WO2005088836A1

WO2005088836A1 - 弾性表面波装置

Info

Publication number: WO2005088836A1
Application number: PCT/JP2005/003519
Authority: WO
Inventors: Masakazu Mimura; Tomohisa Komura; Norio Taniguchi; Takeshi Nakao; Michio Kadota
Original assignee: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date: 2004-03-12
Filing date: 2005-03-02
Publication date: 2005-09-22
Also published as: JP4407696B2; JPWO2005088836A1; EP1724920A4; US7212080B2; US20070013459A1; CN100555858C; CN1930778A; EP1724920A1

Abstract

　通過帯域が相対的に低い第１のフィルタの高域側におけるフィルタ特性の急峻性及び相対的に通過帯域が高い第２のフィルタの通過帯域低域側のフィルタ特性の急峻性が高められている弾性表面波分波器を提供する。　複数の弾性表面波共振子を用いて構成された梯子型回路構成の第１，第２のフィルタ１１，１２を有し、通過帯域の周波数が相対的に低い第１のフィルタ１１が第１の圧電基板１３を用いて構成されており、通過帯域の周波数が相対的に高い第２のフィルタ１２が第２の圧電基板１４を用いて構成されており、第１，第２の圧電基板１３，１４が、圧電基板１３，１４が回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板であり、第１の圧電基板１３のカット角が第２の圧電基板１４のカット角よりも大きい弾性表面波分波器１。

Description

明細書

弾性表面波装置

技術分野

[0001] 本発明は、通過帯域が相対的に低い第 1のフィルタと、通過帯域が相対的に高い第 2のフィルタとを接続してなる弾性表面波装置に関し、より詳細には、第 1のフィルタが第 1の圧電基板を用いて構成されており、第 2のフィルタが第 1の圧電基板とは異なる第 2の圧電基板を用いて構成されている弾性表面波装置に関する。

背景技術

[0002] 近年、携帯電話機などにぉ、て用いられて、る分波器の小型化が進んで、る。この種の分波器の小型化を進めるために、複数の弾性表面波共振子を用いて構成された弹性表面波フィルタが広く用いられて、る。

[0003] 分波器では、通過帯域が相対的に低!、、例えば送信側フィルタと、通過帯域が相対的に高い例えば受信側フィルタとが接続されている。この場合、両フィルタの通過帯域が近接している場合には、通過帯域が低い側のフィルタの通過帯域の高域側におけるフィルタ特性の急峻性が高められる必要がある。また、通過帯域が高い側のフィルタの通過帯域の低域側においてフィルタ特性の急峻性が高められる必要がある

[0004] 下記の特許文献 1には、このような用途に用いられる弾性表面波分波器の一例が開示されている。

[0005] 図 12は、特許文献 1に記載の弾性表面波分波器を示す模式的平面図である。

[0006] 図 12に示す弾性表面波分波器 101では、小型化及び低コストィ匕を果たすために、同一圧電基板 102上に、第 1,第 2のフィルタ 103, 104が構成されている。すなわち、圧電基板 102上に、複数の弾性表面波共振子を構成するための電極を形成することにより、通過帯域が相対的に低い第 1のフィルタ 103が形成されており、他方、同じく圧電基板 102上に複数の弾性表面波共振子を構成するための電極を形成することにより、通過帯域が相対的に高い第 2のフィルタ 104が形成されている。

[0007] また、特許文献 1には、通過帯域が異なる第 1,第 2のフィルタを、異なる圧電基板上に構成した構造も開示されている。

特許文献 1：特開平 4-369111号公報

発明の開示

[0008] し力しながら、特許文献 1には、相対的に通過帯域の周波数が低い第 1のフィルタと、相対的に通過帯域の周波数が高い第 2のフィルタとを、別の圧電基板上に構成する場合、どのような圧電基板を用いるかにつ、ては何ら開示されて、な、。

