特徴とする樹脂組成物、
2. 前記オレフィン系樹脂は、付加型のポリノルボルネンである第1項に記載の樹脂組成物、
3. 前記付加型のポリノルボルネンは下記一般式(1)で表される構造を有するものである、第2項に記載の樹脂組成物、
Figure 2004277726
(式(1)中のXは、−О−、−CH2−または−CH2CH2−を示し、R1、R2、R3、およびR4はそれぞれ水素、あるいは、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシシリル基、エステル基、エーテル基および(メタ)アクリル基、エポキシ基から選ばれる基を示し、mは10〜10000の整数、nは0〜5までの整数である。)
4. 前記付加型のポリノルボルネンは、下記一般式(2)で表されるものである第3項に記載の樹脂組成物、
Figure 2004277726
(式(1)中、mおよびnは10〜10,000の整数である。また、R1〜R2は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数が1〜12のアルキル基、フェニル基、t−ブチルエステル基、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、メタクリロキシメチル基、およびグリシジルエーテル基のいずれかを示す。)
5. 前記無機フィラー(B)の粒径は、100nm以下である第1項〜第4項のいずれかに記載の樹脂組成物、
6. 前記無機フィラー(B)が、シリカフィラーである第1項〜第5項のいずれかに記載の樹脂組成物、
7. 前記シリカフィラーが、シランカップリング剤で表面処理されたものである第6項に記載の樹脂組成物、
8. 前記無機フィラー(B)を分散させる溶媒は、前記溶媒(C)と同じものである第1項〜第7項のいずれかに記載の樹脂組成物、
9. 前記環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)は、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒およびエーテル系溶媒の中から選ばれるものである第1項〜第8項のいずれかに記載の樹脂組成物、
10. 前記溶媒(C)が、1,3,5−トリメチルベンゼンである第9項に記載の樹脂組成物、
11. 環状オレフィン系樹脂(A)、800nm以下の平均粒径を有する無機フィラー(B)、及び該環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)を含んでなる樹脂組成物を製造する方法において、予め、前記無機フィラー(B)を、前記樹脂組成物に含む環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)を含む溶媒中で分散させることを特徴とする樹脂組成物の製造方法、
12. 前記無機フィラー(B)は、前記無機フィラー(B)と前記溶媒(C)を含む溶液中に5〜60重量%含むものである第11項に記載の樹脂組成物の製造方法、
13. 前記無機フィラーの分散において、シランカップリング剤を加える第11項または第12項に記載の樹脂組成物の製造方法、
を提供するものである。
本発明によれば、ナノサイズの無機フィラーを低誘電率樹脂中に、均一に分散させた樹脂組成物が得られ、しかも、電気特性、機械特性に優れる樹脂組成物を提供することができる。
本発明は、環状オレフィン系樹脂(A)、800nm以下の平均粒径を有する無機フィラー(B)、及び該環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)を含んでなる樹脂組成物であって、予め、前記無機フィラー(B)を、前記樹脂組成物に含む環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)を含む溶媒中で分散させることにより、ナノサイズの無機フィラーを、電気特性に優れる樹脂を含む樹脂組成物中で、凝集させることなく、均一に、分散させて樹脂組成物を得ることにより、電気特性、および機械特性に優れ、特に低誘電率および低熱膨張係数を両立できる樹脂組成物を提供するものである。
本発明に用いる環状オレフィン系樹脂(A)は、溶剤可溶性のものである。これらの環状オレフィン樹脂は、特開平3−14882号や特開平3−122137号、特開平4−63807号などで公知の樹脂を用いることができ、具体的には、ノルボルネン系単量体の開環重合体、その水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン単量体とオレフィンの付加重合体、これらの重合体の変性物などが挙げられる。環状オレフィン系樹脂は、周波数がGHz帯において、優れた誘電率、誘電正接を示すものであり、また、特に、付加型のポリノルボルネンは耐熱性にも優れるものであり、中でも、前記一般式(1)で表される構造を有する付加型のポリノルボルネンの化学構造における主鎖骨格は、ガラス転移温度が300℃前後の耐熱性を有し好適である。
前記一般式(1)で表される構造を有する付加型のポリノルボルネンとしては、一般式(1)における置換基Xとして、−О−,−CH2−または−CH2CH2−を示し、また、一般式(1)における置換基R1、R2、R3およびR4として、それぞれ水素、あるいは、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシシリル基、エステル基、エーテル基および(メタ)アクリル基、エポキシ基から選ばれるのいずれかを任意の割合で導入したものを用いることができ、これらの基は置換基を有していても良い。
前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基およびイソブチル基などの側鎖を有していても良い(C1−C20)アルキル基、前記シクロアルキル基としては、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基およびメチルシクロヘキシル基などの(C3−C15)シクロアルキル基、前記アルケニル基としては、例えば、(C3−C10)アルケニル基、前記アルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロペニル基、ヘキセイニル基、オクテニル基およびヘプテニル基などの(C2−C20)アルキニル基、前記アルキリデニル基としては、例えば、(C1−C6)アルキリデニル基、前記アリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ベンジル基およびフェニルエチニル基などの(C6−C40)アリール基、前記アラルキル基としては、例えば、(C7−C15)アラルキル基、前記アルコキシシリル基としては、例えば、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、トリエトキシシリル基およびトリエトキシシリルエチル基などのアルコキシシリル基、前記エステル基としては、例えば、メチルエステル基、エチルエステル基、n−ブチルエステル基、t−ブチルエステル基およびn−プロピルエステル基などのエステル基、前記(メタ)アクリル基としては、例えば、メタクリロキシメチル基などの(メタ)アクリル基、前記エポキシ基としては、例えば、グリシジルエーテル基などのエポキシ基が挙げられる。
前記一般式(1)で表される構造を有する付加型のポリノルボルネンにおいて、前記一般式(2)で表される付加型のポリノルボルネンは、一般式(2)における置換基R1、およびR2として、それぞれ独立して、水素原子、炭素数が1〜12のアルキル基、フェニル基、t−ブチルエステル基、トリメトシキシラン基、トリエトキシシラン基、メタクリロキシメチル基、およびグリシジルエーテル基のいずれかを、任意の割合で導入したものを用いることができ、層間絶縁膜材料における特性をより好ましいものとすることができる。例えば、これらの内、アルキル基を導入した場合、ポリノルボルネン樹脂フィルムとして可とう性に優れる。また、トリメトキシシラン基、またはトリエトキシシランを導入した場合、銅などの金属との密着性が向上する。トリエトキシシラン基、トリメトキシシラン基の割合が多い場合、ポリノルボルネンの誘電正接が大きくなる恐れがあるため、トリエトキシシラン基、および/またはトリメトキシシラン基を有するノルボルネンは、一般式(1)で表されるノルボルネン1分子において、20mol%以下にすることが好ましい。さらに好ましくは10mol%以下である。特に、一般式(1)において、n−ブチルノルボルネン90mol%とトリエトシキシランノルボルネン10mol%からなるポリノルボルネン、未置換(置換基が水素原子)ノルボルネン90mol%とトリエトシシランノルボルネン10mol%からなるポリノルボルネン、および未置換ノルボルネン75mol%とn−ヘキシルノルボルネン25mol%からなるポリノルボルネンが好ましい。
本発明に用いる無機フィラー(B)は、800nm以下の平均粒径を有するものであり、これらの無機フィラーとしては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカおよびガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカおよび溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウムおよびハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムおよび水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウムおよび亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウムおよびホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素および窒化ケイ素等の窒化物等を挙げることができる。誘電率の観点よりシリカフィラーがより好ましい。シリカフィラーとしては、ゾル−ゲル法により合成されたシリカフィラー、気相法により合成されたシリカフィラー、溶融シリカフィラー、結晶シリカフィラーなどがある。特に、気相法により合成されたシリカフィラー、ゾル−ゲル法により合成されたシリカフィラーが好ましい。
