WO2018142794A1 - 弾性波装置、デュプレクサ及びフィルタ装置 - Google Patents

弾性波装置、デュプレクサ及びフィルタ装置 Download PDF

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潤平 安田
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device in which a plurality of resonators are provided on a series arm, a duplexer having the elastic wave device, and a filter device.
  • duplexers using elastic wave filters have been widely used.
  • An elastic wave filter is a nonlinear device. Therefore, a duplexer using an elastic wave filter has a problem that intermodulation distortion (IMD: Inter Modulation Distortion) is likely to occur.
  • IMD Inter Modulation Distortion
  • a capacitor is connected in parallel to the parallel arm resonator closest to the antenna terminal in the transmission filter. By connecting the capacitors in parallel, the resonance frequency of the parallel arm resonator closest to the antenna terminal is increased. Thereby, the resonance frequency is located near the upper end of the 2Tx-Rx band. Therefore, the reflection loss in the parallel arm resonator whose resonance frequency is increased is reduced, and the occurrence of IMD is suppressed.
  • Patent Document 1 describes that downsizing can be promoted.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device that can suppress the occurrence of IMD and can further reduce the size.
  • Another object of the present invention is to provide a duplexer and a filter device having the elastic wave device of the present invention.
  • the acoustic wave device is provided on a piezoelectric substrate, the piezoelectric substrate, an antenna terminal connected to an antenna, and the piezoelectric substrate.
  • the duty of the IDT electrode of the series arm resonator closest to the antenna terminal among the plurality of series arm resonators is the remaining
  • the duty of the IDT electrode of at least one of the series arm resonators is smaller than the duty of the IDT electrode.
  • the duty of the IDT electrode of the series arm resonator closest to the antenna terminal is the smallest among the duties of the IDT electrodes of the plurality of series arm resonators. In this case, the occurrence of IMD can be more effectively suppressed.
  • the remaining series arm resonator includes a series arm resonator having a resonance frequency lower than that of the series arm resonator closest to the antenna terminal. In this case, suppression of deterioration of insertion loss in the pass band and steepness of filter characteristics can be ensured.
  • the duty of the IDT electrode in the series arm resonator having a relatively large dimension along the elastic wave propagation direction is an elastic wave.
  • the dimension along the propagation direction is larger than the duty of the IDT electrode of the series arm resonator having a relatively small size.
  • the elastic wave device can be further reduced in size.
  • the duty of the IDT electrode of the series arm resonator having a maximum dimension along the elastic wave propagation direction is It is the maximum of the duty of the IDT electrode of the resonator.
  • the elastic wave device can be further reduced in size.
  • a resonator closest to the antenna terminal among the plurality of resonators is the series arm resonator closest to the antenna terminal. In this case, the occurrence of IMD can be more effectively suppressed.
  • the plurality of resonators are the plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators connected between the series arm and a ground potential. And a ladder type filter is configured.
  • the plurality of resonators include the plurality of series arm resonators and a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter provided in the series arm. .
  • the signal terminal is a reception terminal and is a reception filter.
  • the duplexer according to the present invention includes a first band-pass filter, a first band-pass filter, and a second band-pass filter commonly connected to the antenna terminal, and the first band-pass filter. At least one of the pass filter and the second band pass filter has an elastic wave device configured according to the present invention.
  • a filter device includes a first band-pass filter having an elastic wave device configured according to the present invention, and at least one band-pass filter commonly connected to the antenna terminal. Yes.
  • a small filter device suitable for CA carrier aggregation
  • the elastic wave device According to the elastic wave device, the duplexer, and the filter device according to the present invention, it is possible to effectively suppress the occurrence of IMD and to further reduce the size.
  • FIG. 1 is a plan view showing an electrode structure of an acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing an electrode structure of a 1-port elastic wave resonator used in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a circuit diagram of the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a circuit diagram for explaining a filter device in which the acoustic wave device according to the first embodiment is used.
  • FIG. 5 is a diagram showing the IMD characteristics of the series arm resonator S1 and the acoustic wave resonator prepared for comparison.
  • FIG. 6 is a circuit diagram of an elastic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing an electrode structure of an acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing an electrode structure of a 1-port elastic wave resonator used in the first embodiment
  • FIG. 7 is a plan view for explaining an electrode structure of an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a circuit diagram of an acoustic wave device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a circuit diagram for explaining a duplexer as a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing an electrode structure of an acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • the acoustic wave device 1 includes a substrate 2 having piezoelectricity.
  • the substrate 2 having piezoelectricity is made of a piezoelectric single crystal such as LiTaO 3 or LiNbO 3 .
  • the substrate 2 having piezoelectricity may have a structure in which a piezoelectric single crystal film is stacked on a support substrate. Further, piezoelectric ceramics may be used instead of the piezoelectric single crystal.
  • an antenna terminal 3, a receiving terminal 4 as a signal terminal, and ground terminals 5 to 8 connected to a ground potential are provided on the substrate 2 having piezoelectricity.
  • FIG. 3 is a circuit diagram of the acoustic wave device 1.
  • a plurality of series arm resonators S ⁇ b> 1, S ⁇ b> 2, S ⁇ b> 3 are connected in series with each other in the series arm connecting the antenna terminal 3 and the receiving terminal 4.