[0009] 特許文献 1に記載されてヽるように、従来、送信側フィルタ及び受信側フィルタを同ー圧電基板上に形成した構造や、送信側フィルタ及び受信側フィルタを異なる圧電基板を用いて構成した構造が知られていた。また、この種の弾性表面波分波器では、主に伝搬減衰定数が最小となるカット角の圧電基板を用いて構成されていた。そして、送信側フィルタ及び受信側フィルタが別々の圧電基板を用いて構成されてヽる場合にも、通常、伝搬減衰定数が最小となるカット角を有する同一材料力もなる 2枚の圧電基板が使用されていた。

[0010] しかしながら、同一材料からなる 2枚の圧電基板を用いて送信側フィルタ及び受信側フィルタを構成した構造では、送信側フィルタと受信側フィルタとの通過帯域が近接した分波器などに用いた場合、フィルタ特性の急峻性が十分ではなぐ良好な周波数特性を得ることが困難であった。

[0011] 本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、周波数が相対的に低い第 1のフィルタの通過帯域高域側におけるフィルタ特性の急峻性及び通過帯域が相対的に高い第 2のフィルタの通過帯域低域側のフィルタ特性の急峻性が効果的に高められており、互いの通過帯域が近接している用途に用いられた場合でも、良好な周波数特性を得ることを可能とする弾性表面波装置を提供することにある。

[0012] 本発明によれば、第 1の圧電基板において複数の弾性表面波共振子がラダー型回路構成を有するように接続されており、相対的に通過帯域の周波数が低い第 1のフィルタと、第 2の圧電基板にぉ、て複数の弾性表面波共振子がラダー型回路構成を有するように接続されており、相対的に通過帯域の周波数が高い第 2のフィルタとを備えた弾性表面波装置において、前記第 1,第 2の圧電基板は、回転 Yカット X伝搬 LiTaO基板であり、前記第 1の圧電基板のカット角が、前記第 2の圧電基板の力ット角よりも大きいことを特徴とする、弾性表面波装置が提供される。

[0013] 本発明のより限定的な局面では、上記第 1のフィルタに用いられている第 1の圧電基板は、カット角が 45° 以上の回転 Yカット X伝搬 LiTaO基板であり、第 2のフィル

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タに用いられている第 2の圧電基板力カット角が 45° 未満の回転 Yカット X伝搬 Li TaO基板である。

3

[0014] また、本発明に係る弾性表面波装置では、好ましくは、第 1,第 2のフィルタが、第 1 ,第 2の圧電基板上に形成されたそれぞれ第 1,第 2の電極を有し、第 1,第 2の電極の密度を、それぞれ、 p i, ^(^ (g/cm³)、第 1,第 2のフィルタの波長をえ 1、 1 2 { m)としたとき、第 1の電極の膜厚が 0. 18 X λ ΐ/ 1-0. 40 Χ λ ΐΖ /θ 1、第 2 の電極の膜厚力 ^s0. 27 X λ 2/ 2—0. 53 X 1 2/ _β 2の範囲とされて!/、る。

[0015] 本発明のより特定的な局面では、第 1,第 2の電極が、 Cuからなり、第 1の電極の厚み力 ^0. 02 λ 1—0. 045 λ 1の範囲とされており、第 2の電極の厚み力 0. 03 λ 2— 0. 06 λ 2の範囲とされている。

[0016] 本発明に係る弾性表面波装置では、好ましくは、第 1,第 2の圧電基板上に、温度特性を改善するための SiO膜が形成される。

2

[0017] 好ましくは、 SiOの膜厚は、第 1，第 2のフィルタの各波長の 5 50%の範囲とされ

2

る。

[0018] また、好ましくは、 SiO膜の表面は平坦ィ匕されて、る。

2

[0019] 本発明に係る弾性表面波装置は、例えばデュプレクサとして好適に用いられる。

[0020] 本発明に係る弾性表面波装置では、通過帯域が相対的に低い第 1のフィルタにおける第 1の圧電基板に回転 Yカット X伝搬 LiTaO基板が用いられており、通過帯域

3

が相対的に高い第 2のフィルタにおける上記第 2の圧電基板にも回転 Yカット X伝搬 LiTaO基板が用いられている。 LiTaO基板の電気機械結合係数は大きいため、

