JPWO2006040963A1 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2006040963A1 JPWO2006040963A1 JP2006540882A JP2006540882A JPWO2006040963A1 JP WO2006040963 A1 JPWO2006040963 A1 JP WO2006040963A1 JP 2006540882 A JP2006540882 A JP 2006540882A JP 2006540882 A JP2006540882 A JP 2006540882A JP WO2006040963 A1 JPWO2006040963 A1 JP WO2006040963A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- receiving surface
- center
- solid
- light
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 111
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 67
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 102
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 50
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
前記光電変換部の位置が前記受光面の略中心を通る第1の中心線を対称軸として線対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする固体撮像装置である。
(1)光信号を電気信号に変換する光電変換部を備えた複数の単位画素が2次元的に配置された受光面と、各光電変換部に対応して各単位画素に設けられた光を集光するためのマイクロレンズと、各光電変換部に対応して各単位画素に設けられた前記光電変換部へ光を入射させるための開口部と、前記光電変換部と前記マイクロレンズとの間に形成された複数層からなる配線層と、を有する固体撮像装置であって、前記光電変換部の位置が前記受光面の略中心を軸にして対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする固体撮像装置。
(2)前記受光面の略中心を通り、前記第1の中心線に直交する第2の中心線を対称軸として、前記光電変換部の位置が線対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする前記(1)項に記載の固体撮像装置。
(3)光信号を電気信号に変換する光電変換部を備えた複数の単位画素が2次元的に配置された受光面と、各光電変換部に対応して各単位画素に設けられた光を集光するためのマイクロレンズと、各光電変換部に対応して各単位画素に設けられた前記光電変換部へ光を入射させるための開口部と、前記光電変換部と前記マイクロレンズとの間に形成された複数層からなる配線層と、を有する固体撮像装置であって、
前記光電変換部の位置が前記受光面の略中心を対称の中心として回転対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする固体撮像装置。
(5)前記開口部及び前記複数層からなる配線層の位置が前記受光面の略中心を通る第1の中心線を対称軸として線対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする前記(1)項に記載の固体撮像装置。
(6)前記受光面の略中心を通り、前記第1の中心線に直交する第2の中心線を対称軸として、前記開口部及び前記複数層からなる配線層の位置が線対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする前記(2)項に記載の固体撮像装置。
(7)前記開口部及び前記複数層からなる配線層の位置が前記受光面の略中心を対称の中心として回転対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする前記(3)項に記載の固体撮像装置。
(8)前記開口部及び前記複数層からなる配線層の位置が前記受光面の略中心を対称の中心として90度回転対称又は180度回転対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする前記(4)項に記載の固体撮像装置。
(9)前記光電変換部の形状及び前記単位画素内における配置位置は、前記単位画素の中心を通る第3の中心線を対称軸として線対称となっていることを特徴とする前記(1)乃至(8)項のいずれかに記載の固体撮像装置。
(10)前記光電変換部の前記単位画素内の位置は、前記受光面の略中心から周辺部に近づくにつれて、前記周辺部側に徐々にずれて配置されていることを特徴とする前記(1)乃至(9)項のいずれかに記載の固体撮像装置。
(11)前記光電変換部に対する前記マイクロレンズの前記単位画素内の位置がずれており、前記光電変換部より前記マイクロレンズが前記受光面の略中心に近くなるように、前記光電変換部及び前記マイクロレンズが配置されていることを特徴とする前記(1)乃至(10)項のいずれかに記載の固体撮像装置。
(12)前記マイクロレンズの前記単位画素内の位置が、前記受光面の略中心から周辺部に近づくにつれて、前記受光面の略中心方向に徐々にずれて配置されていることを特徴とする前記(10)項に記載の固体撮像装置。
(13)前記受光面の略中心から周辺部に近づくにつれて、前記複数層の配線層間の相対位置が徐々に変わることを特徴とする前記(10)又は(12)項のいずれかに記載の固体撮像装置。
(14)前記受光面の略中心から周辺部に近づくにつれて、前記複数層の配線層と前記光電変換部との間の相対位置が徐々に変わることを特徴とする前記(10)又は(12)項のいずれかに記載の固体撮像装置。
[第1の実施の形態]
この発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置について、図1乃至図5を参照しつつ説明する。
(構成)
まず、第1の実施形態に係る固体撮像装置の構成について、図1乃至図3を参照しつつ説明する。図1は、この発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の構成を模式的に示す上面図である。図2及び図3は、この発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の単位画素の構造を模式的に示す断面図である。図2は、図1に示す線分B−B’方向に沿った画素の断面図であり、図3は、図1に示す線分A−A’方向に沿った画素の断面図である。
(作用)
以上のような構成を有する固体撮像装置1によると、次に説明する作用及び効果を奏することが可能となる。第1の実施形態に係る固体撮像装置の作用について、図2乃至図5を参照しつつ説明する。図4及び図5は、この発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の作用を説明するための単位画素の断面図である。図4は、図1に示す線分B−B’方向に沿った画素の断面図であり、マイクロレンズのシフトがない場合における作用を説明するための図である。図4(a)、(b)は、第1の実施形態に係る固体撮像装置の作用を説明するための図であり、図4(c)は、従来技術に係る固体撮像装置の作用を説明するための図である。図5は、図1に示す線分B−B’方向に沿った画素の断面図であり、マイクロレンズのシフトがある場合における作用を説明するための図である。図5(a)、(b)は、第1の実施形態に係る固体撮像装置の作用を説明するための図であり、図5(c)は、従来技術に係る固体撮像装置の作用を説明するための図である。
[第2の実施の形態]
この発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置について、図6を参照しつつ説明する。図6は、この発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の構成を模式的に示す上面図である。
[第3の実施の形態]
この発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置について、図7及び図8を参照しつつ説明する。図7は、この発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の構成を模式的に示す上面図である。図8は、第3の実施形態に係る固体撮像装置の作用を説明するための単位画素の断面図である。
