JPWO2005088836A1 - 弾性表面波装置 - Google Patents

Abstract

通過帯域が相対的に低い第１のフィルタの高域側におけるフィルタ特性の急峻性及び相対的に通過帯域が高い第２のフィルタの通過帯域低域側のフィルタ特性の急峻性が高められている弾性表面波分波器を提供する。複数の弾性表面波共振子を用いて構成された梯子型回路構成の第１，第２のフィルタ１１，１２を有し、通過帯域の周波数が相対的に低い第１のフィルタ１１が第１の圧電基板１３を用いて構成されており、通過帯域の周波数が相対的に高い第２のフィルタ１２が第２の圧電基板１４を用いて構成されており、第１，第２の圧電基板１３，１４が、圧電基板１３，１４が回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板であり、第１の圧電基板１３のカット角が第２の圧電基板１４のカット角よりも大きい弾性表面波分波器１。

Description

本発明は、通過帯域が相対的に低い第１のフィルタと、通過帯域が相対的に高い第２のフィルタとを接続してなる弾性表面波装置に関し、より詳細には、第１のフィルタが第１の圧電基板を用いて構成されており、第２のフィルタが第１の圧電基板とは異なる第２の圧電基板を用いて構成されている弾性表面波装置に関する。

近年、携帯電話機などにおいて用いられている分波器の小型化が進んでいる。この種の分波器の小型化を進めるために、複数の弾性表面波共振子を用いて構成された弾性表面波フィルタが広く用いられている。

分波器では、通過帯域が相対的に低い、例えば送信側フィルタと、通過帯域が相対的に高い例えば受信側フィルタとが接続されている。この場合、両フィルタの通過帯域が近接している場合には、通過帯域が低い側のフィルタの通過帯域の高域側におけるフィルタ特性の急峻性が高められる必要がある。また、通過帯域が高い側のフィルタの通過帯域の低域側においてフィルタ特性の急峻性が高められる必要がある。

下記の特許文献１には、このような用途に用いられる弾性表面波分波器の一例が開示されている。

図１２は、特許文献１に記載の弾性表面波分波器を示す模式的平面図である。

図１２に示す弾性表面波分波器１０１では、小型化及び低コスト化を果たすために、同一圧電基板１０２上に、第１，第２のフィルタ１０３，１０４が構成されている。すなわち、圧電基板１０２上に、複数の弾性表面波共振子を構成するための電極を形成することにより、通過帯域が相対的に低い第１のフィルタ１０３が形成されており、他方、同じく圧電基板１０２上に複数の弾性表面波共振子を構成するための電極を形成することにより、通過帯域が相対的に高い第２のフィルタ１０４が形成されている。

また、特許文献１には、通過帯域が異なる第１，第２のフィルタを、異なる圧電基板上に構成した構造も開示されている。
特開平４−３６９１１１号公報

しかしながら、特許文献１には、相対的に通過帯域の周波数が低い第１のフィルタと、相対的に通過帯域の周波数が高い第２のフィルタとを、別の圧電基板上に構成する場合、どのような圧電基板を用いるかについては何ら開示されていない。

特許文献１に記載されているように、従来、送信側フィルタ及び受信側フィルタを同一圧電基板上に形成した構造や、送信側フィルタ及び受信側フィルタを異なる圧電基板を用いて構成した構造が知られていた。また、この種の弾性表面波分波器では、主に伝搬減衰定数が最小となるカット角の圧電基板を用いて構成されていた。そして、送信側フィルタ及び受信側フィルタが別々の圧電基板を用いて構成されている場合にも、通常、伝搬減衰定数が最小となるカット角を有する同一材料からなる２枚の圧電基板が使用されていた。

しかしながら、同一材料からなる２枚の圧電基板を用いて送信側フィルタ及び受信側フィルタを構成した構造では、送信側フィルタと受信側フィルタとの通過帯域が近接した分波器などに用いた場合、フィルタ特性の急峻性が十分ではなく、良好な周波数特性を得ることが困難であった。

本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、周波数が相対的に低い第１のフィルタの通過帯域高域側におけるフィルタ特性の急峻性及び通過帯域が相対的に高い第２のフィルタの通過帯域低域側のフィルタ特性の急峻性が効果的に高められており、互いの通過帯域が近接している用途に用いられた場合でも、良好な周波数特性を得ることを可能とする弾性表面波装置を提供することにある。