3 3

本発明によれば低損失の弾性表面波装置を提供できる。

[0021] また、第 1の圧電基板のカット角が、第 2の圧電基板のカット角より大きいので、第 1 ,第 2のフィルタのフィルタ特性の急峻性を効果的に高めることができる。特に、第 1 の圧電基板のカット角が 45° 以上である場合には、第 1のフィルタを構成する弾性表面波共振子の反共振 Qが共振 Qよりも高められ、第 1のフィルタの通過帯域高域側の急峻性を効果的に高めることができる。また、第 2の圧電基板のカット角が 45° 未満である場合には、第 2のフィルタを構成する弾性表面波共振子の共振 Qが反共振 Qよりも高められ、第 2のフィルタの通過帯域低域側の急峻性を効果的に高めることができる。

[0022] 第 1のフィルタの電極の厚みが 0. 18 X X I/ β 1—0. 40 Χ λ 1/ 1,第 2のフィノレタの電極の厚み力0. 27 X 1 2/ _β 2—0. 53 X 1 2/ _β 2とされて!/、る場合には、第 1のフィルタの弾性表面波共振子の反共振 Qを効果的に高めることができ、かつ第 2のフィルタにおける弾性表面波共振子の共振 Qを効果的に高めることができる。従つて、より一層良好な周波数特性を得ることができる。

[0023] また、本発明において、第 1,第 2の圧電基板上に SiO膜が形成されている場合に

2

は、 SiO膜により周波数温度特性を改善することができる。特に、 SiO膜の膜厚が、

2 2

波長の 5— 50%の範囲である場合には、周波数温度係数をより一層効果的に改善することができる。

[0024] SiO膜の上面が平坦ィ匕されて、る場合には、 SiO膜の上面が電極構造を反映し

2 2

て凹凸を有するように構成されている場合に比べて、通過帯域内における所望でな V、リップル等の抑圧を図ることがき、良好な周波数特性を得ることができる。

図面の簡単な説明

[0025] [図 1]図 1は、（a)及び (b)は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波分波器の第 1 のフィルタ及び第 2のフィルタの模式的平面図である。

[図 2]図 2は、本発明の一実施形態の弾性表面波分波器の回路構成を示す回路図である。

[図 3]図 3は、 PCS用弾性表面波デュプレクサにおける送信側フィルタの従来の代表的な周波数特性の一例を示す図である。

[図 4]図 4は、 PCS用弾性表面波デュプレクサにおける受信側フィルタの従来の代表的な周波数特性の一例を示す図である。

[図 5]図 5は、 1ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス周波数特性を示す図である。

[図 6]図 6は、 1ポート型弾性表面波共振子の位相 -周波数特性を示す図である。 [図 7]図 7は、 1ポート型弾性表面波共振子の共振 Q値と、ラダー型フィルタの通過帯域よりも低域側におけるフィルタ特性の急峻性との関係を示す図である。

[図 8]図 8は、 1ポート型弾性表面波共振子の反共振 Q値と、ラダー型フィルタの通過帯域よりも高域側におけるフィルタ特性の急峻性との関係を示す図である。

[図 9]図 9は、回転 Yカット X伝搬の LiTaO基板のカット角と、共振 Q値及び反共振 Q

3

値との関係を示す図である。

[図 10]図 10は、 Cuからなる電極膜厚と、反共振 Q値との関係を示す図である。

[図 11]図 11は、 Cuからなる電極膜厚と、共振 Q値との関係を示す図である。

[図 12]図 12は、従来の弾性表面波分波器の一例を示す模式的平面図である。符号の説明

[0026] 1…弾性表面波分波器

11- "第1のフィノレタ

12· ··第 2のフイノレタ

13· ··第 1の圧電基板

14· ··第 2の圧電基板

Sl la— Sl lc…直列腕共振子

Pl la, PI lb…並列腕共振子

Ll la, LI lb…インダクタンス素子

C11…コンデンサ素子

ANT…アンテナ

S 12a— S 12c…直列腕共振子

P 12a— P12d…並列腕共振子

L12a, L 12b…インダクタンス素子

C12a, C12b…コンデンサ素子

発明を実施するための最良の形態

[0027] 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

[0028] 図 1 (a)及び (b)は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波分波器に用いられる第 1,第 2の模式的平面図であり、図 2は、その回路構成を示す図である。

