JP5788643B2 - ガラス基板 - Google Patents
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しかし、ガラスは一般的に脆い為、基板表面の僅かな傷が基点となって基板の破損が発生しやすいという特性がある。特に次世代のハードディスクに使用される情報記録媒体用基板おいては、高記録密度化に伴って磁気ディスク回転速度が高速化の傾向にある為に、基板表面の僅かな傷を基点とする亀裂伝播に対する耐性、すなわち破壊靭性が特に重要な評価項目となっており、高い破壊靭性を有することが求められている。
加えて今後のHAMR(Heat Assisted Magnetic Recording)方式に対応するメディア成膜温度の上昇(>600℃)に伴い、基板自体の耐熱性も熱処理後の形状変化を抑制するため、十分高くする必要がある。
さらには、研磨剤または洗浄液の調製によってコンタミネーションの付着を抑制していた。
しかしながら、このような方法によっても次世代の情報記録媒体用基板として求められる基板表面の清浄度の達成は困難となっている。
より具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。
Na2SO4を緩衝剤として混合し、H2SO4とNaOHにてpHが10に調整された水溶液を用いて測定した表面のゼータ電位が−50mVより低い値を示すことを特徴とするガラス基板。ただし、前記ガラス基板の表面から十分に離れた前記水溶液の電気的に中性な領域の電位を0Vとする。
(構成2)
Na2SO4を緩衝剤として混合し、H2SO4とNaOHにてpHが2に調整された水溶液を用いて測定した表面のゼータ電位がマイナスであることを特徴とする構成1に記載のガラス基板。ただし、前記ガラス基板の表面から十分に離れた前記水溶液の電気的に中性な領域の電位を0Vとする。
(構成3)
酸化セリウム粒子を含み、Na2SO4を緩衝剤として混合し、H2SO4とNaOHにてpHが調整された水溶液を用いて測定した基板表面と前記酸化セリウム粒子との電位差において、前記水溶液のpHを10〜12の範囲で変化させて測定した時の前記電位差の最小値が20mV以下であることを特徴とする構成1または2に記載のガラス基板。
(構成4)
シリカ粒子を含み、Na2SO4を緩衝剤として混合し、H2SO4とNaOHにてpHを4に調整された水溶液を用いて測定した基板表面と前記シリカ粒子との電位差が15mV以上であることを特徴とする構成1から3のいずれかに記載のガラス基板。
(構成5)
酸化物基準のmol%で表わしたとき、ガラス構成成分として、SiO2、Al2O3を含有し、さらに、
R2O成分の含有量が10mol%以下(R;Li,Na、Kから選択される1種以上)、及びR’O成分の含有量が15mol%以上(R’;Mg、Ca、Zn、Ba、Sr、Feから選択される1種以上)であることを特徴とする構成1から4のいずれかに記載のガラス基板。
測定セルに粒子が分散している溶液を収容し外部から電場をかけると、粒子が帯電している為に、粒子は電極に向かって泳動(移動)する。その泳道速度は粒子の荷電に比例するので、その粒子の泳動速度を測定することによりゼータ電位を求めることができる。電気泳動光散乱法を用いる場合、粒子の泳動速度はドップラー効果による散乱光の周波数のシフト量から求めることができる。
また、平板試料のゼータ電位を測定する場合は、測定セルの片面に平板試料を取り付け、平板試料に接する溶液における当該平板試料の表面電位を反映した電気浸透流を観測することにより求めることができる。
ゼータ電位は例えば大塚電子株式会社製ゼータ電位・粒径測定システムELSZ−1またはELSZ-2を用いて測定することが可能である。
すなわち、Na2SO4を緩衝剤として混合し、H2SO4とNaOHにてpHが10に調整された水溶液を用いて測定した表面のゼータ電位を−50mVより低い値とする。ここで、前記ガラス基板の表面から十分に離れた前記水溶液の電気的に中性な領域の電位を0Vとする。
前記条件で測定される基板表面のゼータ電位を−50mVより低い値とすることによって、研磨剤とのゼータ電位差を小さくすることができる。すなわち、研磨剤が基板表面に付着し難い状態を容易に得ることができる。
この効果をより得やすくする為には、前記条件で測定される基板表面のゼータ電位は−52mV以下より低いことがより好ましく、−54mV以下より低いことが最も好ましい。前記電位の下限は同条件で測定される研磨剤のゼータ電位より20mV低いことが好ましく、研磨剤のゼータ電位より15mV低いことが好ましく、研磨剤のゼータ電位より10mV低いことが最も好ましい。
研磨工程において、特に2Pにおいては研磨スラリーのpHを2近傍で行うことがあるが、従来のガラス基板はpH2近傍でのゼータ電位は等電点近傍の値を示してしまう為、研磨剤の付着が顕著となる。そこで、pH2近傍での基板のゼータ電位をマイナスとすることで、基板表面への研磨剤またはスラッジ(ガラス研磨屑)の付着を抑制することができる。この効果をより得やすくする為には、前記条件で測定される基板表面のゼータ電位は−5mV以下より低いことがより好ましく、−10mV以下より低いことが最も好ましい。前記電位の下限は特に限定されない。
酸化セリウム粒子はおもに1Pで使用される研磨剤である。その研磨スラリー中の分散性を良好にするためには研磨スラリーのpHをアルカリ側に調整するのが研磨効率および再付着防止のうえで最も好ましい。しかし、研磨スラリーのpHがアルカリであるときの酸化セリウム粒子そのもののゼータ電位と既存のガラス基板のゼータ電位とは電位差が大きい為、研磨剤の付着が避けられない。そこで、基板の物性を調整し、前記測定条件での基板表面と酸化セリウム粒子との電位差を20mV以下とすることにより、これを防ぐことが可能となる。この効果をより得やすくする為には、前記測定条件で測定される基板表面と前記酸化セリウム粒子との電位差が15mV以下であることがより好ましく、10mV以下であることが最も好ましい。
シリカ粒子おもに2Pで使用される研磨剤である。シリカ粒子はナノサイズの粒子であるため、研磨においてはあらかじめ凝集された状態で研磨に供する事が研磨効率が良好となるため、主にpHが2から4の領域で用いられるが、このとき、シリカ粒子と既存の基板との電位差が小さいため研磨剤の付着が生じやすい。そこで、基板の物性を調整し、前記測定条件での基板表面とシリカ粒子との電位差を15mV以上とすることにより、これを防ぐことが可能となる。この効果をより得やすくする為には、前記測定条件で測定される基板表面と前記シリカ粒子との電位差が18mV以上であることがより好ましく、20mVを超えることが最も好ましい。
ここで、酸化物基準のmol%とは、ガラスの構成成分の原料として使用される酸化物、硝酸塩等が溶融時にすべて分解され酸化物へ変化すると仮定して、ガラス中に含有される各成分の組成を表記する方法であり、この生成酸化物のモル数の総和を100mol%として、ガラス中に含有される各成分の量を表わすものである。以下、特に明記しない限りはmol%を意味する。
Li2O成分は任意で含有できる成分であるが、その上限は2%であることが好ましい。
Na2O成分は任意で含有できる成分であるが、その上限は10%であることが好ましく、9%であることがより好ましく、8%であることが最も好ましい。
K2O成分は任意で含有できる成分であるが、その上限は6%であることが好ましく、4%であることがより好ましく1%であることが最も好ましい。
ここで、Na2O成分は、ガラス基板を結晶化ガラス基板から製造するためには、他のアルカリ成分と比較して所望の結晶相を析出させる上で過度に結晶が析出してしまうなどの影響を抑制しやすい成分であると同時に、材料の化学的耐久性を良好に保ちつつ、溶融塩への浸漬による基板の化学強化を促進するためには重要な成分である。