  • a parallel arm resonator P1 is connected between a connection point between the series arm resonators S1 and S2 and the ground potential.
  • the parallel arm resonator P2 is connected between the connection point between the series arm resonators S2 and S3 and the ground potential. That is, the acoustic wave device 1 is a ladder type filter having series arm resonators S1 to S3 and parallel arm resonators P1 and P2 as a plurality of resonators.
  • the electrode materials constituting the antenna terminal 3, the receiving terminal 4, the ground terminals 5 to 8, the series arm resonators S1 to S3, and the parallel arm resonators P1 and P2 are not particularly limited.
  • a metal such as Cu, Al, Pt, Au, Mo, W or an alloy mainly composed of these metals is used.
  • a laminated metal film in which a plurality of metal films are laminated may be used.
  • the elastic wave device 1 is used as a reception filter for a smartphone or a mobile phone.
  • the acoustic wave device 1 is a Band 5 reception filter.
  • the series arm resonator S1 is the series arm resonator closest to the antenna terminal 3.
  • the resonator closest to the antenna terminal 3 is also the series arm resonator S1.
  • FIG. 2 is a plan view showing an electrode structure of a 1-port elastic wave resonator.
  • the IDT electrode 12 includes a plurality of first electrode fingers 12a and a plurality of second electrode fingers 12b that are interleaved with each other.
  • the distance between the electrode finger centers of the first electrode finger 12a and the second electrode finger 12b is the electrode finger pitch P.
  • the dimension in the width direction of the first and second electrode fingers 12a and 12b is defined as a width W.
  • the dimension in the width direction is a dimension along the elastic wave propagation direction of the first and second electrode fingers 12a and 12b.
  • the duty of the IDT electrode 12 is represented by W / P. That is, the duty is a metallization ratio.
  • FIG. 4 is a circuit diagram for explaining a filter device in which the acoustic wave device 1 is used.
  • the antenna terminal 3 of the acoustic wave device 1 is connected to the antenna 16.
  • An amplifier 17 is connected downstream of the receiving terminal 4.
  • the acoustic wave device 1 is characterized in that the duty of the IDT electrode of the series arm resonator S1 closest to the antenna terminal 3 among the plurality of series arm resonators S1 to S3 is at least one of the remaining series arm resonators S2 and S3.
  • the duty is smaller than the duty of the IDT electrode of one series arm resonator S2, S3.
  • FIG. 5 is a diagram showing the IMD characteristics of the series arm resonator S1 and the IMD characteristics of the acoustic wave resonator prepared for comparison.
  • the solid line in FIG. 5 shows the IMD characteristic of the series arm resonator S1
  • the broken line shows the IMD characteristic of the elastic wave resonator prepared for comparison.
  • the design parameters of the series arm resonator S1 are as follows.
  • Wavelength ⁇ determined by the electrode finger pitch P 4.325 ( ⁇ m).
  • the number of electrode fingers of the reflector 20.
  • the acoustic wave resonator prepared for comparison was the same as the series arm resonator S1 except that the duty of the IDT electrode was 0.65.
  • the IMD characteristics of the Band5 2Tx-Rx band are improved in the series arm resonator S1 compared to the elastic wave resonator prepared for comparison.
  • the inventor of the present application has experimentally found that the IMD characteristics can be improved by reducing the duty of the IDT electrode of the series arm resonator disposed in the series arm. It is the resonator close to the antenna terminal 3 that has the greatest influence on the IMD.
  • the duty of the IDT electrode of the series arm resonator S1 closest to the antenna terminal 3 among the plurality of series arm resonators is reduced. That is, the duty of the IDT electrode of the series arm resonator S1 is made smaller than the duty of the IDT electrode of at least one of the remaining series arm resonators S2 and S3. Therefore, the IMD characteristics can be effectively improved.
  • the duty of the IDT electrode of the series arm resonator S1 closest to the antenna terminal 3 is the smallest among the duties of the IDT electrodes of the plurality of series arm resonators S1 to S3. Thereby, generation
  • the resonance frequency is increased by connecting a capacitor in parallel to the parallel arm resonator. For this reason, the attenuation pole on the low frequency side of the filter characteristics is brought close to the pass band, and the steepness is enhanced.
  • the resonance frequency of the series arm resonator S1 closest to the antenna terminal 3 is not lowest. That is, it is desirable that at least one of the series arm resonators S2 and S3 has a resonance frequency lower than that of the series arm resonator S1. This is because when the duty of the series arm resonator S1 closest to the antenna terminal 3 decreases, the resonance frequency increases and the impedance at the resonance frequency increases. Therefore, the impedance characteristic at the resonance frequency is deteriorated. Therefore, when the resonance frequency of the series arm resonator S1 is located in the pass band, the insertion loss may be deteriorated.
  • the resonance frequency of the series arm resonator S1 closest to the antenna terminal 3 is not set to the lowest, the deterioration of the insertion loss in the passband is effectively suppressed. More preferably, it is desirable that the remaining series arm resonators S2 and S3 have series arm resonators having a resonance frequency lower than that of the series arm resonator S1. Thereby, securing of steepness and suppression of deterioration of insertion loss can be achieved.
  • the resonance frequency of the series arm resonator S1 is preferably outside the pass band. Thereby, the deterioration of the insertion loss can be more effectively suppressed. But the resonance frequency of series arm resonator S1 may be located in a pass band.
  • the duty of the IDT electrode of the series arm resonator S1 may not be the minimum among the duties of the IDT electrodes of the plurality of series arm resonators S1 to S3. However, preferably, as described above, it is desirable that the duty of the IDT electrode of the series arm resonator S1 is the minimum.
  • the duty of the IDT electrode in the series arm resonator having a relatively large dimension along the elastic wave propagation direction is a series arm having a relatively small dimension along the elastic wave propagation direction. It is desirable that it is larger than the duty of the IDT electrode of the resonator.
  • the dimension along the elastic wave propagation direction of the series arm resonator S3 is larger than the dimension along the elastic wave propagation direction of the series arm resonator S2.
  • the duty of the IDT electrode of the series arm resonator S3 is larger than the duty of the IDT electrode of the series arm resonator S2.
  • the metallized portion decreases. In the metallized part, the sound speed is slow. Therefore, when the duty is reduced, the metallized portion is reduced and the sound speed is increased. As the speed of sound increases (when the electrode finger pitch is constant), the resonance frequency or antiresonance frequency increases. Therefore, in order to keep the resonance frequency or anti-resonance frequency constant, it is necessary to increase the electrode finger pitch. Therefore, there is a possibility that the size of the acoustic wave propagation direction of the acoustic wave resonator is increased.
  • the duty of the IDT electrode of the series arm resonator S3 having the maximum dimension along the elastic wave propagation direction is set so that the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm It is desirable that the duty is maximum among the IDT electrodes of the resonators P1 and P2. As a result, the acoustic wave device can be further reduced in size.
  • FIG. 6 is a circuit diagram of an acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • series arm resonators S ⁇ b> 11 and S ⁇ b> 12 are arranged on a series arm connecting the antenna terminal 3 and the receiving terminal 4 as a signal terminal.
  • a parallel arm resonator P11 is connected between the antenna terminal 3 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P12 is connected between the connection point between the series arm resonators S11 and S12 and the ground potential.
  • the resonator closest to the antenna terminal 3 is the parallel arm resonator P11.
  • the resonator closest to the antenna terminal 3 may be the parallel arm resonator P11 instead of the series arm resonator S11.
  • the duty of the series arm resonator S11 closest to the antenna terminal 3 among the plurality of series arm resonators S11 and S12 may be smaller than the duty of the IDT electrodes of the remaining series arm resonators S12.
  • the number of remaining series arm resonators other than the series arm resonator S11 closest to the antenna terminal may be one.
  • FIG. 7 is a plan view for explaining the electrode structure of the elastic wave device according to the third embodiment
  • FIG. 8 is a circuit diagram of the elastic wave device according to the third embodiment.
  • a 5IDT type longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 32 is provided instead of the series arm resonator S3 in the first embodiment. That is, in the series arm connecting the antenna terminal 3 and the receiving terminal 4 as a signal terminal, the plurality of series arm resonators S1 and S2 and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 32 are connected in series with each other.
  • the acoustic wave device 31 includes a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 32 as a plurality of resonators in addition to the series arm resonators S1 and S2 and the parallel arm resonators P1 and P2.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter may be provided on the series arm.
  • the resonators arranged in the series arm are the series arm resonators S1 and S2 and the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 32.
  • the duty of the IDT electrode of the series arm resonator S1 closest to the antenna terminal 3 among the series arm resonators S1 and S2 is greater than the duty of the IDT electrode of the remaining series arm resonator S2. Should be small. Thereby, similarly to the case of the first embodiment, the occurrence of IMD can also be suppressed in the third embodiment. In addition, since it is not necessary to connect capacitors in parallel, the acoustic wave device 31 can be downsized.
  • FIG. 9 is a circuit diagram for explaining a duplexer as a fourth embodiment of the present invention.
  • the duplexer 41 has a common terminal 43 connected to the antenna 42.
  • the elastic wave device 1 according to the first embodiment is connected to the common terminal 43 as a first band-pass filter. That is, the antenna terminal 3 is connected to the common terminal 43.
  • a second band pass filter 44 is also connected to the common terminal 43.
  • the second band pass filter 44 is a transmission filter having a transmission terminal 45 and an output terminal 46.
  • the output terminal 46 is connected to the common terminal 43.
  • the duplexer 41 includes the reception filter that is the first band-pass filter including the elastic wave device 1 and the transmission filter that is the second band-pass filter 44.
  • the common terminal 51 not only the elastic wave device 1 as the first band-pass filter but also two or more band-pass filters 52 and 53 having different pass bands are common to the common terminal 51. It may be connected. In that case, a bundling filter device suitable for carrier aggregation (CA) can be configured. When used for carrier aggregation (CA) or the like, the common terminal 51 only needs to be connected in common to the acoustic wave device 1 and at least one band-pass filter having a different pass band.
  • CA carrier aggregation
  • the embodiment of the reception filter has been described.