[0029] 本実施形態の弾性表面波分波器 1は、 PCS用のデュプレクサである。 PCSの場合、送信側通過帯域は 1850— 1910MHz、受信側通過帯域は 1930— 1990MHzである。そこで、弾性表面波分波器 1では、送信側の第 1のフィルタ 11が、上記通過帯域を有し、受信側の相対的に通過帯域が高い第 2のフィルタ 12が、 1930— 1990M Hzの通過帯域を有するように構成されて、る。

[0030] 図 2に示されているように、第 1,第 2のフィルタ 11, 12は、それぞれ、複数の弾性表面波共振子をラダー型回路構成を有するように接続した構造を有する。ここでは、第 1のフィルタ 11が、直列腕共振子 Sl la, Sl lb, Sl lcと、並列腕共振子 Pl la, P l ibとを有する。他方、第 2のフィルタ 12は、複数の直列腕共振子 S 12a, SI 2b, SI 2c及び並歹幌共振子 PI 2a, P12b, P12c, P12dを有する。

[0031] なお、第 1のフィルタ 11においては、並列腕共振子 Pl la, PI lbとアース電位との間に、それぞれ、インダクタンス LI la, LI lbが接続されている。また、アンテナ入力端子 ANTと、直列腕共振子 Sl laとの間にコンデンサ C11が接続されている。他方、第 2のフィルタ 12側においては、アンテナ入力端子 ANTと、第 2のフィルタ 12の入力端との間に、インピーダンス整合を図るために整合回路が接続されている。この整合回路は、アンテナ入力端子 ANTと、第 2のフィルタ 12との間に挿入されたインダクタンス素子 L12aと、インダクタンス素子 L12aの両端とアース電位との間にそれぞれ接続されたコンデンサ素子 C12a, C12bとを有する。また、直列腕共振子 S12cに並列にインダクタンス素子 L12bが接続されている。

[0032] 図 1 (a)及び (b)に示すように、直列腕共振子 S l la-Sl lc,並列腕共振子 PI la , Pl lb及び直列腕共振子 S12a— S12c及び並列腕共振子 P12a— P12dは、それぞれ、インターデジタル電極と、インターデジタル電極の表面波伝搬方向両側に配置された反射器とを有する 1ポート型弾性表面波共振子により構成されている。

[0033] 本実施形態では、第 1のフィルタ 11が、第 1の圧電基板 13を用いて構成されている。すなわち、第 1の圧電基板 13上に、各種電極を形成することにより、図 2に示した第 1のフィルタ 11の回路構成が実現されている。他方、第 2のフィルタ 12では、第 2の圧電基板 14が用いられている。第 2の圧電基板 14上に各種電極を形成することにより、図 2に示されて、る第 2のフィルタ 12の回路構成が実現されて、る。

[0034] また、本実施形態の弾性表面波分波器 1では、上記第 1の圧電基板 13として、第 1 のフィルタ 11に使用される弾性表面波共振子の反共振 Qが該弾性表面波共振子の共振 Qよりも大きくなる圧電基板が用いられており、第 2の圧電基板 14として、第 2のフィルタ 12に使用される弾性表面波共振子の共振 Qが該弾性表面波共振子の反共振 Qよりも大きくなる圧電基板が用いられており、それによつて第 1のフィルタ通過帯域高域側のフィルタ特性の急峻性及び第 2のフィルタの通過帯域低域側のフィルタ特性の急峻性が高められている。これを、以下において説明する。