一方、機械的強度を維持しつつ、比重を低くし、高い清澄効果を得て、かつダイレクトプレス時のリボイル抑制効果を高めるためには、SnO2成分またはCeO2成分から選択される1種以上の含有量の上限は0.8%が好ましく、0.6%がより好ましく、0.4%が最も好ましい。
また、PbO成分は環境上有害となるうえに、ガラスの比重が大きくなってしまう為に含まないことが好ましい。本発明のガラスはPbO成分を含まなくても結晶の過大な析出を防止し、溶融性の向上や成型時のガラス安定性が良好となる。
Cs2O成分は原料コストが高く、イオン半径が大きく化学強化が困難であるため含まないことが好ましい。
「最大結晶粒径」とはTEM(透過型電子顕微鏡)により倍率100,000〜500,000倍での任意の部位の画像を取得し、得られた画像に現われた結晶を平行な2直線で挟んだ時の最長距離の最大値とする。このときn数は100とする。
破壊靭性の値K1Cは次世代の情報記録媒体用基板として適用しうる為に1.0以上であることが好ましく、1.1以上であることがより好ましく、1.2以上であることが最も好ましい。
また、基板端面部の加工時に生じたマイクロクラックを基点とした基板の破損を抑制することができる。
特にアルカリマイグレーションの原因となるのは磁性膜等が成膜されない基板の端面部からのアルカリ成分溶出が原因となることが多い。
このため特に基板端面部付近のLi含有量を減少させることが好ましく、前記情報記録媒体用ガラス基板の端面から中心方向に内部へ5μmまでの領域(以下「端面領域」という)におけるLi成分の酸化物基準による含有割合α%と、前記情報記録媒体用ガラス基板の2つの主表面から厚み方向へ5μm以上内部の領域であって前記基板の端面から中心方向に内部へ5μmを超える領域(以下「内部領域」という)のLi成分の酸化物基準による含有割合β%の比率α/βがα/β≦1であることが好ましい。
Liを含有しない組成の場合、Na含有量を上記の方法で確認すればよい。
実際の測定においては例えば端面領域と内部領域における一部のガラスをサンプリングしLi含有量をICP−AES法による方法を主として用いればよい。
まず、上記の組成範囲のガラス構成成分を有する様に酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の原料を混合し、白金や石英等の坩堝を使用した通常の溶解装置を用いて、ガラス融液の粘度が1.5〜3.0dPa・sとなる温度で溶解する。
次にガラス融液の温度を、粘度が1.0〜2.3dPa・s、好ましくは1.2〜2.2dPa・sとなる温度まで昇温し、ガラス融液内に泡を発生させ撹拌効果を引き起こし均質度を向上させる。
その後、ガラス融液の温度を、粘度が1.8〜2.6dPa・s、好ましくは2.0〜2.5dPa・sとなる温度まで降温し、ガラス内部に発生していた泡の消泡、清澄を行い、その後この温度を維持する。
さらに坩堝からプレス成型形へガラスを導くためのガラス流出パイプの温度を、ガラスの粘度が2.0〜2.6dPa・s、好ましくは2.1〜2.5dPa・sとなる温度に設定し、前記下型上に所定量のガラスを滴下し、上型と下型を接近させプレスし、ガラス成形体を得る。
情報記録媒体用基板の製造においては、1枚あたりのコスト低減が求められるため、プレススピード150〜700mm/sec、サイクルタイム(プレス開始後次のプレス開始までの時間)1〜2.3secという高速でプレスするが、このようなプレス時の衝撃においても本発明のガラスを使用し、ガラス融液の温度と製造装置の温度を上記の様に管理することで、プレス時のリボイルの発生を抑制することが可能となる。
この結晶化工程においてはディスク状のセラミックス製セッターとディスク状ガラスをを交互に積み重ね、セッターで挟み込む(セッターの枚数はガラスの枚数+1枚である)とディスクの平坦度を向上するので好ましい。
本発明の析出結晶の粒径、結晶化度とする為に好ましい熱処理の条件は以下の通りである。
第1の熱処理の最高温度は600℃〜750℃が好ましい。第1段階の熱処理を省略しても良い。第2段階の熱処理の最高温度は650℃〜850℃が好ましい。