  • the acoustic wave device according to the present invention may be applied to a transmission filter. That is, also in the transmission filter, the resonator that is closest to the antenna terminal has the most influence on the IMD characteristics. Therefore, the present invention can also be applied to a transmission filter having a plurality of series arm resonators in the series arm.

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Abstract

ＩＭＤの発生を抑制することができ、さらなる小型化を図り得る弾性波装置を提供する。　圧電性を有する基板２上に、アンテナ端子３、信号端子と、複数の共振子Ｓ１～Ｓ３，Ｐ１，Ｐ２とが設けられており、複数の共振子Ｓ１～Ｓ３，Ｐ１，Ｐ２が、直列腕に配置された複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３を有し、複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３の内、アンテナ端子３に最も近い直列腕共振子Ｓ１のＩＤＴ電極のデューティが、残りの直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３の内の少なくとも１つの直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティよりも小さい、弾性波装置１。

Description

弾性波装置、デュプレクサ及びフィルタ装置
　本発明は、直列腕に複数の共振子が設けられている弾性波装置、該弾性波装置を有するデュプレクサ及びフィルタ装置に関する。
　従来、弾性波フィルタを用いたデュプレクサが広く用いられている。弾性波フィルタは、非線形デバイスである。そのため、弾性波フィルタを用いたデュプレクサでは、相互変調歪（ＩＭＤ:Ｉｎｔｅｒ　Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）が発生しやすいという問題があった。下記の特許文献１に記載のデュプレクサでは、送信フィルタにおいて、アンテナ端子に最も近い並列腕共振子に、コンデンサが並列接続されている。コンデンサを並列接続することにより、アンテナ端子に最も近い並列腕共振子の共振周波数が高められている。それによって、２Ｔｘ－Ｒｘ帯の上端付近に、共振周波数が位置している。そのため、共振周波数が高められている並列腕共振子における反射損失が小さくされ、ＩＭＤの発生が抑制されている。並列腕共振子や直列腕共振子のＩＤＴ電極を分割構造とした技術に比べて、特許文献１では、小型化を進め得るとされている。
特開２０１２－１４７１７５号公報
　特許文献１に記載のデュプレクサでは、送信フィルタにおいて、アンテナ端子に最も近い並列腕共振子に並列にコンデンサが接続されている。従って、コンデンサを構成する必要があるため、より一層の小型化を進めることが困難であった。また、並列腕共振子とは別にコンデンサを構成しなければならなかった。
　本発明の目的は、ＩＭＤの発生を抑制することができ、さらなる小型化を進めることができる弾性波装置を提供することにある。
　本発明の他の目的は、本発明の弾性波装置を有するデュプレクサ及びフィルタ装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、圧電性を有する基板と、前記圧電性を有する基板上に設けられており、アンテナに接続されるアンテナ端子と、前記圧電性を有する基板上に設けられており、信号が入出力される信号端子と、前記圧電性を有する基板上に構成されておりＩＤＴ電極を有する複数の共振子とを備え、前記複数の共振子が、前記アンテナ端子と前記信号端子とを接続している直列腕に配置された複数の直列腕共振子を有し、前記複数の直列腕共振子の内、前記アンテナ端子に最も近い直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティが、残りの直列腕共振子の内の少なくとも１つの直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティよりも小さい。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記アンテナ端子に最も近い直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティが、前記複数の直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティの中で最小である。この場合には、ＩＭＤの発生をより一層効果的に抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記残りの直列腕共振子が、前記アンテナ端子に最も近い前記直列腕共振子よりも共振周波数が低い直列腕共振子を有する。この場合には、通過帯域内における挿入損失の悪化の抑制と、フィルタ特性の急峻性とを確保することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記複数の直列腕共振子において、弾性波伝搬方向に沿う寸法が相対的に大きい直列腕共振子におけるＩＤＴ電極のデューティが、弾性波伝搬方向に沿う寸法が相対的に小さい直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい。この場合には、弾性波装置をより一層小型にすることができる。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記複数の直列腕共振子の内、弾性波伝搬方向に沿う寸法が最大である直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記共振子のＩＤＴ電極のデューティの中で最大である。この場合には、弾性波装置をより一層小型にすることができる。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記複数の共振子の内、前記アンテナ端子に最も近い共振子が、前記アンテナ端子に最も近い前記直列腕共振子である。この場合には、ＩＭＤの発生をより効果的に抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記複数の共振子が、前記複数の直列腕共振子と、前記直列腕とグラウンド電位との間に接続される複数の並列腕共振子とを有し、ラダー型フィルタが構成されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記複数の共振子が、前記複数の直列腕共振子と、前記直列腕に設けられた縦結合共振子型弾性波フィルタとを有する。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記信号端子が受信端子であり、受信フィルタである。
　本発明に係るデュプレクサは、第１の帯域通過型フィルタと、前記第１の帯域通過型フィルタと前記アンテナ端子に共通接続されている第２の帯域通過型フィルタとを備え、前記第１の帯域通過型フィルタと前記第２の帯域通過型フィルタの少なくとも一方が本発明に従って構成されている弾性波装置を有する。
　本発明に係るフィルタ装置は、本発明に従って構成された弾性波装置を有する第１の帯域通過型フィルタと、前記アンテナ端子に共通接続されている、少なくとも１個の帯域通過型フィルタとを備えている。この場合には、本発明に従ってＩＭＤの発生を抑制することができ、かつ小型の、ＣＡ（キャリアアグリゲーション）に適したフィルタ装置を提供することができる。
　本発明に係る弾性波装置、デュプレクサ及びフィルタ装置によれば、ＩＭＤの発生を効果的に抑制することができ、しかも小型化をより一層進めることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態で用いられている、１ポート型弾性波共振子の電極構造を示す平面図である。 図３は、第１の実施形態の弾性波装置の回路図である。 図４は、第１の実施形態の弾性波装置が用いられているフィルタ装置を説明するための回路図である。 図５は、直列腕共振子Ｓ１及び比較のために用意した弾性波共振子のＩＭＤ特性を示す図である。 図６は、本発明の第２の実施形態の弾性波装置の回路図である。 図７は、本発明の第３の実施形態の弾性波装置の電極構造を説明するための平面図である。 図８は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。 図９は、本発明の第４の実施形態としてのデュプレクサを説明するための回路図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す平面図である。弾性波装置１は、圧電性を有する基板２を有する。圧電性を有する基板２はＬｉＴａＯ３またはＬｉＮｂＯ３などの圧電単結晶からなる。圧電性を有する基板２は、支持基板上に圧電単結晶膜を積層した構造を有していてもよい。また、圧電単結晶に代えて、圧電セラミックスが用いられてもよい。圧電性を有する基板２上に、アンテナ端子３と、信号端子としての受信端子４と、グラウンド電位に接続されるグラウンド端子５～８とが設けられている。
　図３は、弾性波装置１の回路図である。弾性波装置１では、アンテナ端子３と受信端子４とを結ぶ直列腕において、複数の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３が互いに直列に接続されている。また、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２の間の接続点と、グラウンド電位との間に並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３の間の接続点と、グラウンド電位との間に並列腕共振子Ｐ２が接続されている。すなわち、弾性波装置１は、複数の共振子として、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２を有するラダー型フィルタである。
　上記アンテナ端子３、受信端子４、グラウンド端子５～８、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２を構成する電極材料は特に限定されない。例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗなどの金属もしくはこれらの金属を主体とする合金が用いられる。また、複数の金属膜が積層されている積層金属膜が用いられていてもよい。
　なお、弾性波装置１は、スマートフォンや携帯電話機などの受信フィルタとして用いられる。本実施形態では、弾性波装置１は、Ｂａｎｄ５の受信フィルタである。
　図１及び図３に示すように、複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３の内、直列腕共振子Ｓ１が最もアンテナ端子３に近い直列腕共振子である。また、複数の共振子の内、最もアンテナ端子３に近い共振子も直列腕共振子Ｓ１である。
　ところで、直列腕共振子Ｓ１は、１ポート型弾性波共振子からなる。図２は、１ポート型弾性波共振子の電極構造を示す平面図である。弾性波共振子１１では、ＩＤＴ電極１２の弾性波伝搬方向両側に反射器１３，１４が設けられている。ＩＤＴ電極１２は、互いに間挿し合う複数本の第１の電極指１２ａ及び複数本の第２の電極指１２ｂを有する。弾性波共振子１１では、第１の電極指１２ａと第２の電極指１２ｂとの電極指中心間距離が、電極指ピッチＰである。そして、第１，第２の電極指１２ａ，１２ｂの幅方向寸法を幅Ｗとする。ここで、幅方向寸法とは、第１，第２の電極指１２ａ，１２ｂの弾性波伝搬方向に沿う寸法である。ＩＤＴ電極１２のデューティは、Ｗ／Ｐで表される。すなわち、デューティはメタライゼーション比である。
　図４は、弾性波装置１が用いられているフィルタ装置を説明するための回路図である。フィルタ装置１５では、弾性波装置１のアンテナ端子３が、アンテナ１６に接続される。そして、受信端子４の後段に、増幅器１７が接続されている。
　弾性波装置１の特徴は、複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３の内、アンテナ端子３に最も近い直列腕共振子Ｓ１のＩＤＴ電極のデューティが、残りの直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３の内少なくとも１つの直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３のＩＤＴ電極のデューティよりも小さいことにある。それによって、ＩＭＤの発生を抑制することができ、かつ小型化を図ることができる。これを、図５を参照しつつ、より具体的に説明する。
　図５は、直列腕共振子Ｓ１のＩＭＤ特性と比較のために用意した弾性波共振子のＩＭＤ特性とを示す図である。図５の実線が、直列腕共振子Ｓ１のＩＭＤ特性を示し、破線が比較のために用意した弾性波共振子のＩＭＤ特性を示す。
　なお、直列腕共振子Ｓ１の設計パラメータは以下のとおりである。
　ＩＤＴ電極のデューティ＝０．４５、電極指の対数＝８０本、電極指交差幅＝１００．１（μｍ）。電極指ピッチＰで定まる波長λ＝４．３２５（μｍ）。
　反射器の電極指の本数＝２０本。
　比較のために用意した弾性波共振子については、ＩＤＴ電極のデューティを０．６５としたことを除いては、上記直列腕共振子Ｓ１と同様とした。