[0035] 一般的な PCS用の送信フィルタ及び受信フィルタの周波数特性の代表例を図 3及び図 4にそれぞれ示す。 PCSの場合、送信側通過帯域と受信側通過帯域との間の周波数間隔が 20MHzと非常に狭くなつている。送信側フィルタでは 1930— 1990 MHz帯及び受信側フィルタでは 1850— 1910MHz帯にお!/、て、十分な減衰量を有する必要がある。従って、送信側フィルタでは、通過帯域高域側においてすなわち図 3の矢印 Aで示す領域において、並びに、受信側フィルタでは、通過帯域低域側すなわち図 4の矢印 Bで示す領域においてフィルタ特性の急峻性が効果的に高められることが求められる。本実施形態の弾性表面波分波器 1では、この要求を満たすことができる。これを以下において説明する。

[0036] 図 5及び図 6は、 2種の 1ポート型弾性表面波共振子の代表的なインピーダンス特性及び位相特性の一例を示す図であり、図 7は、弾性表面波共振子の共振 Q値と、複数の弾性表面波共振子を用いたラダー型フィルタにおける通過帯域低域側のフィルタ特性の急峻性との関係を示す図である。なお、図 7の縦軸の急峻性とは、（減衰量が 3. OdBである周波数) (減衰量 50dBである周波数)で表される。

[0037] 図 7から明らかなように、弾性表面波共振子の共振 Qが良好であるほどラダー型フィルタの通過帯域低域側における急峻性が高められることがわかる。

[0038] 他方、図 8は、弾性表面波共振子の反共振 Q値と、ラダー型フィルタの通過帯域高域側における急峻性との関係を示す図である。なお、図 8における縦軸の急峻性は、減衰量が 3. OdBの周波数-減衰量力 OdBの周波数である。図 8から明らかなように、弾性表面波共振子の反共振 Qが良好であるほどラダー型フィルタの通過帯域高域側における急峻性が高められることがわかる。

[0039] そこで、様々な回転角の Yカット X伝搬 LiTaO基板を用い、種々の 1ポート型弹

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性表面波共振子を作製し、共振 Q及び反共振 Q値を求めた。結果を図 9に示す。なお、弾性表面波共振子を構成するための電極は、 Cuにより構成し、その膜厚は波長の 4. 0% (80nm)とした。また、 IDT電極の線幅は 0. 5 m、波長は約 2 μ mとした。また、 IDT電極の表面波伝搬方向の両側に、同じく線幅 0. 5 m及び膜厚 4. 0%の一対の反射器を Cuを用いて作製した。さらに、これらの電極を覆うように、 SiO膜を

2 温度特性を改善するために成膜した。 SiO膜の膜厚は波長の 20%、 400nmとした

2

[0040] 図 9から明らかなように、 1ポート型弾性表面波共振子のカット角を異ならせることにより、共振 Q及び反共振 Qが変化することがわかる。そして、共振 Qが良好なカット角と、反共振 Qが良好なカット角が異なることがわかる。他方、図 7及び図 8から明らかなように、共振 Qを高めることにより、通過帯域低域側の急峻性を高めることができ、反共振 Qを高めることにより、通過帯域高域側におけるフィルタ特性の急峻性を高めることがきる。従って、通過帯域が相対的に低い第 1のフィルタにおいて、高域側のフィルタ特性の急峻性を高めるには、使用する弾性表面波共振子の反共振 Qを高めればよぐそのためには、図 9よりカット角の大きな圧電基板を用いることが好ましいことがわかる。逆に、通過帯域が相対的に第 2のフィルタにおいて、フィルタ側のフィルタ特性の急峻性を高めるには、弾性表面波共振子の共振 Qを高めればよぐそのためには、図 9から、カット角の小さな圧電基板を用いることが望ましいことがわかる。

[0041] そこで、本実施形態の弾性表面波分波器 1では、第 1のフィルタ 11に用いられている第 1の圧電基板 13が、第 2の圧電基板 14よりもカット角が大きな Yカット X伝搬の LiTaO基板を用いて構成されている。従って、本実施形態によれば、第 1のフィルタ

3

の通過帯域高域側及び第 2のフィルタ 12の通過帯域低域側におけるフィルタ特性の急峻性を効果的に高めることができる。

[0042] 従来、送信側フィルタ及び受信側フィルタは、前述した特許文献 1に記載のように、同一の圧電基板に構成されていることがあった。この場合、圧電基板のカット角は同じにならざるを得ず、従って共振 Q及び反共振 Qを高めようとした場合、カット角が 45 ° 付近の LiTaO基板が用いられていた。し力しながら、このような構成では、送信側

3

フィルタの高域側及び受信側フィルタの通過帯域低域側における急峻性をさほど高めることはできな力た。

[0043] これに対して、本実施形態の弾性表面波分波器では、上記のように、第 1,第 2の圧電基板 13, 14のカット角が上記のように選択されているため、第 1のフィルタ 11及び第 2のフィルタ 12の通過帯域の相手側通過帯域側の阻止域における急峻性を効果的に高めることができる。

[0044] なお、図 9から明らかなように、弾性表面波共振子の共振 Q及び反共振 Qの値は、回転 Yカット X伝搬 LiTaO基板では、カット角が 45° 付近で交叉している。そして、

3

カット角が 45° 以上で反共振 Qが高くなり、カット角が 45° 未満で共振 <3が高くなる。従って、好ましくは、第 1の圧電基板 13が、カット角が 45° 以上の回転 Yカット X伝搬 LiTaO基板を用いて構成され、第 2の圧電基板 14が、カット角が 45° 未満の回

3

転 Yカット X伝搬 LiTaO基板を用いて構成されて、ることが望まし!/、。

3

[0045] 上記のように、本実施形態の弾性表面波分波器では、通過帯域が相対的に低、第 1のフィルタ 11と、通過帯域が相対的に高い第 2のフィルタ 12において異なるカツト角の圧電基板 13, 14を用いることにより、それぞれに最適な反共振 Q及び共振 Q を実現し得る圧電基板を用いることができる。そのため、第 1のフィルタの通過帯域高域側及び第 2のフィルタ 12の通過帯域低域側におけるフィルタ特性の急峻性を効果的に高めることができる。

[0046] なお、上記実施形態では、各弾性表面波共振子の IDT電極を Cuにより構成した。

本願発明者はこの電極膜厚を変化させた場合、弾性表面波共振子の共振 Q及び反共振 Qが変化することを見出した。図 10及び図 11は、 Cuからなる電極膜厚を変化させた場合の 1ポート型弾性表面波共振子の反共振 Q及び共振 Qの変化を示す図である。なお、圧電基板としては、カット角が図 10が 42° 、図 11が 46° である回転 Y力ット X伝搬 LiTaO基板を用い、膜厚を除く電極の構成は上記実施形態の場合と同様

3

とした。また、電極膜厚は電極指周期により定まる波長に対する割合 (％)で示した。図 10及び図 11から明らかなように、 Cuからなる電極膜厚を変化させることにより、共振 Q及び反共振 Qが変化することがわかる。図 10から、電極膜厚が波長の 2— 4. 5 %の範囲であれば、反共振 Q値が 700以上と良好であり、図 11から明らかなように、電極膜厚が波長の 3— 6%であれば、共振 Q値が 700以上と良好である。

[0047] 従って、第 1のフィルタでは、 Cu力もなる電極膜厚を波長の 2— 4. 5%とし、第 2のフィルタ 12では、 Cu力もなる電極膜厚を 3— 6%の範囲とすれば共振 Q値を 700以上と良好な値とし得ることがわかる。よって、好ましくは、 Cuからなる電極膜厚は第 1 のフィルタ 11において、波長の 2— 4. 5%の範囲とされ、第 2のフィルタ 12において、波長の 3— 6%の範囲とすることが望ましい。

[0048] なお、図 10及び図 11は、電極が Cuからなる場合の結果を示した力本発明においては電極は Cu以外の金属、例えば Cu合金、 Cu以外の金属もしくは合金、あるいは複数の金属膜を積層した積層金属膜などにより構成してもよい。このような場合、電極の密度 pと、銅の密度 p