本発明において無機フィラーの平均粒子径は800nmのものであるが、好ましくは600nm以下、より好ましくは100nm以下、さらに好ましくは50nm以下である。平均粒径が、800nmより大きい場合、数10μm程度の薄膜の層間絶縁材料を平滑に製膜できず、平均粒子径が100nmより大きい場合、数μm程度の薄膜の層間絶縁材料を平滑に製膜できない恐れがある。また、無機フィラーの平均粒子径の下限値は1nmであることが好ましい。本発明において、これらの無機フィラーを配合することにより、熱膨張係数を低減することができる。
本発明において、無機フィラー(B)の添加量としては、前記環状オレフィン系樹脂(A)100重量部に対し、5重量部以上、200重量部以下が好ましい。前記無機フィラーの添加量として好ましくは、5重量部以上、150重量部以下あり、より好ましくは、5重量部以上、60重量部以下である。前記下限値より添加量が少ない場合、十分に低下した熱膨張率が得られない恐れがある。また、上限値より多く添加すると誘電率の増加やフィルム特性が低下する恐れがある。
本発明に用いる溶媒(C)としては、環状オレフィン系樹脂を溶解することが可能であればよく、例えば、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、エチルアセテートやエステル系、ラクトン系、アミド系溶媒などが挙げられ、中でも、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒およびエーテル系溶媒が好ましい。前記炭化水素溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、やシクロヘキサンなどが挙げられ、前記芳香族溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンやメシチレンなどが挙げられ、前記ケトン系溶媒としては、例えば、メチルエチルケトンやシクロヘキサノンなどが挙げられ、前記エーテル系溶媒としては、例えば、ジエチルエーテルやテトラヒドロフランなどが挙げられる。これら溶剤を単独や混合しても溶媒として使用できる。これらの内、特に好ましくは、1,3,5−トリメチルベンゼンである。
本発明に用いるシランカップリング剤としては、1分子中にアルコキシシリル基と、アルキル基、エポキシ基、ビニル基、フェニル基等の有機官能基を有するシラン化合物全般が挙げられ、例えば、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ブチルトリエトキシシランなどのアルキル基を有するシラン、フェニルトリエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、フェネチルトリエトキシシランなどのフェニル基を有するシラン、ブテニルトリエトキシシラン、プロペニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等のビニル基を有するシラン、γ−(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン等のメタクリル基を有するシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン等のアミノ基を有するシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシ基を有するシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト基を有するシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。又、これらは単独でも混合して用いても良い。
本発明において、無機フィラー(B)は、予め、本発明の樹脂組成物に含まれる環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)を含む溶媒中で、または、溶媒(C)と無機フィラーを分散させる溶媒とが同一の溶媒中で、分散して用いられる。溶媒中に無機フィラーを分散させる方法としては、混合機中に、溶媒と、無機フィラーとを加え、更に好ましくはシランカップリング剤を加えて、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの分散方式を用いて、分散させる方法が挙げられる。
また、無機フィラーの分散において、無機フィラーの溶媒中の割合としては、無機フィラー溶液の全重量の5〜60重量%が好ましい。5重量%を下回ると、無機フィラー溶液の粘度が低く、無機フィラーが沈降し易くなる恐れがあり、60重量%を上回ると、無機フィラー溶液の粘度が高くなり、取り扱いが困難になる恐れがある。
シランカップリング剤の添加量としては、無機フィラー100重量部に対し0.01〜30重量部が好ましく、より好ましくは0.01〜10重量部、さらに好ましくは0.01〜5.0重量%が好ましい。