　図５から明らかなように、Ｂａｎｄ５の２Ｔｘ－Ｒｘ帯のＩＭＤ特性において、直列腕共振子Ｓ１では、比較のために用意した弾性波共振子に比べて、ＩＭＤ特性が改善されていることがわかる。本願発明者は実験的に、直列腕に配置された直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティを小さくすれば、ＩＭＤ特性の改善を図り得ることを見出した。そして、ＩＭＤに最も大きな影響を与えるのは、アンテナ端子３に近い共振子である。
　そこで、弾性波装置１では、複数の直列腕共振子の内、アンテナ端子３に最も近い直列腕共振子Ｓ１のＩＤＴ電極のデューティを小さくしている。すなわち、直列腕共振子Ｓ１のＩＤＴ電極のデューティが、残りの直列腕共振子の内の少なくとも１つの直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３のＩＤＴ電極のデューティよりも小さくされている。従って、ＩＭＤ特性を効果的に改善することができる。
　前述した特許文献１では、並列腕共振子に並列にコンデンサを接続することによりＩＭＤの改善が図られていた。これに対して、弾性波装置１では、ＩＭＤの改善のために、追加のコンデンサを接続する必要がない。従って、さらなる小型化を図ることができ、しかも製造プロセスも簡略化し得る。
　なお、好ましくは、アンテナ端子３に最も近い直列腕共振子Ｓ１のＩＤＴ電極のデューティは、複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３のＩＤＴ電極のデューティの中で最小であることが望ましい。それによって、ＩＭＤの発生をより一層効果的に抑制することができる。
　特許文献１に記載のデュプレクサでは、並列腕共振子にコンデンサを並列に接続することにより、共振周波数が高められていた。そのため、フィルタ特性の低域側における減衰極が通過帯域に近づけられ、急峻性が高められていた。
　アンテナ端子３に最も近い直列腕共振子Ｓ１の共振周波数が最も低くされていないことが好ましい。すなわち、直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３の内少なくとも一方は、直列腕共振子Ｓ１よりも共振周波数が低くされていることが望ましい。なぜなら、アンテナ端子３に最も近い直列腕共振子Ｓ１のデューティが小さくなると、共振周波数が高くなり、共振周波数におけるインピーダンスが高くなる。そのため、共振周波数におけるインピーダンス特性が劣化する。よって、直列腕共振子Ｓ１の共振周波数が通過帯域内に位置すると、挿入損失が悪化するおそれがある。本実施形態では、アンテナ端子３に最も近い直列腕共振子Ｓ１の共振周波数が最も低くされていないことにより、通過帯域内の挿入損失の悪化が効果的に抑制される。より好ましくは、残りの直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３が、直列腕共振子Ｓ１よりも共振周波数が低い直列腕共振子を有することが望ましい。それによって、急峻性の確保と、挿入損失の悪化の抑制とが果たされ得る。
　好ましくは、直列腕共振子Ｓ１の共振周波数は、通過帯域外であることが望ましい。それによって、挿入損失の悪化をより一層効果的に抑制することができる。もっとも、直列腕共振子Ｓ１の共振周波数は、通過帯域内に位置していてもよい。
　また、直列腕共振子Ｓ１のＩＤＴ電極のデューティは、複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３のＩＤＴ電極のデューティの中で最小でなくともよい。もっとも、好ましくは、上記のように、直列腕共振子Ｓ１のＩＤＴ電極のデューティが最小であることが望ましい。
　なお、複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３において、弾性波伝搬方向に沿う寸法が相対的に大きい直列腕共振子におけるＩＤＴ電極のデューティが、弾性波伝搬方向に沿う寸法が相対的に小さい直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティよりも大きいことが望ましい。例えば、本実施形態では、図１に示すように、直列腕共振子Ｓ２の弾性波伝搬方向に沿う寸法に比べて、直列腕共振子Ｓ３の弾性波伝搬方向に沿う寸法が大きい。この場合、好ましくは、直列腕共振子Ｓ３のＩＤＴ電極のデューティが、直列腕共振子Ｓ２のＩＤＴ電極のデューティよりも大きいことが望ましい。それによって、より一層の小型化を図ることができる。これは、以下の理由による。デューティが小さくなると、メタライズ部分が少なくなる。メタライズ部分では、音速が遅い。従って、デューティが小さくなると、メタライズ部分が少なくなり、音速は速くなる。音速が速くなると（電極指ピッチ一定では）共振周波数または反共振周波数が高くなる。よって、共振周波数または反共振周波数を一定に保つためには電極指ピッチを大きくする必要がある。そのため、弾性波共振子の弾性波伝搬方向寸法の大型化を招くおそれがある。
　よって、上記のように、弾性波伝搬方向に沿う寸法が相対的に大きい直列腕共振子Ｓ３におけるＩＤＴ電極のデューティを大きくすることにより、より一層の小型化を図ることができる。
　また、好ましくは、複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３の内、弾性波伝搬方向に沿う寸法が最大である直列腕共振子Ｓ３のＩＤＴ電極のデューティが、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２のＩＤＴ電極のデューティの中で最大であることが望ましい。それによって、弾性波装置のより一層の小型化を図ることができる。
　図６は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。弾性波装置２１では、アンテナ端子３と、信号端子としての受信端子４との間を接続している直列腕に、直列腕共振子Ｓ１１，Ｓ１２が配置されている。アンテナ端子３とグラウンド電位との間に並列腕共振子Ｐ１１が接続されている。直列腕共振子Ｓ１１，Ｓ１２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１２が接続されている。複数の共振子としての直列腕共振子Ｓ１１，Ｓ１２及び並列腕共振子Ｐ１１，Ｐ１２の内、アンテナ端子３に最も近い共振子は、並列腕共振子Ｐ１１である。このように、アンテナ端子３に最も近い共振子は、直列腕共振子Ｓ１１ではなく、並列腕共振子Ｐ１１であってもよい。
　この場合においても、複数の直列腕共振子Ｓ１１，Ｓ１２の内、アンテナ端子３に最も近い直列腕共振子Ｓ１１のデューティが、残りの直列腕共振子Ｓ１２のＩＤＴ電極のデューティよりも小さければよい。なお、図６に示すように、アンテナ端子に最も近い直列腕共振子Ｓ１１以外の残りの直列腕共振子は１つであってもよい。
　図７は、第３の実施形態の弾性波装置の電極構造を説明するための平面図であり、図８は、第３の実施形態の弾性波装置の回路図である。