Cuとの関係から上記好ましい膜厚を換算すればよい。すなわち、電極の平均密度が pである場合、その電極の好ましい膜厚範囲は、 Cuの密度 p = 8. 9 (g/cm³)に基づき、第 1のフィルタ 11における電極膜厚の好ましい

Cu

範囲及びフィルタにお、て共振 Qを高め得る好まし、電極膜厚範囲を求めればょヽ。式（1) , (2)【こお!ヽて、 X I, λ 2ίま、それぞれ、第 1,第 2のフイノレタの電極の電極指周期により定まる波長であり、 i , p 2はそれぞれ第 1,第 2のフィルタの電極の密度である。また、電極が複数の金属の多層構造または合金等で構成されている場合には、電極全体の平均密度を求めて電極の密度にすればよい。

[0049] 式（1)

第 1のフィルタにおける好ましい電極膜厚範囲 =0. 18 X λ 1/ p l—O. 40 X λ 1

/ 1

[0050] 式（2)

第 2のフイノレタにおける好ましい電極膜厚範囲 =0. 27 1 2/ ρ 2-0. 53 X 1 2 / ρ 2

なお、本発明に係る弾性表面波装置は、上記 PCS用のデュプレクサに限らず様々な分波器ゃデュプレクサに用いることができる。

[0051] また、圧電基板としては、 LiTaO基板に限らず、 LiNbO基板などの他の圧電単結

3 3

晶基板を用いることも可能である。

Claims

請求の範囲

[1] 第 1の圧電基板において複数の弾性表面波共振子がラダー型回路構成を有するように接続されており、相対的に通過帯域の周波数が低い第 1のフィルタと、第 2の圧電基板にぉ、て複数の弾性表面波共振子がラダー型回路構成を有するように接続されており、相対的に通過帯域の周波数が高い第 2のフィルタとを備えた弾性表面波装置において、

前記第 1,第 2の圧電基板は、回転 Yカット X伝搬 LiTaO基板であり、

3

前記第 1の圧電基板のカット角が、前記第 2の圧電基板のカット角よりも大きいことを特徴とする、弾性表面波装置。

[2] 前記第 1の圧電基板が、カット角が 45° 以上の回転 Yカット X伝搬 LiTaO基板から

3 なり、前記第 2の圧電基板が、カット角が 45° 未満の回転 Yカット X伝搬 LiTaO基板

3 からなる、請求項 1に記載の弾性表面波装置。

[3] 前記第 1,第 2のフィルタが、それぞれ、第 1,第 2の圧電基板上に形成されたフィルタ構成用の第 1,第 2の電極を有し、

前記第 1,第 2の電極の密度を、それぞれ、 1, p 2 (g/cm³)とし、第 1,第 2のフィルタの電極の電極指の周期で測定される波長をそれぞれ、 λ 1、 λ 2 ( /ζ πι)としたとき、第 1の電極の膜厚力 0. 18 X λ ΐ/ 1-0. 40 Χ λ ΐΖ /θ 1の範囲にあり、第

2の電極の厚み力 0. 21 X 2/ ρ 2—0. 53 X 1 2/ _β 2の範囲にある、請求項 1または 2に記載の弾性表面波装置。

[4] 前記第 1,第 2の電極が、 Cu力らなり、前記第 1の電極の厚みが、 0. 021 1-0. 0

45 λ 1の範囲にあり、第 2の電極の厚み力 0. 03 λ 2—0. 06 λ 2の範囲にある、請求項 3に記載の弾性表面波装置。

[5] 前記第 1,第 2の圧電基板上に形成されており、温度特性を改善するための SiO

2 膜をさらに備える、請求項 1一 4のいずれか 1項に記載の弾性表面波装置。

[6] 前記 SiOの膜厚が、第 1,第 2のフィルタの波長の 5— 50%の範囲にある、請求項

2

5に記載の弾性表面波装置。

[7] 前記 SiO膜の上面が平坦ィ匕されていることを特徴とする、請求項 5または 6に記載

2

の弾性表面波装置。 [8] デュプレクサである、請求項 1一 7のいずれ力 1項に記載の弾性表面波装置。