本発明によれば、第１の圧電基板において複数の弾性表面波共振子がラダー型回路構成を有するように接続されており、相対的に通過帯域の周波数が低い第１のフィルタと、第２の圧電基板において複数の弾性表面波共振子がラダー型回路構成を有するように接続されており、相対的に通過帯域の周波数が高い第２のフィルタとを備えた弾性表面波装置において、前記第１，第２の圧電基板は、回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３基板であり、前記第１の圧電基板のカット角が、前記第２の圧電基板のカット角よりも大きいことを特徴とする、弾性表面波装置が提供される。

本発明のより限定的な局面では、上記第１のフィルタに用いられている第１の圧電基板は、カット角が４５°以上の回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃基板であり、第２のフィルタに用いられている第２の圧電基板が、カット角が４５°未満の回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃基板である。

また、本発明に係る弾性表面波装置では、好ましくは、第１，第２のフィルタが、第１，第２の圧電基板上に形成されたそれぞれ第１，第２の電極を有し、第１，第２の電極の密度を、それぞれ、ρ１，ρ２（ｇ／ｃｍ³）、第１，第２のフィルタの波長をλ１、λ２（μｍ）としたとき、第１の電極の膜厚が０．１８×λ１／ρ１〜０．４０×λ１／ρ１、第２の電極の膜厚が０．２７×λ２／ρ２〜０．５３×λ２／ρ２の範囲とされている。

本発明のより特定的な局面では、第１，第２の電極が、Ｃｕからなり、第１の電極の厚みが０．０２λ１〜０．０４５λ１の範囲とされており、第２の電極の厚みが、０．０３λ２〜０．０６λ２の範囲とされている。

本発明に係る弾性表面波装置では、好ましくは、第１，第２の圧電基板上に、温度特性を改善するためのＳｉＯ₂膜が形成される。

好ましくは、ＳｉＯ₂の膜厚は、第１，第２のフィルタの各波長の５〜５０％の範囲とされる。

また、好ましくは、ＳｉＯ₂膜の表面は平坦化されている。

本発明に係る弾性表面波装置は、例えばデュプレクサとして好適に用いられる。

本発明に係る弾性表面波装置では、通過帯域が相対的に低い第１のフィルタにおける第１の圧電基板に回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３基板が用いられており、通過帯域が相対的に高い第２のフィルタにおける上記第２の圧電基板にも回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３基板が用いられている。ＬｉＴａＯ_３基板の電気機械結合係数は大きいため、本発明によれば低損失の弾性表面波装置を提供できる。

また、第１の圧電基板のカット角が、第２の圧電基板のカット角より大きいので、第１，第２のフィルタのフィルタ特性の急峻性を効果的に高めることができる。特に、第１の圧電基板のカット角が４５°以上である場合には、第１のフィルタを構成する弾性表面波共振子の反共振Ｑが共振Ｑよりも高められ、第１のフィルタの通過帯域高域側の急峻性を効果的に高めることができる。また、第２の圧電基板のカット角が４５°未満である場合には、第２のフィルタを構成する弾性表面波共振子の共振Ｑが反共振Ｑよりも高められ、第２のフィルタの通過帯域低域側の急峻性を効果的に高めることができる。

第１のフィルタの電極の厚みが０．１８×λ１／ρ１〜０．４０×λ１／ρ１、第２のフィルタの電極の厚みが０．２７×λ２／ρ２〜０．５３×λ２／ρ２とされている場合には、第１のフィルタの弾性表面波共振子の反共振Ｑを効果的に高めることができ、かつ第２のフィルタにおける弾性表面波共振子の共振Ｑを効果的に高めることができる。従って、より一層良好な周波数特性を得ることができる。

また、本発明において、第１，第２の圧電基板上にＳｉＯ₂膜が形成されている場合には、ＳｉＯ₂膜により周波数温度特性を改善することができる。特に、ＳｉＯ₂膜の膜厚が、波長の５〜５０％の範囲である場合には、周波数温度係数をより一層効果的に改善することができる。

ＳｉＯ₂膜の上面が平坦化されている場合には、ＳｉＯ₂膜の上面が電極構造を反映して凹凸を有するように構成されている場合に比べて、通過帯域内における所望でないリップル等の抑圧を図ることがき、良好な周波数特性を得ることができる。

図１は、（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波分波器の第１のフィルタ及び第２のフィルタの模式的平面図である。 図２は、本発明の一実施形態の弾性表面波分波器の回路構成を示す回路図である。 図３は、ＰＣＳ用弾性表面波デュプレクサにおける送信側フィルタの従来の代表的な周波数特性の一例を示す図である。 図４は、ＰＣＳ用弾性表面波デュプレクサにおける受信側フィルタの従来の代表的な周波数特性の一例を示す図である。 図５は、１ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス−周波数特性を示す図である。 図６は、１ポート型弾性表面波共振子の位相−周波数特性を示す図である。 図７は、１ポート型弾性表面波共振子の共振Ｑ値と、ラダー型フィルタの通過帯域よりも低域側におけるフィルタ特性の急峻性との関係を示す図である。 図８は、１ポート型弾性表面波共振子の反共振Ｑ値と、ラダー型フィルタの通過帯域よりも高域側におけるフィルタ特性の急峻性との関係を示す図である。 図９は、回転ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ₃基板のカット角と、共振Ｑ値及び反共振Ｑ値との関係を示す図である。 図１０は、Ｃｕからなる電極膜厚と、反共振Ｑ値との関係を示す図である。 図１１は、Ｃｕからなる電極膜厚と、共振Ｑ値との関係を示す図である。 図１２は、従来の弾性表面波分波器の一例を示す模式的平面図である。

符号の説明

１…弾性表面波分波器
１１…第１のフィルタ
１２…第２のフィルタ
１３…第１の圧電基板
１４…第２の圧電基板
Ｓ１１ａ〜Ｓ１１ｃ…直列腕共振子
Ｐ１１ａ，Ｐ１１ｂ…並列腕共振子
Ｌ１１ａ，Ｌ１１ｂ…インダクタンス素子
Ｃ１１…コンデンサ素子
ＡＮＴ…アンテナ
Ｓ１２ａ〜Ｓ１２ｃ…直列腕共振子
Ｐ１２ａ〜Ｐ１２ｄ…並列腕共振子
Ｌ１２ａ，Ｌ１２ｂ…インダクタンス素子
Ｃ１２ａ，Ｃ１２ｂ…コンデンサ素子

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波分波器に用いられる第１，第２の模式的平面図であり、図２は、その回路構成を示す図である。

本実施形態の弾性表面波分波器１は、ＰＣＳ用のデュプレクサである。ＰＣＳの場合、送信側通過帯域は１８５０〜１９１０ＭＨｚ、受信側通過帯域は１９３０〜１９９０ＭＨｚである。そこで、弾性表面波分波器１では、送信側の第１のフィルタ１１が、上記通過帯域を有し、受信側の相対的に通過帯域が高い第２のフィルタ１２が、１９３０〜１９９０ＭＨｚの通過帯域を有するように構成されている。

図２に示されているように、第１，第２のフィルタ１１，１２は、それぞれ、複数の弾性表面波共振子をラダー型回路構成を有するように接続した構造を有する。ここでは、第１のフィルタ１１が、直列腕共振子Ｓ１１ａ，Ｓ１１ｂ，Ｓ１１ｃと、並列腕共振子Ｐ１１ａ，Ｐ１１ｂとを有する。他方、第２のフィルタ１２は、複数の直列腕共振子Ｓ１２ａ，Ｓ１２ｂ，Ｓ１２ｃ及び並列腕共振子Ｐ１２ａ，Ｐ１２ｂ，Ｐ１２ｃ，Ｐ１２ｄを有する。

なお、第１のフィルタ１１においては、並列腕共振子Ｐ１１ａ，Ｐ１１ｂとアース電位との間に、それぞれ、インダクタンスＬ１１ａ，Ｌ１１ｂが接続されている。また、アンテナ入力端子ＡＮＴと、直列腕共振子Ｓ１１ａとの間にコンデンサＣ１１が接続されている。他方、第２のフィルタ１２側においては、アンテナ入力端子ＡＮＴと、第２のフィルタ１２の入力端との間に、インピーダンス整合を図るために整合回路が接続されている。この整合回路は、アンテナ入力端子ＡＮＴと、第２のフィルタ１２との間に挿入されたインダクタンス素子Ｌ１２ａと、インダクタンス素子Ｌ１２ａの両端とアース電位との間にそれぞれ接続されたコンデンサ素子Ｃ１２ａ，Ｃ１２ｂとを有する。また、直列腕共振子Ｓ１２ｃに並列にインダクタンス素子Ｌ１２ｂが接続されている。