　第３の実施形態の弾性波装置３１では、第１の実施形態における直列腕共振子Ｓ３に代えて、５ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２が設けられている。すなわち、アンテナ端子３と信号端子としての受信端子４とを結ぶ直列腕において、複数の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２と、縦結合共振子型弾性波フィルタ３２とが互いに直列に接続されている。本実施形態では、弾性波装置３１は、複数の共振子として、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２に加えて、縦結合共振子型弾性波フィルタ３２を有する。このように、縦結合共振子型弾性波フィルタが直列腕に設けられていてもよい。
　この場合、直列腕に配置されている共振子は、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び縦結合共振子型弾性波フィルタ３２となる。
　当該第３の実施形態においても、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２の内、アンテナ端子３に最も近い直列腕共振子Ｓ１のＩＤＴ電極のデューティが、残りの直列腕共振子Ｓ２のＩＤＴ電極のデューティよりも小さければよい。それによって、第１の実施形態の場合の同様に、第３の実施形態においても、ＩＭＤの発生の抑制を果たすことができる。また、コンデンサの並列接続を必要としないため、弾性波装置３１においても小型化を図ることができる。
　図９は、本発明の第４の実施形態としてのデュプレクサを説明するための回路図である。デュプレクサ４１は、アンテナ４２に接続される共通端子４３を有する。共通端子４３に第１の帯域通過型フィルタとして、第１の実施形態に係る弾性波装置１が接続されている。すなわち、アンテナ端子３が、共通端子４３に接続されている。また、共通端子４３に第２の帯域通過型フィルタ４４も接続されている。第２の帯域通過型フィルタ４４は、送信端子４５と、出力端子４６とを有する送信フィルタである。出力端子４６は共通端子４３に接続されている。このように、デュプレクサ４１は、弾性波装置１からなる第１の帯域通過型フィルタである受信フィルタと、第２の帯域通過型フィルタ４４である送信フィルタとを備えている。
　また、図４に破線で示すように、共通端子５１に、第１の帯域通過型フィルタとしての弾性波装置１だけでなく、通過帯域が異なる２個以上の帯域通過型フィルタ５２，５３が共通接続されていてもよい。その場合には、キャリアアグリゲーション（ＣＡ）に適した束ね型のフィルタ装置を構成することができる。なお、キャリアアグリゲーション（ＣＡ）などに用いる場合には、共通端子５１に、弾性波装置１と、通過帯域が異なる少なくとも１個以上の帯域通過型フィルタとが共通接続されていればよい。
　なお、第１～第３の実施形態では、受信フィルタについての実施形態を説明したが、本発明に係る弾性波装置は、送信フィルタに適用されていてもよい。すなわち、送信フィルタにおいても、ＩＭＤ特性に最も影響するのは、アンテナ端子に最も近い共振子である。従って、直列腕に複数の直列腕共振子を有する送信フィルタにも、本発明を適用することができる。
１，２１，３１…弾性波装置
２…圧電性を有する基板
３…アンテナ端子
４…受信端子
５～８…グラウンド端子
１１…弾性波共振子
１２…ＩＤＴ電極
１２ａ，１２ｂ…第１，第２の電極指
１３，１４…反射器
１５…フィルタ装置
１６…アンテナ
１７…増幅器
２１…弾性波装置
３２…縦結合共振子型弾性波フィルタ
４１…デュプレクサ
４２…アンテナ
４３，５１…共通端子
４４…第２の帯域通過型フィルタ
４５…送信端子
４６…出力端子
５２，５３…帯域通過型フィルタ
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ１１，Ｐ１２…並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ３，Ｓ１１，Ｓ１２…直列腕共振子

Claims (11)

  1. 　圧電性を有する基板と、
    　前記圧電性を有する基板上に設けられており、アンテナに接続されるアンテナ端子と、
    　前記圧電性を有する基板上に設けられており、信号が入出力される信号端子と、
    　前記圧電性を有する基板上に構成されておりＩＤＴ電極を有する複数の共振子とを備え、
    　前記複数の共振子が、前記アンテナ端子と前記信号端子とを接続している直列腕に配置された複数の直列腕共振子を有し、
    　前記複数の直列腕共振子の内、前記アンテナ端子に最も近い直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティが、残りの直列腕共振子の内の少なくとも１つの直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティよりも小さい、弾性波装置。
  2. 　前記アンテナ端子に最も近い直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティが、前記複数の直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティの中で最小である、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記残りの直列腕共振子が、前記アンテナ端子に最も近い前記直列腕共振子よりも共振周波数が低い直列腕共振子を有する、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記複数の直列腕共振子において、弾性波伝搬方向に沿う寸法が相対的に大きい直列腕共振子におけるＩＤＴ電極のデューティが、弾性波伝搬方向に沿う寸法が相対的に小さい直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティよりも大きい、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記複数の直列腕共振子の内、弾性波伝搬方向に沿う寸法が最大である直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティが、全ての前記共振子のＩＤＴ電極のデューティの中で最大である、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記複数の共振子の内、前記アンテナ端子に最も近い共振子が、前記アンテナ端子に最も近い前記直列腕共振子である、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記複数の共振子が、前記複数の直列腕共振子と、前記直列腕とグラウンド電位との間に接続される複数の並列腕共振子とを有し、ラダー型フィルタが構成されている、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記複数の共振子が、前記複数の直列腕共振子と、前記直列腕に設けられた縦結合共振子型弾性波フィルタとを有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記信号端子が受信端子であり、受信フィルタである、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　第１の帯域通過型フィルタと、前記第１の帯域通過型フィルタと前記アンテナ端子に共通接続されている第２の帯域通過型フィルタとを備え、
