JPWO2005121884A1 - アクティブマトリックス基板および液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

層間絶縁膜１７上の絵素電極１８と、層間絶縁膜１７の下層に位置する電極１６ｄとを、該層間絶縁膜１７に形成したコンタクトホール１７ａを経由して電気的に接続する一方、電極１６ｄの下方に制御絶縁膜１４を介して該電極１６ｄに対向するように別の電極１３を配置し、これら両電極１６ｄ，１３間に補助容量を形成するようにした液晶表示装置のアクティブマトリックス基板１０において、電極１６ｄに欠陥が生じている場合に、コンタクトホール１７ａの領域に対応する電極１３の部位に、開口部２０を設ける。これにより、コンタクトホール１７ａの形成に伴い、電極１６ｄの欠陥箇所を通じて制御絶縁膜１４に欠陥が生じても、開口率の低下を招くことなく、両電極１６ｄ，１３間におけるリークの発生が抑えられる。

Description

本発明は、層間絶縁膜の上下に位置する絵素電極と電極とを該層間絶縁膜のコンタクトホールを通して互いに接続するとともに、前記電極に電極を対向配置して補助容量を形成するようにしたアクティブマトリックス基板に関し、特に、コンタクトホールの形成に伴って両電極間の制御絶縁膜に欠陥が生じても、両電極間にリークが発生しにくいようにする対策に関する。

近年では、液晶表示装置は、小形，薄形，低消費電力，軽量といった特長を持っていることから、各種電子機器に広く用いられるようになっている。特に、能動素子としてスイッチング素子を用いるようにしたアクティブマトリックス型液晶表示装置は、ＣＲＴと同等の表示特性が得られるものであることから、パソコンなどのＯＡ機器，テレビ，カーナビゲーションシステムにおける車載用モニターなどのＡＶ機器や携帯電話などに広く応用されている。

図８および図９は、例えば、特許文献１などで知られているように、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）が用いられたアクティブマトリックス型液晶表示装置の構成例を示している。図８は、アクティブマトリックス基板上における１絵素領域分の構成を、該基板に対向配置された対向基板の側から見たときの平面図であり、図９は、両基板間に液晶層が配置されてなる液晶表示装置全体の構成を示していて、図８のVIII−VIII線拡大断面図に相当する断面図である。

この液晶表示装置は、各絵素領域毎にＴＦＴ１６０を有するアクティブマトリックス基板１００と、このアクティブマトリックス基板１００に対向するように配置された対向基板３００と、これら両基板１００，３００間に配置された液晶層４００とを備えている。アクティブマトリックス基板１００上では、ＴＦＴ１６０のゲート電極１６０ａおよびソース電極１６０ｃは、それぞれゲート信号線１２０およびデータ信号線１５０に電気的に接続している。一方、ＴＦＴ１６０のドレイン電極１６０ｄは、ゲート信号線１２０，データ信号線１５０およびＴＦＴ１６０を覆うように設けられた層間絶縁膜１７０上に位置する絵素電極１８０に、該層間絶縁膜１７０に形成されたコンタクトホール１７０ａを通して電気的に接続している。

また、コンタクトホール１７０ａの下方（図９の下方）には、補助容量対向電極１３０（以下、Ｃｓ対向電極という）がゲート絶縁膜１４０を介してドレイン電極１６０ｄの一部に対向するように配置されており、これらドレイン電極１６０ｄおよびＣｓ対向電極１３０により補助容量を形成するようになっている。

ところで、上記のアクティブマトリックス基板１００では、ドレイン電極１６０ｄにピンホールなどの欠陥が生じていると、エッチングなどにより層間絶縁膜１７０にコンタクトホール１７０ａを形成する際に、ドレイン電極１６０ｄの前記欠陥箇所を通じてゲート絶縁膜１４０に欠陥が生じることがあり、その結果、ゲート絶縁膜１４０の前記欠陥箇所を通じて、ドレイン電極１６０ｄとＣｓ対向電極１３０との間にリークが発生するようになることがある。