図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、直列腕共振子Ｓ１１ａ〜Ｓ１１ｃ，並列腕共振子Ｐ１１ａ，Ｐ１１ｂ及び直列腕共振子Ｓ１２ａ〜Ｓ１２ｃ及び並列腕共振子Ｐ１２ａ〜Ｐ１２ｄは、それぞれ、インターデジタル電極と、インターデジタル電極の表面波伝搬方向両側に配置された反射器とを有する１ポート型弾性表面波共振子により構成されている。

本実施形態では、第１のフィルタ１１が、第１の圧電基板１３を用いて構成されている。すなわち、第１の圧電基板１３上に、各種電極を形成することにより、図２に示した第１のフィルタ１１の回路構成が実現されている。他方、第２のフィルタ１２では、第２の圧電基板１４が用いられている。第２の圧電基板１４上に各種電極を形成することにより、図２に示されている第２のフィルタ１２の回路構成が実現されている。

また、本実施形態の弾性表面波分波器１では、上記第１の圧電基板１３として、第１のフィルタ１１に使用される弾性表面波共振子の反共振Ｑが該弾性表面波共振子の共振Ｑよりも大きくなる圧電基板が用いられており、第２の圧電基板１４として、第２のフィルタ１２に使用される弾性表面波共振子の共振Ｑが該弾性表面波共振子の反共振Ｑよりも大きくなる圧電基板が用いられており、それによって第１のフィルタ通過帯域高域側のフィルタ特性の急峻性及び第２のフィルタの通過帯域低域側のフィルタ特性の急峻性が高められている。これを、以下において説明する。

一般的なＰＣＳ用の送信フィルタ及び受信フィルタの周波数特性の代表例を図３及び図４にそれぞれ示す。ＰＣＳの場合、送信側通過帯域と受信側通過帯域との間の周波数間隔が２０ＭＨｚと非常に狭くなっている。送信側フィルタでは１９３０〜１９９０ＭＨｚ帯及び受信側フィルタでは１８５０〜１９１０ＭＨｚ帯において、十分な減衰量を有する必要がある。従って、送信側フィルタでは、通過帯域高域側においてすなわち図３の矢印Ａで示す領域において、並びに、受信側フィルタでは、通過帯域低域側すなわち図４の矢印Ｂで示す領域においてフィルタ特性の急峻性が効果的に高められることが求められる。本実施形態の弾性表面波分波器１では、この要求を満たすことができる。これを以下において説明する。

図５及び図６は、２種の１ポート型弾性表面波共振子の代表的なインピーダンス特性及び位相特性の一例を示す図であり、図７は、弾性表面波共振子の共振Ｑ値と、複数の弾性表面波共振子を用いたラダー型フィルタにおける通過帯域低域側のフィルタ特性の急峻性との関係を示す図である。なお、図７の縦軸の急峻性とは、（減衰量が３．０ｄＢである周波数）−（減衰量５０ｄＢである周波数）で表される。

図７から明らかなように、弾性表面波共振子の共振Ｑが良好であるほどラダー型フィルタの通過帯域低域側における急峻性が高められることがわかる。

他方、図８は、弾性表面波共振子の反共振Ｑ値と、ラダー型フィルタの通過帯域高域側における急峻性との関係を示す図である。なお、図８における縦軸の急峻性は、減衰量が３．０ｄＢの周波数−減衰量が４０ｄＢの周波数である。図８から明らかなように、弾性表面波共振子の反共振Ｑが良好であるほどラダー型フィルタの通過帯域高域側における急峻性が高められることがわかる。

そこで、様々な回転角のＹカット−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ₃基板を用い、種々の１ポート型弾性表面波共振子を作製し、共振Ｑ及び反共振Ｑ値を求めた。結果を図９に示す。なお、弾性表面波共振子を構成するための電極は、Ｃｕにより構成し、その膜厚は波長の４．０％（８０ｎｍ）とした。また、ＩＤＴ電極の線幅は０．５μｍ、波長は約２μｍとした。また、ＩＤＴ電極の表面波伝搬方向の両側に、同じく線幅０．５μｍ及び膜厚４．０％の一対の反射器をＣｕを用いて作製した。さらに、これらの電極を覆うように、ＳｉＯ₂膜を温度特性を改善するために成膜した。ＳｉＯ₂膜の膜厚は波長の２０％、４００ｎｍとした。