    　前記第１の帯域通過型フィルタと前記第２の帯域通過型フィルタの少なくとも一方が請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置を有する、デュプレクサ。
  11. 　請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置を有する第１の帯域通過型フィルタと、
    　前記アンテナ端子に共通接続されている、少なくとも１個の帯域通過型フィルタとを備える、フィルタ装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111162756A (zh) * 2018-11-08 2020-05-15 株式会社村田制作所 多工器
WO2022138140A1 (ja) * 2020-12-22 2022-06-30 株式会社村田製作所 複合フィルタ装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110235364B (zh) * 2017-02-06 2023-04-04 株式会社村田制作所 弹性波装置、双工器以及滤波器装置
US11824522B2 (en) * 2020-11-11 2023-11-21 Rf360 Singapore Pte. Ltd. Electroacoustic filter with modified phase characteristics

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003188681A (ja) * 2001-12-14 2003-07-04 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波素子及びこれを用いた分波器
JP2005045475A (ja) * 2003-07-28 2005-02-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置、通信機
JP2013539308A (ja) * 2010-09-28 2013-10-17 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 非直線性を低減させるための、メタライゼーション比が異なる複数の変換器を有する音波によって動作するフィルタ、及び、その製造方法
WO2016208446A1 (ja) * 2015-06-24 2016-12-29 株式会社村田製作所 フィルタ装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7446629B2 (en) * 2004-08-04 2008-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna duplexer, and RF module and communication apparatus using the same
CN102334291B (zh) * 2009-03-10 2014-03-12 株式会社村田制作所 梯型弹性波滤波器
JPWO2012090559A1 (ja) * 2010-12-29 2014-06-05 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びそれを備えた通信機器
JP2012147175A (ja) * 2011-01-11 2012-08-02 Murata Mfg Co Ltd 弾性波分波器
CN104702239B (zh) * 2011-06-23 2017-09-22 天工滤波方案日本有限公司 梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器
KR101754198B1 (ko) * 2013-09-17 2017-07-05 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 듀플렉서
DE112015003391B4 (de) * 2014-07-22 2022-04-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Duplexer
US10097158B2 (en) * 2014-10-16 2018-10-09 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, filter, and duplexer
CN109417379B (zh) * 2016-06-28 2022-08-12 株式会社村田制作所 多工器、高频前端电路及通信装置
CN110235364B (zh) * 2017-02-06 2023-04-04 株式会社村田制作所 弹性波装置、双工器以及滤波器装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003188681A (ja) * 2001-12-14 2003-07-04 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波素子及びこれを用いた分波器
JP2005045475A (ja) * 2003-07-28 2005-02-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置、通信機
JP2013539308A (ja) * 2010-09-28 2013-10-17 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 非直線性を低減させるための、メタライゼーション比が異なる複数の変換器を有する音波によって動作するフィルタ、及び、その製造方法
WO2016208446A1 (ja) * 2015-06-24 2016-12-29 株式会社村田製作所 フィルタ装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111162756A (zh) * 2018-11-08 2020-05-15 株式会社村田制作所 多工器
JP2020078048A (ja) * 2018-11-08 2020-05-21 株式会社村田製作所 マルチプレクサ
JP7151668B2 (ja) 2018-11-08 2022-10-12 株式会社村田製作所 マルチプレクサ
CN111162756B (zh) * 2018-11-08 2023-09-08 株式会社村田制作所 多工器
WO2022138140A1 (ja) * 2020-12-22 2022-06-30 株式会社村田製作所 複合フィルタ装置

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