本発明において、無機フィラーを、予め、溶媒中に分散させることにより、無機フィラーを、樹脂中に、完全に分散させることが可能となり、絶縁樹脂組成物の熱膨張率の低減、絶縁樹脂組成物の機械強度の向上、絶縁樹脂組成物フィルムの均質化を図ることができる。
本発明の樹脂組成物には、目的に応じて、上記成分以外に、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、相溶化剤、レベリング剤、消泡剤、界面活性剤、有機フィラー、光および/または熱硬化剤、紫外線吸収剤、光安定剤、酸化防止剤などの添加剤を添加することができる。これら添加剤は、単独あるいは2種以上を混合して用いることができる。前記添加剤の添加量としては、特に、制限はないが、環状オレフィン樹脂100重量部に対し、各0.01重量部〜200重量部が好ましく、より好ましくは、0.01〜100重量部、さらに好ましくは、0.01〜50重量部である。
特に、光および/または熱硬化剤を添加することにより、光の照射および/または加熱により環状オレフィン系樹脂側鎖のエポキシ基や二重結合部位の官能基を容易に反応させ架橋することができ、耐熱性が向上する。
本発明の樹脂組成物の製造方法としては、上記で予め、無機フィラー(B)を溶媒中で分散させた無機フィラー溶液と、環状オレフィン樹脂(A)とを、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて混合して得る方法が挙げられる。このとき、樹脂組成物の特性を損ねない範囲で、無機フィラー溶液に用いた溶媒以外の環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)を、樹脂組成物に加えても良い。
本発明の樹脂組成物は、プリント配線板、多層配線板、半導体装置、液晶表示装置などの用途に好適であるが、例えば、多層配線板に用いる場合は、本発明の樹脂組成物を、配線板上へ塗布して、塗膜を形成し、加熱硬化させて、絶縁層を形成し、層間絶縁材料として用いられる。前記塗布方法としては、アプリケータ、バーコータ、ナイフコータ、グラビアコータ、ダイコータ、カーテンコータ、印刷機、真空印刷機、ディスペンサーなどを用いることができる。樹脂組成物の加熱硬化温度としては、150℃以上300℃以下が好ましく、さらに好ましくは、170℃以上250℃以下である。
以下、実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。
(実施例1)
[樹脂組成物1の作製]
US特許5,468,819号に記載されている公知の公知の方法によって得られたn−ブチルノルボルネン90mol%とトリエトシキシランノルボルネン10mol%からなるポリノルボルネン18gを1,3,5−トリメチルベンゼン72gに溶解した環状オレフィン系樹脂溶液(プロメラス社製、商品名アバトレル)と、予め、気相法により合成されたシリカフィラー2g(平均粒径20〜30nm、シーアイ化成(株)社製)と、1,3,5−トリメチルベンゼン18gとを、高速せん断分散方式の混合機((株)奈良機械製作所社製、マイクロスMICROS−0型)により混合分散したシリカフィラー溶液とを、前記と同じ混合機で混合し樹脂組成物1を得た。
[樹脂組成物フィルムの作製および評価]
厚み70μmの銅箔(三井金属(株)社製、商品名:3EC−VLP)上に、上記で得た樹脂組成物1を、アプリケータを用いて、塗布し、乾燥機中で、80℃/10分間、140℃/10分間の条件で、乾燥後、窒素乾燥機中で、220℃/1時間熱処理し、樹脂層の厚みが7μmの、銅箔付き樹脂組成物1層を得た。得られた銅箔付き樹脂組成物1層における樹脂層の断面について、走査電子顕微鏡(SEM)により、観察を行い、シリカフィラーの分散性を評価した。シリカフィラーの1μm以上の凝集物が観察された場合×、前記凝集物が観察されない場合○とした。また、銅箔付き樹脂組成物1層のフィルム表面外観を目視観察し、表面均質な場合を○、一部フィラー凝集物がある場合を×とし、それぞれを、表1に示した。
さらに、銅箔付樹脂組成物1層の70μm厚の銅箔をエッチング除去し、樹脂組成物フィルム1を得た。得られたフィルムの10GHzでの誘電率、誘電正接を測定した。測定は、円筒空洞共振機を用いた摂動法で行った。測定装置は、マイクロ波ネットワークアナライザ HP8510B(アジレント・テクノロジー社製)を用いた。結果を表1に示す。また、樹脂組成物フィルム1の熱膨張係数(CTE)を評価した。熱膨張係数は、熱応力歪測定装置(TMA/SS120C:セイコー電子工業(株)社製)を用い、昇温速度10℃/分、荷重3gの条件で測定し、−65℃〜150℃の平均熱膨張係数を求めた。結果を表1に示す。
(実施例2)
[樹脂組成物2の作製]
実施例1において、シリカフィラー溶液作製および環状オレフィン系樹脂溶液とシリカフィラー溶液の混合に用いた、高速せん断分散方式の混合機((株)奈良機械製作所社製、マイクロスMICROS−0型)に替えて自転公転式分散方式の真空遊星運動攪拌機(泡取完太郎、(株)EME社製)を用いた以外は、実施例1と同様な方法で樹脂組成物2を得た。
[樹脂組成物2フィルムの作製および評価]
実施例1において、樹脂組成物1に替えて、上記で得た樹脂組成物2を用いた以外は、実施例1と同様な操作で銅箔付き樹脂組成物2層および樹脂組成物フィルム2を得た。評価結果を表1に示す。
(実施例3)
[樹脂組成物3の作製]
実施例1において、n−ブチルノルボルネン90mol%とトリエトシキシランノルボルネン10mol%からなる付加重合型の環状オレフィン系樹脂18gに替えて、n−ヘキシルノルボルネン25mol%とノルボルネン75mol%からなる付加重合型の環状オレフィン系樹脂18gを用いた以外は、実施例1と同様な方法で樹脂組成物3を得た。
[樹脂組成物3フィルムの作製および評価]
実施例1において、樹脂組成物1に替えて、上記で得た樹脂組成物3を用いた以外は、実施例1と同様な操作で銅箔付き樹脂組成物3層および樹脂組成物フィルム3を得た。評価結果を表1に示す。
(実施例4)
[樹脂組成物4の作製]
実施例1において、n−ブチルノルボルネン90mol%とトリエトシキシランノルボルネン10mol%からなる付加重合型の環状オレフィン系樹脂18gに替えて、n−デシルノルボルネン70mol%とメチルグリシジルエーテルノルボルネン30mol%からなる付加重合型の環状オレフィン系樹脂18gを用い、さらに、光開始剤(ローディアジャパン(株)社製、商品名Rhodosil Photoinitiator2074)0.36g添加した以外は、実施例1と同様な方法で樹脂組成物4を得た。
[樹脂組成物4フィルムの作製および評価]
実施例1において、樹脂組成物1に替えて、上記で得た樹脂組成物4を用いた以外は、実施例1と同様な操作で銅箔付き樹脂組成物4層および樹脂組成物フィルム4を得た。評価結果を表1に示す。
(実施例5)
[樹脂組成物5の作製]
実施例1において、n−ブチルノルボルネン90mol%とトリエトシキシランノルボルネン10mol%からなる付加重合型の環状オレフィン系樹脂18gに替えて、n−デシルノルボルネン70mol%とメチルグリシジルエーテルノルボルネン30mol%からなる付加重合型の環状オレフィン系樹脂18gを用い、シリカフィラー2g(平均粒径20〜30nm、シーアイ化成(株)社製)に替えて、平均粒径500〜600nmのシリカフィラー((株)アドマテックス社製、商品名SE2050)2gを用い、さらに、光開始剤(ローディアジャパン(株)社製、商品名Rhodosil Photoinitiator2074)0.36g添加した以外は、実施例1と同様な方法で樹脂組成物5を得た。
[樹脂組成物5フィルムの作製および評価]
実施例1において、樹脂組成物1に替えて、上記で得た樹脂組成物5を用いた以外は、実施例1と同様な操作で銅箔付き樹脂組成物5層および樹脂組成物フィルム5を得た。評価結果を表1に示す。
(実施例6)
[樹脂組成物6の作製]
実施例1において、n−ブチルノルボルネン90mol%とトリエトシキシランノルボルネン10mol%からなる付加重合型の環状オレフィン系樹脂18gに替えて、n−デシルノルボルネン70mol%とメチルグリシジルエーテルノルボルネン30mol%からなる付加重合型の環状オレフィン系樹脂18gを用い、、シリカフィラー2g(平均粒径20〜30nm、シーアイ化成(株)社製)に替えて、平均粒径200nmのシリカフィラー((株)アドマテックス社製、商品名SO−C1)2gを用い、さらに、光開始剤(ローディアジャパン(株)社製、Rhodosil Photoinitiator2074)0.36g添加した以外は、実施例1と同様な方法で樹脂組成物6を得た。
[樹脂組成物6フィルムの作製および評価]
実施例1において、樹脂組成物1に替えて、樹脂組成物5を用いた以外は、実施例1と同様な操作で銅箔付き樹脂組成物6層および樹脂組成物フィルム6を得た。評価結果を表1に示す。
(実施例7)
[樹脂組成物7の作製]
実施例6において、シリカフィラー溶液作製の際、β(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(日本ユニカー(株)社製、商品名A−186)を0.1g加えた以外は、実施例6と同様な方法で樹脂組成物7を得た。
[樹脂組成物7フィルムの作製および評価]
実施例1において、樹脂組成物1に替えて、樹脂組成物7を用いた以外は、実施例1と同様な操作で銅箔付き樹脂組成物7層および樹脂組成物フィルム7を得た。評価結果を表1に示す。
(比較例1)
[樹脂組成物8の作製]
n−ブチルノルボルネン90mol%とトリエトシキシランノルボルネン10mol%からなるポリノルボルネン18gを1,3,5−トリメチルベンゼン72gに溶解したポリノルボルネン溶液(プロメラス社製、商品名アバトレル)と、気相法により合成されたシリカフィラー2g(平均粒径20〜30nm、シーアイ化成(株)社製)と1,3,5−トリメチルベンゼン18gを、真空遊星運動攪拌機(泡取完太郎、(株)EME社製)で混合し樹脂組成物8を得た。
[樹脂組成物フィルム8の作製および評価]
実施例1において、樹脂組成物1に替えて、樹脂組成物8を用いた以外は、実施例1と同様な操作で銅箔付き樹脂組成物8層および樹脂組成物フィルム8を得た。評価結果を表1に示す。
(比較例2)
[樹脂組成物フィルム9の作製および評価]