図９から明らかなように、１ポート型弾性表面波共振子のカット角を異ならせることにより、共振Ｑ及び反共振Ｑが変化することがわかる。そして、共振Ｑが良好なカット角と、反共振Ｑが良好なカット角が異なることがわかる。他方、図７及び図８から明らかなように、共振Ｑを高めることにより、通過帯域低域側の急峻性を高めることができ、反共振Ｑを高めることにより、通過帯域高域側におけるフィルタ特性の急峻性を高めることがきる。従って、通過帯域が相対的に低い第１のフィルタにおいて、高域側のフィルタ特性の急峻性を高めるには、使用する弾性表面波共振子の反共振Ｑを高めればよく、そのためには、図９よりカット角の大きな圧電基板を用いることが好ましいことがわかる。逆に、通過帯域が相対的に第２のフィルタにおいて、フィルタ側のフィルタ特性の急峻性を高めるには、弾性表面波共振子の共振Ｑを高めればよく、そのためには、図９から、カット角の小さな圧電基板を用いることが望ましいことがわかる。

そこで、本実施形態の弾性表面波分波器１では、第１のフィルタ１１に用いられている第１の圧電基板１３が、第２の圧電基板１４よりもカット角が大きなＹカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ₃基板を用いて構成されている。従って、本実施形態によれば、第１のフィルタの通過帯域高域側及び第２のフィルタ１２の通過帯域低域側におけるフィルタ特性の急峻性を効果的に高めることができる。

従来、送信側フィルタ及び受信側フィルタは、前述した特許文献１に記載のように、同一の圧電基板に構成されていることがあった。この場合、圧電基板のカット角は同じにならざるを得ず、従って共振Ｑ及び反共振Ｑを高めようとした場合、カット角が４５°付近のＬｉＴａＯ₃基板が用いられていた。しかしながら、このような構成では、送信側フィルタの高域側及び受信側フィルタの通過帯域低域側における急峻性をさほど高めることはできなかった。

これに対して、本実施形態の弾性表面波分波器では、上記のように、第１，第２の圧電基板１３，１４のカット角が上記のように選択されているため、第１のフィルタ１１及び第２のフィルタ１２の通過帯域の相手側通過帯域側の阻止域における急峻性を効果的に高めることができる。

なお、図９から明らかなように、弾性表面波共振子の共振Ｑ及び反共振Ｑの値は、回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃基板では、カット角が４５°付近で交叉している。そして、カット角が４５°以上で反共振Ｑが高くなり、カット角が４５°未満で共振Ｑが高くなる。従って、好ましくは、第１の圧電基板１３が、カット角が４５°以上の回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃基板を用いて構成され、第２の圧電基板１４が、カット角が４５°未満の回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃基板を用いて構成されていることが望ましい。

上記のように、本実施形態の弾性表面波分波器では、通過帯域が相対的に低い第１のフィルタ１１と、通過帯域が相対的に高い第２のフィルタ１２において異なるカット角の圧電基板１３，１４を用いることにより、それぞれに最適な反共振Ｑ及び共振Ｑを実現し得る圧電基板を用いることができる。そのため、第１のフィルタの通過帯域高域側及び第２のフィルタ１２の通過帯域低域側におけるフィルタ特性の急峻性を効果的に高めることができる。

なお、上記実施形態では、各弾性表面波共振子のＩＤＴ電極をＣｕにより構成した。本願発明者はこの電極膜厚を変化させた場合、弾性表面波共振子の共振Ｑ及び反共振Ｑが変化することを見出した。図１０及び図１１は、Ｃｕからなる電極膜厚を変化させた場合の１ポート型弾性表面波共振子の反共振Ｑ及び共振Ｑの変化を示す図である。なお、圧電基板としては、カット角が図１０が４２°、図１１が４６°である回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃基板を用い、膜厚を除く電極の構成は上記実施形態の場合と同様とした。また、電極膜厚は電極指周期により定まる波長に対する割合（％）で示した。図１０及び図１１から明らかなように、Ｃｕからなる電極膜厚を変化させることにより、共振Ｑ及び反共振Ｑが変化することがわかる。図１０から、電極膜厚が波長の２〜４．５％の範囲であれば、反共振Ｑ値が７００以上と良好であり、図１１から明らかなように、電極膜厚が波長の３〜６％であれば、共振Ｑ値が７００以上と良好である。