(構成)
図7に示すように、この第3の実施形態に係る固体撮像装置は、第1の実施形態に係る固体撮像装置と同様に、各単位画素3は受光面2の中心Oを通る中心線A−A’と中心線B−B’とを対称軸として線対称の関係となっているが、受光面2の中心Oから周辺部に近づくにつれて徐々にフォトダイオード4等の位置が変わっている点が特徴である。つまり、周辺部に配置された単位画素3ほど、受光面2に垂直な方向からの入射角が大きくなるため、その入射角に対応させて単位画素3内におけるフォトダイオード4等の位置を周辺部側にずらして形成している。
(作用)
受光面2の中心O付近に配置された単位画素3aには、ほぼ垂直に光が入射する。一方、単位画素3aよりも受光面2の周辺部側に配置された単位画素3bには斜めに光が入射する。また、単位画素3bよりも受光面2の周辺部側に配置された単位画素3cには、単位画素3bに入射する光よりも、より斜めの光が入射する(入射角度が大きくなる)。単位画素3d、3eも同様に、周辺部になるほど徐々に入射角度が大きくなっていく。このように周辺部になるほど入射角度が大きくなる光に対して、以上のような構成を有する固体撮像装置1によると、次に説明する作用及び効果を奏することが可能となる。
Claims (14)
- 光信号を電気信号に変換する光電変換部を備えた複数の単位画素が2次元的に配置された受光面と、各光電変換部に対応して各単位画素に設けられた光を集光するためのマイクロレンズと、各光電変換部に対応して各単位画素に設けられた前記光電変換部へ光を入射させるための開口部と、前記光電変換部と前記マイクロレンズとの間に形成された複数層からなる配線層と、を有する固体撮像装置であって、
前記光電変換部の位置が前記受光面の略中心を通る第1の中心線を対称軸として線対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記受光面の略中心を通り、前記第1の中心線に直交する第2の中心線を対称軸として、前記光電変換部の位置が線対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の固体撮像装置。
- 光信号を電気信号に変換する光電変換部を備えた複数の単位画素が2次元的に配置された受光面と、各光電変換部に対応して各単位画素に設けられた光を集光するためのマイクロレンズと、各光電変換部に対応して各単位画素に設けられた前記光電変換部へ光を入射させるための開口部と、前記光電変換部と前記マイクロレンズとの間に形成された複数層からなる配線層と、を有する固体撮像装置であって、
前記光電変換部の位置が前記受光面の略中心を対称の中心として回転対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記光電変換部の位置が前記受光面の略中心を対称の中心として90度回転対称又は180度回転対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする請求の範囲第3項に記載の固体撮像装置。
- 前記開口部及び前記複数層からなる配線層の位置が前記受光面の略中心を通る第1の中心線を対称軸として線対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の固体撮像装置。
- 前記受光面の略中心を通り、前記第1の中心線に直交する第2の中心線を対称軸として、前記開口部及び前記複数層からなる配線層の位置が線対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする請求の範囲第2項に記載の固体撮像装置。
- 前記開口部及び前記複数層からなる配線層の位置が前記受光面の略中心を対称の中心として回転対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする請求の範囲第3項に記載の固体撮像装置。
- 前記開口部及び前記複数層からなる配線層の位置が前記受光面の略中心を対称の中心として90度回転対称又は180度回転対称となるように、前記複数の単位画素が配置されていることを特徴とする請求の範囲第4項に記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換部の形状及び前記単位画素内における配置位置は、前記単位画素の中心を通る第3の中心線を対称軸として線対称となっていることを特徴とする請求の範囲第1項乃至第8項のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換部の前記単位画素内の位置は、前記受光面の略中心から周辺部に近づくにつれて、前記周辺部側に徐々にずれて配置されていることを特徴とする請求の範囲第1項乃至第8項のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換部に対する前記マイクロレンズの前記単位画素内の位置がずれており、前記光電変換部より前記マイクロレンズが前記受光面の略中心に近くなるように、前記光電変換部及び前記マイクロレンズが配置されていることを特徴とする請求の範囲第1項乃至第8項のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記マイクロレンズの前記単位画素内の位置が、前記受光面の略中心から周辺部に近づくにつれて、前記受光面の略中心方向に徐々にずれて配置されていることを特徴とする請求の範囲第10項に記載の固体撮像装置。
- 前記受光面の略中心から周辺部に近づくにつれて、前記複数層の配線層間の相対位置が徐々に変わることを特徴とする請求の範囲第10項に記載の固体撮像装置。
- 前記受光面の略中心から周辺部に近づくにつれて、前記複数層の配線層と前記光電変換部との間の相対位置が徐々に変わることを特徴とする請求の範囲第10項に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006540882A JP5119668B2 (ja) | 2004-10-15 | 2005-10-04 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004301116 | 2004-10-15 | ||
JP2004301116 | 2004-10-15 | ||
PCT/JP2005/018372 WO2006040963A1 (ja) | 2004-10-15 | 2005-10-04 | 固体撮像装置 |
JP2006540882A JP5119668B2 (ja) | 2004-10-15 | 2005-10-04 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006040963A1 true JPWO2006040963A1 (ja) | 2008-05-15 |
JP5119668B2 JP5119668B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=36148259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006540882A Expired - Fee Related JP5119668B2 (ja) | 2004-10-15 | 2005-10-04 | 固体撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7667174B2 (ja) |
JP (1) | JP5119668B2 (ja) |
WO (1) | WO2006040963A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100790225B1 (ko) * | 2005-12-26 | 2008-01-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
JP4992352B2 (ja) * | 2006-09-11 | 2012-08-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2008282961A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP2010021450A (ja) * | 2008-07-12 | 2010-01-28 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
JP5262823B2 (ja) | 2009-02-23 | 2013-08-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