実施例1において、樹脂組成物1の替わりに、n−ブチルノルボルネン90mol%とトリエトシキシランノルボルネン10mol%からなるポリノルボルネン18gを1,3,5−トリメチルベンゼン72gに溶解したポリノルボルネン溶液(プロメラス社製、商品名アバトレル)を用いた以外は、実施例1と同様な操作で銅箔付き樹脂組成物9および樹脂組成物フィルム9を得た。評価結果を表1に示す。
(比較例3)
[樹脂組成物フィルム10の作製および評価]
実施例1において、樹脂組成物1の替わりに、n−デシルノルボルネン70mol%とメチルグリシジルエーテルノルボルネン30mol%からなる付加重合型の環状オレフィン系樹脂18gを1,3,5−トリメチルベンゼン72gに溶解したポリノルボルネン溶液を用いた以外は、実施例1と同様な操作で銅箔付き樹脂組成物10および樹脂組成物フィルム19を得た。評価結果を表1に示す。
Figure 2004277726

Claims (13)

  1. 環状オレフィン系樹脂(A)、800nm以下の平均粒径を有する無機フィラー(B)、及び該環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)を含んでなる樹脂組成物において、予め、前記無機フィラー(B)を、前記樹脂組成物に含む環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)を含む溶媒中で分散させて得られることを特徴とする樹脂組成物。
  2. 前記オレフィン系樹脂は、付加型のポリノルボルネンである請求項1に記載の樹脂組成物。
  3. 前記付加型のポリノルボルネンは下記一般式(1)で表される構造を有するものである、請求項2に記載の樹脂組成物。
    Figure 2004277726
    (式(1)中のXは、−О−、−CH2−または−CH2CH2−を示し、R1、R2、R3、およびR4はそれぞれ水素、あるいは、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシシリル基、エステル基、エーテル基および(メタ)アクリル基、エポキシ基から選ばれる基を示し、mは10〜10000の整数、nは0〜5までの整数である。)
  4. 前記付加型のポリノルボルネンは、下記一般式(2)で表されるものである請求項3に記載の樹脂組成物。
    Figure 2004277726
    (式(1)中、mおよびnは10〜10,000の整数である。また、R1〜R2は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数が1〜12のアルキル基、フェニル基、t−ブチルエステル基、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、メタクリロキシメチル基、およびグリシジルエーテル基のいずれかを示す。)
  5. 前記無機フィラー(B)の粒径は、100nm以下である請求項1〜4のいずれかに記載の樹脂組成物。
  6. 前記無機フィラー(B)が、シリカフィラーである請求項1〜5のいずれかに記載の樹脂組成物。
  7. 前記シリカフィラーが、シランカップリング剤で表面処理されたものである請求項6記載の樹脂組成物。
  8. 前記無機フィラー(B)を分散させる溶媒は、前記溶媒(C)と同じものである請求項1〜7のいずれかに記載の樹脂組成物。
  9. 前記環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)は、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒およびエーテル系溶媒の中から選ばれるものである請求項1〜8のいずれかに記載の樹脂組成物。
  10. 前記溶媒(C)が、1,3,5−トリメチルベンゼンである請求項9に記載の樹脂組成物。
  11. 環状オレフィン系樹脂(A)、800nm以下の平均粒径を有する無機フィラー(B)、及び該環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)を含んでなる樹脂組成物を製造する方法において、予め、前記無機フィラー(B)を、前記樹脂組成物に含む環状オレフィン系樹脂(A)が可溶な溶媒(C)を含む溶媒中で分散させることを特徴とする樹脂組成物の製造方法。
  12. 前記無機フィラー(B)は、前記無機フィラー(B)と前記溶媒(C)を含む溶液中に5〜60重量%含むものである請求項11に記載の樹脂組成物の製造方法。
  13. 前記無機フィラーの分散において、シランカップリング剤を加える請求項11または12に記載の樹脂組成物の製造方法。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006096925A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、樹脂層、樹脂層付きキャリア材料および回路基板
WO2006040986A1 (ja) * 2004-10-13 2006-04-20 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. 受光装置
JP2006124518A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、樹脂層、樹脂層付きキャリア材料および回路基板
JP2006278530A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd ソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物およびソルダーレジスト
JP2006273991A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Konica Minolta Opto Inc 熱可塑性樹脂組成物の製造方法及び光学素子
JP2007088172A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、積層体、配線板および配線板の製造方法
JP2007103683A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、積層体、配線板および配線板の製造方法
JP2007217659A (ja) * 2006-01-23 2007-08-30 Konica Minolta Opto Inc 樹脂組成物及び光学素子
WO2008059577A1 (fr) * 2006-11-16 2008-05-22 Sumitomo Bakelite Company Limited Guide de lumière et structure de guide de lumière
JP2009514998A (ja) * 2005-11-04 2009-04-09 エボニック デグサ ゲーエムベーハー ポリアミドをベースとする超微粉末の製造法、超微粒のポリアミド粉末ならびにその使用
JP2010077280A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Fujifilm Corp 有機無機複合材料とその成形体、光学部品およびレンズ
JP2010241852A (ja) * 2009-03-31 2010-10-28 Nippon Zeon Co Ltd 変性シリカの製造方法、絶縁材料用樹脂組成物および絶縁膜用フィルム
JP2012160741A (ja) * 2012-03-16 2012-08-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、積層体、配線板および配線板の製造方法
TWI403768B (zh) * 2005-05-20 2013-08-01 Sumitomo Bakelite Co 光波導及光波導結構體
JP2017057332A (ja) * 2015-09-18 2017-03-23 アシザワ・ファインテック株式会社 樹脂成形体の熱膨張率低下方法
US20210214523A1 (en) * 2018-06-26 2021-07-15 Kyocera Corporation Organic board, metal-clad laminate, and wiring board

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05287082A (ja) * 1992-04-08 1993-11-02 Nitto Denko Corp 超微粒子分散樹脂組成物の製法
JPH1143566A (ja) * 1997-07-29 1999-02-16 Nippon Zeon Co Ltd ノルボルネン系樹脂組成物
JPH11293095A (ja) * 1998-04-14 1999-10-26 Nippon Zeon Co Ltd ノルボルネン系重合体組成物およびロール
JP2000313816A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Jsr Corp 低複屈折性光学樹脂材料およびその製造方法並びにその応用

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05287082A (ja) * 1992-04-08 1993-11-02 Nitto Denko Corp 超微粒子分散樹脂組成物の製法
JPH1143566A (ja) * 1997-07-29 1999-02-16 Nippon Zeon Co Ltd ノルボルネン系樹脂組成物
JPH11293095A (ja) * 1998-04-14 1999-10-26 Nippon Zeon Co Ltd ノルボルネン系重合体組成物およびロール
JP2000313816A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Jsr Corp 低複屈折性光学樹脂材料およびその製造方法並びにその応用

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006096925A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、樹脂層、樹脂層付きキャリア材料および回路基板
JP4760713B2 (ja) * 2004-10-13 2011-08-31 住友ベークライト株式会社 受光装置
WO2006040986A1 (ja) * 2004-10-13 2006-04-20 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. 受光装置
JP2011199294A (ja) * 2004-10-13 2011-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 受光装置
JP2006124518A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、樹脂層、樹脂層付きキャリア材料および回路基板
JP2006278530A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd ソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物およびソルダーレジスト
JP2006273991A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Konica Minolta Opto Inc 熱可塑性樹脂組成物の製造方法及び光学素子
TWI403768B (zh) * 2005-05-20 2013-08-01 Sumitomo Bakelite Co 光波導及光波導結構體
JP2007088172A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、積層体、配線板および配線板の製造方法
JP2007103683A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、積層体、配線板および配線板の製造方法
JP2009514998A (ja) * 2005-11-04 2009-04-09 エボニック デグサ ゲーエムベーハー ポリアミドをベースとする超微粉末の製造法、超微粒のポリアミド粉末ならびにその使用
JP2007217659A (ja) * 2006-01-23 2007-08-30 Konica Minolta Opto Inc 樹脂組成物及び光学素子
US8200058B2 (en) 2006-11-16 2012-06-12 Sumitomo Bakelite Company, Ltd. Light guide and light guide structure
KR101096300B1 (ko) 2006-11-16 2011-12-20 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 광도파로 및 광도파로 구조체
WO2008059577A1 (fr) * 2006-11-16 2008-05-22 Sumitomo Bakelite Company Limited Guide de lumière et structure de guide de lumière
JP2010077280A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Fujifilm Corp 有機無機複合材料とその成形体、光学部品およびレンズ
JP2010241852A (ja) * 2009-03-31 2010-10-28 Nippon Zeon Co Ltd 変性シリカの製造方法、絶縁材料用樹脂組成物および絶縁膜用フィルム
JP2012160741A (ja) * 2012-03-16 2012-08-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、積層体、配線板および配線板の製造方法
JP2017057332A (ja) * 2015-09-18 2017-03-23 アシザワ・ファインテック株式会社 樹脂成形体の熱膨張率低下方法
US20210214523A1 (en) * 2018-06-26 2021-07-15 Kyocera Corporation Organic board, metal-clad laminate, and wiring board
EP3816237A4 (en) * 2018-06-26 2022-03-23 Kyocera Corporation ORGANIC SUBSTRATE, METAL CLAD LAMINATE AND TERMINAL BOARD
US11661495B2 (en) 2018-06-26 2023-05-30 Kyocera Corporation Organic board, metal-clad laminate, and wiring board

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