従って、第１のフィルタでは、Ｃｕからなる電極膜厚を波長の２〜４．５％とし、第２のフィルタ１２では、Ｃｕからなる電極膜厚を３〜６％の範囲とすれば共振Ｑ値を７００以上と良好な値とし得ることがわかる。よって、好ましくは、Ｃｕからなる電極膜厚は第１のフィルタ１１において、波長の２〜４．５％の範囲とされ、第２のフィルタ１２において、波長の３〜６％の範囲とすることが望ましい。

なお、図１０及び図１１は、電極がＣｕからなる場合の結果を示したが、本発明においては電極はＣｕ以外の金属、例えばＣｕ合金、Ｃｕ以外の金属もしくは合金、あるいは複数の金属膜を積層した積層金属膜などにより構成してもよい。このような場合、電極の密度ρと、銅の密度ρ_Cuとの関係から上記好ましい膜厚を換算すればよい。すなわち、電極の平均密度がρである場合、その電極の好ましい膜厚範囲は、Ｃｕの密度ρ_Cu＝８．９（ｇ／ｃｍ³）に基づき、第１のフィルタ１１における電極膜厚の好ましい範囲及びフィルタにおいて共振Ｑを高め得る好ましい電極膜厚範囲を求めればよい。式（１），（２）において、λ１，λ２は、それぞれ、第１，第２のフィルタの電極の電極指周期により定まる波長であり、ρ１，ρ２はそれぞれ第１，第２のフィルタの電極の密度である。また、電極が複数の金属の多層構造または合金等で構成されている場合には、電極全体の平均密度を求めて電極の密度にすればよい。

式（１）
第１のフィルタにおける好ましい電極膜厚範囲＝０．１８×λ１／ρ１〜０．４０×λ１／ρ１

式（２）
第２のフィルタにおける好ましい電極膜厚範囲＝０．２７×λ２／ρ２〜０．５３×λ２／ρ２
なお、本発明に係る弾性表面波装置は、上記ＰＣＳ用のデュプレクサに限らず様々な分波器やデュプレクサに用いることができる。

また、圧電基板としては、ＬｉＴａＯ₃基板に限らず、ＬｉＮｂＯ₃基板などの他の圧電単結晶基板を用いることも可能である。

Claims (8)

1. 第１の圧電基板において複数の弾性表面波共振子がラダー型回路構成を有するように接続されており、相対的に通過帯域の周波数が低い第１のフィルタと、第２の圧電基板において複数の弾性表面波共振子がラダー型回路構成を有するように接続されており、相対的に通過帯域の周波数が高い第２のフィルタとを備えた弾性表面波装置において、
   前記第１，第２の圧電基板は、回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３基板であり、
   前記第１の圧電基板のカット角が、前記第２の圧電基板のカット角よりも大きいことを特徴とする、弾性表面波装置。
2. 前記第１の圧電基板が、カット角が４５°以上の回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃基板からなり、前記第２の圧電基板が、カット角が４５°未満の回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃基板からなる、請求項１に記載の弾性表面波装置。
3. 前記第１，第２のフィルタが、それぞれ、第１，第２の圧電基板上に形成されたフィルタ構成用の第１，第２の電極を有し、
   前記第１，第２の電極の密度を、それぞれ、ρ１，ρ２（ｇ／ｃｍ³）とし、第１，第２のフィルタの電極の電極指の周期で測定される波長をそれぞれ、λ１、λ２（μｍ）としたとき、第１の電極の膜厚が、０．１８×λ１／ρ１〜０．４０×λ１／ρ１の範囲にあり、第２の電極の厚みが０．２７λ２／ρ２〜０．５３×λ２／ρ２の範囲にある、請求項１または２に記載の弾性表面波装置。
4. 前記第１，第２の電極が、Ｃｕからなり、前記第１の電極の厚みが、０．０２λ１〜０．０４５λ１の範囲にあり、第２の電極の厚みが、０．０３λ２〜０．０６λ２の範囲にある、請求項３に記載の弾性表面波装置。
5. 前記第１，第２の圧電基板上に形成されており、温度特性を改善するためのＳｉＯ₂膜をさらに備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
6. 前記ＳｉＯ₂の膜厚が、第１，第２のフィルタの波長の５〜５０％の範囲にある、請求項５に記載の弾性表面波装置。
7. 前記ＳｉＯ₂膜の上面が平坦化されていることを特徴とする、請求項５または６に記載の弾性表面波装置。
8. デュプレクサである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。

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