JP2011103359A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Sharp Corp | 固体撮像素子および電子情報機器 |
JP2011221253A (ja) | 2010-04-08 | 2011-11-04 | Sony Corp | 撮像装置、固体撮像素子、撮像方法およびプログラム |
US20130201388A1 (en) * | 2012-02-03 | 2013-08-08 | Novatek Microelectronics Corp. | Optical sensing apparatus and optical setting method |
JP2013172292A (ja) | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Sony Corp | 撮像装置及び撮像素子アレイ |
JP5516621B2 (ja) * | 2012-03-13 | 2014-06-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
KR102103983B1 (ko) * | 2013-07-31 | 2020-04-23 | 삼성전자주식회사 | 시프트된 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 라이트 필드 영상 획득 장치 |
US10658408B2 (en) | 2015-01-13 | 2020-05-19 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
TWI565323B (zh) * | 2015-09-02 | 2017-01-01 | 原相科技股份有限公司 | 分辨前景的成像裝置及其運作方法、以及影像感測器 |
JP2020113573A (ja) * | 2019-01-08 | 2020-07-27 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
JP7336206B2 (ja) * | 2019-02-27 | 2023-08-31 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06140609A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2004134790A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法並びに電子機器 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2600250B2 (ja) | 1988-02-22 | 1997-04-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびビデオカメラ |
JP2000198505A (ja) | 1998-10-27 | 2000-07-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 物品管理システム |
JP2005057024A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、カメラ |
-
2005
- 2005-10-04 JP JP2006540882A patent/JP5119668B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-04 US US11/665,031 patent/US7667174B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-04 WO PCT/JP2005/018372 patent/WO2006040963A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06140609A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2004134790A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法並びに電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006040963A1 (ja) | 2006-04-20 |
US20090027541A1 (en) | 2009-01-29 |
US7667174B2 (en) | 2010-02-23 |
JP5119668B2 (ja) | 2013-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5119668B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
KR101477645B1 (ko) | 광학 부재, 고체 촬상 장치, 및 제조 방법 | |
US7214920B2 (en) | Pixel with spatially varying metal route positions | |
KR101068698B1 (ko) | 고체 촬상 장치 | |
JP6141024B2 (ja) | 撮像装置および撮像システム | |
JP6566734B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
US7550797B2 (en) | Photoelectric conversion layer stack type color solid-state image sensing device | |
JP4341664B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
US7432491B2 (en) | Pixel with spatially varying sensor positions | |
JP2011103359A (ja) | 固体撮像素子および電子情報機器 | |
JP2008011532A (ja) | イメージ復元方法及び装置 | |
WO2010038378A1 (ja) | 画素ずらし型撮像装置 | |
JP2007103483A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器 | |
JP2009099817A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2008153370A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
US20120262611A1 (en) | Method for calculating shift amount of image pickup element and image pickup element | |
JP2005116939A (ja) | 固体撮像素子 | |
WO2016009681A1 (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
JP4992352B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2012004437A (ja) | 固体撮像装置 | |
WO2010090133A1 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2009065095A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP4419658B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US20240153974A1 (en) | Image sensor | |
JP5482637B2 (ja) | 光センサ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080930 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120323 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120925 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121008 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |