JPWO2005101379A1 - 磁気ハードディスク用ガラス基板のテクスチャ加工方法及びスラリー - Google Patents

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Abstract

100Åを超える異常突起がなく、ライン密度30本/μmのテクスチャ条痕が明確且つ一様に形成されるように磁気ハードディスク用のガラス基板をテクスチャ加工する方法及びこのテクスチャ加工に用いられるスラリーを提供する。回転するガラス基板15にスラリーを供給し、加工テープ14を押し付け、走行させる。スラリーが、衝撃法により生成される人工ダイヤモンドからなる砥粒を分散したものである。砥粒として、一次粒子の平均粒径が1nm〜20nmの範囲にある人工ダイヤモンドの粒子、及びこの粒子からなる二次粒子の平均粒径が0.05μm〜0.20μmの範囲にあるクラスター粒子が使用される。スラリーに、高級脂肪酸アマイド、及びグリコール化合物、有機リン酸エステル及び界面活性剤から選択される少なくとも二種の剤から構成される添加剤が添加される。

Description

本発明は、磁気ハードディスク用のガラス基板にテクスチャ条痕を形成するテクスチャ加工方法及びこのテクスチャ加工に用いられるスラリーに関するものである。
文字、画像、音声などの情報を記録し再生するコンピュータなどの情報処理装置には、情報の記録容量の増大と、再生の正確さが要求されている。
情報は、情報処理装置の磁気ヘッドによって、磁気ハードディスクに磁気的に記録され、また磁気ハードディスクから再生される。
情報の記録容量の増大と、再生の正確さは、磁気ハードディスクの表面と磁気ヘッドとの間の距離(浮上距離)に大きく依存する。すなわち、浮上距離を小さくし、この浮上距離を安定させることで、情報の記録容量が増大でき、正確な再生ができる。このため、磁気ヘッドの浮上距離を50nm以下で安定させることが要求されている。
磁気ヘッドの浮上距離を安定させ、磁気ハードディスクの表面への磁気ヘッドの吸着を防止し、さらに磁気ハードディスクの表面の円周方向に磁気的配向を与えて磁気特性を向上するため、磁気ハードディスクの表面には、ほぼ同心円状の線条が形成される。
そして、上記のように小さい浮上距離(50nm以下)で磁気ヘッドを安定させ、磁気ヘッドの吸着を防止し、磁気特性を向上するため、ライン密度30本/μm以上の線条を磁気ハードディスクの表面にわたって明確且つ一様に形成することが要求されている。(このライン密度は、磁気ハードディスクの半径方向の距離1μmを横切る線条の本数をいう。)
磁気ハードディスクは、磁気ハードディスク基板を鏡面に研磨した後に、この磁気ハードディスク基板の表面にテクスチャ条痕と呼ばれる同心円状の線条を形成し、この上に、磁性層や保護層を積層したものであり、磁気ハードディスクの表面に形成される上記の線条は、磁気ハードディスク基板の表面に形成したテクスチャ条痕とほぼ相似形にある。
このことから、磁気ハードディスク基板の表面に異物(加工残留物など)が付着して異常に高いバリが形成されていたり、異常に高い山部分が形成されていると(以下、これら異常に高いバリと山部分を総称して異常突起という)、磁気ハードディスクの表面にこの異常突起と相似形の突起が上記した異常突起として形成され、この突起が磁気ヘッドに衝突し(これをヘッドヒットという)、磁気ヘッドや磁気ハードディスクの表面を損傷させるという問題が生じる。
このため、テクスチャ加工後の磁気ハードディスク基板の表面に、ヘッドヒットの原因となる100Åを超える異常突起があるか否かについての検査が行われ、このような異常突起があると、磁気ハードディスク基板は不合格品として廃棄される。
また、ライン密度30本/μm以上のテクスチャ条痕が磁気ハードディスク基板の表面にわたって明確且つ一様に形成されていないと、上述のように、ライン密度30本/μm以上の線条が磁気ハードディスクの表面にわたって明確且つ一様に形成されず、小さい浮上距離(50nm以下)で磁気ヘッドを安定させ、磁気ヘッドの吸着を防止し、磁気特性を向上することができない。このため、ライン密度(このライン密度は、磁気ハードディスク基板の半径方向の距離1μmを横切るテクスチャ条痕の本数をいう)30本/μm以上のテクスチャ条痕が磁気ハードディスク基板の表面にわたって明確且つ一様に形成されているか否かの判定試験が行われている。
一般に、ライン密度は、原子間力顕微鏡などの顕微鏡から得られたテクスチャ加工後の磁気ハードディスク基板の表面の拡大写真やコンピュータ画像から判定され、また、テクスチャ条痕が明確且つ一様に形成されているか否かについては、テクスチャ加工後の磁気ハードディスク基板の表面に光を照射し、この磁気ハードディスク基板の表面を低倍率(一般に、約4倍)で撮影した写真を用いて判定される。
この判定用の写真の図を図2〜8に例示する。図2〜4では、明確なテクスチャ条痕が磁気ハードディスク基板の中心付近から外周に向けて同心円状に一様に形成されているが、図5〜8では、明確なテクスチャ条痕が一様に形成されていない。このため、図5〜8に例示されるような表面にテクスチャ加工されたガラス基板は、不合格品として廃棄される。(ここで、図4では、明確なテクスチャ条痕が一様に形成されているが、図4に示す磁気ハードディスク基板は、後述するように、異常突起があるため、不合格品となるものである。)
このように、テクスチャ加工された磁気ハードディスク基板は、上記の判定試験と、異常突起の有無の検査との両方に合格しなければ、不合格品として廃棄される。
テクスチャ加工は、回転する磁気ハードディスク基板の表面に、砥粒を分散したスラリーを供給し、その上に、プラスチック繊維からなる織布、不織布、起毛布等から選択される加工テープを押し付け、走行させることによって行われる(例えば、特開平3−147518号公報を参照)。
磁気ハードディスク基板として、表面にアルマイト処理やNi−Pメッキなどの非磁性メッキを施したアルミニウム基板が一般的に使用されてきたが、平坦性、平滑性及び剛性に優れたガラス基板が広く使用されるようになってきた。そして、アルミニウム基板よりも硬質のガラス基板のテクスチャ加工には、ダイヤモンド砥粒を分散したスラリーが使用されている(特開平4−28013号公報、特開平5−290369号公報、特開平5−166176号公報及び特開平8−241521号公報を参照)(アルミニウム基板のテクスチャ加工用のスラリーについては特開2000−141210号公報を参照)。
より小さい粒径の砥粒を使用することにより、より高いライン密度のテクスチャ条痕を形成でき、また砥粒の粒径を揃えることにより、より均一なテクスチャ条痕を形成できると考えられている。
ダイヤモンド砥粒として、天然ダイヤモンド粒子(特開平4−28013号公報、特開平5−290369号公報、特開平5−166176号公報及び特開平8−241521号公報を参照)又は人工ダイヤモンド粒子(特開2000−136376号公報を参照)が使用されている。
しかし、ダイヤモンド砥粒として使用される天然ダイヤモンド粒子は、一般に、天然ダイヤモンドのクズを機械的に粉砕して製造されるので、0.1μm以下の平均粒径で粒径を揃えることが困難であり、高いライン密度(30本/μm以上)のテクスチャ条痕を形成できない。
また、ダイヤモンド砥粒として使用される人工ダイヤモンドの粒子として、炭素を機械的に圧縮して、高圧高温下で溶融触媒(金属)中に溶かし、その低温部分に人工ダイヤモンドを析出させる静圧法(例えば、“ダイヤモンドの作り方と高圧力技術”、荒木正任著、技術開発ニュース、No.75、1998年1月、第3〜4頁(インターネットアドレス“http://www.chuden.co.jp/torikumi/kenkyu/news/pdf/075/N07503.pdf”より入手可能)を参照)により生成される20nm以下の人工ダイヤモンドからなる粒子の使用が提案されている(特開2000−136376号公報を参照)。
しかし、この人工ダイヤモンドの粒子は、人工ダイヤモンドを加熱して、表面部分の全部又は一部を非ダイヤモンド炭素に転換したものであり、ガラス基板の表面のテクスチャ加工に使用すると、この表面部分を被覆している非ダイヤモンド炭素がガラス基板の表面に作用するため、硬質なガラス基板の表面に、高いライン密度(30本/μm以上)で、明確なテクスチャ条痕を形成できない。
一方、上記のようなダイヤモンド砥粒を単に分散したスラリーでは硬質なガラス基板の表面にテクスチャ条痕を形成することが困難であるため、スラリーには、ガラス基板の表面と化学的に反応する溶液(例えば、水酸化カリウムなどの水酸基を有する溶液)が添加されている(特開平8−241521号公報及び特開2001−9694号公報を参照)。
しかし、このような化学的に反応する溶液を添加したスラリーを使用してガラス基板をテクスチャ加工すると、ガラス基板の表面の粗さを極小さくできるが、テクスチャ条痕が不明確であり、ガラス基板の表面にわたって一様に形成されず、合格品を安定して提供できないのが現状である。
以上のように、磁気ハードディスクの製造技術の分野において、合格品、すなわち、100Åを超える異常突起がなく、ライン密度が30本/μmのテクスチャ条痕を明確且つ一様に形成した磁気ハードディスク用のガラス基板を安定して提供できるテクスチャ加工技術の開発が技術的な課題となっている。
したがって、本発明の目的は、100Åを超える異常突起がなく、ライン密度30本/μmのテクスチャ条痕が明確且つ一様に形成されるように磁気ハードディスク用のガラス基板をテクスチャ加工する方法及びこのテクスチャ加工に用いられるスラリーを提供することである。
本願発明者は、上記課題を解決するため、鋭意研究を重ねた結果、ガラス基板の表面に、ライン密度が30本/μmのテクスチャ条痕を明確且つ一様に形成するためには、一次粒子の平均粒径が1nm〜20nmの範囲にあり、二次粒子の平均粒径が0.05μm〜0.20μmの範囲にある砥粒を使用して、平均表面粗さが4Åを超えるようにテクスチャ加工する必要があることを見出した。
したがって、本発明に従った磁気ハードディスク用のガラス基板は、100Åを超える異常突起がなく、平均表面粗さが4Åを超える範囲にあり、ライン密度が30本/μm以上の範囲にあるテクスチャ条痕が一様に形成されたものである。好適に、本発明に従った磁気ハードディスク用のガラス基板の平均表面粗さは、4Åを超え、7Å以下の範囲にある。
本発明に従ったテクスチャ加工は、ガラス基板を回転させ、ガラス基板の表面にスラリーを供給し、このガラス基板の表面に加工テープを押し付け、走行させることによって行われる。
スラリーは、砥粒、及びこの砥粒の分散媒から構成される。
本発明では、この砥粒として、衝撃法により生成される人工ダイヤモンドからなる砥粒が使用される。そして、ライン密度が30本/μmのテクスチャ条痕を形成するため、この砥粒として、一次粒子の平均粒径が1nm〜20nmの範囲にある人工ダイヤモンドの粒子、及びこの粒子からなる二次粒子の平均粒径が0.05μm〜0.20μmの範囲にあるクラスター粒子が使用される。
砥粒の含有量は、スラリーの全量を基準として、0.02重量%以上の範囲にあり、望ましくは、0.02重量%〜3.0重量%の範囲にある。
分散媒は、水、及び添加剤から構成される。
上記の砥粒を使用して、100Åを超える異常突起がなく、ガラス基板の平均表面粗さが4Åを超えるようにテクスチャ加工し、さらにテクスチャ条痕を明確且つ一様に形成するため、本発明では、添加剤として、高級脂肪酸アマイドと、グリコール化合物、有機リン酸エステル及び界面活性剤から選択される少なくとも二種の剤とから構成されるものが使用される。
添加剤の含有量は、スラリーの全量を基準(スラリーを100重量%)として、0.5重量%以上の範囲にあり、望ましくは、0.5重量%〜5重量%の範囲にある。
添加剤の全量を基準(添加剤を100重量%)として、高級脂肪酸アマイドの含有量は、20重量%〜60重量%の範囲にあり、グリコール化合物の含有量は、20重量%〜60重量%の範囲にあり、有機リン酸エステルの含有量は、5重量%〜40重量%の範囲にあり、界面活性剤の含有量は、20重量%以下の範囲にある。
加工テープとして、少なくとも表面部分が太さ0.1μm〜5.0μmの範囲にある繊維からなる織布、不織布、植毛布又は起毛布からなるテープが使用される。
本発明が以上のように構成されるので、磁気ハードディスク用のガラス基板に、100Åを超える異常突起がなく、ライン密度が30本/μmのテクスチャ条痕を明確且つ一様に形成できるという効果を奏する。
図1は、両面加工用のテクスチャ加工装置を示す。
図2は、テクスチャ加工後のガラス基板の表面のコンピュータ画像、及び光学観察装置を使用して光を照射したガラス基板の表面の図である(実施例1)。
図3は、テクスチャ加工後のガラス基板の表面のコンピュータ画像、及び光学観察装置を使用して光を照射したガラス基板の表面の図である(実施例9)。
図4は、テクスチャ加工後のガラス基板の表面のコンピュータ画像、及び光学観察装置を使用して光を照射したガラス基板の表面の図である(比較例1)。
図5は、テクスチャ加工後のガラス基板の表面のコンピュータ画像、及び光学観察装置を使用して光を照射したガラス基板の表面の図である(比較例2)。
図6は、テクスチャ加工後のガラス基板の表面のコンピュータ画像、及び光学観察装置を使用して光を照射したガラス基板の表面の図である(比較例3)。
図7は、テクスチャ加工後のガラス基板の表面のコンピュータ画像、及び光学観察装置を使用して光を照射したガラス基板の表面の図である(比較例4)。
図8は、テクスチャ加工後のガラス基板の表面のコンピュータ画像、及び光学観察装置を使用して光を照射したガラス基板の表面の図である(比較例5)。
本発明に従った磁気ハードディスク用のガラス基板は、100Åを超える異常突起がなく、ガラス基板の平均表面粗さが4Åを超える範囲にあり、ライン密度がガラス基板の半径方向に30本/μm以上の範囲にあるテクスチャ条痕が一様に形成されたものである。好適に、ガラス基板の平均表面粗さは、4Åを超え、7Å以下の範囲にある。
ガラス基板として、二酸化珪素(SiO)、酸化ナトリウム(NaO)、酸化カルシウム(CaO)を主成分とするソーダライムガラス、二酸化珪素(SiO)、酸化アルミニウム(Al)、RO(R=カリウム(K)、ナトリウム(Na)又はリチウム(Li))を主成分とするアルミシリケートガラス、ボロシリケートガラス、酸化リチウム(LiO)−SiO系ガラス、LiO−Al−SiO系ガラス、R´O−Al−SiO系ガラス(R´=マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba))が使用でき、これらガラスに酸化ジルコニウム(ZrO)、酸化チタン(TiO)などを添加した化学強化ガラスが使用できる。また、ガラス基板として、化学的に表面強化処理(硝酸カリウムと硝酸ナトリウ厶の混合溶融塩の加熱溶融液中にガラス基板を浸漬して、ガラス基板表面の一部のイオンを、これよりも大きいイオン径のイオンと交換する)したものが使用できる。さらに、ガラス基板として、主結晶がα−クリストバライト(α−SiO)及び二酸化リチウム(LiO・SiO)からなる結晶化ガラスが使用できる。
本発明に従った磁気ハードディスク用のガラス基板は、ガラス基板をテクスチャ加工することによって得られる。
図1に、両面加工用のテクスチャ加工装置を例示する。図示のような両面加工用のテクスチャ加工装置に代えて、ガラス基板の片面のみを加工する片面加工用のテクスチャ加工装置(図示せず)を使用してもよい。図示のように、ガラス基板のテクスチャ加工は、駆動モータに連結したシャフト(図示せず)にガラス基板15を取り付けた後、駆動モータを駆動してガラス基板15を矢印Rの方向に回転させる。そして、このガラス基板15の表裏両面にノズル12、12を通じてスラリーを供給し、コンタクトローラ11、11を介して加工テープ14、14をガラス基板15の表裏両面に押し付け、これら加工テープ14、14を矢印T、Tの方向に走行させることによって行われる。
テクスチャ加工後は、ガラス基板15を矢印Rの方向に回転させたまま、ノズル13、13を通じて水等の洗浄液をガラス基板15の表裏両面に吹きかけてガラス基板15の洗浄を行う。
スラリーは、砥粒、及びこの砥粒の分散媒から構成される。
砥粒として、衝撃法により生成される人工ダイヤモンドからなるものが使用され、この砥粒として、一次粒子の平均粒径が1nm〜20nmの範囲にある人工ダイヤモンドの粒子、及びこの粒子からなる二次粒子の平均粒径が0.05μm〜0.20μmの範囲にあるクラスター粒子が使用される。
クラスター粒子は、5個〜20個の人工ダイヤモンドの粒子が房状に集まって結合した凝集体である。テクスチャ加工中、クラスター粒子を構成している小さい一次粒子が、加工テープによってガラス基板の表面に押し付けられ、この一次粒子によりガラス基板の表面にテクスチャ条痕となる溝の線が短い間隔で形成される。一方、ガラス基板の表面に過度の圧力で押し付けられたクラスター粒子は、これよりも小さいクラスター粒子や一次粒子に崩壊し、崩壊した粒子がガラス基板の表面に作用するので、スクラッチを形成せずに、ガラス基板の表面に明確なテクスチャ条痕を均一に形成できる。すなわち、小さい一次粒子がガラス基板の表面にわたってほぼ等しい圧力で作用するので、テクスチャ条痕がガラス基板の表面に均一且つ一様に形成される。
砥粒は、既知の衝撃法(爆発合成法とも呼称される)(例えば、特開2000−136376号公報を参照)によって製造される。衝撃法は、黒鉛の粉末からなるダイヤモンド原料を衝撃を与えて高温で圧縮した後、不純物を除去してダイヤモンドの粒子を人工的に得る方法であり、この方法によると、密度3.2g/cm〜3.4g/cm(天然のダイヤモンド粒子の密度は3.51g/cmである)の範囲にあるダイヤモンドの粒子が人工的に得られる。
砥粒の含有量は、スラリーの全量を基準として、0.02重量以上の範囲にある。砥粒の含有量が、0.02重量%末満であると明確なテクスチャ条痕を形成できない。なお、砥粒の含有量が3.0重量%を超えても、テクスチャ条痕の本数と平均表面粗さに著しい変化はないので、使用する砥粒のコストを低減するため、砥粒の含有量の上限を3.0重量%とすることが望ましい。
分散媒は、水、及び添加剤から構成される。
添加剤は、高級脂肪酸アマイド、及びグリコール化合物、有機リン酸エステル及び界面活性剤から選択される少なくとも二種の添加剤から構成される。
添加剤の含有量は、スラリーの全量を基準として、0.5重量%以上の範囲にある。5.0重量%を超える量の添加剤を使用しても、ガラス基板の表面に著しい変化がないので、スラリーのコストを低減させるため、添加剤の含有量の上限を5.0重量%とすることが望ましい。
高級脂肪酸アマイドは、加工速度を促進させる加工促進剤として機能する。高級脂肪酸アマイドとして、オレイン酸ジエタノールアマイド、ステアリン酸ジエタノールアマイド、ラウリン酸ジエタノールアマイド、リシノリン酸ジエタノールアマイド、リシノリン酸イソプロパノールアマイド、エルシン酸ジエタノールアマイド、トール脂肪酸ジエタノールアマイドなどが使用され、炭素数が12〜22の範囲にあるものが好ましい。高級脂肪酸アマイドの含有量は、添加剤の全量を基準として、20重量%〜60重量%の範囲にある。高級脂肪酸アマイドの含有量が、20重量%未満では加工速度が低下し、60重量%を超えると異常突起(Rp)が発生する。
グリコール化合物は、砥粒との親和性があり、分散剤として機能する。また、グリコール化合物を使用すると、分散媒を調製する際に、分散媒の粘度を下げるので、分散媒を均一に調製できる。さらに、水との親和性があるので、加工後のガラス基板の洗浄を効率的に行える。グリコール化合物として、アルキレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ジエチレングリコールブチルエーテルなどが使用できる。グリコール化合物の含有量は、添加剤の全量を基準として、20重量%〜60重量%の範囲にある。グリコール化合物の含有量が、20重量%未満であると砥粒の分散性が低下し、砥粒が沈降し易くなり、大きな凝集粒子が形成され、60重量%を超えると明確なテクスチャ条痕が形成され難くなる。
有機リン酸エステルは、ガラス基板の表面への異常突起(研磨クズがガラス基板の表面に付着して形成されるバリ)の発生を抑制する機能を有する。有機リン酸エステルは、リン酸(HPO)の水素をアルキル基又はアリル基で置換したエステルであり、有機リン酸エステルとして、脂肪族系塩型、芳香族系塩型などが使用でき、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテルのリン酸塩が使用できる。有機リン酸エステルの含有量は、添加剤の全量を基準として、5重量%〜40重量%の範囲にある。有機リン酸エステルの含有量が、5重量%未満であると、異常突起が発生し易くなり、40重量%を超えると明確なテクスチャ条痕を形成し難くなる。
界面活性剤は、砥粒の分散性を向上させる働きがある。界面活性剤として、ノニオン系又はアニオン系の界面活性剤が使用できる。界面活性剤の含有量は、添加剤の全量を基準として、20重量%以下の範囲にある。
スラリーは、水に砥粒を加え、これに、高級脂肪酸アマイドと、グリコール化合物、有機リン酸エステル及び界面活性剤から選択される少なくとも二種の剤とから構成される添加剤を加え、モホミキサーで攪拌して製造される。
加工テープとして、少なくとも表面部分(ガラス基板の表面に実質的に作用する部分)が太さ0.1μm〜5.0μmの範囲にある繊維からなる織布、不織布、植毛布又は起毛布からなるテープが使用される。この繊維の太さが、0.1μm未満であると、加工テープの表面部分の繊維とスラリー中の砥粒との接触点が減少し、ガラス基板の表面に砥粒を十分に作用できず、明確なテクスチャ条痕を形成できない。また、繊維の太さが5.0μmを超えると、加工テープの表面部分を構成する繊維と繊維との間の段差が増大し、ガラス基板の表面にテクスチャ条痕を均一に形成できない。
<比較試験> 比較試験は、分散媒の組成の異なるスラリー(下記の実施例1〜15及び比較例1〜7)を使用して、ガラス基板(直径2.5インチ、厚さ0.63mm)の表面のテクスチャ加工を行った。ガラス基板として、予め鏡面に研磨され、表面強化処理が施された平均表面粗さ(Ra)2〜5Åのものを使用した。テクスチャ加工は、図1に示すような両面加工用のテクスチャ加工装置を使用し、下記の表1に示す加工条件で行った。
Figure 2005101379
なお、実施例及び比較例では、砥粒として、衝撃法(爆発合成法)によって得られた平均粒径20nm以下の人工ダイヤモンド粒子(一次粒子)が使用され、この人工ダイヤモンド粒子からなるクラスター粒子(二次粒子)の平均粒径(D50)が0.1μmであった。また、各実施例及び比較例では、加工テープとして、太さ2.0μmのナイロン繊維からなる厚さ700μmの織布からなるテープを使用した。
比較試験では、下記の(1)〜(4)について、各実施例及び比較例で比較した。
(1)テクスチャ加工後のガラス基板の平均表面粗さ(Ra)について、AMF(原子間力顕微鏡)(製品名:Dimension3100、デジタル・インスツルメント社)を使用して計測した。
(2)テクスチャ加工後のガラス基板の山と谷の最大高低差(Rmax)について、AMF(原子間力顕微鏡)(製品名:Dimension3100、デジタル・インスツルメント社)を使用して計測した。
(3)異常突起(Rp)について、異常突起は、ヘッドヒットの原因となるものであり、テクスチャ加工後のガラス基板に、100Åを超える異常突起があった場合、このガラス基板を不合格(下記の表4及び表5に×印で示す)とし、このような異常突起がなかった場合、合格(下記の表4及び表5に○印で示す)とした。
(4)テクスチャ加工後のガラス基板に、ライン密度が30本/μm以上のテクスチャ条痕が明確且つ一様に形成されたか否かについて判定した。ライン密度が30本/μm以上のテクスチャ条痕が形成されたか否かについて、テクスチャ加工後のガラス基板の表面のコンピュータ画像から判定した。また、テクスチャ条痕が明確且つ一様に形成されているか否かについて、光学観察装置(製品名:VMX−2100、メタルハライド180W光源ランプ使用、VISION PSYTEC社)を使用して調べた。この光学観察(Micro Max)による判定は、光を照射したガラス基板の表面の写真(低倍率(約4倍))を使用して行った。ライン密度が30本/μm以上のテクスチャ条痕が明確且つ一様に形成されていないガラス基板を不合格(下記の表4及び表5に×印で示す)とし、このようなテクスチャ条痕が明確且つ一様に形成されているガラス基板を合格(下記の表4及び表5に○印で示す)とした。
<実施例1〜15> 実施例1〜15は、下記の表2に示す組成のスラリーを使用して、ガラス基板のテクスチャ加工を行った。試験結果を下記の表4に示す。
<比較例1〜7> 比較例1〜7は、下記の表3に示す組成のスラリーを使用して、ガラス基板のテクスチャ加工を行った。試験結果を下記の表5に示す。
Figure 2005101379
Figure 2005101379
<試験結果> 実施例1〜15の試験結果を下記の表4に示し、比較例1〜7の試験結果を下記の表5に示す。
Figure 2005101379
Figure 2005101379
表2〜5に示すように、ガラス基板の平均表面粗さ(Ra)が4Å以下であると、テクスチャ条痕がガラス基板の表面にわたって明確且つ一様に形成されない(比較例2〜6、及び図4〜8を参照)が、平均表面粗さが4Åを超えることにより、テクスチャ条痕が明確且つ一様に形成される(実施例1〜15、比較例1及び7、図2、3及び4を参照)。このことから、ライン密度が30本/μm以上のテクスチャ条痕がガラス基板の表面に明確且つ一様に形成される条件は、4Åを超える平均表面粗さ(Ra)の表面にガラス基板をテクスチャ加工することである。
しかし、ガラス基板の平均表面粗さが4Åを超えても、100Å以上の異常突起が発生する(比較例1及び7を参照)。これについて検討すると、比較例1及び7では、高級脂肪酸アマイドを含有した添加剤を使用したため、平均表面粗さが4Åを超え、テクスチャ条痕が明確且つ一様に形成されたが、高級脂肪酸アマイドの含有量が多量すぎる(添加剤の全量を基準として、60重量%を超える範囲)ため、異常突起が発生したと考えられる。
一方、添加剤の全量を基準として、20重量%〜60重量%の範囲(60重量%を超えない)にある高級脂肪酸アマイド、及び20重量%〜60重量%の範囲にあるグリコール化合物、5重量%〜40重量%の範囲にある有機リン酸エステル及び20重量%以下の範囲にある界面活性剤から選択される少なくとも二種の剤から構成される添加剤を、スラリーの全量を基準として0.5重量%以上含有したスラリーを使用することにより、ガラス基板に、100Åを超える異常突起がなく、ライン密度が30本/μm以上の範囲にあるテクスチャ条痕が明確且つ一様に形成された(実施例1〜15、図2及び3を参照)。
このように、本発明に従ったスラリーの組成(添加剤の組成)により、ガラス基板に、100Åを超える異常突起がなく、ライン密度が30本/μm以上の範囲にあるテクスチャ条痕を明確且つ一様に形成できるのである。

Claims (7)

  1. 磁気ハードディスク用のガラス基板に、100Åを超える異常突起がなく、平均表面粗さが4Åを超える範囲にある表面が形成され、ライン密度が30本/μm以上の範囲にあるテクスチャ条痕が一様に形成されるように、前記ガラス基板の表面をテクスチャ加工する方法であって、
    前記ガラス基板を回転させる工程、
    前記ガラス基板の表面にスラリーを供給する工程、及び
    前記ガラス基板の表面に加工テープを押し付け、走行させる工程、
    から成り、
    前記スラリーが、
    衝撃法により生成される人工ダイヤモンドからなる砥粒、及び
    前記砥粒の分散媒、
    から成り、
    前記砥粒の含有量が、前記スラリーの全量を基準として、0.02重量%以上の範囲にあり、
    前記砥粒として、
    一次粒子の平均粒径が1nm〜20nmの範囲にある前記人工ダイヤモンドの粒子、及び
    前記粒子からなる二次粒子の平均粒径が0.05μm〜0.20μmの範囲にあるクラスター粒子、
    が使用され、
    前記分散媒が、
    水、及び
    添加剤、
    から成り、
    前記添加剤の含有量が、前記スラリーの全量を基準として、0.5重量%以上の範囲にあり、
    前記添加剤が、
    高級脂肪酸アマイド、及び
    グリコール化合物、有機リン酸エステル及び界面活性剤から選択される少なくとも二種の剤、
    から成り、
    前記添加剤の全量を基準として、
    前記高級脂肪酸アマイドの含有量が、20重量%〜60重量%の範囲にあり、
    前記グリコール化合物の含有量が、20重量%〜60重量%の範囲にあり、
    前記有機リン酸エステルの含有量が、5重量%〜40重量%の範囲にあり、
    前記界面活性剤の含有量が、20重量%以下の範囲にある、ところの方法。
  2. 前記砥粒の含有量が、前記スラリーの全量を基準として、0.02重量%〜3.0重量%の範囲にある、請求項1の方法。
  3. 前記添加剤の含有量が、前記スラリーの全量を基準として、0.5重量%〜5重量%の範囲にある、請求項1の方法。
  4. 前記加工テープとして、少なくとも表面部分が太さ0.1μm〜5.0μmの範囲にある繊維からなる織布、不織布、植毛布又は起毛布からなるテープが使用される、請求項1の方法。
  5. 磁気ハードディスク用のガラス基板に、100Åを超える異常突起がなく、平均表面粗さが4Åを超える範囲にある表面が形成され、ライン密度が30本/μm以上の範囲にあるテクスチャ条痕が一様に形成されるように、前記ガラス基板の表面をテクスチャ加工するために用いられるスラリーであって、
    衝撃法により生成される人工ダイヤモンドからなる砥粒、及び
    前記砥粒の分散媒、
    から成り、
    前記砥粒の含有量が、前記スラリーの全量を基準として、0.02重量%以上の範囲にあり、
    前記砥粒として、
    一次粒子の平均粒径が1nm〜20nmの範囲にある前記人工ダイヤモンドの粒子、及び
    前記粒子からなる二次粒子の平均粒径が0.05μm〜0.20μmの範囲にあるクラスター粒子、
    が使用され、
    前記分散媒が、
    水、及び
    添加剤、
    から成り、
    前記添加剤の含有量が、前記スラリーの全量を基準として、0.5重量%以上の範囲にあり、
    前記添加剤が、
    高級脂肪酸アマイド、及び
    グリコール化合物、有機リン酸エステル及び界面活性剤から選択される少なくとも二種の剤、
    から成り、
    前記添加剤の全量を基準として、
    前記高級脂肪酸アマイドの含有量が、20重量%〜60重量%の範囲にあり、
    前記グリコール化合物の含有量が、20重量%〜60重量%の範囲にあり、
    前記有機リン酸エステルの含有量が、5重量%〜40重量%の範囲にあり、
    前記界面活性剤の含有量が、20重量%以下の範囲にある、ところのスラリー。
  6. 前記砥粒の含有量が、前記スラリーの全量を基準として、0.02重量%〜3.0重量%の範囲にある、請求項5のスラリー。
  7. 前記添加剤の含有量が、前記スラリーの全量を基準として、0.5重量%〜5重量%の範囲にある、請求項5のスラリー。
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