そこで、従来の場合には、例えば、特許文献２に記載されているように、図１０の平面図に示す如く、コンタクトホール１７０ａをＣｓ対向電極１３０の領域外に配置するとともに、このコンタクトホール１７０ａの位置までドレイン電極１６０ｄを延設して絵素電極１８０に接続することとし、このようにして、コンタクトホール１７０ａの領域にＣｓ対向電極１３０を存在させないようにすることで、ゲート絶縁膜１４０に欠陥が生じても、ドレイン電極１６０ｄとＣｓ対向電極１３０との間におけるリークの発生を抑えられるようになされている。
特開平０９−２３０３８０号公報（第５および第６頁，図２） 特開２００２−５５３６０号公報（第６頁，図４）

しかしながら、上記コンタクトホール１７０ａおよびその周辺の領域では、コンタクトホール１７０ａの段差に起因して液晶の配向乱れが生じ、コントラストが低下するようになることから、上記従来の場合には、ドレイン電極１６０ｄにメタル膜を使用するなどの対策を講じて上記の領域を遮光することが必要であり、このために、開口率の低下を招くという欠点がある。

さらに、Ｃｓ対向電極１３０以外の領域にコンタクトホール１７０ａを配置する場合には、絵素電極１８０との接続上、ドレイン電極１６０ｄを凸状に形成する必要があり、このために、ドレイン電極１６０ｄの形状が制約されるという問題もある。

本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、層間絶縁膜上の絵素電極と、層間絶縁膜の下層に位置するドレイン電極などの電極とを、該層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを経由して電気的に接続する一方、前記電極の下方にゲート絶縁膜などの絶縁膜を介して補助容量対向電極など別の電極を対向配置し、この上下１対の電極間に補助容量を形成するようにしたアクティブマトリックス基板において、コンタクトホールの形成に伴って前記絶縁膜における両電極間の部位に欠陥が生じたとしても、開口率の低下を招くことなく、両電極間におけるリークの発生を抑えられるようにすることにある。

上記の目的を達成すべく、本発明では、上下１対の電極のうち、下側の電極に、コンタクトホールの領域に見合った開口部を設けることとし、これにより、絶縁膜における両電極間の部位に欠陥が生じても、両電極間におけるリークの発生を抑えられるようにした。

具体的には、本発明では、絶縁性基板と、この絶縁性基板上に配置された複数本の制御信号線と、これら複数本の制御信号線上に設けられた制御絶縁膜と、この制御絶縁膜上に前記複数本の制御信号線に交差するように配置された複数本のデータ信号線と、対応する前記制御信号線に電気的に接続されたゲート電極，対応する前記データ信号線に電気的に接続された第１の電極，および前記制御絶縁膜上に設けられた第２の電極を有するスイッチング素子と、絵素領域毎にコンタクトホールを有していて、前記スイッチング素子上に設けられた層間絶縁膜と、絵素領域毎に前記層間絶縁膜上に配置されるように設けられていて、該絵素領域の前記コンタクトホールを経由して前記スイッチング素子の前記第２電極に電気的に接続された絵素電極と、前記制御絶縁膜を介して前記第２電極に対向するように配置されていて、該第２電極との間に補助容量を形成する補助容量対向電極とを備えたアクティブマトリックス基板を前提としている。

そして、前記コンタクトホールの領域に対応する前記補助容量対向電極の部位に、開口部が設けられているものとする。これにより、コンタクトホールの形成時に第２電極の欠陥箇所を通じて制御絶縁膜に欠陥が生じたとしても、そのコンタクトホールの領域に対応する補助容量対向電極の部位の少なくとも一部が開口部となっていて補助容量対向電極が存在しないので、そのような開口部の無い場合に比べると、前記制御絶縁膜の欠陥箇所を通じての補助容量対向電極と第２電極との間のリークの発生は抑えられる。また、開口部の分だけ補助容量が低下することになるので、他の部分で確保が必要となるが、追加する補助容量の形状には制約がなく、開口率の低下は最小に抑えることができる。

尚、上記の構成において、前記開口部を、前記コンタクトホールの領域を全て包含するように設けることができる。

また、前記絵素電極が透明導電膜からなるものである場合、つまり、本アクティブマトリックス基板が透過型の液晶表示装置に用いられる場合には、前記第２電極および前記補助容量対向電極を、共に透明導電膜からなるものとすることができ、これにより、開口率を低下させずにリークを抑制することも可能である。逆に、前記第２電極を、非透過性導電膜からなるものとすることもできる。

また、上記のような開口部は、コンタクトホール周辺の液晶の配向の乱れによるコントラスト低下の要因ともなるが、コンタクトホール下のドレイン電極を非透過性の金属などを用いることにより、コントラストの低下は生じず、よって、上記課題の解決は可能である。

また、上記のアクティブマトリックス基板が反射型の液晶表示装置に用いられる場合には、前記絵素電極の全部を、光を反射する反射導電膜からなるものとすることができるし、透過反射両用型の液晶表示装置に用いられる場合には、前記コンタクトホールに対応する前記絵素電極の部分を、反射導電膜からなるものとすることができる。

また、反射型ないし透過反射両用型の液晶表示装置の場合には、コンタクトホール上に位置する絵素電極の部位を反射電極として利用することにより、開口率および反射率の低下を招くことなく、上記の課題を解決することができる。

また、前記補助容量対向電極を、前記制御信号線と同じ材料からなるものとすることができる。

さらに、前記層間絶縁膜が、絵素領域毎に第１コンタクトホールおよび第２コンタクトホールを有していて、第１コンタクトホールを経由して絵素電極とスイッチング素子の第２電極とが互いに電気的に接続されている一方、第２コンタクトホールを経由して絵素電極と補助容量電極とが電気的に接続されており、この補助容量電極に制御絶縁膜を介して制御信号線などの補助容量対向配線が対向配置されている場合には、前記開口部は、前記第２コンタクトホールの領域に対応する前記補助容量対向配線の部位に設けることになる。

本発明によれば、層間絶縁膜上の絵素電極と、層間絶縁膜の下層に配置した電極とを該層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを経由して電気的に接続する一方、前記電極の下方に絶縁膜を介して別の電極を対向配置し、両電極間に補助容量を形成するようにしたアクティブマトリックス基板において、コンタクトホールの形成に伴って両電極間の絶縁膜に欠陥が生じた場合でも、開口率の低下を招くことなく、両電極間のリークの発生を未然に防止することができ、よって、例えば、高品位でかつ歩留りの高い液晶表示装置の製造に寄与することができる。

図１は、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置のアクティブマトリックス基板上における対向基板側から見た１絵素領域分の構成を示す平面図である。 図２は、図１のII−II線拡大断面図である。 図３は、図１のIII−III線拡大断面相当図である。 図４は、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置の１絵素領域分の構成を示す図１相当図である。 図５は、図４のＶ−Ｖ線拡大断面図である。 図６は、本発明の実施形態３に係る液晶表示装置の１絵素領域分の構成を示す図１相当図である。 図７は、図６のVII−VII線拡大断面図である。 図８は、従来の液晶表示装置における１絵素領域分の構成を示す図１相当図である。 図９は、図８のIX−IX線拡大断面図である。 図１０は、改良案の液晶表示装置における１絵素領域分の構成を示す図１相当図である。

符号の説明

１０ アクティブマトリックス基板
１１ 絶縁性基板
１２ ゲート信号線（制御信号線，補助容量対向配線）
１３ 補助容量対向電極
１４ ゲート絶縁膜（制御絶縁膜）
１５ データ信号線
１６ ＴＦＴ（スイッチング素子）
１６ａ ゲート電極（制御電極）
１６ｃ ソース電極（第１電極）
１６ｄ ドレイン電極（第２電極）
１７ 層間絶縁膜
１７ａ コンタクトホール，第１コンタクトホール
１７ｂ 第２コンタクトホール
１８ 絵素電極
２０ （補助容量対向電極の）開口部
２１ 補助容量電極
２２ （ゲート信号線の）開口部
３０ 対向基板
４０ 液晶層

以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。

（実施形態１）
図１および図２は、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の構成を示していて、図１は、対向基板側から見たアクティブマトリックス基板の１絵素領域分の構成を示す平面図であり、図２は、図１のII−II線拡大断面に相当する液晶表示装置全体の断面図である。

この液晶表示装置は、図２に示すように、アクティブマトリックス基板１０と、このアクティブマトリックス基板１０に対向するように配置された対向基板３０と、これらアクティブマトリックス基板１０および対向基板３０間に配置された液晶層４０とを備えている。

アクティブマトリックス基板１０の基本的な構成を説明する。このアクティブマトリックス基板１０は、ガラスなどからなる透明の絶縁性基板１１を有する。絶縁性基板１１上には、図１の左右方向に延びるように配置された複数本の制御信号線としてのゲート信号線１２と、各ゲート信号線１２からそれぞれ分岐した複数の制御電極としてのゲート電極１６ａと、補助容量対向電極１３とが設けられている。これらゲート信号線１２，ゲート電極１６ａおよび補助容量対向電極１３（以下、Ｃｓ対向電極という）の上には、制御絶縁膜としてのゲート絶縁膜１４が設けられており、その上には、ゲート電極１６ａに重なるように配置された半導体層１６ｂと、ゲート信号線１２に交差する方向（図１の上下方向）に延びるように配置された複数本のソース信号線１５と、各ソース信号線１５から分岐したソース電極１６ｃと、ドレイン電極１６ｄとが設けられている。ゲート信号線１２，ゲート電極１６ａおよびＣｓ対向電極１３は、例えばタンタル，アルミニウム，チタン，クロムなど、所定の抵抗が得られる金属又は合金や、Ｔａ／ＴａＮ，Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉなどの積層体からなっている。また、ゲート絶縁膜１４は、例えばＳｉＮ_x やＳｉＯ₂ などからなっており、半導体層１６ｂは、不純物を含有しない非晶質シリコン半導体層と、不純物を含有する非晶質シリコン半導体層とが積層されてなっている。尚さらに、ソース信号線１５，ソース電極１６ｃおよびドレイン電極１６ｄは、例えばゲート信号線１２などの場合と同じ材料からなるものであってもよいし、又はＩＴＯ膜のような透明導電膜で構成することもできる。

ゲート電極１６ａおよびソース電極１６ｃは、ゲート信号線１２とソース信号線１５との交差部近傍に配置されている。ソース電極１６ｃおよびドレイン電極１６ｄは、半導体層１６ｂを介してゲート電極１６ａに重なるように配置されており、これらにより、ＴＦＴ１６が構成されている。そして、ＴＦＴ１６の上には、層間絶縁膜１７が設けられており、この層間絶縁膜１７上に、例えばＩＴＯ膜などの透明導電膜からなる絵素電極１８が設けられている。さらに、絵素電極１８の上には配向膜１９が設けられている。

本実施形態では、１つの絵素領域は、ソース信号線１５の延びる方向において相隣接する２本のゲート信号線１２と、ゲート信号線１２の延びる方向において相隣接する２本のソース信号線１５とによって囲まれる略矩形状の領域であり、絵素電極１８は、絵素領域毎に配置されている。隣接する絵素電極１８同士は、ゲート信号線１２およびソース信号線１５の各上方位置でそれぞれ分離しており、このことで、ゲート信号線１２およびソース信号線１５に接触させずに絵素電極１８間の分離幅を最小にして開口率を向上させることができるようになっている。

ドレイン電極１６ｄは、ＴＦＴ１６の位置から絵素領域の略中央まで延設されており、その延設端部は、ゲート信号線１２の延びる方向に拡幅されて略矩形状に形成されている。一方、Ｃｓ対向電極１３は、各絵素領域の略中央においてゲート信号線１２の延びる方向に拡幅されて略矩形状に形成されており、この矩形状の部分は、ゲート絶縁膜１４を介してドレイン電極１６ｄの前記矩形状部分に正対するように配置されている。また、層間絶縁膜１７におけるドレイン電極１６ｄおよびＣｓ対向電極１３間の部位の一部には、コンタクトホール１７ａが設けられており、このコンタクトホール１７ａを経由してドレイン電極１６ｄが絵素電極１８に電気的に接続している。尚、各絵素領域のＣｓ対向電極１３は、ゲート信号線１２の延びる方向に並ぶ絵素領域間において互いに電気的に接続している。

一方、対向基板３０の基本構成について簡単に説明しておくと、この対向基板３０も、アクティブマトリックス基板１０の場合と同じく、ガラスなどからなる透明の絶縁性基板３１を有しており、この絶縁性基板３１上には、例えばＩＴＯ膜などの透明導電膜からなる対向電極３２が複数の絵素領域に跨るように設けられており、その上に配向膜３３が設けられている。

そして、本実施形態では、図１のIII−III線拡大断面図である図３に示すように、コンタクトホール１７ａの真下に位置するＣｓ対向電極１３の部位には、略矩形状の開口部２０が設けられている。

具体的には、開口部２０は、コンタクトホール１７ａの領域を全て包含するように、その大きさおよび配置が設定されている。

ここで、上記のように構成された液晶表示装置におけるアクティブマトリックス基板１０の製造方法について説明する。

ガラスなどの透明絶縁性基板１１上に、一例としてタンタルの金属膜を成膜し、その金属膜を、フォトリソグラフィ工程と、ドライエッチングなどのエッチング工程とにより、ゲート信号線１２，ゲート電極１６ａおよびＣｓ対向電極１３に形成する。つまり、本実施形態では、Ｃｓ対向電極１３は、ゲート信号線１２と同じ材料を用いて同時に形成される。このとき、Ｃｓ対向電極１３の開口部２０となる前記金属膜の部分については、その開口部２０の開口形状にパターニングしておく。

次に、ゲート電極１６ａの上に、不純物を含有しない非晶質シリコン半導体層と、不純物を含有する非晶質シリコン半導体層とをＣＶＤ法により連続して成膜し、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により各半導体層をそれぞれ島状にパターニングして半導体層１６ｂを形成する。そして、一例としてタンタルの金属膜を成膜し、その金属膜にフォトリソグラフィ工程によりパターニングした後、エッチングを行い、ソース信号線１５，ソース電極１６ｃおよびドレイン電極１６ｄを形成する。この際、ドレイン電極１６ｄについては、上記開口部２０を含むＣｓ対向電極１３の全ての領域をカバーする形状に形成する。その後、感光性樹脂を塗布して層間絶縁膜１７を成膜する。尚、層間絶縁膜１７としては、ＳｉＮ_x やＳｉＯ₂ などをＣＶＤ法により成膜するようにしてもよい。そして、この層間絶縁膜１７にフォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により、コンタクトホール１７ａを形成する。コンタクトホール１７ａは上記開口部２０に正対する位置に形成する。その後、層間絶縁膜１７上に、コンタクトホール１７ａを経由してドレイン電極１６ｄに接続するように透明導電膜を成膜し、これをパターニングにより絵素電極１８に形成する。

以上の工程を経た後、配向膜１９を設けることで、本実施形態に係るアクティブマトリックス基板１０が得られることとなる。

したがって、本実施形態によれば、層間絶縁膜１７上の絵素電極１８と、層間絶縁膜１７の下層に位置するドレイン電極１６ｄとを該層間絶縁膜１７に形成したコンタクトホール１７ａを経由して電気的に接続するとともに、ドレイン電極１６ｄの下方にゲート絶縁膜１４を介してＣｓ対向電極１３を配置し、両電極１６ｄ，１３間に補助容量を形成するようにした液晶表示装置のアクティブマトリックス基板１０において、コンタクトホール１７ａの真下にＣｓ対向電極１３が存在しないので、ドレイン電極１６ｄに欠陥が生じていた場合に、層間絶縁膜１７をエッチングしてコンタクトホール１７ａを形成する際に、前記欠陥箇所を通してゲート絶縁膜１４に欠陥が生じたとしても、そのようなゲート絶縁膜１４の欠陥箇所に起因するドレイン電極１６ｄおよびＣｓ対向電極１３間におけるリークの発生は抑えられる。また、上記開口部２０に対応する液晶層４０の領域は、ドレイン電極１６ｄにより遮光されているので、開口部２０に起因するコントラストの低下を招くことがなく、しかも、元々、Ｃｓ対向電極１３により遮光される領域であるので、補助容量については開口部２０の分だけ減少はするものの、開口率の低下を招くことはない。

よって、コントラストや開口率の低下を招くことなく、ゲート絶縁膜１４の欠陥に起因するドレイン電極１６ｄおよびＣｓ対向電極１３間におけるリークの発生を抑えることができ、高品位の液晶表示装置を高い歩留りでもって製造することができる。

しかも、従来のようにコンタクトホール１７ａをＣｓ対向電極１３以外の領域に配置する場合には、ドレイン電極１６ｄを凸状に形成する必要があるなど、ドレイン電極１６ｄの形状に制約があるのに対し、本実施形態では、コンタクトホール１７ａがＣｓ対向電極１３の領域に存在しているので、そのような形状の制約を受けずに済み、開口率を高めた液晶表示装置の設計にも有効である。

尚、上記の実施形態では、開口部２０について、コンタクトホール１７ａの領域を全て包含するように、その大きさおよび配置を設定しているが、それらは必要とされる条件（例えば、補助容量）などに応じて任意に設定することができる。

また、上記の実施形態では、開口部２０に対応する液晶層４０の領域を遮光するのに、ドレイン電極１６ｄを利用するようにしているが、ドレイン電極１６ｄ以外の既存の要素（例えば、絵素電極１８）を利用するようにしたり、さらには、専用の遮光層を設るようにしてもよい。

また、上記の実施形態では、Ｃｓ対向電極１３を、ゲート信号線１２と同じ材料を用いて該ゲート信号線１２の形成時に同時に形成するようにしているが、材料や形成時期については任意に設定することができる。

さらに、上記の実施形態では、アクティブマトリックス基板１０が液晶表示装置に用いられる場合について説明しているが、例えば有機ＥＬ表示装置に用いるようにしてもよい。

（実施形態２）
図４および図５は、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置の要部の構成を示していて、図４は、対向基板３０側から見たアクティブマトリックス基板１０の１絵素領域分の構成を示す平面図であり、図５は、図４のＶ−Ｖ線拡大断面に相当する液晶表示装置全体の断面図である。尚、実施形態１の場合と同じ部分には同じ符号を付している。

本実施形態では、各絵素領域の層間絶縁膜１７には、第１および第２の２つのコンタクトホール１７ａ，１７ｂが形成されている。

第１コンタクトホール１７ａは、ＴＦＴ１６の近傍に配置されており、ドレイン電極１６ｄと絵素電極１８との電気的な接続は、この第１コンタクトホール１７ａを経由して行われている。また、第２コンタクトホール１７ｂは、絵素領域の境界部分を通る２本のゲート信号線１２のうち、ＴＦＴ１６とは反対の側に位置するゲート信号線１２の側に配置されている。

層間絶縁膜１７上における第２コンタクトホール１７ｂの領域には、補助容量電極２１（以下、Ｃｓ電極という）が設けられている。このＣｓ電極２１は、ゲート信号線１２の方向に延びる略矩形状をなしている。但し、ゲート信号線１２の延びる方向において相隣接する絵素領域間では、Ｃｓ電極２１同士は互いに分離している。

一方、各絵素領域の境界部分に位置する２本のゲート信号線１２のうち、ＴＦＴ１６とは反対の側（図４の下側）に位置するゲート信号線１２は、Ｃｓ電極２１と略同じ幅寸法を有し、かつ該Ｃｓ電極２１に正対するように該絵素領域の側（同図の上側）にずれており、このゲート信号線１２により、本発明における補助容量対向配線が構成されている。

そして、本実施形態では、第２コンタクトホール１７ｂの領域に対応する前記ゲート信号線１２の部位に、開口部２２が設けられている。具体的には、開口部２２は、第２コンタクトホール１７ｂの領域を全て包含するように、その大きさおよび配置が設定されている。

したがって、本実施形態によれば、層間絶縁膜１７上の絵素電極１８と、該層間絶縁膜１７の下層に位置するドレイン電極１６ｄおよびＣｓ電極２１とを、それぞれ、第１および第２コンタクトホール１７ａ，１７ｂを通して電気的に接続する一方、Ｃｓ電極２１の下方にゲート絶縁膜１４を介してゲート信号線１２を配置し、該Ｃｓ電極２１とゲート信号線１２との間に補助容量を形成するようにした液晶表示装置のアクティブマトリックス基板１０において、第２コンタクトホール１７ｂの領域に対応するゲート信号線１２の部位が、該ゲート信号線１２の存在しない開口部２２であるので、Ｃｓ電極２１に欠陥が生じていた場合に、層間絶縁膜１７をエッチングして第２コンタクトホール１７ｂを形成する際に、前記欠陥箇所を通してゲート絶縁膜１４に欠陥が生じたとしても、そのようなゲート絶縁膜１４の欠陥箇所に起因するＣｓ電極２１およびゲート信号線１２間におけるリークの発生が抑えられる。また、上記開口部２２に対応する液晶層４０の領域は、Ｃｓ電極２１により遮光されているので、開口部２２に起因するコントラストの低下を招くことがなく、しかも、元々、Ｃｓ電極２１により遮光される領域であるので、補助容量については開口部２２の分だけ減少するものの、開口率の低下を招くことはない。

よって、コントラストや開口率の低下を招くことなく、ゲート絶縁膜１４の欠陥に起因するＣｓ電極２１およびゲート信号線１２間におけるリークの発生を抑えることができ、実施形態１の場合と同様に、高品位の液晶表示装置を高い歩留りでもって製造することができる。

尚、上記の実施形態では、ゲート信号線１２により補助容量対向配線を構成するようにしているが、ゲート信号線１２以外の既存の要素により補助容量対向配線を構成するようにしてもよいし、又は専用の補助容量対向配線を新たに設けるようにしてもよい。

（実施形態３）
図６および図７は、本発明の実施形態３に係る液晶表示装置の要部の構成を示していて、図６は、対向基板３０側から見たアクティブマトリックス基板１０の１絵素領域分の構成を示す平面図であり、図７は、図６のVII−VII線拡大断面に相当する液晶表示装置全体の断面図である。尚、実施形態１の場合と同じ部分には同じ符号を付している。

本実施形態では、絵素電極１８の一部を、例えばＡｌなどように反射性の高い金属からなる反射導電膜１８ａで構成するようにしている。

具体的には、ドレイン電極１６ｄおよびＣｓ対向電極１３の領域を含むＴＦＴ１６の領域に対応する絵素電極１８の部位（図６の上側の部位）については、反射導電膜１８ａにより構成されており、絵素電極１８の残りの部位（同図の下側の部位）については、実施形態１の場合と同様の透明導電膜１８ｂにより構成されている。反射導電膜１８ａと透明導電膜１８ｂとの電気的な接続は、透明導電膜１８ｂの端部上に反射導電膜１８ａの端部が重なり合うようにしてなされている。つまり、本アクティブマトリックス基板１０の製造時に、層間絶縁膜１７上に、先ず、透明導電膜１８ｂを形成し、次に、反射導電膜１８ａをその端部が透明導電膜１８ｂの端部上に重なり合う状態に形成する。尚、その他の構成は実施形態１の場合と同じであるので説明は省略する。

したがって、本実施形態によっても、実施形態１の場合と略同様の効果を得ることができる。

尚、上記の実施形態では、Ｃｓ対向電極１３の領域を基準にして、そのＴＦＴ１６側の領域を反射領域にする一方、その反対側の領域を透過領域にするようにしているが、これとは逆に、ＴＦＴ１６側の領域を透過領域にする一方、反対側の領域を反射領域にするようにしてもよい。

Claims (11)

1. 絶縁性基板と、
   前記絶縁席基板上に配置された複数本の制御信号線と、
   前記複数本の制御信号線を覆うように設けられた制御絶縁膜と、
   前記制御絶縁膜上に前記複数本の制御信号線に交差するように配置された複数本のデータ信号線と、
   対応する前記制御信号線に電気的に接続された制御電極と、対応する前記データ信号線に電気的に接続された第１の電極と、前記制御絶縁膜上に配置された第２の電極とを有し、絵素領域毎に設けられたスイッチング素子と、
   絵素領域毎にコンタクトホールを有し、前記複数のスイッチング素子を覆うように設けられた層間絶縁膜と、
   絵素領域毎に前記層間絶縁膜上に配置されるように設けられ、該絵素領域の前記コンタクトホールを経由して前記スイッチング素子の前記第２電極に電気的に接続された絵素電極と、
   前記制御絶縁膜を介して前記第２電極に対向するように配置され、該第２電極との間に補助容量を形成する補助容量対向電極とを備えたアクティブマトリックス基板であって、 前記コンタクトホールの領域に対応する前記補助容量対向電極の部位に、開口部が設けられていることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
2. 請求項１に記載のアクティブマトリックス基板において、
   前記開口部は、前記コンタクトホールの領域を全て包含することを特徴とするアクティブマトリックス基板。
3. 請求項１に記載のアクティブマトリックス基板において、
   前記絵素電極は、透明導電膜からなり、
   前記第２電極および前記補助容量対向電極は、共に透明導電膜からなることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
4. 請求項１に記載のアクティブマトリックス基板において、
   前記絵素電極は、透明導電膜からなり、
   前記コンタクトホールの領域を透過しようとする光を遮る遮光層を備えていることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
5. 請求項４に記載のアクティブマトリックス基板において、
   前記第２電極は、光を透過させない非透過性導電膜からなり、
   前記遮光層は、前記第２電極により構成されていることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
6. 請求項１に記載のアクティブマトリックス基板において、
   少なくとも前記コンタクトホールの領域に対応する前記絵素電極の部位は、光を反射する反射導電膜からなることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
7. 請求項１に記載のアクティブマトリックス基板において、
   前記補助容量対向電極は、前記制御信号線と同じ材料からなることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
8. 請求項１，２，３，４，５，６，７の何れか１項に記載のアクティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス基板に対向するように配置された対向基板と、前記アクティブマトリックス基板および前記対向基板間に配置された液晶層とを備えていることを特徴とする液晶表示装置。
9. 絶縁性基板と、
   前記絶縁性基板上に配置された複数本の制御信号線と、
   前記複数の制御信号線を覆うように設けられた制御絶縁膜と、
   前記制御絶縁膜上に前記複数本の制御信号線に交差するように配置された複数本のデータ信号線と、
   対応する前記制御信号線に電気的に接続された制御電極と、対応する前記データ信号線に電気的に接続された第１の電極と、前記制御絶縁膜上に配置された第２の電極とを有し、絵素領域毎に設けられたスイッチング素子と、
   絵素領域毎に第１コンタクトホールおよび第２コンタクトホールを有し、前記複数のスイッチング素子を覆うように設けられた層間絶縁膜と、
   絵素領域毎に前記層間絶縁膜上に配置されるように設けられ、該絵素領域の前記第１コンタクトホールを経由して前記スイッチング素子の前記第２電極に電気的に接続された絵素電極と、
   絵素領域毎に前記制御絶縁膜および前記層間絶縁膜間に配置されるように設けられ、前記第２コンタクトホールを経由して前記絵素電極に電気的に接続された補助容量電極と、 前記制御絶縁膜を介して前記補助容量電極に対向するように配置され、該補助容量電極との間に補助容量を形成する補助容量対向配線とを備えたアクティブマトリックス基板であって、
   前記第２コンタクトホールの領域に対応する前記補助容量対向配線の部位に、開口部が設けられていることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
10. 請求項９に記載のアクティブマトリックス基板において、
    前記補助容量対向配線は、前記制御信号線であることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
11. 請求項９に記載のアクティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス基板に対向するように配置された対向基板と、前記アクティブマトリックス基板および前記対向基板間に配置された液晶層とを備えていることを特徴とする液晶表示装置。
    
    

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