第1の温度の保持時間は1時間〜10時間が好ましい。
第2の温度の保持時間は1時間〜10時間が好ましい。
また、平均線膨張係数はJOGIS(日本光学硝子工業会規格)16−2003「光学ガラスの常温付近の平均線膨張係数の測定方法」に則り、温度範囲を25℃から100℃に換えて測定した値をいう。
比重はアルキメデス法、ヤング率は超音波法を用いて測定した。
ビッカース硬度は対面角が136°のダイヤモンド四角すい圧子を用いて、試験面にピラミッド形状のくぼみをつけたときの荷重(N)を、くぼみの長さから算出した表面積(mm2)で割った値で示した。(株)明石製作所製微小硬度計MVK−Eを用い、試験荷重は4.90(N)、保持時間15(秒)で行った。
実施例1の結晶化ガラス組成について2.5インチHDD用研磨基板(65φ×0.800mmt)を公知の方法で化学強化処理工程を含む研磨工程を経て作製し、基板表面をAFMにて3μm2視野にて観察したところ、Ra0.78Å、Rmax8.9Å、マイクロウェービネス(μWa)0.45Åであり、次世代HDD用基板に求められる表面性状として極めて優れていることが確認された。
マイクロウェービネスの測定は、一例として、基板上下面の0°、90°、180°、270°方向における周方向において、光干渉法(装置名;Micro XAM)によりバンドパスフィルター 50〜200nmの条件にて実施する方法が挙げられる。実測定はその限りではない。
また、上記の実施例により得られた基板に、DCスパッタ法により、クロム合金下地層、コバルト合金磁性層を成膜し、さらにダイヤモンドライクカーボン層を形成し、次いでパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を塗布して、情報磁気記録媒体を得た。
Claims (4)
- 酸化物基準のmol%で表わしたとき、ガラス構成成分として、SiO2を40mol%以上80mol%以下、Al2O3を3mol%以上12mol%以下、Na 2 Oを2.20mol%以上10mol%以下含有し、
R2O成分の含有量が10mol%以下(R;Li,Na、Kから選択される1種以上)、及びR’O成分の含有量が15mol%以上(R’;Mg、Ca、Zn、Ba、Sr、Feから選択される1種以上)であり、
RAl2O4、R2TiO4(ただしRはZn、Mg、Feから選択される1種類以上)から選ばれる一種以上を結晶相として含有する結晶化ガラスであって、
Na2SO4を緩衝剤として混合し、H2SO4とNaOHにてpHが10に調整された水溶液を用いて測定した表面のゼータ電位が−50mVより低い値を示すことを特徴とするガラス基板。ただし、前記ガラス基板の表面から十分に離れた前記水溶液の電気的に中性な領域の電位を0Vとする。 - Na2SO4を緩衝剤として混合し、H2SO4とNaOHにてpHが2に調整された水溶液を用いて測定した表面のゼータ電位がマイナスであることを特徴とする請求項1に記載のガラス基板。ただし、前記ガラス基板の表面から十分に離れた前記水溶液の電気的に中性な領域の電位を0Vとする。
- 酸化セリウム粒子を含み、Na2SO4を緩衝剤として混合し、H2SO4とNaOHにてpHが調整された水溶液を用いて測定した基板表面と前記酸化セリウム粒子との電位差において、前記水溶液のpHを10〜12の範囲で変化させて測定した時の前記電位差の最大値が20mV以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のガラス基板。
- シリカ粒子を含み、Na2SO4を緩衝剤として混合し、H2SO4とNaOHにてpHを4に調整された水溶液を用いて測定した基板表面と前記シリカ粒子との電位差が15mV以上であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のガラス基板。
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